光學(xué)鄰近校正模型的校正方法
【專利摘要】一種光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，包括：提供多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底，所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底分別在不同光刻條件下獲得；分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣，獲得多組采樣數(shù)據(jù)，同一具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣數(shù)據(jù)為一組；提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型；利用每一組采樣數(shù)據(jù)分別對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，獲得多個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型，一種光刻條件對應(yīng)一個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型。解決現(xiàn)有技術(shù)中在某些光刻條件下獲得的光刻膠圖形并不理想，仍有光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的圖形粘連現(xiàn)象。
【專利說明】光學(xué)鄰近校正模型的校正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及光學(xué)鄰近校正模型的校正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造過程中，光刻工藝是集成電路生產(chǎn)中最重要的工藝步驟之一。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，特征尺寸越來越小，對光刻工藝中分辨率的要求就越來越高。光刻分辨率是指通過光刻機(jī)在娃片表面能曝光的最小特征尺寸(critical dimension,⑶),是光刻技術(shù)中重要的性能指標(biāo)之一。
[0003]然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小，當(dāng)特征尺寸接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長時(shí)，由于光的衍射和干涉現(xiàn)象，實(shí)際硅片上得到的光刻圖形與掩膜版上的圖形之間存在一定的變形和偏差，這種現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE, Optical Proximity Effect)。為了消除光刻中的光學(xué)鄰近效應(yīng),一種有效的方法是光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC,Optical Proximity Correction)方法,使形成在掩模版上的圖形為經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的圖形，之后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠層上時(shí)，就不會產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)。現(xiàn)有技術(shù)中，由于掩模版上的圖形具有多樣性，如果在制作掩模版時(shí)，對每一種圖形均進(jìn)行光學(xué)鄰近校正，光學(xué)鄰近校正的處理時(shí)間很長，造成掩模版制造成本增加。
[0004]為了縮短進(jìn)行光學(xué)鄰近校正的時(shí)間，現(xiàn)有技術(shù)中提出了一種基于模型的光學(xué)鄰近校正?，F(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)鄰近校正模型的建立方法通常為:提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型，然后在不同的光刻條件下進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得采樣數(shù)據(jù)，之后利用該采樣數(shù)據(jù)對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正后獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型。
[0005]然而，隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小，利用現(xiàn)有技術(shù)的方法獲得的光學(xué)鄰近校正模型制作掩模版，之后利用該掩模版進(jìn)行光刻工藝時(shí)發(fā)現(xiàn):在某些光刻條件下獲得的光刻膠圖形并不理想，仍有光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的圖形粘連現(xiàn)象。
[0006]更多基于模型的光學(xué)鄰近校正模型的內(nèi)容，可以參考2011年I月5日公布的公布號為CN101937171A的中國專利文獻(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明解決的問題是利用現(xiàn)有技術(shù)方法獲得的光學(xué)鄰近校正模型制作掩模版，利用該掩模版在某些光刻條件下獲得的光刻膠圖形并不理想，仍有光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的圖形粘連現(xiàn)象。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，包括:
[0009]提供多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底，所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底分別在不同光刻條件下獲得；
[0010]分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣，獲得多組采樣數(shù)據(jù)，同一具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣數(shù)據(jù)為一組；
[0011]提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型；[0012]利用每一組采樣數(shù)據(jù)分別對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，獲得多個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型，一種光刻條件對應(yīng)一個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型。
[0013]可選的，所述光刻條件包括:光照的能量、光源和半導(dǎo)體襯底之間的距離。
[0014]可選的，所述具有圖形的半導(dǎo)體襯底的獲得方法包括:
[0015]提供半導(dǎo)體襯底；
[0016]提供測試掩模版；
[0017]在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；
[0018]利用所述測試掩模版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0019]對曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影，將所述光刻膠層圖形化；
[0020]以圖形化后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖形，之后去除圖形化后的光刻膠層。
[0021]可選的，利用掃描電鏡分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣。
[0022]可選的，利用其中一組采樣數(shù)據(jù)對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正的方法包括:
[0023]設(shè)定校正策略；
[0024]基于所述校正策略，校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得中間校正模型；
[0025]基于所述中間校正模型模擬光刻過程，獲得模擬圖形；
[0026]對所述模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得模擬數(shù)據(jù)，判斷所述其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值；
[0027]如果判斷結(jié)果為是，將所述中間校正模型作為校正的光學(xué)鄰近校正模型；
[0028]如果判斷結(jié)果為否，重新利用所述其中一組采樣數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型。
[0029]可選的，重新利用所述其中一組數(shù)據(jù)校正所述待校正模型的步驟包括:
[0030]重新設(shè)定校正策略，之后，重復(fù)所述獲得中間校正模型、獲得中間模擬圖形、獲得中間模擬數(shù)據(jù)以及判斷的步驟，直至判斷結(jié)果為是。
[0031]可選的，所述校正策略包括:校正光學(xué)鄰近校正模型所采用的公式、公式中系數(shù)的參數(shù)、以及軟件進(jìn)行計(jì)算時(shí)所采用的范圍和步長。
[0032]可選的，利用掃描電鏡對所述模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得模擬數(shù)據(jù)。
[0033]可選的，對每一具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣獲得采樣數(shù)據(jù)的方法包括:
[0034]對所述圖形進(jìn)行η次數(shù)據(jù)采樣，η大于等于2 ；
[0035]計(jì)算每一個(gè)采樣點(diǎn)的η次采樣數(shù)據(jù)的平均值；
[0036]根據(jù)所述平均值計(jì)算每一采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差；
[0037]舍棄方差大于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的數(shù)據(jù)，將方差小于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的平均值作為采樣數(shù)據(jù)。
[0038]可選的，所述圖形為規(guī)則圖形。
[0039]可選的，所述規(guī)則圖形包括圓形、直線其中之一或者它們的任意組合。
[0040]可選的，所述采樣數(shù)據(jù)為圓形的直徑和/或直線的線寬。[0041]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0042]本技術(shù)方案的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法,在不同的光刻條件下，分別對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，因此在每一種光刻條件下均獲得一種經(jīng)校正的光學(xué)鄰近校正模型。當(dāng)制造掩模版時(shí)，可以根據(jù)不同的光刻條件選擇與之對應(yīng)的校正后的光學(xué)鄰近校正模型，這樣在利用掩模版進(jìn)行光刻工藝時(shí)，可以根據(jù)光刻條件選擇合適的掩模版進(jìn)行光刻工藝，相應(yīng)的就可以避免現(xiàn)有技術(shù)方法獲得的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行掩模版的制作時(shí)，在某些光刻條件下獲得的光刻膠圖形并不理想，仍有光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的圖形粘連現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1是利用現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型后，利用該校正的光學(xué)鄰近校正模型分別在不同的光刻條件下模擬光刻過程時(shí)，模擬數(shù)據(jù)和實(shí)際的采樣數(shù)據(jù)之間的擬合誤差曲線圖；
[0044]圖2為本發(fā)明具體實(shí)施例的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法的流程示意圖；
[0045]圖3是現(xiàn)有技術(shù)的擬合誤差曲線與本發(fā)明的擬合誤差曲線比較示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]基于【背景技術(shù)】中描述的現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題，發(fā)明人認(rèn)真研究了光刻的過程和光學(xué)鄰近校正模型的校正過程，發(fā)現(xiàn)造成以上問題的原因?yàn)?在光刻過程中，基臺的移動(dòng)、光源的移動(dòng)以及半導(dǎo)體襯底上膜層的厚度等都會影響光刻條件，比如光源的移動(dòng)會造成焦點(diǎn)的變化、照射到膜層上的光的能量的變化，隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小，光刻條件的變化會影響光刻膠層的曝光、掩模版上的輔助圖形對光學(xué)鄰近效應(yīng)的校正，因此會造成光刻過程中形成的圖形出現(xiàn)粘連等光學(xué)鄰近效應(yīng)。
[0047]基于以上的分析，發(fā)明人剖析了:利用現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型后，利用該校正的光學(xué)鄰近校正模型分別在不同的光刻條件下模擬光刻過程時(shí)，模擬數(shù)據(jù)和實(shí)際的采樣數(shù)據(jù)之間的擬合誤差。圖1為該模擬數(shù)據(jù)和實(shí)際的采樣數(shù)據(jù)之間的擬合誤差曲線圖。其中，橫坐標(biāo)的Pi?P8分別代表不同的光刻條件，縱坐標(biāo)代表擬合誤差，PO為標(biāo)準(zhǔn)光刻條件，在該光刻條件下擬合誤差最小。根據(jù)圖1可以獲知:在不同的光刻條件下，擬合誤差和標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)PO處的擬合誤差相差較大，因此光刻條件的變化會影響光刻膠層的曝光、掩模版上的輔助圖形對光學(xué)鄰近效應(yīng)的校正，而現(xiàn)有技術(shù)中在所有的光刻條件下均使用相同的經(jīng)校正的光學(xué)鄰近校正模型，因此會造成在有些光刻條形下形成的圖形出現(xiàn)粘連等光學(xué)鄰近效應(yīng)。
[0048]基于以上原理,本技術(shù)方案的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，在不同的光刻條件下，分別對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，因此在每一種光刻條件下均獲得一種經(jīng)校正的光學(xué)鄰近校正模型。
[0049]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0050]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0051]圖2為本發(fā)明具體實(shí)施例的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法的流程示意圖，下面結(jié)合具體實(shí)施例以及圖2，詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施例的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法。
[0052]參考圖2，執(zhí)行步驟S21，提供多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底，所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底分別在不同光刻條件下獲得。其中每一個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底的獲得方法均包括:提供半導(dǎo)體襯底；提供測試掩模版；在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；利用所述測試掩模版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光；對曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影，將所述光刻膠層圖形化；以圖形化后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖形，之后去除圖形化后的光刻膠層。若要獲得在不同光刻條件下的多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底，需要在相應(yīng)的光刻條件下進(jìn)行以上步驟來獲得對應(yīng)的具有圖形的半導(dǎo)體襯底。其中，光刻條件包括:光照的能量、光源和半導(dǎo)體襯底之間的距離、焦點(diǎn)等。
[0053]其中半導(dǎo)體襯底的材料不做具體限制，可以為單晶硅、單晶鍺或者單晶鍺硅、II1- V族元素化合物、單晶碳化硅等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。
[0054]本發(fā)明具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底上的圖形為規(guī)則圖形，該規(guī)則圖形包括圓形、直線其中之一或者它們的任意組合。
[0055]執(zhí)行完步驟S21后，繼續(xù)參考圖2，執(zhí)行步驟S22，分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣，獲得多組采樣數(shù)據(jù)，同一具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣數(shù)據(jù)為一組。下面以一個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣為例說明本發(fā)明具體實(shí)施例的采樣過程，其他具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣過程相同。
[0056]對一個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行采樣的具體方法為:將圖形劃分成多個(gè)采樣點(diǎn)，然后對多個(gè)采樣點(diǎn)進(jìn)行η次數(shù)據(jù)采樣，η大于等于2，具體實(shí)踐中，可以根據(jù)實(shí)際需求確定η值，采樣使用的工具為掃描電鏡，但不限于掃描電鏡，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他采樣工具；接著，計(jì)算每一個(gè)采樣點(diǎn)的η次采樣數(shù)據(jù)的平均值，該計(jì)算步驟由軟件來完成；之后，根據(jù)所述平均值計(jì)算每一采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差；舍棄方差大于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的數(shù)據(jù)，將方差小于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的平均值作為采樣數(shù)據(jù)。
[0057]由于數(shù)據(jù)采樣過程中，進(jìn)行采樣所采用的工具例如掃描電鏡的精確度不夠高，會出現(xiàn)采樣獲得的數(shù)據(jù)可信度不高的問題，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例中，采取對每一采樣點(diǎn)進(jìn)行多次測量，取其平均值；然后根據(jù)每一采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差判斷每一采樣點(diǎn)數(shù)據(jù)的可信度，如果采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差大于預(yù)設(shè)值，則可以判定該采樣點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)不可信，將采樣點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)舍棄；如果采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差小于預(yù)設(shè)值，則可以判定該采樣點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)可信，將該采樣點(diǎn)對應(yīng)的平均值作為采樣數(shù)據(jù)。例如，假設(shè)方差的預(yù)設(shè)值為3nm，那么方差大于3nm的采樣點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)不可信，小于3nm的采樣點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)可信。
[0058]在本發(fā)明具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底上的圖形包括圓形、直線其中之一或者它們的任意組合，對圖形進(jìn)行采樣時(shí)，對圓形圖形來說，為測量圓形的直徑，對直線圖形來說，為測量直線的線寬。則所述采樣數(shù)據(jù)為圓形的直徑和/或直線的線寬。
[0059]繼續(xù)參考圖2，執(zhí)行步驟S23，提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型。該步驟S23和步驟S21、步驟S22之間沒有先后順序之分。
[0060]進(jìn)行采樣以及提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型后，繼續(xù)參考圖2，執(zhí)行步驟S24，利用每一組采樣數(shù)據(jù)分別對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，獲得多個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型，一種光刻條件對應(yīng)一個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型。本發(fā)明具體實(shí)施例中，利用每一組采樣數(shù)據(jù)對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正的方法均相同，下面以其中一組采樣數(shù)據(jù)說明對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正的方法。
[0061]本發(fā)明具體實(shí)施例中，利用其中一組采樣數(shù)據(jù)對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正的方法包括:設(shè)定校正策略；基于所述校正策略，校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得中間校正模型；基于所述中間校正模型模擬光刻過程，獲得模擬圖形；對所述模擬圖形進(jìn)行采樣獲得模擬數(shù)據(jù)，判斷所述其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值；如果判斷結(jié)果為是，將所述中間校正模型作為校正的光學(xué)鄰近校正模型；如果判斷結(jié)果為否，重新利用所述其中一組采樣數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型。
[0062]判斷所述其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的中間模擬數(shù)據(jù)與所述其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值的具體方法為:將該其中一組采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，獲得擬合圖形，然后將該其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與擬合圖形進(jìn)行比較，判斷該其中一組數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值。在其他實(shí)施例中，也可以將該其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，獲得擬合圖形，然后將該其中一組采樣數(shù)據(jù)與擬合圖形進(jìn)行比較，判斷該其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與該其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值。
[0063]其中，對模擬圖形進(jìn)行采樣使用的工具也可以為掃描電鏡，但不限于掃描電鏡。
[0064]其中，重新利用所述其中一組數(shù)據(jù)校正所述待校正模型的步驟包括:
[0065]重新設(shè)定校正策略，之后，重復(fù)所述獲得中間校正模型、獲得模擬圖形、獲得模擬數(shù)據(jù)以及判斷的步驟，直至判斷結(jié)果為是。
[0066]本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述校正策略包括:校正光學(xué)鄰近校正模型所采用的公式、公式中系數(shù)的參數(shù)、以及軟件進(jìn)行計(jì)算時(shí)所采用的范圍和步長。
[0067]圖3是現(xiàn)有技術(shù)的擬合誤差曲線與本發(fā)明的擬合誤差曲線比較示意圖，其中曲線A表示:利用本發(fā)明的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型后，利用相應(yīng)的校正的光學(xué)鄰近校正模型分別在不同的光刻條件下進(jìn)行模擬光刻過程時(shí)，模擬數(shù)據(jù)和實(shí)際的采樣數(shù)據(jù)之間的擬合誤差曲線；其中曲線B表示:利用現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型后，利用校正的光學(xué)鄰近校正模型分別在不同的光刻條件下進(jìn)行模擬光刻過程時(shí)，模擬數(shù)據(jù)和實(shí)際的采樣數(shù)據(jù)之間的擬合誤差曲線。其中，橫坐標(biāo)的pl?p8分別代表不同的光刻條件，縱坐標(biāo)代表擬合誤差，p0為標(biāo)準(zhǔn)光刻條件。比較曲線A和曲線B可以獲知:本發(fā)明中不同光刻條件下的擬合誤差與標(biāo)準(zhǔn)光刻條件下的擬合誤差的差值，比現(xiàn)有技術(shù)中不同光刻條件下的擬合誤差與標(biāo)準(zhǔn)光刻條件下的擬合誤差的差值小。
[0068]本技術(shù)方案的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，在不同的光刻條件下，分別對待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，因此在每一種光刻條件下均獲得一種經(jīng)校正的光學(xué)鄰近校正模型。當(dāng)制造掩模版時(shí)，可以根據(jù)不同的光刻條件選擇與之對應(yīng)的校正后的光學(xué)鄰近校正模型，這樣在利用掩模版進(jìn)行光刻工藝時(shí)，可以根據(jù)光刻條件選擇合適的掩模版進(jìn)行光刻工藝，相應(yīng)的就可以避免現(xiàn)有技術(shù)方法獲得的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行掩模版的制作時(shí)，在某些光刻條件下獲得的光刻膠圖形并不理想，仍有光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的圖形粘連現(xiàn)象。
[0069]本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，包括: 提供多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底，所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底分別在不同光刻條件下獲得； 分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣，獲得多組采樣數(shù)據(jù)，同一具有圖形的半導(dǎo)體襯底的采樣數(shù)據(jù)為一組； 提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型； 利用每一組采樣數(shù)據(jù)分別對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正，獲得多個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型，一種光刻條件對應(yīng)一個(gè)校正的光學(xué)鄰近校正模型。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，所述光刻條件包括:光照的能量、焦點(diǎn)、光源和半導(dǎo)體襯底之間的距離。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，所述具有圖形的半導(dǎo)體襯底的獲得方法包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 提供測試掩模版； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層； 利用所述測試掩模版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光； 對曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影，將所述光刻膠層圖形化； 以圖形化后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖形，之后去除圖形化后的光刻膠層。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，利用掃描電鏡分別對所述多個(gè)具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，利用其中一組采樣數(shù)據(jù)對所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型進(jìn)行校正的方法包括: 設(shè)定校正策略； 基于所述校正策略，校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得中間校正模型； 基于所述中間校正模型模擬光刻過程，獲得模擬圖形； 對所述模擬圖形進(jìn)行采樣獲得模擬數(shù)據(jù)，判斷所述其中一組采樣數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述其中一組采樣數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值； 如果判斷結(jié)果為是，將所述中間校正模型作為校正的光學(xué)鄰近校正模型； 如果判斷結(jié)果為否，重新利用所述其中一組采樣數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型。
6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，重新利用所述其中一組數(shù)據(jù)校正所述待校正模型的步驟包括: 重新設(shè)定校正策略，之后，重復(fù)所述獲得中間校正模型、獲得模擬圖形、獲得模擬數(shù)據(jù)以及判斷的步驟，直至判斷結(jié)果為是。
7.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，所述校正策略包括:校正光學(xué)鄰近校正模型所采用的公式、公式中系數(shù)的參數(shù)、以及軟件進(jìn)行計(jì)算時(shí)所采用的范圍和步長。
8.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法,其特征在于,利用掃描電鏡對所述模擬圖形進(jìn)行采樣獲得模擬數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，對每一具有圖形的半導(dǎo)體襯底中的圖形進(jìn)行采樣獲得采樣數(shù)據(jù)的方法包括: 對所述圖形進(jìn)行η次數(shù)據(jù)采樣，η大于等于2 ； 計(jì)算每一個(gè)采樣點(diǎn)的η次采樣數(shù)據(jù)的平均值； 根據(jù)所述平均值計(jì)算每一采樣點(diǎn)采樣數(shù)據(jù)的方差； 舍棄方差大于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的數(shù)據(jù)，將方差小于預(yù)設(shè)值的采樣點(diǎn)的平均值作為采樣數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近校正模型的校正方法，其特征在于，所述圖形為規(guī)則圖形。
11.如權(quán)利要求10所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述規(guī)則圖形包括圓形、直線其中之一或者它們的任意組合。
12.如權(quán)利要求11所述的校光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述采樣數(shù)據(jù)為圓形的直徑和/或直線的線寬。
【文檔編號】G03F1/36GK103631085SQ201210313494
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】王輝, 時(shí)雪龍 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司