專利名稱：反射型液晶顯示器的反射層的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法。
背景技術(shù)：
目前，在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,TFT-IXD)具有體積小、功耗低、制造成本低以及無福射等特點,在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，薄膜晶體管液晶顯示器通過幾伏的有效電壓驅(qū)動液晶分子，以使其作為光開關(guān)，改變光透射率而顯示信息。由于液晶分子本身并不能發(fā)光，因此需要獨立的光源，在液晶顯示器上設(shè)置一反射鏡，以使得液晶顯示器通過反射鏡使用環(huán)境光作為光源，該液晶顯示器為反射型液晶顯示器。此外，反射型液晶顯示器利用液晶的特性來省去背光源，進而降低功耗?，F(xiàn)有技術(shù)中反射型液晶顯示器的反射層采用生長高 反射的薄膜的方法來提高光的反射率，存在工藝流程多、反射率低以及成本高的問題。因此，需要提供一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，以形成高效的漫反射層。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，其包括提供一基板，基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域；利用光阻覆蓋基板上的非反射區(qū)域；將基板置于濺射腔體內(nèi)，在基板上的反射區(qū)域沉積反射金屬層；在濺射腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且利用射頻磁控濺射轟擊反射金屬層表面，使得反射金屬層表面與反應(yīng)氣體反應(yīng)產(chǎn)生金屬化合物，以形成反射層。其中，反射金屬層為Al-Ni合金層。其中，反應(yīng)氣體為N2，金屬化合物為A1N。其中，反應(yīng)氣體為O2，金屬化合物為Al2O3。其中，反應(yīng)氣體為Ar和N2的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10，O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為O.1-10。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是提供一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，其包括提供一基板，基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域；利用光阻覆蓋基板上的非反射區(qū)域；將基板置于濺射腔體內(nèi)，在基板上的反射區(qū)域沉積電極金屬層；向腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且沉積反射層金屬，使得反射層金屬在沉積到電極金屬層表面的過程中與反應(yīng)氣體生成金屬化合物，以形成反射層。其中，反射層金屬為Al。其中，反應(yīng)氣體為N2，金屬化合物為A1N。
其中，反應(yīng)氣體為O2，金屬化合物為Al2O3。其中，反應(yīng)氣體為Ar和N2的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10，O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為O.1-10。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的反射型液晶顯示器的反射層的制造方法通過射頻磁控濺射轟擊反射金屬層表面或者在腔體內(nèi)沉積反射層金屬，以形成凹凸不平的反射層，具有漫反射特性，并且本發(fā)明反射層的制造方法的工藝簡單，并且具有反射率高以及低成本的優(yōu)點。


圖I是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的反射層的制造方法的流程圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的反射層的基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是圖2中非反射區(qū)域覆蓋光阻的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的反射層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的反射層的制造方法的流程圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的反射層的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，該制造方法不僅可以應(yīng)用于反射型液晶顯示器，也可應(yīng)用于半穿半反型液晶顯示器等相關(guān)領(lǐng)域。下文將以該制造方法應(yīng)用于反射型液晶顯示器為例，對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細(xì)說明。請參見圖1，圖I是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的反射層的制造方法的流程圖。如圖I所示，本實施例所揭示的反射層的制造方法包括以下步驟步驟SI :提供一基板，基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域；步驟S2 :利用光阻覆蓋基板上的非反射區(qū)域；步驟S3 :將基板置于濺射腔體內(nèi)，在基板上的反射區(qū)域沉積反射金屬層；步驟S4 :在濺射腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且利用射頻磁控濺射轟擊反射金屬層表面，使得反射金屬層表面與反應(yīng)氣體反應(yīng)產(chǎn)生金屬化合物，以形成反射層。如圖2所示，步驟SI還包括在基板10上制造TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)器件11，其中，TFT器件11為非反射區(qū)域，在基板10的反射區(qū)域上設(shè)置有SiNx層15。在本實施例中，基板10優(yōu)選為玻璃。如圖3所示，在步驟S2中，利用光阻12覆蓋基板10上的TFT器件11。其中光阻12的厚度為2 8μπι。在步驟S3中，反射金屬層13沉積在反射區(qū)域的SiNx層15上，如圖4所示。其中，反射金屬層13為Al-Ni合金層。在步驟S4中，當(dāng)反應(yīng)氣體為N2時,利用射頻磁控濺射轟擊反射金屬層13的表面，以使反射金屬層13的表面與反應(yīng)氣體N2發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物Α1Ν，以形成反射層14。當(dāng)反應(yīng)氣體為O2時，利用射頻磁控濺射轟擊反射金屬層13的表面，以使反射金屬層13的表面與反應(yīng)氣體O2發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物Al2O3,以形成反射層14。在其他實施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員完全可以選取混合氣體作為反應(yīng)氣體，例如-Ar和N2的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10，O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為0. 1-10。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的反射型液晶顯示器的反射層制造方法，本實施例通過射頻磁控濺射轟擊反射金屬層 13的表面，以使反射金屬層13的表面與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物，且經(jīng)過轟擊的反射金屬層13，形成凹凸不平的反射層14，具有漫反射特性。請參見圖5，圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的反射層的制造方法的流程圖。如圖5所示，本實施例所揭示的反射層的制造方法包括以下步驟按照圖1-3所述的步驟S1-S2，利用光阻12將覆蓋基板10上的TFT器件11 ；步驟S31 :將基板10置于濺射腔體內(nèi)，在基板10上的反射區(qū)域沉積電極金屬層16 ；步驟S41 向腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且沉積反射層金屬，使得反射層金屬在沉積到電極金屬層16表面的過程中與反應(yīng)氣體生成金屬化合物，以形成反射層14。如圖6所示，在步驟S31中，電極金屬層16沉積在在反射區(qū)域的SiNx層15上。在步驟S41中，反射層金屬優(yōu)選為Al。當(dāng)反應(yīng)氣體為N2時，在電極金屬層16上沉積反射層金屬Al，以使反射層金屬Al與反應(yīng)氣體N2發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物AlN,以形成反射層14。當(dāng)反應(yīng)氣體為O2時,在電極金屬層16上沉積反射層金屬Al,以使反射層金屬Al與反應(yīng)氣體O2發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物Al2O3,以形成反射層14。在其他實施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員完全可以選取混合氣體作為反應(yīng)氣體，例如-Ar和N2的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10，O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為0. 1-10。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的反射型液晶顯示器的反射層制造方法，本實施例通過在腔體內(nèi)沉積反射層金屬Al，以使反射層金屬Al與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，生成具有高反射率的金屬化合物，形成凹凸不平的反射層14，具有漫反射特性。綜上所述，本發(fā)明的反射型液晶顯示器的反射層的制造方法通過射頻磁控濺射轟擊反射金屬層表面或者在腔體內(nèi)沉積反射層金屬，以形成凹凸不平的反射層，具有漫反射特性，并且本發(fā)明反射層的制造方法的工藝簡單，并且具有反射率高以及低成本的優(yōu)點。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括 提供一基板，所述基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域； 利用光阻覆蓋所述基板上的非反射區(qū)域； 將所述基板置于濺射腔體內(nèi)，在所述基板上的反射區(qū)域沉積反射金屬層； 在所述濺射腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且利用射頻磁控濺射轟擊所述反射金屬層表面，使得所述反射金屬層表面與所述反應(yīng)氣體反應(yīng)產(chǎn)生金屬化合物，以形成所述反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述反射金屬層為Al-Ni合盒層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為N2,所述金屬化合物為 A1N。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為O2，所述金屬化合物為 Al2O3O
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為-.Ar和N2的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，所述Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10,所述O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為0. 1-10。
6.一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括 提供一基板，所述基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域； 利用光阻覆蓋所述基板上的非反射區(qū)域； 將所述基板置于濺射腔體內(nèi)，在所述基板上的反射區(qū)域沉積電極金屬層； 向所述腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且沉積反射層金屬，使得所述反射層金屬在沉積到所述電極金屬層表面的過程中與所述反應(yīng)氣體生成金屬化合物，以形成所述反射層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述反射層金屬為Al。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為N2，所述金屬化合物為 A1N。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為O2，所述金屬化合物為 Al2O3O
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為Ar和隊的混合氣體或O2和N2的混合氣體，其中，所述Ar和N2的混合氣體中Ar和N2的比例范圍為0. 1-10,所述O2和N2的混合氣體中O2和N2的比例范圍為0. 1-10。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種反射型液晶顯示器的反射層的制造方法。其包括提供一基板，基板包括反射區(qū)域和非反射區(qū)域；利用光阻覆蓋基板上的非反射區(qū)域；將基板置于濺射腔體內(nèi)，在基板上的反射區(qū)域沉積反射金屬層；在濺射腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并且利用射頻磁控濺射轟擊反射金屬層表面，使得反射金屬層表面與反應(yīng)氣體反應(yīng)產(chǎn)生金屬化合物，以形成反射層。通過以上方式，本發(fā)明具有漫反射特性，并且本發(fā)明反射層的制造方法的工藝簡單，具有反射率高以及低成本的優(yōu)點。
文檔編號G02B5/08GK102707349SQ20121009284
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者王俊 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司