專利名稱：陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線。
背景技術(shù)：
液晶顯示器包括以矩陣形式設(shè)計的陣列基板，以及驅(qū)動這些陣列基板的驅(qū)動電路，通過液晶盒內(nèi)電場的變化來實現(xiàn)液晶分子的偏轉(zhuǎn)，從而達到顯示效果。壞點(本實用新型中將所有不能正常顯示的點統(tǒng)稱為壞點。)就是液晶顯示板上不可修復的像素，其除了人為損壞之外，多是在生產(chǎn)過程中由于亮斑部位的屏幕內(nèi)部取向?qū)釉獾狡茐乃?。目前，像素壞點修復所利用的原理是將公共電極線與像素電極焊接起來，同時切斷信號線與像素電極的連接，實現(xiàn)公共電極與像素電極電勢差為零，即通過控制液晶，讓其不再發(fā)生偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)將壞點變?yōu)榘迭c的目的。但理論上可行的此種修復方法由于工藝問題，故成功率并不高，其原因有以下兩點:(I)從薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor,縮寫為TFT)側(cè)進行焊接時無法找到像素電極；(2)由于公共電極與像素電極間有柵絕緣層和鈍化層的間隔(厚度約為8000A)，而像素電極僅有400人,所以很難實現(xiàn)公共電極與像素電極的良好焊接，通常情況下焊接處電阻過大，二者不能形成一個等勢體，公共電極和像素電極之間仍舊有電壓存在，這樣就會導致修復失敗，甚至適得其反，由于公共電極耦合像素電極，這樣即使切斷信號線與像素電極的連接，壞點修復也會失敗，甚至經(jīng)常導致所修復的像素在切斷電源后持續(xù)發(fā)亮，很長一段時間后才逐漸變暗。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供了一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中像素壞點修復的成功率低的問題，并且可以提高像素壞點修復的工作效率。本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括:基板、柵線、數(shù)據(jù)線、矩陣過孔、像素電極、公共電極線和多個與該公共電極線電連接的公共電極，其中，所述公共電極線上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部。本實用新型實施例提供的一種液晶面板，包含所述的陣列基板。本實用新型實施例提供了一種公共電極線，包括用于導電的本體，所述本體上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部。本實用新型實施例提供的一種公共電極，包括用于導電的本體，所述本體上具有用于與所述公共電極線相連的外凸部。本實用新型實施例通過構(gòu)造具有特殊形狀的公共電極和公共電極線，即在公共電極線上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部，使得后續(xù)在需要斷開某一公共電極與公共電極線的連接時，操作更為便捷，例如可以利用激光切割公共電極線來實現(xiàn)修復，這樣既不會影響壞點周圍像素的正常顯示，又可以保證公共電極線的矩陣結(jié)構(gòu)不被破壞，有效提高了像素壞點修復的成功率。

圖1為陣列基板整體平面示意圖；圖2為沿圖1中A’ -A線的剖視圖；圖3為公共電極線中特定結(jié)構(gòu)可能的其它形狀示意圖；圖4為完成公共電極構(gòu)圖工藝的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為完成柵線、柵電極和公共電極線構(gòu)圖工藝的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為完成有源層、數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極、TFT溝道構(gòu)圖工藝的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為形成亞像素連接過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為像素壞點修復公共電極線的切割位置結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為普通亞像素壞點修復的切割位置結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為矩陣亞像素壞點修復的切割位置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中像素壞點修復的成功率低的問題，并且可以提高像素壞點修復的工作效率。本實用新型實施例提供的一種陣列基板的平面俯視圖如圖1所示，部分剖面結(jié)構(gòu)如圖2所示，該剖面圖是圖1中虛線A’ 一A位置所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面圖，結(jié)合此剖面圖有助于更好的理解各部分結(jié)構(gòu)之間的位置關(guān)系。從圖1和圖2中可以看出，該陣列基板包括基板1、柵線4、柵絕緣層5、數(shù)據(jù)線6、鈍化層7、矩陣過孔8和像素電極9，公共電極線3和多個與該公共電極線3相連的公共電極2，其中，所述公共電極線3上設(shè)置有與每個公共電極2中的外凸部10相對應(yīng)的掏空部11。較佳的，所述掏空部11的形狀為凹形，當然掏空部11的形狀也可以為其它形狀，例如圖3所示的三角形，或者也可以為圓形、矩形等。較佳的，當掏空部11的形狀為凹形時，所述公共電極2中，與公共電極線3連接的部分形狀為凸形，該凸形與公共電極線3中掏空部的凹形相對應(yīng)，且所述凹形內(nèi)側(cè)的橫向長度大于所述凸形凸出部分的橫向長度，凹形掏空部區(qū)域與公共電極無交疊，使得所述公共電極凸出的部分位于對應(yīng)的掏空部的凹進去的部分，如圖1所示。較佳的，如圖1所示，所述公共電極線3在基板上橫向分布。
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例提供的技術(shù)方案進行具體的舉例說明。本實用新型實施例中的陣列基板的制作主要包括:步驟一:在基板I上沉積公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成具有外凸部10的公共電極2，其形狀可以參考圖4。此公共電極2形狀的設(shè)計是為了修復時便于進行激光切割，同時保證了切割后不影響公共電極信號傳輸。步驟二:在完成公共電極構(gòu)圖工藝的基板上沉積柵金屬薄膜，然后在這個薄膜層通過構(gòu)圖工藝形成包含柵線4和具有掏空部11的公共電極線3，從圖5所示的結(jié)構(gòu)中可以看出，公共電極線3中掏空部11的形狀為凹形。步驟三:結(jié)合圖2和圖6，可以看出在完成步驟二的基板上沉積柵絕緣層5，半導體薄膜、摻雜半導體薄膜、和源漏金屬薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝，形成包括數(shù)據(jù)線6、漏電極、源電極、TFT溝道的圖形。步驟四:在完成步驟三的基板上沉積鈍化層7，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)個形狀如圖7中所示的過孔圖形，其中位于亞像素左下角的過孔作用是連接在列方向上相鄰的兩個公共電極，該過孔的形狀可以為矩陣過孔8，當然，根據(jù)實際設(shè)計需要也可以設(shè)計為圓形、三角形或梯形等形狀；列方向上相鄰的公共電極通過矩陣過孔8連接，形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通過所述矩陣過孔8連接在一起的公共電極所形成的各個亞像素叫做矩陣亞像素。矩陣過孔的作用是為了保證公共電極信號的穩(wěn)定，因為每個亞像素最底部都有一塊公共電極，而公共電極的電信號來源于覆蓋在它上面的公共電極線，又因公共電極線是橫向分布的，為了縱向上也有信號的導通，所以就做成了有矩陣過孔的結(jié)構(gòu)，使公共電極成為一個網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，便于電信號在各個方向上的傳輸。需要說明的是，根據(jù)實際設(shè)計的需要，可以選擇性的將部分或者全部在列方向上相鄰的亞像素所對應(yīng)的公共電極采用上述的過孔的方式連接，如圖1所示，圖中左右兩列亞像素中，左側(cè)的一列亞像素所對應(yīng)的公共電極在列方向上并沒有采用上述的過孔方式連接，這種亞像素叫做普通亞像素；而右側(cè)的一列亞像素則采用上述的過孔方式在列方向進行了連接，這種亞像素叫做矩陣亞像素。步驟五:在完成步驟四的基板上沉積像素電極薄膜，制作像素電極，形成一個完整的如圖1所示的陣列基板，從圖1可以看到通過構(gòu)圖工藝形成的梳狀像素電極9。通過上述各個步驟，即可形成本實用新型實施例中所述的便于提高像素壞點修復成功率的陣列基板。本實用新型實施例還對像素壞點如何修復做了說明，此修復說明是相對應(yīng)本實用新型所述的陣列基板使用的。像素壞點修復的基本原理就是使像素電極9和公共電極2之間不能形成電壓，液晶分子無法偏轉(zhuǎn)，壞點變?yōu)榘迭c，從而達到修復的目的。本實用新型實施例提供的陣列基板中，壞點修復依然是利用這種原理，但是修復的手段完全不同與現(xiàn)有的技術(shù)。本實用新型中的壞點修復是通過切割帶有掏空部的公共電極線3，切斷公共電極線與公共電極交疊部分和整個公共電極線的連接，阻斷公共電極2上電信號的傳輸，使公共電極2和像素電極9之間沒有電壓形成，從而達到壞點修復的目的。在本實用新型的像素中，當像素壞點出現(xiàn)時，主要是利用激光切割覆蓋在公共電極上的具有特殊結(jié)構(gòu)的公共電極線3，使與其連接的公共電極不再接收電信號，圖8給出了具體的切割位置，圖中的虛線L1、L2、L3、L4位置即為切割的精確位置；具體的切割方法是利用激光刻蝕掉位于凹形掏空部的下方、公共電極外凸部的兩側(cè)的公共電極線，使公共電極線與公共電極交疊部分與整個公共電極線斷開，從而切斷公共電極2和公共電極線3之間的連接；如果壞點為普通的亞像素點，同時還需要切割與該亞像素連接的TFT的源電極端或漏電極端與數(shù)據(jù)線的連接，使數(shù)據(jù)線端的電信號不能傳輸至該亞像素。圖9中給出了切割的位置，圖中的虛線L5位置即為切割的精確位置；如果壞點為矩陣亞像素，還需同時切割與該亞像素連接的TFT的源電極端或漏電極端與數(shù)據(jù)線的連接，以及矩陣過孔8處用于連接與其相連的亞像素的導電薄膜12，切割位置請參考圖10，圖中虛線L6和L7位置為切割的精確位置。[0036]本實用新型實施例還提供了一種液晶面板，該液晶面板包含上述陣列基板。本實用新型實施例提供了一種如圖5中所示的公共電極線3，包括用于導電的本體，其中，所述本體上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部11 ;較佳的，所述掏空部11的形狀為凹形，當然掏空部11的形狀也可以為其他形狀，例如圖3所示的三角形，或者也可以為圓形、矩形等。通過利用激光切割這種帶有掏空部11的公共電極線3，可以阻斷公共電極線3和公共電極2之間電信號的傳輸，使公共電極2和像素電極9之間不能形成電壓，液晶無法偏轉(zhuǎn)，壞點變暗點，達到像素壞點修復的目的。本實用新型實施例提供的一種如圖4中所示的公共電極2，包括用于導電的本體，其中，所述本體上具有用于與所述公共電極線相連的外凸部10。這種帶有外凸部的結(jié)構(gòu)便于像素壞點修復時進行激光切割，并能保證切割后不影響其它公共電極的信號傳輸。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括:基板、柵線、數(shù)據(jù)線、矩陣過孔、像素電極、公共電極線和多個與該公共電極線電連接的公共電極，其特征在于:所述公共電極線上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部。
2.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述掏空部的形狀為凹形。
3.如權(quán)利要求2所述陣列基板，其特征在于，所述公共電極與公共電極線連接的部分的形狀為凸形，該凸形與公共電極線中掏空部所形成的凹形相對應(yīng)，使得所述公共電極凸出的部分位于對應(yīng)的掏空部所形成的凹進去的部分。
4.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述掏空部與公共電極無交疊。
5.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述公共電極線在基板平行于柵線方向分布。
6.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，縱向上相鄰的公共電極在縱向上通過矩陣過孔電連接，形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
7.一種液晶面板，其特征在于，該液晶面板包含如權(quán)利要求1-6任一項所述的陣列基板。
8.—種公共電極線，包括用于導電的本體，其特征在于，所述本體上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部。
9.如權(quán)利要求8所述公共電極線，其特征在于，所述掏空部的形狀為凹形。
10.一種公共電極，包括用于導電的本體，其特征在于，所述本體上具有用于與權(quán)利要求8或9所述公共電極線相連的外凸部。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線，用以解決現(xiàn)有技術(shù)像素壞點修復的成功率低的問題，并且可以提高像素壞點修復的工作效率。所述陣列基板，包括基板、柵線、數(shù)據(jù)線、矩陣過孔、像素電極、公共電極線和多個與該公共電極線電連接的公共電極，其中，所述公共電極線上設(shè)置有與每個公共電極相對應(yīng)的掏空部。該陣列基板中，可以通過切割公共電極線和源漏極實現(xiàn)像素壞點修復，該像素壞點修復既不會影響周圍像素的正常顯示，又可以保證公共電極線的矩陣結(jié)構(gòu)不被破壞，有效提高了像素壞點修復的成功率。
文檔編號G02F1/1343GK202939397SQ20122065351
公開日2013年5月15日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者田明, 劉家榮, 姚之曉, 郤玉生 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司