專利名稱：一種多臺光刻設(shè)備校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其涉及一種針對多臺光刻機(jī)的校正方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)在量產(chǎn)一個產(chǎn)品時，一個半導(dǎo)體工廠將會配有兩臺及以上相同型號的多臺光刻機(jī)組(光刻機(jī)+涂膠顯影機(jī))進(jìn)行同一工藝層的生產(chǎn)。由于每臺光刻機(jī)對同一層的尺寸并不能做到完全一致，這就需要調(diào)整曝光參數(shù)NA和sigma。目前，一般應(yīng)用中會用很多片晶圓進(jìn)行曝光參數(shù)的調(diào)整，一片晶圓對應(yīng)一個參數(shù)， 然后進(jìn)行曝光和測量。又要使用專用測試掩模板進(jìn)行圖形缺陷能力檢測，不同的產(chǎn)品又要重復(fù)相同的工作，這就導(dǎo)致了大量硅片的費(fèi)用，增加了工程師的工作量，費(fèi)時費(fèi)力，成本也較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)在校正多臺光刻設(shè)備中存在的問題，提供一種簡便的校正方法，利用校正掩模板和少量硅板測試達(dá)到匹配不同的光刻機(jī)組的目的，既省時省力，又節(jié)約成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種多臺光刻設(shè)備校正方法，該方法包括以下步驟 步驟1 將標(biāo)準(zhǔn)掩模板用標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)曝光標(biāo)準(zhǔn)硅片，所述標(biāo)準(zhǔn)掩模板上集成檢測圖形。步驟2 測量標(biāo)準(zhǔn)掩模板上檢測圖形的尺寸，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的尺寸基準(zhǔn)數(shù)據(jù)； 測量標(biāo)準(zhǔn)硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)。步驟3 用標(biāo)準(zhǔn)掩模板在待校正光刻機(jī)上曝光待校正硅片。步驟4:測量待校正硅片上檢測圖形的尺寸數(shù)據(jù)，并得出待校正光刻機(jī)的尺寸數(shù)據(jù)，測量待校正硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出待校正光刻機(jī)的缺陷數(shù)據(jù)。步驟5 比較標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)和待校正光刻機(jī)的尺寸基本數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)、缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)，根據(jù)數(shù)據(jù)比較結(jié)果調(diào)整待校正光刻機(jī)。在上述提供多臺光刻設(shè)備校正方法，其中所述檢測圖形包括線性檢測圖形、偏正效應(yīng)檢測圖形、T形二維圖形、缺陷檢測圖形。多種不同形狀的檢測圖形相互組合排列，可形成多種組合檢測圖形，用于滿足不同光刻設(shè)備的校正。在上述提供多臺光刻設(shè)備校正方法，其中所述檢測圖形包括一維圖形、二維圖形、 缺陷檢測圖形。多種不同形狀的檢測圖形相互組合排列，可形成多種組合檢測圖形，用于滿足不同光刻設(shè)備的校正。在上述提供多臺光刻設(shè)備校正方法，其中所述缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)包括曝光參數(shù)NA，Sigma。曝光參數(shù)NA和Sigma是校正光刻設(shè)備主要參考數(shù)據(jù)，在校正過程中，當(dāng)曝光參數(shù)NA和Sigma相吻合，可以認(rèn)為已完成校正。本發(fā)明提供的多臺光刻設(shè)備校正方法，通過少量的測試掩模板和硅片測試，達(dá)到匹配不同的光刻機(jī)組的目的，減少了生產(chǎn)費(fèi)用，設(shè)備使用及工作時間，使不同光刻機(jī)組達(dá)到匹配，保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。


圖1是本發(fā)明中曝光后應(yīng)用有不同曝光參數(shù)的硅片。圖2 (A) (F)是本發(fā)明中掩模板上用于校正的各種檢測圖形。圖3是本發(fā)明實(shí)施例中曝光參數(shù)曲線圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種多臺光刻設(shè)備校正方法，包括以下步驟步驟1 將標(biāo)準(zhǔn)掩模板用標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)曝光標(biāo)準(zhǔn)硅片，所述標(biāo)準(zhǔn)掩模板上集成檢測圖形。步驟2 測量標(biāo)準(zhǔn)掩模板上檢測圖形的尺寸，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的尺寸基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；測量標(biāo)準(zhǔn)硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)。步驟3 用標(biāo)準(zhǔn)掩模板在待校正光刻機(jī)上曝光待校正硅片。步驟4 測量待校正硅片上檢測圖形的尺寸數(shù)據(jù)，并得出待校正光刻機(jī)的尺寸數(shù)據(jù)，測量待校正硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出待校正光刻機(jī)的缺陷數(shù)據(jù)。步驟5 比較標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)和待校正光刻機(jī)的尺寸基本數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)、缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)，根據(jù)數(shù)據(jù)比較結(jié)果調(diào)整待校正光刻機(jī)。以下通過實(shí)施例對本發(fā)明提供多臺光刻設(shè)備校正方法做詳細(xì)說明以便更好理解本發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容，但本發(fā)明實(shí)施例并不限制本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍。先在制作一塊標(biāo)準(zhǔn)掩模板，在標(biāo)準(zhǔn)掩模板上集成圖形如圖2 (ΑΓ圖2 (F)所示的檢測圖形。圖2 (A)是Line proximity,圖2 (B)是space proximity,圖2 (C)是缺陷鑒定圖形，其中的 L/S=l:l。圖 2 (D)是 Line end linearity，圖 2 (E)是 ISO line linearity, 圖2 (F)是T形二維圖形。將標(biāo)準(zhǔn)掩模板用第一臺標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)曝光一塊標(biāo)準(zhǔn)硅片，標(biāo)準(zhǔn)硅片如圖1所示。在圖1中，標(biāo)準(zhǔn)硅片上網(wǎng)格分成若干個小方形區(qū)域，并分別編號。帶編號的區(qū)域(曝光shot) 一個數(shù)字代表一個曝光參數(shù)條件，可變化的條件總數(shù)會根據(jù)實(shí)際硅片的大小而變化。測量標(biāo)準(zhǔn)掩模板上檢測圖形的尺寸，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的尺寸基準(zhǔn)數(shù)據(jù)。測量整個標(biāo)準(zhǔn)硅片上缺陷的種類和數(shù)量情況，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)。用標(biāo)準(zhǔn)掩模板在待校正光刻機(jī)上曝光一張待校正硅片。測量待校正硅片上檢測圖形的尺寸數(shù)據(jù)，并得出待校正光刻機(jī)的尺寸數(shù)據(jù)，測量待校正硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出待校正光刻機(jī)的缺陷數(shù)據(jù)；
通過比較從標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)和待校正光刻機(jī)的尺寸基本數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)、缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)，調(diào)整待校正光刻機(jī)，使得校正后設(shè)備得到曝光參數(shù)曲線與標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的曝光參數(shù)曲線相吻合，圖3是由曝光參數(shù)所形成曲線圖，圖中標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的曝光參數(shù)NA和Sigma 和待校正的光刻機(jī)相互吻合，故可認(rèn)為已完成校正。本發(fā)明通過在同一片掩模板上集成各種圖形，如1D，2D和缺陷檢測圖形，通過在兩臺光刻機(jī)上曝光晶圓，測量這些圖形尺寸，檢測缺陷數(shù)量，然后挑選合適的曝光參數(shù)NA 和sigma，調(diào)整設(shè)備狀態(tài)，使兩臺光刻機(jī)組得到匹配的方法。通過一塊測試掩模板和極少量硅片測試，達(dá)到匹配不同的光刻機(jī)組的目的，省時省力，節(jié)約成本。
以上對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多臺光刻設(shè)備校正方法，其特征在于，包括以下步驟步驟1 將標(biāo)準(zhǔn)掩模板用標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)曝光標(biāo)準(zhǔn)硅片，所述標(biāo)準(zhǔn)掩模板上集成檢測圖形；步驟2 測量標(biāo)準(zhǔn)掩模板上檢測圖形的尺寸，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的尺寸基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；測量標(biāo)準(zhǔn)硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；步驟3 用標(biāo)準(zhǔn)掩模板在待校正光刻機(jī)上曝光待校正硅片；步驟4 測量待校正硅片上檢測圖形的尺寸數(shù)據(jù)，并得出待校正光刻機(jī)的尺寸數(shù)據(jù)，測量待校正硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出待校正光刻機(jī)的缺陷數(shù)據(jù)；步驟5 比較標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)和待校正光刻機(jī)的尺寸基本數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)、缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)，根據(jù)數(shù)據(jù)比較結(jié)果調(diào)整待校正光刻機(jī)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測圖形包括線性檢測圖形、偏正效應(yīng)檢測圖形、T形二維圖形、缺陷檢測圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測圖形包括一維圖形、二維圖形、缺陷檢測圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述檢測圖形相互排列組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括曝光參數(shù)NA，Sigma0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷數(shù)據(jù)包括曝光參數(shù)NA，sigma。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多臺光刻設(shè)備校正方法，包括以下步驟步驟1將標(biāo)準(zhǔn)掩模板用標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)曝光標(biāo)準(zhǔn)硅片，所述標(biāo)準(zhǔn)掩模板上集成檢測圖形；步驟2測量標(biāo)準(zhǔn)掩模板上檢測圖形的尺寸，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的尺寸基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；測量標(biāo)準(zhǔn)硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)的缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；步驟3用標(biāo)準(zhǔn)掩模板在待校正光刻機(jī)上曝光待校正硅片；步驟4測量待校正硅片上檢測圖形的尺寸數(shù)據(jù)，并得出待校正光刻機(jī)的尺寸數(shù)據(jù)，測量待校正硅片上缺陷的種類和數(shù)量，并得出待校正光刻機(jī)的缺陷數(shù)據(jù)；步驟5比較標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)和待校正光刻的尺寸基本數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)、缺陷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)，根據(jù)數(shù)據(jù)比較結(jié)果調(diào)整待校正光刻機(jī)。
文檔編號G03F7/20GK102566322SQ20121004739
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者戴韞青, 毛智彪, 王劍 申請人:上海華力微電子有限公司