專利名稱:一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種光纖,尤其是一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w。
背景技術(shù):
現(xiàn)有技術(shù)的光纖使用普通含鍺光纖纖芯,輻射物質(zhì)與相互作用導(dǎo)致光信號(hào)大大衰減,因此普通含鍺光纖無法再高輻射環(huán)境下使用;當(dāng)外界溫度變化時(shí),由于纖芯和外涂層的熱膨脹系數(shù)不同,造成光纖纖芯和外涂層相互擠壓,光纖纖芯變形,從而導(dǎo)致光信號(hào)大大衰減;由于光纖一般是埋在地地下,從而容易導(dǎo)致光纖纖芯變形。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明之目的:針對(duì)現(xiàn)有光纖的不足,本發(fā)明提出一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的,擬采用以下技術(shù)方案:本發(fā)明在光纖纖芯外層依次包覆防輻射涂層,負(fù)熱膨脹涂層和高強(qiáng)度保護(hù)涂層。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)比較的特點(diǎn):由于本發(fā)明在光纖纖芯外側(cè)增加了采用防輻射涂層,來吸收或反射外界輻射,避免了輻射物質(zhì)與光纖纖芯內(nèi)的鍺相互作用導(dǎo)致的光信號(hào)衰減,保證了光纖在高輻射環(huán)境下正常使用;采用負(fù)熱膨脹涂層可以有效地補(bǔ)償溫度變化引起的熱膨脹及熱收縮對(duì)光纖的影響,使光纖在溫度變化的條件下仍能正常傳輸信號(hào);采用防輻射涂層,來吸收或反射外界輻射,避免了輻射物質(zhì)與光纖纖芯內(nèi)的鍺相互作用導(dǎo)致的光信號(hào)衰減,保證了光纖在高輻射環(huán)境下正常使用;采用高強(qiáng)度保護(hù)涂層,使光纖可以承受很大的外界作用力,保護(hù)光纖。
附圖示意了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)實(shí)施例。1:光纖纖芯;2:防輻射涂層;3:負(fù)熱膨脹涂層;4:高強(qiáng)度保護(hù)涂層.。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w,在光纖纖芯I外層依次包覆防輻射涂層2,負(fù)熱膨脹涂層3和高強(qiáng)度保護(hù)涂層4。防輻射涂層2采用鉛硼聚乙烯復(fù)合屏蔽材料,上述的鉛硼聚乙烯復(fù)合屏蔽材料以聚乙烯為基體,將碳化硼粉、鉛粉均勻分散在聚乙烯中。聚乙烯是碳?xì)浠衔?,含氫量較高,對(duì)中子有良好的減弱能力;硼吸收熱中子,鉛屏蔽輻射。負(fù)熱膨脹涂層3采用ZrW2O8材料。高強(qiáng)度保護(hù)層4采用熔點(diǎn)高,硬度大的金屬鎧。防輻射涂層2吸收或反射外界輻射,避免了輻射物質(zhì)與光纖纖芯I內(nèi)的鍺相互作用導(dǎo)致光信號(hào)衰減,保證了光纖在高輻射環(huán)境下正常使用。負(fù)熱膨脹涂層3采用ZrW2O8材料,當(dāng)溫度升高時(shí),光纖纖芯I膨脹、負(fù)熱膨脹涂層3收縮;當(dāng)溫度降低時(shí),光纖纖芯I收縮、負(fù)熱膨脹涂層3膨脹,可以有效地補(bǔ)償溫度變化對(duì)光纖的影響,使光纖仍能正常傳輸信號(hào);高強(qiáng)度保護(hù)層4采用熔點(diǎn)高,硬度大的金屬鎧,使光纖可以承受很大的外界作用力,保護(hù)光纖。
權(quán)利要求1.一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w,其特征是:在光纖纖芯(I)外層依次包覆防輻射涂層(2),負(fù)熱膨脹涂層(3)和高強(qiáng)度保護(hù)涂層(4)。
專利摘要一種高強(qiáng)度可自補(bǔ)償?shù)姆垒椛涔饫w,其特征是在光纖纖芯(1)外層依次包覆防輻射涂層(2),負(fù)熱膨脹涂層(3)和高強(qiáng)度保護(hù)涂層(4)。防輻射涂層(2)吸收或反射外界輻射,避免了輻射物質(zhì)與光纖纖芯(1)內(nèi)的鍺相互作用導(dǎo)致光信號(hào)衰減,保證了光纖在高輻射環(huán)境下正常使用。負(fù)熱膨脹涂層(3)采用ZrW2O8材料,當(dāng)溫度升高時(shí),光纖纖芯(1)膨脹、負(fù)熱膨脹涂層(3)收縮;當(dāng)溫度降低時(shí),光纖纖芯(1)收縮、負(fù)熱膨脹涂層(3)膨脹,可以有效地補(bǔ)償溫度變化對(duì)光纖的影響,使光纖仍能正常傳輸信號(hào)。
文檔編號(hào)G02B6/036GK202929239SQ20122067669
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者胡金婧 申請(qǐng)人:胡金婧