專利名稱：發(fā)光裝置以及投影儀的制作方法
發(fā)光裝置以及投影儀技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及投影儀。
背景技術(shù)：
超福射發(fā)光二極管(Super Luminescent Diode,以下也稱“SLD”)是與通常的發(fā)光二極管ー樣顯示非相干性、且顯示寬頻帶的頻譜形狀，在光輸出特性中與半導(dǎo)體激光器同樣能夠以單一元件獲得數(shù)百mW左右的輸出的半導(dǎo)體發(fā)光元件。SLD例如被用作投影儀的光源，但為了實(shí)現(xiàn)小型且高亮度的投影儀，需要使用光輸出較大且光學(xué)擴(kuò)展量較小的光源。而且優(yōu)選從多個(gè)增益區(qū)域射出的光在相同的方向傳播。在專利文獻(xiàn)I中，通過使具有直線狀的形狀的増益區(qū)域和具有圓弧形狀的増益區(qū)域組合， 使從2個(gè)增益區(qū)域的光出射部射出的光在相同的方向傳播。專利文獻(xiàn)I :日本特開2010-192603號(hào)公報(bào)其中，為了光學(xué)系統(tǒng)的損失降低和部件件數(shù)的減少，提出將SLD配置在光閥的正下面，使用透鏡陣列同時(shí)進(jìn)行聚光和均勻照明的方式的投影儀。在這種方式的投影儀中，需要與透鏡陣列的間隔配合地配置光出射部。在專利文獻(xiàn)I所述的技術(shù)中，作為與透鏡陣列配合地增大形成2個(gè)光出射部的間隔的方法，例如，考慮使直線狀的増益區(qū)域相對(duì)光出射部的表面的垂線傾斜較大。然而，在這樣的方法中，在直線狀的増益區(qū)域中產(chǎn)生的光相對(duì)光出射部的表面的入射角變大，放射圖案惡化。其結(jié)果，難以對(duì)光閥進(jìn)行均勻照明。另外，作為增大形成2個(gè)光出射部的間隔的其它的方法，考慮使增益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)。然而，若増益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)，則一般能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出化，但為了獲得反轉(zhuǎn)分布必須流過極大的電流，其結(jié)果，若不使用規(guī)定值以上的光輸出，則不能夠?qū)崿F(xiàn)高效率化。即，若小于規(guī)定值的光輸出，則發(fā)光效率降低。由于若發(fā)光效率惡化，則從發(fā)光裝置散熱變得困難，因此難以實(shí)現(xiàn)例如小型的投影儀。并且，若増益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)，則元件整體的面積變大，產(chǎn)生資源的浪費(fèi)和制造成本的増大等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的幾個(gè)方式的目的之ー在于提供放射圖案良好、能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化、増大形成多個(gè)光出射部的間隔的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的幾個(gè)方式的目的之一在于提供具有上述發(fā)光裝置的投影儀。本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下方式或者應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。應(yīng)用例I本應(yīng)用例的發(fā)光裝置的特征在于，包含第I層，其通過注入電流而產(chǎn)生光，且形成該光的波導(dǎo);第2層和第3層，該第2層和第3層夾著上述第I層，且抑制上述光的漏出；電極，其向上述第I層注入電流，通過上述被注入的電流而得到的上述光的波導(dǎo)具有帯狀的第I區(qū)域、帯狀的第2區(qū)域以及帶狀的第3區(qū)域，上述第I區(qū)域具備具有曲率的第I部分，上述第2區(qū)域具備具有曲率的第2部分，上述第I區(qū)域和上述第2區(qū)域與設(shè)置在上述第I層的側(cè)面的反射面上的反射部連接，上述第3區(qū)域構(gòu)成諧振器，上述第I區(qū)域以及上述第2區(qū)域中的至少ー個(gè)與上述第3區(qū)域之間的距離是產(chǎn)生消逝場(chǎng)耦合的距離，第I光從與上述反射面對(duì)置的上述第I層的側(cè)面所設(shè)置的射出面上的上述第I區(qū)域的第I光出射部射出，第2光從上述射出面上的上述第2區(qū)域的第2光出射部射出，上述第I光和上述第2光以相同方向射出。根據(jù)這樣的發(fā)光裝 置，不必増大在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光相對(duì)于射出面的入射角，就能夠較大地形成射出面上的第I區(qū)域的端面和射出面上的第2區(qū)域的端面之間的間隔(第I光射出部和第2光射出部的間隔)。由此，能夠抑制射出光的放射圖案變形，例如在將發(fā)光裝置用于投影儀的光源的情況下，能夠?qū)忾y進(jìn)行均勻地照明。并且，根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，與使用了從反射面至射出面為直線狀的増益區(qū)域的例子相比，不用為了較大地形成第I光出射部和第2光出射部之間的間隔，而使増益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)。因此，無需流過大量的電流，抑制消耗電力。由此，由于來自發(fā)光裝置的散熱也變得容易，因此，例如在用于投影儀的光源的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)投影儀的殼體尺寸的小型化。并且，由于可以不使增益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置整體的小型化。因此，不會(huì)浪費(fèi)資源，能夠抑制制造成本。并且，根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，沿著第I區(qū)域或者第2區(qū)域形成有第3區(qū)域。在第3區(qū)域產(chǎn)生的光在第3區(qū)域中諧振的期間，與在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光耦合。該耦合后的光在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中進(jìn)行傳播，并從射出面上的第I區(qū)域或者第2區(qū)域的端面射出。即，雖然是與未形成第3區(qū)域的情況相同的第I光出射部和第2光出射部的間隔，但與未形成第3區(qū)域的情況比較，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出化。因此，例如在用于投影儀的光源的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)投影儀的高亮度化。如上所述，在這樣的發(fā)光裝置中，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化且高輸出化，增大所形成的第I光出射部和第2光出射部的間隔。應(yīng)用例2在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第I區(qū)域相對(duì)于上述反射面的垂線以第I角度傾斜地與上述反射部連接，上述第2區(qū)域相對(duì)于上述垂線以第2角度傾斜地與上述反射部連接，上述第I角度和上述第2角度為臨界角以上且為相同的大小。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，反射部能夠使在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中產(chǎn)生的光進(jìn)行全反射。因此，能夠抑制反射部的光損失，能夠高效地反射光。應(yīng)用例3在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第I區(qū)域具有從上述第I部分至上述射出面被設(shè)置成直線狀的第3部分，上述第2區(qū)域具有從上述第2部分至上述射出面被設(shè)置成直線狀的第4部分。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化，且能夠形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例4在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第I區(qū)域具有從上述反射部至上述第I部分被設(shè)置成直線狀的第5部分，上述第2區(qū)域具有從上述反射部至上述第2部分被設(shè)置成直線狀的第6部分。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第I區(qū)域中產(chǎn)生且在反射部處反射的光更加可靠地入射至第2區(qū)域，能夠使在第2區(qū)域中產(chǎn)生且在反射部處反射的光更加可靠地入射至第I區(qū)域。應(yīng)用例5 在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選從上述層疊方向觀察，上述第I部分以及上述第2部分具有圓弧形狀。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化，能夠形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例6在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，可以在上述第3區(qū)域的長(zhǎng)度方向的兩端形成反射面。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第3區(qū)域中諧振的光與在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光耦合，并從射出面上的第I區(qū)域或者第2區(qū)域的端面射出。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例7在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，上述第3區(qū)域可以形成構(gòu)成了分布反饋型的諧振器的周期構(gòu)造。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第3區(qū)域中諧振的光更加可靠地與在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光耦合，并從射出面上的第I區(qū)域或者第2區(qū)域的端面射出。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例8在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，上述第3區(qū)域的長(zhǎng)度方向的兩端可以形成分布布拉格反射型諧振器。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第3區(qū)域中諧振的多種諧振模式的光更加可靠地與在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光耦合，并從射出面上的第I區(qū)域或者第2區(qū)域的端面射出。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，而且實(shí)現(xiàn)非相干性的提高，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例9在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第3區(qū)域與上述第I區(qū)域或者上述第2區(qū)域的距離恒定。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，在第3區(qū)域中諧振的光能夠高效地與在第I區(qū)域或者第2區(qū)域中傳播的光耦合。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例10在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第3區(qū)域與上述第I區(qū)域或者上述第2區(qū)域平行。
根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，在第3區(qū)域中諧振的光能夠高效地與在第I區(qū)域或者第2區(qū)域中傳播的光耦合。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例11在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第3區(qū)域被設(shè)置了多個(gè)。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。
應(yīng)用例12在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第3區(qū)域具有折射率波導(dǎo)型的波導(dǎo)構(gòu)造。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第3區(qū)域中產(chǎn)生的光更加可靠地在第3區(qū)域中諧振。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例13在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第I區(qū)域以及上述第2區(qū)域具有折射率波導(dǎo)型的波導(dǎo)構(gòu)造。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使在第3區(qū)域中諧振，且與在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中傳播的光耦合后的光，更加可靠地在第I區(qū)域以及第2區(qū)域中進(jìn)行傳播。因此，放射圖案良好，能夠?qū)崿F(xiàn)小型且高輸出化，形成較大的第I光出射部和第2光出射部之間的間隔。應(yīng)用例14在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選在上述第3層的與上述第I層側(cè)相反的ー側(cè)上形成第4層，具有與上述第2層電連接的第I電極和與上述第3層電連接且與上述第4層接觸的第2電極，上述第I區(qū)域、上述第2區(qū)域以及上述第3區(qū)域的形狀和上述第4層與上述第2電極之間的接觸面的形狀相同，上述第4層是與上述第2電極歐姆接觸的層。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠使發(fā)光裝置的電阻減小。由此，能夠抑制消耗功率，來自發(fā)光裝置的散熱變得容易。因此，例如在用于投影儀的光源的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)投影儀的殼體尺寸的小型化。此外，在本發(fā)明的記載中，將“電連接”這個(gè)詞例如用作與“特定的部件(以下稱為“A部件”)“電連接”的其他的特定的部件(以下稱“ B部件”)“等。在本發(fā)明的記載中，該例的情況包含A部件和B部件直接接觸而電連接的情況，和A部件和B部件經(jīng)由其他的部件電連接的情況，使用”電連接“這個(gè)詞。應(yīng)用例15在上述應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，優(yōu)選設(shè)置了上述反射部的側(cè)面是解理面。根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，例如，與通過光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)形成的情況相比，能夠高精度地形成反射部，能夠使端面的光散射減小。因此，能夠抑制反射部的光損失，能夠高效地反射光。應(yīng)用例16本應(yīng)用例的投影儀包含上述應(yīng)用例所述的發(fā)光裝置；對(duì)從上述發(fā)光裝置射出的光進(jìn)行聚光的微透鏡；根據(jù)圖像信息對(duì)通過上述微透鏡聚光的光進(jìn)行調(diào)制的光調(diào)制裝置；對(duì)通過上述光調(diào)制裝置形成的圖像進(jìn)行投射的投射裝置。
根據(jù)這樣的投影儀的構(gòu)成，能夠提供實(shí)現(xiàn)小型且高亮度化的投影儀。


圖I是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的槽部的剖面圖。圖4是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造エ序的剖面圖。 圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造エ序的剖面圖。圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖7是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖8是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖9是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖10是示意性地表示本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖11是示意性地表示本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖12是示意性地表示本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖13是示意性地表示本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖14是示意性地表示從本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置和本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置輸出的光的頻譜形狀的圖。圖15是示意性地表示本實(shí)施方式的第5變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖16是示意性地表示本實(shí)施方式的第6變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖17是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的圖。圖18是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的圖。圖19是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的光源的圖。圖20是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的光源的剖面圖。圖21是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的光源的剖面圖。圖22是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的光源的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。I.發(fā)光裝置首先，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖I是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的圖I的II-II線剖面圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的第3區(qū)域180和槽部150、152，是沿著圖I的第3區(qū)域180的長(zhǎng)度方向的剖面圖。而且，在圖I中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。以下，對(duì)發(fā)光裝置100為InGaAlP系(紅色)的發(fā)光元件的情況進(jìn)行說明。發(fā)光裝置100由構(gòu)成SLD的區(qū)域和構(gòu)成光諧振器的區(qū)域構(gòu)成。SLD與半導(dǎo)體激光不同，能夠通過具有寬頻帶的發(fā)光頻譜，減少斑點(diǎn)噪聲。如圖I以及圖2所示，發(fā)光裝置100可以包含層疊體120、第I電極112和第2電極 114。層疊體120可以具有基板102、第2層104(以下也稱“第I包層104”)、第I層106 (以下也稱“活性層106”)、第3層108 (以下也稱“第2包層108”)、第4層110 (以下也稱“接觸層110”)、絕緣層116。層疊體120的形狀例如是長(zhǎng)方體(包含立方體的情況)
坐寸o作為基板102，例如可以使用第I導(dǎo)電型(例如n型)的GaAs基板等。第I包層104形成在基板102上。作為第I包層104，例如，可以使用n型的InGaAlP層等。此外，雖未圖示，也可以在基板102和第I包層104之間形成緩沖層。作為緩沖層，例如可以使用n型的GaAs層、AlGaAs層、InGaP層等。緩沖層可以提高形成在其上方的層的結(jié)晶性?；钚詫?06形成在第I包層104上?；钚詫?06被第I包層104和第2包層108所夾持?；钚詫?06例如具有將由InGaP阱層和InGaAlP阻擋層構(gòu)成的量子阱構(gòu)造重疊三個(gè)的多重量子阱(MQW)構(gòu)造。活性層106的形狀例如是長(zhǎng)方體(包含立方體的情況)等?；钚詫?06的平面形狀例如與層疊體120的平面形狀相同。如圖I所示，活性層106可以具有第I面130、第2面132、第3面134以及第4面136。面130、132、134、136是活性層106的面中、不與第I包層104或者第2包層108進(jìn)行面接觸的面而是形成層疊體120的外形的面。面130、132、134、136也可說是活性層106的側(cè)面，是平坦的面。第I面130以及第2面132相互對(duì)置，在圖示的例子中是平行的。第3面134以及第4面136是與第I面130以及第2面132相交的面，且相互對(duì)置，在圖示的例子中是平行的。第I面130是通過解理形成的解理面。若第2面132與第I面130對(duì)置，則對(duì)形成方法沒有特別的限定，例如通過將第2面132也作為解理面，可以容易地使其與第I面130對(duì)置?；钚詫?06的一部分構(gòu)成第I増益區(qū)域(第I區(qū)域)160、第2増益區(qū)域(第2區(qū)域)170以及第3增益區(qū)域(第3區(qū)域)180。增益區(qū)域160、170、180可以使光產(chǎn)生。在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光可以在增益區(qū)域160、170內(nèi)得到放大并傳播。在增益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以在增益區(qū)域180內(nèi)諧振的期間中，與在增益區(qū)域160、170內(nèi)進(jìn)行傳播的光耦合，在增益區(qū)域160、170內(nèi)進(jìn)行傳播。如圖I所示，增益區(qū)域160、170被設(shè)置為從第I面130至第2面132。S卩，第I增益區(qū)域160具有被設(shè)置在第I面130上的第I端面190、被設(shè)置在第2面132上的第2端面191。第2増益區(qū)域170具有被設(shè)置在第I面130上的第3端面192、被設(shè)置在第2面132上的第4端面193。第I増益區(qū)域160的第I端面190和第2増益區(qū)域170的第3端面192在第I面130上重合。在圖示的例子中，第I端面190和第3端面192完全重合。另ー方面，第I增益區(qū)域160的第2端面191和第2増益區(qū)域170的第4端面193在第2面132上相距間隔D0如圖I所示，從層疊體120的層疊方向觀察(俯視)，第I增益區(qū)域160相對(duì)第I面130的垂線P向ー側(cè)(例如第3面134側(cè))傾斜且與第I面130連接。更具體而言，第I増益區(qū)域160相對(duì)垂線P，以第I角度a I傾斜且與第I面130連接。在俯視的情況下，、第2增益區(qū)域170相對(duì)垂線P向另ー側(cè)(例如第4面136側(cè))傾斜且與第I面130連接。更具體而言，第2増益區(qū)域170相對(duì)垂線P，以第2角度a 2傾斜且與第I面130連接。此外，可以說第I角度a I是在第I增益區(qū)域160中產(chǎn)生的光相對(duì)第I面130的入射角，可以說第2角度a 2是在第2増益區(qū)域170中產(chǎn)生的光相對(duì)第I面130的入射角。在圖示的例子中，第I角度a I和第2角度a 2是相同大小的銳角，為臨界角以上。由此，第I面130可以使在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光進(jìn)行全反射。第I増益區(qū)域160和第2増益區(qū)域170以相同的傾斜度傾斜與第2面132連接。更具體而言，増益區(qū)域160、170相對(duì)垂線P以第3角度P傾斜且與第2面132連接。若第3角度P是銳角且是比臨界角小的角度，則可以是0度。由此，從第I増益區(qū)域160的第2端面191射出的光20和從第2増益區(qū)域170的第4端面193射出的光22可以在相同方向 上傳播?？梢哉f端面191、193是光出射部。此外，可以說第3角度P是在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光相對(duì)第2面132的入射角。如上所述,通過將角度a I、a 2設(shè)為臨界角以上，將角度0設(shè)為比臨界角小,可以在増益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光的波段中，使第I面130的反射率比第2面132的反射率高。即，第I面130可以成為反射面，第2面132可以成為射出面。此外，雖未圖不，例如，可以用反射膜覆蓋第I面130,用防反射膜覆蓋第2面132。由此，也可以在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光的波段中，使第I面130的反射率比第2面132的反射率高。作為反射膜以及防反射膜，可以使用SiO2層、Ta2O5層、Al2O3層、TiN層、TiO2層、SiON層、SiN層以及它們的多層膜等。并且，第3角度P為比0度大的角度，第2面132被防反射膜覆蓋，可以是至少其中ー個(gè)。由此，可以使在増益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光不在第2端面191和第4端面193之間進(jìn)行多重反射。其結(jié)果，由于可以不宣接地構(gòu)成諧振器，因此，可以抑制或防止在増益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光的激光振蕩。S卩，增益區(qū)域160以及170可以構(gòu)成SLD區(qū)域。假設(shè)在第3角度P為0度且第2面未被防反射膜覆蓋的情況下，存在經(jīng)由第I面130，光在端面191、193之間多重反射，構(gòu)成諧振器的情況。第I増益區(qū)域160具有第I増益部分(第I部分)162。同樣，第2増益區(qū)域170具有第2增益部分(第2部分)172。第I増益部分162以及第2増益部分172例如與第I面130連接。S卩，第I増益部分162構(gòu)成第I增益區(qū)域160的第I端面190，第2增益部分172構(gòu)成第2增益區(qū)域170的第3端面192。如圖I所示，在俯視時(shí)，第I増益部分162是具備第I曲率的形狀。第2増益部分172是在俯視中具備第2曲率的形狀。第I曲率和第2曲率可以是相同的值，也可以是不同的值。在圖示的例子中，第I増益部分162以及第2増益部分172具有圓弧的形狀，具有相同的曲率半徑。如圖I所示，第2増益部分172的圓弧的長(zhǎng)度可以比第I増益部分162的圓弧的長(zhǎng)度小。例如，第I増益部分162具有以點(diǎn)01中心的圓弧的形狀，第2増益部分172具有以點(diǎn)02為中心的圓弧的形狀。點(diǎn)01相對(duì)通過端面190、192的垂線P，位于第4面136側(cè)，點(diǎn)02相對(duì)該垂線P位于第3面134側(cè)。在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光利用包含增益部分162、172的層疊體120的垂直剖面的有效折射率(以下僅稱“増益部分162、172的有效折射率”)和避開增益區(qū)域160、170的層疊體120的垂直剖面的有效折射率(以下僅稱“避開增益區(qū)域160、170部分的有效折射率”)，之差，可以在圓弧狀的増益部分162、172內(nèi)傳播。增益部分162、172的曲率半徑基于增益部分162、172的有效折射率和避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率之差，例如為800iim以上。若增益部分162、172的曲率半徑不足800 ym，則存在不可以高效地對(duì)增益部分162、172內(nèi)的光進(jìn)行傳播的情況。優(yōu)選增益部分162、172的曲率半徑在1600 iim左右。由此，不需要使發(fā)光裝置100整體形成得較大，就可以高效地對(duì)增益部分162、172內(nèi)的光進(jìn)行傳播。
第I増益區(qū)域160還可以具有第3増益部分(第3部分)164。同樣，第2増益區(qū)域170還可以具有第4増益部分(第4部分)174。第3増益部分164從第I増益部分162至第2面132被設(shè)置成直線狀。即，第3增益部分164構(gòu)成第I增益區(qū)域160的第2端面191。第3增益部分164與圓弧狀的第I増益部分162平滑地連接。例如，第3増益部分164被設(shè)置成與増益部分162、164的邊界上的點(diǎn)的切線平行。第3増益部分164相對(duì)垂線P以第3角度P (包含0度)傾斜。第4増益部分174從第2増益部分172至第2面132被設(shè)置成直線狀。即，第4増益部分174構(gòu)成第2増益區(qū)域170的第4端面193。第4増益部分174與圓弧狀的第2増益部分172平滑地連接。例如，増益部分174被設(shè)置成與増益部分172、174的邊界上的點(diǎn)的切線平行。第4増益部分174相對(duì)垂線P以第3角度P (包含0度)傾斜。第3増益部分164以及第4増益部分174相互平行。如圖I所示，第4増益部分174的長(zhǎng)度可以比第3增益部分164的長(zhǎng)度長(zhǎng)。第3增益區(qū)域180沿著第I增益區(qū)域160的第3增益部分164，或者第2增益區(qū)域170的第4増益部分174，從第5端面195至第6端面196被設(shè)置成直線狀。在圖I的例子中，形成2個(gè)第3増益區(qū)域180，但對(duì)其數(shù)量不進(jìn)行特別限定。在圖I的例子中，從層疊體120的層疊方向觀察(俯視)沿第I増益區(qū)域在第I増益區(qū)域的第4面?zhèn)龋氐?増益區(qū)域在第2増益區(qū)域的第3面?zhèn)?，形成?増益區(qū)域180。第5端面195以及第6端面196是至少由后述的接觸層110以及第2包層108的一部分構(gòu)成的面。第5端面195以及第6端面196可以通過制成第I槽部150以及第2槽部152來形成。在第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以利用第3増益區(qū)域180的有效折射率和包含第I槽部以及第2槽部的層疊體120的垂直剖面的有效折射率(以下，僅稱“槽部150、152的有效折射率”)之差進(jìn)行反射。從層疊體120的層疊方向觀察(俯視)，第5端面195以及第6端面196可以形成為與第3增益區(qū)域180的延伸方向垂直。由此，在第3增益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以在第5端面195和第6端面196之間進(jìn)行多重反射。即，第3増益區(qū)域180可以構(gòu)成光諧振器。在第3增益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以在增益區(qū)域180內(nèi)諧振的期間，與在增益區(qū)域160、170內(nèi)傳播的光耦合，在增益區(qū)域160、170內(nèi)進(jìn)行傳播。此外，為了在第5端面195和第6端面196之間使光高效地進(jìn)行諧振，優(yōu)選第5端面195以及第6端面196的反射率高。若考慮通過在第3増益區(qū)域的有效折射率和槽部150,152的有效折射率之間設(shè)置規(guī)定的差來使光反射，則優(yōu)選第5端面195不僅由接觸層110以及第2包層108構(gòu)成，還由活性層106、第I包層104以及基板102的一部分構(gòu)成。
在圖I的例子中，第3増益區(qū)域180形成為相對(duì)第2面132，以與第3増益部分164以及第4増益部分174相同的傾斜度傾斜。換句話說，第3増益區(qū)域180與第3増益部分164以及第4増益部分174平行地設(shè)置。更具體而言，増益區(qū)域180形成為相對(duì)第2面的垂線P以第3角度P (包含0度)傾斜。由此，在第3増益區(qū)域180內(nèi)產(chǎn)生且在第3増益區(qū)域180內(nèi)諧振的光可以與在第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170內(nèi)進(jìn)行傳播的光高效地耦合。此外，為了使在第3増益區(qū)域180內(nèi)諧振的光與在第I増益區(qū)域160以及第2增益區(qū)域170內(nèi)進(jìn)行傳播的光高效地耦合，第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170和沿其形成的第3増益區(qū)域180之間的距離L也取決于增益區(qū)域以及避開增益區(qū)域的部分的有效折射率，例如是IOOnm至増益區(qū)域的寬度(數(shù)Pm至數(shù)十y m)的2倍左右。例如，若距離L比IOOnm小，則存在在第I増益區(qū)域以及第2増益區(qū)域內(nèi)傳播的光也諧振的情況。若距離L比增益區(qū)域的寬度的2倍大，則存在不產(chǎn)生充分耦合的情況。 耦合的光可以在增益區(qū)域160、170內(nèi)得到増益且進(jìn)行傳播，從設(shè)置在第2面132上的第2端面191以及第4端面193射出。S卩，第2面132是在第I増益區(qū)域160以及第2增益區(qū)域170中產(chǎn)生的光的射出面，且可以成為在第3增益區(qū)域180中產(chǎn)生的光的射出面。此外，第3増益區(qū)域180也可以形成在第I増益區(qū)域160的第3面?zhèn)群偷?増益區(qū)域170的第4面?zhèn)?。另外，?増益區(qū)域也可以只形成ー個(gè)，也可以沿著第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域的每ー個(gè)，形成在第3面?zhèn)群偷?面?zhèn)鹊膬蓚?cè)。通過形成多個(gè)第3増益區(qū)域，可以使發(fā)光裝置100高輸出化。沿第I増益區(qū)域160形成的第3増益區(qū)域的數(shù)量和沿第2増益區(qū)域170形成的第3増益區(qū)域的數(shù)量可以相互不同，也可以相同。而且，多個(gè)第3増益區(qū)域的長(zhǎng)度可以相互不同，也可以是完全相同的長(zhǎng)度。通過使沿第I増益區(qū)域160形成的第3増益區(qū)域的數(shù)量以及長(zhǎng)度和沿第2増益區(qū)域170形成的第3増益區(qū)域的數(shù)量以及長(zhǎng)度相等，可以使從第2端面191射出的光20的強(qiáng)度和從第4端面193射出的光22的強(qiáng)度接近。如圖2所示，第2包層108形成在活性層106上。作為第2包層108，例如可以使用第2導(dǎo)電型(例如p型)的InGaAlP層等。例如，通過p型的第2包層108、未摻雜雜質(zhì)的活性層106以及n型的第I包層104構(gòu)成pin ニ極管。第I包層104以及第2包層108的每ー個(gè)是與活性層106相比禁帶寬度較大、折射率較小的層?；钚詫?06具有使光產(chǎn)生、并且對(duì)光進(jìn)行放大并進(jìn)行傳播的功能。第I包層104以及第2包層108具有夾著活性層106，注入載流子(電子以及空穴)以及限制光的功能(抑制光的漏出的功能)。在發(fā)光裝置100中，若在第I電極112和第2電極114之間施加pin ニ極管的正向偏置電壓，則在活性層106的增益區(qū)域160、170、180中產(chǎn)生電子和空穴的再結(jié)合。通過該再結(jié)合產(chǎn)生發(fā)光。以該產(chǎn)生的光為起點(diǎn)，連鎖地產(chǎn)生受激輻射，光的強(qiáng)度在増益區(qū)域160、170、180內(nèi)被放大。例如，如圖I所示，在第I增益區(qū)域160中產(chǎn)生的光的一部分10在第I增益區(qū)域160內(nèi)被放大后，在第I面130處反射，并作為光22從第2増益區(qū)域170的第4端面193射出，光強(qiáng)度在反射后的第2增益區(qū)域170內(nèi)也被放大。同樣，在第2增益區(qū)域170中產(chǎn)生的光的一部分在第2增益區(qū)域170內(nèi)被放大后，在第I面130處反射，作為光20從第I增益區(qū)域160的第2端面191射出，光強(qiáng)度在反射后的第I增益區(qū)域160內(nèi)也被放大。而且，在第I增益區(qū)域160中產(chǎn)生的光也有直接作為光20從第2端面191射出的光。同樣，在第2増益區(qū)域170中產(chǎn)生的光也有直接作為光22第4端面193射出的光。這些光也同樣在各增益區(qū)域160、170內(nèi)被放大。另外，在沿第I増益區(qū)域160形成的第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光在第3増益區(qū)域180內(nèi)，且在第5端面195和第6端面196之間重復(fù)多重反射的同時(shí)被放大后，與在第I增益區(qū)域160內(nèi)進(jìn)行傳播的光I禹合。I禹合后的光的一部分在第I增益區(qū)域160內(nèi)被放大后，在第I面130處反射，并作為光22從第2増益區(qū)域170的第4端面193射出，光強(qiáng)度在反射后的第2増益區(qū)域170內(nèi)也被放大。耦合后的光中也有作為光20從第2端面191射出的光，這些光也同樣在第I増益區(qū)域160內(nèi)被放大。同樣，在沿第2増益區(qū)域170形成的第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光在第3増益區(qū) 域180內(nèi)，且在第5端面195和第6端面196之間重復(fù)多重反射的同時(shí)被放大后，與在第2増益區(qū)域170內(nèi)進(jìn)行傳播的光耦合。耦合后的光的一部分在第2増益區(qū)域170內(nèi)被放大后，在第I面130處反射，并作為光20從第I増益區(qū)域160的第2端面191射出，光強(qiáng)度在反射后的第I增益區(qū)域160內(nèi)也被放大。耦合后的光中也有作為光22從第4端面193射出的光。這些光也同樣在第2増益區(qū)域170內(nèi)被放大。如圖2所示，接觸層110形成在第2包層108上。即，可以說接觸層110形成在第2包層108的與活性層106側(cè)相反的ー側(cè)上。接觸層110可以與第2電極114歐姆接觸?？梢哉f接觸層110的上表面113是接觸層110與第2電極114的接觸面。作為接觸層110，例如，可以使用P型的GaAs層等。接觸層110和第2包層108的一部分可以構(gòu)成柱狀部111。柱狀部111的平面形狀與増益區(qū)域160、170、180的平面形狀相同。即，可以說接觸層110的上表面113的平面形狀與増益區(qū)域160、170、180的平面形狀相同。例如，根據(jù)柱狀部111的平面形狀，決定電極112、114之間的電流路徑，其結(jié)果，決定增益區(qū)域160、170、180的平面形狀。此外，雖未圖示，但也可以使柱狀部111的側(cè)面傾斜。絕緣層116形成在第2包層108上，且在柱狀部111的側(cè)方。絕緣層116可以與柱狀部111的側(cè)面連接。絕緣層116的上表面例如與接觸層110的上表面113連續(xù)。作為絕緣層116，例如可以使用SiN層、SiO2層、SiON層、Al2O3層、聚酸亞胺層等。在作為絕緣層116使用了上述的材料的情況下，電極112、114間的電流可以避開絕緣層116，流過被該絕緣層116夾住的柱狀部111。絕緣層116可以具有比第2包層108的折射率小的折射率。該情況下，形成了絕緣層116的部分的垂直剖面的有效折射率與未形成絕緣層116的部分、即，形成了柱狀部111的部分的垂直剖面的有效折射率相比小。由此，在平面方向，可以在增益區(qū)域160、170、180內(nèi)高效地限制光。此外,雖未圖示,但也可以不設(shè)置絕緣層116?？梢詫⒔^緣層116理解為空氣。第I電極112形成在基板102下的整個(gè)面上。第I電極112可以連接到與該第I電極112歐姆接觸的層(在圖示的例子中為基板102)。第I電極112經(jīng)由基板102與第I包層104電連接。第I電極112是用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置100的ー個(gè)電扱。作為第I電極112，例如可以使用從基板102側(cè)按照Cr層、AuGe層、Ni層、Au層的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)等。此外，在第I包層104和基板102之間設(shè)置有第2接觸層(未圖示)，通過干式蝕刻等使該第2接觸層露出，也可以將第I電極112設(shè)置在第2接觸層上。由此，可以得到單面電極構(gòu)造。該方式在基板102為絕緣性的情況下特別有效。第2電極114與接觸層110的上表面113接觸而形成。如圖2所示，第2電極114還可以形成在絕緣層116上。第2電極114經(jīng)由接觸層110與第2包層108電連接。第2電極114是用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置100的另ー個(gè)電極。作為第2電極114，例如可以使用從接觸層110側(cè)按照Cr層、AuZn層、Au層的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)等。以上，作為本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的ー個(gè)例子，對(duì)InGaAlP系的情況進(jìn)行了說明，但發(fā)光裝置100可以使用可以形成發(fā)光增益區(qū)域的一切材料系。若是半導(dǎo)體材料，例如可以使用 AlGaN 系、GaN 系、InGaN 系、GaAs 系、AlGaAs 系、InGaAs 系、InGaAsP 系、ZnCdSe系等的半導(dǎo)體材料。另外，在以上的例子中，對(duì)所謂的折射率波導(dǎo)型的發(fā)光裝置100進(jìn)行了說明。發(fā)光裝置100可以是所謂的增益波導(dǎo)型。更具體而言，増益區(qū)域160、170、180中的一個(gè)或者全部可以是增益波導(dǎo)型。其中，若考慮對(duì)増益部分162、172的有效折射率和避開增益區(qū)域160、 170的部分的有效折射率設(shè)置規(guī)定的差，則優(yōu)選至少具有曲率的增益部分162、172具有折射率波導(dǎo)型的構(gòu)造。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100例如可以適用于投影儀、顯示器、照明裝置、測(cè)量裝置等的光源。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100例如具有以下的特征。根據(jù)發(fā)光裝置100，第I増益區(qū)域160具有具備第I曲率的第I増益部分162，第2増益區(qū)域170具有具備第2曲率的第2増益部分172。因此，不必增大在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光相對(duì)第2面132的入射角P，就可以增大形成第I増益區(qū)域160的第2端面191和第2増益區(qū)域170的第4端面193之間的間隔D (光出射面的間隔D)。由此，可以抑制射出光的放射圖案變形，例如在將發(fā)光裝置用于投影儀的光源的情況下，可以均勻地照明光閥。并且，根據(jù)發(fā)光裝置100，與使用了從第I面至第2面為直線狀的増益區(qū)域的例子相比，為了形成大的間隔D，可以不使増益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)。因此，無需流過大量的電流，可以抑制消耗電力。并且，由于不使増益區(qū)域的全長(zhǎng)變長(zhǎng)就可以，因此可以實(shí)現(xiàn)裝置整體的小型化。因此，可以不浪費(fèi)資源而抑制制造成本。如上所述，在發(fā)光裝置100中，放射圖案良好，實(shí)現(xiàn)小型化，且可以増大形成間隔D。更具體而言，在發(fā)光裝置100中，可以將光出射面的間隔D設(shè)為0. 262mm以上I. 909mm以下，將角度P設(shè)為5度以下(包含0度)，將增益區(qū)域160、170的全長(zhǎng)設(shè)為I. 5mm以上3mm以下。根據(jù)發(fā)光裝置100，第I増益區(qū)域160可以相對(duì)垂線P以第I角度a I傾斜地與第I面130連接，第2増益區(qū)域170可以相對(duì)垂線P以第2角度a 2傾斜地與第I面130連接。而且，第I角度a I和第2角度a 2在臨界角以上，且可以是相同的大小。因此,第I面130可以使在增益區(qū)域160、170中產(chǎn)生的光進(jìn)行全反射。因此，在發(fā)光裝置100中，可以抑制第I面130中的光損失，可以高效地反射光。并且，由于不需要在第I面130上形成反射膜的エ序，因此可以削減制造成本以及制造所需的材料、資源。根據(jù)發(fā)光裝置100，第3増益區(qū)域180可以是光諧振器。因此，在第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以在第3増益區(qū)域中諧振的期間，與在第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170中進(jìn)行傳播的光耦合，并從第2端面191以及第4端面193射出。即，是與未形成第3増益區(qū)域180的情況相同的光出射面的間隔，且與未形成第3増益區(qū)域的情況進(jìn)行比較，可以進(jìn)行高輸出化。根據(jù)發(fā)光裝置100，第I面130可以是通過解理形成的解理面。因此，例如，與通過光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)形成的情況相比，可以高精度地形成第I面130，可以減小端面的光散射。因此，在發(fā)光裝置100中，可以抑制第I面130中的光損失，可以高效地反射光。2.發(fā)光裝置的制造方法接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖4是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的制造エ序的剖面圖，與圖2對(duì)應(yīng)。圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的制造エ序的剖面圖，與圖2對(duì)應(yīng)。 如圖4所示，在基板102上按照第I包層104、活性層106、第2包層108以及接觸層110的順序?qū)ζ溥M(jìn)行外延生長(zhǎng)。作為外延生長(zhǎng)的方法，例如可以使用MOCVD (Metal OrganicChemical Vapor Deposition)法、MBE (Molecular Beam Epitaxy)法等。如圖5所示，對(duì)接觸層110以及第2包層108進(jìn)行圖案化。圖案化例如使用光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)來進(jìn)行。根據(jù)本エ序，可以形成柱狀部111。接下來，如圖3所示，通過對(duì)接觸層110、第2包層108、活性層106、第I包層104以及基板102進(jìn)行圖案化，形成第I槽部150以及第2槽部152。圖案化例如使用光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)來進(jìn)行。優(yōu)選槽部150、152的底面的位置設(shè)置在與活性層106的下表面的位置相比靠下。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中，槽部150、152的底面的位置設(shè)置在與基板102的上表面的位置相比靠下。接著，如圖2所示，以覆蓋柱狀部111的側(cè)面的方式形成絕緣層116。具體而言，首先，通過例如CVD(Chemical Vapor Deposition)法、涂覆法等,在第2包層108的上方(包含接觸層110上)形成絕緣部件(未圖示)。接下來，使用例如蝕刻技術(shù)等，使接觸層110的上表面113露出。根據(jù)以上エ序，可以形成絕緣層116。而且，在本エ序中，也可以用絕緣層埋入第I槽部150以及第2槽部152。另外，例如也可以通過用抗蝕劑膜(未圖示)等覆蓋槽部150，152的區(qū)域，而不使絕緣層埋入槽部150、152中。接下來，在接觸層110上以及絕緣層116上形成第2電極114。例如利用光刻技術(shù)使用抗蝕劑膜(未圖示)等覆蓋規(guī)定的區(qū)域后，通過進(jìn)行真空蒸鍍法以及剝離法，使第2電極114形成為所希望的形狀。此外，為了使形成了槽部150、152的區(qū)域不因在槽部中進(jìn)入電極材料而短路，例如優(yōu)選使用抗蝕劑膜等覆蓋比槽部150、152寬的區(qū)域。接下來，在基板102的下表面下形成第I電極112。第I電極112例如通過真空蒸鍍法形成。而且，對(duì)第I電極112以及第2電極114的形成順序不進(jìn)行特別限定。根據(jù)以上エ序，可以制造本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100。根據(jù)發(fā)光裝置100的制造方法，可以得到放射圖案良好、實(shí)現(xiàn)小型化且可以増大形成多個(gè)光出射面的間隔的發(fā)光裝置100。3.發(fā)光裝置的變形例接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。以下，在本實(shí)施方式的變形例的發(fā)光裝置中，對(duì)具有與本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的構(gòu)成部件相同的功能的部件賦予相同的標(biāo)記，并省略其詳細(xì)的說明。3. I.第I變形例的發(fā)光裝置首先，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置200的俯視圖。此外，在圖6中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。在發(fā)光裝置100的例子中，如圖I所示，具有曲率的增益部分162、172與第I面130連接。與此相對(duì)，在發(fā)光裝置200中，如圖6所示，直線狀的增益部分166、176與第I面130連接。S卩，第I増益區(qū)域160具有從第I面130至第I増益部分162設(shè)置成直線狀的第5增益部分(第5部分)166。換句話說，第5增益部分166構(gòu)成第I增益區(qū)域160的第I端 面190。第5增益部分166相對(duì)垂線P向ー側(cè)(例如第3面134側(cè))以第I角度a I傾斜。第5増益部分166與圓弧狀的第I増益部分162平滑地連接。例如，第5増益部分166被設(shè)置成與第I増益部分162的邊界上的點(diǎn)的切線平行。第2増益區(qū)域170具有從第I面130至第2増益部分172被設(shè)置成直線狀的第6増益部分(第6部分)176。換句話說，第6増益部分176構(gòu)成第2増益區(qū)域170的第3端面192。第6增益部分176相對(duì)垂線P向另ー側(cè)(例如第4面136側(cè))以第2角度a 2傾斜。第6增益部分176與圓弧狀的第2增益部分172平滑連接。例如，第6增益部分176被設(shè)置成與第2増益部分172的邊界上的點(diǎn)的切線平行。増益部分166、176可以相對(duì)垂線P對(duì)稱地配置。根據(jù)發(fā)光裝置200，如上述那樣，直線狀的増益部分166、176構(gòu)成設(shè)置在第I面130上的端面190、192。因此，在發(fā)光裝置200中，與發(fā)光裝置100的例子相比，可以更加可靠地，使在第I増益區(qū)域中產(chǎn)生且在第I面130上反射的光入射至第2増益區(qū)域，使在第2増益區(qū)域中產(chǎn)生且在第I面130上反射的光入射至第I増益區(qū)域。3. 2.第2變形例的發(fā)光裝置接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖7是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置300的俯視圖。圖8是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置300的剖面圖，是圖7的VII-VII線剖面圖。圖9是示意性地表示本實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置300的剖面圖，是圖7的VIII-VIII線剖面圖。而且，在圖7中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。在發(fā)光裝置100的例子中，如圖2所示，柱狀部111由接觸層110和第2包層108的一部分構(gòu)成。與此相對(duì)，在發(fā)光裝置300中，如圖8所示，形成増益部分162、172的平面形狀的柱狀部111由接觸層110、第2包層108、活性層106、第I包層104、基板102的一部分構(gòu)成。此外，雖未圖示，但形成増益部分162、172的平面形狀的柱狀部111例如可以由接觸層110、弟2包層108、活性層106、弟I包層104構(gòu)成。作為絕緣層116，如上述那樣，可以使用SiN層、SiO2層、SiON層、Al2O3層等的電介質(zhì)絕緣層、聚酰亞胺層等的紫外線固化樹脂層或者熱固化樹脂層，也可以對(duì)它們進(jìn)行層疊來作為絕緣層116。此外，若考慮對(duì)増益部分162、172的有效折射率和圖8中的避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率設(shè)置規(guī)定的差，則作為絕緣層116，優(yōu)選使用與柱狀部111的折射率的差較大的電介質(zhì)絕緣層。例如，可以首先用CVD法、濺射法對(duì)電介質(zhì)絕緣層進(jìn)行成膜后，通過涂覆法形成聚酰亞胺層來作為絕緣層116。由此，與較厚地對(duì)電介質(zhì)絕緣層進(jìn)行成膜來作為絕緣層116的情 況相比，可以容易地(短時(shí)間地)形成絕緣層116。根據(jù)發(fā)光裝置300，與發(fā)光裝置100相比，可以使增益部分162、172的有效反射率和避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率的差較大(可以為所希望的值)，可以更加高效地對(duì)增益部分162、172內(nèi)的光進(jìn)行傳播。此外，如圖9所示，優(yōu)選形成直線狀的増益部分164、174的平面形狀的柱狀部111由接觸層110、第2包層108的一部分構(gòu)成。假設(shè)，如圖8所示，若形成増益部分164、174的平面形狀的柱狀部111由接觸層110、第2包層108、活性層106、第I包層104、基板102的一部分構(gòu)成，則以高階模式(橫截增益區(qū)域的方向(在水平面內(nèi)，與傳播方向垂直的方向)的波數(shù)更大的模式)在增益區(qū)域160、170中傳播，放射圖案惡化。另外，也可以不設(shè)置絕緣層116?？梢詫⒔^緣層116理解為空氣。在不設(shè)置絕緣層116的情況下，可以使增益部分162、172的有效折射率和圖8中的避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率的差變大(空氣的折射率約為I. 0，SiN的折射率約為2. I)。但相應(yīng)地，圖8中的避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率和圖9中的避開增益區(qū)域160、170的部分的有效折射率的差也變大，例如，在從第3增益部分164向第I增益部分162入射光吋，存在反射的光的比例變大的情況。因此，存在光損失變大的情況。因此，優(yōu)選設(shè)置由SiN層等構(gòu)成的絕緣層116。3. 3.第3變形例的發(fā)光裝置接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖10是示意性地表示本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置400的俯視圖。圖11是示意性地表示本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置400的剖面圖，是圖10的XII-XII線剖面圖。此外，在圖10中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。在發(fā)光裝置100的例子中，如圖I所示，第3増益區(qū)域180的光諧振器是通過制作槽部150、152而形成第5端面195、第6端面196、且在第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光利用第3増益區(qū)域的有效折射率和槽部的有效反射率的差進(jìn)行反射的、端面反射型的光諧振器。與此相對(duì)，如圖10所示，本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置400的第3増益區(qū)域180的光諧振器可以是分布反饋型(也可以說是DFB型)的光諧振器。更具體而言，在本實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置400中，如圖11所示，高折射率區(qū)域440和低折射率區(qū)域442朝向第3増益區(qū)域的延伸方向(傳播方向)周期性地形成在夾在第5端面以及第6端面的區(qū)域的、第I包層、活性層以及第2包層中的至少ー個(gè)層上。由此，在第3増益區(qū)域中產(chǎn)生、且在第3増益區(qū)域中傳播的光可以在高折射率區(qū)域和低折射率區(qū)域的各界面上，朝180度方向(與傳播方向相反的方向)折回。向與該傳播方向相反的方向折回的光可以再次向傳播方向(原行進(jìn)方向)折回。即，第3増益區(qū)域可以是在高折射率區(qū)域440和低折射率區(qū)域442的各界面上，通過折回多重反射光的、分布反饋型的光諧振器。為了形成這樣的分布反饋型的光諧振器，需要適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)高折射率區(qū)域440以及低折射率區(qū)域442的延伸方向的長(zhǎng)度dH、4。具體而言，將活性層產(chǎn)生的光的中心波長(zhǎng)設(shè)為A、將構(gòu)成高折射率區(qū)域的部分的層疊體120的垂直剖面的有效折射率設(shè)為nH，將構(gòu)成低折射率區(qū)域的部分的層疊體120的垂直剖面的有效折射率設(shè)為&，例如可以為dH = (2mH+l)入/(4nH), dL = (2mL+l) A /(4nL)程度。mH、1 為0以上的整數(shù)。由此,可以以\附近的至多2個(gè)波長(zhǎng)X K1、A K2諧振。例如,在mH = 1 = 0時(shí),可以以滿足2 A / (nH+nL) < A K1、入K2<2nH A/(nH+nL)的波長(zhǎng)XK1、入⑵諧振。具體的諧振波長(zhǎng)XK1、Xk2可以通過進(jìn)行轉(zhuǎn)移矩陣法、FDTD (Finite Difference Time Domain)法、平面波展開法等的數(shù)值分析方法而進(jìn)行分析。在諧振波長(zhǎng)Xki、入K2包括在活性層產(chǎn)生的光的波段(也取決于發(fā)光材料，但通常在入土數(shù)十nm左右)的范圍內(nèi)，可以通過數(shù)值分析對(duì)高折射率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的延伸方向的長(zhǎng)度dH，dL進(jìn)行適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。高折射率區(qū)域440以及低折射率區(qū)域442例如可以通過下述方法制作。首先，利用MOCVD法等對(duì)第I包層以及活性層進(jìn)行成長(zhǎng)后，生長(zhǎng)與之后生長(zhǎng)的第2包層相比為高折射率的層。接下來，通過曝光干涉技術(shù)、液浸曝光技木、EB光刻技術(shù)或納米壓印光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)進(jìn)行圖案化，之后使成為高折射率區(qū)域的部分以外的活性層露出。而且，再次通過MOCVD法等，使第2包層以及接觸層進(jìn)行生長(zhǎng)。由此，層疊體120的剩下的與第2包層相比為高折射率的層的部分的垂直剖面的有效折射率與對(duì)與第2包層相比為高折射率的層進(jìn)行蝕刻的部分的垂直剖面的有效折射率相比變高。以下的エ序與制作發(fā)光裝置100的方法 相同。如上所述，可以制成高折射率區(qū)域和低折射率區(qū)域。此外，制作高折射率區(qū)域440以及低折射率區(qū)域442的方法不限于此，例如可以在對(duì)第I包層、活性層、第2包層進(jìn)行生長(zhǎng)后，通過對(duì)第2包層進(jìn)行圖案化而形成。可以根據(jù)發(fā)光材料、包層的種類、高折射率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的長(zhǎng)度dH、dp高折射率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的折射率nH、nL等，進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?。在發(fā)光裝置100中，第3増益區(qū)域180是端面反射型的光諧振器。因此，在第5端面以及第6端面中反射的光與在第I増益區(qū)域或者第2増益區(qū)域內(nèi)傳播的光耦合，從第2端面或者第4端面射出，在第5端面以及第6端面中透過的光成為損失。與此相対，在發(fā)光裝置400中，第3増益區(qū)域180是分布反饋型的光諧振器。因此，通過多重反射，更多的光在到達(dá)第3増益區(qū)域的端面195、196之前，與在第I増益區(qū)域或第2増益區(qū)域內(nèi)傳播的光耦合，從第2端面或者第4端面射出。即，可以降低端面的透過損失。即，與發(fā)光裝置100比較，實(shí)現(xiàn)高輸出化，并且可以增大所形成的光出射部的間隔。3.4.第4變形例的發(fā)光裝置接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖12是示意性地表示本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置500的俯視圖。圖13是示意性地表示本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置500的剖面圖，是圖12的XIII-XIII線剖面圖。此外，在圖12中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。在發(fā)光裝置100的例子中，如圖I所示，第3増益區(qū)域180的光諧振器是通過制作槽部150、152來形成第5端面195、第6端面196、且在第3增益區(qū)域180中產(chǎn)生的光利用第3増益區(qū)域的有效折射率和槽部的有效反射率的差反射的、端面反射型的光諧振器。與此相対，如圖12所示，本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置500的第3増益區(qū)域180的光諧振器可以是在第5端面195、第6端面196的外側(cè)形成了分布布拉格反射鏡(也稱DBR)的、分布反射型的光諧振器。更具體而言，在本實(shí)施方式的第4變形例的發(fā)光裝置500中，如圖13所示，高折射率區(qū)域540和低折射率區(qū)域542沿第3増益區(qū)域的延伸方向(傳播方向)周期性地形成在夾在第5端面以及第6端面的區(qū)域的外側(cè)的、第I包層、活性層以及第2包層中的至少ー層上。由此，在第3増益區(qū)域中產(chǎn)生且朝第5端面在第3増益區(qū)域中傳播的光可以在第5端面的外側(cè)的高折射率區(qū)域和低折射率區(qū)域的各界面上，朝向180度方向(與傳播方向相反的方向)折回。朝向與該傳播方向相反的方向折回的光的一部分可以朝向第6端面在第3增益區(qū)域內(nèi)中傳播。而且，朝向與傳播方向相反的方向折回的光的一部分也可以再次朝向傳播傳播方向(原傳播方向)折回。這樣，朝向第5端面在第3増益區(qū)域中傳播的光在高折射率區(qū)域540和低折射率區(qū)域542的各界面上，通過折回反復(fù)多重反射，最終幾乎全部的光被反射在第6端面方向上。即，高折射率區(qū)域540和低折射率區(qū)域542可以構(gòu)成DBR。同樣，在第3増益區(qū)域中產(chǎn)生且朝向第6端面在第3増益區(qū)域中傳播的光可以在高折射率區(qū)域540和低折射率區(qū)域542的各界面上，通過折回反復(fù)多重反射，最終幾乎全部的光被反射在第5端面方向上。S卩，第3増益區(qū)域可以是在形成于第5端面的外側(cè)的DBR和形成于第6端面的外側(cè)的DBR之間多重反射光的、分布反射型的光諧振器。 為了形成這樣的、分布反射型的光諧振器，需要適當(dāng)設(shè)計(jì)高折射率區(qū)域540以及低折射率區(qū)域542的延伸方向的長(zhǎng)度dH、も。具體而言，將活性層產(chǎn)生的光的中心波長(zhǎng)設(shè)為入，將構(gòu)成高折射率區(qū)域的部分的層疊體120的垂直剖面的有效折射率設(shè)為nH，將構(gòu)成低折射率區(qū)域的部分的層疊體120的垂直剖面的有效折射率設(shè)為，例如可以為dH = (2mH+l)入/(4nH), dL = (2mL+l)入/(4nL)程度。mH、1 是0以上的整數(shù)。由此,若將活性層產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)寬度設(shè)為A X，將第3増益區(qū)域的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)3，則可以以滿足入-AX/2彡A彡A + A A /2的、多個(gè)諧振波長(zhǎng)入伽=2nL3/m (n是第3增益區(qū)域的有效折射率，m是正整數(shù))諧振。A A也取決于發(fā)光材料，為數(shù)十nm左右。高折射率區(qū)域540以及低折射率區(qū)域542例如可以通過與發(fā)光裝置100中的槽部150、152相同的方法制成。具體而言,與槽部150、152相同,可以通過利用光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)對(duì)成為低折射率區(qū)域542的區(qū)域進(jìn)行圖案化，來形成低折射率區(qū)域542。此時(shí)，在周期性地形成的低折射率區(qū)域542間的、未被蝕刻而保留的區(qū)域成為高折射率區(qū)域540。低折射率區(qū)域542與槽部150、152相同，也可以在形成絕緣層116時(shí)，被絕緣層116埋入，也可以通過使用抗蝕劑膜(未圖示)等進(jìn)行覆蓋，而不用絕緣層埋入。此外，制作高折射率區(qū)域540以及低折射率區(qū)域542的方法不限于此，例如，與第3變形例相同，雖取決于高折射率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的長(zhǎng)度dH、も，但也可以將曝光干渉技術(shù)、液浸曝光技木、EB光刻技術(shù)或者納米壓印光刻技術(shù)等用于圖案化。另外，也可以與槽部150、152同樣地形成槽部后，通過利用CVD法、濺射法、斜方蒸鍍法等，從側(cè)面交互層疊高折射率材料和低折射材料，來形成高折射率區(qū)域540以及低折射率區(qū)域542?？梢愿鶕?jù)發(fā)光材料、包層的種類、高屈折率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的長(zhǎng)度dH、dp高折射率區(qū)域以及低折射率區(qū)域的折射率nH、nL等，進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?。在發(fā)光裝置100中，第3増益區(qū)域180是端面反射型的光諧振器。因此，在第5端面以及第6端面中反射的光與在第I増益區(qū)域或者第2増益區(qū)域中傳播的光耦合，從第2端面或者第4端面射出，在第5端面以及第6端面中透過的光成為損失。與此相對(duì)，在發(fā)光裝置500中，由于可以在高折射率區(qū)域540和低折射率區(qū)域542的各界面，通過折回反復(fù)多重反射，最終幾乎使全部的光反射，因此，可以降低透過損失。即，發(fā)光裝置500與發(fā)光裝置100進(jìn)行比較，可以實(shí)現(xiàn)高輸出化，可以增大所形成的光出射部的間隔。圖14(a)、(b)是示意性地表示從發(fā)光裝置輸出的光的頻譜形狀的圖，縱軸表示輸出光強(qiáng)度，橫軸表不波長(zhǎng)。在發(fā)光裝置400中，第3增益區(qū)域180是分布反饋型的光諧振器。因此，僅在至多2個(gè)波長(zhǎng)\ K1、A E2中諧振，從發(fā)光裝置400·的第2端面以及第4端面射出的光20、22的頻譜形狀與在SLD區(qū)域中產(chǎn)生的光耦合，成為圖14(a)示意的形狀。與此相対，在發(fā)光裝置500中，第3増益區(qū)域180是分布反射型的光諧振器。因此，可以以滿足入-A X/2彡A ( X+A X/2的、多個(gè)諧振波長(zhǎng)入^ =是第3増益區(qū)域的有效折射率，m是正整數(shù))諧振。因此，認(rèn)為從發(fā)光裝置500的第2端面以及第4端面射出的光20,22的頻譜形狀與在SLD區(qū)域中產(chǎn)生的光配合，成為圖14(b)示意的形狀。因此，與僅特定的諧振波長(zhǎng)的光強(qiáng)度較強(qiáng)的發(fā)光裝置400的情況進(jìn)行比較，發(fā)光裝置500可以包含多個(gè)諧振波長(zhǎng)的光，可以提高非相干性。即，發(fā)光裝置500與發(fā)光裝置400比較，可以減少斑點(diǎn)噪聲，且可以增大所形成的光出射部的間隔。3.5.第5變形例的發(fā)光裝置接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第5變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖15是示意性地表示本實(shí)施方式的第5變形例的發(fā)光裝置600的俯視圖。如圖I所示，在發(fā)光裝置100的例子中，沿著作為第I増益區(qū)域以及第2増益區(qū)域的直線狀的増益部分的第3増益部分164以及第4増益部分174，設(shè)置有第3増益區(qū)域180。更具體而言，第3増益區(qū)域180沿著第3増益部分164或者第4増益部分174被平行地設(shè)置成直線狀。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的第5變形例的發(fā)光裝置600中，如圖15所示，沿著作為第I増益區(qū)域以及第2増益區(qū)域的具備曲率的増益部分的第I増益部分162以及第2増益部分172，設(shè)置有第3増益區(qū)域180。更具體而言，發(fā)光裝置600中的第3増益區(qū)域180具備曲率，以沿其切線方向引出的中心線和沿第I増益部分162或者第2増益部分172的切線方向引出的中心線之間的距離恒定的方式，設(shè)置有第3増益區(qū)域180。第3増益區(qū)域和第I増益部分或者第2増益部分之間的距離L也取決于增益區(qū)域以及避開增益區(qū)域的部分的有效折射率，例如是從IOOnm到増益區(qū)域的寬度(數(shù)um至數(shù)十um)的2倍左右。例如在第I増益部分以及第2増益部分172具有圓弧形狀的情況下，第3増益區(qū)域180的形狀可以是與第I増益部分162或者第2増益部分172同心圓狀的圓弧的形狀。更具體而言，在第I増益部分162具有以點(diǎn)01為中心的圓弧的形狀，第2増益部分172具有以點(diǎn)02為中心的圓弧的形狀的情況下，第3增益區(qū)域180可以具有與點(diǎn)01或者點(diǎn)02為中心的曲率半徑不同的圓弧形狀。在發(fā)光裝置600中，第5端面195以及第6端面196也可以形成為與第3増益區(qū)域的延伸方向垂直。例如，在第3増益區(qū)域具有圓弧形狀的情況下，第5端面195以及第6端面196可以形成為與徑向平行。由此，在第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生的光可以在第5端面195和第6端面196之間多重反射。即，第3増益區(qū)域180可以構(gòu)成光諧振器。使用了這樣的具備曲率的第3增益區(qū)域180的情況也與發(fā)光裝置100相同，在第3増益區(qū)域180中產(chǎn)生且在第3増益區(qū)域180內(nèi)諧振的光可以與在第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170內(nèi)傳播的光高效地耦合。該耦合后的光與發(fā)光裝置100的情況相同，可以從第2端面191以及第4端面193射出。即，是與未形成第3増益區(qū)域180的情況相同的光出射部的間隔，與未形成第3増益區(qū)域情況比較，可以進(jìn)行高輸出化。在發(fā)光裝置600中，第3増益區(qū)域180具備曲率，沿著第I増益部分或第2増益部分形成。因此，在第I増益區(qū)域以及第2増益區(qū)域中的第I増益部分或者第2増益部分的長(zhǎng)度比第3増益部分或者第4増益部分的長(zhǎng)度長(zhǎng)的情況下，與發(fā)光裝置100相比，可以容易地増大形成第3増益區(qū)域180的長(zhǎng)度。因此，該情況下，與發(fā)光裝置100比較，可以容易地進(jìn)行高輸出化。3. 6.第6變形例的發(fā)光裝置接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第6變形例的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖16是示意性地表示本實(shí)施方式的第6變形例的發(fā)光裝置700的俯視圖。此外，在圖16中，為方便起見，省略第2電極114的圖示。在發(fā)光裝置100的例子中，如圖I所示，第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170僅被各設(shè)置ー個(gè)，沿該第I増益區(qū)域160或者第2増益區(qū)域170設(shè)置了第3増益區(qū)域180。 與此相對(duì)，在發(fā)光裝置700中，如圖16所示，第I増益區(qū)域160以及第2増益區(qū)域170分別被設(shè)置多個(gè)，沿著這些多個(gè)第I増益區(qū)域160或者多個(gè)第2増益區(qū)域170也設(shè)置有第3增益區(qū)域180。S卩，第I増益區(qū)域160、第2増益區(qū)域170以及第3増益區(qū)域180可以構(gòu)成増益區(qū)域組750，在發(fā)光裝置700中，設(shè)置有多個(gè)增益區(qū)域組750。在圖示的例子中，設(shè)置有3個(gè)增益區(qū)域組750，但對(duì)其數(shù)量不進(jìn)行特別限定。多個(gè)增益區(qū)域組750沿與垂線P的延伸方向正交的方向排列。更具體而言，在彼此相鄰的増益區(qū)域組750中，以一方的増益區(qū)域組750的第4端面193和另一方的増益區(qū)域組750的第2端面191的間隔為D的方式(成為光出射部的間隔的方式)排列。由此，可以使光20、22容易地入射至后述的透鏡陣列。根據(jù)發(fā)光裝置700，與發(fā)光裝置100的例子相比，可以實(shí)現(xiàn)高輸出化。4.投影儀接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的投影儀進(jìn)行說明。圖17是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀900的圖。圖18是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀900的一部分的圖。此夕卜，在圖17中，為方便起見，省略構(gòu)成投影儀900的殼體，還簡(jiǎn)單化圖示光源800。另外，在圖18中，為方便起見，對(duì)光源800、透鏡陣列902以及液晶光閥904進(jìn)行圖示，另外簡(jiǎn)單化圖示光源800。如圖17所示，投影儀900包含射出紅色光、綠色光、藍(lán)色光的紅色光源800R、綠色光源800G、藍(lán)色光源800B。光源800R、800G、800B具有本發(fā)明的發(fā)光裝置。在以下的例子中，對(duì)具有作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光裝置700的光源800R、800G、800B進(jìn)行說明。圖19是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀900的光源800的圖。圖20是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀900的光源800的圖19的XVII-XVII線剖面圖。如圖19以及圖20所示，光源800可以具有發(fā)光裝置700、基底810、輔助支架820。2個(gè)發(fā)光裝置700和輔助支架820可以構(gòu)成結(jié)構(gòu)體830。結(jié)構(gòu)體830被設(shè)置多個(gè)，如圖19所示，在與成為發(fā)光裝置700的射出面的端面191、193的排列方向(X軸向)正交的方向(Y軸向)上排列。結(jié)構(gòu)體830可以以X軸向的光出射部的間隔和Y軸向的光出射部的間隔相同的方式排列。由此，可以使從發(fā)光裝置700射出的光容易地入射至透鏡陣列902 上。構(gòu)成結(jié)構(gòu)體830的2個(gè)發(fā)光裝置700隔著輔助支架820配置。在圖19以及圖20所示的例子中，2個(gè)發(fā)光裝置700以第2電極114彼此經(jīng)由輔助支架820對(duì)置的方式配置。在輔助支架820的與第2電極114接觸的面上例如形成有布線。由此，可以向多個(gè)第2電極114的每ー個(gè)分別地供給電壓。作為輔助支架820的材質(zhì)，例如可以列舉氮化鋁、氧化鋁?；?10支承結(jié)構(gòu)體830。在圖20所示的例子中，基底810與多個(gè)發(fā)光裝置700的第I電極112連接。由此，基底810可以作為多個(gè)第I電極112的共用電極發(fā)揮功能。作為基底810的材質(zhì)，例如可以列舉銅、招。雖未圖不，但基底810可以經(jīng)由拍爾帖兀件與散熱片連接。此外，結(jié)構(gòu)體830的方式不限于圖19以及圖20所示的例子。例如，如圖21所示，構(gòu)成結(jié)構(gòu)體830的2個(gè)發(fā)光裝置700也可以是一方的發(fā)光裝置700的第I電極112和另ー方的發(fā)光裝置700的第2電極114隔著輔助支架820對(duì)置的方式配置。另外，如圖22所示， 可以以2個(gè)發(fā)光裝置700的第I電極112成為共用電極的方式配置。如圖17所示，投影儀900還包含透鏡陣列902R、902G、902B、透射式的液晶光閥(光調(diào)制裝置)904R、904G、904B、投影透鏡(投射裝置)908。從光源800R、800G、800B射出的光入射至各透鏡陣列902R、902G、902B。如圖18所示，透鏡陣列902可以在光源800側(cè)具有入射從光出射部191、193射出的光20、22的平坦面901。平坦面901與多個(gè)光出射部191、193對(duì)應(yīng)地被設(shè)置多個(gè)，以等間隔配置。通過平坦面901，可以使光20、22的光軸與液晶光閥904的照射面905正交。透鏡陣列902可以在液晶光閥904側(cè)具有凸曲面903。凸曲面903與多個(gè)平坦面901對(duì)應(yīng)地被設(shè)置多個(gè)，以等間隔配置。在平坦面901中變換光軸后的光20、22通過利用凸曲面903聚光或使擴(kuò)散角減小，可以被重疊(部分重疊)。由此，可以均勻性良好地照射液晶光閥904。如上所述，透鏡陣列902可以對(duì)從光源800射出的光20、22的光軸進(jìn)行控制，對(duì)光20、22進(jìn)行聚光。如圖17所示，由各透鏡陣列902R、902G、902B聚光的光入射至各液晶光閥904R、904G、904B。各液晶光閥904R、904G、904B分別根據(jù)圖像信息對(duì)入射的光進(jìn)行調(diào)制。而且，投影透鏡908對(duì)由液晶光閥904R、904G、904B形成的像進(jìn)行放大并投射至屏幕(顯示面)910上。另外，投影儀900可以包含將從液晶光閥904R、904G、904B射出的光合成并引導(dǎo)至投影透鏡908的正交ニ向色棱鏡(色光合成單元)906。由各液晶光閥904R、904G、904B調(diào)制后的3種顏色的光入射至正交ニ向色棱鏡906。該棱鏡使4個(gè)直角棱鏡相互貼合而形成，在其內(nèi)面十字狀地配置有反射紅色光的電介質(zhì)多層膜和反射藍(lán)色光的電介質(zhì)多層膜。由這些電介質(zhì)多層膜合成3種顏色的光,形成表示彩色圖像的光。而且，合成后的光通過作為投影光學(xué)系統(tǒng)的投影透鏡908投影到屏幕910上，并顯示放大后的圖像。根據(jù)投影儀900，具有放射圖案良好、實(shí)現(xiàn)小型化、可以將多個(gè)射出面的間隔設(shè)計(jì)成所希望的值的發(fā)光裝置700。因此，在投影儀900中，透鏡陣列902的對(duì)準(zhǔn)容易，可以均勻性良好地照射液晶光閥904。而且，可以提供實(shí)現(xiàn)了小型且高亮度化的投影儀。
此外，在上述的例子中，作為光調(diào)制裝置使用了透射式的液晶光閥，但可以使用液晶以外的光閥，也可以使用反射型的光閥。作為這樣的光閥，例如可以列舉反射型的液晶光閥、數(shù)字微鏡元件(Digital Micromirror Device)。另外,投射光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)成可以通過使用的光閥的種類進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?。另外，也可以將光?00適用于通過在屏幕上掃描來自光源800的光，在顯示面上顯示所希望的大小的圖像的圖像形成裝置，亦即具有掃描單元的掃描型的圖像顯示裝置(投影儀)的光源裝置。上述的實(shí)施方式以及變形例是ー個(gè)例子，但不限于這些。例如，也可以對(duì)各實(shí)施方式以及各變形例進(jìn)行適當(dāng)?shù)亟M合。
如上述那樣，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，可以進(jìn)行實(shí)體不脫離本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容以及效果的多種變形。因此，這樣的變形例包含在全部本發(fā)明的范圍內(nèi)。圖中符號(hào)說明10.光的一部分，20.光，22.光，100.發(fā)光裝置，102.基板，104.第
2層(第I包層)，106. 第I層(活性層)，108. 第3層(第2包層)，110 第4層(接觸層)，111...柱狀部，112...第I電極，113...第4層的上表面，114...第2電極，116.絕緣層，120.層疊體，130.第 I 面，132.第 2 面，134.第 3 面，136...第 4面，150...第I槽部，152...第2槽部，160...第I增益區(qū)域(第I區(qū)域)，162...第I增益部分(第I部分)，164. 第3增益部分(第3部分),166. 第5增益部分(第5部分)，170. 第2増益區(qū)域(第2區(qū)域)，172. 第2増益部分(第2部分)，174. 第4増益部分(第4部分)，176...第6増益部分(第6部分)，180...第3増益區(qū)域(第3區(qū)域)，190...第I端面，191...第2端面，192...第3端面，193...第4端面，195...第5端面，196...第6端面，200、300、400...發(fā)光裝置，440...高折射率區(qū)域，442...低折射率區(qū)域，500...發(fā)光裝置，540...高折射率區(qū)域，542...低折射率區(qū)域，600、700...發(fā)光裝置，750.増益區(qū)域組，800.光源，810.基底，820.輔助支架，830.結(jié)構(gòu)體，900.投影儀，901...平坦面，902...透鏡陣列，903...凸曲面，904...液晶光閥，905...照射面，906...正交ニ向色棱鏡，908. . 投影透鏡，910...屏幕。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包含 第I層，其通過注入電流而產(chǎn)生光，且形成該光的波導(dǎo)； 第2層和第3層，該第2層和第3層夾著上述第I層，且抑制上述光的漏出； 電極，其向上述第I層注入電流， 通過上述被注入的電流而得到的上述光的波導(dǎo)具有帯狀的第I區(qū)域、帯狀的第2區(qū)域以及帶狀的第3區(qū)域， 上述第I區(qū)域具備具有曲率的第I部分， 上述第2區(qū)域具備具有曲率的第2部分， 上述第I區(qū)域和上述第2區(qū)域與設(shè)置在上述第I層的側(cè)面的反射面上的反射部連接， 上述第3區(qū)域構(gòu)成諧振器， 上述第I區(qū)域以及上述第2區(qū)域中的至少ー個(gè)與上述第3區(qū)域之間的距離是產(chǎn)生消逝場(chǎng)耦合的距離， 第I光從與上述反射面對(duì)置的上述第I層的側(cè)面所設(shè)置的出射面上的上述第I區(qū)域的第I光出射部射出， 第2光從上述出射面上的上述第2區(qū)域的第2光出射部射出， 上述第I光和上述第2光以相同的方向射出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述反射部在上述第I層中產(chǎn)生的光的波段中具備比上述第I光出射部和上述第2光出射部的反射率高的反射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 從上述第I層和上述第2層的層疊方向觀察，上述第I區(qū)域相對(duì)于上述反射面的垂線向一側(cè)傾斜地與上述反射部連接， 從上述層疊方向觀察，上述第2區(qū)域相對(duì)于上述垂線向另ー側(cè)傾斜地與上述反射部連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第I區(qū)域相對(duì)于上述反射面的垂線以第I角度傾斜地與上述反射部連接， 上述第2區(qū)域相對(duì)于上述垂線以第2角度傾斜地與上述反射部連接， 上述第I角度和上述第2角度為臨界角以上且為相同的大小。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第I區(qū)域具有從上述第I部分至上述射出面被設(shè)置成直線狀的第3部分， 上述第2區(qū)域具有從上述第2部分至上述射出面被設(shè)置成直線狀的第4部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第I區(qū)域具有從上述反射部至上述第I部分被設(shè)置成直線狀的第5部分， 上述第2區(qū)域具有從上述反射部至上述第2部分被設(shè)置成直線狀的第6部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 從上述層疊方向觀察，上述第I部分以及上述第2部分具有圓弧形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 在上述第3區(qū)域的長(zhǎng)度方向的兩端形成有反射面。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干，上述第3區(qū)域形成構(gòu)成了分布反饋型的諧振器的周期構(gòu)造。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 在上述第3區(qū)域的長(zhǎng)度方向的兩端形成有分布布拉格反射型的諧振器。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至10中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第3區(qū)域與上述第I區(qū)域或上述第2區(qū)域之間的距離恒定。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至11中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第3區(qū)域與上述第I區(qū)域或上述第2區(qū)域平行。
13.根據(jù)權(quán)利要求I至12中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第3區(qū)域被設(shè)置有多個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求I至13中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第3區(qū)域具有折射率波導(dǎo)型的波導(dǎo)構(gòu)造。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至14中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 上述第I區(qū)域以及上述第2區(qū)域具有折射率波導(dǎo)型的波導(dǎo)構(gòu)造。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至15中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 在上述第3層的與上述第I層側(cè)相反的ー側(cè)形成有第4層， 該發(fā)光裝置具有與上述第2層電連接的第I電極和與上述第3層電連接且與上述第4層接觸的第2電極， 上述第I區(qū)域以及上述第2區(qū)域的形狀和上述第4層與上述第2電極之間的接觸面的形狀相同， 上述第4層是與上述第2電極歐姆接觸的層。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至16中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在干， 設(shè)置了上述反射部的側(cè)面是解理面。
18.ー種投影儀，其特征在于，包含 權(quán)利要求I至17中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置； 對(duì)從上述發(fā)光裝置射出的光進(jìn)行聚光的微透鏡； 根據(jù)圖像信息對(duì)由上述微透鏡聚光后的光進(jìn)行調(diào)制的光調(diào)制裝置；及 對(duì)通過上述光調(diào)制裝置形成的圖像進(jìn)行投射的投射裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及投影儀，該發(fā)光裝置包含第1層，其形成光的波導(dǎo)；第2層以及第3層，該第2層以及第3層夾著上述第1層；上述光的波導(dǎo)具有第1區(qū)域、第2區(qū)域以及第3區(qū)域，上述第1區(qū)域具備具有曲率的第1部分，上述第2區(qū)域具備具有曲率的第2部分，上述第1區(qū)域和上述第2區(qū)域與上述第1層的側(cè)面的反射部連接，上述第3區(qū)域構(gòu)成諧振器，上述第1區(qū)域以及上述第2區(qū)域中的至少一個(gè)與上述第3區(qū)域之間的距離是產(chǎn)生消逝場(chǎng)耦合的距離，從上述第1區(qū)域的光出射部射出的第1光和在從上述第2區(qū)域的光出射部射出的第2光以相同的方向射出。
文檔編號(hào)G03B21/00GK102738322SQ20121009814
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月6日
發(fā)明者望月理光 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社