亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

低彎曲損耗光纖的制作方法

文檔序號(hào):2699311閱讀:294來(lái)源:國(guó)知局
低彎曲損耗光纖的制作方法
【專利摘要】單模光纖的一個(gè)實(shí)施例包括:漸變折射率中芯區(qū),具有外半徑r1和相對(duì)折射率Δ1;包層區(qū),包括(i)第一內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r2<10微米、和相對(duì)折射率Δ2且0.65≤r1/r2≤1;(ii)和第二內(nèi)包層區(qū)(即,溝槽),具有外半徑r3>10微米且包括最小相對(duì)折射率Δ3,其中第二內(nèi)包層區(qū)具有至少一個(gè)區(qū),該區(qū)具有隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査?;?iii)外包層區(qū),圍繞第二內(nèi)包層區(qū)且包括相對(duì)折射率Δ4,其中Δ1>Δ2>Δ3,Δ3<Δ4。
【專利說(shuō)明】低彎曲損耗光纖
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2011年11月30日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)N0.61/564902、2012年5月31提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)N0.13/485028、以及2012年11月19日提交的美國(guó)申請(qǐng)序列號(hào)N0.13/680676的優(yōu)先權(quán),本申請(qǐng)基于這些申請(qǐng)的內(nèi)容并且這些申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本申請(qǐng)涉及具有低彎曲損耗的光纖。
技術(shù)背景
[0004]對(duì)于低彎曲損耗光纖、特別是對(duì)于用在所謂“接入(access) ”和光纖到駐地(FTTx)光網(wǎng)絡(luò)中使用的光纖,存在需求??梢砸詼p少通過(guò)光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)的彎曲損耗的方式,在這樣的網(wǎng)絡(luò)中部署光纖。使用光纖的一些應(yīng)用或光部件可強(qiáng)加引起彎曲損耗的諸如緊密彎曲半徑、光纖壓縮等等之類的物理要求。這些應(yīng)用和/或組件包括將光纖部署在光分接纜線組件、具有工廠安裝的終端系統(tǒng)(FITS)和膨脹圈的分配纜線、位于連接饋送器和分配纜線的機(jī)柜內(nèi)的小彎曲半徑多端口、以及分配和分接纜線之間的網(wǎng)絡(luò)接入點(diǎn)中的跳接器中。在一些單模光纖設(shè)計(jì)中難以在較小和較大彎曲直徑處都實(shí)現(xiàn)在1550nm處的低彎曲損耗。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)某些實(shí)施例,一種單模光纖包括:
[0006]漸變折射率的中芯區(qū),具有外半徑T1、具有相對(duì)折射率A1、最大相對(duì)折射率Λ1Λ大、且具有阿爾法分布,α芯,其中0.5 < α芯彡4 ;
[0007]包層區(qū),包括
[0008](a)溝槽區(qū),圍繞所述漸變折射率中芯區(qū)且包括隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査嗀3,所述溝槽區(qū)具有內(nèi)半徑r2、外半徑1*3>10微米、和最小相對(duì)折射率Λ3υ、,以使得Λι最大> Λ3最小、r3彡r3a、且0.5 ( (r3a-r2) / (r3-r2) ( I,其中r3a是到光纖中心線的距離,其中A3首先到達(dá)值Λ3υ、,所述溝槽區(qū)具有阿爾法分布,at,以使得0.5彡CitS 5,且
[0009](b)外包層區(qū),圍繞所述溝槽區(qū)且具有相對(duì)折射率A4,且八3最小〈八4。
[0010]在至少一些實(shí)施例中,單模光纖還包括位于漸變折射率中芯區(qū)和溝槽區(qū)之間(即,在漸變折射率中芯區(qū)和第二內(nèi)包層區(qū)之間,第二內(nèi)包層區(qū)具有隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査?的第一內(nèi)包層區(qū)。
[0011]根據(jù)某些實(shí)施例,一種單模光纖包括:
[0012]漸變折射率的摻雜氧化鍺的中芯區(qū),具有外半徑Γι、具有相對(duì)折射率A1、最大相對(duì)折射率Λ 且具有阿爾法分布,,其中0.5彡αΕ彡4;
[0013]包層區(qū),包括⑴第一內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r2< 10微米、和相對(duì)折射率八2且0.65 ^ T1Zr2Kl ;(ii)和第二內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r3>10微米且包括相對(duì)折射率A3和最小相對(duì)折射率A3U、,其中所述第二內(nèi)包層區(qū)具有隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査?,其中第二?nèi)包層區(qū)具有阿爾法分布,at,以使得0.5彡at^5;(iii)外包層區(qū),圍繞第二內(nèi)包層區(qū)且包括相對(duì)折射率A4,其中A1最大>Λ2>Λ3最小,且A3最小<Λ4;且其中0.5 ^ (r3a-r2) / (r3-r2) ( I。
[0014]根據(jù)此處公開(kāi)的某些實(shí)施例,光纖包括漸變折射率中芯區(qū),具有外半徑Γι和最大折射率德?tīng)査?;包層,包括具有外半徑r2以使得a ( r2<8微米和相對(duì)折射率德?tīng)査嗀2的第一內(nèi)包層區(qū),具有相對(duì)折射率德?tīng)査嗀3和最小相對(duì)折射率德?tīng)査⒌牡诙?nèi)包層區(qū),其中Λ々ΛΑ A3最小,以使得八2和A3最小之間的差異大于0.08%;以及圍繞這兩個(gè)內(nèi)包層區(qū)的外包層區(qū)。此處公開(kāi)的光纖實(shí)施例優(yōu)選地展示出小于或等于1260nm的22m光纜截止、在1310nm處在8.2到9.6微米之間的模場(chǎng)直徑(MFD)、以及在1300和1324nm之間的零波長(zhǎng)色散波長(zhǎng)。在至少一些光纖實(shí)施例中,大于或等于0.6、更優(yōu)選地大于0.65,且小于或等于I。在至少一些光纖實(shí)施例中,IVr2大于或等于0.75、更優(yōu)選地大于0.8,且小于或等于I。
[0015]根據(jù)某些其他實(shí)施例,一種單模光纖包括:
[0016]漸變折射率的摻雜氧化鍺的中芯區(qū),具有外半徑Γι、且在中芯區(qū)中的峰值(最大)相對(duì)折射率德?tīng)査?;和中芯區(qū),具有漸變折射率阿爾法分布,具有I和3之間的α Ε ;
[0017]包層區(qū),包括(i)第一內(nèi)包層區(qū),具有外半徑4.5微米<r2〈9微米、和相對(duì)折射率A2且0.65 SiVr2S I ;(ii)和第二內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r3>10微米且包括最小相對(duì)折射率德?tīng)査嗀3U、,其中所述第二內(nèi)包層區(qū)具有隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査闹辽僖粋€(gè)區(qū),其中第二內(nèi)包層區(qū)具有阿爾法分布,at,0.5彡at<5 ;和(iii)外包層區(qū),圍繞內(nèi)包層區(qū)且包括相對(duì)折射率A4,其中Λ AA2SA3最小,八3最小〈八4。
[0018]此處還公開(kāi)了光纖實(shí)施例,包括中芯區(qū),具有外半徑Γι和最大相對(duì)折射率德?tīng)査?包層區(qū),包括第一內(nèi)包層區(qū)和第二內(nèi)包層區(qū),其中第一內(nèi)包層區(qū)具有外半徑r2〈8微米和相對(duì)折射率德?tīng)査嗀2,且第二內(nèi)包層區(qū)圍繞第一內(nèi)包層區(qū)且具有相對(duì)折射率A3,其中八^一八一八冗^(guò)且Λ2-Λ3Λ/>為彡0.1。此處公開(kāi)的光纖優(yōu)選地展示出小于或等于1260nm的22m光纜截止、在1310nm處在8.2到9.6微米之間的模場(chǎng)直徑(MFD)、以及在1300和1324nm之間的零波長(zhǎng)色散。在這些光纖中的某些實(shí)施例中,Γι/γ2大于或等于0.6,更優(yōu)選在0.8到I之間。優(yōu)選地,I A4-A2 I彡0.01。
[0019] 申請(qǐng)人:已經(jīng)發(fā)現(xiàn),使得光纖具有溝槽且溝槽具有非恒定相對(duì)折射率德?tīng)査兄谠谳^小(〈10mm)和較大(>20mm)直徑下都實(shí)現(xiàn)較好的宏彎曲性能。接下來(lái)的單模光纖實(shí)施例具有溝槽,且溝槽具有在其至少一個(gè)區(qū)中隨著半徑增加而減少的非恒定相對(duì)折射率德?tīng)査?,?dǎo)致與ITU-G.652標(biāo)準(zhǔn)兼容的低宏彎曲損耗和光學(xué)特性(光學(xué)性能參數(shù))。在至少某些實(shí)施例中,第二內(nèi)包層區(qū)的折射率隨著半徑位置增加而減少。
[0020]在至少某些實(shí)施例中at彡5,其中at(即,at)是溝槽a參數(shù)。對(duì)于某些實(shí)施例,0.5彡a t彡5。
[0021]現(xiàn)在將具體參考現(xiàn)有優(yōu)選實(shí)施例,其示例在附圖中示出。
[0022]附圖簡(jiǎn)沭
[0023]圖1-6示出對(duì)應(yīng)于此處公開(kāi)的光纖的數(shù)個(gè)實(shí)施例的示意性相對(duì)折射率分布。

【具體實(shí)施方式】
[0024]將在以下詳細(xì)描述中陳述附加特征和優(yōu)點(diǎn),這些特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)根據(jù)該描述將是顯而易見(jiàn)的,或者通過(guò)實(shí)施在以下詳細(xì)描述以及權(quán)利要求書(shū)和附圖中描述的可認(rèn)識(shí)到。
[0025]“折射率分布”是折射率或相對(duì)折射率與光纖半徑之間的關(guān)系。折射率分布的每一段的半徑由簡(jiǎn)寫(xiě)h r2, r3, r4等給出,且此處互換使用大小寫(xiě)(如,Γι等效于R1)。
[0026]“相對(duì)折射率百分比”被定義為Λ %= 100Χ(η/ _ηε2)/2ηΛ且如此處所使用地,nc是外包層區(qū)的折射率,除非另外指明,否則是純二氧化硅的折射率。如本文中使用地,相對(duì)折射率以△表示,而且其值以單位給出,除非另外指明。術(shù)語(yǔ):相對(duì)折射率德?tīng)査?、德?tīng)査?、Λ、?、% Λ、德?tīng)査ァⅲサ聽(tīng)査?、和百分比德?tīng)査颂幙苫Q地使用。在區(qū)域的折射率小于外包層的平均折射率的情況下,相對(duì)折射率百分比為負(fù)且被認(rèn)為具有下陷區(qū)或下陷折射率。在區(qū)域的折射率大于外包層區(qū)的平均折射率的情況下,相對(duì)折射率百分比為正?!吧蠐诫s劑”在這里被認(rèn)為是相對(duì)于未摻雜的純S12具有提高折射率的傾向的摻雜齊U?!跋?lián)诫s劑”在這里被認(rèn)為是相對(duì)于未摻雜的純S12具有降低折射率的傾向的摻雜劑。上摻雜劑的示例包括GeO2 (氧化鍺)、Al203、P205、Ti02、Cl、Br。下?lián)诫s劑的示例包括氟、硼、和非周期性空隙。術(shù)語(yǔ)α Ε、α。和α (芯)指芯阿爾法,且此處互換地使用。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員,明顯地,可修改此處公開(kāi)的相對(duì)折射率分布以使得整個(gè)折射率分布相對(duì)于純氧化硅的折射率線性上升或下降,且導(dǎo)致所得光纖的類似光學(xué)性質(zhì)。
[0027]除非另作說(shuō)明,此處將“色散現(xiàn)象”稱為“色散”,光纖的色散是材料色散、以及波導(dǎo)色散的總和。零色散波長(zhǎng)是色散具有零值的波長(zhǎng)。色散斜率是色散相對(duì)于波長(zhǎng)的變化率。
[0028]在式I中,“有效面積”定義為:
[0029]Aeff = 2 ( / f2r dr)2/ ( / f4r dr)(式 I)
[0030]其中積分上下限為O到,而f是與波導(dǎo)中傳播的光相關(guān)聯(lián)的電場(chǎng)的橫向分量。如本文中所使用,“有效面積”或“Aeff”指的是1550nm波長(zhǎng)下的光纖的光學(xué)有效面積,除非另作說(shuō)明。
[0031]術(shù)語(yǔ)“ α分布”指的是區(qū)域的相對(duì)折射率分布,以單位為的項(xiàng)Λ (r)表示,其中r是半徑,對(duì)于芯阿爾法的Λ (r)遵循以下式2,
[0032]Δ (r) = Δ (r0) (l-[|r-r0|/ ^1T0)] α(Λ>)) (式 2)
[0033]其中r。是Λ (r)為最大值的點(diǎn),F(xiàn)1是Λ (r) %為零的點(diǎn),而r在巧彡r彡rf范圍內(nèi),其中Λ如上定義,1^是α分布的起點(diǎn),1>是α分布的終點(diǎn),而α是作為實(shí)數(shù)的指數(shù)。
[0034]使用式3和4中示出的Peterman 11方法度量模式模場(chǎng)直徑(MFD),其中分別
[0035]2w = MFD (式 3)
[0036]且
[0037]W2 = (2 / f2r dr/ / [df/dr]2r dr) (式 4)
[0038]其中積分極限是O到。
[0039]可通過(guò)在規(guī)定的測(cè)試條件下誘發(fā)的衰減來(lái)量測(cè)光纖的抗彎性,例如通過(guò)將光纖圍繞預(yù)定直徑的心軸部署或纏繞,例如,圍繞6mm、10mm、20mm、30mm、或類似直徑心軸(如,“ IxlOmm直徑宏彎曲損耗”或“1x30mm直徑宏彎曲損耗”)纏繞I匝并測(cè)量每匝的衰減的增加。
[0040]一類彎曲測(cè)試是橫向負(fù)載微彎曲測(cè)試。在所謂的“橫向負(fù)載線網(wǎng)”測(cè)試(LLWM)中,將規(guī)定長(zhǎng)度的光纖置于兩個(gè)平板之間。將#70線網(wǎng)附連到平板之一。將已知長(zhǎng)度的光纖夾在板之間,并且在用30牛頓的力擠壓平板的同時(shí)測(cè)量參考衰減。然后,向平板施加70牛頓的力,并且以dB/m測(cè)量衰減的增大。衰減的增大是在指定波長(zhǎng)處(典型地在1200-1700nm范圍內(nèi),如1310nm或1550nm或1625nm)以dB/m為單位的光纖的橫向負(fù)載衰減。
[0041 ] “引腳陣列”彎曲測(cè)試用于比較光纖對(duì)彎曲的相對(duì)抵抗。為了執(zhí)行這種測(cè)試,對(duì)基本沒(méi)有誘導(dǎo)的彎曲損耗的光纖測(cè)量衰減損耗。隨后繞引腳陣列編織光纖,并且再次測(cè)量衰減。由彎曲引起的損耗是兩次測(cè)量的衰減之差。引腳陣列是一組十個(gè)圓柱引腳,它們被配置成單排并保持在平坦表面上的固定垂直位置。引腳間距為5mm,從中心到中心。引腳直徑為0.67mm。在測(cè)試期間,施加足夠的張力以使光纖順應(yīng)引腳表面的一部分。衰減的增大是在特定波長(zhǎng)處(典型地在1200-1700nm范圍內(nèi),如1310nm或1550nm或1625nm)以dB為單位的光纖的引腳陣列衰減。
[0042]對(duì)給定模式而言,理論光纖截止波長(zhǎng)或“理論光纖截止”或“理論截止”是在其之上被傳導(dǎo)的光不能在該模式下傳播的波長(zhǎng)。數(shù)學(xué)定義可以在1990年Jeunhomme在紐約的Marcel Dekker 出版的“Single Mode Fiber Optics (單模光纖光學(xué))”第 39-44 頁(yè)找到,其中理論光纖截止被描述為模式傳播常數(shù)變成與外包層中的平面波傳播常數(shù)相等時(shí)所處的波長(zhǎng)。此理論波長(zhǎng)適合于無(wú)直徑變化的無(wú)限長(zhǎng)的完美直光纖。
[0043]可通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的2m光纖截止測(cè)試,F(xiàn)0TP-80 (EIA-TIA-455-80)來(lái)測(cè)量光纖截止以產(chǎn)生“光纖截止波長(zhǎng)”,也稱為“2m光纖截止”或“測(cè)量的截止”。執(zhí)行F0TP-80標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試以使用受控的彎曲量來(lái)去除較高階模式,或?qū)⒃摴饫w的光譜響應(yīng)對(duì)多模光纖的光譜響應(yīng)進(jìn)行歸一化。
[0044]通過(guò)此處使用的成纜截止波長(zhǎng),或“成纜截止”,我們是指在EIA-445光纖測(cè)試步驟中描述的22m成纜截止,EIA-445光纖測(cè)試步驟是EIA-TIA光纖標(biāo)準(zhǔn)的一部分,EIA-TIA光纖標(biāo)準(zhǔn)即是電子工業(yè)協(xié)會(huì)一電信工業(yè)協(xié)會(huì)光纖標(biāo)準(zhǔn)。
[0045]除非在本文中另作說(shuō)明,針對(duì)LPOl模式報(bào)告光學(xué)特性(諸如色散、色散斜率等)。
[0046] 申請(qǐng)人:發(fā)現(xiàn),將具有非恒定深度的偏置溝槽放在單模光纖的分布中,可同時(shí)改進(jìn)在較小((1mm)和較大(> 20mm)彎曲直徑處的彎曲性能。如下的光纖實(shí)施例導(dǎo)致在較小和較大彎曲直徑處的低彎曲性能且具有符合G.652標(biāo)準(zhǔn)的光學(xué)特性(在1310nm處在8.2和9.6微米之間的MFD、在1300和1324nm之間的零色散波長(zhǎng)、小于或等于1260nm的光纜截止波長(zhǎng))。
[0047]優(yōu)選地光纖10的MFD (在1310nm波長(zhǎng)處)在8.2微米和9.6微米之間。例如,
8.2微米彡MFD彡且9.6微米、或8.5微米彡MFD彡且9.4微米(如,8.6微米、8.8微米、9微米、9.2微米、9.4微米、9.6微米、或在其之間)。
[0048]如圖1-6中所示,根據(jù)某些實(shí)施例,單模光纖10包括:
[0049]漸變折射率的中芯區(qū)I (或芯),具有外半徑T1、具有相對(duì)折射率A1、最大相對(duì)折射率Λ 且具有阿爾法分布,α E,其中0.5彡α Ε彡4 ;和包層區(qū),圍繞芯且包括至少一個(gè)內(nèi)包層區(qū)2,3和外包層區(qū)4。第二內(nèi)包層區(qū)3 (此處也稱為溝槽、溝槽區(qū)、或壕溝)具有內(nèi)半徑1"2和外半徑r3。在某些實(shí)施例中,r3>10微米。區(qū)域3還包括相對(duì)折射率A3和最小相對(duì)折射率、,以使得其相對(duì)折射率德?tīng)査S著半徑增加變得更負(fù)。內(nèi)包層區(qū)3具有阿爾法分布,^^,且優(yōu)選地0.5< at^50外包層區(qū)4,圍繞內(nèi)包層區(qū)且具有相對(duì)折射率A4,其中A1最大>Λ2>Λ3最小,A3最小〈八4。在圖1-6的光纖實(shí)施例中,ri<r2。在某些優(yōu)選實(shí)施例中,0.65 ( Xjr2 ( I。
[0050]根據(jù)某些實(shí)施例,光纖10包括具有外半徑r2的第一內(nèi)包層區(qū)2、和具有外半徑r3的第二內(nèi)包層區(qū)3。對(duì)于這些實(shí)施例,ri〈r2。在某些實(shí)施例中,光纖10不包括第一內(nèi)包層區(qū)2(例如,見(jiàn)圖4),對(duì)于這些實(shí)施例r2 = !T1且比值^Vr2 = I。
[0051]示例性光纖10的一些示意性折射率分布被圖示于1-6中。圖1-6的光纖10包括中心漸變折射率玻璃芯區(qū)I (或芯),包括最大相對(duì)折射率德?tīng)査俜直刃緟^(qū)I具有漸變折射率分布,此處也被稱為梯度或漸變折射率分布。光纖10可具有芯區(qū),具有a ^;值(a芯)范圍0.5彡a s彡5,在某些實(shí)施例中I彡a E彡5,在某些實(shí)施例中I彡a芯彡4,在某些實(shí)施例中1.5 < a芯彡3,在某些實(shí)施例中1.5彡a 2.5。如圖1_3和5_6中所示,在光纖10的某些實(shí)施例中,第二內(nèi)包層區(qū)3與芯區(qū)I偏移,以使得任選的第一內(nèi)包層區(qū)2夾在中心玻璃芯區(qū)I和第二內(nèi)包層區(qū)3之間(在這些實(shí)施例中,r2>ri)。外包層區(qū)4圍繞第二內(nèi)包層區(qū)3且包括相對(duì)折射率德?tīng)査?。在這些實(shí)施例中,第一、任選的內(nèi)包層區(qū)2圍繞中芯區(qū)I并與中芯區(qū)I直接相鄰,且包括相對(duì)折射率德?tīng)査俜直圈?。在這些實(shí)施例中,第二內(nèi)包層區(qū)3圍繞第一內(nèi)包層區(qū)2且包括最小折射率德?tīng)査俜直圈?β/>。在不包括第一內(nèi)包層區(qū)2的光纖實(shí)施例(例如圖示于圖4中),第二內(nèi)包層區(qū)3( S卩,溝槽區(qū))圍繞芯區(qū)I且與芯區(qū)I直接相鄰,第二內(nèi)包層區(qū)3包括最小相對(duì)折射率德?tīng)査俜直圈?β/>。在這些實(shí)施例中,為了建模目的,我們?cè)O(shè)1"2 = η、且A2= A3最大。
[0052]第二內(nèi)包層區(qū)3并不具有常數(shù)Λ3(Γ)。優(yōu)選地,Δ3(γ)隨著半徑增加而減少,且具有三角形截面。因此,在某些實(shí)施例中,這個(gè)區(qū)域的最小相對(duì)折射率A3出現(xiàn)在r = r3&(即,A3(r = r3)=八3最小)。優(yōu)選地,第二內(nèi)包層區(qū)3包括摻雜氟的氧化硅。外包層區(qū)4圍繞第二內(nèi)包層區(qū)3(即,溝槽)且包括相對(duì)折射率德?tīng)査俜直劝?。
[0053]圖1示出具有三角形溝槽分布的光纖10的實(shí)施例的相對(duì)折射率分布A3(r)。這個(gè)圖示出隨著半徑增加而單調(diào)遞減的第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率,且Λ 3 (r2) > Δ 3 (r3)。在圖1的實(shí)施例中,Δ2= Δ4。然而,A2并不需要與A4 —樣(如,A2可大于或小于Δ4)。在某些實(shí)施例中,A4彡A20在某些實(shí)施例中,0.00%彡(A4-A2)彡0.1%。
[0054]圖2示出具有梯形溝槽分布的光纖10的實(shí)施例的相對(duì)折射率分布。在這個(gè)實(shí)施例中,第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率也隨著半徑增加而單調(diào)遞減,且A3(r2)>A3(r3)。在圖2的實(shí)施例中A2= A4,但是在某些實(shí)施例中A2和A4具有不同值(如,Λ2>Λ4,或Δ2〈Λ4)。
[0055]圖3示出光纖10的另一個(gè)實(shí)施例的相對(duì)折射率分布。在這個(gè)實(shí)施例中,第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率隨著半徑增加而單調(diào)遞減直到它達(dá)到值r = r3a,且然后在半徑r3a和r3之間為常數(shù)。在這個(gè)實(shí)施例中,Δ 3(r2) > Δ 3 (r3)且Δ 3 (r2) > Δ 3 (r3a)。如圖3中所示,例如,半徑r3a是從中心線徑向向外地移動(dòng)首次到達(dá)值Λ.、處的半徑。在某些實(shí)施例中,r3a =r3。(見(jiàn)例如圖1、2、4、和5)在圖3所示實(shí)施例中A2= A4,但是在某些實(shí)施例中八2和A4具有不同值(如,Δ2>Δ4,或Λ2〈Λ4)。在某些實(shí)施例中0.1%彡I A2-A4 I彡0.01%。
[0056]圖4示出也具有與圖1的分布類似的溝槽分布的光纖10的實(shí)施例的相對(duì)折射率分布,但是在圖4中第一內(nèi)包層區(qū)2的寬度為零,即,這個(gè)光纖實(shí)施例不具有內(nèi)包層區(qū)2。在這個(gè)實(shí)施例中,A = r2。
[0057]圖5示出也具有類似于圖1的分布的溝槽分布的光纖10的實(shí)施例的相對(duì)折射率分布,但是在圖5中第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率分布具有凹入的形狀。
[0058]圖6示出也具有溝槽分布且類似于圖1的分布的光纖10的實(shí)施例的相對(duì)折射率分布,但是在圖6中第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率分布具有凸出的形狀。即,第二內(nèi)包層區(qū)3的相對(duì)折射率在鄰近第一內(nèi)包層區(qū)2的區(qū)域內(nèi)相對(duì)緩慢地減小,且隨半徑接近1*3(在鄰近外包層區(qū)的第二內(nèi)包層區(qū)3的區(qū)域內(nèi))而相對(duì)快速地減小。
[0059]在該示例性實(shí)施例中,A1最大>Λ2>Λ3最小且A3最小〈八4。優(yōu)選地A2-A3最小^0.08%。在某些實(shí)施例中0.08 %≤Λ 2- Λ 3最小≤0.7 %。在其他實(shí)施例中0.08 %≤Λ 2- Λ 3最小<0.25%。在其他實(shí)施例中0.25%^ Δ2-Δ3Λ/>^0.55%。可采用附加任選的芯或包層區(qū)。例如(未示出),另一區(qū)(2Α)可位于芯和區(qū)域3之間。任選的內(nèi)包層區(qū)2Α可與芯區(qū)I直接相鄰并圍繞芯區(qū)I,且包括比環(huán)形區(qū)2更高或更低的相對(duì)折射率德?tīng)査俜直取?2Α (即,Δ2Α<Δ2,或Λ2Α>Λ2)。第二內(nèi)包層區(qū)3(溝槽區(qū))的折射率(和因此的相對(duì)折射率德?tīng)査?優(yōu)選地隨著徑向位置增加而減小。
[0060]可用于定義溝槽形狀(即,第二內(nèi)包層區(qū)3的折射率形狀,其中r2 < r < r3)的另一個(gè)參數(shù)是參數(shù)at(阿爾法^,定義了第二內(nèi)包層區(qū)3中的相對(duì)折射率分布,用單位為
的項(xiàng)A(r)表達(dá),其中r是半徑,遵循式5,

【權(quán)利要求】
1.一種單模光纖,包括: 漸變折射率中芯區(qū),具有外半徑^、具有相對(duì)折射率A1、最大相對(duì)折射率且具有阿爾法分布,α芯,0.5彡α芯彡4 ; 包層區(qū),包括 (a)溝槽區(qū),圍繞所述漸變折射率中芯區(qū)且包括隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査嗀3分布,所述溝槽區(qū)具有內(nèi)半徑r2、外半徑1*3>10微米、和最小相對(duì)折射率A3i+,以使得A1最大〉Λ 3最小、r3彡r3a、且0.5 ( (r3a-r2) / (r3-r2)彡1,其中r3a是距光纖中心線的距離,其中A3首次到達(dá)值Λ3υ、,所述溝槽區(qū)具有阿爾法分布,at,以使得0.5彡at ^ 5,且 (b)外包層區(qū),圍繞所述溝槽區(qū)且具有相對(duì)折射率A4,且A3i/>〈A4。
2.如權(quán)利要求1所述的單模光纖,其特征在于,所述包層區(qū)還包括第一內(nèi)包層區(qū),具有相對(duì)折射率德?tīng)査嗀2且位于所述中芯區(qū)和所述溝槽區(qū)之間,以使得所述第一內(nèi)包層區(qū)的外半徑等于所述溝槽區(qū)的內(nèi)半徑r2,且r2 < 10微米,且0.65 < α/ι^Ι,所述第一內(nèi)包層區(qū)具有相對(duì)折射率A2 ;且A1最大>Λ2>Λ3最小。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光纖,其特征在于,0.08%彡I A4-A3最小I彡0.7%且A3最小和A2之間的絕對(duì)差異小于0.03,溝槽區(qū)的絕對(duì)值V3a3為5% Λ微米2 ( V3a3 ( 105%Δ微米2,所述光纖表現(xiàn)出小于或等于1260nm的22m光纜截止,且具有零色散波長(zhǎng)λ0且1300nm ^ λ o ^ 1324nm。
4.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,0.08 % < I Δ4-Δ3最小I( 0.25%。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,0.25 % < I Δ4-Δ3最小I( 0.55%。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,漸變折射率中芯區(qū)包括摻雜氧化鍺的氧化硅。
7.如權(quán)利要求中1-5所述的光纖,其特征在于,漸變折射率中芯區(qū)包括摻雜氟的氧化娃且基本沒(méi)有氧化鍺。
8.如權(quán)利要求1、6、或7所述的光纖,其特征在于,漸變折射率中芯區(qū)包括鉀。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,所述第一內(nèi)包層區(qū)基本沒(méi)有氟和氧化鍺。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,對(duì)于從r3延伸到至少30微米的半徑的徑向長(zhǎng)度,λ4>λ2。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,在溝槽區(qū)的外半徑和30微米的徑向距離之間計(jì)算的外包層區(qū)的分布體積V4,等于
/-30
,,4 二 2 JX 4
β 且Iv4I至少5%微米2。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,當(dāng)所述光纖纏繞在20mm半徑心軸上時(shí)表現(xiàn)出小于0.75dB/匝的彎曲損耗且表現(xiàn)出6.4到8.5之間的MACCab數(shù)。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,溝槽區(qū)的寬度r3- r2在3到20微米之間。
14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,當(dāng)所述光纖纏繞在1mm直徑心軸上時(shí)表現(xiàn)出小于IdB/匝的彎曲損耗。
15.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,at為5彡at ^ 0.5o
16.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,0.01% < I A4-A2 I 0
17.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,具有壕溝體積比為0.3<V3a3tt(0.8。
18.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,所述溝槽區(qū)具有體積V3a3且.5 Δ % 微米 2 ( V3a3 ( 105 Δ % 微米 2。
19.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光纖,其特征在于,具有小于或等于1260nm的22m光纜截止,且具有零色散波長(zhǎng)λ ο且1300nm ^ A0 ^ 1324nm。
20.—種單模光纖,包括: 漸變折射率中芯區(qū),具有外半徑^、具有相對(duì)折射率A1、最大折射率Λ1β±、且具有阿爾法分布,α芯,具有0.5彡α Ε彡4 ; 包層區(qū),包括(i)第一內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r2〈10微米和相對(duì)折射率八2且0.65 ^ T1/r2 ^ I ;(ii)和第二內(nèi)包層區(qū),具有外半徑r3>10微米且包括相對(duì)折射率A3和最小相對(duì)折射率、,其中所述第二內(nèi)包層區(qū)具有隨著半徑增加變得更負(fù)的相對(duì)折射率德?tīng)査渲兴龅诙鼘訁^(qū)具有阿爾法分布,a t,以使得0.5彡a t彡5 ;和(iii)外包層區(qū),圍繞第二內(nèi)包層區(qū)且包括相對(duì)折射率A4,其中大>Λ2>Λ3最小,且A3最小<Λ4 ;且其中.0.5彡(r3a-r2)/(r3-r2) ( 1,其中r3a是與光纖中心線的距離且此處首次達(dá)到值A(chǔ)3最小。
【文檔編號(hào)】G02B6/036GK104169761SQ201280068136
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月30日
【發(fā)明者】D·C·布克班德, M-J·李, P·坦登 申請(qǐng)人:康寧股份有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1