本發(fā)明涉及波長可變干涉濾波器、光濾波器裝置、光模塊以及電子設備。

背景技術：
現(xiàn)有技術中已知有如下所述的波長可變干涉濾波器：通過彼此相對的兩張反射膜，在取出規(guī)定的目的波長的光的波長可變干涉濾波器中使兩張反射膜間間隙尺寸發(fā)生改變，從而使取出的光的波長改變(例如參照專利文獻1)。專利文獻1中記載的波長可變干涉濾波器(法布里-珀羅濾波器)包括：基板；設置在基板上的第一反射膜(第一反射鏡)；以及隔著規(guī)定的間隙(反射膜間間隙)與第一反射膜相對設置的第二反射膜(第二反射鏡)。并且，第一反射膜上設置有相對于透過光的區(qū)域左右對稱的第一電極，第二反射膜的與基板相對的面上設置有相對于透過光的區(qū)域左右對稱且與第一電極相對的第二電極。在這種波長可變干涉濾波器中，由第一電極和第二電極彼此相對的區(qū)域構成靜電致動器，可以通過在電極間施加電壓，從而基于靜電引力使反射膜間間隙發(fā)生改變。在先技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利特開2001-221913號公報然而，在上述專利文獻1記載的波長可變干涉濾波器中，第一電極以及第二電極雖然設置成彼此相對，但由于制造時基板的接合錯位等，存在上下的電極位置偏離的情況。在這種情況下，由于作為靜電致動器而發(fā)揮作用的區(qū)域減少，因而存在無法保持靜電致動器的特性、反射膜間間隙的間隙控制的精度降低的問題。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明目的在于提供即使在制造時產(chǎn)生了基板接合錯位也能夠維持反射膜間間隙的間隙控制精度的波長可變干涉濾波器、光濾波器裝置、光模塊以及電子設備。本發(fā)明的波長可變干涉濾波器，其特征在于，具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上；以及第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時，上述第一電極以及上述第二電極設置在上述第一反射膜以及上述第二反射膜重合的光干涉區(qū)域的外側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的上述光干涉區(qū)域側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更靠近上述光干涉區(qū)域的一側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的與上述光干涉區(qū)域相反側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更遠離上述光干涉區(qū)域的一側。在本發(fā)明中，設置在第一基板上的第一電極與設置在第二基板上的第二電極彼此相對設置。因而，能夠由這些第一電極以及第二電極之間彼此相對的區(qū)域構成靜電致動器，通過在電極間施加電壓產(chǎn)生靜電引力從而改變反射膜間間隙。這里，在本發(fā)明的俯視觀察中，第一電極的光干涉區(qū)域側的邊緣位于比第二電極的光干涉區(qū)域側的邊緣更靠近光干涉區(qū)域的一側。并且，第一電極的與光干涉區(qū)域相反一側的邊緣位于比第二電極的與光干涉區(qū)域相反側的邊緣更遠離光干涉區(qū)域的一側。例如，在俯視觀察中，當?shù)谝浑姌O以及第二電極沿著設置在光干涉區(qū)域的外圓周側的環(huán)狀假想線設置時，第一電極的寬度尺寸大于第二電極的寬度尺寸，且在俯視觀察中第二電極設置在第一電極的內(nèi)側。在這種結構中，接合第一基板和第二基板時即使產(chǎn)生了微小的接合錯位，構成靜電致動器的第一電極以及第二電極的相對部分的區(qū)域面積也不會減少。因此，能夠維持靜電致動器的特性，并能夠抑制間隙控制中的精度降低。本發(fā)明的波長可變干涉濾波器還具有：第一引出電極，與上述第一電極連接；以及第二引出電極，與上述第二電極連接，優(yōu)選在上述俯視觀察中，上述第一電極具有多個第一部分電極，在上述俯視觀察中，上述第一引出電極設置在與上述第二電極以及上述第二引出電極不重疊的位置，在上述俯視觀察中，上述第二引出電極在與多個上述第一部分電極中的任意兩個之間的區(qū)域重疊的位置與上述第二電極連接。通常，在第一電極設置在第一基板的與第二基板相對的面上、第二電極設置在第二基板的與第一基板相對的面上等情況下，設置有用于設定第一電極電位的與第一電極連接的第一引出電極，以及用于設定第二電極電位的與第二電極連接的第二引出電極。在這種情況下，以在俯視觀察中第一電極以及第二引出電極的一部分、第二電極以及第一引出電極的一部分分別重疊的方式設計波長可變干涉濾波器時，當產(chǎn)生了基板彼此間的接合錯位時則導致電極以及引出電極的重合區(qū)域的面積改變。此外，即使在設計成僅僅第一電極以及第二電極重合、而第一引出電極或第二引出電極與第一電極或第二電極不重合的情況下，當產(chǎn)生了接合錯位時，也存在例如產(chǎn)生第一電極和第二引出電極重合的區(qū)域的可能性。與此相對，在本實施方式中，第一電極由多個第一部分電極構成，第二電極和第二引出電極的連接部與這些第一部分電極之間的區(qū)域相對。在這種結構中，即使產(chǎn)生了微小的接合錯位，由于在與第二電極以及第二引出電極的連接部對應的位置不存在第一電極，因此不產(chǎn)生第二引出電極和第一電極重合的區(qū)域。另外，即使在產(chǎn)生了接合錯位時，第一引出電極通過設置在例如與第二電極不重疊的第一電極的光干涉區(qū)域側的邊緣、或者設置在與光干涉區(qū)域相反側的邊緣，也能夠容易地避免與第二電極或第二引出電極重合。因而，即使在產(chǎn)生了接合錯位時，作為靜電致動器起作用的區(qū)域的面積也并未改變，從而靜電致動器的特性也并未改變。因此，向靜電致動器施加規(guī)定電壓時產(chǎn)生的靜電引力也并未改變，能夠抑制反射膜間間隙的間隙控制的精度降低。在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選上述第一電極具有將兩個上述第一部分電極連接的第一連接電極，在上述俯視觀察中，該第一連接電極設置與上述第二電極以及上述第二引出電極不重疊的位置上。在本發(fā)明中，第一電極具有連接第一部分電極的第一連接電極。由此，通過將一個第一引出電極與多個第一部分電極中的某一個或者與第一連接電極連接，能夠將各第一部分電極設定為相同電位，從而能夠實現(xiàn)電極形狀的簡化。本發(fā)明的光濾波器裝置，其特征在于，具有：波長可變干涉濾波器以及殼體，用于收容上述波長可變干涉濾波器，該波長可變干涉濾波器具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上；以及第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對，其中，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時，上述第一電極以及上述第二電極設置在上述第一反射膜以及上述第二反射膜重合的光干涉區(qū)域的外側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的上述光干涉區(qū)域側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更靠近上述光干涉區(qū)域的一側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的與上述光干涉區(qū)域相反一側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更遠離上述光干涉區(qū)域的一側。與上述發(fā)明相同，在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，即使在產(chǎn)生了第一基板以及第二基板的接合錯位時，第一電極以及第二電極彼此相對區(qū)域的面積也并不改變。因而，能夠維持由第一電極以及第二電極構成的靜電致動器的特性，并能夠高精度地實施反射膜間間隙的間隙控制。另外，由于是將波長可變干涉濾波器收容在殼體中的結構，因此能夠抑制帶電物質(zhì)和水粒子等異物侵入。由此，能夠防止由帶電物質(zhì)吸附在反射膜上引起的第一反射膜以及第二反射膜間的間隙的變動，以及各反射膜的劣化。并且，能夠提高搬運時波長可變干涉濾波器的保護，并提高將波長可變干涉濾波器組裝入設備時的操作效率。本發(fā)明的光模塊，其特征在于，具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上；第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對；以及檢測部，對由上述第一反射膜以及上述第二反射膜取出的光進行檢測，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時，上述第一電極以及上述第二電極設置在上述第一反射膜以及上述第二反射膜重合的光干涉區(qū)域的外側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的上述光干涉區(qū)域側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更靠近上述光干涉區(qū)域的一側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的與上述光干涉區(qū)域相反側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更遠離上述光干涉區(qū)域的一側。與上述發(fā)明相同，在本發(fā)明中，即使是產(chǎn)生了第一基板以及第二基板的接合錯位等時，也能夠維持由第一電極以及第二電極構成的靜電致動器的特性，并能夠從光干涉區(qū)域高精度地取出所需的目的波長的光。因而，在光模塊中通過檢測部對高精度地取出的目標波長的光進行檢測，也能夠檢測目的波長的光的正確光量。本發(fā)明的電子設備，其特征在于，具有：波長可變干涉濾波器以及對上述波長可變干涉濾波器進行控制的控制部，其中該波長可變干涉濾波器具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上；以及第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時，上述第一電極以及上述第二電極設置在上述第一反射膜以及上述第二反射膜重合的光干涉區(qū)域的外側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的上述光干涉區(qū)域側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更靠近上述光干涉區(qū)域的一側，在上述俯視觀察中，上述第一電極的與上述光干涉區(qū)域相反一側的邊緣位于比上述第二電極的邊緣更遠離上述光干涉區(qū)域的一側。與上述發(fā)明相同，在本發(fā)明中，即使在產(chǎn)生了第一基板以及第二基板的接合錯位時，也能夠維持由第一電極以及第二電極構成的靜電致動器的特性，并能夠從光干涉區(qū)域高精度地取出所需的目的波長的光。因而，在電子設備中也能夠根據(jù)高精度地取出的目的波長的光正確實施各種電子處理。本發(fā)明的波長可變干涉濾波器，其特征在于，具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時具有第一寬度尺寸；以及第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對，在上述俯視觀察中具有第二寬度尺寸，上述第一寬度尺寸大于上述第二寬度尺寸。與上述發(fā)明相同，在本發(fā)明中，即使在產(chǎn)生了第一基板以及第二基板的接合錯位時，第一電極以及第二電極彼此相對區(qū)域的面積也并不改變。因而，能夠維持由第一電極以及第二電極構成的靜電致動器的特性，并能夠高精度地實施反射膜間間隙的間隙控制。本發(fā)明的波長可變干涉濾波器，其特征在于，具有：第一基板；第二基板，與上述第一基板相對設置；第一反射膜，設置在上述第一基板上；第二反射膜，設置在上述第二基板上，隔著反射膜間間隙與上述第一反射膜相對；第一電極，設置在上述第一基板上，在從基板厚度方向俯視觀察上述第一基板以及上述第二基板時具有第一寬度尺寸；以及第二電極，設置在上述第二基板上，與上述第一電極相對，在上述俯視觀察中具有第二寬度尺寸，在上述俯視觀察中，上述第二電極形成于上述第一電極的內(nèi)側。與上述發(fā)明相同，在本發(fā)明中，即使在產(chǎn)生了第一基板以及第二基板的接合錯位時，第一電極以及第二電極彼此相對區(qū)域的面積也并不改變。因而，能夠維持由第一電極以及第二電極構成的靜電致動器的特性，并能夠高精度地實施反射膜間間隙的間隙控制。附圖說明圖1是表示本發(fā)明所涉及的第一實施方式的分光測定裝置的概要結構的框圖。圖2是表示第一實施方式的波長可變干涉濾波器的概要結構的俯視圖。圖3是沿圖2的A-A’線剖面后的波長可變干涉濾波器的截面圖。圖4是表示構成第一實施方式的靜電致動器的各電極結構的俯視圖。圖5是表示第一實施方式的波長可變干涉濾波器的制造方法的流程圖。圖6是說明圖5的固定基板形成工序的圖。圖7是說明圖5的可動基板形成工序的圖。圖8是說明圖5的基板接合工序的圖。圖9是表示基板接合工序中發(fā)生了接合錯位時的電極的位置的圖。圖10是表示第二實施方式的波長可變干涉濾波器的靜電致動器的電極結構的俯視圖。圖11是表示第三實施方式的光濾波器裝置的概要結構的截面圖。圖12是表示其他實施方式中波長可變干涉濾波器的靜電致動器的電極結構的俯視圖。圖13是表示其他實施方式中波長可變干涉濾波器的靜電致動器的電極結構的俯視圖。圖14是表示其他實施方式中波長可變干涉濾波器的靜電致動器的電極結構的俯視圖。圖15是表示其他實施方式中波長可變干涉濾波器的靜電致動器的電極結構的俯視圖。圖16是表示本發(fā)明的電子設備的一個例子的測色裝置的概要圖。圖17是表示本發(fā)明的電子設備的一個例子的氣體檢測裝置的概要圖。圖18是表示圖17的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的結構的框圖。圖19是表示本發(fā)明的電子設備的一個例子的食物分析裝置的概要結構的圖。圖20是表示本發(fā)明的電子設備的一個例子的分光照相機的概要結構的圖。具體實施方式第一實施方式以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明所涉及的第一實施方式進行說明。分光測定裝置的結構圖1是表示本發(fā)明所涉及的第一實施方式的分光測定裝置的概要結構的框圖。分光測定裝置1是本發(fā)明的電子設備，對由測定對象X所反射的測定對象光中的規(guī)定波長的光強度進行分析，并測定分光光譜。如圖1所示，該分光測定裝置1具有：光模塊10、I-V轉換器12、放大器13、A/D轉換器14、電壓控制部15以及控制部20。光模塊10構成為具有波長可變干涉濾波器5和檢測器11(檢測部)。I-V轉換器12將由檢測器11輸入的檢測信號轉換成電壓值并輸出至放大器13。放大器13放大由I-V轉換器12輸入的檢測信號所對應的電壓(檢測電壓)。A/D轉換器14將由放大器13輸入的檢測電壓(模擬信號)轉換成數(shù)字信號并輸出至控制部20。電壓控制部15根據(jù)控制部20的控制驅動波長可變干涉濾波器5，使規(guī)定的目的波長的光從波長可變干涉濾波器5透過。光模塊的結構接著，以下對光模塊10的結構進行說明。如圖1所示，光模塊10構成為具有檢測器11(檢測部)和波長可變干涉濾波器5。檢測器11接收透過了光模塊10的波長可變干涉濾波器5的光，輸出接收的光的光強度對應的檢測信號(電流)。波長可變干涉濾波器的結構以下對光模塊10的波長可變干涉濾波器5進行說明。圖2是表示波長可變干涉濾波器5的概要結構的俯視圖。圖3是沿圖2的A-A’線剖面后的波長可變干涉濾波器的截面圖。如圖2及圖3所示，波長可變干涉濾波器5是例如矩形板狀的光學部件，具備固定基板51(第一基板)以及可動基板52(第二基板)。這些固定基板51及可動基板52分別由各種玻璃或水晶等形成，通過利用由以聚硅氧烷為主成分的等離子體聚合膜等構成的接合膜53來接合固定基板51的第一接合部513以及可動基板52的第二接合部523，將這些固定基板51及可動基板52構成為一體。固定基板51上設置有構成本發(fā)明的第一反射膜的固定反射膜54，可動基板52上設置有構成本發(fā)明的第二反射膜的可動反射膜55。這些固定反射膜54及可動反射膜55隔著反射膜間間隙G1相對設置。并且，在從基板厚度方向觀察到的固定基板51及可動基板52的俯視觀察中(以后稱為濾波器俯視觀察)，由固定反射膜54及可動反射膜55彼此重合的區(qū)域構成光干涉區(qū)域Ar0。此外，由檢測器11對透過了該光干涉區(qū)域Ar0的光進行檢測。另外，固定基板51上設置有固定側電極561(第一電極)，可動基板52上設置有可動側電極562(第二電極)。于是，在濾波器俯視觀察中，由這些固定側電極561以及可動側電極562重合的區(qū)域構成靜電致動器56。另外，在本實施方式中，在濾波器俯視觀察中，固定反射膜54的中心點以及可動反射膜55的中心點一致，俯視觀察中的這些反射膜的中心點稱為濾波器中心點O。固定基板的結構固定基板51形成為相對于可動基板52厚度尺寸更大，并且不產(chǎn)生由靜電致動器56引起的靜電引力、由形成于固定基板51上的膜部件(例如固定反射膜54等)的內(nèi)部應力引起的固定基板51的撓曲。如圖3所示，該固定基板51具有通過例如蝕刻等形成的電極配置槽511以及反射膜設置部512。并且，如圖2所示，固定基板51的外邊緣的一部分(頂點C1)處設置有切口部514，從而形成后述的可動側引出電極572從該切口部514露出至波長可變干涉濾波器5表面的結構。在濾波器俯視觀察中，電極配置槽511形成為以固定基板51的濾波器中心點O為中心的環(huán)狀。在濾波器俯視觀察中，反射膜設置部512形成為從電極放置槽511的中心部向可動基板52側突出。該電極放置槽511的槽底面成為配置靜電致動器56的固定側電極561的電極設置面511A。并且，反射膜設置部512的突出前端面成為配置固定反射膜54的反射膜設置面512A。圖4是表示本實施方式的各電極結構的圖。此外，圖4中由斜線表示的區(qū)域為固定側電極561及可動側電極562重合的區(qū)域，作為靜電致動器56起作用。電極放置槽511的電極設置面511A上設置有固定側電極561。該固定側電極561設置在電極設置面511A中與后述的可動部521相對的區(qū)域上。具體而言，如圖4所示，在濾波器俯視觀察中，固定側電極561包括相對于濾波器中心點O呈點對稱的兩個固定側部分電極561A，以及連接這些固定側部分電極561A的固定側連接電極561B。固定側部分電極561A沿著以濾波器中心點O為中心的半徑R0的假想圓P，形成具有半徑R11(R11＜R0)的內(nèi)徑側邊緣561A1和半徑R12(R12＞R0)的外徑側邊緣561A2的圓弧形狀。因此，在假想圓P上的固定側部分電極561A的端部間的區(qū)域(第一端部間區(qū)域Ar1、第二端部間區(qū)域Ar2)處，在固定基板51上并未設置電極。這里，固定側部分電極561A的寬度尺寸(R12-R11)為本發(fā)明的第一寬度尺寸。另外，固定側連接電極561B將兩個固定側部分電極561A中的接近頂點C3側的端部彼此(隔著第二端部間區(qū)域Ar2彼此相對的端部)連接。該固定側連接電極561B從固定側部分電極561A的端部的外徑側邊緣561A2向假想圓P的直徑外側延伸，并將兩個固定側部分電極561A連接。即、在濾波器俯視觀察中，固定側連接電極561B設置在半徑R12的外徑側邊緣561A2的直徑外側，與后述的可動側電極562并不重疊。并且，如圖2以及圖4所示，固定側連接電極561B上連接有固定側引出電極571。如圖2所示，該固定側引出電極571延伸至頂點C3，在頂點C3處從設置在可動基板52上的后述的切口部524露出。此外，固定基板51上設置有從電極配置槽511向頂點C1以及頂點C3延伸的引出電極配置槽(省略圖示)，固定側引出電極571沿著這些引出電極放置槽中向頂點C3延伸的一方配置。并且，該固定側引出電極571的前端部在頂點C3處，通過例如FPC(FlexiblePrintedCircuits，撓性印刷電路板)或導線等與電壓控制部15連接。如上所述，反射膜設置部512形成為與電極配置槽511同軸且比電極配置槽511直徑尺寸小的大致圓柱狀，并具有與可動基板52相對的反射膜設置面512A。如圖3所示，該反射膜設置部512上設置有固定反射膜54?？梢允褂美鏏g等金屬膜或Ag合金等導電性合金膜作為該固定反射膜54。另外，也可以使用例如以TiO2為高折射層、以SiO2為低折射層的電介質(zhì)多層膜作為固定反射膜54。此外，也可以在固定基板51的光入射面(未設置固定反射膜54的面)上與固定反射膜54對應的位置處形成反射防止膜。該反射防止膜能夠通過交替層壓低折射率膜以及高折射率膜而形成，可以降低固定基板51表面的可視光的反射率，增大透過率。此外，在固定基板51的與可動基板51相對的面上，未形成電極配置槽511、反射膜設置部512以及引出電極配置槽的面構成第一接合部513。該第一接合部513通過接合膜53與可動基板52的第二接合部523接合?？蓜踊宓慕Y構如圖2以及圖3所示，在濾波器俯視觀察中，可動基板52具有以濾波器中心點O為中心的圓形的可動部521、與可動部521同軸且保持可動部521的保持部522、以及設置在保持部522外側的基板外周部525。此外，如圖2所示，可動基板52上在頂點C3處設置有切口部524，如上所述，固定側引出電極571的前端部從該切口部524露出?？蓜硬?21形成與保持部522相比厚度尺寸更大，例如在本實施方式中，其形成與可動基板52(基板外周部525)的厚度尺寸相同的尺寸。在濾波器俯視觀察中，該可動部521至少形成比反射膜設置面512A外邊緣的直徑尺寸更大的直徑尺寸。并且，該可動部521的與固定基板51相對的可動面521A上設置有可動反射膜55以及可動側電極562。此外，與固定電極51相同，也可以在可動部521的與固定基板51相反側的面上形成反射防止膜。如圖4所示，在濾波器俯視觀察中，可動側電極562設置在可動反射膜55(光干涉區(qū)域Ar0)的外周側。該可動側電極562沿著假想圓P，形成具有半徑R21(R0＞R21＞R11)的內(nèi)徑側邊緣562A1和半徑R22(R0＜R22＜R12)的外徑側邊緣562A2的圓環(huán)形狀。因此，在濾波器俯視觀察中，可動側電極562在兩個外徑側邊緣561A2的端部間(第一端部間區(qū)域Ar1、第二端部間區(qū)域Ar2)處，與固定側電極561并不重合。這里，可動側電極562的寬度尺寸(R22-R21)為本發(fā)明的第二寬度尺寸，小于固定側部分電極561A的寬度尺寸(R12-R11)，且在濾波器俯視觀察中，在形成靜電致動器56的相對區(qū)域中，可動側電極562設置在固定側部分電極561A的內(nèi)側。并且，在可動側電極562上，在位于頂點C1側的第一端部間區(qū)域Ar1處與可動側引出電極572連接。如圖2所示，該可動側引出電極572延伸至頂點C1，并在頂點C1處，從設置在固定基板51上的切口部514露出至波長可變干涉濾波器5的外面。此外，該可動側引出電極572與向固定基板51的頂點C1延伸的引出電極配置槽相對配置。并且，該可動側引出電極572的前端部在頂點C1處通過例如FPC或導線等與電壓控制部15連接。如圖4所示，在濾波器俯視觀察中，在如上所述的電極結構中，由固定側電極561以及可動側電極562重疊的圓弧區(qū)域(圖4中斜線所示區(qū)域)構成靜電致動器56。如圖3所示，在本實施方式中，在構成靜電致動器56的區(qū)域中，固定側電極561以及可動側電極562之間的電極間間隙G2形成為比反射膜間間隙G1更大，但并不局限于此。例如，在以紅外光或遠紅外光為對象作為測定對象光的情況下等，根據(jù)測定對象光的波長區(qū)域，也可以是反射膜間間隙G1比電極間間隙G2更大的結構。保持部522是包圍可動部521的周圍的隔膜(diaphragm)，形成為比可動部521小的厚度尺寸。這種保持部522比可動部521容易撓曲，可以基于微小的靜電引力就使可動部521向固定基板51側位移。此時，由于可動部521比保持部522厚度尺寸大且剛性增大，因此，即使在由于靜電引力而將保持部522向固定基板51側拉引的情況下，也能夠抑制可動部521形狀改變。因此，也能夠抑制設置在可動部521上的可動反射膜55的撓曲，能夠使固定反射膜54以及可動反射膜55維持平行狀態(tài)。此外，在本實施方式中，例示了隔膜狀保持部522，但并不僅限于此，例如也可以采用設置有以濾波器中心點O為中心、等角度間隔設置的梁狀保持部的結構等。如上所述，在濾波器俯視觀察中，基板外周部525設置在保持部522外側。該基板外周部525的與固定基板51相對的面上設置有與第一接合部513相對的第二接合部523，并通過接合膜53與第一接合部513接合。控制部20例如通過CPU、存儲器等組合而構成，用于對分光測定裝置1的整體動作進行控制。如圖1所示，該控制部20包括波長設定部21、光量(lightintensity)取得部22以及分光測定部23。此外，控制部20還具有存儲各種數(shù)據(jù)的存儲部30，存儲部30中存儲有用于控制靜電致動器56的V-λ數(shù)據(jù)。該V-λ數(shù)據(jù)中記錄有與施加給靜電致動器56的電壓相對應的、透過光干涉區(qū)域Ar0的光的峰值波長。波長設定部21設定由波長可變干涉濾波器5取出的光的目的波長，并從存儲部30所存儲的V-λ數(shù)據(jù)中讀入對應于所設定的目的波長的目標電壓值。此外，波長設定部21將旨在施加讀入的目標電壓值的控制信號輸出至電壓控制部15。由此，由電壓控制部15向靜電致動器56施加目標電壓值的電壓。光量取得部22根據(jù)由檢測器11取得的光量，取得透過了波長可變干涉濾波器5的目的波長的光的光量。分光測定部23根據(jù)由光量取得部22所取得的光量，對測定對象光的光譜特性進行測定。波長可變干涉濾波器的制造方法接著，根據(jù)附圖對如上所述的波長可變干涉濾波器的制造方法進行說明。圖5是表示波長可變干涉濾波器的制造方法的流程圖。制造波長可變干涉濾波器5時，首先，準備用于形成固定基板51的第一玻璃基板M1和用于形成可動基板52的第二玻璃基板M2，并進行固定基板形成工序S1及可動基板形成工序S2。之后，進行基板接合工序S3，將通過固定基板形成工序S1加工過的第一玻璃基板M1和通過可動基板形成工序S2加工過的第二玻璃基板M2接合，并按照芯片單位切割成波長可變干涉濾波器5。以下，根據(jù)附圖對各工序S1～S3進行說明。固定基板形成工序圖6是表示固定基板形成工序S1中的第一玻璃基板M1狀態(tài)的圖。如圖6的(A)所示，在固定基板形成工序S1中，首先對作為固定基板51的制造材料的第一玻璃基板M1的兩面進行精密研磨，直至兩面的表面粗糙度Ra達到1nm以下。其次，如圖6的(B)所示，通過蝕刻對第一玻璃基板M1的基板表面進行加工。具體而言，在第一玻璃基板M1的基板表面涂覆抗蝕劑，利用光刻法對涂布的抗蝕劑進行曝光、顯影，從而以反射膜設置面512A的形成位置開口的方式進行圖案化。這里，在本實施方式中，由一個第一玻璃基板M1形成多個固定基板51。因此，在該工序中，以陣列狀并列設置狀態(tài)制造多個固定基板51的方式，在第一玻璃基板M1上形成光致抗蝕圖。此外，對第一玻璃基板M1的兩面進行使用了例如氫氟酸類的濕式蝕刻。此時，進行蝕刻直至反射膜設置面512A的深度尺寸。之后，以電極配置槽511、引出電極配置槽的形成位置開口的方式形成抗蝕膜，再進行濕式蝕刻。由此，如圖6的(B)所示，形成確定了固定基板51的基板形狀的第一玻璃基板M1。之后，在第一玻璃基板M1的進行過蝕刻的面上，使形成固定側電極561、固定側引出電極571的電極材料成膜，再利用光刻法等進行圖案化。此時，在濾波器俯視觀察中，以固定側部分電極561A的內(nèi)徑側邊緣561A1比可動側電極562的內(nèi)徑側邊緣562A1處于內(nèi)側、且固定側部分電極561A的外徑側邊緣561A2比可動側電極562的外徑側邊緣562A2處于外側的方式，進行圖案化。這里，從固定側部分電極561A的內(nèi)徑側邊緣561A1到可動側電極562的內(nèi)徑側邊緣562A1的尺寸(R21-R11)，以及從固定側部分電極561A的外徑側邊緣561A2到可動側電極562的外徑側邊緣562A2的尺寸(R12-R22)，被設定為基板接合工序S3中將第一玻璃基板M1及第二玻璃基板M2(固定基板51以及可動基板52)接合時的接合精度以上的范圍(margin)。即、在接合第一玻璃基板M1及第二玻璃基板M2時，雖然存在產(chǎn)生接合錯位的可能性，但是其最大錯位量可以通過接合條件、接合方法等預先推測。因此，上述尺寸(R21-R11)以及尺寸(R12-R22)被設定為最大錯位量以上。此外，在本實施方式中，在與第一端部間區(qū)域Ar1相對的區(qū)域內(nèi)設置有可動側電極562和可動側引出電極572的連接部。此時，對第一端部間區(qū)域Ar1中彼此相對的固定側部分電極561A的端部間尺寸進行設定，以使即便產(chǎn)生接合錯位，固定側部分電極561A和可動側引出電極572也不重合。即、在濾波器俯視觀察中，可動側引出電極572的邊緣部和固定側部分電極561A的端部的尺寸被設定為最大錯位量以上的范圍。另外，在固定側電極561上成膜絕緣層的情況下，在電極形成后，通過例如等離子體CVD等在整個第一玻璃基板M1上成膜例如100nm左右厚度的SiO2。之后，通過例如干式蝕刻等除去固定側引出電極571前端部(連接FPC、導線的部分)的SiO2。接著，在反射膜設置部512上形成固定反射膜54。在本實施方式中，使用Ag合金作為固定反射膜54。在使用Ag等的金屬膜或Ag合金等的合金膜的情況下，在第一玻璃基板M1的表面上形成反射膜(金屬膜或合金膜)之后，利用光刻法等進行圖案化。此外，在形成電介質(zhì)多層膜作為反射膜的情況下，例如可以利用剝離工藝進行圖案化。在這種情況下，利用光刻法等在第一玻璃基板M1上的反射膜形成部分以外的部分形成抗蝕膜(剝離圖案)。之后，通過濺射法或蒸鍍法等使用于形成固定反射膜54的材料(例如，以TiO2為高折射層、以SiO2為低折射層的電介質(zhì)多層膜)成膜。然后，使固定反射膜54成膜后，通過剝離除去不需要部分的膜。此外，在使用不同種類反射膜作為固定反射膜54的情況下，分別單獨進行上述工序來形成反射膜。通過上述方法，制造如圖6的(C)所示的固定基板51呈多個陣列狀設置的第一玻璃基板M1?？蓜踊逍纬晒ば蚪又瑢蓜踊逍纬晒ば騍2進行說明。圖7是表示可動基板形成工序S2中的第二玻璃基板M2狀態(tài)的圖。如圖7的(A)所示，在可動基板形成工序S2中，首先對第二玻璃基板M2的兩面進行精密研磨直至表面粗糙度Ra達到1nm以下。然后，在整個第二玻璃基板M2上涂布抗蝕劑，利用光刻法對涂布的抗蝕劑進行曝光、顯影，使形成保持部522的位置圖案化。接著，如圖7的(B)所示，通過對第二玻璃基板M2進行濕式蝕刻，形成可動部521、保持部522以及基板外周部522。由此，制造確定了可動基板52的基板形狀的第二玻璃基板M2。接著，在第二玻璃基板M2的一個側面(與固定基板51相對的面)上形成可動側電極562以及可動側引出電極572。具體而言，與上述固定側電極561相同，在第二玻璃基板M2上使電極材料成膜，并利用光刻法等進行圖案化，從而形成可動側電極562以及可動側引出電極572。此時，在濾波器俯視觀察中，以可動側電極562的內(nèi)徑側邊緣562A1比固定側部分電極561的內(nèi)徑側邊緣561A1處于外側、且可動側電極562的外徑側邊緣562A2比固定側電極561的外徑側邊緣561A2處于內(nèi)側的方式，進行圖案化。之后，在可動面521A上形成可動反射膜55。該可動反射膜55的形成可以通過與固定反射膜54相同的方法而形成。通過上述方法，制造如圖7的(C)所示的可動基板52呈多個陣列狀設置的第二玻璃基板M2?；褰雍瞎ば蚪又?，對基板接合工序S3進行說明。圖8是表示基板接合工序S3中的第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2的狀態(tài)的圖。在該基板接合工序S3中，首先，在第一玻璃基板M1的第一接合部513以及第二玻璃基板M2的第二接合部523上，利用例如等離子體CVD法等使以聚硅氧烷為主成分的等離子體聚合膜(接合膜53)成膜。作為接合膜53的厚度例如可以設定為10nm至1000nm。此外，為了對第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2的等離子體聚合膜賦予活化能，進行O2等離子體處理或者UV處理。在O2等離子體處理的情況下，在O2流量1.8×10-3(m3/h)、壓力27Pa、RF功率200W的條件下進行30秒鐘處理。在UV處理的情況下，使用準分子UV(波長172nm)作為UV光源進行3分鐘處理。對等離子體聚合膜賦予了活化能后，進行這些第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2進行對齊調(diào)整，隔著等離子體聚合膜使第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2重合，并向接合部分施加10分鐘例如98(N)的負荷。由此，將第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2彼此接合。此時，由于接合時的負荷，有時第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2會產(chǎn)生微小的接合錯位。該接合錯位會由于接合條件和接合方法而改變預測最大錯位量。對此，在本實施方式中，在固定側電極561的內(nèi)徑側邊緣561A1與可動側電極562的內(nèi)徑側邊緣562A1之間，以及固定側電極561的外徑側邊緣561A2與可動側電極562的外徑側邊緣562A2之間，分別設定有最大錯位量以上的范圍。圖9是表示相對于第一玻璃基板M1(固定基板51)、第二玻璃基板M2(可動基板52)的接合位置發(fā)生偏離時的靜電致動器56的區(qū)域的圖。圖9的(A)表示第二玻璃基板M2(可動基板52)沿著連接頂點C2和頂點C4的線方向偏離時的狀態(tài)，圖9的(B)表示第二玻璃基板M2(可動基板52)沿著連接頂點C1和頂點C3的線方向偏離時的狀態(tài)。將圖9的(A)以及圖9的(B)與圖4進行比較可知，即使是產(chǎn)生了第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2的接合錯位，在本實施方式中，固定側電極561與可動側電極562重合區(qū)域的面積也不會減少。并且，即使在產(chǎn)生了接合錯位的情況下，在濾波器俯視觀察中，固定側引出電極571與可動側電極562也并不重合，且可動側引出電極572與固定側電極561也并不重合，從而作為靜電致動器56起作用的區(qū)域的面積也不會增加。即、作為靜電致動器56起作用的區(qū)域的面積與未產(chǎn)生接合錯位的情況相比面積大致相同，從而可以使靜電致動器56的特性保持恒定。此外，如上所述地將第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2接合之后，進行以芯片單位取出各波長可變干涉濾波器5的切斷工序。具體而言，沿著圖8所示的線B1將第一玻璃基板M1以及第二玻璃基板M2的接合體切斷。例如可以利用激光切斷等進行切斷。通過上述步驟，制造芯片單位的波長可變干涉濾波器5。本實施方式的作用效果在本實施方式中，設置在固定基板51上的固定側電極561的內(nèi)徑側邊緣561A1比設置在可動基板52上的可動側電極562的內(nèi)徑側邊緣562A1位于靠近光干涉區(qū)域Ar0的一側、且固定側電極561的外徑側邊緣561A2比可動側電極562的外徑側邊緣562A2位于遠離光干涉區(qū)域Ar0的一側。因此，在接合固定基板51以及可動基板52的基板接合工序S3中，即使在產(chǎn)生了接合錯位的情況下，在濾波器俯視觀察中，可動側電極562與固定側電極561重合區(qū)域的面積也并未減少。因此，能夠維持靜電致動器56的特性，并且在反射膜間間隙G1的間隙控制中能夠高精度地調(diào)節(jié)間隙量。由此，能夠由波長可變干涉濾波器5高精度地取出所需的目的波長的光，光模塊10在檢測器11中能夠準確地檢測目的波長的光的光量。另外，根據(jù)所取得的光量，分光測定裝置1能夠準確地進行分光分析。在本實施方式中，固定側電極561包括彼此呈點對稱的兩個固定側部分電極561A，這些固定側部分電極561A其端部間隔著第一端部間區(qū)域Ar1及第二端部間區(qū)域Ar2相對。并且，可動側引出電極572在第一端部間區(qū)域Ar1中與可動側電極562連接。另外，固定側引出電極571與設置在固定側部分電極561A的直徑外側的固定側連接電極561B連接，并且與可動側電極562和可動側引出電極572并不重疊。因此，在基板接合工序S3中，即使在產(chǎn)生了固定基板51及可動基板52的接合錯位的情況下，固定側電極561及可動側引出電極572也并不相對，從而作為靜電致動器56起作用的區(qū)域的面積也不會增大。此外，如上所述，固定側電極561和可動側電極562相對的區(qū)域的面積也不會減少。因此，即使在產(chǎn)生了接合錯位的情況下，作為靜電致動器56起作用的區(qū)域的面積大致固定，從而能夠維持靜電致動器的特性。由此，能夠更可靠地抑制反射膜間間隙G1的間隙控制的精度降低。在本實施方式中，固定側部分電極561A由固定側連接電極561B連接，該固定側連接電極561B上連接有固定側引出電極571。因此，沒有必要為了將固定側部分電極561A雙方設定為相同電位而將固定側部分電極561A的雙方與固定側引出電極571連接，從而能夠簡化電極結構。第二實施方式接著，參照附圖對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。在上述第一實施方式中為如下所述的結構：在固定基板51上設置沿著假想圓P的固定側部分電極561A以及固定側連接電極561B。與此相對，在第二實施方式中，作為能夠更加高精度地進行反射膜間間隙G1的間隙控制的結構，例示出在光干涉區(qū)域Ar0的外周上設置雙重電極的結構。圖10是表示第二實施方式的波長可變干涉濾波器的電極結構的圖。在以后的說明中，對與第一實施方式相同的結構標注了相同的符號并省略其說明。如圖10所示，在第二實施方式的波長可變干涉濾波器中，設置在固定基板51上的固定側電極561具有兩個固定內(nèi)側電極563、兩個固定外側電極564以及固定側連接電極561B。在濾波器俯視觀察中，兩個固定內(nèi)側電極563具有沿著以濾波器中心點O為中心的假想圓P1的圓弧形狀，并設置在相對于濾波器中心點O呈點對稱的位置上。在濾波器俯視觀察中，兩個固定外側電極564具有沿著以濾波器中心點O為中心、比假想圓P1直徑大的假想圓P2的圓弧形狀，并設置在相對于濾波器中心點O呈點對稱的位置上。此外，兩個固定內(nèi)側電極563在第一端部間區(qū)域Ar1及第二端部間區(qū)域Ar2中其端部間相對，兩個固定外側電極564也在第一端部間區(qū)域Ar1及第二端部間區(qū)域Ar2中其端部間相對。并且，固定側連接電極561B在第二端部間區(qū)域Ar2內(nèi)將這些固定內(nèi)側電極563以及固定外側電極564全部連接。此外，該固定側連接電極561B上連接有固定側引出電極571。另一方面，設置在可動基板52上的可動側電極562具有可動內(nèi)側電極565以及可動外側電極566?？蓜觾?nèi)側電極565形成為沿著假想圓P1的圓弧形狀，圓弧兩端部位于第一端部間區(qū)域Ar1，在濾波器俯視觀察中，僅僅比固定內(nèi)側電極563的端部邊緣突出少許。作為該突出尺寸，可以設定為基板彼此接合時的接合精度(最大錯位量)以上?？蓜油鈧入姌O566形成為沿著假想圓P2的圓弧形狀，圓弧兩端部位于第一端部間區(qū)域Ar1，在濾波器俯視觀察中，僅僅比固定外側電極564的端部邊緣突出少許。該突出尺寸也可以設定為基板彼此接合時的接合精度(最大錯位量)以上。并且，可動內(nèi)側電極565的端部在第一端部間區(qū)域Ar1中與可動內(nèi)側引出電極572A連接，可動外側電極566的端部在第一端部間區(qū)域Ar1中與可動外側引出電極572B連接。這些可動內(nèi)側引出電極572A以及可動外側引出電極572B分別延伸至可動基板52端部而彼此并不交叉，與第一實施方式的可動側引出電極572相同，其前端部通過例如FPC或導線等與電壓控制部15連接。因此，在本實施方式的波長可變干涉濾波器中，固定內(nèi)側電極563以及可動內(nèi)側電極565彼此相對的沿著假想圓P1的區(qū)域(圖10中向右上方傾斜的斜線區(qū)域)作為內(nèi)側靜電致動器56A起作用。此外，固定外側電極564以及可動外側電極566彼此相對的沿著假想圓P2的區(qū)域(圖10中向右下方傾斜的斜線區(qū)域)作為外側靜電致動器56B起作用。并且，由于可動內(nèi)側電極565以及可動外側電極566彼此獨立設置，因此這些靜電致動器56A、56B可以分別施加不同的電壓值。在這種結構中，例如可以進行如下的控制：對內(nèi)側靜電致動器56A施加用于使反射膜間間隙G1移動至目的間隙量附近的第一電壓之后，再對外側靜電致動器56B施加用于使反射膜間間隙G1與目的間隙量高精度地一致的第二電壓。在這種情況下，能夠降低外側靜電致動器56B的靈敏度，并能夠進行更高精度的反射膜間間隙G1的間隙控制。此外，在本實施方式中，固定內(nèi)側電極563的寬度尺寸(是沿著假想圓P1直徑方向的尺寸，相當于本發(fā)明的第一寬度尺寸)形成為大于可動內(nèi)側電極565的寬度尺寸(相當于本發(fā)明的第二寬度尺寸)，且固定外側電極564的寬度尺寸(是沿著假想圓P2直徑方向的尺寸，相當于本發(fā)明的第一寬度尺寸)形成為大于可動外側電極566的寬度尺寸(相當于本發(fā)明的第二寬度尺寸)。即、如圖10所示，從濾波器中心點O到固定內(nèi)側電極563的內(nèi)徑側邊緣的尺寸R31小于從濾波器中心點O到可動內(nèi)側電極565的內(nèi)徑側邊緣的尺寸R51。并且，從濾波器中心點O到固定內(nèi)側電極563的外徑側邊緣的尺寸R32大于從濾波器中心點O到可動內(nèi)側電極565的外徑側邊緣的尺寸R52。同樣，從濾波器中心點O到固定外側電極564的內(nèi)徑側邊緣的尺寸R41小于從濾波器中心點O到可動外側電極566的內(nèi)徑側邊緣的尺寸R61。并且，從濾波器中心點O到固定外側電極564的外徑側邊緣的尺寸R42大于從濾波器中心點O到可動外側電極566的外徑側邊緣的尺寸R62。因此，在本實施方式中也和第一實施方式相同，將固定基板51與可動基板52接合時，即使在產(chǎn)生了接合錯位的情況下，內(nèi)側靜電致動器56A以及外側靜電致動器56B的面積與未產(chǎn)生接合錯位時相比面積大致相同。因此，即使在產(chǎn)生了接合錯位的情況下，也能夠維持內(nèi)側靜電致動器56A以及外側靜電致動器56B的特性，能夠抑制反射膜間間隙G1的間隙控制的精度降低。第三實施方式接著，以下對本發(fā)明的第三實施方式所涉及的光濾波器裝置進行說明。上述第一實施方式的分光測定裝置1是對光模塊10直接設置波長可變干涉濾波器5的結構。但是，作為光模塊，也有具有復雜結構的光模塊，特別是對于小型化的光模塊而言，有時難以直接設置波長可變干涉濾波器5。以下，對本實施方式中的、即使對這種光模塊也能夠容易地設置波長可變干涉濾波器5的光濾波器裝置進行說明。圖11是表示本發(fā)明的第三實施方式所涉及的光濾波器裝置的概要結構的俯視圖。如圖11所示，光濾波器裝置600包括波長可變干涉濾波器5，以及收容該波長可變干涉濾波器5的殼體601。殼體601包括底層基板610、蓋(lid)620、底層側玻璃基板630以及蓋側玻璃基板640。底層基板610例如由單層陶瓷基板構成。該底層基板610上設置有波長可變干涉濾波器5的可動基板52。作為將可動基板52設置在底層基板610上的方式，可以隔著例如粘結層等來進行配置，也可以通過嵌合在其他固定部件等之上來進行配置。另外，在底層基板610上，在與反射膜54、55相對的區(qū)域，開口形成有光通過孔611。并且，以覆蓋該光通過孔611的方式與底層側玻璃基板630接合。作為底層側玻璃基板630的接合方法，例如可以利用玻璃料燒結接合、利用環(huán)氧樹脂等的粘接等，該玻璃料燒結接合使用通過高溫熔解玻璃原料并驟冷后的玻璃的碎片的玻璃料。在該底層基板610與蓋620相對的底層內(nèi)側面612上，與波長可變干涉濾波器5的各引出電極571、572分別對應地設置有內(nèi)側端子部615。此外，各引出電極571、572與內(nèi)側端子部615的連接，可以采用例如FPC615A，通過例如Ag漿料、ACF(AnisotropicConductiveFilm：各向異性導電膜)、ACP(AnisotropicConductivePaste：各向異性導電膠)等來接合。此外，在使內(nèi)部空間650維持真空狀態(tài)的情況下，優(yōu)選使用除氣少的Ag漿料。此外，并不局限于采用FPC615A進行連接，也可以實施例如基于引線接合法等的配線連接。此外，底層基板610對應于設置有各內(nèi)側端子部615的位置形成有貫通孔614，各內(nèi)側端子部615經(jīng)由貫通孔614中填充的導電性部件與外側端子部616連接，該外側端子部616設置在底層基板610的與底層內(nèi)側面612相反一側的底層外側面613上。并且，在底層基板610的外周部設置有與蓋620接合的底層接合部617。如圖11所示，蓋620包括：蓋接合部624，與底層基板610的底層接合部617接合；側壁部625，與蓋接合部624連接且向著遠離底層基板610的方向立起；以及頂部626，與側壁部625連接且覆蓋波長可變干涉濾波器5的固定基板51側。該蓋620可以由例如可伐(Kovar)合金等合金或者金屬形成。通過將蓋接合部624和底層基板610的底層接合部617接合，使該蓋620與底層基板610貼緊接合。作為這種接合方法除了激光熔敷以外，還可以列舉出例如：使用銀焊料等的焊接、使用共晶合金層的密封、使用低熔點玻璃的熔敷、玻璃粘著、玻璃料接合、基于環(huán)氧樹脂的粘接等。這些接合方法可以根據(jù)底層基板610以及蓋620的原料、接合環(huán)境等適當?shù)剡M行選擇。蓋620的頂部626相對于底層基板610平行。在該頂部626上，在與波長可變干涉濾波器5的反射膜54、55相對的區(qū)域開口形成有光通過孔621。并且，以覆蓋該光通過孔621的方式接合蓋側玻璃基板640。作為蓋側玻璃基板640的接合方法，與底層側玻璃基板630的接合相同，可以采用例如玻璃料接合、基于環(huán)氧樹脂的粘接等。第三實施方式的作用效果在本實施方式的光濾波器裝置600中，通過殼體601保護波長可變干涉濾波器5，因而可以防止由異物或大氣所包含的氣體等引起的波長可變干涉濾波器5的特性變化，并且可以防止由于外部因素引起的波長可變干涉濾波器5破損。另外，由于可以防止帶電粒子侵入，因而可以防止固定反射膜54、可動反射膜55、固定側電極561、以及可動側電極562帶電。因此，可以抑制因帶電而導致的庫侖力的產(chǎn)生，從而能夠更加可靠地維持固定反射膜54以及可動反射膜55的平行性。另外，例如在將工廠制造的波長可變干涉濾波器5運送至組裝光模塊或電子設備的組裝生產(chǎn)線等的情況下，如果是由光濾波器裝置600所保護的波長可變干涉濾波器5，則可以安全地進行運送。此外，光濾波器裝置600設置有露出殼體601外周面的外側端子部616，因此，即使在安裝入光模塊或電子設備時也容易進行配線。其他實施方式此外，本發(fā)明并不局限于上述實施方式，只要是可以實現(xiàn)本發(fā)明目的的范圍內(nèi)的變形、改良等都包含在本發(fā)明中。圖12、圖13、圖14以及圖15是表示其他實施方式的波長可變干涉濾波器的電極結構的一個例子的圖。在上述第一實施方式中，示出了兩個固定側部分電極561A通過固定側連接電極561B連接的示例，但是例如如圖12所示，也可以不設置固定側連接電極561B，而采用兩個固定側部分電極561A分別與固定側引出電極571連接的結構。即使是這種情況，固定側部分電極561A的外徑側邊緣561A2也比可動側電極562的外徑側邊緣562A2設置于直徑外側，因此固定側引出電極571與可動側電極562并不重合。此外，在第一實施方式中，示出了可動側電極562形成為圓環(huán)狀的示例，但是如圖13所示，作為可動側電極562的電極形狀，也可以形成為與第二端部間區(qū)域Ar2對應的區(qū)域開口的大致C字形狀。此時，如圖13所示，優(yōu)選在C字開口部處，可動側電極562的端部僅僅比固定側部分電極561A的端部突出接合時的最大錯位量以上的尺寸。此外，如圖14所示，可動側電極562也可以采用形成為在第一端部間區(qū)域Ar1處開口的C字形狀的結構。在這種情況下，也是通過在第一端部間區(qū)域Ar1處可動側電極562與可動側引出電極572連接，從而即使是產(chǎn)生了接合錯位時，也能夠避免可動側引出電極572與固定側電極561相對的不良情況。而且，雖然在第一實施方式、第二實施方式中都采用在第二端部間區(qū)域Ar2處設置固定側連接電極561B的結構，但并不局限于此。例如如圖15所示，也可以采用在第一端部間區(qū)域Ar1處設置固定側連接電極561B的結構。在這種情況下，在濾波器俯視觀察中，為了避免固定側連接電極561B與可動側引出電極572的重合，優(yōu)選將固定側連接電極561B設置為比固定側部分電極561A的內(nèi)徑側邊緣561A1靠近濾波器中心點O一側。但是，在這種情況下，可以認為相對于波長可變干涉濾波器5整體尺寸的固定反射膜54的形成面積減少，因此優(yōu)選如第一實施方式所示那樣，在未設置可動側引出電極572的第二端部間區(qū)域Ar2側設置固定側連接電極561B。此外，在上述實施方式中，以本發(fā)明的第一基板為固定基板51、以第一電極為固定側電極561、以第二基板為可動基板52、以第二電極為可動側電極562，但并不局限于此。例如，也可以以第一基板為可動基板、以第一電極為可動側電極、以第二基板為固定基板、以第二電極為固定側電極。在這種情況下，將電極形狀設定為如下形狀：從濾波器中心點O到可動側電極的內(nèi)徑側邊緣的尺寸小于從濾波器中心點O到固定側部分電極的內(nèi)徑側邊緣的尺寸，且從濾波器中心點O到可動側電極的外徑側邊緣的尺寸大于從濾波器中心點O到固定側部分電極的外徑側邊緣的尺寸。此外，在上述第一實施方式中，固定側電極561采用具有沿著假想圓P的兩個固定側部分電極561A的結構，但是固定側電極561也可以采用如下所述的結構、即例如三個以上相同形狀的固定側部分電極561A相對于濾波器俯視觀察中濾波器中心點O等角度間隔地設置。在這種情況下，與彼此接近的固定側部分電極561A的端部間相對設置可動側電極562和可動側引出電極572的連接部即可。在第二實施方式中也是同樣，也可以設置三個以上的固定內(nèi)側電極563、固定外側電極564。此外，雖然例示出沿著假想圓P的圓弧狀固定側部分電極561A和可動側電極562，但并不局限于此。也可以采用例如沿著以濾波器中心點O為中心的矩形形狀的假想線設置固定側部分電極561A和可動側電極562的結構。此外，作為本發(fā)明的電子設備，在上述各實施方式中，例示了分光測定裝置1，但是，除此之外，還可以根據(jù)各種領域應用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的驅動方法、光模塊、以及電子設備。例如如圖16所示，本發(fā)明的電子設備也可以應用于用于測定顏色的測色裝置。圖16是表示具有波長可變干涉濾波器的測色裝置400的一個例子的框圖。如圖16所示，該測色裝置400包括向檢查對象A射出光的光源裝置410、測色傳感器420(光模塊)以及控制測色裝置400的整體動作的控制裝置430。并且，該測色裝置400是如下的裝置：從光源裝置410射出的光在檢查對象A處被反射，并由測色傳感器420接收被反射的檢查對象光，根據(jù)由測色傳感器420輸出的檢測信號，對檢查對象光的色度、即檢查對象A的顏色進行分析測定。光源裝置410具有光源411、多個透鏡412(圖16中僅記載一個)，對檢查對象A射出例如基準光(例如白色光)。此外，多個透鏡412中可以包括準直透鏡，在這種情況下，光源裝置410通過準直透鏡將光源411射出的基準光變成平行光，并從未圖示的投射透鏡向檢查對象A射出。此外，雖然本實施方式例示出具有光源裝置410的測色裝置400，但是例如當檢查對象A為液晶面板等發(fā)光部件時，也可以采用未設置光源裝置410的結構。如圖16所示，測色傳感器420具有波長可變干涉濾波器5、用于接收透過波長可變干涉濾波器5的光的檢測器11、使通過波長可變干涉濾波器5透過的光的波長可變的電壓控制部15。此外，測色傳感器420在與波長可變干涉濾波器5相對的位置上，還具有將被檢查對象A反射的反射光(檢查對象光)向內(nèi)部導光的未圖示的入射光學透鏡。并且，該測色傳感器420通過波長可變干涉濾波器5將從入射光學透鏡入射的檢查對象光中規(guī)定波長的光分光，并由檢測器11接收分光后的光。此外，為了代替波長可變干涉濾波器5，可以使用第二實施方式或具有圖12至圖15所示電極結構的波長可變干涉濾波器，也可以設置第三實施方式的光學濾波器裝置600?？刂蒲b置430控制測色裝置400的整體動作。作為該控制裝置430，例如可以使用通用的個人計算機、便攜式信息終端、其他測色專用計算機等。并且，如圖16所示，控制裝置430構成為具有光源控制部431、測色傳感器控制部432以及測色處理部433等。光源控制部431與光源裝置410連接，例如根據(jù)使用者的設定輸入，向光源裝置410輸出規(guī)定的控制信號并使其射出規(guī)定亮度的白色光。測色傳感器控制部432與測色傳感器420連接，例如根據(jù)使用者的設定輸入，設定使測色傳感器420接收的光的波長，并向測色傳感器420輸出旨在檢測該波長的光的光接收量的控制信號。由此，測色傳感器420的電壓控制部15根據(jù)控制信號，向靜電致動器56施加電壓而驅動波長可變干涉濾波器5。測色處理部433根據(jù)由檢測器11檢測的光接收量，對檢查對象A的色度進行分析。此外，作為本發(fā)明的電子設備的其他例子，可以列舉出用于檢測特定物質(zhì)的存在的基于光的系統(tǒng)。作為這種系統(tǒng)可以例示出例如使用了本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的、采用分光計測方式高靈敏度地檢測特定氣體的車載用氣體泄漏檢測器，以及呼氣檢查用的光聲稀有氣體檢測裝置等氣體檢測裝置。以下，根據(jù)附圖對這樣的氣體檢測裝置的一個例子進行說明。圖17是表示具有波長可變干涉濾波器的氣體檢測裝置的一個例子的示意圖。圖18是表示圖17的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的結構的框圖。如圖17所示，該氣體檢測裝置100構成為具有傳感器芯片110、流道120以及主體部130，其中，該流道120具有吸引口120A、吸引流道120B、排出流道120C、以及排出口120D。主體部130由具有可裝卸流道120的開口的傳感器部蓋131、排出單元133、殼體134、檢測裝置(光模塊)、對檢測出的信號進行處理并控制檢測部的控制部138(處理部)、提供電力的電力供給部139等構成，其中，該檢測裝置包括光學部135、濾波器136、波長可變干涉濾波器5以及光接收元件137(檢測部)等。此外，為了代替波長可變干涉濾波器5，可以使用第二實施方式或具有圖12至圖15所示的電極結構的波長可變干涉濾波器，也可以設置第三實施方式的光學濾波器裝置600。此外，光學部135由用于射出光的光源135A、分束器135B、以及透鏡135C、135D、135E構成，其中，該分束器135B將從光源135A入射的光反射至傳感器芯片110側，并使從傳感器芯片側入射的光透過至光接收元件137側。此外，如圖18所示，在氣體檢測裝置100的表面設置有操作面板140、顯示部141、作為與外部的接口的連接部142、以及電力供給部139。當電力供給部139是蓄電池時，還可以具有用于充電的連接部143。并且，如圖18所示，氣體檢測裝置100的控制部138具有：由CPU等構成的信號處理部144、用于控制光源135A的光源驅動電路145、用于控制波長可變干涉濾波器5的電壓控制部146、接收來自光接收元件137的信號的光接收電路147、傳感器芯片檢測電路149、以及控制排出單元133的排出驅動電路150等，其中，該傳感器芯片檢測電路149讀取傳感器芯片110的碼，接收來自用于檢測有無傳感器芯片110的傳感器芯片檢測器148的信號。接著，對上述這樣的氣體檢測裝置100的動作進行說明。主體部130的上部的傳感器部蓋131的內(nèi)部設置有傳感器芯片檢測器148，并通過該傳感器芯片檢測器148檢測有無傳感器芯片110。信號處理部144如果檢測到來自傳感器芯片檢測器148的檢測信號，則判斷為處于安裝有傳感器芯片110的狀態(tài)，并向顯示部141發(fā)出使其顯示旨在能夠實施檢測動作的顯示信號。并且，例如由使用者操作操作面板140，如果來自操作面板140的旨在開始檢測處理的指示信號被輸出至信號處理部144，首先，信號處理部144向光源驅動電路145輸出光源工作信號以使光源135A工作。如果光源135A被驅動，則從光源135A以單一波長射出直線偏振光的穩(wěn)定的激光。此外，在光源135A中內(nèi)置有溫度傳感器、光量傳感器，其信息被輸出至信號處理部144。并且，當信號處理部144根據(jù)由光源135A輸入的溫度、光量而判斷為光源135A正在穩(wěn)定地動作時，則控制排出驅動電路150以使排出單元133工作。由此，包含應檢測的標的物質(zhì)(氣體分子)的氣體試料從吸引口120A被導向吸引流道120B、傳感器芯片110內(nèi)、排出流道120C、排出口120D。此外，在吸引口120A處設置有除塵過濾器120A1，可以除去較大粉塵和一部分水蒸氣等。此外，傳感器芯片110是安裝有多個金屬納米結構體、利用了局部表面等離子體共振的傳感器。在這種傳感器芯片110中，通過激光在金屬納米結構體間形成加強電場，當氣體分子進入該加強電場時，產(chǎn)生包含分子振動信息的拉曼散射光及瑞利散射光。這些瑞利散射光和拉曼散射光通過光學部135入射至濾波器136，利用濾波器136分離出瑞利散射光，而拉曼散射光則入射至波長可變干涉濾波器5。并且，信號處理部144向電壓控制部146輸出控制信號。由此，電壓控制部146驅動波長可變干涉濾波器5，利用波長可變干涉濾波器5使與作為檢測對象的氣體分子相對應的拉曼散射光分光。之后，通過光接收元件137接收分光后的光，經(jīng)由光接收電路147將與光接收量相對應的光接收信號輸出至信號處理部144。在這種情況下，能夠由波長可變干涉濾波器5高精度地取出作為目的的拉曼散射光。信號處理部144將如上所述獲得的與作為檢測對象的氣體分子相對應的拉曼散射光的光譜數(shù)據(jù)和存儲在ROM中的數(shù)據(jù)進行比較，并判斷是否是目的氣體分子，從而進行物質(zhì)的特定。并且，信號處理部144使顯示部141顯示該結果信息、或從連接部142向外部輸出。此外，在上述圖17及圖18中，雖然例示了通過波長可變干涉濾波器5將拉曼散射光分光、并基于分光后的拉曼散射光進行氣體檢測的氣體檢測裝置100，但作為氣體檢測裝置，也可以用作通過檢測氣體固有的吸光度而對氣體種類進行特定的氣體檢測裝置。在這種情況下，可以使用使氣體流入傳感器內(nèi)部、并檢測入射光中由氣體吸收的光的氣體傳感器作為本發(fā)明的光模塊。并且，將通過這種氣體傳感器對流入傳感器內(nèi)的氣體進行分析、判斷的氣體檢測裝置作為本發(fā)明的電子設備。這種結構中也可以利用波長可變干涉濾波器來檢測氣體的成分。另外，作為用于檢測特定物質(zhì)的存在的系統(tǒng)，并不僅限于如上所述的氣體的檢測，還可以例示出基于近紅外線分光的糖類的非侵入性測定裝置，以及食物、生物、礦物等信息的非侵入性測定裝置等的物質(zhì)成分分析裝置。以下，作為上述物質(zhì)成分分析裝置的一個例子，對食物分析裝置進行說明。圖19是表示利用了波長可變干涉濾波器5的電子設備的一個例子的食物分析裝置的概要結構的圖。如圖19所示，該食物分析裝置200具有：檢測器210(光模塊)、控制部220以及顯示部230。檢測器210具有：射出光的光源211、導入來自測定對象物的光的攝像透鏡212、將由攝像透鏡212導入的光進行分光的波長可變干涉濾波器5、以及檢測分光后的光的攝像部213(檢測部)。此外，為了代替波長可變干涉濾波器5，可以使用第二實施方式或具有圖12至圖15所示電極結構的波長可變干涉濾波器，也可以設置第三實施方式的光學濾波器裝置600。此外，控制部220具有：光源控制部221，進行光源211的點燈/關燈控制、點燈時的亮度控制；電壓控制部222，控制波長可變干涉濾波器5；檢測控制部223，控制攝像部213，并取得由攝像部213拍攝到的分光圖像；信號處理部224；以及存儲部225。如果該食物分析裝置200驅動系統(tǒng)，則通過光源控制部221控制光源211，由光源211向測定對象物照射光。并且，被測定對象物反射的光通過攝像透鏡212入射至波長可變干涉濾波器5。利用電壓控制部222的控制驅動波長可變干涉濾波器5。由此，能夠由波長可變干涉濾波器5高精度地取出目的波長的光。并且，通過由例如CDD攝像機等構成的攝像部213對取出的光進行拍攝。此外，將拍攝到的光作為分光圖像存儲在存儲部225中。另外，信號處理部224控制電壓控制部222而使施加給波長可變干涉濾波器5的電壓值發(fā)生改變，并取得針對各波長的分光圖像。此外，信號處理部224對存儲部225存儲的各圖像中的各像素的數(shù)據(jù)進行運算處理，求得各像素的光譜。此外，存儲部225中存儲有例如與光譜相對應的食物成分的相關信息，信號處理部224根據(jù)存儲部225所存儲的食物的相關信息，對求得的光譜的數(shù)據(jù)進行分析，并求得檢測對象中包含的食物成分及其含量。并且，還能夠根據(jù)獲得的食物成分及含量計算食物卡路里和新鮮度等。進而，通過分析圖像內(nèi)的光譜分布，還可以進行檢查對象的食物中新鮮度降低的部分的提取等，且能夠進一步進行食物內(nèi)所包含的異物等的檢測。此外，信號處理部224進行以下處理：在顯示部230上顯示如上所述獲得的檢查對象的食物的成分和含量、卡路里和新鮮度等信息。此外，在圖19中雖然示出了食物分析裝置200的例子，但通過大致相同的結構也可以用作如上所述的其他信息的非侵入性測定裝置。例如，可以用作進行血液等體液成分的測定、分析等、對生物體成分進行分析的生物體分析裝置。作為這種生物體分析裝置，例如作為對血液等體液成分進行測定的裝置，如果是檢測乙醇的裝置，則可以用作檢測駕駛員的飲酒狀態(tài)的酒后駕駛預防裝置。此外，也可以用作具備這種生物體分析裝置的電子內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。并且，還可以用作進行礦物成分分析的礦物分析裝置。而且，作為本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光模塊以及電子設備，可以適用于如下裝置。例如，通過隨著時間變化改變各波長的光的強度，可以由各波長的光來傳送數(shù)據(jù)，在這種情況下，通過設置在光模塊上的波長可變干涉濾波器對特定波長的光進行分光，并由光接收部進行接收，從而能夠提取出由特定波長的光傳送的數(shù)據(jù)，并且，還可以通過具備這種數(shù)據(jù)提取用光模塊的電子設備處理各波長的光的數(shù)據(jù)，從而進行光通信。另外，作為電子設備，也可以適用于通過本發(fā)明的波長可變干涉濾波器對光進行分光從而拍攝分光圖像的分光照相機、分光分析儀等。作為這種分光照相機的一個例子，可以列舉出內(nèi)置有波長可變干涉濾波器的紅外線照相機。圖20是表示分光照相機的概要結構的模式圖。如圖20所示，分光攝像機300包括攝像機主體310、攝像透鏡單元320、以及攝像部330(檢測部)。照相機主體310是由使用者把持、操作的部分。攝像透鏡單元320設置在照相機主體310上，將入射的圖像光導向攝像部330。如圖20所示，該攝像透鏡單元320構成為具有物鏡321、成像透鏡322以及設置在這些透鏡間的波長可變干涉濾波器5。此外，為了代替波長可變干涉濾波器5，可以使用第二實施方式或具有圖12至圖15所示電極結構的波長可變干涉濾波器，也可以設置第三實施方式的光學濾波器裝置600。攝像部330由光接收元件構成，對由攝像透鏡單元320導入的圖像光進行拍攝。在這種分光攝像機300中，通過波長可變干涉濾波器5使作為拍攝對象的波長的光透過，能夠對所需波長的光的分光圖像進行拍攝。此時，針對各波長，通過電壓控制部(省略圖示)利用如上述第一實施方式所示的本發(fā)明的驅動方法來驅動波長可變干涉濾波器5，從而能夠高精度地取出目的波長的分光圖像的圖像光。進而，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器也可以用作帶通濾波器，也可以用作如下所述的光學式激光裝置：例如通過波長可變干涉濾波器僅對發(fā)光元件射出的規(guī)定波段的光中的、以規(guī)定波長為中心的狹窄波段的光進行分光并使其透過的光學式激光裝置。此外，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器也可以用作生物體認證裝置，例如，可以適用于利用近紅外區(qū)域或可視區(qū)域的光的、血管、指紋、視網(wǎng)膜和虹膜等的認證裝置。進而，可以將光模塊及電子設備用作濃度檢測裝置。在這種情況下，通過波長可變干涉濾波器，對從物質(zhì)射出的紅外能量(紅外光)進行分光并進行分析，從而測定采樣中的被檢體濃度。如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光模塊以及電子設備可以適用于對入射光中規(guī)定的光進行分光的任意裝置。并且，如上所述，由于本發(fā)明的波長可變干涉濾波器可以通過一臺裝置對多個波長進行分光，因此，可以高精度地進行多個波長的光譜的測定、對多個成分進行檢測。因此，與通過多臺裝置取出所需波長的現(xiàn)有裝置相比，可以促進光模塊和電子設備的小型化，例如可以優(yōu)選用作便攜用或車載用的光學裝置。除此之外，只要在可以實現(xiàn)本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，本發(fā)明實施時的具體結構可以適當變更為其他結構等。附圖標記說明1分光測定裝置5波長可變干涉濾波器10光模塊11檢測器(檢測部)15電壓控制部20控制部51固定基板(第一基板)52可動基板(第二基板)54固定反射膜(第一反射膜)55可動反射膜(第二反射膜)56靜電致動器100氣體檢測裝置(電子設備)137光接收元件(檢測部)138控制部146電壓控制部200食物分析裝置(電子設備)213攝像部(檢測部)220控制部300分光攝像機(電子設備)330攝像部(檢測部)400測色裝置(電子設備)430控制部561固定側電極(第一電極)561A固定側部分電極(第一部分電極)561A1內(nèi)徑側邊緣561A2外徑側邊緣561B第一連接電極(固定側連接電極)562可動側電極(第二電極)562A1內(nèi)徑側邊緣562A2外徑側邊緣563固定內(nèi)側電極(第一部分電極)564固定外側電極(第一部分電極)565可動內(nèi)側電極566可動外側電極571固定側引出電極(第一引出電極)572可動側引出電極(第二引出電極)572A可動內(nèi)側引出電極(第二引出電極)572B可動外側引出電極(第二引出電極)600光濾波器裝置601殼體Ar0光干涉區(qū)域Ar1第一端部間區(qū)域Ar2第二端部間區(qū)域G1反射膜間間隙O濾波器俯視觀察中濾波器中心點