玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)的制作方法
【專利摘要】一種玻璃-硅片堆疊平臺(tái)，該平臺(tái)包括：用于限定套管插座的多個(gè)硅柱；連接至這些柱的基座并包圍孔的硅間隔物；結(jié)合至間隔物的玻璃片；形成在該玻璃片的第一表面中并位于該孔中的微透鏡陣列；由該玻璃片的第二表面承載的導(dǎo)電材料；以及與該導(dǎo)電材料電通信的觸頭。
【專利說明】玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]光纖能夠比銅線或其它信號(hào)攜帶器件攜帶多得多的數(shù)據(jù)，以至于在諸如臺(tái)式計(jì)算機(jī)的個(gè)人電器內(nèi)以及長距離通信線中被更廣泛地使用。除光纖本身之外，光纖通信系統(tǒng)還包括位于光纖各端的光電組件，用于在光信號(hào)和電信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。例如，向光纖提供光信號(hào)的發(fā)射器可包括發(fā)光二極管(LED)或諸如垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)或邊緣發(fā)射激光器的激光二極管。從光纖接收光信號(hào)的接收器可包括諸如半導(dǎo)體光電二極管的光電探測器。光電平臺(tái)是保證光纖和光電組件之間的有效光通信的機(jī)械耦合器。光電平臺(tái)與光電組件結(jié)合可被稱為光電引擎。光纖與組件的有效耦合要求光纖與組件的精確對準(zhǔn)。光電引擎通常要求光纖和組件的主動(dòng)對準(zhǔn)。其它光電引擎采用高精度成型部件。插芯(MT-ferrule)導(dǎo)引針對通常用于將光電引擎與由光纖攜帶的對應(yīng)的插芯配對。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0002]各圖通過示例圖示了本發(fā)明的原理。各圖不是按比例繪制的。
[0003]圖1-5是描繪根據(jù)各示例的制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)的方法的流程圖。
[0004]圖6A、6B、6D_6H和6J-6L是根據(jù)一示例的在制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)時(shí)各階段的剖視圖，并且圖6C是仰視圖。
[0005]圖7A-7D是根據(jù)另一示例的在制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)時(shí)各階段的剖視圖。
[0006]圖8A-8F是根據(jù)另一示例的在制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)時(shí)各階段的剖視圖。
[0007]圖9A是根據(jù)一示例的玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)的剖視圖。
[0008]圖9B是圖9A的一部分的細(xì)節(jié)。
[0009]圖10是根據(jù)一示例的玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)的俯視圖以及兩個(gè)剖面。
【具體實(shí)施方式】
[0010]在各圖中和在該說明書中，示例和細(xì)節(jié)用于圖示本發(fā)明的原理。其它結(jié)構(gòu)可詮釋本發(fā)明。諸如電壓、溫度、尺寸和組件值的參數(shù)是近似的。諸如上、下、頂和底的方位術(shù)語只用于方便地指示組件彼此之間的空間關(guān)系，并且除非另外指示，否則關(guān)于外部軸的方位并不是關(guān)鍵的。一些已知方法和結(jié)構(gòu)未被詳細(xì)描述，以避免使本發(fā)明含混。由權(quán)利要求限定的方法可包括除那些列出的之外的步驟，并且除如在權(quán)利要求自身中指示的順序之外步驟可以以與給出的不同的順序執(zhí)行。因此，本發(fā)明可不限于所描述的細(xì)節(jié)和布置而實(shí)施。本發(fā)明僅由權(quán)利要求限定，而不是由圖或本說明書限定。
[0011]當(dāng)將光電引擎應(yīng)用于計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用時(shí)費(fèi)用是主要關(guān)注點(diǎn)。大部分費(fèi)用是由對有效地對準(zhǔn)透鏡和光纖與它們的關(guān)聯(lián)的光電組件的需求以及高精度組件的使用產(chǎn)生的。需要較便宜的方式來有效地耦合光纖與光電組件。
[0012]圖1描繪了根據(jù)一示例的制造玻璃-硅片堆疊平臺(tái)的方法。蝕刻硅片組件的插座片，以形成限定套管插座的多個(gè)柱(101)。套管插座被設(shè)計(jì)成與包含諸如光纖陣列的光傳輸介質(zhì)的套管配對。蝕刻硅片組件的支撐片，以形成一個(gè)或多個(gè)間隔物和孔(103)。單個(gè)間隔物可部分或全部包圍這些孔，或多個(gè)間隔物可圍繞這些孔設(shè)置。使用光刻法精確地對準(zhǔn)間隔物和孔。在玻璃片的透鏡表面上制造一個(gè)或多個(gè)微透鏡(諸如衍射微透鏡和折射微透鏡)(105)。微透鏡可延伸進(jìn)入該表面下的玻璃片中。在玻璃片的與透鏡表面相對的表面上沉積并圖案化導(dǎo)電材料(107)。導(dǎo)電材料可包括但不限于金屬跡線和金屬焊盤。使用前端到后端對準(zhǔn)技術(shù)將導(dǎo)電材料精確地對準(zhǔn)到微透鏡。使玻璃片的透鏡表面對準(zhǔn)并結(jié)合到硅片組件的與柱相對的表面(109)。將微透鏡精確地對準(zhǔn)到孔，以將微透鏡最佳地耦合到與套管插座配對的光傳輸介質(zhì)。在導(dǎo)電材料上沉積觸頭(111)，觸頭的一些示例包括凸點(diǎn)下金屬、焊接凸點(diǎn)和銅柱。這些觸頭被精確地對準(zhǔn)到或自對準(zhǔn)到導(dǎo)電材料，并因此被精確地對準(zhǔn)到或自對準(zhǔn)到微透鏡。使用自對準(zhǔn)焊料回流將光電裝置(optoelectronic die)附接到觸頭。適合于特定應(yīng)用的光電裝置與光傳輸介質(zhì)的最佳耦合的需要，選擇間隔物、玻璃片和觸頭的厚度。在一些示例中，用光傳輸(透明或部分透明)材料填充孔，來密封孔，光傳輸材料諸如但不限于環(huán)氧樹脂和塑料。
[0013]在圖2中示出了另一示例。蝕刻硅片組件的插座片，以形成限定套管插座的多個(gè)柱(201)。一個(gè)或多個(gè)柱可形成為具有傾斜側(cè)壁而不是垂直側(cè)壁，以便于與諸如插芯的套管的配對。在一些示例中，側(cè)壁可被倒角、消圓或以一些其它合適的方式成形。蝕刻硅片組件的支撐片，以形成一個(gè)或多個(gè)間隔物和孔(203)。硅片組件可包括兩個(gè)硅片，在兩個(gè)硅片之間具有蝕刻停止層。這兩個(gè)片可相同，但一個(gè)用于形成柱，另一個(gè)用于形成間隔物和孔?？尚纬啥嘤谝粋€(gè)的間隔物，其中孔被限定在間隔物之間，或可使用部分或整個(gè)地包圍該孔的單個(gè)環(huán)形間隔物。在一些示例中，移除該孔中的蝕刻停止件(205)。在其它示例中，可使用光傳輸蝕刻停止件，而不需要將其移除。在一些示例中，蝕刻停止層用于密封該孔。在一些示例中，在孔中沉積光傳輸材料(206)。在玻璃片的透鏡表面上制造一個(gè)或多個(gè)微透鏡
(207)。在玻璃片的與透鏡表面相對的表面上沉積導(dǎo)電材料(209)。蝕刻硅、制造透鏡以及沉積導(dǎo)電材料是獨(dú)立的工序，并且可方便地以任意順序執(zhí)行。將玻璃片的透鏡表面對準(zhǔn)并且片結(jié)合到硅片組件的與柱相對的表面(211)。這能夠有助于在微透鏡和柱之間提供充分的對準(zhǔn)，以在例如與硅片的柱側(cè)配對的插芯套管和微透鏡之間提供有效的耦合?？蓪?dǎo)電材料進(jìn)行圖案化，以限定一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體?？捎梅菍?dǎo)電電介質(zhì)材料(諸如氮化硅、二氧化硅或聚酰亞胺等)覆蓋導(dǎo)電材料，并且可形成通過非導(dǎo)電電介質(zhì)材料的、暴露導(dǎo)電材料的一部分的開口(213)。例如通過非導(dǎo)電電介質(zhì)中的開口，在導(dǎo)電材料上沉積可包括凸點(diǎn)下金屬和焊接凸點(diǎn)的觸頭(215)。上面描述的所有制造步驟是以圓片級執(zhí)行的。一個(gè)或多個(gè)光電裝置，例如用于從光纖接收光信號(hào)的光電探測器或者用于提供光信號(hào)以通過光纖進(jìn)行傳輸?shù)腣CSEL，可被附接到觸頭。光電裝置可以是單線態(tài)(singlets)或光電器件的一維(ID)陣列或2D陣列?？衫缤ㄟ^圓片級倒裝芯片焊料安裝和自對準(zhǔn)回流執(zhí)行該附接。
[0014]圖3-5示出了在完成硅片和玻璃片的處理之前將玻璃結(jié)合至硅的示例。參考圖3，這種示例包括在玻璃片的透鏡表面上制造一個(gè)或多個(gè)微透鏡(301)。微透鏡可以是蝕刻在玻璃片中的衍射透鏡或從玻璃片的表面凹陷的折射透鏡。透鏡表面被片結(jié)合到硅片組件的支撐片(303)。蝕刻硅片組件的插座片，以形成被對準(zhǔn)到微透鏡來限定套管插座的多個(gè)柱(305)。蝕刻硅片組件的支撐片，以形成用于微透鏡的一個(gè)或多個(gè)間隔物和開口(307)。在玻璃片上沉積導(dǎo)電材料(309)，并且在導(dǎo)電材料上沉積觸頭(311)。通過倒裝芯片自對準(zhǔn)焊料回流，將光電裝置附接到導(dǎo)電材料。[0015]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖4，圖示了在與玻璃片結(jié)合之前蝕刻硅片組件但在結(jié)合之后進(jìn)行玻璃片的處理的示例。在玻璃片的透鏡表面中制造一個(gè)或多個(gè)微透鏡(401)。蝕刻硅片組件的插座片(403)，以形成限定套管插座的多個(gè)柱。一些或所有柱可具有傾斜側(cè)壁。蝕刻硅片組件的支撐片(405)，以形成一個(gè)或多個(gè)間隔物和孔。移除在該孔中剩余的所有蝕刻停止件。將玻璃片的透鏡表面對準(zhǔn)并且片結(jié)合到位于與柱相對的側(cè)上的硅片，該硅片如在先前的示例中可包括例如多于一個(gè)的間隔物或環(huán)繞該孔的間隔物。在玻璃片上沉積導(dǎo)電材料(409)?？衫镁哂醒由斓綄?dǎo)電材料的開口的氮化硅或其它非導(dǎo)電電介質(zhì)材料覆蓋導(dǎo)電材料(411)。通過開口在導(dǎo)電材料上沉積觸頭(413)。光電裝置可被附接到觸頭(415)。
[0016]圖5圖示了玻璃片和硅片在任一個(gè)被處理之前被結(jié)合的示例。如先前示例中的一些，該示例是由包括支撐片和插座片的硅片組件制造而成，其中在支撐片和插座片之間具有蝕刻停止層。在該示例中，該片組件還可具有覆在支撐片上面的第二蝕刻停止層。該方法開始于在玻璃片的透鏡表面中制造一個(gè)或多個(gè)衍射透鏡(501)。將玻璃片，尤其是玻璃片的透鏡表面對準(zhǔn)并且片結(jié)合到硅片組件的支撐片(503)。如果片組件具有第二蝕刻停止層，則可將玻璃結(jié)合到第二蝕刻停止層而不是其下方的硅支撐片。例如，蝕刻停止層可以是二氧化硅薄膜，并且玻璃片能夠被結(jié)合到二氧化硅。蝕刻硅片組件的插座片，以形成限定套管插座的多個(gè)柱(505)。使用光刻法將這些柱精確地對準(zhǔn)到透鏡。一個(gè)或多個(gè)柱可被形成為具有傾斜側(cè)壁而不是垂直側(cè)壁。使用光刻法蝕刻支撐片，以形成被精確地對準(zhǔn)到柱和透鏡的一個(gè)或多個(gè)間隔物和孔(507)。從孔移除位于支撐片和插座片之間的層中的所有蝕刻停止件，但是在一些示例中，不移除覆在支撐片上面的任何第二蝕刻停止層。在玻璃片上沉積導(dǎo)電材料(509)。如在一些其它示例中，可對導(dǎo)電材料進(jìn)行圖案化，來限定金屬跡線和焊盤，并且用氮化硅或其它非導(dǎo)電材料覆蓋導(dǎo)電材料(511)?？纱┻^氮化硅至下面的導(dǎo)體形成開口。例如通過氮化硅中的開口在導(dǎo)電材料上沉積觸頭，或者如果不存在氮化硅則直接在導(dǎo)電材料上沉積觸頭(513)。諸如VCSEL或光電二極管的光電裝置可例如通過焊接被附接到觸頭。
[0017]根據(jù)諸如上面描述那些的示例的制造方法包括圓片級的各組件的被動(dòng)對準(zhǔn)，由此消除了對主動(dòng)對準(zhǔn)的任何需求。所產(chǎn)生的玻璃-硅片堆疊平臺(tái)可用作構(gòu)件，來例如通過附接光電裝置構(gòu)造被動(dòng)對準(zhǔn)的一維光電引擎和二維光電引擎。在玻璃片上制造衍射或折射微透鏡、電導(dǎo)體(跡線和焊盤)以及可采用焊接凸點(diǎn)形狀的觸頭。為了被動(dòng)光纖附接，對硅進(jìn)行圖案化使其具有通片(thru-wafer)孔和硅柱?？捎脗鹘y(tǒng)的步進(jìn)類光刻法獲得圖案化特征之間的高對準(zhǔn)精度(< I微米)。再以高對準(zhǔn)精度(< 5微米)通過片結(jié)合集成兩個(gè)片。為光電裝置的倒裝芯片安裝和隨后以散熱器、印刷線路板、集成電路等等集成為較大光力學(xué)封裝而準(zhǔn)備三維片堆疊平臺(tái)。該封裝技術(shù)可用于構(gòu)造發(fā)射器、接收器和收發(fā)器的陣列。
[0018]通過步進(jìn)重復(fù)制版光刻法、壓印微影、模塑、回流或蝕刻，可將微透鏡蝕刻到玻璃片的透鏡表面中或形成在玻璃片的透鏡表面上。通過例如傳統(tǒng)的前端到后端對準(zhǔn)技術(shù)，在玻璃片的相對表面上圖案化金屬跡線、焊盤和凸點(diǎn)下金屬化。同時(shí)使用傳統(tǒng)的硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)對硅片組件進(jìn)行圖案化，使其具有一個(gè)或多個(gè)孔、間隔物層和硅力學(xué)對準(zhǔn)柱。如上所述，使用標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)合工具，在玻璃和硅各自的制造期間在若干階段的任一階段結(jié)合玻璃和硅。結(jié)合后，片堆疊平臺(tái)具有焊接凸點(diǎn)，VCSEL/H)裝置可以圓片級被倒裝芯片附接并回流。在一些示例中，在一個(gè)玻璃片和一個(gè)硅組件上制造許多平臺(tái)，并且在這些示例中，平臺(tái)被切成單個(gè)的基臺(tái)，基臺(tái)然后可被集成到上面描述的較大封裝中。
[0019]圖6A-6H和6J-6L圖示了根據(jù)一示例的在制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)時(shí)的連續(xù)的階段。硅片組件601通常包括支撐片603、插座片605和位于支撐片603和插座片605之間的蝕刻停止層607。在圖6B中，使用例如深反應(yīng)離子蝕刻法來蝕刻插座片，以限定柱611和613以及壁609和615。在該示例中，柱611和613已形成有傾斜側(cè)壁，并且壁609和615各自的朝內(nèi)表面610和616也已形成有傾斜側(cè)壁。圖6C示出了已蝕刻支撐片來形成間隔物617和孔621后片的仰視圖。使用傳統(tǒng)的光刻法將孔精確地對準(zhǔn)到柱。在該示例中，單個(gè)間隔物617圍繞孔621。在其它示例中，可存在多于一個(gè)的孔和包圍這些孔的一個(gè)或多個(gè)間隔物。
[0020]在圖6E中示出了具有對準(zhǔn)標(biāo)記625和627的玻璃片623。在圖6F中，在透鏡表面631中已蝕刻衍射透鏡629?？商娲兀苌渫哥R可形成在玻璃表面之上沉積的材料層中。透鏡被精確地對準(zhǔn)到對準(zhǔn)標(biāo)記。圖6G示出了導(dǎo)電材料的沉積，在該示例中，導(dǎo)電材料已被圖案化為導(dǎo)體633和635并被精確地對準(zhǔn)到對準(zhǔn)標(biāo)記，并因此精確地對準(zhǔn)到透鏡。在圖6G中，氮化硅637已被沉積在導(dǎo)體之上，并且開口 639和641已被形成在氮化硅中以分別到達(dá)導(dǎo)體633和635。
[0021]圖6J示出了玻璃片和硅片的對準(zhǔn)的片結(jié)合之后的平臺(tái)。片被對準(zhǔn)為使得透鏡被精確地對準(zhǔn)到柱。在圖6K中，觸頭643和645已被分別設(shè)置在開口 639和641中，以建立與導(dǎo)體633和635的電通信。這些觸頭可通過電解金屬沉積自對準(zhǔn)到氮化硅，并因此自對準(zhǔn)到微透鏡。最后，圖6L示出了具有分別覆蓋觸頭643和645的附加導(dǎo)電材料647和649的完成的平臺(tái)。這些導(dǎo)電材料可由凸點(diǎn)下金屬(例如鎳和金)、以及諸如SAC305或AuSn的焊料組成。
[0022]圖7A-7D圖示了根據(jù)另一示例的在制造玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)時(shí)的連續(xù)的階段。在圖7A中，硅片組件已被如上所述地蝕刻，形成柱701和703、壁705和707以及支撐709和711。在該示例中，柱和壁701、703、705和707具有垂直側(cè)壁，而不是傾斜側(cè)壁。蝕刻停止層713位于柱701和壁705與支撐709之間，并且蝕刻停止層714位于柱703和壁707與支撐711之間?？?15被限定在支撐709和711之間。玻璃片717已被對準(zhǔn)并且被片結(jié)合到支撐。衍射透鏡719已被形成在玻璃片中。
[0023]在圖7B中，導(dǎo)電材料已被沉積在玻璃片上與衍射透鏡相對的表面上，形成導(dǎo)體721和723。導(dǎo)體被對準(zhǔn)到透鏡。圖7C示出了類似于氮化硅層637的覆在導(dǎo)體721和723上面的氮化硅層725。觸頭727和729以及附加導(dǎo)電材料731和733已被添加到圖7D中。
[0024]在圖8A-8F中示出了另一示例。在圖8A中，硅片組件801通常具有插座片803和支撐片805以及位于插座片803和支撐片805之間的第一蝕刻停止層807。第二蝕刻停止層809與第一蝕刻停止層807相對被沉積在支撐片805上。玻璃片811被片結(jié)合到硅片組件801。玻璃片具有衍射透鏡813和參考標(biāo)記815和817。
[0025]圖8B示出了用于限定柱821和823以及壁819和825的插座片803的蝕刻。將柱和壁819、821、823和825與參考標(biāo)記815和817對準(zhǔn)。透鏡813通常位于柱821和823之間的中心。在可替代示例中，在柱的頂部，柱被倒角或消圓。
[0026]在圖8C中，硅組件已被蝕刻，以形成支撐827和829，限定孔830。支撐827仍然通過第一蝕刻停止層807的殘余物831與柱819和壁821分離，并且支撐829通過第一蝕刻停止層的另一殘余物833與柱823和壁825分離。第二蝕刻停止層809依然存在。
[0027]圖8D、8E和8F示出了導(dǎo)電材料837和839在玻璃片811上的沉積、氮化硅841的沉積、以及以類似于已描述的方式設(shè)置觸頭843和導(dǎo)電材料845。
[0028]圖9A圖示了光電引擎的示例。插座901被限定在柱903和壁905之間。插座907被限定在柱909和壁911之間。壁905和911可以是分離的結(jié)構(gòu)，或可以是圍繞插座901和907的單個(gè)壁結(jié)構(gòu)的部分。如在圖9B中很好地示出的，在一些示例中，柱903在柱的末端915形成有傾斜表面913，傾斜表面913與柱的基座919形成銳角917以便于套管921到插座901的插入，并且柱903形成有垂直表面923以便于套管921在插座901中的角對準(zhǔn)和側(cè)面對準(zhǔn)。類似地，壁905形成有傾斜表面925以便于套管的插入，并且形成有垂直表面927以便于套管的角對準(zhǔn)和側(cè)面對準(zhǔn)。柱909和壁911可以以類似的方式形成。套管9921承載包括多條光纖931、933、935和937的光纜929。光纜929在支撐941和943之間限定的孔939終止。玻璃片945被結(jié)合到支撐，其中微透鏡947的陣列與光纖陣列對準(zhǔn)。玻璃片的與透鏡相對的表面具有限定被氮化硅層953覆蓋的導(dǎo)體949和951的導(dǎo)電材料。觸頭955和957與導(dǎo)體949電通信，并且觸頭959和961與導(dǎo)體951電通信。觸頭可用例如焊料的材料963覆蓋。組件(例如VCSEL裝置965)通過觸頭957和959分別與導(dǎo)體949和951電通信。裝置965可例如通過焊接來附接。VCSEL可通過導(dǎo)熱材料969熱連接到散熱器967。其它器件(諸如印刷電路板971和柔性電纜973)可通過導(dǎo)體975和977分別連接至諸如觸頭955和961的觸頭。適合于光電裝置和光纜之間的最佳耦合需要，選擇支撐、蝕刻停止層、玻璃片、導(dǎo)體和觸頭的厚度以及微透鏡設(shè)計(jì)。
[0029]圖10示出了根據(jù)示例的具有剖面A-A和B-B的通常的玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)1001的俯視圖。在該示例中，插座由硅圍繞物1003和硅柱1005和1007限定。多個(gè)微透鏡1009被布置在柱之間。
[0030]體現(xiàn)本發(fā)明的原理的玻璃-硅片堆疊光電平臺(tái)利用成批制造，消除了對插芯導(dǎo)引針和光纖與光電組件的主動(dòng)對準(zhǔn)的需求，不損害品質(zhì)而大大地降低了制造成本。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃-硅片堆疊平臺(tái)，包括: 限定套管插座的多個(gè)娃柱； 連接至所述柱的基座并包圍孔的硅間隔物； 結(jié)合至所述間隔物的玻璃片； 形成在所述玻璃片的第一表面中并位于所述孔中的微透鏡陣列； 由所述玻璃片的第二表面承載的導(dǎo)電材料；以及 與所述導(dǎo)電材料電通信的觸頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平臺(tái)，進(jìn)一步包括位于所述柱與所述間隔物之間的蝕刻停止層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平臺(tái)，其中所述柱中的至少一個(gè)具有關(guān)于所述柱的所述基座限定銳角的傾斜側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平臺(tái)，進(jìn)一步包括至少部分地包圍所述套管插座的壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平臺(tái)，其中所述壁和所述柱被成形為限定腔，所述腔鄰近所述柱的所述基座相對較窄并且鄰近所述柱的末端相對較寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平臺(tái)，進(jìn)一步包括光電裝置，所述光電裝置附接至所述觸頭中的至少一個(gè)，與所述微透鏡光通信，并且被對準(zhǔn)以與附接至所述套管插座的光傳輸介質(zhì)進(jìn)行光通信。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平臺(tái)，進(jìn)一步包括位于所述孔中的光傳輸材料。
8.—種制造玻璃-硅片堆疊平臺(tái)的方法，所述方法包括: 蝕刻硅片組件的插座片，以形成限定套管插座的多個(gè)柱； 蝕刻所述硅片組件的支撐片，以形成間隔物和孔； 在玻璃片的透鏡表面上制造微透鏡； 在所述玻璃片的與所述透鏡表面相對的表面上沉積導(dǎo)電材料； 將所述玻璃片的所述透鏡表面結(jié)合至所述支撐片；以及 在所述導(dǎo)電材料上沉積觸頭。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中: 所述硅片組件包括位于所述插座片與所述支撐片之間的蝕刻停止層；并且 蝕刻所述支撐片包括從所述孔移除所有蝕刻停止件。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中蝕刻插座片以形成多個(gè)柱包括:在所述柱中的至少一個(gè)上形成傾斜側(cè)壁，所述傾斜側(cè)壁關(guān)于所述柱的基座限定銳角。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 用電絕緣電介質(zhì)覆蓋所述導(dǎo)電材料；以及 在所述電絕緣電介質(zhì)中形成開口，以暴露所述導(dǎo)電材料的一部分；并且其中: 在所述導(dǎo)電材料上沉積觸頭包括通過所述電介質(zhì)中的所述開口沉積所述觸頭。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將光電裝置附接至所述觸頭。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在所述孔中沉積光傳輸材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中結(jié)合所述透鏡表面是在蝕刻所述支撐片之后進(jìn)行的。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中結(jié)合所述透鏡表面是在蝕刻所述支撐片之前進(jìn)行的。
【文檔編號(hào)】G02B6/12GK104024897SQ201280064301
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2012年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月27日
【發(fā)明者】沙吉·瓦格西·馬塔伊, 邁克爾·瑞恩·泰·譚, 韋恩·維克托·瑟林, 保羅·凱斯勒·羅森伯格, 喬治斯·帕諾托普洛斯, 蘇桑特·K·帕特拉 申請人:惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)