專利名稱：一種陣列基板及其制造方法、顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板。
背景技術(shù)：
參照?qǐng)DI和圖2，迄今較為普遍使用的一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)陣列基板的結(jié)構(gòu)包括形成在基板I上的柵線11和柵電極2 ;形成在形成有柵線11和柵電極2的基板I上的柵絕緣層3 ;形成在柵絕緣層3上的有源層7、源電極4和漏電極5 ;形成在形成有源層7、源電極4和漏電極5的基板I上的鈍化層8，鈍化層8上形成有過(guò)孔9 ;形成在鈍化層8上的像素電極6，像素電極6通過(guò)過(guò)孔9與漏電極5連接。該結(jié)構(gòu)的陣列基板因其良好的工程控制能力等原因，得到了廣泛的應(yīng)用。
上述陣列基板的結(jié)構(gòu)存在如下問(wèn)題用于連接像素電極6和漏電極5的過(guò)孔9位于像素區(qū)域，而該過(guò)孔9所在的區(qū)域是不透光的，從而影響了陣列基板的開(kāi)口率；因頂柵極(Top Gate)結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生有源層受光照影響等不利因素，一般采用底柵極(Bottom Gate )結(jié)構(gòu)，在底柵極結(jié)構(gòu)中，源漏電極和柵電極一般位于有源層的異側(cè)，如圖2所示，柵電極2打開(kāi)時(shí)，電流通道C形成在有源層7的下側(cè)，而該電流通道C與源電極4和漏電極5之間還間隔有有源層7的厚度方向?qū)?yīng)的區(qū)域，由于有源層7具有半導(dǎo)體的低導(dǎo)電特性，電流通過(guò)這一厚度區(qū)域會(huì)降低TFT的導(dǎo)電特性(戴亞翔等，《TFT IXD面板的驅(qū)動(dòng)與設(shè)計(jì)》，第22頁(yè)，清華大學(xué)出版社，2008. 11)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置，以提高陣列基板的開(kāi)口率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供技術(shù)方案如下一種陣列基板,包括基板；形成在基板上的柵線和柵電極；形成在形成有柵線和柵電極的基板上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的源電極、漏電極和像素電極，所述源電極和漏電極包括至少兩層導(dǎo)電層，所述像素電極與所述漏電極直接連接；形成在柵絕緣層、源電極和漏電極上的有源層。具體地，所述源電極和漏電極包括兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層為透明電極層和金屬層，所述像素電極與透明電極層一體形成。優(yōu)選地，所述陣列基板還包括形成在所述源電極、漏電極和有源層上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過(guò)孔；形成在所述鈍化層上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)所述過(guò)孔和所述源電極連接。
優(yōu)選地，所述陣列基板還包括形成在源電極與有源層之間以及漏電極與有源層之間的歐姆接觸層。一種陣列基板制作方法，包括 在基板上形成柵線和柵電極；在形成有柵線和柵電極的基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上依次沉積至少兩層導(dǎo)電層，對(duì)所述至少兩層導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極和像素電極；在柵絕緣層、源電極和漏電極上形成有源層。
所述形成的源電極、漏電極和像素電極具體為在柵絕緣層上依次沉積兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層為所述透明電極層和所述金屬層，對(duì)透明電極層和金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極和像素電極。優(yōu)選地，所述制作方法還包括在所述源電極、漏電極和有源層上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成過(guò)孔；在所述鈍化層上形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)所述過(guò)孔與所述源電極連接。 優(yōu)選地，所述制作方法還包括在源電極與有源層之間以及漏電極與有源層之間形成歐姆接觸層。一種顯示面板，包括上述陣列基板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)采用透明電極層和金屬層形成的源漏電極，來(lái)使得像素電極與漏電極直接連接，由于不需要在像素區(qū)域形成過(guò)孔，從而提高了陣列基板的開(kāi)口率。進(jìn)一步地，通過(guò)采用透明電極層和金屬層形成的疊合層作源電極和漏電極，可以很容易形成源漏電極和柵電極位于有源層同側(cè)的結(jié)構(gòu)，使源漏電極直接與電流通道相連，提高了 TFT器件的導(dǎo)電性能。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的平面示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的截面示意3為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的截面示意圖；圖5 圖8為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作過(guò)程示意圖。附圖標(biāo)記I :基板；2 :柵電極；3 :柵絕緣層；4 :源電極；5 :漏電極；6 :像素電極；7 :有源層；8 :鈍化層；9 :過(guò)孔；10 :數(shù)據(jù)線；11 :柵線；A :透明電極層；B :金屬層；C :電流通道。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。參照?qǐng)D3和圖4，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板可以包括
基板I ;形成在基板I上的柵線11和柵電極2 ；形成在形成有柵線11和柵電極2的基板I上的柵絕緣層3 ；形成在柵絕緣層3上的源電極4、漏電極5和像素電極6，所述源電極4和漏電極5包括至少兩層導(dǎo)電層，像素電極6與漏電極5直接連接；優(yōu)選地，所述源電極4和所述漏電極5包括透明電極層A和位于透明電極層A之上的金屬層B，所述像素電極6與透明電極層A —體形成；形成在柵絕緣層3、源電極4和漏電極5上的有源層7 ； 形成在源電極4、漏電極5和有源層7上的鈍化層8，所述鈍化層8上形成有過(guò)孔9 ；形成在鈍化層9上的數(shù)據(jù)線10，所述數(shù)據(jù)線10通過(guò)過(guò)孔9和源電極4連接?？蛇x地，數(shù)據(jù)線10可以直接與源電極4連接，形成在源電極4、漏電極5和有源層7上的鈍化層8及過(guò)孔9可以省掉，但是數(shù)據(jù)線10和源漏電極位于同一層，易發(fā)生數(shù)據(jù)線10和像素電極6短路不良。優(yōu)選地，所述陣列基板還可以包括形成在源電極4與有源層7之間以及漏電極4與有源層7之間的歐姆接觸層(圖未示)。所述歐姆接觸層為一摻雜層(如N+a-Si層)，通過(guò)設(shè)置摻雜層可以降低源漏電極與有源層7之間的接觸電阻，從而改善TFT特性。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，通過(guò)將用于連接數(shù)據(jù)線和源電極的過(guò)孔設(shè)置在數(shù)據(jù)線區(qū)域，像素電極與漏電極直接連接，從而能夠提高陣列基板的開(kāi)口率。進(jìn)一步，通過(guò)采用透明電極層A和金屬層B形成的疊合層作源電極和漏電極，可以很容易形成源漏電極和柵電極位于有源層同側(cè)的結(jié)構(gòu)，使源漏電極直接與電流通道C(圖中僅示出了電流通道的一部分)相連，提高了 TFT器件的導(dǎo)電性能。本發(fā)明實(shí)施例的上述陣列基板可以采用5次掩膜工藝完成，具體可以包括如下步驟步驟SI，在基板上形成柵線11和柵電極2 ；如圖5所示，在基板I上沉積柵金屬層，并掩膜曝光和刻蝕定義出柵線11和柵電極2。柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金。步驟S2，在完成步驟SI的基板上沉積柵絕緣層，然后依次沉積至少兩層導(dǎo)電層，對(duì)所述至少兩層導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極4、漏電極5和像素電極6。優(yōu)選地，在步驟SI的基板上沉積柵絕緣層，然后依次沉積兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層為透明電極層A和金屬層B，對(duì)透明電極層A和金屬層B進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極4、漏電極5和像素電極6，金屬層B可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金。如圖6所示，可以通過(guò)一次半色調(diào)掩模(Half-tone Mask)或灰色調(diào)掩模(Gray-tone Mask)來(lái)形成源電極4、漏電極5和像素電極6。其中，源電極4和漏電極5包括透明電極層A和金屬層B，像素電極6與透明電極層A —體形成，像素電極6與漏電極5直接連接。由于最后得到的透明電極層A與金屬層B的疊合層結(jié)構(gòu)只存在于TFT區(qū)域，像素區(qū)域僅有透明像素電極單層A，故不影響像素區(qū)域的透過(guò)率。另外，也可以通過(guò)兩次掩?？涛g來(lái)獲得源電極4、漏電極5和像素電極6。此種情況下，陣列基板需要6次掩模工藝來(lái)制作完成。步驟S3，在柵絕緣層3、源電極4和漏電極5上形成有源層7 ；如圖7所示，在完成步驟S2的基板上沉積有源半導(dǎo)體層，并掩模曝光和刻蝕定義出有源層7。步驟S4，在源電極4、漏電極5和有源層7上形成鈍化層8，并在鈍化層8形成過(guò)孔9 ；如圖8所示，在完成步驟S3的基板上沉積鈍化層材料，進(jìn)行掩膜曝光后刻蝕掉源電極4、漏電極5和有源層6區(qū)域之外的鈍化層材料，形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8中刻蝕出過(guò)孔9，此過(guò)孔9連通到源電極4 ；步驟S5，在鈍化層8上沉積金屬層，通過(guò)掩模曝光和刻蝕形成數(shù)據(jù)線10，數(shù)據(jù)線10通過(guò)過(guò)孔9和源電極4連接(如圖4所示)。 上述制作過(guò)程中，可選地，步驟S4和步驟S5可以省略，在步驟S2中，數(shù)據(jù)線和源漏電極可以同時(shí)制作出來(lái)，數(shù)據(jù)線直接與源電極相連，但在實(shí)際生產(chǎn)中，數(shù)據(jù)線和源漏電極位于同一層，易發(fā)生數(shù)據(jù)線和像素電極短路不良。采用透明電極層A與金屬層B的疊合層的結(jié)構(gòu)，與不采用透明電極層A，直接由金屬層B形成源漏電極的結(jié)構(gòu)相比，疊合層結(jié)構(gòu)源漏電極區(qū)域電阻實(shí)際為組成該區(qū)域的金屬層電阻和透明電極層電阻的并聯(lián)結(jié)果，該并聯(lián)電阻較單獨(dú)由金屬層B形成源漏電極的電阻低，從而提高源漏電極的電導(dǎo)率，防止影響TFT特性。有源層和源漏電極相接界面可以根據(jù)實(shí)際情況增加摻雜層(如N+a-Si層)來(lái)降低接觸電阻，從而改善TFT特性(需要增加一次掩模工藝)。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的任一種陣列基板。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案通過(guò)采用透明電極層和金屬層形成的源漏電極，來(lái)使得像素電極與漏電極直接連接，由于不需要在像素區(qū)域形成過(guò)孔，從而提高了陣列基板的開(kāi)口率。進(jìn)一步，通過(guò)采用透明電極層和金屬層形成的疊合層作源電極和漏電極，可以很容易形成源漏電極和柵電極位于有源層同側(cè)的結(jié)構(gòu)，使源漏電極直接與電流通道相連，提高了 TFT器件的導(dǎo)電性能。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，包括 基板； 形成在基板上的柵線和柵電極； 形成在形成有柵線和柵電極的基板上的柵絕緣層； 形成在柵絕緣層上的源電極、漏電極和像素電極，所述源電極和漏電極包括至少兩層導(dǎo)電層，所述像素電極與所述漏電極直接連接； 形成在柵絕緣層、源電極和漏電極上的有源層。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述源電極和漏電極包括兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層為透明電極層和金屬層，所述像素電極與透明電極層一體形成。
3.如權(quán)利要求I或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括 形成在所述源電極、漏電極和有源層上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過(guò)孔； 形成在所述鈍化層上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)所述過(guò)孔和所述源電極連接。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括 形成在源電極與有源層之間以及漏電極與有源層之間的歐姆接觸層。
5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵線和柵電極； 在形成有柵線和柵電極的基板上形成柵絕緣層； 在柵絕緣層上依次沉積至少兩層導(dǎo)電層，對(duì)所述至少兩層導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極和像素電極； 在柵絕緣層、源電極和漏電極上形成有源層。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述形成的源電極、漏電極和像素電極具體為 在柵絕緣層上依次沉積兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層為所述透明電極層和所述金屬層，對(duì)透明電極層和金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極和像素電極。
7.如權(quán)利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，還包括 在所述源電極、漏電極和有源層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成過(guò)孔； 在所述鈍化層上形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)所述過(guò)孔與所述源電極連接。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，還包括 在源電極與有源層之間以及漏電極與有源層之間形成歐姆接觸層。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板，屬于液晶顯示領(lǐng)域。所述陣列基板包括形成在柵絕緣層上的源電極、漏電極和像素電極，所述源電極和漏電極包括至少兩層導(dǎo)電層，所述像素電極與所述漏電極直接連接。所述陣列基板的制作方法包括在柵絕緣層上依次沉積至少兩層導(dǎo)電層，對(duì)所述至少兩層導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極和像素電極。本發(fā)明的技術(shù)方案由于不需要在像素區(qū)域形成過(guò)孔，從而提高了陣列基板的開(kāi)口率，進(jìn)一步地，通過(guò)采用透明電極層和金屬層形成的疊合層作源電極和漏電極，可以很容易形成源漏電極和柵電極位于有源層同側(cè)的結(jié)構(gòu)，使源漏電極直接與電流通道相連，提高了TFT器件的導(dǎo)電性能。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102832254SQ201210333280
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月10日
發(fā)明者周伯柱, 白明基, 操彬彬, 趙娜, 王文龍, 王一軍 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司