專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管液晶顯示屏。
背景技術(shù)：
一種薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)液晶顯示屏(LiquidCrystalDisplay, IXD)的顯示區(qū)域的截面如圖I所示，包括依次粘合的玻璃基板101,柵極層102，第一保護(hù)層103，數(shù)據(jù)線層104，第二保護(hù)層105和像素電極層106，其中，柵極層102和像素電極層106構(gòu)成存儲電容Cs。柵極層的柵極為金屬材質(zhì)，例如Mo-Al-Mo，光無法透過柵極層，會造成透光率的損失，使TFTLCD的透光率較低。一種TFT IXD的非顯示區(qū)域的截面如圖2所示，包括依次粘合的玻璃基板201，柵極層202，第一保護(hù)層203，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層205和像素電極層206。非顯示區(qū)域的柵極層202包括有金屬塊,金屬塊通過異方性導(dǎo)電膠膜(ACF)等與集成電路(IntegratedCircuit, IC)和柔性電路板(Flexible PrintedCircuit, FPC)進(jìn)行壓合，實現(xiàn) TFT LCD 與FPC的電連接。像素電極層206通過過孔207與柵極層202的金屬塊連接。生產(chǎn)中，過孔位置容易有水汽、顯影液以及蝕刻液等殘留，使柵極層的金屬塊很容易被氧化腐蝕，可靠性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示屏，以解決現(xiàn)有的TFT IXD的顯示區(qū)域的透光率低，非顯示區(qū)域的柵極層易被氧化腐蝕的技術(shù)問題。一種薄膜晶體管液晶顯示屏，其顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板，柵極層，第一保護(hù)層，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層和像素電極層，所述玻璃基板和第一保護(hù)層之間還設(shè)有氧化銦錫ITO層，所述ITO層與所述柵極層連接，所述ITO層與所述像素電極層的交疊部分構(gòu)成存儲電容。一種薄膜晶體管液晶顯示屏，其非顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板，柵極層，第一保護(hù)層，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層和像素電極層，所述柵極層包括用于連接集成電路和柔性電路板的金屬塊，所述玻璃基板和第一保護(hù)層之間還設(shè)有覆蓋在所述金屬塊表面的氧化銦錫ITO層，所述像素電極層通過沉孔與所述ITO層連接。本發(fā)明實施例公開的TFT IXD采用在玻璃基板和第一保護(hù)層之間增設(shè)ITO層的技術(shù)方案，使得在顯示區(qū)域，可以用ITO層與像素電極層構(gòu)成存儲電容，從而減小柵極層的面積，提高透光率；在非顯示區(qū)域，可以利用ITO層覆蓋柵極層，防止柵極層被氧化腐蝕。


圖I是現(xiàn)有TFT IXD的顯示區(qū)域的截面圖；圖2是現(xiàn)有TFT IXD的非顯示區(qū)域的截面圖；圖3是本發(fā)明實施例TFT IXD的顯示區(qū)域的截面圖4是本發(fā)明實施例TFT IXD的非顯示區(qū)域的截面圖。
具體實施方式
本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示屏，可以解決現(xiàn)有的TFT IXD的顯示區(qū)域的透光率低，非顯示區(qū)域的柵極層易被氧化腐蝕的技術(shù)問題。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。
實施例一、
請參考圖3，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示屏(TFT IXD)，其顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板301，柵極層302，第一保護(hù)層303，數(shù)據(jù)線層304，第二保護(hù)層305 和像素電極層306。
本實施例中，所述玻璃基板301和第一保護(hù)層303之間還設(shè)有氧化銦錫(Indium tin oxide, ITO)層307，所述ITO層307與所述柵極層302連接，所述ITO層307與所述像素電極層306的交疊部分構(gòu)成存儲電容。該存儲電容以第一和第二保護(hù)層為介質(zhì)。
所說的ITO層主要設(shè)置在與像素電極層306對應(yīng)的位置，以便與像素電極層306 構(gòu)成具有較大容值的存儲電容。ITO層的一部分可以設(shè)在所述柵極層302表面，并且完全覆蓋所述柵極層302，以便在構(gòu)成存儲電容時僅僅利用ITO層，而不用原來的柵極層，使存儲電容的容值更易于調(diào)節(jié)，場強(qiáng)分布更均勻。
本實施例中，采用的ITO層可導(dǎo)電可透光，用于代替柵極層構(gòu)成存儲電容不會阻擋光線，可以提高透光率。為了進(jìn)一步提高透光率，本實施例優(yōu)選將柵極層的面積做的盡可能的小。
綜上，本發(fā)明實施例提供了一種TFT IXD，采用在顯示區(qū)域的玻璃基板和第一保護(hù)層之間增設(shè)ITO層的技術(shù)方案，使得在顯示區(qū)域，可以用ITO層與像素電極層構(gòu)成存儲電容，從而減小柵極層的面積，提高透光率。
實施例二、
請參考圖4，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示屏(TFT IXD)，其非顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板401，柵極層402，第一保護(hù)層403，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層405和像素電極層406，所述柵極層402包括用于連接集成電路和柔性電路板的金屬塊。
在TFT IXD的非顯示區(qū)域，柵極層402包括了連接用的金屬塊，但不包括柵極，由于與顯示區(qū)域的柵極屬于同一層，仍稱為柵極層。
本實施例中，在非顯示區(qū)域的玻璃基板401和第一保護(hù)層403之間還設(shè)有覆蓋在所述金屬塊表面的ITO層407，所述像素電極層406通過沉孔408與所述ITO層407連接。
現(xiàn)有技術(shù)中，像素電極層406通過過孔直接與柵極層402連接，使柵極層402的金屬塊很容易被氧化腐蝕。而本實施例中，像素電極層406通過過孔與ITO層407連接，ITO 層407再與柵極層402連接。而ITO具有很強(qiáng)的抗氧化腐蝕能力，可以防止被過孔位置的水汽、顯影液以及蝕刻液等殘留物氧化腐蝕。
為了使TFT LCD具有更強(qiáng)的抗氧化腐蝕能力，本實施例中，所述金屬塊表面可以全部被所述ITO層407覆蓋。
綜上，本發(fā)明實施例提供了一種TFT IXD，采用在非顯示區(qū)域的玻璃基板和第一保護(hù)層之間增設(shè)ITO層的技術(shù)方案，使得在非顯示區(qū)域，可以利用ITO層覆蓋柵極層，防止柵極層被氧化腐蝕，提高可靠性。
以上對本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管液晶顯示屏進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替 換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示屏，其顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板，柵極層，第一保護(hù)層，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層和像素電極層，其特征在于 所述玻璃基板和第一保護(hù)層之間還設(shè)有氧化銦錫ITO層，所述ITO層與所述柵極層連接，所述ITO層與所述像素電極層的交疊部分構(gòu)成存儲電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管液晶顯示屏，其特征在于 所述ITO層的一部分設(shè)在所述柵極層表面，且覆蓋所述柵極層。
3.一種薄膜晶體管液晶顯示屏，其非顯示區(qū)域包括依次粘合的玻璃基板，柵極層，第一保護(hù)層，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層和像素電極層，所述柵極層包括用于連接集成電路和柔性電路板的金屬塊，其特征在于 所述玻璃基板和第一保護(hù)層之間還設(shè)有覆蓋在所述金屬塊表面的氧化銦錫ITO層，所述像素電極層通過沉孔與所述ITO層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管液晶顯示屏，其特征在于 所述金屬塊表面全部被所述ITO層覆蓋。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT LCD，包括玻璃基板，柵極層，第一保護(hù)層，數(shù)據(jù)線層，第二保護(hù)層和像素電極層以及設(shè)在玻璃基板和第一保護(hù)層之間的ITO層；顯示區(qū)域的ITO層與柵極層連接，ITO層與像素電極層的交疊部分構(gòu)成存儲電容；非顯示區(qū)域的ITO層覆蓋在柵極層的金屬塊表面，柵極層的金屬塊用于連接集成電路和柔性電路板，像素電極層通過沉孔與ITO層連接。本發(fā)明采用在玻璃基板和第一保護(hù)層之間增設(shè)ITO層的技術(shù)方案，在顯示區(qū)域，可以用ITO層代替柵極層與像素電極層構(gòu)成存儲電容，從而可以減小柵極層的面積，提高透光率；在非顯示區(qū)域，可以利用ITO層覆蓋柵極層，防止柵極層被腐蝕。
文檔編號G02F1/1362GK102929059SQ20121045865
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者王雨寧, 何基強(qiáng), 胡君文, 李林, 洪勝寶, 莊崇營, 柳發(fā)霖, 朱漢平, 林建偉, 李建華 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司