專利名稱：對準(zhǔn)標(biāo)記及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對準(zhǔn)標(biāo)記及其制備方法，尤指一種用于微影工藝上的對準(zhǔn)標(biāo)記及其制備方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，微影裝置被用來在晶片上形成所需電路圖案。通常，光阻涂布在晶片上。微影裝置將光照向光罩上所欲曝光的電路圖案，以將前述電路圖案轉(zhuǎn)移至在晶片上的光阻，其中光罩具有線路布局圖案，而線路布局圖案可等同或大于前述電路圖案?，F(xiàn)有微影裝置包含所謂的微影步進(jìn)機(jī)，微影步進(jìn)機(jī)將光投向整個(gè)電路圖案，以在每一曝光步驟，將電路圖案立即轉(zhuǎn)移至晶片上的一曝光區(qū)域(shot)?，F(xiàn)有微影裝置也包含掃描機(jī)(scanner)，掃描機(jī)在每一曝光步驟中同步移動(dòng)光罩和晶片，并讓掃描光照射部分電路圖案，以逐步將電路圖案轉(zhuǎn)移至晶片上的一曝光區(qū)域。
眾所周知，微影裝置的分辨率(即可曝出的最小圖案)可以雷利方程式(RayleighEquation)表不。
權(quán)利要求
1.一種對準(zhǔn)標(biāo)記，包含多個(gè)標(biāo)記單元，各標(biāo)記單元包含一第一元件和多個(gè)第二元件，各第二元件包含相對的第一端部和第二端部，其中所述多個(gè)第二元件沿一方向排列，而該第一元件靠近所述多個(gè)第二元件的第一端部并平行所述多個(gè)第二元件所排列的該方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中在各標(biāo)記單元中，所述多個(gè)第二元件被形成為多對的第二元件，其中各對的第二元件的第一端部是連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中各標(biāo)記單元形成一光柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中在各標(biāo)記單元中，所述多個(gè)第二元件間隔一距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中各第二元件包含一條形，各第二元件垂直所述多個(gè)第二元件所排列的該方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中各標(biāo)記單元還包含兩第三元件，所述兩第三元件設(shè)置于該標(biāo)記單元的相對兩側(cè)。
7.一種對準(zhǔn)標(biāo)記，包含多個(gè)標(biāo)記單元，各標(biāo)記單元包含: 兩第一元件，相互平行且沿一方向延伸；以及 兩組的第二元件，每組具有多個(gè)第二元件，各第二元件包含相對兩端部，其中所述兩第一元件位于所述兩組的第二元件之間，各組的第二元件的排列方向平行于所述兩第一元件所延伸的該方向，且各組的第二元件的兩端部的其中一端部鄰近兩第一元件中相應(yīng)的一第一兀件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的對準(zhǔn)標(biāo)記，其中各標(biāo)記單元包含一矩形框體，該矩形框體包含所述多個(gè)第一元件。
9.一種對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，包含下列步驟: 于一基板上形成一圖案，其中該圖案包含一連接構(gòu)件和多個(gè)線條，其中所述多個(gè)線條從該連接構(gòu)件的一側(cè)邊延伸出； 在該圖案的側(cè)壁上形成間隔層； 移除該圖案；以及 利用該間隔層蝕刻該基板，以形成對準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)記單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其中在該圖案的側(cè)壁上形成間隔層的步驟包含利用原子層沉積工藝在該圖案上沉積間隔層材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種對準(zhǔn)標(biāo)記及其制備方法。對準(zhǔn)標(biāo)記包含多個(gè)標(biāo)記單元，各標(biāo)記單元包含一第一元件和多個(gè)第二元件，各第二元件包含相對的第一和第二端部，其中所述多個(gè)第二元件沿一方向排列，而第一元件靠近所述多個(gè)第二元件的第一端部延伸并平行所述多個(gè)第二元件的排列方向。
文檔編號G03F9/00GK103176373SQ20121043333
公開日2013年6月26日 申請日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月21日
發(fā)明者江宸谷, 吳元薰 申請人:南亞科技股份有限公司