專利名稱：可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法
可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種畫素電極技術(shù)，特別是關(guān)于一種可修補(bǔ)資料線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法。先前技術(shù)液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，具有低消耗電功率、薄型輕量以及低電壓驅(qū)動(dòng)等特征，其顯示原理是利用液晶分子之材料特性，于外加電場(chǎng)后使液晶分子的排列狀態(tài)改變，從而使液晶材料產(chǎn)生各種光電效應(yīng)。一般而言，IXD的顯示區(qū)域包含復(fù)數(shù)個(gè)畫素區(qū)域，每一個(gè)畫素區(qū)域是指由兩條閘極線(gateline)(又稱掃瞄線，scan line)與兩條數(shù)據(jù)線(data line)所定義之矩形區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有一薄膜晶體管(thin film transistor,以下簡(jiǎn)稱TFT)以及一畫素電極,此薄膜晶體管是為一種開關(guān)組件(switching device)。閘極線與數(shù)據(jù)線主要是用來(lái)提供影像訊號(hào)以驅(qū)動(dòng)畫素電極，但是礙于制作時(shí)基板表面之高低起伏、熱處理、蝕刻制程等影響，閘極線與數(shù)據(jù)線很容易發(fā)生斷線，進(jìn)而導(dǎo)致斷路(open circuit)或短路(short circuit)的現(xiàn)象。而且，當(dāng)IXD面板之面積擴(kuò)大并提高分辨率時(shí)，需要制作數(shù) 量更多的閘極線與數(shù)據(jù)線，且線寬變得更窄，則制程困難度的提高更容易導(dǎo)致斷線現(xiàn)象。因此，為了避免LCD面板的操作受到少部份斷線的影響，極需發(fā)展出一種修補(bǔ)(repair)缺陷的結(jié)構(gòu)及其制作方法。如第I圖所示，傳統(tǒng)技術(shù)在修補(bǔ)數(shù)據(jù)線10時(shí)，是利用與第一金屬層12—同形成，且位于資料線10旁的修補(bǔ)線14。換言之，此第一金屬層12同時(shí)形成晶體管之閘極16、閘極線18與修補(bǔ)線14。但由于此修補(bǔ)線14為金屬材質(zhì)，不透光，降低了整個(gè)畫素的開口率，特別是在小尺寸的顯示面板中，其降低開口率的缺陷尤其明顯。因此，本發(fā)明是在針對(duì)上述之困擾，提出一種可修補(bǔ)資料線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法，以解決習(xí)知所產(chǎn)生的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明之主要目的，在于提供一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法，其是在數(shù)據(jù)線下方或上方利用氧化半導(dǎo)體層形成高導(dǎo)電區(qū)，以于數(shù)據(jù)線斷線時(shí)，利用高導(dǎo)電區(qū)修補(bǔ)數(shù)據(jù)線，來(lái)保持訊號(hào)穩(wěn)定性，并同時(shí)維持面板之畫素開口率。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，包含一透明基板，此透明基板上依序設(shè)有一緩沖層與一氧化物半導(dǎo)體層，以藉氧化物半導(dǎo)體層形成相隔離之一第一高導(dǎo)電區(qū)與一晶體管之一通道區(qū)。氧化物半導(dǎo)體層與緩沖層上還依序設(shè)有一第一絕緣層與一第一金屬層，第一金屬層形成晶體管之閘極與一閘極線，閘極位于通道區(qū)上方。于第一金屬層與第一絕緣層上設(shè)有一第二絕緣層，且有二個(gè)第一通孔貫穿第一絕緣層與第二絕緣層，以露出通道區(qū)。于第二絕緣層上設(shè)有一第二金屬層，其是透過(guò)第一通孔和通道區(qū)相接觸，第二金屬層是形成晶體管之源極、汲極與一數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線位于第一高導(dǎo)電區(qū)上方。在第二金屬層上設(shè)有一第三絕緣層，其是具有位于汲極上方之一第二通孔。第三絕緣層上設(shè)有一電極層，其是藉第二通孔與汲極相接觸。本發(fā)明提供一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，首先，于一透明基板上依序形成一緩沖層與包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)與一晶體管之一通道區(qū)的一氧化物半導(dǎo)體層。接著，形成一第一絕緣層于氧化物半導(dǎo)體層與緩沖層上。完成后，形成一第一金屬層于第一絕緣層上，第一金屬層包含晶體管之閘極與一閘極線，閘極位于通道區(qū)上方。然后，以閘極為罩幕，以在修補(bǔ)線區(qū)中形成一第一高導(dǎo)電區(qū)。再來(lái)，形成一第二絕緣層于第一金屬層與第一絕緣層上，并形成貫穿第一絕緣層與第二絕緣層之二個(gè)第一通孔，以露出通道區(qū)。通孔完成后，形成一第二金屬層于第二絕緣層上，以透過(guò)第一通孔和通道區(qū)相接觸，第二金屬層包含晶體管之源極、汲極與一數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線位于第一高導(dǎo)電區(qū)上方。最后，形成一第三絕緣層于第二金屬層與第二絕緣層上，第三絕緣層具有位于汲極上方之一第二通孔，并且，形成一電極層于第三絕緣層上，以藉第二通孔與汲極相接觸。本發(fā)明亦提供另一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，包含一透明基板，其上設(shè)有一第一金屬層，以形成一晶體管之汲極、源極與一資料線。于透明基板與第一金屬層上更設(shè)有一氧化物半導(dǎo)體層，以形成相隔離之一高導(dǎo)電區(qū)與一晶體管之一信道區(qū)，信道區(qū)位于汲極與源極之間，高導(dǎo)電區(qū)位于數(shù)據(jù)線上方。于氧化物半導(dǎo)體層、透明基板與第一金屬層上依序設(shè)有一第一絕緣層與一第二金屬層，第二金屬層是形成晶體管之閘極與一閘極線，閘極位于通道區(qū)上方。在第一絕緣層與第二金屬層上是設(shè)有一第二絕緣層，且第一絕緣層與第二絕緣層貫穿有一通孔，以露出汲極。第二絕緣層上設(shè)有一電極層，其是藉通孔和汲極相接觸。本發(fā)明亦提供一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，首先，形成包含一晶體管之汲極、源極與一資料線之一第一金屬層于一透明基板上。接著，形成一氧化物半導(dǎo)體層于透明基板與第一金屬層上，氧化物半導(dǎo)體層包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)與一晶體管之一信道區(qū)，信道區(qū)位于汲極與源極之間，修補(bǔ)線區(qū)位于數(shù)據(jù)線上方。然后，依序形成一第一絕緣層與一第二金屬層于氧化物半導(dǎo)體層、透`明基板與第一金屬層上，第二金屬層包含晶體管之閘極與一閘極線，閘極位于通道區(qū)上方。再來(lái)，以閘極為罩幕，以于修補(bǔ)線區(qū)中形成一高導(dǎo)電區(qū)，其是位于資料線上方。形成完后，再形成一第二絕緣層于第一絕緣層與第二金屬層上，并形成貫穿第一絕緣層與第二絕緣層之一通孔，以露出汲極。最后，形成一電極層于第二絕緣層上，以藉通孔和汲極相接觸。茲為使貴審查委員對(duì)本發(fā)明之結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成之功效更有進(jìn)一步之了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以較佳之實(shí)施例圖及配合詳細(xì)之說(shuō)明，說(shuō)明如后:

第I圖為先前技術(shù)之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)示意圖。第2圖為本發(fā)明之第一實(shí)施例之畫素電極結(jié)構(gòu)示意圖。第3圖為第2圖沿A-A，切線之畫素電極結(jié)構(gòu)剖視圖。第4(a)圖至第4(h)圖為制作第3圖之各步驟畫素電極結(jié)構(gòu)剖視圖。第5圖為本發(fā)明之第一實(shí)施例之進(jìn)行雷射修補(bǔ)后的畫素電極結(jié)構(gòu)剖視圖。第6圖為本發(fā)明之第二實(shí)施例之畫素電極結(jié)構(gòu)示意圖。第7圖為第6圖沿A-A，切線之畫素電極結(jié)構(gòu)剖視圖。
第8(a)圖至第8(h)圖為制作第7圖之各步驟畫素電極結(jié)構(gòu)剖視圖。實(shí)施方式本發(fā)明提供一種不需要額外提供光罩的可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法。以下介紹本發(fā)明之第一實(shí)施例，請(qǐng)同時(shí)參閱第2圖與第3圖。本發(fā)明包含一透明基板20，其上依序設(shè)有一緩沖層21與材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZO)之一氧化物半導(dǎo)體層22，以形成相隔離之一第一高導(dǎo)電區(qū)24與一晶體管之一通道區(qū)26。氧化物半導(dǎo)體層22與緩沖層21上依序設(shè)有一第一絕緣層28與一第一金屬層30,第一金屬層30是形成晶體管之閘極32與一閘極線34，閘極32位于通道區(qū)26上方，并連接閘極線34，且通道區(qū)26具有露出閘極32之部分，其是形成有一第二高導(dǎo)電區(qū)27。第一高導(dǎo)電區(qū)24與第二高導(dǎo)電區(qū)27皆由氧化物半導(dǎo)體層22進(jìn)行脫氧、或加氫或稀有氣體而形成,其中稀有氣體為氦氣、氖氣、IS氣、氪氣、氣氣或氡氣。第一絕緣層28與第一金屬層30上設(shè)有一第二絕緣層36,有二個(gè)第一通孔38貫穿第一絕緣層28與第二絕緣層36，以露出通道區(qū)26。第二絕緣層36上設(shè)有一第二金屬層40，其是透過(guò)第一通孔38和通道區(qū)26相接觸，第二金屬層40是形成晶體管之源極42、汲極44與一數(shù)據(jù)線46，數(shù)據(jù)線46位于第一高導(dǎo)電區(qū)24上方，并連接源極42，閘極線34與數(shù)據(jù)線46垂直交會(huì)。第二金屬層40上還設(shè)有一第三絕緣層48，其是具有位于汲極44上方之一第二通孔50，又一材質(zhì)為氧化銦錫(ΙΤ0)之電極層52設(shè)于第三絕緣層48上，并藉第二通孔50與汲極44相接觸。以下介紹第一實(shí)施例之制作方法，請(qǐng)參閱第4(a)圖至第4(h)圖與第2圖、第3圖。首先，如第4 (a)圖所示，于透明基板20上依序形成緩沖層21與氧化物半導(dǎo)體層22，并將氧化物半導(dǎo)體層22圖案化，使氧化物半導(dǎo)體層22包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)54與晶體管之通道區(qū)26。接著，如第4(b)圖所示，形成第一絕緣層28于氧化物半導(dǎo)體層22與緩沖層21上。然后，如第4(c)圖所示，形成第一金屬層30于第一絕緣層28上，并圖案化第一金屬層30，使第一金屬層30包含晶體管之閘極32與閘極線34 (圖中未示出)，閘極32位于通道區(qū)26上方。再來(lái)，以閘極32為 罩幕，以分別在修補(bǔ)線區(qū)54與通道區(qū)26中，進(jìn)行脫氧、或以離子植入法加氫或加稀有氣體形成第一高導(dǎo)電區(qū)24與第二高導(dǎo)電區(qū)27。結(jié)束后，如第4(d)圖所示，形成第二絕緣層36于第一金屬層30與第一絕緣層28上。接著，如第4 (e)圖所示，形成貫穿第一絕緣層28與第二絕緣層36之二個(gè)第一通孔38，以露出通道區(qū)26。然后，如第4(f)圖所示，形成第二金屬層40于第二絕緣層36上，以透過(guò)第一通孔38和通道區(qū)26相接觸，同時(shí)圖案化第二金屬層40，使其包含晶體管之源極42、汲極44與數(shù)據(jù)線46，數(shù)據(jù)線46位于第一高導(dǎo)電區(qū)24上方。再來(lái)，如第4(g)圖所示，形成第三絕緣層48于第二金屬層40與第二絕緣層36上，并圖案化第三絕緣層48，使其具有位于汲極44上方之第二通孔50。最后，如第4(h)圖所示，形成電極層52于第三絕緣層48上，以藉第二通孔50與汲極44相接觸。請(qǐng)繼續(xù)參閱第5圖。當(dāng)作為數(shù)據(jù)線46之第二金屬層40斷線時(shí)，可以利用雷射擊穿第一絕緣層28與第二絕緣層36，使第二金屬層40與第一高導(dǎo)電區(qū)24接觸，以連接數(shù)據(jù)線46。此第一高導(dǎo)電區(qū)24由于具有高導(dǎo)電性，且氧化銦鎵鋅本身亦為透明材料，因此第一高導(dǎo)電區(qū)24作為修補(bǔ)線時(shí)不會(huì)影響畫素的開口率。以下介紹本發(fā)明之第二實(shí)施例，請(qǐng)同時(shí)參閱第6圖與第7圖。本發(fā)明包含一透明基板56，其上設(shè)有一第一金屬層58，以形成一晶體管之汲極60、源極62與一數(shù)據(jù)線64，數(shù)據(jù)線64連接源極62。透明基板56與第一金屬層58上設(shè)有材質(zhì)為氧化銦鎵鋅之一氧化物半導(dǎo)體層66,以形成相隔離之一高導(dǎo)電區(qū)68與一晶體管之一信道區(qū)70,此信道區(qū)70位于汲極60與源極62之間，高導(dǎo)電區(qū)68位于數(shù)據(jù)線64上方，并由氧化物半導(dǎo)體層66進(jìn)行脫氧、或加氫或稀有氣體而形成，稀有氣體如氦氣、氖氣、気氣、氪氣、氣氣或氡氣。氧化物半導(dǎo)體層66、透明基板56與第一金屬層58上依序設(shè)有一第一絕緣層72與一第二金屬層74，第二金屬層74用來(lái)形成晶體管之閘極76與一閘極線78，閘極76位于通道區(qū)70上方，并連接閘極線78，又閘極線78與資料線64垂直交會(huì)。第一絕緣層72、第一金屬層58與第二金屬層74上設(shè)有一第二絕緣層80，且有一通孔82貫穿第一絕緣層72與第二絕緣層80，以露出汲極60。第二絕緣層80上設(shè)有材質(zhì)為氧化銦錫之一電極層84，其是藉通孔82和汲極60相接觸。以下介紹第二實(shí)施例之制作方法，請(qǐng)參閱第8 (a)圖至第8(h)圖與第6圖、第7圖，此制作方法相較于第一實(shí)施例，少一道光罩，亦少一層絕緣層。首先，如第8(a)圖所示，形成第一金屬層58于透明基板56上，并圖案化第一金屬層58，使其包含晶體管之汲極60、源極62與資料線64。接著，如第8 (b)圖所示，形成氧化物半導(dǎo)體層66于透明基板56與第一金屬層58上，并圖案化氧化物半導(dǎo)體層66，使其包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)86與晶體管之信道區(qū)70，信道區(qū)70位于汲極60與源極62之間，修補(bǔ)線區(qū)86位于數(shù)據(jù)線64上方。再來(lái)，如第8 (c)圖所示，形成第一絕緣層72于氧化物半導(dǎo)體層66、透明基板56與第一金屬層58上。結(jié)束后，如第8(d)圖所示，形成第二金屬層74于第一絕緣層72上，并圖案化第二金屬層74，使其包含晶體管之閘極76與閘極線78，且閘極76位于通道區(qū)70上方。接著，由于閘極76和汲極60與源極62互有重迭處，可完全遮蓋通道區(qū)70，故可如第8 (e)圖所示，以閘極76為罩幕，僅于修補(bǔ)線區(qū)86中進(jìn)行脫氧、或以離子植入法加氫或加稀有氣體，形成位于資料線64上方之高導(dǎo)電區(qū)68。再來(lái)，如第8(f)圖所示，形成第二絕緣層80于第一絕緣層72與第二金屬層74上。然后，如第8(g)圖所示，形成貫穿第一絕緣層72與第二絕緣層80之通孔82，以露出汲極60。最后，如第8(h)圖所示，形成電極層84于第二絕緣層80上，以藉通孔82和汲極60相接觸?？梢岳斫獾氖牵?dāng)作為數(shù)據(jù)線64之第一金屬層58斷線時(shí)，不需要利用雷射修補(bǔ)數(shù)據(jù)線64，因?yàn)閿?shù)據(jù)線64就位于高導(dǎo)電區(qū)68之下方，可直接接觸。此高導(dǎo)電區(qū)68由于具有高導(dǎo)電性，且氧化銦鎵鋅本身亦為透明材料，因此高導(dǎo)電區(qū)68作為修補(bǔ)線時(shí)不會(huì)影響畫素的開口率。本發(fā)明不需額外增加光罩，同時(shí)，在一般的氧化銦鎵鋅做通道層的薄膜晶體管中，也可以對(duì)半導(dǎo)體層上的源極或汲極區(qū)域進(jìn)行一些處理，如脫氧、加氫等，來(lái)提升特定區(qū)域的導(dǎo)電性。本發(fā)明于氧化半導(dǎo)體層中加氫可為氧化物半導(dǎo)體提供更多的電子，從而使氧化物半導(dǎo)體具有更好的導(dǎo)電特性(N-type)，若加稀有氣體是使氧化物半導(dǎo)體產(chǎn)生缺陷而使氧化物半導(dǎo)體具有更好的導(dǎo)電特性(N-type)。而氫較易擴(kuò)散，若氫擴(kuò)散到通道區(qū)(channel)的話，容易使晶體管的特性衰退，所以最好選用稀有氣體進(jìn)行摻雜，使晶體管具有更好的穩(wěn)定性。在美國(guó)專利US20120161125A1中，摻雜植入的深度可以很好的被控制，使離子能夠剛好進(jìn)入到氧化物半導(dǎo)體層中，其采用氙氣，源極和汲極區(qū)域中氙氣的濃度控制在5X IO19原子/立方公分(atoms/cm3) I X 1022atoms/cm3之間。之后，可進(jìn)一步在300° C 600° C、減壓氣氛(氮?dú)鈿夥?或氙氣中進(jìn)行熱處理，如在電熔爐中，在450 ° C的溫度下同時(shí)在氮?dú)鈿夥罩屑訜嵋恍r(shí)。因此透過(guò)以上方法可以實(shí)現(xiàn)氧化物半導(dǎo)體部分區(qū)域的導(dǎo)電性能提升，而本發(fā)明不僅可以在修補(bǔ)線區(qū)的IGZO中進(jìn)行離子植入，也可以在薄膜晶體管中的源極或汲極區(qū)域進(jìn)行離子植入處理。綜上所述，本發(fā)明可在不影響面板之畫素開口率之前提下，對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行修補(bǔ)，以維持訊號(hào)之穩(wěn)定性。以上所述者，僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施之范圍，故舉凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所述之形狀、構(gòu)造、特征及精神所為之均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明之申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，包含: 一透明基板； 一緩沖層，設(shè)于該透明基板上； 一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該緩沖層上，以形成相隔離之一第一高導(dǎo)電區(qū)與一晶體管之一通道區(qū)； 一第一絕緣層，設(shè)于該氧化物半導(dǎo)體層與該緩沖層上； 一第一金屬層，設(shè)于該第一絕緣層上，以形成該晶體管之閘極與一閘極線，該閘極位于該通道區(qū)上方；· 一第二絕緣層,設(shè)于該第一金屬層與該第一絕緣層上； 二個(gè)第一通孔，其是貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，以露出該通道區(qū)； 一第二金屬層，設(shè)于該第二絕緣層上，并透過(guò)該些第一通孔和該通道區(qū)相接觸，該第二金屬層是形成該晶體管之源極、汲極與一數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線位于該第一高導(dǎo)電區(qū)上方； 一第三絕緣層，設(shè)于該第二金屬層上，該第三絕緣層具有位于該汲極上方之一第二通孔；以及 一電極層，設(shè)于該第三絕緣層上，并藉該第二通孔與該汲極相接觸。
2.如請(qǐng)求項(xiàng)I所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu),其中該閘極線連接該閘極,該數(shù)據(jù)線是連接該源極，且該閘極線與該資料線垂直交會(huì)。
3.如請(qǐng)求項(xiàng)I所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該信道區(qū)具有露出該閘極之部分，其是形成有一第二高導(dǎo)電區(qū)。
4.如請(qǐng)求項(xiàng)3所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該第一高導(dǎo)電區(qū)與該第二高導(dǎo)電區(qū)皆由該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行脫氧、或加氫或稀有氣體而形成。
5.如請(qǐng)求項(xiàng)4所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該稀有氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氣氣或氡氣。
6.如請(qǐng)求項(xiàng)I所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該氧化物半導(dǎo)體層之材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZO)，且該電極層之材質(zhì)為氧化銦錫(ITO)。
7.—種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，包含下列步驟: 于一透明基板上依序形成一緩沖層及包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)與一晶體管之一通道區(qū)的一氧化物半導(dǎo)體層； 形成一第一絕緣層于該氧化物半導(dǎo)體層與該緩沖層上； 形成一第一金屬層于該第一絕緣層上，該第一金屬層包含該晶體管之閘極與一閘極線，該閘極位于該通道區(qū)上方； 以該閘極為罩幕，以在該修補(bǔ)線區(qū)中形成一第一高導(dǎo)電區(qū)； 形成一第二絕緣層于該第一金屬層與該第一絕緣層上； 形成貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層之二個(gè)第一通孔，以露出該通道區(qū)； 形成一第二金屬層于該第二絕緣層上，以透過(guò)該些第一通孔和該通道區(qū)相接觸，該第二金屬層包含該晶體管之源極、汲極與一數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線位于該第一高導(dǎo)電區(qū)上方； 形成一第三絕緣層于該第二金屬層上，該第三絕緣層具有位于該汲極上方之一第二通孔；以及 形成一電極層于該第三絕緣層上，以藉該第二通孔與該汲極相接觸。
8.如請(qǐng)求項(xiàng)7所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該閘極線連接該閘極，該數(shù)據(jù)線是連接該源極，且該閘極線與該資料線垂直交會(huì)。
9.如請(qǐng)求項(xiàng)7所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中在該修補(bǔ)線區(qū)中形成該第一高導(dǎo)電區(qū)之步驟中，是于該修補(bǔ)線區(qū)與該通道區(qū)中分別形成該第一高導(dǎo)電區(qū)與一第二高導(dǎo)電區(qū)。
10.如請(qǐng)求項(xiàng)9所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該第一高導(dǎo)電區(qū)與該第二高導(dǎo)電區(qū)皆由該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行脫氧、或以離子植入法加氫或加稀有氣體而形成。
11.如請(qǐng)求項(xiàng)10所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該稀有氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氡氣。
12.如請(qǐng)求項(xiàng) 7所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該氧化物半導(dǎo)體層之材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZO)。
13.—種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，包含: 一透明基板； 一第一金屬層，設(shè)于該透明基板上，以形成一晶體管之汲極、源極與一資料線； 一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該透明基板與該第一金屬層上，以形成相隔離之一高導(dǎo)電區(qū)與一晶體管之一信道區(qū)，該信道區(qū)位于該汲極與該源極之間，該高導(dǎo)電區(qū)位于該數(shù)據(jù)線上方； 一第一絕緣層，設(shè)于該氧化物半導(dǎo)體層、該透明基板與該第一金屬層上； 一第二金屬層，設(shè)于該第一絕緣層上，以形成該晶體管之閘極與一閘極線，該閘極位于該通道區(qū)上方； 一第二絕緣層,設(shè)于該第一絕緣層與該第二金屬層上； 一通孔，其是貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，以露出該汲極；以及 一電極層，設(shè)于該第二絕緣層上，并藉該通孔和該汲極相接觸。
14.如請(qǐng)求項(xiàng)13所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該閘極線連接該閘極，該數(shù)據(jù)線是連接該源極，且該閘極線與該資料線垂直交會(huì)。
15.如請(qǐng)求項(xiàng)13所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該高導(dǎo)電區(qū)由該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行脫氧、或加氫或稀有氣體而形成。
16.如請(qǐng)求項(xiàng)15所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該稀有氣體為氦氣、氖氣、IS氣、氪氣、氣氣或氡氣。
17.如請(qǐng)求項(xiàng)13所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)，其中該氧化物半導(dǎo)體層之材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZ0)，該電極層之材質(zhì)為氧化銦錫(ITO)。
18.—種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，包含下列步驟: 形成包含一晶體管之汲極、源極與一資料線之一第一金屬層于一透明基板上； 形成一氧化物半導(dǎo)體層于該透明基板與該第一金屬層上，該氧化物半導(dǎo)體層包含相隔離之一修補(bǔ)線區(qū)與一晶體管之一信道區(qū)，該信道區(qū)位于該汲極與該源極之間，該修補(bǔ)線區(qū)位于該數(shù)據(jù)線上方； 形成一第一絕緣層于該氧化物半導(dǎo)體層、該透明基板與該第一金屬層上； 形成一第二金屬層于該第一絕緣層上，該第二金屬層包含該晶體管之閘極與一閘極線，該閘極位于該通道區(qū)上方； 以該閘極為罩幕，以于該修補(bǔ)線區(qū)中形成一高導(dǎo)電區(qū)，其是位于該資料線上方； 形成一第二絕緣層于該第一絕緣層與該第二金屬層上； 形成貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層之一通孔，以露出該汲極；以及 形成一電極層于該第二絕緣層上，以藉該通孔和該汲極相接觸。
19.如請(qǐng)求項(xiàng)18所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該閘極線連接該閘極，該數(shù)據(jù)線是連接該源極，且該閘極線與該資料線垂直交會(huì)。
20.如請(qǐng)求項(xiàng)18所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該高導(dǎo)電區(qū)由該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行脫氧、或以離子植入法加氫或加稀有氣體而形成。
21.如請(qǐng)求項(xiàng)20 所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該稀有氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氡氣。
22.如請(qǐng)求項(xiàng)18所述之可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)之制作方法，其中該氧化物半導(dǎo)體層之材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZO)。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種可修補(bǔ)數(shù)據(jù)線之畫素電極結(jié)構(gòu)及其制作方法，其是形成二金屬層，此包含一晶體管之閘極、源極、汲極、一閘極線與一資料線，并于閘極下方形成一氧化半導(dǎo)體層，位于數(shù)據(jù)線下方或上方的氧化半導(dǎo)體層具有一高導(dǎo)電區(qū)。晶體管本身與其上方更分別形成有一絕緣層，且最上方之絕緣層形成有一電極層，以連接汲極。本發(fā)明在不影響畫素開口率之前提下，利用高導(dǎo)電區(qū)以修補(bǔ)斷線時(shí)之?dāng)?shù)據(jù)線，以保持訊號(hào)穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK103207482SQ20121055567
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月20日
發(fā)明者齊國(guó)杰, 洪和平, 舒凡霞 申請(qǐng)人:深超光電(深圳)有限公司