專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，詳細(xì)而言，涉及為了改善視角特性、一個像素被分割為多個子像素的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為液晶顯示裝置的一種驅(qū)動方式，歷來已知有“通過由多個(典型的是兩個)子像素構(gòu)成一個像素，以使得這多個子像素的亮度成為相互不同的亮度的方式驅(qū)動液晶”的方式(以下，稱為“像素分割方式”)。該像素分割方式是為了改善液晶顯示裝置的視角特性而采用的方式。圖49是示意地表示采用像素分割方式的現(xiàn)有的液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。如圖49所示，形成一個像素的像素形成部93包括兩個子像素部(第一子像素部 94和第二子像素部95)。兩個子像素部(94、95)包括柵極電極與掃描信號線GL連接并且源極電極與數(shù)據(jù)信號線SL連接的晶體管(T1、T2);與該晶體管(T1、T2)的漏極電極連接的像素電極(El、Ε2);由作為對置電極被施加一定的電位COM的共用電極41和像素電極(El、Ε2)形成的液晶電容(Clcl、Clc2);和由像素電極(Ε1、Ε2)和保持電容配線(CS1、CS2)形成的保持電容(Ccsl、ccs2)。在這樣的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)掃描信號線GL成為選擇狀態(tài)時，晶體管Tl、T2成為導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。因為晶體管Tl的源極電極和晶體管T2的源極電極與相同的數(shù)據(jù)信號線SL連接，所以第一子像素部94內(nèi)的像素電極El的電位與第二子像素部95內(nèi)的像素電極E2的電位相等。之后，當(dāng)使保持電容配線CS1、CS2中的一根保持電容配線的電位上升、使另一根保持電容配線的電位下降時，像素電極El的電位和像素電極E2的電位向彼此相反的方向變動。由此，像素電極El和像素電極E2成為不同的電位，第一子像素部94和第二子像素部95成為不同的亮度。圖50是采用像素分割方式的現(xiàn)有的另一液晶顯示裝置的等效電路圖。如圖50上述，在該液晶顯示裝置中，像素形成部96也包括兩個子像素部(第一子像素部97和第二子像素部98)。在兩個子像素部(97、98)，作為共用的構(gòu)成要素，與圖49所示的例子同樣地包括晶體管(T1、T2)、像素電極(E1、E2)、液晶電容(Clcl、Clc2)和保持電容(Ccsl、Ccs2)。此處，第二子像素部98還包括柵極電極與第二掃描信號線G2L連接并且源極電極與像素電極E2連接的晶體管T3 ;與該晶體管T3的漏極電極連接的電容電極E3 ;和由電容電極E3和保持電容配線CS2形成的電容Ccs3。在這樣的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)掃描信號線GL為選擇狀態(tài)時，第一子像素部97內(nèi)的像素電極El的電位與第二子像素部98內(nèi)的像素電極E2的電位相等。之后，當(dāng)?shù)诙呙栊盘柧€G2L成為選擇狀態(tài)時，晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，電荷在像素電極E2與電容電極E3之間移動，像素電極E2的電位發(fā)生變動。其結(jié)果是，像素電極El和像素電極E2成為不同的電位，第一子像素部97和第二子像素部98成為不同的亮度。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-33218號公報
專利文獻(xiàn)2 日本特開2008-58941號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2008-65334號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題根據(jù)圖49所示的結(jié)構(gòu)，在顯示面板的周邊區(qū)域形成有規(guī)定根數(shù)的(典型的是12根)保持電容配線干線，配置在顯示區(qū)域的保持電容配線在周邊區(qū)域聚集于保持電容配線干線。即使在將保持電容配線CS1、CS2在圖中上下方向上連接的像素間共用的情況下，具體而言，在具有1080根掃描信號線GL的液晶顯示裝置設(shè)置有1080根保持電容配線，這1080根保持電容配線也在周邊區(qū)域例如聚集于12根保持電容配線干線。但是，一根保持電容配線干線的負(fù)載電容的大小為，由該保持電容配線干線與其它電極和/或配線形成的電容、和由與該保持電容配線干線連接的保持電容配線與其它電極和/或配線形成的電容的合計。即，一根保持電容配線干線的負(fù)載電容的大小很大程度地依賴于與該保持電容配線干線連接的保持電容配線的根數(shù)。此外，為了使像素電極的電位在第一子像素部94與第二·子像素部95不同，對保持電容配線進(jìn)行交流驅(qū)動。即，對保持電容配線干線也進(jìn)行交流驅(qū)動。因此，特別在大型的液晶顯示裝置中，產(chǎn)生起因于從外部被施加的信號電位的延遲的顯示品質(zhì)的下降。關(guān)于這一點，考慮為了防止信號電位的延遲而加大保持電容配線干線的寬度(配線圖案寬度)從而減小配線電阻的方式。但是，邊框尺寸會由于加大保持電容配線干線的寬度而變大，因此不能實現(xiàn)裝置的小型化。此外，根據(jù)圖50所示的結(jié)構(gòu)，由于以下的理由而不能保持充分的顯示品質(zhì)。當(dāng)?shù)诙呙栊盘柧€G2L成為選擇狀態(tài)時，晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)，由此，電荷在像素電極E2與電容電極E3之間移動。之后，當(dāng)晶體管T3成為斷開(OFF)狀態(tài)時，電容電極E3的電位在至晶體管T3下一次成為導(dǎo)通狀態(tài)為止的期間被保持。但是，因為在晶體管T2成為導(dǎo)通狀態(tài)時被施加至像素電極E2的電位根據(jù)顯示圖像的不同而不同，所以由于晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)而被施加至電容電極E3的電位也根據(jù)顯示圖像的不同而不同。即，在從晶體管T3成為斷開狀態(tài)起至晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)為止的期間被保持的電容電極E3的電位不是一定的電位。因此，晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)時的像素電極E2的電位的變動也不是一定的。因此，例如存在在第一子像素部97內(nèi)的像素電極El與第二子像素部98內(nèi)的像素電極E2之間不產(chǎn)生充分的電位差的情況。因此，本發(fā)明的目的在于，在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置中，不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小實現(xiàn)窄邊框化。用于解決問題的方式本發(fā)明的第一方面是一種液晶顯示裝置，其特征在于形成一個像素的像素形成部包括第一子像素部和第二子像素部，上述液晶顯示裝置包括多根數(shù)據(jù)信號線；與上述多根數(shù)據(jù)信號線交叉地設(shè)置且有選擇地被驅(qū)動的多根第一掃描信號線；以分別對應(yīng)于上述多根數(shù)據(jù)信號線與上述多根第一掃描信號線的交叉點的方式設(shè)置，形成像素矩陣的多個上述像素形成部；
與上述多根第一掃描信號線對應(yīng)地設(shè)置且有選擇地被驅(qū)動的多根第二掃描信號線.多根電位變動用電容配線；和共用電極，上述第一子像素部包括第一開關(guān)元件，上述第一開關(guān)元件的第一電極與上述第一掃描信號線連接，上述第一開關(guān)元件的第二電極與上述數(shù)據(jù)信號線連接，在上述第一掃描信號線被選擇時上述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)；和第一像素電極，其與上述第一開關(guān)元件的第三電極連接，且以在上述第一像素電極與上述共用電極之間形成電容的方式配置，·上述第二子像素部包括第二開關(guān)元件，上述第二開關(guān)元件的第一電極與上述第一掃描信號線連接，上述第二開關(guān)元件的第二電極與上述數(shù)據(jù)信號線連接，在上述第一掃描信號線被選擇時上述第二開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)；第二像素電極，其與上述第二開關(guān)元件的第三電極連接，且以在上述第二像素電極與上述共用電極之間形成電容的方式配置；第三開關(guān)元件，上述第三開關(guān)元件的第一電極與上述第二掃描信號線連接，上述第三開關(guān)元件的第二電極與一根上述電位變動用電容配線連接，在上述第二掃描信號線被選擇時上述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)；和電位變動用電容電極，其與上述第三開關(guān)元件的第三電極連接，且以在上述電位變動用電容電極與上述第二像素電極之間形成電容的方式配置，在各幀期間，與上述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。本發(fā)明的第二方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線按每一幀期間被施加不同的電位。本發(fā)明的第三方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述數(shù)據(jù)信號線與上述電位變動用電容配線之間。本發(fā)明的第四方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一掃描信號線和上述第二掃描信號線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述數(shù)據(jù)信號線與上述電位變動用電容配線之間。本發(fā)明的第五方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線和上述電位變動用電容配線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于相鄰的兩根上述數(shù)據(jù)信號線之間。
本發(fā)明的第六方面的特征在于，在本發(fā)明的第五方面，上述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的上述電位變動用電容電極，以在上述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的上述第一像素電極之間形成電容的方式配置，在上述像素矩陣的各列，配置于該各列的一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線與配置于該各列的另一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線，按每一行交替地與上述像素形成部內(nèi)的上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件的第二電極連接，與上述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行的下一行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。本發(fā)明的第七方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述數(shù)據(jù)信號線按上述像素矩陣的各列包括第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，上述電位變動用電容配線以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線和上述電位變動用電容配線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述第一數(shù)據(jù)信號線與上述第二數(shù)據(jù)信號線之間，在上述像素矩陣的各列，上述第一數(shù)據(jù)信號線與上述第二數(shù)據(jù)信號線按每一行交替地與上述像素形成部內(nèi)的上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件的第二電極連接，上述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的上述電位變動用電容電極，以在上述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的上述第一像素電極之間形成電容的方式配置，上述多根第一掃描信號線以兩根為一組地逐組依次被驅(qū)動，與構(gòu)成各組的兩根第一掃描信號線對應(yīng)的兩根第二掃描信號線，在構(gòu)成該各組的下一個被驅(qū)動的組的兩根第一掃描信號線被選擇之后被選擇。本發(fā)明的第八方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一行或每一列交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位。本發(fā)明的第九方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述液晶顯示裝置還包括被施加一定的電位的多根保持電容配線，在上述第一子像素部，由上述保持電容配線和上述第一像素電極形成電容， 在上述第二子像素部，由上述保持電容配線和上述第二像素電極形成電容。本發(fā)明的第十方面的特征在于，在本發(fā)明的第九方面中，上述保持電容配線以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。本發(fā)明的第^^一方面的特征在于，在本發(fā)明的第九方面中，上述保持電容配線以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。本發(fā)明的第十二方面的特征在于，在本發(fā)明的第十方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述數(shù)據(jù)信號線與上述電位變動用電容配線之間。本發(fā)明的第十三方面的特征在于，在本發(fā)明的第十方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述第一掃描信號線和上述第二掃描信號線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述數(shù)據(jù)信號線與上述電位變動用電容配線之間。本發(fā)明的第十四方面的特征在于，在本發(fā)明的第十方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容 配線，且以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線和上述電位變動用電容配線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于相鄰的兩根上述數(shù)據(jù)信號線之間。本發(fā)明的第十五方面的特征在于，在本發(fā)明的第十方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述數(shù)據(jù)信號線按上述像素矩陣的各列包括第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線和上述電位變動用電容配線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述第一數(shù)據(jù)信號線與上述第二數(shù)據(jù)信號線之間，在上述像素矩陣的各列，上述第一數(shù)據(jù)信號線和上述第二數(shù)據(jù)信號線按每一行交替地與上述像素形成部內(nèi)的上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件的第二電極連接，上述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的上述電位變動用電容電極，以在上述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的上述第一像素電極之間形成電容的方式配置，上述多根第一掃描信號線以兩根為一組地逐組依次被驅(qū)動，與構(gòu)成各組的兩根第一掃描信號線對應(yīng)的兩根第二掃描信號線，在構(gòu)成該各組的下一個被驅(qū)動的組的兩根第一掃描信號線被選擇之后被選擇。本發(fā)明的第十六方面的特征在于，在本發(fā)明的第i^一方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電 位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于上述數(shù)據(jù)信號線與上述電位變動用電容配線之間。本發(fā)明的第十七方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與上述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置，上述第一電位變動用電容配線和上述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與上述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置，在上述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位，在上述第一電位變動用電容配線被施加上述第二電位時，上述第二電位變動用電容配線被施加上述第一電位，上述第一掃描信號線以在上述像素矩陣的各行通過上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的方式配置，上述第二掃描信號線和上述電位變動用電容配線以在上述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置，上述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的上述第一像素電極和上述第二像素電極，配置于相鄰的兩根上述數(shù)據(jù)信號線之間，上述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的上述電位變動用電容電極，以在上述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的上述第一像素電極之間形成電容的方式配置，在上述像素矩陣的各列，配置于該各列的一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線和配置于該各列的另一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線，按每一行交替地與上述像素形成部內(nèi)的上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件的第二電極連接，與上述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行的下一行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。 本發(fā)明的第十八方面的特征在于，在本發(fā)明的第十七方面中，上述液晶顯示裝置還包括被施加一定的電位的多根保持電容配線，在上述第一子像素部，由上述保持電容配線和上述第一像素電極形成電容，在上述第二子像素部，由上述保持電容配線和上述第二像素電極形成電容，上述保持電容配線以在與上述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。 本發(fā)明的第十九方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，上述第一開關(guān)元件、上述第二開關(guān)元件和上述第三開關(guān)元件是包括金屬氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管。本發(fā)明的第二十方面的特征在于，在本發(fā)明的第十九方面中，驅(qū)動頻率為240Hz以上。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的第一方面，在構(gòu)成像素矩陣的各行，當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘柧€被選擇時，第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，第一像素電極的電位和第二像素電極的電位變得與數(shù)據(jù)信號的電位大致相等。即，第一像素電極的電位與第二像素電極的電位相等。之后，當(dāng)?shù)诙呙栊盘柧€被選擇時，第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，根據(jù)被施加至電位變動用電容配線的電位，與第三開關(guān)元件的第三電極連接的電位變動用電容電極的電位發(fā)生變動。因為第二像素電極與電位變動用電容電極電容耦合，所以起因于電位變動用電容電極的電位的變動，第二像素電極的電位也發(fā)生變動。其結(jié)果是，第一像素電極的電位和第二像素電極的電位成為不同的電位。此處，即使在各幀期間直流驅(qū)動電位變動用電容配線，也能夠如上述那樣將第一像素電極的電位和第二像素電極的電位設(shè)為不同的電位。因此，即使將在顯示面板的周邊區(qū)域形成的配線干線的寬度設(shè)置得窄，也幾乎不發(fā)生起因于信號電位的延遲的顯示品質(zhì)的下降。根據(jù)以上說明，在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠在所有的幀期間得到通過像素分割方式實現(xiàn)的效果，因此能夠最大限地改善視角特性。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，電位變動用電容配線以在與數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。因此，數(shù)據(jù)信號線與電位變動用電容配線不交叉，數(shù)據(jù)信號線的負(fù)載變得比較小。由此，在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，能夠得到與本發(fā)明的第三方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，電位變動用電容配線以在與第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。因此，第一掃描信號線和第二掃描信號線與電位變動用電容配線不交叉，第一掃描信號線和第二掃描信號線的負(fù)載變得比較小。由此，能夠抑制起因于掃描信號的延遲的顯示品質(zhì)的下降。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，由像素矩陣的各行的像素形成部內(nèi)的電位變動用電容電極和該各行的下一行的像素形成部內(nèi)的第一像素電極形成電容。此外，與像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行的下一行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。因此，在構(gòu)成像素矩陣的各行，由于第一掃描信號線被選擇而第二像素電極的電位與第二像素電極的電位變得相等，之后，與該各行的前一行對應(yīng)的第二掃描信號線被選擇，由此，通過電容，第一像素電極的電位發(fā)生變動。之后，與該各行對應(yīng)的第二掃描信號線被選擇，由此，第二像素電極的電位發(fā)生變動。其結(jié)果是，第一像素電極的電位與第二像素電極的電位成為不同的電位。根據(jù)以上說明，在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置中，能夠得到很大的視角特性改善的效果，并且能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，與本發(fā)明的第六方面同樣，在各像素形成部，在第一像素電極的電位與第二像素電極的電位變得相等之后，第一像素電極的電位和第二像素電極的電位的雙方發(fā)生變動。因此，在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置中，能夠得到很大的視角特性改善的效果，并且能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。此外，數(shù)據(jù)信號線包括第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，如果著眼于像素矩陣的各列，則像素形成部按每一行交替地與第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線連接。因此，一根 數(shù)據(jù)信號線要供給數(shù)據(jù)信號的像素形成部的個數(shù)成為在該液晶顯示裝置設(shè)置的掃描信號線的根數(shù)的2分之I。由此，能夠使液晶顯示裝置高速動作。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，能夠使由于第二掃描信號線被選擇而導(dǎo)致的第一像素電極的電位的變化的方向在相鄰的像素形成部之間不同。由此，能夠抑制顯示品質(zhì)的下降。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，在以可靠地在液晶電容保持電荷的方式或為了使饋通電壓穩(wěn)定而設(shè)置有電容(保持電容)的液晶顯示裝置，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，數(shù)據(jù)信號線與保持電容配線不交叉，數(shù)據(jù)信號線的負(fù)載比較小。由此，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠不使顯示品質(zhì)下降地實現(xiàn)高速驅(qū)動和通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)的窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，第一掃描信號線和第二掃描信號線與保持電容配線不交叉，第一掃描信號線和第二掃描信號線的負(fù)載變得比較小。由此，能夠抑制起因于掃描信號的延遲的顯示品質(zhì)的下降。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第三方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第三方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第五方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第七方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第一方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，能夠得到與本發(fā)明的第六方面同樣的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，在一個像素被分割為多個子像素且設(shè)置有保持電容的液晶顯示裝置，能夠得到與本發(fā)明的第六方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，在像素形成部內(nèi)的開關(guān)元件使用高遷移率的晶體管，因此，在像素形成部，向電容的充電被迅速地進(jìn)行。由此，能夠抑制起因于開關(guān)元件(晶體管)的充電能力不足的顯示品質(zhì)的下降。此外，能夠使開關(guān)元件(晶體管)的尺寸變小，能夠進(jìn)一步實現(xiàn)液晶顯示裝置的小型化。根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，在一個像素被分割為多個子像素且被進(jìn)行高速驅(qū)動的液晶顯示裝置，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。


圖I是用于對所有的實施方式中共通的想法進(jìn)行說明的等效電路圖。圖2是本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖3是上述第一實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖4是上述第一實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖5是上述第一實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖6A是圖5的A-A線截面圖。圖6B是圖5的B-B線截面圖。圖6C是圖5的C-C線截面圖。圖6D是圖5的D-D線截面圖。圖7是上述第一實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖8是對上述第一實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖9是對上述第一實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖10是本發(fā)明的第二實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖11是上述第二實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖12是上述第二實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖13A是圖12的A-A線截面圖。圖13B是圖12的B-B線截面圖。圖13C是圖12的C-C線截面圖。圖13D是圖12的D-D線截面圖。圖14是上述第二實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖15是本發(fā)明的第三實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖16是上述第三實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖17是上述第三實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖18是上述第三實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖19是本發(fā)明的第四實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖20是上述第四實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖21是上述第四實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖22A是圖21的A-A線截面圖。圖22B是圖21的B-B線截面圖。圖22C是圖21的C-C線截面圖。圖22D是圖21的D-D線截面圖。
圖23是上述第四實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖24是對上述第四實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖25是本發(fā)明的第五實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖26是上述第五實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖27是上述第五實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖28A是圖27的A-A線截面圖。圖28B是圖27的B-B線截面圖。圖28C是圖27的C-C線截面圖。圖28D是圖27的D-D線截面圖。圖29是上述第五實施方式的像素形成部的等效電路圖。
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圖30是對上述第五實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖31是對上述第五實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖32是對上述第五實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖33是對上述第五實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖34是上述第六實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖35是上述第六實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖36A是圖35的A-A線截面圖。圖36B是圖35的B-B線截面圖。圖36C是圖35的C-C線截面圖。圖36D是圖35的D-D線截面圖。圖37是上述第六實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖38是對上述第六實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖39是對上述第六實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖40是本發(fā)明的第七實施方式的有源矩陣基板的平面圖。圖41是上述第七實施方式中形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。圖42是上述第七實施方式中形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖43A是圖42的A-A線截面圖。圖43B是圖42的B-B線截面圖。圖43C是圖42的C-C線截面圖。圖43D是圖42的D-D線截面圖。圖44是上述第七實施方式的像素形成部的等效電路圖。圖45是對上述第七實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明的信號波形圖。圖46是表示使用本發(fā)明的液晶顯示裝置的電視接收機(jī)用的顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的框圖。圖47是表示使用本發(fā)明的液晶顯示裝置的電視接收機(jī)的包括調(diào)諧器部的整體結(jié)構(gòu)的框圖。圖48是表示上述電視接收機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖49是示意地表示現(xiàn)有例中采用像素分割方式的液晶顯示裝置的道路結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。圖50是采用像素分割方式的現(xiàn)有的另一液晶顯示裝置的等效電路圖。
具體實施方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明?！碠.首先〉首先，對后述的所有實施方式中共通的想法進(jìn)行說明。不過，如在第七實施方式中說明的那樣，并不必須具備保持電容配線CSL。圖I是各像素形成部的等效電路圖。在各像素形成部包括兩個子像素部(第一子像素部和第二子像素部)。作為第一子像素部的構(gòu)成要素，各像素形成部包括第一晶體管TA，其是柵極電極(第一電極)與第一 掃描信號線GL連接并且源極電極(第二電極)與數(shù)據(jù)信號線SL連接的開關(guān)元件；像素電極EA，其與第一晶體管TA的漏極電極(第三電極)連接；液晶電容ClcA，其由作為對置電極被施加一定的電位COM的共用電極41和像素電極EA形成；和保持電容CcsA，其由像素電極EA和保持電容配線CSL形成。此外，作為第二子像素部的構(gòu)成要素，各像素形成部包括第二晶體管TB，其是柵極電極與第一掃描信號線GL連接并且源極電極與數(shù)據(jù)信號線SL連接的開關(guān)元件；像素電極EB，其與第二晶體管TB的漏極電極連接；液晶電容ClcB，其由上述共用電極41和像素電極EB形成；保持電容CcsB，其由像素電極EB和保持電容配線CSL形成；第三晶體管TC，其是柵極電極與第二掃描信號線G2L連接并且源極電極與配線SEL連接的開關(guān)元件；電容電極EC，其與第三晶體管TC的漏極電極連接；和電容Cl，其由像素電極EB和電容電極EC形成。在保持電容配線CSL施加一定的電位(典型的是與被施加至共用電極41的電位COM相同的電位)。在配線SEL，比較高電平的電位與比較低的電平的電位按每一幀期間交替地被施加。另外，在以下的說明中，令柵極電極與第一掃描信號線GL或第二掃描信號線G2L連接的晶體管為導(dǎo)通狀態(tài)的電位稱為“柵極導(dǎo)通電位”，令它們?yōu)閿嚅_狀態(tài)的電位稱為“柵極斷開電位”。此外，也將配線SEL稱為“電位變動用電容配線”，也將電容電極EC稱為“電位變動用電容電極”，也將電容Cl稱為“電位變動用電容”。此外，也將保持電容配線和電位變動用電容配線合稱為“電容配線”。在上述那樣的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在第一掃描信號線GL施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位時,第一晶體管TA和第二晶體管TB成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，像素電極EA的電位和像素電極EB的電位變得與數(shù)據(jù)信號線SL的電位大致相等。即，在該時刻，像素電極EA的電位與像素電極EB的電位變?yōu)橄嗟?。之后，在第一掃描信號線GL施加?xùn)艠O斷開電位,在第二掃描信號線G2L施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位。由此，第一晶體管TA和第二晶體管TB成為斷開狀態(tài)，第三晶體管TC成為導(dǎo)通狀態(tài)。如上所述，在電位變動用電容配線SEL按每一幀交替地施加比較高的電平的電位與比較低的電平的電位，因此，通過使第三晶體管TC成為導(dǎo)通狀態(tài)，電容電極EC的電位發(fā)生變動。而且，起因于電容電極EC的電位的變動，像素電極EB的電位也發(fā)生變動。其結(jié)果是，像素電極EA的電位和像素電極EB的電位成為不同的電位。這樣，在第一子像素部的像素電極EA和第二子像素部的像素電極EB施加不同的電位。此處，對保持電容配線CSL施加一定的電位，對電位變動用電容配線SEL在整個I幀期間施加一定的電位。即，對電容配線不被施加頻率高的信號。因此，不易發(fā)生起因于信號延遲的顯示品質(zhì)的下降，能夠在顯示面板的周邊區(qū)域以細(xì)的寬度實現(xiàn)電容配線干線。另外，在各實施方式中，共用電極41的電位和保持電容配線CSL的電位為一定，但是本發(fā)明并不僅限于此，只要能夠?qū)崿F(xiàn)所期望的圖像顯示，共用電極41的電位和保持電容配線CSL的電位也可以不為一定?！碔.第一實施方式〉
〈I. I整體結(jié)構(gòu)>〈I. I. I基板等的結(jié)構(gòu)〉圖2是本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。該液晶顯示裝置包括形成有TFT和像素電極的有源矩陣基板I ;對置基板2，其形成有用于在隔著液晶層與像素電極之間施加電壓的共用電極41和用于彩色圖像顯示的彩色濾光片；以SOF (SystemOn Film:薄膜上系統(tǒng))方式安裝有柵極驅(qū)動器IC3的聚酰亞胺薄膜5 ;以SOF方式安裝有源極驅(qū)動器IC4的聚酰亞胺薄膜6 ;控制柵極驅(qū)動器IC3和源極驅(qū)動器IC4的動作的控制裝置和設(shè)置有電容配線驅(qū)動器等的外部基板7。有源矩陣基板I和對置基板2通過密封材料被貼合，由此，形成具有以附圖標(biāo)記8所示那樣的顯示區(qū)域的液晶面板11。聚酰亞胺薄膜5被安裝在有源矩陣基板I，聚酰亞胺薄膜6被安裝在有源矩陣基板I和外部基板7。通過多個柵極驅(qū)動器IC3實現(xiàn)后述的柵極驅(qū)動器部，通過多個源極驅(qū)動器IC4實現(xiàn)后述的源極驅(qū)動器部。另外，在有源矩陣基板I與對置基板2之間保持有取向膜、取向控制結(jié)構(gòu)物和液晶材料，但是在圖2中省略它們的圖示。此外，在液晶顯示裝置，除了上述構(gòu)成要素以外還設(shè) 置有偏光薄膜等光學(xué)薄膜、背光源、其它光學(xué)部件、電路部件和用于將這些部件保持在規(guī)定的位置的邊框等，在圖2中，對它們也省略圖示。另外，在本實施方式中，柵極驅(qū)動器IC3設(shè)置在有源矩陣基板I的兩端側(cè)(在圖2中，有源矩陣基板I的左邊側(cè)和右邊側(cè))，但是本發(fā)明并不僅限于此，也可以為僅在有源矩陣基板I的一端側(cè)設(shè)置柵極驅(qū)動器IC3的結(jié)構(gòu)。此外，在本實施方式中，源極驅(qū)動器IC4設(shè)置在有源矩陣基板I的一端側(cè)(在圖2中，有源矩陣基板I的上邊側(cè))，但是本發(fā)明并不僅限于此，也可以為在有源矩陣基板I的兩端側(cè)設(shè)置有源極驅(qū)動器IC4的結(jié)構(gòu)?！碔. I. 2有源矩陣基板上的配線結(jié)構(gòu)>圖3是表示本實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。如圖3所示，構(gòu)成液晶面板11的有源矩陣基板I上的區(qū)域分為顯示區(qū)域8和周邊區(qū)域9。在有源矩陣基板1，形成有m根第一掃描信號線GLl GLm ;m根第二掃描信號線G2L1 G2Lm ；n根數(shù)據(jù)信號線SLl SLn ;以與第一掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交叉點一對一地對應(yīng)的方式設(shè)置的像素形成部(BP, mXn個像素形成部)；以與數(shù)據(jù)信號線平行地延伸的方式設(shè)置的保持電容配線CSL ;第一電位變動用電容配線(以下，簡記為“第一電容配線”)SELl和第二電位變動用電容配線(以下，簡記為“第二電容配線”)SEL2 ;和主要配置在周邊區(qū)域9中的顯示區(qū)域8與源極驅(qū)動器部22之間的區(qū)域的保持電容配線干線18、第一電容配線干線19和第二電容配線干線
20。上述m、n例如為m=1080、n=5760,但是本發(fā)明當(dāng)然并不僅限于此。由上述mXn個像素形成部形成m行Xn列的像素矩陣。保持電容配線CSL以與數(shù)據(jù)信號線一對一對應(yīng)的方式設(shè)置。第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2以在像素矩陣按每一列交替地對應(yīng)的方式設(shè)置。在圖3，僅表示mXn個像素形成部中的四個像素形成部PIXl PIX4。在各像素形成部，包括兩個子像素部(第一子像素部和第二子像素部)。在本實施方式中，以夾著第一掃描信號線的方式配置第一子像素部和第二子像素部。此外，第二子像素部配置在第一掃描信號線與第二掃描信號線之間的區(qū)域。像素形成部PIXl以對應(yīng)于第i行的第一掃描信號線GLi與第j列數(shù)據(jù)信號線SLj的交叉點的方式設(shè)置。像素形成部PIX2以對應(yīng)于第(i+Ι)行第一掃描信號線GLi+Ι與第j列數(shù)據(jù)信號線SLj的交叉點的方式設(shè)置。像素形成部PIX3以對應(yīng)于第i行第一掃描信號線GLi與第(j+Ι)列數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι的交叉點的方式設(shè)置。像素形成部PIX4以對應(yīng)于第(i+Ι)行第一掃描信號線GLi+Ι與第(j+1)列數(shù)據(jù)信號線SLj+1的交叉點的方式設(shè)置。在像素形成部PIXl，包括第一子像素部PIXlA和第二子像素部PIX1B。在有源矩陣基板1，保持電容配線CSL以與像素形成部PIXl在上下方向上重疊的方式配置，由保持電容配線CSL與像素形成部PIXl內(nèi)的電極形成電容。像素形成部PIX2 PIX4也同樣。第一掃描信號線GLl GLm和第二掃描信號線G2L1 G2Lm與柵極驅(qū)動器部21連接。柵極驅(qū)動器部21對第一掃描信號線GLl GLm和第二掃描信號線G2L1 G2Lm施加掃描信號。掃描線的電位為柵極導(dǎo)通電位或柵極斷開電位。數(shù)據(jù)信號線SLl SLn與源極驅(qū)動器部22連接。源極驅(qū)動器部22向數(shù)據(jù)信號線SLl SLn施加與要顯示的圖像相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號。保持電容配線干線18、第一電容配線19和第二電容配線20與電容配線驅(qū)動器部23連接。電容配線驅(qū)動器部23對保持電容配線干線18施加一定的電位，對第一電容配線干線19和第二電容配線干線20按每一幀期間交替地施加比較高的電平的電位與比較 低的電平的電位?！碔. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)>〈I. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖4是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。如圖4所示，沿像素形成部PIXl、PIX2的一個邊(在圖4中為左邊)配置有數(shù)據(jù)信號線SLj，沿像素形成部PIXl、PIX2的另一個邊(在圖4中為右邊)配置有第一電容配線SEL1。此外，沿像素形成部PIX3、PIX4的一邊配置有數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι，沿像素形成部PIX3、PIX4的另一邊配置有第二電容配線SEL2。進(jìn)一步，以分別從像素形成部PIX1、PIX2和像素形成部PIX3、PIX4上通過的方式配置有保持電容配線CSL。此外，以從像素形成部PIXl中包括的兩個像素電極29a、29b間和像素形成部PIX3中包括的兩個像素電極69a、69b間通過的方式配置有第一掃描信號線GLi，以從像素形成部PIX2中包括的兩個像素電極49a、49b間和像素形成部PIX4中包括的兩個像素電極89a、89b間通過的方式配置有第一掃描信號線GLi+Ι。進(jìn)一步，沿像素形成部PIX1、PIX3的一邊(在圖4中為下邊)配置有第二掃描信號線G2Li，沿像素形成部PIX2、PIX4的一邊配置有第二掃描信號線G2Li+l。另外，所有的像素形成部為同樣的結(jié)構(gòu)，因此，在以下的說明中，主要僅著眼于像素形成部PIXl進(jìn)行說明。圖5是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在像素形成部PIX1，第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb分別以與第一掃描信號線GLi連接的方式設(shè)置。第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb共用源極電極24，該源極電極24以從數(shù)據(jù)信號線SLj起與第一掃描信號線GLi平行地延伸的方式形成。第一晶體管TFTla的漏極電極25a通過漏極引出配線26a與電極27a連接。該電極27a經(jīng)接觸孔28a與像素電極29a連接。第二晶體管TFTlb的漏極電極25b通過漏極引出配線26b與電極27b連接。該電極27b經(jīng)接觸孔28b與像素電極29b連接。此外，在像素形成部PIX1，第三晶體管TFTlc以與第二掃描信號線G2Li連接的方式設(shè)置。第三晶體管TFTlc的源極電極24c與第一電容配線SELl—體地形成。第三晶體管TFTlc的漏極電極25c通過漏極引出配線26c與電容電極(電位變動用電容電極)31連接。電容電極31以與第一電容配線SELl平行地延伸的方式形成。
而且，保持電容配線CSL與像素電極29a在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此，形成保持電容Ccsla。同樣，保持電容配線CSL與像素電極29b在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此，形成保持電容Ccslb。此外，電容電極31與像素電極29b在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此，形成電位變動用電容Cl?！碔. 2. 2 截面結(jié)構(gòu)〉關(guān)于像素形成部的結(jié)構(gòu)，參照液晶面板的截面圖，進(jìn)一步進(jìn)行說明。圖6A是圖5的A-A線截面圖。圖6B是圖5的B-B線截面圖。圖6C是圖5的C-C線截面圖。圖6D是圖5的D-D線截面圖。有源矩陣基板I和對置基板2以夾著液晶層44相對的方式配置。首先，對有源矩陣基板I 一側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在玻璃基板10上形成有第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、柵極電極32、32c和保持電容配線CSL，以覆蓋它們的方式形成有包括作為無機(jī)材料的氮化硅的柵極絕緣層33。在第一晶體管TFTla和第二晶體 管TFTlb，柵極電極32與第一掃描信號線GLi —體地形成。在第三晶體管TFTlc，柵極電極32c與第二掃描信號線G2Li —體地形成。在第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb的柵極絕緣層33上，形成有半導(dǎo)體層34、與該半導(dǎo)體層34相接的源極電極24和漏極電極25a、25b，在它們的附近形成有數(shù)據(jù)信號線SLj、漏極引出配線26a、26b和電極27a、27b。在更上層形成有層間絕緣層35。在第三晶體管TFTlc的柵極絕緣層33上形成有半導(dǎo)體層34c、與該半導(dǎo)體層34c相接的源極電極24c和漏極電極25c，在它們的附近形成有引出配線26c和電容電極31。在更上層形成有層間絕緣層35。另外，第三晶體管TFTlc的源極電極24c和第一電容配線SEL 一體地形成。半導(dǎo)體層34、34c包括本真非晶硅層(i層)和摻雜有磷的η+型非晶硅層(η+層)。η+層具有在i層等半導(dǎo)體材料與源極電極24、24c、漏極電極25a、25b、25c等金屬材料之間進(jìn)行電連接的接觸層的作用。另外，對于半導(dǎo)體層34、34c中的與源極電極24、24c、漏極電極25a、25b、25c不重疊的區(qū)域(典型的是晶體管的溝道部)，η+層通過蝕刻等除去，僅有i層。層間絕緣層35包括作為無機(jī)材料的氮化硅。在層間絕緣層35上，形成有包括ITO (銦錫氧化物)的像素電極29a、29b。另外，以覆蓋像素電極29a、29b的方式形成有取向膜，但是在圖中省略取向膜的圖示。在接觸部28a，層間絕緣層35被挖通，使得像素電極29a與電極27a電連接。同樣，在接觸部28b，層間絕緣層35被挖通，使得像素電極29b與電極27b電連接。接著，對對置基板2 —側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在玻璃基板40上形成有黑矩陣42和著色層43，在更上層形成有共用電極(對置電極41)。另外，以覆蓋共用電極41的方式形成有取向膜，但是在圖中省略取向膜的圖示。另外，該對置基板2—側(cè)的結(jié)構(gòu)在第二實施方式以后的任一實施方式中均與本實施方式相同?！碔. 2. 3 等效電路〉圖7是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。在像素形成部PIX1，作為第一子像素部PIXlA的構(gòu)成要素，包括柵極電極與第一掃描信號線GLi連接，并且源極電極與數(shù)據(jù)信號線SLj連接的第一晶體管TFTla ;與第一晶體管TFTla的漏極電極連接的像素電極29a ;由被施加一定的電位COM的共用電極41和像素電極29a形成的液晶電容Clcla ;和由像素電極29a和保持電容配線CSL形成的保持電容Ccsla。此外，在像素形成部PIXl，作為第二子像素部PIXlB的構(gòu)成要素，包括柵極電極與第一掃描信號線GLi連接，并且源極電極與數(shù)據(jù)信號線SLj連接的第二晶體管TFTlb ;與第二晶體管TFTlb的漏極電極連接的像素電極29b ;由共用電極41和像素電極29b形成的液晶電容Clclb ;由像素電極29b和保持電容配線CSL形成的保持電容Ccslb ;柵極電極與第二掃描信號線G2Li連接，并且源極電極與第一電容配線SELl連接的第三晶體管TFTlc ;與第三晶體管TFTlc的漏極電極連接的電容電極31 ;和由像素電極29b和電容電極31形成的電位變動用電容Cl?！碔. 3有源矩陣基板的制造方法>接著，對本實施方式的有源矩陣基板I的制造方法的一個例子進(jìn)行說明。另外，該制造方法與包括非晶硅晶體管的一般的有源矩陣基板的制造方法同樣。因此，在第二實施方式以后，省略對有源矩陣基板I的制造方法的說明。首先，利用使用有氬(Ar)的濺射法，在玻璃、塑料等透明絕緣性基板(圖6A 圖6D 的玻璃基板10)上依次沉積鈦(Ti)、鋁(Al)、鈦(Ti)，形成作為Ti/Al/Ti疊層膜的柵極金屬膜。此時，鈦的膜厚無論上層一側(cè)還是下層一側(cè)均例如為lOOnm，鋁的膜厚例如為300nm。形成柵極金屬膜時的玻璃基板10的溫度為200 300°C。接著，通過光刻法，S卩，通過在成為處理對象的膜上利用光致抗蝕劑材料形成抗蝕劑圖案膜，將該抗蝕劑圖案膜作為掩模進(jìn)行膜的圖案形成的方法，從柵極金屬膜形成第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、柵極電極32、32c和電容電極31。在柵極金屬膜的蝕刻中例如采用主要使用有氯(Cl2)氣體的干蝕刻法。蝕刻結(jié)束后，使用包含有機(jī)堿的剝離液，進(jìn)行抗蝕劑圖案膜的除去。關(guān)于柵極金屬膜的材料，除了鋁、鈦以外，還可以使用銦錫氧化物(ΙΤ0)、或鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)鈦(Ti)等單體金屬、或使它們含有氮、氧或其它金屬而得到的材料。此外，關(guān)于金屬膜，既可以為使用上述材料的單一的層，也可以為疊層結(jié)構(gòu)。例如，第一掃描信號線和第二掃描信號線既可以利用鈦和銅形成Ti/Cu/Ti疊層膜，或者，也可以利用銅和鑰形成Mo/Cu/Mo疊層膜。關(guān)于柵極金屬膜的形成方法，除了濺射法以外，還可以使用蒸鍍法等。對于柵極金屬膜的膜厚并沒有特別限定。此外，關(guān)于柵極金屬膜的蝕刻方法，也不限定于上述的干蝕刻法，還可以采用使用有酸等的蝕刻液的濕蝕刻法等。接著，利用等離子體CVD (化學(xué)氣象沉積)法等，連續(xù)地進(jìn)行成為柵極絕緣層33的第一氮化硅(SiNx)膜、成為本真非晶硅層(i層)的非晶硅膜和成為η+型非晶硅層(η+層)的η+型非晶硅膜的成膜。此時，第一氮化硅膜的膜厚例如為400nm、非晶硅膜的膜厚例如為200nm、n+型非晶硅膜的膜厚例如為50nm。形成這些膜時的玻璃基板10的溫度為200 300°C，作為成膜用的氣體，適當(dāng)組合地使用硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氫(H2)和氮(N2)等。接著，利用光刻法，對非晶硅膜、η+型非晶硅膜實施形成為規(guī)定的形狀的圖案形成，得到被一次加工的非晶硅膜和η+型非晶硅膜。在此時的蝕刻中，例如采用使用有氯(Cl2)氣體、四氯化碳(CF2)氣體、氧(O2)氣體被適當(dāng)組合而得到的氣體的干蝕刻法。蝕刻結(jié)束后，使用包含有機(jī)堿的剝離液進(jìn)行抗蝕劑圖案膜的除去。進(jìn)而，利用同樣的光刻法，對第一氮化硅膜實施形成為規(guī)定的形狀的圖案形成，從第一氮化硅膜形成柵極絕緣層33。在此時的蝕刻中，采用使用四氯化碳(CF2)氣體、氧(O2)氣體被適當(dāng)組合而得到的氣體的干蝕刻法，接著，同樣地進(jìn)行抗蝕劑圖案膜的除去。
接著，利用與柵極金屬膜的形成同樣的方法，在柵極絕緣層33上和(包括非晶硅膜和η+型非晶硅膜)半導(dǎo)體層34上依次沉積鈦(Ti)、鋁(Al)、鈦(Ti)，形成作為Ti/Al/Ti疊層膜的源極金屬膜。此時，鈦的膜厚無論上層一側(cè)還是下層一側(cè)均例如為lOOnm，鋁的膜厚例如為300nm。接著，利用光刻法，從源極金屬膜形成源極電極24、24c、漏極電極25a、25b、25c、保持電容配線CSL、第一電容配線SELl、數(shù)據(jù)信號線SL j、漏極弓I出配線26a、26b、26c和電極27a、27b、27c等。在此時的蝕刻中，能夠使用與柵極金屬膜的蝕刻同樣的方法。此處，在利用光刻法進(jìn)行處理時使用的抗蝕劑圖案膜不被除去，為了進(jìn)行下一工序而留下。關(guān)于源極金屬膜的材料，與柵極金屬膜同樣，也可以采用鋁、鈦以外的材料。接著，以在上一工序中留下的抗蝕劑圖案膜為掩模，對非晶硅膜、η+型非晶硅膜再次實施蝕刻加工(溝道蝕刻)，得到包括本真非晶硅層(i層)和η+型非晶硅膜(η+層)的半導(dǎo)體層34、34c。S卩，以用于形成源極電極24、24c、漏極電極25a、25b、25c、保持電容配線CSL、第一電容配線SEL1、數(shù)據(jù)信號線SLj、漏極引出配線26a、26b、26c和電極27a、27b、27c的抗蝕劑圖案膜為掩模，利用干蝕刻法，在η+型非晶硅膜、和非晶硅膜的一部分表面實施蝕刻?！び纱诉M(jìn)行源極電極24與漏極電極25a、25b之間的分離和源極電極24c與漏極電極25c之間的分離。在此時的蝕刻中，例如采用使用有氯(Cl2)氣體、四氯化碳(CF2)氣體、氧(O2)氣體被適當(dāng)組合而得到的氣體的干蝕刻法。另外，在非晶硅膜的一部分表面實施蝕刻的主要的理由是為了利用過蝕刻來可靠地去除η+型非晶硅膜。接著，成為層間絕緣層35的第二氮化硅膜以覆蓋源極電極24、24c、漏極電極25a、25b、25c、保持電容配線CSL、第一電容配線SEL1、數(shù)據(jù)信號線SLj、漏極引出配線26a、26b、26c和電極27a、27b、27c等的方式形成。此處，使用等離子體CVD法，形成第二氮化硅膜時的玻璃基板10的溫度為200 300°C，作為成膜用的氣體，適當(dāng)組合地使用硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氫(H2)和氮(N2)等。第二氮化硅膜的膜厚例如為300nm。接著，利用光刻法，對成為層間絕緣膜35的第二氮化硅膜以使其成為規(guī)定的圖案的方式實施蝕刻，形成層間絕緣層35和接觸部28a、28b、30。此時，能夠使用與成為柵極絕緣層33的氮化硅的蝕刻同樣的方法。接著，在層間絕緣層35上，例如利用濺射法等以成為IOOnm左右的膜厚的方式形成ITO (銦錫氧化物)膜。進(jìn)一步，利用光刻法，對ITO膜實施形成為規(guī)定的形狀的圖案形成，形成像素電極29a、29b和連接電極36。在ITO膜的蝕刻中，例如使用草酸(H00C-C00H)或氯化亞鐵液。最后，以覆蓋像素電極29a、29b的方式，利用噴墨法等涂敷包含取向膜材料的溶液，形成取向膜。根據(jù)以上說明制作在本實施方式的液晶顯示裝置中使用的有源矩陣基板I。另外，層間絕緣層35也可以為氮化硅膜和使用感光性材料制作的有機(jī)絕緣膜從玻璃基板10 —側(cè)起疊層而得到的疊層膜?！碔. 4驅(qū)動方法〉接著，參照圖8和圖9，對本實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。在圖8，表示有第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、第一掃描信號線GLi+Ι、第二掃描信號線G2Li+l、數(shù)據(jù)信號線SLj、SLj+Ι、保持電容配線CSL、第一電容配線SEL1。和第二電容配線SEL2的電位的變化。在圖9，表示有電容電極31、像素電極29a、29b、電容電極51、像素電極49a、49b、電容電極71、像素電極69a、69b、電容電極91、像素電極89a、89b的電位的變化。關(guān)于圖8和圖9，假定在左方表示奇數(shù)幀的波形，在右方表示偶數(shù)幀的波形。此外，在圖8和圖9，在左右方向上相鄰的虛線間的時間的間隔為I水平掃描期間。另外。在本實施方式中，例如液晶顯示裝置以120Hz的幀速率被驅(qū)動，I水平掃描期間為7. 4 μ S，I垂直掃描期間(I幀期間)為8. 3 μ S。但是本發(fā)明并不僅限于此。例如對以240Hz的幀速率被驅(qū)動的液晶顯示裝置，也能夠適用本發(fā)明。如圖8所不,對第一掃描信號線GLi,僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh,之后，對第一掃描信號線GLi+Ι,僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通 電位Vgh。這樣,對第一掃描信號線GLl GLm,逐行依次施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。對各第一掃描信號線,在I巾貞期間中僅I水平掃描期間施加導(dǎo)通電位Vgh，在此以外的期間施加?xùn)艠O斷開電位Vgl。另外，對相鄰的兩根第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時僅錯開I水平掃描期間。如圖8所示，對第二掃描信號線G2Li，僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh，之后，對第二掃描信號線G2Li+l，僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。這樣，對第二掃描信號線GLl GLm也逐行依次施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。對各第二掃描信號線，在I幀期間中僅I水平掃描期間施加導(dǎo)通電位Vgh，在此以外的期間施加?xùn)艠O斷開電位Vgl。另夕卜，對相鄰的兩根第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時錯開I水平掃描期間。此夕卜，在各行，向第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比向第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲I水平掃描期間。如圖8所示，對數(shù)據(jù)信號線SLj，在奇數(shù)幀施加比共用電極41的電位COM高的電位Vsh，在偶數(shù)幀施加比電位COM低的電位Vsl。此外，對數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι，在奇數(shù)幀施加電位Vsl，在偶數(shù)幀施加電位Vsh。這樣，對數(shù)據(jù)信號線SLl SLn，按每一幀期間交替地施加以共用電極41的電位COM為基準(zhǔn)的正極性的電位和負(fù)極性的電位。在正極性的電位與負(fù)極性的電位之間的極性反轉(zhuǎn)在消隱期間進(jìn)行。此外，相鄰的兩根數(shù)據(jù)信號線的電位彼此成為相反極性。即，當(dāng)對某根數(shù)據(jù)信號線施加正極性的電位時，對與之相鄰的數(shù)據(jù)信號線施加負(fù)極性的電位。另外，施加至數(shù)據(jù)信號線的電位成為與要顯示的圖像相應(yīng)的大小，但是此處假定在整個畫面顯示一個顏色的靜止圖像進(jìn)行說明。對保持電容配線CSL施加與共用電極41的電位COM相等的電位。在本實施方式中，共用電極41的電位COM被維持為一定的值。因此，保持電容配線CSL的電位也被維持為一定的值。另外，也可以令保持電容配線CSL的電位為與共用電極41的電位COM稍有不同的一定的值以防止起因于施加至像素電極的直流成分的閃爍的發(fā)生和視頻殘留。對第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2，按每一幀期間交替地施加比較高的電平的電位Vcsh與比較低的電平的電位Vcsl。當(dāng)對第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2中的一根配線施加電位Vcsh時，對另一根配線施加電位Vcsl。另外，關(guān)于施加至第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2的電位發(fā)生變化的定時，優(yōu)選為消隱期間，以不產(chǎn)生顯示上的問題。對在以上那樣的前提下、像素形成部內(nèi)的電容電極和像素電極的電位怎樣變化進(jìn)打說明(參照圖8和圖9 )。在奇數(shù)巾貞,當(dāng)成為時刻tlO時,第一掃描信號線GLi的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第一晶體管TFTla、TFT3a和第二晶體管TFTlb、TFT3b成為導(dǎo)通狀態(tài)。在奇數(shù)幀，數(shù)據(jù)信號線SLj的電位成為正極性的電位Vsh，數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι的電位成為負(fù)極性的電位Vsl。因此，在時刻tio，像素形成部PIXl內(nèi)的像素電極29a、29b的電位向Vsh上升，像素形成部PIX3內(nèi)的像素電極69a、69b的電位向Vsl下降。當(dāng)成為時刻til時，第二掃描信號線G2Li的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第三晶體管TFTlc、TFT3c成為導(dǎo)通狀態(tài)。在奇數(shù)幀，第一電容配線SELl成為比較高的電平的電位Vcsh，第二電容配線SEL2成為比較低的電平的電位Vcsl。因此，在時刻tll，像素形成部PIXl內(nèi)的電容電極31的電位向Vcsh上升，像素形成部PIX3內(nèi)的電容電極71的電位向Vcsl下降。此處，由于電容電極31與像素電極29b電容耦合，起因于電容電極31的電位的變化,像素電極29b的電位也發(fā)生變化。另外,在像素電極29b中，此時的電位變化的大小AV通過以下的式(I)求取。ΔV= (Vcsh-Vcsl) XK (I)此外，上式(I)的K通過以下的式(2)求取。K=Cl/ (Clclb+Ccslb+Cl) (2) 此處，為了能夠簡單地進(jìn)行說明，對第二晶體管TFTlb、TFT3b的電極間所寄生的電容，由于小而不予考慮，此外，對本發(fā)明不產(chǎn)生直接影響的其它的小的寄生電容也不予考慮。由此，在時刻tll，像素電極29b的電位從Vsh向Vsh+AV上升。同樣，電容電極71與像素電極69b電容耦合，因此，起因于電容電極71的電位的變化，像素電極69b的電位也發(fā)生變化。其結(jié)果是，在時刻tll，像素電極69b的電位從Vsl向Vsl-AV下降。此處，關(guān)于Λ V，為了便于說明，使用與像素電極29b時相同的附圖標(biāo)記。Λ V通過上述(I)求取，K通過以下的式(2-1)求取。K=C3/ (Clc3b+Ccs3b+C3) (2-1)此處，為了便于說明，關(guān)于表示電位的變化的數(shù)學(xué)式，對任一像素電極均使用相同的記號(Δν、Κ)，以下相同。關(guān)于像素電極49b、89b的電位變化的大小，分別將通過以下的式(2-2 )、( 2-3 )求取的K的值代入上式(I)而求取。K=C2/ (Clc2b+Ccs2b+C2) (2-2)K=C4/ (Clc4b+Ccs4b+C4) (2-3)此外，如后述的例子所述，在不具備保持電容配線CSL的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠?qū)cslb、Ccs2b、Ccs3b、Ccs4b等的值設(shè)為O,同樣地求取Δ V。此外,在時刻tll,第一掃描信號線GLi+Ι的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此,第一晶體管TFT2a、TFT4a和第二晶體管TFT2b、TFT4b成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，在時刻tll，像素形成部PIX2內(nèi)的像素電極49a、49b的電位向Vsh上升，像素形成部PIX4內(nèi)的像素電極89a、89b的電位向Vsl下降。當(dāng)成為時刻tl2時，第二掃描信號線G2Li+l的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第三晶體管TFT2c、TFT4c成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，在時刻tl2，像素形成部PIX2內(nèi)的電容電極51的電位向Vcsh上升，像素形成部PIX4內(nèi)的電容電極91的電位向Vcsl下降。此處，因為電容電極51與像素電極49b電容耦合，所以像素電極49b的電位也發(fā)生變化。同樣，因為電容電極91與像素電極89b電容耦合，所以像素電極89b的電位也發(fā)生變化。其結(jié)果是,在時刻tl2，像素電極49b的電位從Vsh向Vsh+Λ V上升，像素電極89b的電位從Vsl向Vsl-AV 下降。
像素電極29a、29b、69a和69b的電位在偶數(shù)幀被維持直至第一掃描信號線GLi的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh為止的期間(至?xí)r刻t20為止的期間)。像素電極49a、49b、89a和89b的電位在偶數(shù)幀被維持直至第一掃描信號線GLi+Ι的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh為止的期間(至?xí)r刻t21為止的期間)。在偶數(shù)幀也與奇數(shù)幀進(jìn)行同樣的動作(不過，像素電極的電位和電容電極的電位的變化方向與奇數(shù)幀相反)。這樣，在各像素形成部，對第一子像素部內(nèi)的像素電極和第二子像素部內(nèi)的像素電極施加不同的電位。<1. 5 效果 >根據(jù)本實施方式，在各像素形成部，從對第一子像素部的像素電極和第二子像素部的像素電極施加相同電位起I水平掃描期間后，第二子像素部的像素電極的電位稍有變動。由此，在I幀期間中的大半期間，對第一子像素部的像素電極和第二子像素部的像素電極施加不同的電位。在本實施方式中，為了使第二子像素部的像素電極的電位變動，設(shè)置 有柵極電極與第二數(shù)據(jù)信號線連接并且源極電極與電位變動用電容配線連接的第三晶體管；與第三晶體管的漏極電極連接的電容電極(電位變動用電容電極)；和由像素電極與電容電極形成的電容(電位變動用電容)。在這樣的結(jié)構(gòu)中，第二子像素部的像素電極的電位基于第三晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)時的電位變動用電容配線的電位而變動。此處，對電位變動用電容配線，按每一幀期間交替地施加比較高的電平的電位Vcsh與比較低的電平的電位Vcsl0此外，對保持電容配線施加一定的電位COM。這樣，在各幀期間，電容配線被直流驅(qū)動。因此，即使將在顯示面板的周邊區(qū)域形成的電容配線干線的寬度設(shè)置得窄，也幾乎不會發(fā)生起因于信號電位的延遲的顯示品質(zhì)的下降。根據(jù)以上說明，在為了改善視角特性而將一個像素分割為多個子像素的液晶顯示裝置中，不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小實現(xiàn)窄邊框化?！碔. 6關(guān)于在晶體管的半導(dǎo)體層使用金屬氧化物半導(dǎo)體膜的結(jié)構(gòu)>在第一實施方式中，關(guān)于玻璃基板10上的晶體管，采用了在半導(dǎo)體層使用非晶硅的晶體管。但是本發(fā)明并不僅限于此，也可以在半導(dǎo)體層采用使用有微晶硅膜、多晶硅膜、金屬氧化物半導(dǎo)體膜等的晶體管。此外，關(guān)于這些半導(dǎo)體層，與采用非晶硅TFT的情況同樣，也可以為包括本真層和低電阻的接觸層的二層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。其中，微晶硅膜是在內(nèi)部具有包括微晶的晶相和非晶相的混合狀態(tài)的硅膜。多晶硅膜包括晶相和位于其間的少許晶粒邊界，是結(jié)晶率非常高的膜。此外，在大多數(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體膜中，作為主要成分包括作為構(gòu)成金屬元素的鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、鈦(Ti)等。作為該金屬氧化物半導(dǎo)體膜的具體例，能夠列舉Zn-O類半導(dǎo)體(ZnO)膜、In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體(IGZO)膜、In-Zn-O類半導(dǎo)體(IZO)膜、Zn-Ti-O類半導(dǎo)體(ZTO)膜、Ti-O類半導(dǎo)體(二氧化鈦)膜等。特別優(yōu)選IGZO膜和ZTO膜為非晶(amorphous)，以使得晶體管的開關(guān)比(on-off ratio)優(yōu)異。如果在半導(dǎo)體層采用微晶硅膜、多晶硅膜和金屬氧化物半導(dǎo)體膜，則能夠制作與非晶硅晶體管相比遷移率高的晶體管。因此，在各像素形成部能夠迅速地向電容充電。由此，能夠抑制起因于晶體管的充電能量不足的顯示品質(zhì)的下降。此外，因為遷移率高所以能夠使晶體管尺寸變小，能夠?qū)崿F(xiàn)液晶顯示裝置的更小型化。另外，在以下說明的各實施方式中，也能夠采用在半導(dǎo)體層使用有微晶硅膜、多晶硅膜、金屬氧化物半導(dǎo)體膜等的晶體管。不過在以下說明的各實施方式中，特別是在采用在半導(dǎo)體層使用有金屬氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的情況下，柵極絕緣層33和層間絕緣層35也可以由氧化硅(SiOx)膜、氮化氧化硅(SiNxOy )膜、或氧化硅膜和氮化硅膜的疊層膜形成?！?.第二實施方式〉<2. I整體結(jié)構(gòu)>關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2)。圖10是本發(fā)明的第二實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。在本實施方式中，以夾著第一掃描信號線和第二掃描信號線的方式配置有(一個像素形成部內(nèi)的)第一子像素部和第二子像素部。關(guān)于此外的結(jié)構(gòu)，與上述第一實施方式相樣。另外，在以下的說明中也只對與上述第一實施方式不同的方面進(jìn)行說明，對與上述第一實施方式同樣的方面省略說明。
<2. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)><2. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖11是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。在本實施方式中，以從像素形成部PIXl所包括的兩個像素電極29a、29b間和像素形成部PIX3所包括的兩個像素電極69a、69b間通過的方式配置有第一掃描信號線GLi和第二掃描信號線G2Li,以從像素形成部PIX2所包括的兩個像素電極49a、49b間和像素形成部PIX4所包括的兩個像素電極89a、89b間通過的方式配置有第一掃描信號線GLi+Ι和第二掃描信號線G2Li+l。圖12是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在本實施方式中，第一掃描信號線GLi和第二掃描信號線G2Li在比較接近的位置形成。此外，第三晶體管TFTlc的漏極電極25c與漏極引出配線26c連接，漏極引出配線26c經(jīng)連接電極36和接觸部30與電容電極31連接。此外，在形成有用于連接電極27b與像素電極29b的接觸部28b的區(qū)域，電容電極31與電極27b在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此,形成電位變動用電容Cl。〈2. 2. 2 截面結(jié)構(gòu)〉圖13A是圖12的A-A線截面圖。圖13B是圖12的B-B線截面圖。圖13C是圖12的C-C線截面圖。圖13D是圖12的D-D線截面圖。在本實施方式中，在玻璃基板10上形成有第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、柵極電極32、32c和電容電極31，以覆蓋它們的方式形成有柵極絕緣層33。在第三晶體管TFTlc的柵極絕緣層33上形成有半導(dǎo)體層34c、與該半導(dǎo)體層34c相接的源極電極24c和漏極電極25c，在它們的附近形成有漏極引出配線26c。在更上層形成有層間絕緣層35。此外，在層間絕緣層35上，形成有連接電極36。在接觸部30，層間絕緣層35和柵極絕緣層33被挖通，以經(jīng)連接電極36電連接電容電極31與漏極引出配線26c。另外，接觸部30通過在從第一氮化硅膜形成柵極絕緣層33的過程(參照上述第一實施方式)中挖通(在接觸部30的部位)第一氮化硅膜而形成?！?. 2. 3 等效電路〉圖14是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。與上述第一實施方式相比僅第二掃描信號線的配置位置不同，電路結(jié)構(gòu)自身與上述第一實施方式相同。<2. 3驅(qū)動方法>
如上所述，本實施方式與上述第一實施方式關(guān)于電路結(jié)構(gòu)自身相同。因此，本實施方式的驅(qū)動方法與上述第一實施方式的驅(qū)動方法相同。<2. 4 效果 >根據(jù)本實施方式，與上述第一實施方式相比較，電位變動用電容附近的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因此制造工序變得有些復(fù)雜，但是能夠得到與上述第一實施方式同樣的效果。<3.第三實施方式><3. I整體結(jié)構(gòu)>關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2)。圖15是本發(fā)明的第三實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。在本實施方式中，保持電容配線干線18以延伸至周邊區(qū)域9中的顯示區(qū)域8與柵極驅(qū)動器部21之間的區(qū)域為止的方式配置，以從保持電容配線干線18與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地向·顯示區(qū)域8內(nèi)延伸的方式形成有保持電容配線CSL。這樣，在本實施方式中，與上述第一實施方式不同，保持電容配線CSL以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式配置。<3. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)>〈3. 2. I 平面結(jié)構(gòu)〉圖16是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。在本實施方式中，以從第一子像素部PIX1A、PIX3A上、第二子像素部PIX1B、PIX3B上、第一子像素部PIX2A、PIX4A上和第一子像素部PIX2B、PIX4B上分別通過的方式配置有保持電容配線CSL。圖17是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在上述第一實施方式中，保持電容配線CSL以與數(shù)據(jù)信號線平行地延伸的方式配置，因此，電容電極31也以與數(shù)據(jù)信號線平行地延伸的方式形成。這是因為，假如電容電極31以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式形成，則在有源矩陣基板I上能夠產(chǎn)生保持電容配線CSL與電容電極31在上下方向上重疊的部分。與此相對，在本實施方式中，保持電容配線CSL以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式配置。因此，電容電極31以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式形成。另外，只要由電容電極31和像素電極29b形成具有所期望的電容值的電容Cl，電容電極31的形狀就沒有特別限定?！?. 2. 2 截面結(jié)構(gòu)〉圖17的A-A線截面圖與圖6A所示的截面圖同樣。圖17的B-B線截面圖與圖6B所示的截面圖同樣。圖17的C-C線截面圖與圖6C所示的截面圖同樣。圖17的D-D線截面圖與圖6D所示的截面圖同樣。因此省略對截面結(jié)構(gòu)的說明?！?. 2. 3 等效電路〉圖18是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。在本實施方式和上述第一實施方式中，與各保持電容配線CSL連接的子像素部不同。具體而言，在上述第一實施方式中，在數(shù)據(jù)信號線延伸的方向上連續(xù)地配置的子像素部(例如圖3的PIX1A、PIX1B、PIX2A和PIX2B)與相同保持電容配線連接。與此相對,在本實施方式中,在第一掃描信號線和第二掃描信號線延伸的方向上連續(xù)地配置的子像素部(例如圖15的PIXlA和PIX3A)與相同保持電容配線連接?！?. 3驅(qū)動方法〉
在本實施方式和上述第一實施方式，作為電路結(jié)構(gòu)，僅保持電容配線CSL與子像素部的連接關(guān)系不同。此處，配置在顯示區(qū)域8內(nèi)的所有的保持電容配線CSL以相同的方式被驅(qū)動。因此，本實施方式的驅(qū)動方法與上述第一實施方式的驅(qū)動方法相同?！?. 4 效果〉在上述第一實施方式中，與第一掃描信號線和第二掃描信號線交叉的配線按每一個像素存在三根(數(shù)據(jù)信號線、保持電容配線、第一電容配線或第二電容配線)。與此相對，根據(jù)本實施方式，與第一掃描信號線和第二掃描信號線交叉的配線按每一個像素存在兩根(數(shù)據(jù)信號線、第一電容配線或第二電容配線)。這樣，根據(jù)本實施方式，第一掃描信號線和第二掃描信號線與其它配線的交叉部變少。根據(jù)以上說明，不僅能夠得到與上述第一實施方式同樣的效果，而且與上述第一實施方式相比較還能夠降低第一掃描信號線和第二掃描信號線的負(fù)載。不過，因為數(shù)據(jù)信號線與其它配線的交叉部變多，所以數(shù)據(jù)信號線的負(fù)載變大?！?br> 〈4.第四實施方式〉<4. I整體結(jié)構(gòu)>關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2)。圖19是本發(fā)明的第四實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。在本實施方式中，第一電容配線干線19和第二電容配線干線20以延伸至周邊區(qū)域9中的顯示區(qū)域8與柵極驅(qū)動器部21之間的區(qū)域為止的方式配置，以從第一電容配線干線19與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地向顯示區(qū)域8內(nèi)延伸的方式形成有第一電容配線SEL1，以從第二電容配線干線20與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地向顯示區(qū)域8內(nèi)延伸的方式形成有第二電容配線SEL2。這樣，在本實施方式中，與上述第一 第三實施方式不同，第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式配置。另外，第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2以與像素矩陣按每一行交替地對應(yīng)的方式設(shè)置。<4. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)><4. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖20是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。在本實施方式中，沿像素形成部PIX1、PIX3的一邊(在圖20中為下邊)配置有第二掃描信號線G2Li，并進(jìn)一步沿第二掃描信號線G2Li配置有第一電容配線SELl。此外，沿像素形成部PIX2、PIX4的一邊配置有第二掃描信號線G2Li+l，并進(jìn)一步沿第二掃描信號線G2Li+l配置有第二電容配線SEL2。圖21是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在本實施方式中，第三晶體管TFTlc的源極電極24c與源極引出配線37連接。該源極引出配線37經(jīng)連接電極36和接觸部30與第一電容配線SELl連接?！?. 2. 2 截面結(jié)構(gòu)〉圖22A是圖21的A-A線截面圖。圖22B是圖21的B-B線截面圖。圖22C是圖21的C-C線截面圖。圖22D是圖21的D-D線截面圖。在本實施方式中，在玻璃基板10上形成有第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、柵極電極32、32c和第一電容配線SELl,以覆蓋它們的方式形成有柵極絕緣層33。在第三晶體管TFTlc的柵極絕緣層33上形成有半導(dǎo)體層34c、與該半導(dǎo)體層34c相接的源極電極24c和漏極電極25c，在它們的附近形成有源極引出配線37、漏極引出配線26c和電容電極31。在更上層形成有層間絕緣層35。此夕卜，在層間絕緣層35上，形成有連接電極36。在接觸部30，層間絕緣層35和柵極絕緣層33被挖通，以經(jīng)連接電極36電連接第一電容配線SELl與源極弓I出配線37。另外，如圖22D上述，在柵極絕緣層33上還形成有保持電容配線CSL?！?. 2. 3 等效電路〉圖23是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。在本實施方式和上述第一實施方式中，與各第一電容配線SELl連接的 像素形成部不同。具體而言，在上述第一實施方式中，在數(shù)據(jù)信號線延伸的方向上連續(xù)地配置的像素形成部(例如圖7的PIXl和PIX2)與相同第一電容配線SELl連接。與此相對，在本實施方式中，在第一掃描信號線和第二掃描信號線延伸的方向上連續(xù)地配置的像素形成部(例如圖23的PIXl和PIX3)與相同第一電容配線SELl連接。對第二電容配線SEL2也是同樣的。<4. 3驅(qū)動方法>在上述第一實施方式中，第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2以與數(shù)據(jù)信號線平行地延伸的方式形成，與此相對，在本實施方式中，第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2以與第一掃描信號線和第二掃描信號線平行地延伸的方式形成。此外，對第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2按每一幀期間交替地施加比較高的電平的電位Vcsh與比較低的電平的電位Vcsl。根據(jù)以上說明，本實施方式的像素形成部PIX2所包括的像素電極49a、49b和電容電極51的電位的變化與上述第一實施方式中的像素形成部PIX3所包括的像素電極69a、69b和電容電極71的電位的變化相同。進(jìn)一步，本實施方式的像素形成部PIX3所包括的像素電極69a、69b和電容電極71的電位的變化與上述第一實施方式中的像素形成部PIX2所包括的像素電極49a、49b和電容電極51的電位的變化相同。即,在本實施方式中，電容電極31、像素電極29a、29b、電容電極51、像素電極49a、49b、電容電極71、像素電極69a、69b、電容電極91、像素電極89a、89b的電位的變化成為圖24所示那樣。<4. 4 效果 >在上述第一實施方式中，與第一掃描信號線和第二掃描信號線交叉的配線按每一個像素存在三根(數(shù)據(jù)信號線、保持電容配線、第一電容配線或第二電容配線)。與此相對，根據(jù)本實施方式，與第一掃描信號線和第二掃描信號線交叉的配線按每一個像素存在兩根(數(shù)據(jù)信號線、保持電容配線)。這樣，根據(jù)本實施方式，第一掃描信號線和第二掃描信號線與其它配線的交叉部變少。根據(jù)以上說明，不僅能夠得到與上述第一實施方式同樣的效果，而且與上述第一實施方式相比較還能夠降低第一掃描信號線和第二掃描信號線的負(fù)載，抑制起因于掃描信號的延遲的顯示品質(zhì)的下降。不過，因為數(shù)據(jù)信號線與其它配線的交叉部變多，所以數(shù)據(jù)信號線的負(fù)載變大。<5.第五實施方式><5. I整體結(jié)構(gòu)>關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2)。圖25是本發(fā)明的第五實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。在本實施方式中，第一電容配線干線19、第二電容配線干線20、第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2與上述第四實施方式同樣地形成(參照圖19)。此外，在本實施方式中，按像素矩陣的各列設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)信號線。詳細(xì)而言，設(shè)置有在圖25配置于像素形成部的左方的第一數(shù)據(jù)信號線SLl SLn和在圖25配置于像素形成部的右方的第二數(shù)據(jù)信號線S2L1 S2Ln。<5. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)><5. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖26是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。在本實施方式中，沿像素形成部PIX1、PIX2的一邊(在圖26中為左邊)配置有第一數(shù)據(jù)信號線SLj，沿像素形成部PIXU PIX2的另一邊(在圖26中為右邊)配置有第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj。此外，沿像素形成部PIX3、PIX4的一邊配置有第一數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι，沿像素形成部PIX3、PIX4的另一邊配置有第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj+1。在像素形成部PIX1，第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb以與第一數(shù)據(jù)信號線 SLj連接的方式設(shè)置。在像素形成部PIX2，第一晶體管TFT2a和第二晶體管TFT2b以與第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj連接的方式設(shè)置。在像素形成部PIX3，第一晶體管TFT3a和第二晶體管TFT3b以與第一數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι連接的方式設(shè)置。在像素形成部PIX4，第一晶體管TFT4a和第二晶體管TFT4b以與第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj+l連接的方式設(shè)置。這樣，當(dāng)著眼于像素矩陣的各列時，像素形成部按每一行交替地與第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線連接。此外，在本實施方式中，沿像素形成部PIX1、PIX3的一邊(在圖26中為下邊)配置有第二掃描信號線G2Li，并進(jìn)一步沿第二掃描信號線G2Li配置有第一電容配線SELl。此夕卜，沿像素形成部PIX2、PIX4的一邊配置有第二掃描信號線G2Li+l，并進(jìn)一步沿第二掃描信號線G2Li+l配置有第二電容配線SEL2。但是，在本實施方式中，由與像素矩陣的各行所包括的第二子像素部內(nèi)的電容電極電連接的電極和其下一行所包括的第一子像素部內(nèi)的像素電極形成電容。例如，由與像素形成部PIXl的第二子像素部內(nèi)的電容電極31連接的電極39 (電容電極31與電極39 —體地形成)和像素形成部PIX2的第一子像素部內(nèi)的像素電極49a形成電容Cell。圖27是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在本實施方式中，第三晶體管TFTlc的源極電極24c與源極引出配線37連接，源極引出配線37經(jīng)連接電極36和接觸部30與第一電容配線SELl連接。此外，在第一子像素部PIX1A，在電容配線CSL與第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj之間的區(qū)域形成有電容電極100。另外，電容電極100與像素電極29a在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此，形成電容CcOl?！?. 2. 2 截面結(jié)構(gòu)〉圖28A是圖27的A-A線截面圖。圖28B是圖27的B-B線截面圖。圖28C圖27的C-C線截面圖。圖28D是圖27的D-D線截面圖。關(guān)于第一晶體管TFTla、第二晶體管TFTlb和第三晶體管TFTlc附近的截面結(jié)構(gòu)，與上述第四實施方式同樣。在本實施方式中，如圖28D所示，在柵極絕緣層33上，還形成有保持電容配線CSL、電容電極100和第二數(shù)據(jù)信號線 S2Lj。〈5. 2. 3 等效電路〉圖29是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線與像素形成部PIXl PIX4內(nèi)的晶體管連接，使得在像素形成部PIX1、PIX3分別從第一數(shù)據(jù)信號線SLj、SLj+Ι被供給數(shù)據(jù)信號，且在像素形成部PIX2、PIX4分別從第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj、S2LJ+1被供給數(shù)據(jù)信號。此外，在本實施方式中，在像素形成部PIX1，作為第一子像素部PIXlA的構(gòu)成要素，包括柵極電極與第一掃描信號線GLi連接，并且源極電極與第一數(shù)據(jù)信號線SLj連接的第一晶體管TFTla ;與第一晶體管TFTla的漏極電極連接的像素電極29a ;由施加一定的電位COM的共用電極41和像素電極29a形成的液晶電容Clcla ；由像素電極29a和保持電容配線CSL形成的保持電容Ccsla ;和由電容電極100和像素電極29a形成的電容CcOl。此外，在像素形成部PIX1，作為第二子像素部PIXlB的構(gòu)成要素，包括柵極電極與第一掃描信號線GLi連接，并且源極電極與第一數(shù)據(jù)信號線SLj連接的第二晶體管TFTlb ;與第二晶體管TFTlb的漏極電極連接的像素電極29b ；由共用電極41和像素電極29b形成的液晶電容Clclb ;由像素電極29b與保持電容配線CSL形成的保持電容Ccslb ;柵極電極與第二掃描信號線G2Li連接，并且源極電極與第一電容配線SELl連接的第三晶體管TFTlc ;與第三晶體管TFTlc的漏極電極連接的電容電極31 ;和由像素電極29b和電容電極31形成的電位變動用電容Cl。關(guān)于像素形成部PIX2，除了第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb的 源極電極的連接目標(biāo)為第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj這點以外，與像素形成部PIXl為同樣的結(jié)構(gòu)。<5. 3驅(qū)動方法>接著，參照圖30、圖31和圖32對本實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。在圖30，表示第一掃描信號線的電位的波形。如圖30所示，在本實施方式中，在第一掃描信號線，每兩行依次地施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。在某兩根第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時與在之后的兩根第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時錯開I水平掃描期間。如圖31所示，在第一掃描信號線GLi、GLi+l，僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh，之后，在第二掃描信號線G2Li、G2Li+l，僅在I水平掃描期間施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。在第一掃描信號線GLi、GLi+Ι施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時與在第二掃描信號線G2Li、G2Li+l施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時錯開2水平掃描期間。這樣，在各行，在第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比在第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲2水平掃描期間。如圖31所示，在第一數(shù)據(jù)信號線SLj和第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj+l，在奇數(shù)幀施加比共用電極41的電位COM高的電位Vsh，在偶數(shù)幀施加比電位COM低的電位Vsl。此外，在第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj和第一數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι，在奇數(shù)幀施加電位Vsl，在偶數(shù)幀施加電位Vsh。這樣，相鄰的兩根第一數(shù)據(jù)信號線的電位彼此成為相反極性。同樣，相鄰的兩根第二數(shù)據(jù)信號線的電位也彼此成為相反極性。此外，在各列，第一數(shù)據(jù)信號線的電位與第二數(shù)據(jù)信號線的電位彼此成為相反極性。對在以上那樣的前提下、像素形成部內(nèi)的電容電極和像素電極的電位怎樣變化進(jìn)行說明(參照圖31和圖32)。在奇數(shù)巾貞，當(dāng)成為時刻tlO時,第一掃描信號線GLi、GLi+l的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第一晶體管TFTla TFT4a和第二晶體管TFTlb TFT4b成為導(dǎo)通狀態(tài)。在奇數(shù)幀，第一數(shù)據(jù)信號線SLj和第二數(shù)據(jù)信號線S2L j+Ι的電位成為正極性的電位Vsh，第二數(shù)據(jù)信號線S2Lj和第一數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι的電位成為負(fù)極性的電位Vsl。因此，在時刻110，像素形成部PIXl內(nèi)的像素電極29a、29b的電位和像素形成部PIX4內(nèi)的像素電極89a、89b的電位向Vsh上升，像素形成部PIX2內(nèi)的像素電極49a、49b的電位和像素形成部PIX3內(nèi)的像素電極69a、69b的電位向Vsl下降。當(dāng)成為時刻tll時，在包括像素形成部PIX1、PIX3的行的前一行，第二掃描信號線的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。此外，在奇數(shù)幀，第二電容配線SEL2成為比較低的電平的電位Vcsl。根據(jù)以上說明，在包括像素形成部PIX1、PIX3的行的前一行，電容電極100、101的電位下降。此處，如圖29所示，電容電極100與像素電極29a電容耦合。因此，像素電極29a的電位從Vsh向Vsh-AV下降。同樣，如圖29所示，電容電極101與像素電極69a電容耦合。因此,像素電極69a的電位從Vsl向Vsl-AV下降。另外，像素電極29a、69a的電位變化的大小Δν如上式(I)所示。其中，作為求取AV的大小的數(shù)學(xué)式的上式(I)中的K通過以下的式(3)求取。K=CcOl/ (Clcla+Ccsla+CcOl) (3)當(dāng)成為時刻tl2時，第二掃描信號線G2Li、G2Li+l的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。 因此，第三晶體管TFTlc TFT4c成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在奇數(shù)幀，第一電容配線SELl成為比較高的電平的電位Vcsh，第二電容配線SEL2成為比較低的電平的電位Vcsl。由此，在時刻tl2，像素形成部PIXl內(nèi)的電容電極31和像素形成部PIX3內(nèi)的電容電極71的電位向Vcsh上升，像素形成部PIX2內(nèi)的電容電極51和像素形成部PIX4內(nèi)的電容電極91的電位向Vcsl下降。根據(jù)以上說明，在時刻tl2，像素電極29b的電位從Vsh向Vsh+AV上升，像素電極69b的電位從Vsl向Vsl+Λ V上升，像素電極49b的電位從Vsl向Vsh-Λ V下降，像素電極89b的電位從Vsh向Vsh-Δ V下降。此外，像素形成部PIXl內(nèi)的電容電極31與像素形成部PIX2內(nèi)的電容電極39連接，像素形成部PIX3內(nèi)的電容電極71與像素形成部PIX4內(nèi)的電容電極79連接。在像素形成部PIX2，由電容電極39和像素電極49a形成電容Cell，在像素形成部PIX4，由電容電極79和像素電極89a形成電容Ce 13。根據(jù)以上說明，在時刻112，像素電極49a的電位從Vsl向Vsl+AV上升，像素電極89a的電位從Vsh向Vsh+AV上升。時刻tl2以后，像素形成部PIXl PIX4內(nèi)的像素電極29a、29b、49a、49b、69a、69b、89a和89b的電位在偶數(shù)巾貞被維持直至第一掃描信號線GLi、GLi+l的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh為止的期間(至?xí)r刻t20為止的期間)。在偶數(shù)幀也與奇數(shù)幀進(jìn)行同樣的動作(不過，像素電極的電位和電容電極的電位的變化方向與奇數(shù)幀相反)。這樣，在各像素形成部，在第一子像素部內(nèi)的像素電極和第二子像素部內(nèi)的像素電極施加不同的電位。此處,對在第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比在第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲2水平掃描期間的理由進(jìn)行說明。假如與上述第一 第四實施方式同樣，在第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比在第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲I水平掃描期間，則例如在包括像素形成部PIXl的行的前一行的第二掃描信號線的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh的定時，與施加至像素形成部PIXl的第一掃描信號線GLi的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh的定時相同。這樣，在像素電極29a的電位要為數(shù)據(jù)信號SLj的電位Vsh的期間，電容電極100的電位發(fā)生變動。因為電容電極100與像素電極29a電容耦合，所以像素電極29a的電位變得不穩(wěn)定。此外，像素電極29a基于數(shù)據(jù)信號SLj被充電后，不發(fā)生像素電極29a的電位如圖32的時刻tll那樣變動的情況。
因此，當(dāng)假設(shè)令像素矩陣的第一行和第二行為“組I”、令第三行和第四行為“組2”時，第一掃描信號線和第二掃描信號線如圖33那樣被驅(qū)動。即,第一掃描信號線以兩根為一組逐組依次被選擇。此外，各組的兩根第二掃描信號線從該各組的下一組的兩根第一掃描信號線被選擇起I水平掃描期間后被選擇。其中，該間隔也可以不是I水平掃描期間，各組的第二掃描信號線被選擇的定時也可以為通過該各組的下一組的第一掃描信號線被選擇而使像素電極被充分地充電后的適當(dāng)?shù)亩〞r。<5. 4 效果 >根據(jù)本實施方式，在各像素形成部，在第一子像素部的像素電極和第二子像素部的像素電極施加相同的電位，之后，一個子像素部的電位稍有上升，另一個子像素部的電位稍有下降。因此，與僅使一個子像素部的電位發(fā)生變動的上述第一 第四實施方式相比較，能夠較大地得到視角特性改善的效果。此外，在本實施方式中，當(dāng)著眼于像素矩陣的各列時，顯示形成部按每一行交替地與第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線連接。即，與上述第一實施方式相比較，一根數(shù)據(jù)信號線要供給數(shù)據(jù)信號的像素形成部的個數(shù)成為2分之I。因此，能夠不使顯示品質(zhì)下降地使顯示裝置高速動作。例如，能夠在驅(qū)動頻率為240Hz的顯示 裝置中應(yīng)用本實施方式的結(jié)構(gòu)。此外，與上述第一實施方式同樣，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。<6.第六實施方式>〈6. I整體結(jié)構(gòu)〉關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2 )。本實施方式的有源矩陣基板I的平面圖與上述第四實施方式同樣，是圖19所示那樣的平面圖。不過，當(dāng)著眼于像素矩陣的各列時，像素形成部按每一行交替地與沿該各列的一邊(在圖19中為左邊)配置的數(shù)據(jù)信號線和沿該各列的另一邊(在圖19中為右邊)配置的數(shù)據(jù)信號線連接。<6. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)><6. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖34是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。像素形成部PIXl PIX4與第一掃描信號線GLi、GLi+l、第二掃描信號線G2Li、G2Li+l、保持電容配線CSL、第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2的位置關(guān)系與上述第四實施方式同樣(參照圖20)。像素形成部PIXl PIX4與數(shù)據(jù)信號線的連接關(guān)系與上述第四實施方式不同。例如著眼于像素形成部PIXl PIX4與數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι的連接關(guān)系。在上述第四實施方式中，如圖20所示，數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι與像素形成部PIX3內(nèi)的晶體管TFT3a、TFT3b和像素形成部PIX4內(nèi)的晶體管TFT4a、TFT4b連接。與此相對，在本實施方式中，如圖34所示，數(shù)據(jù)信號線SLj+1與像素形成部PIX3內(nèi)的晶體管TFT3a、TFT3b和像素形成部PIX2內(nèi)的晶體管TFT2a、TFT2b連接。這樣，在本實施方式中，與各數(shù)據(jù)信號線連接的像素形成部呈交錯狀配置。圖35是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。在本實施方式中，第三晶體管TFTlc的源極電極24c與源極引出配線37連接，源極引出配線37經(jīng)連接電極36和接觸部30與第一電容配線SELl連接。此外，在第一子像素部PIX1A，在電容配線CSL與數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι之間的區(qū)域形成有電容電極100。另外，電容電極100與像素電極29a在有源矩陣基板I上以在上下方向上重疊的方式配置。由此，形成電容CcOl。
〈6. 2.2 截面結(jié)構(gòu)〉圖36A是圖35的A-A線截面圖。圖36B是圖35的B-B線截面圖。圖36C圖35的C-C線截面圖。圖36D是圖35的D-D線截面圖。在本實施方式中，如圖36D所示，在柵極絕緣層33上，還形成有保持電容配線CSL和電容電極100?！?. 2. 3 等效電路〉圖37是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。如圖37所示，像素形成部PIXl內(nèi)的第一晶體管TFTla和第二晶體管TFTlb與數(shù)據(jù)信號線SLj連接，像素形成部PIX2內(nèi)的第一晶體管TFT2a和第二晶體管TFT2b與數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι連接，像素形成部PIX3內(nèi)的第一晶體管TFT3a和第二晶體管TFT3b與數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι連接，像素形成部PIX4內(nèi)的第一 晶體管TFT4a和第二晶體管TFT4b與數(shù)據(jù)信號線SLj+2連接。此外，關(guān)于各像素形成部內(nèi)的第一子像素部和第二子像素部的結(jié)構(gòu)，除了晶體管與數(shù)據(jù)信號線的連接關(guān)系以外，與上述第五實施方式(參照圖29)同樣?！?. 3驅(qū)動方法〉接著，參照圖38和圖39對本實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。第一掃描信號線GLi、GLi+l、數(shù)據(jù)信號線SLj、SLj+l、保持電容配線CSL、第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2與上述第一實施方式同樣地被驅(qū)動，此外，與上述第一實施方式同樣，在第二掃描信號線GLl GLm,逐行依次施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh。不過,在本實施方式中，與上述第一實施方式不同，在各行，在第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比在第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲2水平掃描期間。另外，在第二掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時比在第一掃描信號線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電位Vgh的定時遲2水平掃描期間的理由與上述第五實施方式相同。對在以上那樣的前提下、像素形成部內(nèi)的電容電極和像素電極的電位怎樣變化進(jìn)行說明(參照圖38和圖39)。在奇數(shù)巾貞,當(dāng)成為時刻tlO時,第一掃描信號線GLi的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第一晶體管TFTla、TFT3a和第二晶體管TFTlb、TFT3b成為導(dǎo)通狀態(tài)。在奇數(shù)幀，數(shù)據(jù)信號線SLj的電位成為正極性的電位Vsh，數(shù)據(jù)信號線SLj+Ι的電位成為負(fù)極性的電位Vsl。因此，在時刻tlO，像素形成部PIXl內(nèi)的像素電極29a、29b的電位向Vsh上升，像素形成部PIX3內(nèi)的像素電極69a、69b的電位向Vsl下降。當(dāng)成為時刻tll時,在第一掃描信號線GLi+Ι的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。由此，第一晶體管TFT2a、TFT4a和第二晶體管TFT2b、TFT4b成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，因為假定顯示整個畫面為一個顏色的靜止圖像，所以數(shù)據(jù)信號線SLj+2的電位與數(shù)據(jù)信號線SLj的電位相同。即，在奇數(shù)幀，數(shù)據(jù)信號線SLj+2的電位成為正極性的電位Vsh。根據(jù)以上說明，在時刻tll，像素形成部PIX2內(nèi)的像素電極49a、49b的電位向Vsl下降，像素形成部PIX4內(nèi)的像素電極89a、89b的電位向Vsh上升。此外，在時刻tll，在包括像素形成部PIX1、PIX3的行的前一行，第二掃描信號線的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。在奇數(shù)幀，第二電容配線SEL2成為比較低的電平的電位Vcsl0由此，在包括像素形成部PIX1、PIX3的行的前一行，電容電極100、101的電位下降。此處,如圖37所示，電容電極100與像素電極29a電容耦合。因此，像素電極29a的電位從Vsh向Vsh-AV下降。同樣，如圖37所示，電容電極101與像素電極69a電容耦合。因此，像素電極69a的電位從Vsl向Vsl-AV下降。當(dāng)成為時刻tl2時，第二掃描信號線G2Li的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。因此，晶體管TFTlc、TFT3c成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在奇數(shù)幀，第一電容配線SELl成為比較高的電平的電位Vcsh。由此，在時刻tl2，像素形成部PIXl內(nèi)的電容電極31的電位和像素形成部PIX3內(nèi)的電容電極71的電位向Vcsh上升。根據(jù)以上說明，在時刻tl2，像素電極29b的電位從Vsh向Vsh+Δ V上升，像素電極69b的電位從Vsl向Vsl+Δ V上升。此外，像素形成部PIXl內(nèi)的電容電極31與像素形成部PIX2內(nèi)的電容電極39連接，像素形成部PIX3內(nèi)的電容電極71與像素形成部PIX4內(nèi)的電容電極79連接。在像素形成部PIX2，由電容電極39和像素電極49a形成電容Cell，在像素形成部PIX4，由電容電極79和像素電極89a形成電容Ccl3。根據(jù)以上說明，在時刻tl2，像素電極49b的電位從Vsl向Vsl+AV上升，像素電極89a的電位從Vsh向Vsh+AV上升。當(dāng)成為時刻tl3時，第二掃描信號線G2Li+l的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh。因此，第三晶體管TFT2c、TFT4c成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在奇數(shù)幀，第二電容配線SEL2成為比較低 的電平的電位Vcsl。由此，在時刻tl3，像素形成部PIX2內(nèi)的電容電極51的電位和像素形成部PIX4內(nèi)的電容電極91的電位向Vcsl下降。根據(jù)以上說明，在時刻tl3，像素電極49b的電位從Vsl向Vsl-Δ V上升，像素電極89b的電位從Vsh向Vsh-AV下降。像素電極29a、29b、69a和69b的電位在偶數(shù)幀被維持直至第一掃描信號線GLi的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh為止的期間(至?xí)r刻t20為止的期間)。像素電極49a、49b、89a和89b的電位在偶數(shù)幀被維持直至第一掃描信號線GLi+Ι的電位成為柵極導(dǎo)通電位Vgh為止的期間(至?xí)r刻t21為止的期間)。在偶數(shù)幀也進(jìn)行與奇數(shù)幀同樣的動作(不過，像素電極的電位和電容電極的電位的變化方向與奇數(shù)幀相反)。這樣，在各像素形成部，在第一子像素部內(nèi)的像素電極和第二子像素部內(nèi)的像素電極施加不同的電位。<6. 4 效果 >根據(jù)本實施方式，與上述第五實施方式同樣，在各像素形成部，在第一子像素部的像素電極和第二子像素部的像素電極施加相同的電位，之后，一個子像素部的電位稍有上升，另一個子像素部的電位稍有下降。因此，能夠較大地得到視角特性改善的效果。此外，與上述第一實施方式同樣，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。<7.第七實施方式><7. I整體結(jié)構(gòu)>關(guān)于液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，因為與上述第一實施方式同樣所以省略說明(參照圖2)。圖40是本發(fā)明的第七實施方式的有源矩陣基板I的平面圖。在本實施方式中，除了不設(shè)置保持電容配線CSL和保持電容配線干線18這點以外，是與上述第六實施方式相同的結(jié)構(gòu)。因此，以下主要對與上述第六實施方式不同的方面進(jìn)行說明，對與上述第六實施方式同樣的方面省略說明。<7. 2像素形成部的結(jié)構(gòu)><7. 2. I 平面結(jié)構(gòu) >圖41是形成有像素形成部PIXl PIX4的區(qū)域的平面圖。此外，圖42是形成有像素形成部PIXl的區(qū)域的一部分的放大平面圖。如上所述，在本實施方式中不設(shè)置保持電容配線CSL。因此，例如在像素形成部PIX1，與上述第六實施方式(參照圖34)不同，不包括由保持電容配線CSL和像素電極29a、29b形成的保持電容Ccsla、Ccslb?！?. 2.2 截面結(jié)構(gòu)〉圖43A是圖42的A-A線截面圖。圖43B是圖42的B-B線截面圖。圖43C圖42的C-C線截面圖。圖43D是圖42的D-D線截面圖。在本實施方式中，如圖43D所示，在柵極絕緣層33上不形成保持電容配線CSL?！?. 2. 3 等效電路〉圖44是本實施方式的像素形成部的等效電路圖。如上所述，在本實施方式中，不設(shè)置保持電容配線CSL。因此，在各像素形成部，不包括由第一子像素部內(nèi)的像素電極和保持電容配線CSL形成的電容和由第二子像素部內(nèi)的像素電極和保持電容配線CSL形成的電
容。 <7. 3驅(qū)動方法>接著，參照圖45和圖39對本實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。如圖45所示，第一掃描信號線GLi、第二掃描信號線G2Li、第一掃描信號線GLi+Ι、第二掃描信號線G2Li+l、數(shù)據(jù)信號線SLj、SL j+Ι、第一電容配線SELl和第二電容配線SEL2與上述第六實施方式同樣地被驅(qū)動。因此，各像素形成部內(nèi)的像素電極的電位和電容電極的電位與上述第六實施方式同樣地變化(參照圖39)。不過，在本實施方式中，作為求取AV的大小的數(shù)學(xué)式的上式(I)中的K通過下式(4)求取。K=Cl/ (Clclb+Cl) (4)在本實施方式中，如果假設(shè)電位變動用電容Cl的電容值的大小與上述第一 第六實施方式相同，則像素電極的電位變化的大小Δ V成為與上述第一 第六實施方式不同的大小。因此，需要對電位變化用電容Cl的電容值的大小進(jìn)行調(diào)整，以使得像素電極的電位變化成為所期望的大小。<7. 4 效果 >根據(jù)本實施方式，與上述第六實施方式同樣，在各像素形成部，在第一子像素部的像素電極和第二子像素部的像素電極施加相同的電位，之后，一個子像素部的電位稍有上升，另一個子像素部的電位稍有下降。因此，能夠較大地得到視角特性改善的效果。此外，與上述第一實施方式同樣，能夠不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。此外，因為是不具有保持電容配線CSL的結(jié)構(gòu)，所以能夠有效地縮小配線區(qū)域，進(jìn)一步實現(xiàn)窄邊框化。<8.將液晶顯示裝置用于電視接收機(jī)的例子〉接著，對將本發(fā)明的液晶顯示裝置用于電視接收機(jī)的例子進(jìn)行說明。圖46是表示該電視接收機(jī)用的顯示裝置800的結(jié)構(gòu)的框圖。該顯示裝置800包括Y/C分離電路80 ;視頻色度電路81 ;A/D轉(zhuǎn)換器82 ;液晶控制器83 ;液晶顯示單元84 ;背光源驅(qū)動電路85 ;背光源86 ;微機(jī)(微型計算機(jī))87和灰度等級電路88。其中，上述液晶顯示單元84包括液晶面板、用于驅(qū)動液晶面板的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器。在上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800，首先，作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號Scv從外部被輸入至γ/c分離電路80，該復(fù)合視頻信號Scv被分離為亮度信號和顏色信號。亮度信號和顏色信號通過視頻色度電路81被轉(zhuǎn)換為與光的三原色對應(yīng)的模擬RGB信號。進(jìn)一步，該模擬RGB信號通過A/D轉(zhuǎn)換器82轉(zhuǎn)換為數(shù)字RGB信號。該數(shù)字RGB信號被輸入至液晶控制器83。此外，在Y/C分離電路80，還從自外部輸入的復(fù)合彩色視頻信號Scv取出水平同步信號和垂直同步信號。這些同步信號也經(jīng)微機(jī)87被輸入液晶控制器83。液晶控制器83基于從A/D轉(zhuǎn)換器82被施加的數(shù)字RGB信號輸出驅(qū)動器用數(shù)據(jù)信號。此外，液晶控制器83基于上述同步信號生成用于使液晶顯示單元84內(nèi)的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器動作的定時控制信號，并將這些定時控制信號向源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器施力口。此外，在灰度等級電路88，生成彩色顯示的三原色R、G、B各自的灰度等級電壓，并將這些灰度等級電壓也供給至液晶顯示單元84。在液晶顯示單元84，基于這些驅(qū)動器用數(shù)據(jù)信號、定時控制信號和灰度等級電壓，由內(nèi)部的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器等生成驅(qū)動用信號(數(shù)據(jù)信號、掃描信號等 ) 。而且，基于這些驅(qū)動用信號，在內(nèi)部的液晶面板顯示彩色圖像。另外，為了通過該液晶顯示單元84來顯示圖像，需要從液晶顯示單元84內(nèi)的液晶面板的后方照射光。在該顯示裝置800，在微機(jī)87的控制下背光源驅(qū)動電路85驅(qū)動背光源86，由此，光被照射向液晶面板的背面。包括上述的處理，整個系統(tǒng)的控制通過微機(jī)87進(jìn)行。另外，作為從外部被輸入的視頻信號(復(fù)合彩色視頻信號)，不僅能夠使用基于電視播放的視頻信號，還能夠使用利用照相機(jī)拍攝的視頻信號和經(jīng)國際互聯(lián)網(wǎng)線路供給的視頻信號等。即，在顯示裝置800，能夠基于各種各樣的視頻信號進(jìn)行圖像顯示。在通過上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800顯示基于電視播放的圖像的情況下，如圖47所示，在該顯示裝置800連接調(diào)諧器部90。調(diào)諧器部90從由天線接收的受信波(高頻信號)中抽出要接收的頻道的信號并轉(zhuǎn)換為中間頻率信號。進(jìn)一步，調(diào)諧器部90通過對該中間頻率信號進(jìn)行檢測，取出作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號Scv。該復(fù)合彩色視頻信號Scv如上述那樣被輸入顯示裝置800，通過顯示裝置800顯示基于該復(fù)合彩色視頻信號Scv的圖像。圖48是表示令上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800為電視接收機(jī)時的機(jī)械結(jié)構(gòu)的一個例子的分解立體圖。在圖48所示的例子中，電視接收機(jī)，作為其構(gòu)成要素，除了具有上述顯示裝置800以外還具有第一箱體801和第二箱體806，且構(gòu)成為以通過第一箱體801和第二箱體806進(jìn)行包圍的方式夾持顯示裝置800。在第一箱體801，形成有使在顯示裝置800顯示的圖像透過的開口部801a。此外，第二箱體806是覆蓋顯示裝置800的背面?zhèn)鹊牟考?，設(shè)置有用于操作該顯示裝置800的操作用電路805，并且在下方安裝有支承用部件808。〈9.其它〉上述第七實施方式的顯示區(qū)域8內(nèi)的結(jié)構(gòu)為從上述第六實施方式的結(jié)構(gòu)中除去保持電容配線CSL的結(jié)構(gòu)。與此同樣地，能夠采用從上述第一 第五實施方式的結(jié)構(gòu)中除去保持電容配線CSL而得的結(jié)構(gòu)。由此，上述第一 第五實施方式也能夠有效地縮小配線區(qū)域，進(jìn)一步實現(xiàn)窄邊框化。附圖標(biāo)記的說明I 有源矩陣基板8 顯示區(qū)域9 周邊區(qū)域10 (有源矩陣基板的)玻璃基板11 液晶面板
18 保持電容配線干線19 第一電容配線干線20 第二電容配線干線29a、29b、49a、49b、69a、69b、89a、89b 像素電極31、51、71、91 電容電極PIXl PIX4像素形成部PIXlA PIX4A 第一子像素部PIXlB PIX4B 第二子像素部 GLl GLm第一掃描信號線G2L1 G2Lm第二掃描信號線SLl SLn數(shù)據(jù)信號線CSL 保持電容配線SELl 第一電容配線SEL2 第二電容配線
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于 形成一個像素的像素形成部包括第一子像素部和第二子像素部， 所述液晶顯示裝置包括 多根數(shù)據(jù)信號線； 與所述多根數(shù)據(jù)信號線交叉地設(shè)置且有選擇地被驅(qū)動的多根第一掃描信號線； 以分別對應(yīng)于所述多根數(shù)據(jù)信號線與所述多根第一掃描信號線的交叉點的方式設(shè)置，形成像素矩陣的多個所述像素形成部； 與所述多根第一掃描信號線對應(yīng)地設(shè)置且有選擇地被驅(qū)動的多根第二掃描信號線； 多根電位變動用電容配線；和 共用電極， 所述第一子像素部包括 第一開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件的第一電極與所述第一掃描信號線連接，所述第一開關(guān)元件的第二電極與所述數(shù)據(jù)信號線連接，在所述第一掃描信號線被選擇時所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)；和 第一像素電極，其與所述第一開關(guān)元件的第三電極連接，且以在所述第一像素電極與所述共用電極之間形成電容的方式配置， 所述第二子像素部包括 第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件的第一電極與所述第一掃描信號線連接，所述第二開關(guān)元件的第二電極與所述數(shù)據(jù)信號線連接，在所述第一掃描信號線被選擇時所述第二開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)； 第二像素電極，其與所述第二開關(guān)元件的第三電極連接，且以在所述第二像素電極與所述共用電極之間形成電容的方式配置； 第三開關(guān)元件，所述第三開關(guān)元件的第一電極與所述第二掃描信號線連接，所述第三開關(guān)元件的第二電極與一根所述電位變動用電容配線連接，在所述第二掃描信號線被選擇時所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)；和 電位變動用電容電極，其與所述第三開關(guān)元件的第三電極連接，且以在所述電位變動用電容電極與所述第二像素電極之間形成電容的方式配置， 在各幀期間，與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。
2.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線按每一幀期間被施加不同的電位。
3.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述數(shù)據(jù)信號線與所述電位變動用電容配線之間。
4.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一掃描信號線和所述第二掃描信號線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述數(shù)據(jù)信號線與所述電位變動用電容配線之間。
5.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線和所述電位變動用電容配線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)信號線之間。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的所述電位變動用電容電極，以在所述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的所述第一像素電極之間形成電容的方式配置， 在所述像素矩陣的各列，配置于該各列的一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線與配置于該各列的另一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線，按每一行交替地與所述像素形成部內(nèi)的所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件的第二電極連接， 與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行的下一行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。
7.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述數(shù)據(jù)信號線按所述像素矩陣的各列包括第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線， 所述電位變動用電容配線以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線和所述電位變動用電容配線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述第一數(shù)據(jù)信號線與所述第二數(shù)據(jù)信號線之間， 在所述像素矩陣的各列，所述第一數(shù)據(jù)信號線與所述第二數(shù)據(jù)信號線按每一行交替地與所述像素形成部內(nèi)的所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件的第二電極連接， 所述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的所述電位變動用電容電極，以在所述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的所述第一像素電極之間形成電容的方式配置， 所述多根第一掃描信號線以兩根為一組地逐組依次被驅(qū)動， 與構(gòu)成各組的兩根第一掃描信號線對應(yīng)的兩根第二掃描信號線，在構(gòu)成該各組的下一個被驅(qū)動的組的兩根第一掃描信號線被選擇之后被選擇。
8.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一行或每一列交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位。
9.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述液晶顯示裝置還包括被施加一定的電位的多根保持電容配線， 在所述第一子像素部，由所述保持電容配線和所述第一像素電極形成電容， 在所述第二子像素部，由所述保持電容配線和所述第二像素電極形成電容。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述保持電容配線以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述保持電容配線以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。
12.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述數(shù)據(jù)信號線與所述電位變動用電容配線之間。
13.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述第一掃描信號線和所述第二掃描信號線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述數(shù)據(jù)信號線與所述電位變動用電容配線之間。
14.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線和所述電位變動用電容配線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)信號線之間。
15.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述數(shù)據(jù)信號線按所述像素矩陣的各列包括第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線和所述電位變動用電容配線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述第一數(shù)據(jù)信號線與所述第二數(shù)據(jù)信號線之間， 在所述像素矩陣的各列，所述第一數(shù)據(jù)信號線和所述第二數(shù)據(jù)信號線按每一行交替地與所述像素形成部內(nèi)的所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件的第二電極連接， 所述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的所述電位變動用電容電極，以在所述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的所述第一像素電極之間形成電容的方式配置， 所述多根第一掃描信號線以兩根為一組地逐組依次被驅(qū)動， 與構(gòu)成各組的兩根第一掃描信號線對應(yīng)的兩根第二掃描信號線，在構(gòu)成該各組的下一個被驅(qū)動的組的兩根第一掃描信號線被選擇之后被選擇。
16.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一列交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于所述數(shù)據(jù)信號線與所述電位變動用電容配線之間。
17.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述電位變動用電容配線包括第一電位變動用電容配線和第二電位變動用電容配線，且以在與所述第一掃描信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置， 所述第一電位變動用電容配線和所述第二電位變動用電容配線以按每一行交替地與所述像素矩陣對應(yīng)的方式設(shè)置， 在所述第一電位變動用電容配線被施加比較高的電平的第一電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加比較低的電平的第二電位， 在所述第一電位變動用電容配線被施加所述第二電位時，所述第二電位變動用電容配線被施加所述第一電位， 所述第一掃描信號線以在所述像素矩陣的各行通過所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的方式配置， 所述第二掃描信號線和所述電位變動用電容配線以在所述像素矩陣通過相鄰的兩行之間的方式配置， 所述像素矩陣的各列的像素形成部所包括的所述第一像素電極和所述第二像素電極，配置于相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)信號線之間， 所述像素矩陣的各行的像素形成部所包括的所述電位變動用電容電極，以在所述電位變動用電容電極與該各行的下一行的像素形成部所包括的所述第一像素電極之間形成電容的方式配置， 在所述像素矩陣的各列，配置于該各列的一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線和配置于該各列的另一側(cè)的數(shù)據(jù)信號線，按每一行交替地與所述像素形成部內(nèi)的所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件的第二電極連接， 與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的第二掃描信號線在與該各行的下一行對應(yīng)的第一掃描信號線被選擇之后被選擇。
18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述液晶顯示裝置還包括被施加一定的電位的多根保持電容配線， 在所述第一子像素部，由所述保持電容配線和所述第一像素電極形成電容， 在所述第二子像素部，由所述保持電容配線和所述第二像素電極形成電容， 所述保持電容配線以在與所述數(shù)據(jù)信號線延伸的方向平行的方向上延伸的方式配置。
19.如權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述第一開關(guān)元件、所述第二開關(guān)元件和所述第三開關(guān)元件是包括金屬氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于 驅(qū)動頻率為240Hz以上。
全文摘要
在一個像素被分割為多個子像素的液晶顯示裝置，不使顯示品質(zhì)下降地通過配線區(qū)域的縮小而實現(xiàn)窄邊框化。兩個子像素部中的一個子像素部包括柵極與第一掃描信號線(GL)連接、源極與數(shù)據(jù)信號線(SL)連接的第二晶體管(TB)；與第二晶體管(TB)的漏極連接像素電極(EB)；由共用電極(41)和像素電極(EB)形成的液晶電容(ClcB)；柵極與第二掃描信號線(G2L)連接、源極與配線SEL連接的第三晶體管(TC)；與第三晶體管(TC)的漏極連接的電容電極(EC)；和由像素電極(EB)和電容電極(EC)形成的電容(C1)。在配線SEL，按每一幀交替地施加高電位與低電位。第二掃描信號線(G2L)在第一掃描信號線(GL)被選擇后被選擇。
文檔編號G02F1/1343GK102906636SQ201180025860
公開日2013年1月30日 申請日期2011年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者齊藤裕一 申請人:夏普株式會社