專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
橫電場方式的液晶顯示面板中，在夾著液晶層配置的一對基板中的一個基板的內(nèi)表面?zhèn)认嗷ソ^緣地設(shè)置一對電極，對液晶分子施加大致橫向的電場。為驅(qū)動液晶而使用薄膜晶體管。專利文獻1:日本特開2007-133410號公報

發(fā)明內(nèi)容
在專利文獻I中公開了薄膜晶體管的制造方法。據(jù)此，能夠通過五次的光刻工序來制造薄膜晶體管，但一對電極間的絕緣層由于為兩層而變厚，必須提高液晶的驅(qū)動電壓。為了使絕緣層為一層，需要增加光刻工序?；蛘撸徽摾碛蔀楹?，希望避免增加光刻工序。本發(fā)明的目的在于不增加光刻工序地制造液晶顯示裝置。(I)本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于，包括基板、形成在所述基板上的第一透明電極、以置于所述第一透明電極的端部的方式形成在所述基板上的第一絕緣層、配置在所述第一絕緣層之下的柵電極、形成在所述第一絕緣層之上的半導(dǎo)體層、形成為從所述半導(dǎo)體層上到所述第一透明電極上并與所述第一透明電極電連接的第一布線、相對于所述第一布線隔開間隔地從所述半導(dǎo)體層上引出的第二布線、覆蓋所述第一布線、所述第二布線、所述半導(dǎo)體層及所述第一透明電極的第二絕緣層、形成在所述第二絕緣層上的第二透明電極、以及配置在所述第二透明電極之上的液晶層，借助在所述第一透明電極和所述第二透明電極之間施加的電壓，在所述基板的面方向施加電場，從而使所述液晶層的液晶分子在與所述基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本發(fā)明，第一布線在第一透明電極上電連接，因此不需要在第二絕緣層上形成通孔。因此，能夠不增加光刻工序地制造能夠通過不使用通孔的電連接而較低地抑制電阻值的液晶顯示裝置。(2)在(I)中記載的液晶顯示裝置中，其特征可以是，所述第一絕緣層的端部在所述第一透明電極的所述端部上，以朝向前端而厚度變薄的方式形成，且具有以銳角的傾斜角傾斜的傾斜面，在所述傾斜面上形成所述第一布線。(3)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法的特征在于，包括包含使用了通過第一光刻而形成的第一抗蝕層的蝕刻，由形成在基板上的第一透明導(dǎo)電膜及形成在所述第一透明導(dǎo)電膜上的金屬膜形成第一透明電極及柵電極的工序；包含使用了通過第二光刻而形成的第二抗蝕層的蝕刻，在所述基板上形成置于所述第一透明電極的端部并且在之上具有半導(dǎo)體層的第一絕緣層的工序；包含使用了通過第三光刻而形成的第三抗蝕層的蝕刻，形成以從所述半導(dǎo)體層上到所述第一透明電極上的方式配置并與所述第一透明電極電連接的第一布線及相對于所述第一布線隔開間隔地從所述半導(dǎo)體層上引出的第二布線的工序；包含使用了通過第四光刻而形成的第四抗蝕層的蝕刻，形成覆蓋所述第一布線、所述第二布線、所述半導(dǎo)體層及所述第一透明電極的第二絕緣層的工序；包含使用了通過第五光刻而形成的第五抗蝕層的蝕刻，在所述第二絕緣層上形成第二透明電極的工序；以及在所述第二透明電極之上配置含有液晶分子的液晶層的工序，借助在所述第一透明電極和所述第二透明電極之間施加的電壓而在所述基板的面方向施加電場，從而所述液晶層的液晶分子在與所述基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本發(fā)明，通過五次的光刻，能夠在第一透明電極和第二透明電極之間形成由一層構(gòu)成的第二絕緣層，因此能夠以較少次數(shù)的光刻工序來制造液晶顯示裝置。(4)在(3)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一透明電極及所述柵電極的工序中，所述第一抗蝕層包括厚度不同的第一厚層部及第一薄層部，將所述第一厚層部配置在所述柵電極的形成區(qū)域，將所述第一薄層部配置在所述第一透明電極的形成區(qū)域，將所述第一厚層部及所述第一薄層部作為掩模來蝕刻所述第一金屬膜，在所述第一厚層部之下形成所述柵電極，在所述第一薄層部之下以與所述第一透明電極的所述形成區(qū)域相對應(yīng)的形狀留下所述第一金屬膜，通過使所述第一厚層部及所述第一薄層部變薄的處理，留下所述第一厚層部，除去所述第一薄層部，在所述第一透明電極的所述形成區(qū)域露出所述第一金屬膜，將露出的所述第一金屬膜及所述第一厚層部作為掩模來蝕刻所述第一透明導(dǎo)電膜從而在露出的所述第一金屬膜之下形成所述第一透明電極，將所述第一厚層部作為掩模來蝕刻并除去露出的所述第一金屬膜，剝離所述第一抗蝕層。(5)在(4)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一絕緣層的工序中，所述半導(dǎo)體層由半導(dǎo)體材料膜形成，所述第一絕緣層由第一絕緣材料膜形成，所述第二抗蝕層包括厚度不同的第二厚層部及第二薄層部，在所述第一絕緣材料膜之上形成所述半導(dǎo)體材料膜，在所述第一絕緣材料膜的上方且在所述半導(dǎo)體材料膜上，將所述第二厚層部配置在所述半導(dǎo)體層的形成區(qū)域，在所述第一絕緣材料膜的上方且在所述半導(dǎo)體材料膜上，將所述第二薄層部配置在所述第一絕緣層的形成區(qū)域，將所述第二厚層部及所述第二薄層部作為掩模來連續(xù)地蝕刻所述半導(dǎo)體材料膜及所述第一絕緣材料膜從而形成所述第一絕緣層，通過使所述第二厚層部及所述第二薄層部變薄的處理，留下所述第二厚層部，除去所述第二薄層部，在所述半導(dǎo)體層的所述形成區(qū)域以外使所述半導(dǎo)體材料膜露出，將所述第二厚層部作為掩模來蝕刻所述半導(dǎo)體材料膜，剝離所述第二抗蝕層。(6)在(5)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，以所述第一絕緣層的端部在所述第一透明電極的所述端部上朝向前端而厚度變薄且具有以銳角的傾斜角傾斜的傾斜面的方式進行所述第一絕緣材料膜的蝕刻。(7)在(5)或￠)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一布線及所述第二布線的工序中，所述第一布線及所述第二布線由覆蓋所述半導(dǎo)體層的第二金屬膜形成，所述第三抗蝕層配置在所述第一布線及所述第二布線的形成區(qū)域，將所述第三抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二金屬膜從而形成所述第一布線及所述第二布線，剝離所述第三抗蝕層。(8)在(7)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，以包括下層及雜質(zhì)的添加量比所述下層多的上層的方式形成所述半導(dǎo)體層，在蝕刻了所述第二金屬膜之后，將所述第三抗蝕層作為掩模，以留下所述半導(dǎo)體層的所述下層的方式蝕刻所述上層。(9)在(7)或(8) 中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第二絕緣層的工序中，所述第二絕緣層由所述第二絕緣材料膜形成，所述第四抗蝕層配置在所述第二絕緣層的形成區(qū)域，將所述第四抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二絕緣材料膜從而形成所述第二絕緣層，剝離所述第四抗蝕層。(10)在(9)中記載的液晶顯示裝置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第二透明電極的工序中，所述第二透明電極由所述第二透明導(dǎo)電膜形成，所述第五抗蝕層配置在所述第二透明電極的形成區(qū)域，將所述第五抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二透明導(dǎo)電膜從而形成所述第二透明電極，剝離所述第五抗蝕層。


圖1是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖2是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖3是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖4是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖5是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖6是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖7是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖8是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖9是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖10是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖11是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖12是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖13是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖14是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖15是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖16是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖17是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖18是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖19是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖20是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖21是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖22是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖23是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖24是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖25是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。圖26是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。附圖標記說明10基板、12第一透明導(dǎo)電膜、14第一透明電極、16第一金屬膜、18柵電極、20薄膜晶體管、22第一抗蝕層、24第一厚層部、26第一薄層部、28第一絕緣材料膜、30第一絕緣層、32半導(dǎo)體材料膜、34半導(dǎo)體層、36下層、38上層、40第二抗蝕層、42第二厚層部、44第二薄層部、46第一布線、48第二布線、50第二金屬膜、52第三抗蝕層、54第二絕緣層、56第二絕緣材料膜、58第四抗蝕層、60第二透明電極、62第二透明導(dǎo)電膜、64第五抗蝕層、66液晶層、68TFT基板、70濾色器基板、72基板、74濾色器、76黑色矩陣、78平坦化層、80取向膜、82取向膜。
具體實施例方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明實施方式。圖1 圖26是說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。如圖1所示，在基板10上形成第一透明導(dǎo)電膜12。此外，在圖2 圖25中省略基板10的圖示?；?0由玻璃等具有透光性的材料構(gòu)成。第一透明導(dǎo)電膜12例如由ITOdndium Tin Oxide,氧化銦錫)形成。在本實施方式中，制造在基板10的面方向施加電場，使液晶分子在與基板10平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的橫電場方式或IPS (In PlaneSwitching,共面轉(zhuǎn)換)方式的液晶顯示裝置。如后所述，第一透明導(dǎo)電膜12用于形成第一透明電極14(參照圖26)。第一透明電極14是用于產(chǎn)生電場的一個電極。在本實施方式中,第一透明電極14是按像素設(shè)置的像素電極。然后，在第一透明導(dǎo)電膜12上形成第一金屬膜16。第一金屬膜16例如由招形成。如后所述，第一金屬膜16用于形成柵電極18(參照圖26)。柵電極18是薄膜晶體管20的構(gòu)成要素。如圖2所示，通過第一光刻形成第一抗蝕層22。光刻是通過將涂有感光性物質(zhì)的物質(zhì)表面圖案狀地曝光(也稱為圖案曝光、成像曝光等)，生成由曝光部分和未曝光部分構(gòu)成的圖案的技術(shù)。第一抗蝕層22形成為包括厚度不同的第一厚層部24及第一薄層部26。因此，第一光刻包括加網(wǎng)曝光(halftone exposure)。將第一厚層部24配置在柵電極18的形成區(qū)域。將第一薄層部26配置在第一透明電極14的形成區(qū)域。如圖3所示，將第一厚層部24及第一薄層部26作為掩模來蝕刻第一金屬膜16。該蝕刻為濕法刻蝕，使用不蝕刻第一透明導(dǎo)電膜12的藥液。通過蝕刻，在第一厚層部24之下形成柵電極18，在第一薄層部26之下以與第一透明電極14的形成區(qū)域相對應(yīng)的形狀殘留第一金屬膜16。如圖4所示，進行使第一厚層部24及第一薄層部26變薄的處理。該處理為灰化。由此除去第一薄層部26，在第一透明電極14的形成區(qū)域露出第一金屬膜16。但是，留下第
一厚層部24。如圖5所不,將從第一抗蝕層22露出的第一金屬膜16和第一厚層部24作為掩模來蝕刻第一透明導(dǎo)電膜12。該蝕刻為濕法刻蝕，使用不蝕刻第一金屬膜16的藥液。通過蝕亥IJ，在從第一抗蝕層22露出的第一金屬膜16之下形成第一透明電極14。如圖6所示，將第一厚層部24作為掩模來蝕刻并除去露出的第一金屬膜16。該蝕刻為濕法刻蝕，使用不蝕刻第一透明導(dǎo)電膜12的藥液。如圖7所示，剝離第一抗蝕層22。為了剝離而使用藥液。若除去第一抗蝕層22，則柵電極18露出。如圖8所示，在基板10(參照圖1。在圖8中省略)上形成第一絕緣材料膜28。第一絕緣材料膜 28 例如通過等離子體 CVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強化學(xué)氣相沉積)由SiN形成。第一絕緣材料膜28用于形成后述的第一絕緣層30 (參照圖26)。第一絕緣材料膜28以覆蓋第一透明電極14及柵電極18的方式形成。在第一絕緣材料膜28之上形成例如非晶硅等的半導(dǎo)體材料膜32。如后所述，半導(dǎo)體材料膜32用于形成作為薄膜晶體管20的構(gòu)成要素的半導(dǎo)體層34(參照圖26)。半導(dǎo)體層34形成為包括下層36、及雜質(zhì)的添加量比下層36多的上層38。如圖9所示，通過第二光刻形成第二抗蝕層40。第二抗蝕層40形成為包括厚度不同的第二厚層部42及第二薄層部44。因此，第二光刻包括加網(wǎng)曝光。在第一絕緣材料膜28的上方且在半導(dǎo)體材料膜32上，將第二厚層部42配置在半導(dǎo)體層34的形成區(qū)域。在第一絕緣材料膜28的上方且在半導(dǎo)體材料膜32上，將第二薄層部44配置在第一絕緣層30的形成區(qū)域。如圖10所示，將第二厚層部42及第二薄層部44作為掩模來連續(xù)地蝕刻半導(dǎo)體材料膜32及第一絕緣材料膜28從而形成第一絕緣層30。該蝕刻為干法刻蝕。第一絕緣層30形成為置于第一透明電極14的端部。此外，以第一絕緣層30的端部在第一透明電極14的端部上朝向前端而厚度變薄且具有以銳角(例如10°左右)的傾斜角傾斜的傾斜面的方式進行第一絕緣材料膜28的蝕刻。調(diào)整蝕刻條件以形成這樣的形狀。如圖11所示，進行使第二厚層部42及第二薄層部44變薄的處理。該處理為灰化。由此除去第二薄層部44。然后，在半導(dǎo)體層34的形成區(qū)域以外使半導(dǎo)體材料膜32從第二抗蝕層40露出。此外，留下第二厚層部42。如圖12所示，將第二厚層部42作為掩模來蝕刻半導(dǎo)體材料膜32從而形成半導(dǎo)體層34。如圖13所示，剝離第二抗蝕層40。為了剝離而使用藥液。若除去第二抗蝕層40，則半導(dǎo)體層34露出。如圖14所示，以覆蓋半導(dǎo)體層34的方式形成用于形成第一布線46及第二布線48的第二金屬膜50。第一布線46及第二布線48是薄膜晶體管20的漏極布線及源極布線(參照圖26)。如圖15所示，通過第三光刻形成第三抗蝕層52。第三抗蝕層52配置在第一布線46及第二布線48的形成區(qū)域。如圖16所不,將第三抗蝕層52作為掩模來蝕刻第二金屬膜50從而形成第一布線46及第二布線48。該蝕刻為濕法刻蝕。第一布線46形成為從半導(dǎo)體層34上到第一透明電極14上，并與第一透明電極14電連接。第二布線48相對于第一布線46隔開間隔而從半導(dǎo)體層34上引出。如圖17所示，在蝕刻了第二金屬膜50之后，將第三抗蝕層52作為掩模，以留下半導(dǎo)體層34的下層36的方式蝕刻上層38。即，將雜質(zhì)的添加量較多的上層38分離為漏極區(qū)域及源極區(qū)域。如圖18所示，剝離第三抗蝕層52。為了剝離而使用藥液。若除去第三抗蝕層52，則第一布線46及第二布線48露出。如圖19所示，以覆蓋第一布線46、第二布線48、半導(dǎo)體層34及第一透明電極14的方式形成用于形成第二絕緣層54的第二絕緣材料膜56。第二絕緣材料膜56例如通過等離子體CVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強化學(xué)氣相沉積)由SiN形成。如圖20所示，通過第四光刻形成第四抗蝕層58。第四抗蝕層58配置在第二絕緣層54(參照圖21)的形成區(qū)域。在第二絕緣層54上形成用于與第二絕緣層54之下的各種布線電連接的未圖示的通孔或切口，因此以使這些通孔或切口的形成區(qū)域露出的方式形成第四抗蝕層58。然后，將第四抗蝕層58作為掩模來蝕刻第二絕緣材料膜56從而形成第二絕緣層54(參照圖21)。該蝕刻為干法刻蝕。如圖21所示，剝離第四抗蝕層58。為了剝離而使用藥液。若除去第四抗蝕層58，則第二絕緣層54露出。如圖22所示，在第二絕緣層54上形成用于形成第二透明電極60的第二透明導(dǎo)電膜62。第二透明導(dǎo)電膜62例如由IT0(Indium TinOxide,氧化銦錫)形成。第二透明電極60是用于以橫電場方式或IPS(In Plane Switching,共面轉(zhuǎn)換)方式產(chǎn)生電場的另一個電極。在本實施方式中，第二透明電極60是與全部像素電極對置的公共電極(參照圖26)。如圖23所示，通過第五光刻形成第五抗蝕層64。第五抗蝕層64配置在第二透明電極60 (參照圖24)的形成區(qū)域。如圖24所示，將第五抗蝕層64作為掩模來蝕刻第二透明導(dǎo)電膜62從而形成第二透明電極60。如圖25所示，剝離第五抗蝕層64。為了剝離而使用藥液。若除去第五抗蝕層64，則第二透明電極60露出。如圖26所示，在第二透明電極60之上配置液晶層66。詳細而言，在上述工序中，得到形成了包含薄膜晶體管20的電路的TFT基板68，在與此分開準備的濾色器基板70和TFT基板68之間夾入液晶層66。濾色器基板70包括基板72、濾色器74、黑色矩陣76、平坦化層78及取向膜80。此夕卜，在TFT基板68上以覆蓋第二透明電極60的方式形成有取向膜82。在濾色器基板70及TFT基板68的取向膜80、82之間夾著液晶層66。液晶層66的液晶分子被施加借助在第一透明電極14和第二透明電極60之間施加的電壓而在基板10的面方向產(chǎn)生的電場，從而液晶分子在與基板10平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本實施方式，通過五次的光刻，能夠在第一透明電極14和第二透明電極60之間形成由一層構(gòu)成的第二絕緣層54，因此能夠以較少次數(shù)的光刻工序來制造液晶顯示裝置。圖26所示的液晶顯示裝置具有基板10。在基板10上形成有第一透明電極14。以置于第一透明電極14的端部的方式在基板10上形成有第一絕緣層30。第一絕緣層30的端部在第一透明電極14的端部上以朝向前端而厚度變薄的方式形成。因此，第一絕緣層30具有以銳角(例如10°左右)的傾斜角傾斜的傾斜面。在第一絕緣層30之下配置有柵電極18。在第一絕緣層30之上形成有半導(dǎo)體層34。以從半導(dǎo)體層34上到第一透明電極14上的方式形成有第一布線46。與第一透明電極14電連接的第一布線46形成在第一絕緣層30的傾斜面上。相對于第一布線46隔開間隔地從半導(dǎo)體層34上引出有第二布線48。以覆蓋第一布線46、第二布線48、半導(dǎo)體層34及第一透明電極14的方式形成有第二絕緣層54。在第二絕緣層54上形成有第二透明電極60。在第二透明電極60之上配置有液晶層66。借助在第一透明電極14和第二透明電極60之間施加的電壓，在基板10的面方向施加電場，從而使液晶層66的液晶分子在與基板10平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本實施方式，第一布線46在第一透明電極14上電連接，因此不需要在第二絕緣層54上形成通孔。因此，能夠不增加光刻工序地制造能夠通過不使用通孔的電連接而較低地抑制電阻值的液晶顯示裝置。本發(fā)明并不限于上述實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)各種變形。例如在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)能夠用實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)、能夠得到相同的作用效果或能夠?qū)崿F(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)進行置換。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括: 基板； 形成在所述基板上的第一透明電極； 以置于所述第一透明電極的端部的方式形成在所述基板上的第一絕緣層； 配置在所述第一絕緣層之下的柵電極； 形成在所述第一絕緣層之上的半導(dǎo)體層； 形成為從所述半導(dǎo)體層上到所述第一透明電極上并與所述第一透明電極電連接的第一布線； 相對于所述第一布線隔開間隔地從所述半導(dǎo)體層上引出的第二布線； 覆蓋所述第一布線、所述第二布線、所述半導(dǎo)體層及所述第一透明電極的第二絕緣層； 形成在所述第二絕緣層上的第二透明電極；以及 配置在所述第二透明電極之上的液晶層， 該液晶顯示裝置的特征在于， 借助在所述第一透明電極和所述第二透明電極之間施加的電壓，在所述基板的面方向施加電場，從而使所述液晶層的液晶分子在與所述基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層的端部在所述第一透明電極的所述端部上以朝向前端而厚度變薄的方式形成，且具有以銳角的傾斜角傾斜的傾斜面， 在所述傾斜面上形成所述第一布線。
3.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括: 包含使用了通過第一光刻而形成的第一抗蝕層的蝕刻，由形成在基板上的第一透明導(dǎo)電膜及形成在所述第一透明導(dǎo)電膜上的金屬膜形成第一透明電極及柵電極的工序； 包含使用了通過第二光刻而形成的第二抗蝕層的蝕刻，在所述基板上形成置于所述第一透明電極的端部并且在之上具有半導(dǎo)體層的第一絕緣層的工序； 包含使用了通過第三光刻而形成的第三抗蝕層的蝕刻，形成以從所述半導(dǎo)體層上到所述第一透明電極上的方式配置并與所述第一透明電極電連接的第一布線及相對于所述第一布線隔開間隔地從所述半導(dǎo)體層上引出的第二布線的工序； 包含使用了通過第四光刻而形成的第四抗蝕層的蝕刻，形成覆蓋所述第一布線、所述第二布線、所述半導(dǎo)體層及所述第一透明電極的第二絕緣層的工序； 包含使用了通過第五光刻而形成的第五抗蝕層的蝕刻，在所述第二絕緣層上形成第二透明電極的工序；以及 在所述第二透明電極之上配置含有液晶分子的液晶層的工序，借助在所述第一透明電極和所述第二透明電極之間施加的電壓而在所述基板的面方向施加電場從而該液晶分子在與所述基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一透明電極及所述柵電極的工序中， 所述第一抗蝕層包括厚度不同的第一厚層部及第一薄層部， 將所述第一厚層部配置在所述柵電極的形成區(qū)域，將所述第一薄層部配置在所述第一透明電極的形成區(qū)域， 將所述第一厚層部及所述第一薄層部作為掩模來蝕刻所述第一金屬膜，在所述第一厚層部之下形成所述柵電極，在所述第一薄層部之下以與所述第一透明電極的所述形成區(qū)域相對應(yīng)的形狀留下所述第一金屬膜， 通過使所述第一厚層部及所述第一薄層部變薄的處理，留下所述第一厚層部，除去所述第一薄層部，在所述第一透明電極的所述形成區(qū)域露出所述第一金屬膜， 將露出的所述第一金屬膜及所述第一厚層部作為掩模來蝕刻所述第一透明導(dǎo)電膜，從而在露出的所述第一金屬膜之下形成所述第一透明電極， 將所述第一厚層部作為掩模來蝕刻并除去露出的所述第一金屬膜， 剝離所述第一抗蝕層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一絕緣層的工序中， 所述半導(dǎo)體層由半導(dǎo)體材料膜形成， 所述第一絕緣層由第一絕緣材料膜形成， 所述第二抗蝕層包括厚度不同的第二厚層部及第二薄層部， 在所述第一絕緣材料膜之上形成所述半導(dǎo)體材料膜， 在所述第一絕緣材料膜的上方且在所述半導(dǎo)體材料膜上，將所述第二厚層部配置在所述半導(dǎo)體層的形成區(qū)域， 在所述第一絕緣材料膜的上方且在所述半導(dǎo)體材料膜上，將所述第二薄層部配置在所述第一絕緣層的形成區(qū)域， 將所述第二厚層部及所述第二薄層部作為掩模來連續(xù)地蝕刻所述半導(dǎo)體材料膜及所述第一絕緣材料膜從而形成所述第一絕緣層， 通過使所述第二厚層部及所述第二薄層部變薄的處理，留下所述第二厚層部，除去所述第二薄層部，在所述半導(dǎo)體層的所述形成區(qū)域以外使所述半導(dǎo)體材料膜露出， 將所述第二厚層部作為掩模來蝕刻所述半導(dǎo)體材料膜， 剝離所述第二抗蝕層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 以所述第一絕緣層的端部在所述第一透明電極的所述端部上，朝向前端而厚度變薄且具有以銳角的傾斜角傾斜的傾斜面的方式進行所述第一絕緣材料膜的蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一布線及所述第二布線的工序中， 所述第一布線及所述第二布線由覆蓋所述半導(dǎo)體層的第二金屬膜形成， 所述第三抗蝕層配置在所述第一布線及所述第二布線的形成區(qū)域， 將所述第三抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二金屬膜從而形成所述第一布線及所述第二布線， 剝離所述第三抗蝕層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 以包括下層及雜質(zhì)的添加量比所述下層多的上層的方式形成所述半導(dǎo)體層， 在蝕刻了所述第二金屬膜之后，將所述第三抗蝕層作為掩模，以留下所述半導(dǎo)體層的所述下層的方式蝕刻所述上層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第二絕緣層的工序中， 所述第二絕緣層由所述第二絕緣材料膜形成， 所述第四抗蝕層配置在所述第二絕緣層的形成區(qū)域， 將所述第四抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二絕緣材料膜從而形成所述第二絕緣層， 剝離所述第四抗蝕層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第二透明電極的工序中， 所述第二透明電極由所述第二透明導(dǎo)電膜形成， 所述第五抗蝕層配置在所述第二透明電極的形成區(qū)域， 將所述第 五抗蝕層作為掩模來蝕刻所述第二透明導(dǎo)電膜從而形成所述第二透明電極， 剝離所述第五抗蝕層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括置于第一透明電極(14)的端部的第一絕緣層(30)、第一絕緣層之下的柵電極(18)、第一絕緣層之上的半導(dǎo)體層(34)、形成為從半導(dǎo)體層上到第一透明電極上并與第一透明電極電連接的第一布線、相對于第一布線隔開間隔地從半導(dǎo)體層上引出的第二布線、覆蓋第一布線、第二布線、半導(dǎo)體層及第一透明電極的第二絕緣層、形成在第二絕緣層上的第二透明電極、以及配置在第二透明電極之上的液晶層。借助在第一透明電極和第二透明電極之間施加的電壓，在基板的面方向施加電場，從而使液晶層的液晶分子在與基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本發(fā)明，能夠不增加光刻工序地制造液晶顯示裝置。
文檔編號G02F1/1333GK103076701SQ201210423008
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者槍田浩幸, 扇一公俊, 栗山英樹 申請人:株式會社日本顯示器東