專利名稱：一種tn型的液晶顯示面板及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種TN型的液晶顯示面板及液晶顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯不面板制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TN型的液晶顯不面 板及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
[0002]在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，小尺寸的便攜終端中多采用TN型液晶顯示面板，且隨著小 尺寸便攜終端產(chǎn)品設(shè)計(jì)的普遍開展，液晶顯示面板中像素之間的間距越來越小，像素密度 越來越大。[0003]像素密度越大，液晶顯示面板的產(chǎn)品性能越好，但是，像素密度越大，液晶顯示面 板的耗能越聞。[0004]因此，如何在保證液晶顯示面板產(chǎn)品特性的同時(shí)降低液晶顯示面板的功耗成為本 領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的一個(gè)主要問題。實(shí)用新型內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種TN型的液晶顯示面板，該液晶顯示面板能夠降低 液晶便攜終端的耗能。[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案[0007]—種TN型的液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管TFT陣列基板和彩膜基 板，所述TFT陣列基板具有多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；所述彩膜基板朝向所述TFT陣列基板的 一面具有公共電極層，所述彩膜基板的公共電極層具有與所述TFT陣列基板的柵線以及數(shù) 據(jù)線相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)。[0008]優(yōu)選地，所述TFT陣列基板中具有多個(gè)跳線區(qū)域，每一個(gè)所述跳線區(qū)域中不同金 屬膜層之間通過過孔連接，所述公共電極層與所述跳線區(qū)域相對(duì)的位置具有鏤空結(jié)構(gòu)。[0009]優(yōu)選地，所述TFT陣列基板中具有多個(gè)跳線區(qū)域，每一個(gè)所述跳線區(qū)域中不同金 屬膜層之間通過過孔連接，所述公共電極層與所述跳線區(qū)域之間具有絕緣層。[0010]優(yōu)選地，所述絕緣層位于所述彩膜基板。[0011]優(yōu)選地，所述絕緣層位于所述TFT陣列基板。[0012]優(yōu)選地,所述絕緣層由Si02或SiNx制備而成。[0013]本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中提到的任一種TN 型液晶顯示面板。[0014]本實(shí)用新型提供的TN型的液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管TFT陣列基 板和彩膜基板，所述TFT陣列基板具有多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；所述彩膜基板朝向所述TFT 陣列基板的一面具有公共電極層，所述彩膜基板的公共電極層具有與所述TFT陣列基板的 柵線以及數(shù)據(jù)線相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)。[0015]本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板中，彩膜基板中的公共電極層與數(shù)據(jù)線以 及柵線正對(duì)交疊的地方具有鏤空結(jié)構(gòu)，可以減小彩膜基板中公共電極層與數(shù)據(jù)線線和柵線的正對(duì)面積，減小公共電極層與數(shù)據(jù)線和柵線之間的正對(duì)電容，從而減小柵線和數(shù)據(jù)線的 總電容，對(duì)于小尺寸的便攜終端來說，電容的減小可以有效的降低產(chǎn)品的負(fù)載，從而達(dá)到降 低功耗的效果。[0016]因此，本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板能夠降低小尺寸液晶便攜終端的耗 倉(cāng)泛。


[0017]圖1為本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板的彩膜基板中公共電極層與像素單 元內(nèi)的數(shù)據(jù)線以及柵線相對(duì)的位置的鏤空結(jié)構(gòu)示意圖；[0018]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中TN型液晶顯示面板中陣列基板的跳線區(qū)域受到擠壓時(shí)跳線導(dǎo) 電電極與彩膜基板中公共電極層短路時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖3為本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板彩膜基板的公共電極層與陣列基板 的跳線區(qū)域相對(duì)位置的結(jié)構(gòu)示意圖；[0020]圖4為圖3所示區(qū)域受擠壓時(shí)公共電極層與陣列基板跳線區(qū)域的導(dǎo)電電極之間的 狀態(tài)不意圖；[0021]圖5為本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板彩膜基板的公共電極層設(shè)置的與陣 列基板跳線區(qū)域相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0022]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的 實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下 所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。[0023]如圖1和圖3所示，本實(shí)用新型提供的TN型的液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄 膜晶體管TFT陣列基板和彩膜基板，TFT陣列基板具有多條數(shù)據(jù)線01和多條柵線02 ;彩膜 基板朝向TFT陣列基板的一面具有公共電極層03，如圖2和圖3所示，彩膜基板的公共電極 層03具有與TFT陣列基板的柵線02以及數(shù)據(jù)線01相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)，如圖1中所示，公共 電極層03中與數(shù)據(jù)線01對(duì)應(yīng)的第一鏤空槽031和與柵線02對(duì)應(yīng)的第二鏤空槽032。[0024]本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板中，彩膜基板中的公共電極層03與數(shù)據(jù)線 01正對(duì)交疊的位置設(shè)有第一鏤空槽031，第一鏤空槽031可以減少公共電極層03與數(shù)據(jù)線 01之間的正對(duì)面積，從而可以減小公共電極層03與數(shù)據(jù)線01之間的正對(duì)電容；同時(shí)，公共 電極層03中與柵線02正對(duì)交疊的位置具有第二鏤空槽032，第二鏤空槽032可以減少公 共電極層03與柵線02之間的正對(duì)面積，從而減小了公共電極層03與柵線02之間的正對(duì) 電容；進(jìn)而，第一鏤空槽031和第二鏤空槽032的設(shè)置減小了公共電極層03與柵線02和數(shù) 據(jù)線01之間的總電容，對(duì)于小尺寸的便攜終端來說，電容的減小可以有效的降低產(chǎn)品的負(fù) 載，從而達(dá)到降低功耗的效果。[0025]因此，本實(shí)用新型提供的TN型液晶顯示面板能夠降低小尺寸液晶便攜終端的耗 倉(cāng)泛。[0026]在TN型液晶顯示面板的生產(chǎn)工藝過程中，制備陣列基板時(shí)，根據(jù)走線布線的需求，往往需要在TFT陣列基板上制備多個(gè)跳線區(qū)域，如圖3中虛線框D區(qū)域所示，跳線區(qū)域 D內(nèi)，需要通過過孔來導(dǎo)通位于不同層級(jí)之間的金屬層，且將下層中的金屬層通過導(dǎo)電電極 層04引導(dǎo)至TFT陣列基板的頂層膜層表面。但是，TFT陣列基板的跳線區(qū)域D與彩膜基板 之間的沒有隔墊物以及封框膠，因此，在受到擠壓時(shí)會(huì)變形，從而導(dǎo)致TFT陣列基板中跳線 區(qū)域D設(shè)置的導(dǎo)電電極層04與彩膜基板中的公共電極層03接觸而形成短路，如圖2所示， 從而降低便攜終端產(chǎn)品的良率。因此，為減少上述短路狀況的產(chǎn)生[0027]優(yōu)選地，如圖3和圖5所示，可以在彩膜基板的公共電極層03與TFT陣列基板的 跳線區(qū)域D相對(duì)的位置設(shè)置有鏤空結(jié)構(gòu)，該鏤空結(jié)構(gòu)如圖5中所示點(diǎn)鏤空槽033。[0028]在彩膜基板的公共電極層03與TFT陣列基板中的跳線區(qū)域D相對(duì)的位置設(shè)置第 三鏤空槽033，當(dāng)TFT陣列基板和彩膜基板受到擠壓時(shí)，即使TFT陣列基板的跳線區(qū)域D與 彩膜基板接觸，因?yàn)橐呀?jīng)通過第三鏤空槽033將公共電極層03中與跳線區(qū)域D正對(duì)位置的 部分去除，不會(huì)發(fā)生跳線區(qū)域D的導(dǎo)電電極04與公共電極層03之間的短路現(xiàn)象，如圖4所/Jn ο[0029]另外，還可以在彩膜基板的公共電極層03與TFT陣列基板的跳線區(qū)域D之間設(shè)置 絕緣層，以降低跳線區(qū)域D的導(dǎo)電電極04與公共電極層03之間的短路現(xiàn)象。[0030]優(yōu)選實(shí)施方式中，上述絕緣層可以位于彩膜基板上，絕緣層設(shè)置于彩膜基板的公 共電極層03中與跳線區(qū)域D相對(duì)的位置上。[0031]當(dāng)然，上述絕緣層還可以位于TFT陣列基板上。[0032]具體地，上述絕緣層的制備材料可以由Si02或SiNx制備而成。[0033]另外，本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述具體實(shí)施方式
中提供的 任一種TN型液晶顯不面板。[0034]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離 本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利 要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種TN型液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管TFT陣列基板和彩膜基板，所述TFT陣列基板具有多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；所述彩膜基板朝向所述TFT陣列基板的一面具有公共電極層，其特征在于，所述彩膜基板的公共電極層具有與所述TFT陣列基板的柵線以及數(shù)據(jù)線相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TN型液晶顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中具有多個(gè)跳線區(qū)域，每一個(gè)所述跳線區(qū)域中不同金屬膜層之間通過過孔連接，所述公共電極層與所述跳線區(qū)域相對(duì)的位置具有鏤空結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TN型液晶顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中具有多個(gè)跳線區(qū)域，每一個(gè)所述跳線區(qū)域中不同金屬膜層之間通過過孔連接，所述公共電極層與所述跳線區(qū)域之間具有絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TN型液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層位于所述彩膜基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TN型液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層位于所述TFT陣列基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求3飛任一項(xiàng)所述的TN型液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層由Si02或SiNx制備而成。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1飛任一項(xiàng)所述的TN型液晶顯示面板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種TN型的液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管TFT陣列基板和彩膜基板，TFT陣列基板具有多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；彩膜基板朝向TFT陣列基板的一面具有公共電極層，彩膜基板的公共電極層具有與TFT陣列基板的柵線以及數(shù)據(jù)線相對(duì)的鏤空結(jié)構(gòu)。彩膜基板中的公共電極層與數(shù)據(jù)線以及柵線正對(duì)交疊的地方具有鏤空結(jié)構(gòu)，可以減小彩膜基板中公共電極層與數(shù)據(jù)線線和柵線的正對(duì)面積，減小公共電極層與數(shù)據(jù)線和柵線之間的正對(duì)電容，從而減小柵線和數(shù)據(jù)線的總電容，對(duì)于小尺寸的便攜終端來說，電容的減小可以有效的降低產(chǎn)品的負(fù)載，從而達(dá)到降低功耗的效果。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述TN型液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202837757SQ20122051267
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月8日
發(fā)明者王世君 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司