專利名稱：多芯光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多芯光纖。
背景技術(shù)：
近年來，人們提出了將具有多根纖芯的光纖即多芯光纖用作傳輸用光纖的技術(shù)方案。通過使用多芯光纖，與使用具有I根纖芯的光纖的情況相比能夠增大傳輸容量。作為這種多芯光纖，已知有具有在各纖芯周邊設(shè)置空孔的孔輔助結(jié)構(gòu)的光纖(例如專利文獻(xiàn)I)。根據(jù)這種多芯光纖，通過各纖芯周邊的空孔能夠降低纖芯之間的串?dāng)_。專利文獻(xiàn)I :日本特開2011 — 18013號公報(bào)?！た墒?，根據(jù)專利文獻(xiàn)I記載的多芯光纖，由于空孔的配置復(fù)雜，因此存在難于制造的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的之一在于提供一種多芯光纖，使具有降低串?dāng)_的效果的空孔等的副介質(zhì)區(qū)域的配置簡化，并且比較容易制造。在本實(shí)用新型的一方案中，提供一種多芯光纖，包括配置成位于多邊形環(huán)的頂點(diǎn)的多個(gè)纖芯；以及包層，該包層形成有多個(gè)副介質(zhì)區(qū)域，并覆蓋上述多個(gè)纖芯，并且折射率低于上述多個(gè)纖芯且高于上述副介質(zhì)區(qū)域。上述副介質(zhì)區(qū)域配置于降低上述多個(gè)纖芯之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置。在上述多芯光纖中，上述副介質(zhì)區(qū)域優(yōu)選配置于上述包層的截面中的扇形區(qū)域內(nèi)。上述扇形區(qū)域是由兩條線段劃分的兩個(gè)扇形區(qū)域中的面積小的區(qū)域，上述兩條線段是連結(jié)上述包層的中心與表面的線段之中分別通過上述相鄰的纖芯的中心的線段。在上述多芯光纖中，優(yōu)選上述副介質(zhì)區(qū)域包括配置于與連結(jié)上述相鄰的纖芯的中心彼此的第一線段相交的第二線段上的第一副介質(zhì)區(qū)域，上述第一副介質(zhì)區(qū)域在每一條上述第二線段上配置多個(gè)，上述第二線段與上述第一線段的交點(diǎn)位于一條上述第二線段上的兩端的上述第一副介質(zhì)區(qū)域之間。另外，在上述多芯光纖中，優(yōu)選上述第二線段與上述第一線段以直角相交。另外，在上述多芯光纖中，優(yōu)選上述副介質(zhì)區(qū)域包括配置于與上述第二線段平行的第三線段上的第二副介質(zhì)區(qū)域，通過相鄰的上述第一副介質(zhì)區(qū)域之間且與上述第一線段平行的所有直線與上述第二副介質(zhì)區(qū)域相交。另外，在上述多芯光纖中，優(yōu)選在上述多邊形環(huán)的內(nèi)側(cè)不包括其它纖芯。另外，在上述多芯光纖中，例如上述多個(gè)纖芯包括具有第一光學(xué)特性的第一纖芯；以及具有與上述第一光學(xué)特性不同的第二光學(xué)特性的第二纖芯，上述第一纖芯與上述第二纖芯交替配置于上述多邊形環(huán)的頂點(diǎn)。另外，在上述多芯光纖中，例如上述多個(gè)纖芯具有相同的光學(xué)特性，上述第二線段與上述第一線段的交點(diǎn)位于上述第一線段的中心。[0015]另外，在上述多芯光纖中，上述副介質(zhì)區(qū)域也可以包括配置于一條上述第二線段上的上述第一副介質(zhì)區(qū)域的周邊的作為用于特定位置的標(biāo)記的副介質(zhì)區(qū)域。另外，在上述多芯光纖中，也可以一條上述第三線段上的上述第二副介質(zhì)區(qū)域與其它的上述第三線段上的上述第二副介質(zhì)區(qū)域數(shù)量不同，作為用于特定位置的標(biāo)記而發(fā)揮作用。另外，在上述多芯光纖中，也可以上述副介質(zhì)區(qū)域的形狀是與連結(jié)上述相鄰的纖芯的第一線段相交的橢圓形，上述橢圓形的長度方向與上述第一線段的方向相交。另外，在上述多芯光纖中，也可以在上述包層的中心還配置有副介質(zhì)區(qū)域。實(shí)用新型的效果如下。根據(jù)本實(shí)用新型，能夠提供一種多芯光纖，使具有降低串?dāng)_的效果的空孔等副介質(zhì)區(qū)域的配置簡化，比較容易制造。

圖I (a)是本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖，圖I (b)是其局部放大圖。圖2是本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖。圖3 Ca)是本實(shí)用新型的第三實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖，圖3 (b)是一部分空孔周邊的放大圖。圖4是本實(shí)用新型的第四實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖。圖5是本實(shí)用新型的第五實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖。圖6 Ca)是本實(shí)用新型的第六實(shí)施方式的多芯光纖的剖視圖，圖6 (b)是一部分空孔周邊的放大圖。圖7 Ca)是本實(shí)用新型的實(shí)施例的多芯光纖的剖視圖，圖7 (b)是比較例的多芯光纖的剖視圖。圖8是用于測定多芯光纖的串?dāng)_的串?dāng)_測定系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。圖中1、2、3、4、5、6 —多芯光纖；lla Ilc —第一纖芯；12a 12c、22a 22c —第二纖芯；13a 13f、33a 33f、43a 43f —空孔(副介質(zhì)區(qū)域)；14 —包層；15a 15f —第一線段；16a 16f—第二線段；17a、17b —線段；18a—扇形區(qū)域；36a 36f—第三線段；51 >61 —標(biāo)記。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的多芯光纖的一實(shí)施方式如下，包括配置成位于多邊形環(huán)的頂點(diǎn)的多個(gè)纖芯；以及包層，該包層形成有多個(gè)副介質(zhì)區(qū)域，并覆蓋上述多個(gè)纖芯，并且折射率低于上述多個(gè)纖芯且高于上述副介質(zhì)區(qū)域，上述副介質(zhì)區(qū)域配置于降低上述多個(gè)纖芯之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置。以下，詳細(xì)說明該多芯光纖的例子。第一實(shí)施方式圖I (a)是本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式的多芯光纖I的剖視圖，圖I (b)是其局部放大圖。多芯光纖I包括具有第一光學(xué)特性的多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);具有第二光學(xué)特性的多個(gè)第二纖芯12 (12a 12c);覆蓋這些纖芯11和纖芯12的包層14 ;以及形成于包層14中的多個(gè)副介質(zhì)區(qū)域即空孔13(13a 13f)。另外，也可以由折射率低于包層14的材質(zhì)形成副介質(zhì)區(qū)域。第一纖芯11與第二纖芯12配置成位于六邊形環(huán)等的多邊形環(huán)的頂點(diǎn)(若連接第一纖芯11的中心與第二纖芯12的中心，則形成多邊形環(huán))。在此，第一纖芯11與第二纖芯12如圖I (a)所示，優(yōu)選交替配置于多邊形環(huán)的頂點(diǎn)，此時(shí)，多邊形環(huán)優(yōu)選設(shè)為四邊形環(huán)、六邊形環(huán)等的η邊形環(huán)(η為4以上的偶數(shù))。這是因?yàn)?，與具有相同的光學(xué)特性的纖芯相鄰的情況相比，具有不同的光學(xué)特性的纖芯相鄰的情況更能降低纖芯之間的串?dāng)_。第一線段15是連結(jié)第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯的中心彼此的線 段，構(gòu)成多邊形環(huán)的邊。在圖1(a)所不的多芯光纖I中,連結(jié)第一纖芯Ila與第二纖芯12a的線段、連結(jié)第二纖芯12a與第一纖芯Ilb的線段、連結(jié)第一纖芯Ilb與第二纖芯12b的線段、連結(jié)第二纖芯12b與第一纖芯Ilc的線段、連結(jié)第一纖芯Ilc與第二纖芯12c的線段及連結(jié)第二纖芯12c與第一纖芯Ila的線段，分別是第一線段15a、15b、15c、15d、15e、15f。在圖I (a)所不的多芯光纖I中，第一纖芯Ila Ilc及第二纖芯12a 12c配置于正六邊形環(huán)的6個(gè)頂點(diǎn)上，第一線段15a 15f構(gòu)成正六邊形環(huán)的6個(gè)邊。在第一纖芯11與第二纖芯12之中，沿周向相鄰的纖芯之間的距離(正六邊形環(huán)的各邊的長度)例如為 20 50 μ m。第一纖芯11的第一光學(xué)特性與第二纖芯12的第二光學(xué)特性不同。例如，在第一纖芯11與第二纖芯12的折射率或有效截面積等不同時(shí)，第一光學(xué)特性與第二光學(xué)特性不同。在圖I (a)中不出有效截面積不同的第一纖芯11與第二纖芯12。此時(shí),第一纖芯11與第二纖芯12的直徑例如分別為8 16 μ m和4 8 μ m。第一纖芯11由單模(SM)芯或大模場(LMA)芯構(gòu)成，第二纖芯12由分散補(bǔ)償(SC)芯構(gòu)成。另外,第一纖芯11相對于包層14的折射率差和第二纖芯12相對于包層14的折射率差,例如分別為O. 25 O. 4%和O. 8 I. 2%ο第一纖芯11、第二纖芯12和包層14由石英玻璃等構(gòu)成。第一纖芯11與第二纖芯12分別包含Ge、P等用于提高折射率的摻雜劑，包層14包含B、F等用于降低折射率的摻雜齊U。另外，也可以是第一纖芯11與第二纖芯12包含用于提高折射率的摻雜劑，而包層14不包含摻雜劑的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是包層14包含用于降低折射率的摻雜劑，而第一纖芯11與第二纖芯12不包含摻雜劑的結(jié)構(gòu)。另外，副介質(zhì)區(qū)域既可以是空孔，也可以由包含B、F等用于降低折射率的摻雜劑的石英玻璃構(gòu)成?？湛?第一空孔)13配置在能夠降低第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置、即與第一線段15相交的第二線段16上。在圖I (a)所示的多芯光纖I 中，第二線段 16a、16b、16c、16d、16e、16f 分別與第一線段 15a、15b、15c、15d、15e、15f 相交。并且，在第二線段16a、16b、16c、16d、16e、16f上分別配置多個(gè)空孔(空孔13a、13b、13c、13d、13e、13f)。空孔13a 13f分別由多個(gè)空孔構(gòu)成。在圖I (a)所示的多芯光纖I中，空孔13a 13f分別由4個(gè)空孔構(gòu)成(在本實(shí)用新型的說明書中，有時(shí)也將這4個(gè)空孔簡稱為空孔)?？湛?3a 13f分別配置成第二線段16與第一線段15的交點(diǎn)位于兩端的空孔之間。這是為了有效地抑制第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_。例如，空孔13a配置成第二線段16a與第一線段15a的交點(diǎn)位于兩端的空孔之間(連結(jié)構(gòu)成空孔13a的空孔的各中心彼此而成的線段與第一線段15a相交)。第二線段16與第一線段15的交點(diǎn)優(yōu)選位于第一線段15的中心附近，且以直角相交。若空孔13與第一纖芯11或第二纖芯12接近，則有可能產(chǎn)生第一纖芯11或第二纖芯12的光學(xué)特性的變化、例如分散特性的偏移。通過如上所述配置空孔13，從而能夠有效地抑制第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_。在由第一線段15a f包圍的多邊形環(huán)(在圖I (a)中為正六邊形環(huán))的內(nèi)側(cè)(例如包層14的中心的位置)優(yōu)選不存在纖芯。若在多邊形環(huán)的內(nèi)側(cè)配置纖芯，則該纖芯與第一纖芯11或第二纖芯12的距離變近。若是這樣，則由于串?dāng)_容易增加，因此需要在它們之 間所有的區(qū)域配置空孔(副介質(zhì)區(qū)域)。此時(shí)，多芯光纖I的制造變得困難。另外，空孔13僅配置于包層14的截面中的扇形區(qū)域內(nèi)，或者僅在該扇形區(qū)域內(nèi)追加而還配置于包層14的中心一處。在此，扇形區(qū)域是由連結(jié)包層14的中心與表面的線段之中分別通過相鄰的纖芯的中心的兩條線段劃分的兩個(gè)扇形區(qū)域之中的小的區(qū)域。例如，空孔13a如圖1(b)所示，僅配置于包層14的截面中的扇形區(qū)域18a內(nèi)。在此，扇形區(qū)域18a是由兩條線段17a、17b劃分的兩個(gè)扇形區(qū)域之中的小的區(qū)域。線段17a、17b是連結(jié)包層14的中心與表面的線段之中分別通過相鄰的纖芯lla、12a的兩條線段。另夕卜，空孔13b 13f也與空孔13a同樣地配置。在圖I (b)所示的多芯光纖I中，對扇形區(qū)域18a的中心角(線段17a、17b所成的角)進(jìn)行2等分的2等分線與第二線段16a重合，在該2等分線上配置有空孔13a。而且，空孔13a與空孔13f隔著第一纖芯11a，分別沿包層14的徑向配置(空孔13a與空孔13f配置成，在包層14的周向上隔著第一纖芯11a，在徑向上不隔著第一纖芯11a)。構(gòu)成該空孔13a 13f的多個(gè)(在圖I (a)中為8個(gè))空孔全部并沒有成為配置在以第一纖芯Ila為中心的同一圓上這種配置關(guān)系(沒有如多孔光纖那樣在以纖芯為中心的同一圓上以等角度間隔配置多個(gè)空孔)。另外，其它的空孔13與第一纖芯11或第二纖芯12的配置關(guān)系也同樣。第二實(shí)施方式第二實(shí)施方式在第一纖芯與第二纖芯具有相同的光學(xué)特性的這一點(diǎn)上，與第一實(shí)施方式不同。另外，對于與第一實(shí)施方式相同的點(diǎn)，省略或簡化說明。圖2是本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式的多芯光纖2的剖視圖。多芯光纖2包括多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);多個(gè)第二纖芯22 (22a 22c);覆蓋這些纖芯11和纖芯22的包層14 ;以及形成于包層14中的多個(gè)副介質(zhì)區(qū)域即空孔13(13a 13f)。另外，也可以使用折射率低于包層14的材質(zhì)形成副介質(zhì)區(qū)域。第一纖芯11與第二纖芯22的折射率和有效截面積相等,具有相同的光學(xué)特性。例如，第一纖芯11及第二纖芯22的直徑為8 16 μ m。第一纖芯11及第二纖芯22由單模(SM)芯或大模場(LMA)芯構(gòu)成。另外，第一纖芯11及第二纖芯22相對于包層14的折射率差例如為O. 25 O. 4%。另外，第一纖芯11和第二纖芯22分別包含Ge、P等用于提高折射率的摻雜劑，包層14包含B、F等用于降低折射率的摻雜劑。另外，也可以是第一纖芯11和第二纖芯22包含用于提高折射率的摻雜劑，而包層14不包含摻雜劑的結(jié)構(gòu)。另外，還可以是包層14包含用于降低折射率的摻雜劑，而第一纖芯11和第二纖芯22不包含摻雜劑的結(jié)構(gòu)。另外，副介質(zhì)區(qū)域除了空孔以外，也可以由包含B、F等用于降低折射率的摻雜劑的石英玻璃構(gòu)成。優(yōu)選第二線段16與第一線段15的交點(diǎn)位于第一線段15的中心，并且，第二線段16與第一線段15以直角相交。此時(shí)，能最有效地抑制空孔13引起的第一纖芯11與第二纖芯12的光學(xué)特性的偏移。第三實(shí)施方式第三實(shí)施方式在空孔的數(shù)量上與第一實(shí)施方式不同。另外，關(guān)于與第一實(shí)施方式相同的點(diǎn)，省略或簡化說明。圖3 Ca)是本實(shí)用新型的第三實(shí)施方式的多芯光纖3的剖視圖。多芯光纖3包
括多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);多個(gè)第二纖芯12 (12a 12c);覆蓋這些纖芯11和纖芯12的包層14 ;以及形成于包層14中的多個(gè)空孔(第一空孔)13 (13a 13f)及多個(gè)空孔(第二空孔)33 (33a 33f)?？湛?3配置于第二線段16 (16a 16f)上?？湛?3 (33a 33f)配置于第二線段16 (16a 16f)的兩側(cè)的第三線段36 (36a 36f)上。第三線段36與第一線段15相交，并與第二線段16平行。另外，第三線段36既可以僅存在于第二線段16的一側(cè)，而且，也可以存在3個(gè)以上。圖3 (b)為空孔13a、33a周邊的放大圖。空孔13a配置于第二線段16a上，空孔33a配置于第三線段36a上。通過空孔13a的相鄰的空孔之間且與第一線段15a平行的所有的直線與空孔33a相交。另外，通過空孔33a的相鄰的空孔之間且與第一線段15a平行的所有的直線與空孔13a相交?？湛?3b 33f也與空孔33a同樣地配置。S卩，能夠連結(jié)第一纖芯Ila與第二纖芯12a的與第一線段15a平行的所有線段必須與空孔13a、33a之中的至少任一個(gè)空孔相交。由此，能夠更有效地抑制第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_。第四實(shí)施方式第四實(shí)施方式在副介質(zhì)區(qū)域(空孔)的數(shù)量及形狀上與第一實(shí)施方式不同。另外，關(guān)于與第一實(shí)施方式相同的點(diǎn)，省略或簡化說明。圖4是本實(shí)用新型的第四實(shí)施方式的多芯光纖4的剖視圖。多芯光纖4包括多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);多個(gè)第二纖芯12 (12a 12c);覆蓋這些纖芯11和纖芯12的包層14 ;以及形成于包層14中的多個(gè)空孔43 (43a 43f)?？湛?3配置在能夠降低第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置即第二線段16上。在圖4所示的多芯光纖4中，在第二線段16a、16b、16c、16d、16e、16f 上分別配置空孔 43a、43b、43c、43d、43e、43f。空孔43a 43f分別由截面為橢圓形的I個(gè)空孔構(gòu)成。該空孔43a 43f的長度方向的長度優(yōu)選形成為能夠連結(jié)相鄰的纖芯之間的所有線段與各空孔43a 43f必定相交的長度?？湛?3a 43f分別與第一線段15a 15f相交，橢圓形的長度方向與第一線段15a 15f的方向相交(橢圓形的短方向與包層14的圓周方向?yàn)橄嗤较?。尤其，優(yōu)選橢圓形的長度方向與第一線段15a 15f的方向以直角相交,并且在第一線段15a 15f的中心點(diǎn)相交。此時(shí)，能夠有效地抑制第一纖芯11與第二纖芯12之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_。第五實(shí)施方式第五實(shí)施方式在形成有用于特定位置的用作標(biāo)記的空孔這一點(diǎn)上與第一實(shí)施方式不同。另外，關(guān)于與第一實(shí)施方式相同的點(diǎn)，省略或簡化說明。圖5是本實(shí)用新型的第五實(shí)施方式的多芯光纖5的剖視圖。多芯光纖5包括多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);多個(gè)第二纖芯12 (12a 12c);覆蓋這些纖芯11和纖芯12的包層14 ;形成于包層14中的多個(gè)空孔13 (13a 13f);以及由折射率低于空孔等包層的副介質(zhì)區(qū)域構(gòu)成的標(biāo)記51。標(biāo)記51是配置于空孔13a周邊的用于通過視覺辨認(rèn)來特定位置的空孔。標(biāo)記51僅形成于空孔13a的周邊，而沒形成于空孔13b 13f的周邊，因此能夠容易地特定空孔13b的位置，由此能夠特定多芯光纖5的旋轉(zhuǎn)角度等。 而且，標(biāo)記51的配置不限定于圖5所示。另外，標(biāo)記51也可以由多個(gè)空孔構(gòu)成。第六實(shí)施方式第六實(shí)施方式通過減少一部分區(qū)域的空孔的數(shù)量，從而將該區(qū)域作為用于特定位置的標(biāo)記而使用，在這一點(diǎn)上與第三實(shí)施方式不同。另外，關(guān)于與第三實(shí)施方式相同的點(diǎn)，省略或簡化說明。圖6 (a)是本實(shí)用新型的第六實(shí)施方式的多芯光纖6的剖視圖。多芯光纖6包括多個(gè)第一纖芯11 (Ila lie);多個(gè)第二纖芯12 (12a 12c);覆蓋這些纖芯11和纖芯12的包層14 ;以及形成于包層14中的多個(gè)空孔13 (13a 13f)及多個(gè)空孔33 (33a 33f)。圖6 (b)為空孔13a、33a周邊的放大圖?？湛?3a配置于第二線段16a上，空孔33a配置于第三線段36a上。構(gòu)成空孔33a的空孔的數(shù)量少于構(gòu)成各個(gè)空孔33b 33f的空孔的數(shù)量?？湛?3b 33f所包含的預(yù)定區(qū)域的空孔不包含于空孔33a，未配置該空孔33a的空孔的預(yù)定區(qū)域作為用于特定空孔33a位置的標(biāo)記而發(fā)揮作用。將該預(yù)定區(qū)域作為標(biāo)記61表不于圖6 (a)、圖6 (b)。而且，標(biāo)記61即未配置空孔33a的空孔的預(yù)定區(qū)域的位置不限于圖6 (a)、圖6(b)所示。另外，標(biāo)記61也可以由沒有配置空孔的多個(gè)預(yù)定區(qū)域構(gòu)成。實(shí)施方式的效果如下。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，能夠獲得包括可降低串?dāng)_的空孔，并且抑制了空孔引起的纖芯的光學(xué)特性的變化的多芯光纖。另外，由于能夠有效地降低串?dāng)_，抑制纖芯的光學(xué)特性的變化，因此能夠高密度地配置多芯光纖的纖芯。另外，采用了孔輔助結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的多芯光纖，由于是在各纖芯的周圍均等地配置空孔的結(jié)構(gòu)，因此其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，難于在預(yù)定的位置配置空孔，制造困難。與此相對，本實(shí)施方式的多芯光纖是在相鄰的纖芯之間配置空孔(副介質(zhì)區(qū)域)的結(jié)構(gòu)，不是使空孔分散在包層中，而是在某種程度上集中配置的結(jié)構(gòu)，因此結(jié)構(gòu)簡化，制造比較容易。另外，本實(shí)用新型不限于上述實(shí)施方式，在不脫離實(shí)用新型主旨的范圍內(nèi)能夠?qū)嵤└鞣N變形。例如，也可以在包層的中心設(shè)置副介質(zhì)區(qū)域，使在相對的纖芯之間的串?dāng)_也減少。另外，在不脫離實(shí)用新型主旨的范圍內(nèi)能夠任意地組合上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)要素。實(shí)施例[0080]作為實(shí)施例制作了圖7 Ca)所示結(jié)構(gòu)的多芯光纖7a。第一纖芯11與包層14的折射率差為O. 36%，第二纖芯12與包層14的折射率差為1.0%。第一纖芯11的直徑為9. O μ m,第二纖芯22的直徑為6. 2 μ m。第一纖芯11與第二纖芯12分別為各3個(gè)，并交替配置于正六邊形的各頂點(diǎn)。第一纖芯11與第二纖芯12的距離(正六邊形的各邊的長度)為40 μ m，包層14的直徑為190 μ m。副介質(zhì)區(qū)域由空孔13構(gòu)成，空孔13的直徑為5. O μ m，空孔之間的間隔為I. O μ m，每5個(gè)配置于各纖芯之間?？湛?3以相對于第一線段15線對稱的方式配置于第一線段15的中垂線上。比較例作為比較例制作了圖7 (b)所示的多芯光纖7b。比較例的多芯光纖7b與實(shí)施例所示的多芯光纖7a比較，除了不具有副介質(zhì)區(qū)域(空孔13)以外，條件相同?！な褂脠D8所示的串?dāng)_測定系統(tǒng)8進(jìn)行了各纖芯的串?dāng)_測定。在串?dāng)_測定系統(tǒng)8中，用于入射來自光源81的光的入射用單模光纖82在多芯光纖(7a或7b)的一端與纖芯(入射纖芯)連接，射出用單模光纖83在多芯光纖7的另一端分別連接在與連接有入射用單模光纖82的纖芯相鄰的兩個(gè)纖芯(射出纖芯)上，從該射出用單模光纖83射出的光的強(qiáng)度由測定器84測定。另外，入射纖芯與入射用單模光纖82的結(jié)合部的對位、以及射出纖芯與射出用單模光纖83的結(jié)合部的對位分別利用調(diào)心機(jī)構(gòu)85a、85b進(jìn)行。串?dāng)_測定系統(tǒng)8是如下系統(tǒng),在從光源8向多芯光纖7入射了光時(shí)，測定有多少光從入射纖芯向相鄰的兩個(gè)射出纖芯漏出。表I表示使用串?dāng)_測定系統(tǒng)進(jìn)行各纖芯的串?dāng)_測定的結(jié)果。另外，表I的串?dāng)_值是使用IOOkm的多芯光纖測定的值(換算值)。表I
_入射釁念號=Γ射出纖S尋 Γ......■■實(shí)施初UiT^l —
二 ^J 2 a-49. 91FC O
I I a-- . —-i'二二二.二二---- Λ —-1----
__L2 c-53, 9-19. O_
γ 52, 4I 1Ts.I
1 2 8 I b^48. 4-3-
^ .......b I 2 a^m -49. 4 — -2θΤΤ—-^__ — 一I 2 b———-45.9 ■ - 0·5
,0 , Ilb-43. 4 -20. S
. . ................I I c j . ..:43,9-21.廠^^
,...............Γ 2 b............................. -44. 4 .............. .....-21. 5 ~ ^
Γ I 2 c—^47, 4-^^Τ — 20:■■■■■5 —
Ilc-46. 4-19. 5
Iβ------.....-......II........ΙΙΙΙΙΙΙΙ...........................................................I............................................ IU1I1IHWWWWWWII ...............dim..............................................................mm................................................. .......................................................................................................................
....——I I a-48. 9-20. 5比較例的多芯光纖8b的串?dāng)_為一 19. O 一 21. 5dB (平均一 20. 3dB)，與此相對，實(shí)施例的多芯光纖8a的串?dāng)_為一 43. 4 一 53. 9dB (平均一 47. 9dB)，確認(rèn)到能夠降低串?dāng)_。以上，雖然說明了本實(shí)用新型的實(shí)施方式及實(shí)施例，但上述記載的實(shí)施方式及實(shí)施例不限定權(quán)利要求書中涉及的實(shí)用新型。另外，應(yīng)該注意，實(shí)施方式及實(shí)施例中說明的特征的所有組合未必是用于解決實(shí)用新型課題的手段 。
權(quán)利要求1.一種多芯光纖，其特征在于， 包括配置成位于多邊形環(huán)的頂點(diǎn)的多個(gè)纖芯；以及 包層，該包層形成有多個(gè)副介質(zhì)區(qū)域，并覆蓋上述多個(gè)纖芯，并且折射率低于上述多個(gè)纖芯且高于上述副介質(zhì)區(qū)域， 上述副介質(zhì)區(qū)域配置于降低上述多個(gè)纖芯之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯光纖，其特征在于， 上述副介質(zhì)區(qū)域配置于上述包層的截面中的扇形區(qū)域內(nèi)， 上述扇形區(qū)域是由兩條線段劃分的兩個(gè)扇形區(qū)域中的面積小的區(qū)域，上述兩條線段是連結(jié)上述包層的中心與表面的線段之中分別通過上述相鄰的纖芯的中心的線段。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯光纖，其特征在于， 上述副介質(zhì)區(qū)域包括配置于與連結(jié)上述相鄰的纖芯的中心彼此的第一線段相交的第二線段上的第一副介質(zhì)區(qū)域， 上述第一副介質(zhì)區(qū)域在每一條上述第二線段上配置多個(gè)，上述第二線段與上述第一線段的交點(diǎn)位于一條上述第二線段上的兩端的上述第一副介質(zhì)區(qū)域之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯光纖,其特征在于， 上述第二線段與上述第一線段以直角相交。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多芯光纖,其特征在于， 上述副介質(zhì)區(qū)域包括配置于與上述第二線段平行的第三線段上的第二副介質(zhì)區(qū)域，通過相鄰的上述第一副介質(zhì)區(qū)域之間且與上述第一線段平行的所有直線與上述第二副介質(zhì)區(qū)域相交。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯光纖,其特征在于， 一條上述第三線段上的上述第二副介質(zhì)區(qū)域與其它的上述第三線段上的上述第二副介質(zhì)區(qū)域數(shù)量不同，從而作為用于特定位置的標(biāo)記而發(fā)揮作用。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多芯光纖，其特征在于， 上述副介質(zhì)區(qū)域的形狀是與連結(jié)上述相鄰的纖芯的第一線段相交的橢圓形， 上述橢圓形的長度方向與上述第一線段的方向相交。
8.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的多芯光纖,其特征在于， 在上述多邊形環(huán)的內(nèi)側(cè)不包括其它纖芯。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的多芯光纖,其特征在于， 上述多個(gè)纖芯包括具有第一光學(xué)特性的第一纖芯；以及具有與上述第一光學(xué)特性不同的第二光學(xué)特性的第二纖芯， 上述第一纖芯與上述第二纖芯交替配置于上述多邊形環(huán)的頂點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的多芯光纖,其特征在于， 上述多個(gè)纖芯具有相同的光學(xué)特性， 上述第二線段與上述第一線段的交點(diǎn)位于上述第一線段的中心。
11.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的多芯光纖,其特征在于， 上述副介質(zhì)區(qū)域包括配置于一條上述第二線段上的上述第一副介質(zhì)區(qū)域的周邊的作為用于特定位置的標(biāo)記的副介質(zhì)區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的多芯光纖,其特征在于，在上述包層的中心還配置有副介質(zhì)區(qū)域。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種多芯光纖，使具有降低串?dāng)_的效果的空孔等副介質(zhì)區(qū)域的配置簡化，比較容易制造。本實(shí)用新型的多芯光纖(1)包括配置成位于多邊形環(huán)的頂點(diǎn)的第一纖芯(11a～11c)及第二纖芯(12a～12c)；以及包層(14)，該包層形成有空孔(13a～13f)，并覆蓋第一纖芯(11a～11c)及第二纖芯(12a～12c)，并且折射率低于第一纖芯(11a～11c)及第二纖芯(12a～12c)。空孔(13a～13f)配置于降低第一纖芯(11a～11c)及第二纖芯(12a～12c)之中相鄰的纖芯之間的串?dāng)_的位置。
文檔編號G02B6/02GK202693840SQ20122032062
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月11日
發(fā)明者姚兵, 大薗和正, 椎名則文 申請人:日立電線株式會社