專利名稱：一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及ー種能夠提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片制造中，使用光刻機(scanner)曝光定義電路圖形,線寬尺寸(⑶)越來越小，掃描式電子顯微鏡(SEM)是量測特征尺寸線寬的主要設(shè)備。其成像原理是電子束照射在被量測物體上，在不同形貌區(qū)域產(chǎn)生不同數(shù)量的二次電子。收集二次電子信號并轉(zhuǎn)化成特征尺寸線寬的圖像。當(dāng)電子束照射在光刻膠上時，會對光刻膠造成電子照射損傷，導(dǎo)致光刻膠圖形變形，影響特征尺寸線寬的量測結(jié)果。為了減少對光刻膠的電子照射損傷，生產(chǎn)中需要建立量測程序完成自動量測，其中量測程序的第一個步驟就要進行精確對準(zhǔn)。隨著半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小到納米級，生產(chǎn) エ藝也越來越復(fù)雜。在生產(chǎn)中各種元器件的三維結(jié)構(gòu)被分解為幾十層ニ維的光刻圖形。為了達到良好的器件性能，各個光刻圖形要有精準(zhǔn)的特征尺寸線寬，目前生產(chǎn)中使用日立(Hitachi)掃描電子顯微鏡(SEM)進行量測，在建立量測的程序中，第一歩需要進行晶圓的對準(zhǔn)，它的目的是先找到曝光范圍(field)的相對容易識別的圖形目標(biāo)作為基準(zhǔn)位置，目前找基準(zhǔn)位置主要有兩種，一種是在field里面找到ー個圖形，這種方法缺點是如果量測圖形在基準(zhǔn)的左邊，那么在量測的時候，量測圖形被認(rèn)為是左邊的field，如圖I所示的ー種對準(zhǔn)基準(zhǔn)在field里的方法，I為量測圖形，2為基準(zhǔn)。第二種是在field交界處十字形圖形，這種方法缺點是圖形由大塊的光阻區(qū)和非光阻區(qū)組成，在對準(zhǔn)時容易失焦，導(dǎo)致對準(zhǔn)發(fā)生錯誤，如圖2所示的一種對準(zhǔn)基準(zhǔn)在field交界處的十字圖形的方法，3為光阻區(qū)，4為非光阻區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，以解決現(xiàn)有找基準(zhǔn)位置方法中如果量測圖形在基準(zhǔn)的左邊，那么在量測時量測圖形被認(rèn)為是左邊的field，以及對準(zhǔn)時容易失焦，導(dǎo)致對準(zhǔn)發(fā)生錯誤的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為
一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中
Si:在掩模板上設(shè)置具有數(shù)字或字母和接觸孔的圖形結(jié)構(gòu)；
52:對所述掩模板進行曝光晶圓，在交界處形成對準(zhǔn)圖形；
53:建立自動量測程序，對所述對準(zhǔn)圖形進行精度對準(zhǔn)；
54自動量測晶圓所需的結(jié)構(gòu)圖形。上述的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中，所述對準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有數(shù)字的圖形。上述的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中，所述對準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有字母的圖形。上述的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中，所述對準(zhǔn)圖通過交界形成四個部分。上述的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中，用于O. 25微米技術(shù)節(jié)點以下。本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)，使之具有的積極效果是
本發(fā)明提出在field交界處曝光帶有數(shù)字或字母圖形結(jié)構(gòu)的設(shè)計方案，該圖形結(jié)構(gòu)用于在線寬量測第一歩的精度對準(zhǔn)，同時可方便的識別field的上下左右順序，并適用于
O.25微米技術(shù)節(jié)點以下線條光刻生產(chǎn)エ藝。本發(fā)明分割開的光阻區(qū)和非光阻區(qū)的小線條圖形，更容易對焦，而且數(shù)字或字母代碼更容易識別上下左右field的位置。


圖I是ー種對準(zhǔn)基準(zhǔn)在field里的方法。圖2是ー種對準(zhǔn)基準(zhǔn)在field交界處的十字圖形的方法。圖3是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中曝光排列的示意圖。圖4是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中接觸孔對準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的ー種不意圖。圖5是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中接觸孔對準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的另一種不意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖給出本發(fā)明ー種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法的具體實施方式
。圖3為本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中曝光排列的示意圖，圖4為本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中接觸孔對準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的ー種示意圖，圖5為本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法中接觸孔對準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的另一種示意圖，請參見圖3、圖4和圖5所示。本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，包括有掩模板，SI :該掩模板上設(shè)置帶有數(shù)字或字母和接觸孔的圖形結(jié)構(gòu)，并且進行field排列5。S2 :曝光晶圓和field排列5，在交界處會形成對準(zhǔn)圖形6，如圖4和圖5所示。S3:建立自動量測程序，對對準(zhǔn)圖形6進行精度對準(zhǔn)。S4 自動量測晶圓所需的結(jié)構(gòu)圖形。本發(fā)明在上述基礎(chǔ)上還具有如下實施方式
本發(fā)明的第一實施例中，請繼續(xù)參見圖3、圖4和圖5所示。上述的對準(zhǔn)圖形6具體的可為在橫豎接觸孔中設(shè)置有數(shù)字或字母的圖形。本發(fā)明的第二實施例中，上述的對準(zhǔn)圖形6為“十”字形，并通過接觸孔的交界形成四個部分。曝光后的圖形結(jié)構(gòu)分別位于對準(zhǔn)圖形6交界形成的四個部分中。本發(fā)明的第三實施例中，本發(fā)明的可適用范圍為O. 25微米技術(shù)節(jié)點以下線條曝光的光刻生產(chǎn)エ藝。
綜上所述，使用本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，通過有接觸孔和數(shù)字或字母的圖形結(jié)構(gòu)，能夠有效地使SEM自動量測更容易對焦，大大提高了自動量測的效率。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細(xì)描述的方法和處理過程應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā) 明的實質(zhì)內(nèi)容。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其特征在干， Si:在掩模板上設(shè)置具有數(shù)字或字母和接觸孔的圖形結(jié)構(gòu)； 52:對所述掩模板進行曝光晶圓，在交界處形成對準(zhǔn)圖形； 53:建立自動量測程序，對所述對準(zhǔn)圖形進行精度對準(zhǔn)； 54自動量測晶圓所需的結(jié)構(gòu)圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有數(shù)字的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有字母的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖通過交界形成四個部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意一項所述的提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其特征在于，用于O. 25微米技術(shù)節(jié)點以下。
全文摘要
本發(fā)明公開一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，其中S1在掩模板上設(shè)置具有數(shù)字或字母和接觸孔的圖形結(jié)構(gòu)；S2對所述掩模板進行曝光晶圓，在交界處形成對準(zhǔn)圖形；S3建立自動量測程序，對所述對準(zhǔn)圖形進行精度對準(zhǔn)；S4自動量測晶圓所需的結(jié)構(gòu)圖形。使用本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法，通過有接觸孔和數(shù)字或字母的圖形結(jié)構(gòu)，能夠有效地使SEM自動量測更容易對焦，大大提高了自動量測的效率。
文檔編號G03F9/00GK102683238SQ20121013600
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月4日
發(fā)明者戴韞青, 王劍 申請人:上海華力微電子有限公司