專利名稱：一種掩膜板及其制造方法，陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板及其制造方法，陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的不斷進步，用戶對液晶顯示設(shè)備的需求日益增加，TFT-IXD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機、 平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。在整個TFT-LCD的陣列基板的布局中，像素區(qū)的數(shù)據(jù)線走線較為稀疏，扇出導(dǎo)線區(qū)域的扇出導(dǎo)線走線十分稠密?，F(xiàn)有的制作扇出導(dǎo)線的工藝中，在刻蝕源漏極層時，是對對應(yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔的光刻膠進行全曝光，而對對應(yīng)于扇出導(dǎo)線的光刻膠不進行曝光，這樣在顯影時，扇出導(dǎo)線區(qū)域顯影掉的光刻膠遠遠少于像素區(qū)的顯影掉的光刻膠，由于隨著顯影液與光刻膠的反應(yīng)，顯影液的濃度會逐漸減小，因此扇出導(dǎo)線區(qū)域顯影液的濃度則會高于像素區(qū)顯影液的濃度，這會導(dǎo)致扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT溝道區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠容易被過顯影，光刻膠偏薄或被顯影掉，從而導(dǎo)致刻蝕后的TFT喪失開關(guān)特性，產(chǎn)品良品率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種掩膜板及其制造方法，陣列基板的制造方法，能夠增加扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低顯影液的濃度，以避免扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提聞了廣品的良品率。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供一種掩膜板，包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，所述第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，當(dāng)刻蝕所述扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，所述部分透射區(qū)域使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，所述全透射區(qū)域使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。所述部分透射區(qū)域設(shè)置有掩膜材料層。所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層。所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底上形成源漏極層；在所述源漏極層上涂覆光刻膠；使用具有上述任意特征的的掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后與第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層。本發(fā)明還提供一種掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層，其中，所述第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，所述第二圖案區(qū)包括所述部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，所述部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述全透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。所述在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層包括采用沉積工藝，在所述基板的第二圖案區(qū)沉積所述掩膜材料層；采用涂覆工藝，在所述掩膜材料層上涂覆光刻膠； 采用光刻工藝，顯影后去除所述第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的所述光刻膠；采用刻蝕工藝，刻蝕對應(yīng)于所述第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的所述掩膜材料層；通過去膠工藝去除剩余的光刻膠。所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層。所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。本發(fā)明提供的一種掩膜板及其制造方法，陣列基板的制造方法，掩膜板包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，其中，第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區(qū)包括半透射區(qū)和全透射區(qū)，因此在刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，相對于現(xiàn)有技術(shù)形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域而言，增加了扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT溝道區(qū)域由于過顯影在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提高了產(chǎn)品的良品率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明提供的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為陣列基板扇出導(dǎo)線區(qū)的俯視圖；圖3為陣列基板扇出導(dǎo)線區(qū)的側(cè)視圖；圖4為本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法流程示意圖；圖5為本發(fā)明提供的刻蝕源漏極層過程中的扇出導(dǎo)線結(jié)構(gòu)示意圖一；圖6為本發(fā)明提供的刻蝕源漏極層過程中的扇出導(dǎo)線結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
圖7為本發(fā)明提供的掩膜板的制造方法流程示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施 例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。需要說明的是本發(fā)明實施例的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明實施例進行說明，不作為限定用語。本發(fā)明實施例提供的掩膜板I，如圖I所示，包括基板10，設(shè)置于基板10上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)11，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)11對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，所述第二圖案區(qū)11包括部分透射區(qū)域110和全透射區(qū)域111，當(dāng)刻蝕所述扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，所述部分透射區(qū)域110使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，所述全透射區(qū)域111使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。進一步地，所述部分透射區(qū)域設(shè)置有掩膜材料層。進一步地，所述掩膜材料層可以為半透明的鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層，具體地，可以為多氧化鉻層，還可以為透明耐熱高分子材料、聚合物等。進一步地，所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。 如圖2和圖3所示，圖2為陣列基板扇出導(dǎo)線區(qū)的俯視圖，圖2為陣列基板扇出導(dǎo)線區(qū)的側(cè)視圖，在圖2和圖3中，陰影部分為扇出導(dǎo)線，其余部分為扇出導(dǎo)線之間的間隔。本發(fā)明提供的一種掩膜板，包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，其中，第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區(qū)包括半透射區(qū)和全透射區(qū)，因此在刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，相對于現(xiàn)有技術(shù)形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域而言，增加了扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT溝道區(qū)域由于過顯影在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提聞了廣品的良品率。在制備陣列基板扇出導(dǎo)線的工藝中，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)源漏極層時，使用本發(fā)明實施例提供的掩膜板，該掩模板包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域。
示例性的，如圖4所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制造方法，使用上述實施例所提供的掩膜板，該方法包括SlOl、在襯底上形成源漏極層。本發(fā)明實施例所提供的掩膜板用于刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)源漏極層，因此，步驟SlOl中示例性地提出源漏極層形成在襯底上，在實際生產(chǎn)過程中，源漏極層可以形成在襯底上(具有頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，也可以形成在柵絕緣層上(具有底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，本發(fā)明不做限制。S102、在源漏極層上涂覆光刻膠。如圖5所示，在襯底20上形成源漏極層21后，在源漏極層21上涂覆光刻膠23。S103、使用掩膜板對光刻膠進行曝光，顯影后與第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域?qū)?yīng) 的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域。如圖6所示，使用掩膜板I對光刻膠23進行曝光(即光刻技術(shù))，使用顯影液對光刻膠23進行顯影，顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域230和光刻膠完全去除區(qū)域231。需要說明的是，相對于現(xiàn)有技術(shù)形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域而言，步驟S103在使用顯影液對光刻膠進行顯影時，增加了需顯影掉的光刻膠的量，進而降低了顯影液的濃度。其中，光刻技術(shù)是在一片平整的襯底上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS (Metal-Oxide-Semiconductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。如首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩膜板照射在襯底上。被照射到的部分(如源極區(qū)和漏極區(qū))光刻膠會發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑圖案區(qū)(如柵極區(qū))的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的襯底，而柵極區(qū)在光刻膠的保護下不會受到影響。S104、采用刻蝕工藝，刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極層。進而，在采用刻蝕工藝刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極層，并去除剩余的光刻膠后，完成了扇出導(dǎo)線的源漏極層的制作。本發(fā)明提供的一種陣列基板的制造方法，包括基板，在襯底上形成源漏極層，并在部分透射區(qū)域源漏極層上涂覆光刻膠后，使用上述實施例所提供的掩膜板對部分透射區(qū)域光刻膠進行曝光，顯影后與第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕部分透射區(qū)域光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的部分透射區(qū)域源漏極層。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區(qū)包括半透射區(qū)和全透射區(qū)，因此在刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，相對于現(xiàn)有技術(shù)形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域而言，增加了扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT溝道區(qū)域由于過顯影在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提聞了廣品的良品率。本發(fā)明實施例提供一種掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層，其中，所述第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，所述第二圖案區(qū)包括所述部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，所述部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述全透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。示例性的，如圖7所示，在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層的方法包括S201、采用沉積工藝，在基板的第二圖案區(qū)沉積掩膜材料層。其中，所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層，具體地，可以為多氧化鉻層，還可以為透明耐熱高分子材料、聚合物等。S202、采用涂覆工藝，在掩膜材料層上涂覆光刻膠。S203、采用光刻工藝，顯影后去除第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的光刻膠。S204、采用刻蝕工藝，刻蝕對應(yīng)于第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的掩膜材料層。S205、通過去膠工藝去除剩余的光刻膠。至此，制成了如圖I所示的掩膜板1，包括基板10，設(shè)置于基板10上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)11，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)11對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，第二圖案區(qū)11包括部分透射區(qū)域110和全透射區(qū)域111，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域110使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域111使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間 的間隔。本發(fā)明提供的一種掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層，其中，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，全透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區(qū)包括半透射區(qū)和全透射區(qū)，因此在刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，相對于現(xiàn)有技術(shù)形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域而言，增加了扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT溝道區(qū)域由于過顯影在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提高了產(chǎn)品的良品率。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種掩膜板，包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第一圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的像素區(qū)，第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，其特征在于， 所述第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，當(dāng)刻蝕所述扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，所述部分透射區(qū)域使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，所述全透射區(qū)域使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透射區(qū)域設(shè)置有掩膜材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的掩膜板，其特征在于，所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。
5.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底上形成源漏極層； 在所述源漏極層上涂覆光刻膠； 使用權(quán)利要求1-4任意一項所述的掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后與第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域； 采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層。
6.一種掩膜板的制造方法，其特征在于，包括在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層，其中，所述第二圖案區(qū)對應(yīng)于陣列基板的扇出導(dǎo)線區(qū)，所述第二圖案區(qū)包括所述部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，所述部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述全透射區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在基板的上形成作為第二圖案區(qū)的部分透射區(qū)域的掩膜材料層包括 采用沉積工藝，在所述基板的第二圖案區(qū)沉積所述掩膜材料層； 采用涂覆工藝，在所述掩膜材料層上涂覆光刻膠； 采用光刻工藝，顯影后去除所述第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的所述光刻膠； 采用刻蝕工藝，刻蝕對應(yīng)于所述第二圖案區(qū)的全透射區(qū)域的所述掩膜材料層； 通過去膠工藝去除剩余的光刻膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種掩膜板及其制造方法，陣列基板的制造方法，涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領(lǐng)域，能夠增加扇出導(dǎo)線區(qū)需顯影掉的光刻膠的量，降低顯影液的濃度，以避免扇出導(dǎo)線區(qū)域附近的TFT在刻蝕后喪失開關(guān)特性，提高了產(chǎn)品的良品率。本發(fā)明的掩膜板，包括基板，設(shè)置于基板上的第一圖案區(qū)及第二圖案區(qū)，第二圖案區(qū)包括部分透射區(qū)域和全透射區(qū)域，當(dāng)刻蝕扇出導(dǎo)線區(qū)的源漏極層時，部分透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區(qū)域，全透射區(qū)域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線之間的間隔。
文檔編號G03F7/42GK102944975SQ201210418490
公開日2013年2月27日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月26日
發(fā)明者趙海廷, 孫亮, 孟春霞 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司