專利名稱：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備、可編程圖案形成裝置和器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是施加期望的圖案到襯底或一部分襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以用于例 如集成電路(1C)、平板顯示器以及具有精細(xì)特征的其它裝置或結(jié)構(gòu)的制造中。在傳統(tǒng)的光刻設(shè)備中，可以將稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于產(chǎn)生對應(yīng)于1C、平板顯示器或其它裝置的單層的電路圖案。可以將這一圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上,例如經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。除了電路圖案，圖案形成裝置還可以用于產(chǎn)生其它圖案,例如彩色濾光片圖案或點(diǎn)的矩陣。替代傳統(tǒng)的掩模，圖案形成裝置可以包括圖案形成陣列，該圖案形成陣列包括產(chǎn)生電路或其它可應(yīng)用圖案的獨(dú)立可控元件的陣列。與傳統(tǒng)的基于掩模的系統(tǒng)相比,這樣的“無掩?！毕到y(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是，可以更加快速地設(shè)置和/或更換圖案，且成本較小。因此,無掩模系統(tǒng)包括可編程圖案形成裝置(例如空間光調(diào)制器、對比度裝置等)。使用獨(dú)立可控元件的陣列對可編程圖案形成裝置進(jìn)行(例如電子或光學(xué)地)編程，用于形成期望的圖案化的束。可編程圖案形成裝置的類型包括微反射鏡陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列等。

發(fā)明內(nèi)容
例如期望提供一種靈活的、低成本的光刻設(shè)備,該光刻設(shè)備包括可編程圖案形成
裝罟
目-ο在一實(shí)施例中，公開了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括調(diào)制器和投影系統(tǒng)，所述調(diào)制器配置成將襯底的曝光區(qū)域暴露于根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束，所述投影系統(tǒng)配置成將調(diào)制的束投影到襯底上。調(diào)制器可以相對于曝光區(qū)域移動,和/或投影系統(tǒng)可以具有用于接收所述多個(gè)束的透鏡陣列，所述透鏡陣列可相對于曝光區(qū)域移動。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以例如設(shè)置有光學(xué)裝置列(或稱為光具組)(opticalcolumn)，所述光學(xué)裝置列能夠在襯底的目標(biāo)部分上生成圖案。光學(xué)裝置列可以設(shè)置有自發(fā)射式對比度裝置,配置成發(fā)射多個(gè)束；和投影系統(tǒng),配置成將所述多個(gè)束的至少一部分投影到目標(biāo)部分上。所述設(shè)備可以設(shè)置有致動器，所述致動器用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的一部分。
光學(xué)裝置列或其-部分的移動可能引起在光學(xué)裝置列或其-部分周圍的湍流。這樣的移動可能導(dǎo)致圍繞光學(xué)裝置列和其一部分的介質(zhì)的密度變化。這些可能對束產(chǎn)生負(fù)面的光學(xué)效應(yīng)。例如期望提供一種對光學(xué)裝置列或其一部分的移動較不敏感的光刻設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種光刻設(shè)備,包括光學(xué)裝置列，能夠?qū)⑹队暗揭r底的目標(biāo)部分上,所述光學(xué)裝置列具有自發(fā)射式對比度裝置,配置成發(fā)射所述束；投影系統(tǒng),配置成將所述束投影到目標(biāo)部分上；和致動器,用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的至少一部分，其中，所述光刻設(shè)備被構(gòu)造以減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,所述方法包括將圖案化的輻射束投影到襯底上的步驟,所述方法還包括用光學(xué)裝置列在襯底的目標(biāo)部分上生成圖案,所述生成圖案的步驟通過以下步驟實(shí)現(xiàn)用自發(fā)射式對比度裝置發(fā)射束；用投影系統(tǒng)將束投影到目標(biāo)部分上；和相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的至少一部分，同時(shí)減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。


并入本文中且形成說明書的--部分的附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例,且另外與所述描述一起用于說明本發(fā)明的原理并使得相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠進(jìn)行和使用本發(fā)明。在附圖中，相同的參考標(biāo)記可以表示相同的或功能類似的元件。圖I顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖6(A)_(D)顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的--部分的示意俯視圖和側(cè)視圖。圖7㈧-(O)顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的一部分的示意俯視圖和側(cè)視圖。圖7(P)顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的獨(dú)立可尋址元件的功率/前向電流圖。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。圖1.0顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。圖11顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于光刻設(shè)備的獨(dú)立可控元件的陣列的示意俯視圖。圖12顯示使用本發(fā)明的實(shí)施例將圖案轉(zhuǎn)移到襯底的模式。
圖13顯示光學(xué)引擎的示意性布置。圖14(A)和⑶顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的一部分的示意側(cè)視圖。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖1.6(A)顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的一部分的示意側(cè)視圖。圖16⑶顯示相對于襯底的傳感器的檢測區(qū)域的示意位置。圖17顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。圖18顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意橫截面?zhèn)纫晥D。圖19顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件 和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的-一部分的不意俯視圖的布局O圖20顯示圖19中的光刻設(shè)備的一部分的示意三維視圖。圖21顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局,且顯不出相對于獨(dú)立可控元件設(shè)定的光學(xué)元件242的三個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。圖22顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本____t靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局，且顯不出相對于獨(dú)立可控元件設(shè)定的光學(xué)元件242的三個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。圖23顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其司移動的光學(xué)元件的光亥1J設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局，且顯不出相對于獨(dú)立可控元件設(shè)定的光學(xué)元件242的五個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。圖24顯示在使用直徑為5. 6mra的標(biāo)準(zhǔn)激光二極管用于獲得橫過襯底的寬度的全部覆蓋情況下的獨(dú)立可控元件102的^-部分的示意性布局。圖25顯示圖24的細(xì)節(jié)的示意布局。圖26顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局。圖27顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)元件的光亥lJ設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局。圖28顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖的布局,且顯不出相對于獨(dú)立可控元件設(shè)定的光學(xué)元件242的五個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。圖29顯示圖28的光刻設(shè)備的一部分的示意三維視圖。圖30示意性顯示通過圖28和29中設(shè)定的單個(gè)可移動光學(xué)元件242同時(shí)寫出的8條線的布置。圖31顯示用于控制聚焦的示意性布置,其中具有圖28和29的布置中的移動屋頂狀部件(rooftop)。圖32顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)元件的、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意橫截面?zhèn)纫晥D。圖33顯示光刻設(shè)備的一部分。圖34顯示圖33的光刻設(shè)備的俯視圖。圖35示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。
圖36示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖37示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖38a至圖38c示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。
具體實(shí)施例方式在此處描述了無掩模光刻設(shè)備、無掩模光刻方法、可編程圖案形成裝置和其它設(shè)備、制造的物件以及方法的一個(gè)或更多的實(shí)施例。在一實(shí)施例中，提供了低成本和/或靈活的無掩模光刻設(shè)備。由于它是無掩模的，因此不需要傳統(tǒng)的掩模用于曝光例如IC或平板顯示器。類似地,不需要用于封裝應(yīng)用的-個(gè)或更多個(gè)環(huán)；可編程圖案形成裝置可以為封裝應(yīng)用提供數(shù)字邊緣處理“環(huán)”，用于避免邊緣投影。無掩模(數(shù)字圖案化)可以能夠使用柔性 的襯底。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠用于超非臨界(super-non-critical)的應(yīng)用。在^ -實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠具有> O. I μ m的分辨率,例如多O. 5 μ m的分辨率或> I μ m的分辨率。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠具有< 20 μ m的分辨率、例如< 10 μ m的分辨率或< 5 μ m的分辨率。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠具有 O. 1-10 μ m的分辨率。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠具有> 50nm的重疊，例如& IOOnm的重疊、> 200nm的重疊或> 300nra的重疊。在^-實(shí)施例中，光刻設(shè)備能夠具有< 500nm的重疊,例如< 400nm的重疊、< 300nm的重疊或< 200nm的重疊。這些重疊和分辨率值可以與襯底尺寸和材料無關(guān)。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備具有很高的靈活性。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備可擴(kuò)展至不同尺寸、類型和特性的襯底。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備具有實(shí)際上無限的場尺寸。因此，光刻設(shè)備可以用單個(gè)光刻設(shè)備或用使用大的公共的光刻設(shè)備平臺的多個(gè)光刻設(shè)備進(jìn)行多種應(yīng)用(例如，1C、平板顯示器、封裝等)。在一實(shí)施例中,光刻設(shè)備允許產(chǎn)生自動化作業(yè),用于提供柔性的制造。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備提供3D集成。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備是低成本的。在一實(shí)施例中，僅使用公共的現(xiàn)有(off-the-shelf)的部件(例如,發(fā)射輻射二極管、簡單的可移動的襯底保持器以及透鏡陣列)。在一個(gè)實(shí)施例中，像素-柵格成像用于使得簡單的投影光學(xué)裝置進(jìn)行操作。在一實(shí)施例中，使用具有單個(gè)掃描方向的襯底保持器來降低成本和/或減小復(fù)雜性。圖I示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻投影設(shè)備100。設(shè)備1.00包括圖案形成裝置104、物體保持器106(例如物體臺，例如襯底臺)以及投影系統(tǒng)108。在一實(shí)施例中，圖案形成裝置104包括用于調(diào)制輻射的多個(gè)獨(dú)立可控元件102,用于施加圖案至束110。在一實(shí)施例中，可以相對于投影系統(tǒng)108固定多個(gè)獨(dú)立可控元件102的位置。然而,在可替代的布置中，多個(gè)獨(dú)立可控元件102可以連接至定位裝置(未顯示)，用于根據(jù)特定的參數(shù)(例如相對于投影系統(tǒng)108)精確地定位它們中的一個(gè)或更多個(gè)。在一實(shí)施例中，圖案形成裝置104是自發(fā)射式對比度裝置。這樣的圖案形成裝置104消除了對輻射系統(tǒng)的要求，其可以例如減小光刻設(shè)備的成本和尺寸。例如，每一獨(dú)立可控元件102是發(fā)射輻射二極管，例如發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)LED(OLED)、聚合物L(fēng)ED(PLED)或激光二極管(例如固態(tài)激光二極管)。在-一實(shí)施例中，每-一獨(dú)立可控元件102是激光二極管。在一實(shí)施例中，每一獨(dú)立可控元件102是藍(lán)紫激光二極管(例如Sanyo型號no. DL-3146-151)。這樣的二極管由諸如Sanyo,Nichia, Osram和Nitride等公司供應(yīng)。在一實(shí)施例中，二極管發(fā)射具有約365nm或約405nm的波長的輻射。在^-實(shí)施例中，二極管可以提供從O. 5-100mW的范圍選出的輸出功率。在一實(shí)施例中,激光二極管(裸管芯)的尺寸是從250-600微米的范圍選出的。在一實(shí)施例中,激光二極管具有從1-5微米的范圍選出的發(fā)射區(qū)域。在一實(shí)施例中,激光二極管具有從7-44度的范圍選出的發(fā)散角。在一實(shí)施例中，圖案形成裝置104具有約I X IO5個(gè)二極管,具有用于提供多于或等于約6. 4X IO8W/(m2. sr)的總亮度的配置(例如發(fā)射區(qū)域、發(fā)散角、輸出功率等)。在一實(shí)施例中，自發(fā)射式對比度裝置包括比在另一獨(dú)立可控元件102不能操作或不能適當(dāng)操作的情況下允許使用的“冗余”的獨(dú)立可控元件102所需要的獨(dú)立可尋址元件更多的獨(dú)立可尋址元件102。在^-實(shí)施例中，冗余的獨(dú)立可控元件可能有利地用在使用例如在F文關(guān)于圖5所討論的可移動的獨(dú)立可控元件102的實(shí)施例中。在一實(shí)施例中，自發(fā)射式對比度裝置中的獨(dú)立可控元件102在獨(dú) 立可控元件102 (例如激光二極管)的功率/前向電流曲線的陡斜部分中被操作。這可能是更加有效率的且導(dǎo)致較少的功率損耗/熱量。在一實(shí)施例中,在使用時(shí),每個(gè)獨(dú)立可控元件的光輸出是至少ImW,例如至少10mW、至少25mW、至少50mW、至少IOOmW或至少200mW。在一實(shí)施例中，在使用時(shí)，每個(gè)獨(dú)立可控元件的光輸出是小于300mff,小于250mff,小于200mW,小于ISOmW,小于IOOmW,小于SOraW,小于25mW,或小于IOraW0在一實(shí)施例中，在使用時(shí)每個(gè)可編程圖案形成裝置的用于操作獨(dú)立可控元件的功率損耗小于IOkW,例如小于5kW,小于IkW,或小于O. Skff0在一實(shí)施例中，在使用時(shí)用于操作獨(dú)立可控元件的每一可編程圖案形成裝置的功率損耗是至少100W,例如至少300W，至少500W,或至少IkW。光刻設(shè)備100包括物體保持器106。在本實(shí)施例中，物體保持器包括用于保持襯底114(例如涂覆有抗蝕劑的硅晶片或玻璃襯底)的物體臺106。物體臺106可以是可移動的且連接至定位裝置116，用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底114。例如定位裝置116可以相對于投影系統(tǒng)108和/或圖案形成裝置104精確地定位襯底114。在一實(shí)施例中，可以用定位裝置116來實(shí)現(xiàn)物體臺106的移動,該定位裝置116包括未在圖I中具體示出的長行程模塊(粗定位)和可選的短行程模塊(精定位)。在一實(shí)施例中，所述設(shè)備至少沒有用于移動物體臺106的短行程模塊。可以使用類似的系統(tǒng)定位獨(dú)立可控元件102。應(yīng)當(dāng)理解，束HO可以替代地/另外地是可移動的,而物體臺106和/或獨(dú)立可控元件102可以具有固定的位置,用于提供所需要的相對移動。這樣的布置可以幫助限制設(shè)備的尺寸。在可以例如用在平板顯示器的制造中的實(shí)施例中，物體臺106可以是靜止的，定位裝置116配置成相對于物體臺106 (例如在其....I::)移動襯底114。例如,物體臺106可以設(shè)置有用于以基本上恒定的速度掃描跨經(jīng)物體臺106的襯底114的系統(tǒng)。在這被完成的情況下,物體臺106可以在平坦的最上面的表面上設(shè)置有大量的開口，氣體被供給通過所述開口、以用于提供能夠支撐襯底114的氣墊(gas cushion)。這通常稱為氣體軸承布置。使用一個(gè)或更多的致動器(未顯示)在物體臺106上移動襯底114,所述致動器能夠相對于束110的路徑精確地定位襯底114?？商娲?，可以通過選擇性地開啟和截止氣體穿過開口的通路,相對于物體臺106移動襯底1.14。在一實(shí)施例中，物體保持器106可以是滾轉(zhuǎn)系統(tǒng),襯底在所述滾轉(zhuǎn)系統(tǒng)上滾動，定位裝置116可以是電機(jī),用于轉(zhuǎn)動滾轉(zhuǎn)系統(tǒng)以提供襯底到物體臺106上。投影系統(tǒng)108 (例如石英和/或CaF2透鏡系統(tǒng)或包括由這樣的材料制成的透鏡元件的折射反射系統(tǒng)、或反射鏡系統(tǒng))可以用于將由獨(dú)立可控元件102調(diào)制的圖案化的束投影到襯底114的目標(biāo)部分120(例如一個(gè)或更多的管芯)上。投影系統(tǒng)108可以將由多個(gè)獨(dú)立可控元件102所提供的圖案投影成像,使得圖案一致地形成在襯底114 ....Li。可替代地，投影系統(tǒng)108可以投影二次源的圖像，多個(gè)獨(dú)立可控元件102中的元件用作二次源的遮光件。在這方面,投影系統(tǒng)可以包括一個(gè)聚焦元件、或多個(gè)聚焦元件(下文統(tǒng)稱為透鏡陣列)，例如微透鏡陣列(已知為MLA)或菲涅耳透鏡陣列，例如用于形成二次源且使得光斑成像到襯底114上。在一實(shí)施例中，透鏡陣列(例如MLA)包括至少10個(gè)聚焦元件,例如至少100個(gè)聚焦元件,至少1000個(gè)聚焦元件，至少10000個(gè)聚焦元件，至少100000個(gè)聚焦元件或至少1000000個(gè)聚焦元件。在一實(shí)施例中，圖案形成裝置中的獨(dú)立可控元件的數(shù)量等于或大于透鏡陣列中的聚焦元件的數(shù)量。在一實(shí)施例中，透鏡陣列包括聚焦元件，該聚焦元件與獨(dú)立可控元件陣列中的一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān),例如僅與獨(dú)立可控元件陣列中的一個(gè)獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān)，或與獨(dú)立可控元件陣列中的兩個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān),例如3個(gè)或更多的、5個(gè)或更多的、10個(gè)或更多的、20個(gè)或更多的、25個(gè)或更多的、35個(gè)或更多的、或50個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān)；在一實(shí)施例中，聚 焦元件與小于5000個(gè)獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān)，例如與小于2500個(gè)，小于1000個(gè),小于500個(gè),或小于100個(gè)的獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān)。在一實(shí)施例中,透鏡陣列包括多于一個(gè)的聚焦元件(例如多于1000、大多數(shù)或約全部)，其與獨(dú)立可控元件陣列中的^-個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件光學(xué)相關(guān)。在一實(shí)施例中，例如通過使用一個(gè)或更多的致動器,透鏡陣列至少在到達(dá)襯底和遠(yuǎn)離襯底的方向上是可移動的。能夠移動透鏡陣列至襯底和遠(yuǎn)離襯底使得允許例如在不必移動襯底的情況下進(jìn)行聚焦調(diào)整。在一實(shí)施例中，透鏡陣列中的獨(dú)立透鏡元件(例如透鏡陣列中的每個(gè)獨(dú)立透鏡元件)至少沿至襯底和遠(yuǎn)離襯底的方向是可移動的(例如在非平坦的襯底上進(jìn)行局部聚焦調(diào)整或使得每一光學(xué)裝置列達(dá)到相同的焦距)。在一實(shí)施例中,在例如輻射的波長大于或等于約400nm (例如405nra)時(shí)，透鏡陣列包括塑料聚焦元件(其可以易于制造(例如通過注射模制)和/或是成本低的)。在一實(shí)施例中，輻射的波長從約400nm-500nm的范圍選出。在一實(shí)施例中，透鏡陣列包括石英聚焦元件。在一實(shí)施例中，每個(gè)聚焦元件或多個(gè)聚焦元件可以是不對稱的透鏡。不對稱性可以對于多個(gè)聚焦元件中的每一個(gè)是相同的、或不對稱性可以對于多個(gè)聚焦元件中的一個(gè)或更多的聚焦元件是不同于多個(gè)聚焦元件中的一個(gè)或更多的不同的聚焦元件的。不對稱的透鏡可能便于將橢圓形輻射輸出轉(zhuǎn)換成圓形投影斑，反之亦然。在一實(shí)施例中，聚焦元件具有高數(shù)值孔徑(NA),其被布置用于將輻射在聚焦位置外投影到襯底上，以獲得對于所述系統(tǒng)的低的NA。NA較高的透鏡可以是更加經(jīng)濟(jì)的、流行的和/或具有比可利用的低NA透鏡更好的品質(zhì)。在一實(shí)施例中，低NA小于或等于O. 3，在一實(shí)施例中，低NA是O. 18,0. 15或更小。相應(yīng)地，NA更高的透鏡具有比所述系統(tǒng)的設(shè)計(jì)NA更大的NA,例如大于O. 3、大于O. 18或大于O. 15。雖然在一實(shí)施例中投影系統(tǒng)1.08與圖案形成裝置104是分離的,但是這不是必須的。投影系統(tǒng)108可以與圖案形成裝置108是一體的。例如,透鏡陣列塊或板可以連接C-體連接)至圖案形成裝置104。在一實(shí)施例中，透鏡陣列可以成獨(dú)立空間分離的小透鏡的形式，每一小透鏡連接(一體連接)至圖案形成裝置104中的獨(dú)立可尋址元件,如下文更加詳細(xì)描述的?？蛇x地，光刻設(shè)備可以包括將輻射(例如紫外(UV)輻射)供給至多個(gè)獨(dú)立可控元件102的輻射系統(tǒng)。如果圖案形成裝置自身是輻射源(例如激光二極管陣列或LED陣列)，那么可以設(shè)計(jì)光刻設(shè)備而沒有輻射系統(tǒng)，即沒有除了圖案形成裝置自身之外的輻射源，或至少是簡化的輻射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)包括照射系統(tǒng)(照射器),所述照射系統(tǒng)配置用于接收來自輻射源的輻射。照射系統(tǒng)包括下述元件中的一個(gè)或更多個(gè)元件輻射傳遞系統(tǒng)(例如適合的定向反射鏡)、輻射調(diào)節(jié)裝置(例如擴(kuò)束器)、用于設(shè)定所述輻射的角強(qiáng)度分布(通常，可以調(diào)整照射器的光瞳面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ_內(nèi)部))的調(diào)整裝置、積分器和/或聚光器。照射系統(tǒng)可以用于調(diào)整輻射，該輻射可以提供至獨(dú)立可控元件102，用于在其橫截面中具有期望的均勻性和強(qiáng)度分布。照射系統(tǒng)可以 布置成將輻射分成多個(gè)子束,所述子束可以例如每個(gè)與多個(gè)獨(dú)立可控元件中的一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)。二維衍射光柵可以例如用于將輻射分成子束。在所述描述中，術(shù)語“輻射的束”和“輻射束”包括但不限于束由多個(gè)這樣的輻射子束構(gòu)成的情形。輻射系統(tǒng)還可以包括輻射源(例如準(zhǔn)分子激光器)，用于產(chǎn)生供給至多個(gè)獨(dú)立可控元件102或由多個(gè)獨(dú)立可控元件102的輻射。輻射源和光刻設(shè)備100可以是分立的實(shí)體,例如在輻射源是準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這樣的情形下,不會將輻射源考慮成形成光刻設(shè)備100的一部分，且輻射從源傳遞至照射器。在其它情形下,輻射源可以是光刻設(shè)備100的組成部分,例如在源是汞燈時(shí)。應(yīng)當(dāng)理解，這兩種情形都被設(shè)計(jì)在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，輻射源可以是多個(gè)獨(dú)立可控元件102,在一實(shí)施例中輻射源可以提供波長為至少5nm,例如至少IOnm,至少50nm,至少IOOnm,至少150nm,至少175nm,至少200nm,至少250nm,至少275nm,至少300nm,至少325nm,至少350nm或至少360nm的福射。在一實(shí)施例中，福射的波長為至多450nm,例如至多425nm,至多375nm,至多360nm,至多32Snm,至多275nm,至多250nm,至多225mn,至多200mn,或至多175nm。在一實(shí)施例中，福射的波長包括 436nm, 405nm, 365nm, 355nm, 248nm, 193nm, 157nm, 126nm,和 / 或 13. 5nm0 在一實(shí)施例中，輻射包括約365nm或約355nm的波長。在一實(shí)施例中，輻射包括寬帶波長,例如包括365nm, 405nm和436nm?？梢允褂?55nm激光源。在一實(shí)施例中，輻射具有的波長為約40 5ηιη ο在一實(shí)施例中，以在O和90°之間的角度、例如5和85°之間、15和75°之間、25和65。之間或在35和55°之間的角度從照射系統(tǒng)將輻射引導(dǎo)到圖案形成裝置104。來自照射系統(tǒng)的輻射可以被直接提供至圖案形成裝置104。在可替代的實(shí)施例中，可以通過分束器(未顯示)將輻射從照射系統(tǒng)引導(dǎo)至圖案形成裝置104，該分束器配置成使得輻射最初被分束器反射且被引導(dǎo)至圖案形成裝置104。圖案形成裝置104調(diào)制所述束且將它反射返回至分束器，該分束器朝向襯底114傳輸被調(diào)制的束。然而,應(yīng)當(dāng)理解，可替代的布置可以用于將輻射引導(dǎo)至圖案形成裝置104且之后引導(dǎo)至襯底114。尤其是，如果使用透射式圖案形成裝置104 (例如LCD陣列)或圖案形成裝置104是自發(fā)射式的(例如多個(gè)二極管)，那么可能不需要照射系統(tǒng)布置。在光刻設(shè)備100的操作中，在圖案形成裝置104不是發(fā)射輻射型的(例如包括LED)時(shí)，輻射從輻射系統(tǒng)(照射系統(tǒng)和/或輻射源)入射到圖案形成裝置104(例如多個(gè)獨(dú)立可控元件)上,且通過圖案形成裝置104進(jìn)行調(diào)制。在已經(jīng)通過多個(gè)獨(dú)立可控元件102產(chǎn)生之后，圖案化的束110穿過投影系統(tǒng)108，該投影系統(tǒng)108將束110聚焦到襯底114的目標(biāo)部分120上。
在定位裝置116 (和可選地在基架136上的位置傳感器134 (例如接收干涉束138的干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器))的幫助下，可以精確地移動襯底114,例如以便在束110的路徑中定位不同的目標(biāo)部分120。在使用時(shí),用于多個(gè)獨(dú)立可控元件102的定位裝置可以用于相對于束HO的路徑精確地校正多個(gè)獨(dú)立可控元件102的位置,例如在掃描期間。雖然根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備100在此處描述成用于曝光襯底上的抗蝕齊U，但是應(yīng)當(dāng)理解，設(shè)備100可以用于投影圖案化的束110，用于用在無抗蝕劑的光刻術(shù)中。如此處所顯示的,光刻設(shè)備100是反射類型的(例如采用反射式獨(dú)立可控元件)。可替代地,設(shè)備可以是透射類型的(例如采用透射式獨(dú)立可控元件)?？梢詫⑺鰧Ｓ迷O(shè)備100用于以下的^-種或更多種模式中,例如I.在步進(jìn)模式中，在將獨(dú)立可控元件102和襯底114保持為基本靜止的同時(shí)，將整個(gè)圖案化的輻射束110—次投影到目標(biāo)部分120上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將襯底114沿X和/或Y方向移動,使得可以使得不同目標(biāo)部分120被圖案化的輻射束110曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分120的尺寸。2.在掃描模式中，在對獨(dú)立可控元件102和襯底114同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將圖案化的輻射束110投影到目標(biāo)部分120上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底相對于獨(dú)立可控元件的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在脈沖模式中，獨(dú)立可控元件102保持為基本靜止,且使用(例如由脈沖輻射源或通過脈沖調(diào)制獨(dú)立可控元件所提供的)脈沖將整個(gè)圖案投影到襯底114的目標(biāo)部分120上。以基本上恒定的速度移動襯底114,使得圖案化的束110進(jìn)行經(jīng)過襯底114的線掃描。由獨(dú)立可控元件提供的圖案根據(jù)需要在脈沖之間進(jìn)行更新，脈沖被時(shí)間控制成使得在襯底114上的所需位置處曝光連續(xù)的目標(biāo)部分120。因此，圖案化的束110可以橫過襯底114進(jìn)行掃描，以為襯底114的條帶曝光完整的圖案。重復(fù)所述過程,直到整個(gè)襯底114已經(jīng)被逐行曝光為止。4.在連續(xù)掃描模式中，除了襯底114被相對于調(diào)制的福射束B以基本上恒定的速度進(jìn)行掃描且獨(dú)立可控元件陣列上的圖案在圖案化的束110橫過襯底114進(jìn)行掃描且使得它曝光時(shí)進(jìn)行更新之外,實(shí)質(zhì)上與脈沖模式相同?？梢允褂没旧虾愣ǖ妮椛湓椿蛎}沖輻射源，其被使得與獨(dú)立可控元件陣列—t的圖案的更新同步。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體,或完全不同的使用模式。圖2顯示用于與晶片(例如300mm的晶片)一起使用的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。如圖2所示,光刻設(shè)備100包括用于保持晶片114的襯底臺106。定位裝置116與襯底臺106相關(guān)聯(lián)，用于在至少X方向....t移動襯底臺106?？蛇x地，定位裝置116可以在Y方向和/或Z方向上移動襯底臺106。定位裝置116還可以圍繞X、Y和/或Z方向旋轉(zhuǎn)襯底臺106。因此,定位裝置116可以提供高達(dá)到6個(gè)自由度的運(yùn)動。在一實(shí)施例中，襯底臺106提供僅在X方向上的運(yùn)動，其優(yōu)點(diǎn)是成本較低和復(fù)雜性較低。在一實(shí)施例中，襯底臺106包括中繼光學(xué)裝置。光刻設(shè)備100還包括布置在框架160上的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102。框架160可以與襯底臺106和其定位裝置116機(jī)械隔離。可以例如通過將框架160連接至地面或與用于襯底臺106和/或其定位裝置116的框架分立的牢固的基架,來提供機(jī)械隔離。另外或可替代地，可以將阻尼器設(shè)置在框架160和與該框架連接的所述結(jié)構(gòu)之間，而不論所述結(jié)構(gòu)是否是地面、牢固的基架或用于支撐襯底臺106和/或其定位裝置116的框架。在本實(shí)施例中，每一個(gè)獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射二極管，例如藍(lán)紫激光二極管。如圖2所示,可以將獨(dú)立可尋址元件102布置成沿著Y方向延伸的獨(dú)立可尋址元件102的至少3個(gè)分立的陣列。在一實(shí)施例中，獨(dú)立可尋址元件102的陣列與相鄰的獨(dú)立可尋址元件102的陣列在X方向上交錯(cuò)。光刻設(shè)備100,尤其是獨(dú)立可尋址元件102可以布置成 提供如此處更加詳細(xì)描述的像素-柵格成像。獨(dú)立可尋址元件102的陣列中的每一個(gè)可以是獨(dú)立光學(xué)引擎部件的一部分，為了便于復(fù)制，其可以被制造成一個(gè)單元。另外,框架160可以配置成是可擴(kuò)大的且可配置成易于采用任意數(shù)量的這樣的光學(xué)引擎部件。光學(xué)引擎部件可以包括獨(dú)立可尋址元件102的陣列和透鏡陣列170 (參見例如圖8)的組合。例如,在圖2中顯示出3個(gè)光學(xué)引擎部件(在獨(dú)立可尋址元件102的每個(gè)各自的陣列下面具有相關(guān)的透鏡陣列170)。因此，在一實(shí)施例中，可以提供多柱光學(xué)布置’且每個(gè)光學(xué)引擎形成一柱。另外,光刻設(shè)備100包括對準(zhǔn)傳感器150。對準(zhǔn)傳感器用于在襯底114的曝光之前和/或期間確定獨(dú)立可尋址元件102和襯底114之間的對準(zhǔn)。對準(zhǔn)傳感器150的結(jié)果可以被光刻設(shè)備100中的控制器使用，用于例如控制定位裝置116來定位襯底臺106,來改善對準(zhǔn)。此外或可替代地，控制器可以例如控制與獨(dú)立可尋址元件102相關(guān)的用于定位一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102的定位裝置,來改善對準(zhǔn)^在一實(shí)施例中，對準(zhǔn)傳感器150可以包括用于執(zhí)行對準(zhǔn)的圖案識別功能/軟件。此外或可替代地,光刻設(shè)備100包括水平傳感器150。水平傳感器150用于確定襯底106是否相對于來自獨(dú)立可尋址元件102的圖案的投影是水平的。水平傳感器150可以在曝光襯底114之前和/或期間確定水平程度。水平傳感器150的結(jié)果可以被光刻設(shè)備100中的控制器使用，例如控制定位裝置116來定位襯底臺106,以改善調(diào)平。此外或可替代地，控制器可以控制例如用于定位投影系統(tǒng)108(例如透鏡陣列)中的元件的、與投影系統(tǒng)108(例如透鏡陣列)相關(guān)聯(lián)的定位裝置，來改善調(diào)平。在一實(shí)施例中,可以通過將超聲束投射到襯底106上對水平傳感器進(jìn)行操作和/或通過將電磁輻射束投影到襯底106上對其進(jìn)行操作。在一實(shí)施例中，來自對準(zhǔn)傳感器和/或水平傳感器的結(jié)果可以用于改變由獨(dú)立可尋址元件102所提供的圖案。圖案可以被改變用于校正例如變形，該變形可能由例如獨(dú)立可尋址元件102和襯底114之間的光學(xué)裝置(如果有的話)、在襯底114的定位中的不規(guī)則性、襯底114的不平整度等引起。因此,來自對準(zhǔn)傳感器和/或水平傳感器的結(jié)果可以用于改變所投影的圖案，來實(shí)現(xiàn)非線性變形校正。非線性變形校正可能對于例如柔性顯示器是有利的，柔性顯示器可能不具有一致的線性或非線性變形。
在光刻設(shè)備100的操作中，使用例如機(jī)器人輸送器(未顯示)將襯底114裝載到襯底臺106 ....Li。之后,襯底114沿X方向在框架160和獨(dú)立可尋址元件102下面移位。襯底114被水平傳感器和/或?qū)?zhǔn)傳感器150測量，且之后使用獨(dú)立可尋址元件102使襯底被圖案曝光。例如,襯底114被掃描通過投影系統(tǒng)108的焦平面(像平面),同時(shí)子束并且因此圖像斑S (參見例如圖12)由圖案形成裝置104被切換成至少部分地接通(ON)或全部接通(ON)或關(guān)斷(OFF)。對應(yīng)于圖案形成裝置104中的圖案的特征形成在襯底114上。獨(dú)立可尋址元件102可以被操作，例如用于提供如此處所述的像素-柵格成像。在一實(shí)施例中，襯底114可以在正X方向上被完全掃描,且之后在負(fù)X方向上被完全掃描。在這樣的實(shí)施例中，在獨(dú)立可尋址元件102的相反側(cè)上的額外的水平傳感器和/或?qū)?zhǔn)傳感器150對于負(fù)X方向掃描可能是需要的。圖3顯示用于在制造例如平板顯示器(例如LCD、OLED顯示器等)中曝光襯底的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。如同如圖2中顯示的光刻設(shè)備100，光刻設(shè)備100包括用于保持平板顯示器襯底114的襯底臺106、在高達(dá)6個(gè)自由度上移動襯底 臺106的定位裝置116、用于確定獨(dú)立可尋址元件102和襯底114之間的對準(zhǔn)的對準(zhǔn)傳感器150和水平傳感器150,所述水平傳感器50用于確定襯底114相對于來自獨(dú)立可尋址元件102的圖案的投影是否是水平的。光刻設(shè)備100還包括布置在框架160上的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102。在這一實(shí)施例中，每個(gè)獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射二極管，例如藍(lán)紫激光二極管。如圖3所示，獨(dú)立可尋址元件102被布置成在Y方向上延伸的大量的(例如至少8個(gè))靜止的分離的獨(dú)立可尋址元件102的陣列。在一實(shí)施例中，陣列是基本上靜止的，即它們不會在投影期間顯著地移動。另外,在一實(shí)施例中，大量的獨(dú)立可尋址元件102的陣列與相鄰的獨(dú)立可尋址元件102的陣列以交替地方式在X方向....t交錯(cuò)。光刻設(shè)備100,尤其是獨(dú)立可尋址元件102，可以被布置以提供像素-柵格成像。在光刻設(shè)備100的操作中，使用例如機(jī)器人輸送器(未顯示)將平板顯示器襯底114裝載到襯底臺106上。之后,襯底114沿X方向在框架160和獨(dú)立可尋址元件102下面移位。襯底114被水平傳感器和/或?qū)?zhǔn)傳感器150測量,且之后通過使用獨(dú)立可尋址元件102而被圖案曝光。獨(dú)立可尋址元件102可以被操作,例如用于提供如此處所述的像素-柵格成像。圖4顯示用于輥對輥的柔性顯示器/電子裝置的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。如同圖3中顯示的光刻設(shè)備100,光刻設(shè)備100包括布置在框架160 ....t的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102。在這一實(shí)施例中，每一獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射二極管,例如藍(lán)紫激光二極管。另外,光刻設(shè)備包括用于確定獨(dú)立可尋址元件102和襯底114之間的對準(zhǔn)的對準(zhǔn)傳感器150和用于確定襯底114相對于來自獨(dú)立可尋址元件102的圖案的投影是否水平的水平傳感器150。光刻設(shè)備還可以包括具有物體臺106的物體保持器，襯底114在物體臺106上移動。襯底114是柔性的且被滾動到連接至定位裝置116的輥上，該定位裝置116可以是轉(zhuǎn)動輥的電機(jī)。在一實(shí)施例中,襯底114可以另外或可替代地從連接至定位裝置116的輥滾動，該定位裝置可以是轉(zhuǎn)動輥的電機(jī)。在一實(shí)施例中，具有至少兩個(gè)輥，一個(gè)輥是襯底滾動離開的輥，另一個(gè)輥是襯底所滾動到達(dá)的輥。在一實(shí)施例中，如果例如襯底114在輥之間是足夠剛性的,那么不需要設(shè)置物體臺106。在這樣的情形中,將仍然具有物體保持器,例如一個(gè)或更多的輥。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以提供無載體(carrier-less)襯底(例如無載體箱片(CLF))和/或輥對輥制造。在一實(shí)施例中,光刻設(shè)備可以提供片材對片材的制造。在光刻設(shè)備100的操作中，柔性襯底114在框架160和獨(dú)立可尋址元件102的下面沿X方向滾動到輥上和/或滾動離開輥。襯底114被水平傳感器和/或?qū)?zhǔn)傳感器150測量，且之后使用獨(dú)立可尋址元件102使襯底114被圖案曝光。獨(dú)立可尋址元件102可以被操作,例如提供如在此處所討論的像素-柵格成像。圖5顯示具有可移動獨(dú)立可尋址元件102的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖。如同圖2中顯示的光刻設(shè)備100,光刻設(shè)備100包括用于保持襯底114的襯底臺106、在高達(dá)6個(gè)自由度上移動襯底臺106的定位裝置116、用于確定獨(dú)立可尋址元件102和襯底114之間的對準(zhǔn)的對準(zhǔn)傳感器150、和確定襯底114是否相對于來自獨(dú)立可尋址元件102的圖案的投影處于水平的水平傳感器150。光刻設(shè)備100還包括布置在框架160上的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102。在這一實(shí)施 例中，每一獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射二極管,例如激光二極管(諸如藍(lán)紫激光二極管)。如圖5所示，獨(dú)立可尋址元件102布置成沿著Y方向延伸的大量的分離的獨(dú)立可尋址元件102的陣列200。另外,在一實(shí)施例中，大量的獨(dú)立可尋址元件102的陣列200以交替的方式沿著X方向與獨(dú)立可尋址元件102的相鄰的陣列200交錯(cuò)。光刻設(shè)備100,尤其是獨(dú)立可尋址元件102,可以布置成提供像素-柵格成像。然而，在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備100不需要提供像素-柵格成像。更確切地，光刻設(shè)備100可以以不形成用于投影到襯底上的單個(gè)像素、而是形成用于投影到襯底上的大致連續(xù)的圖像的方式將二極管的輻射投影到襯底上。在一實(shí)施例中，多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102中的一個(gè)或更多個(gè)在曝光區(qū)域和曝光區(qū)域外的位置之間是可移動的,在曝光區(qū)域中一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件用于將束110的全部或一部分投影,在該曝光區(qū)域外的位置中一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件不會投影任何束110。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射器件,其在曝光區(qū)域204中被接通(ON)或至少部分接通(ON)，即它們(圖5中的淡陰影區(qū)域中)發(fā)射輻射，以及在位于曝光區(qū)域204的外部時(shí)被關(guān)斷(OFF)，即它們不發(fā)射輻射。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射器件,其可以在曝光區(qū)域204和曝光區(qū)域204的外部被接通(ON)。在這樣的情形下,如果例如輻射沒有通過一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102適當(dāng)?shù)赝队暗狡毓鈪^(qū)域204中，那么一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102可以在曝光區(qū)域204的外部被接通用于提供補(bǔ)償曝光。例如，參考圖5，與曝光區(qū)域204相對的陣列中的一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102可以被接通(ON),用于校正在曝光區(qū)域204中的失效的或不適當(dāng)?shù)妮椛渫队?。在一?shí)施例中，曝光區(qū)域204是細(xì)長的線。在一實(shí)施例中，曝光區(qū)域204是一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102的一維陣列。在一實(shí)施例中，曝光區(qū)域204是一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102的二維陣列。在一實(shí)施例中，曝光區(qū)域204是細(xì)長的。在一實(shí)施例中，每個(gè)可移動的獨(dú)立可尋址元件102可以獨(dú)立地移動，不必一起作為一個(gè)單元。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址兀件是可移動的，且在使用時(shí)至少在束110的投影期間沿著橫向于束110的傳播方向的方向移動。例如,在--實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射器件，其在束110的投影期間沿著基本上垂直于束110的傳播方向的方向移動。在一實(shí)施例中，每個(gè)陣列200是可橫向移位的板，該板具有沿著如圖6所示的板布置的多個(gè)空間上分離的獨(dú)立可尋址元件102。 在使用中，每個(gè)板沿著方向208平移。在使用中，獨(dú)立可尋址元件102的運(yùn)動被適當(dāng)?shù)囟〞r(shí)控制以位于曝光區(qū)域204中(顯示為圖6中的深陰影區(qū)域)，以便將全部或一部分束UO投影。例如,在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射器件,獨(dú)立可尋址元件102的接通或關(guān)斷被定時(shí)控制，使得一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102在它們在曝光區(qū)域204中時(shí)被接通(ON),在它們在區(qū)域204外時(shí)被關(guān)斷(OFF)。例如在圖6 (A)中，多個(gè)發(fā)射輻射二極管200的二維陣列被沿著方向208平移，兩個(gè)陣列沿著正方向208，在兩個(gè)陣列之間的中間一個(gè)陣列沿著負(fù)方向208。發(fā)射輻射二極管102的接通(ON)或關(guān)斷(OFF)被定時(shí)控制,使得每一陣列200中的特定的發(fā)射輻射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時(shí)被接通(ON),而在它們在區(qū)域204外時(shí)被關(guān)斷(OFF)。當(dāng)然，在例如陣列200到達(dá)它們行程的末端時(shí)，陣列200可以在相反的方向上行進(jìn)，即兩個(gè)陣列沿負(fù)方向208,兩個(gè)陣列之間的中間一個(gè)陣列沿正方向208。在另外的例子中,在圖6(B)中，發(fā)射輻射二極管200的多個(gè)相互交織的一維陣列沿方向208平移,在正方向208上和負(fù)方向208上交替。發(fā)射輻射二極管102的接通(ON)或關(guān)斷(OFF)被定時(shí)控制，使得每一陣列200中的特定發(fā)射輻射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時(shí)被接通(ON),且在它們位于區(qū)域204外時(shí)被關(guān)斷(OFF)。當(dāng)然，陣列200可以沿相反的方向行進(jìn)。在另一例子中，在圖6(C)中，發(fā)射輻射二極管200的單個(gè)陣列(顯示為一維陣列,但這不是必須的)被沿方向208平移。發(fā)射輻射二極管102的接通(ON)或關(guān)斷(OFF)被定時(shí)控制，使得每一陣列200的特定發(fā)射輻射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時(shí)被接通(ON)而在它們位于區(qū)域204外時(shí)被關(guān)斷(OFF)。在一實(shí)施例中，每一陣列200是可旋轉(zhuǎn)的板,該板具有圍繞板布置的多個(gè)空間上分離的獨(dú)立可尋址元件102。在使用中，每一板圍繞其自身的軸線206旋轉(zhuǎn),例如在圖5中的箭頭所顯示的方向上。也就是，陣列200可以可替代地沿如圖5顯示的順時(shí)針和逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)?？商娲兀恳魂嚵?00可以沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)或沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。在一實(shí)施例中，陣列200旋轉(zhuǎn)整整一圈。在一實(shí)施例中，陣列200旋轉(zhuǎn)的弧度小于完整的一圈。在-一實(shí)施例中，如果例如襯底沿著Z方向進(jìn)行掃描,那么陣列200可以圍繞沿著X或Y方向延伸的軸線旋轉(zhuǎn)。在一實(shí)施例中，參考圖6 (D),陣列200中的獨(dú)立可尋址元件102可以布置在邊緣處，且沿著向外朝向襯底114的徑向方向投影。襯底114可以圍繞陣列200的側(cè)邊的至少一部分延伸。在這種情形中，陣列200圍繞沿著X方向延伸的軸線旋轉(zhuǎn),且襯底114沿X方向移動。在使用中，獨(dú)立可尋址元件102的運(yùn)動被適當(dāng)?shù)囟〞r(shí)控制用于定位在曝光區(qū)域204中,以便將束110的全部或一部分投影。例如，在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射福射器件,獨(dú)立可尋址元件102的接通(ON)或關(guān)斷(OFF)被定時(shí)控制,使得一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102在它們位于曝光區(qū)域204中時(shí)被接通(ON)且在它們位于區(qū)域204外時(shí)被關(guān)斷(OFF)。因此，在一實(shí)施例中，發(fā)射輻射器件102可以在運(yùn)動期間全都保持接通，之后某些發(fā)射輻射器件102在曝光區(qū)域204中被調(diào)制成關(guān)斷(OFF)。在發(fā)射輻射器件102和襯底之間的且在曝光區(qū)域204外的適合的遮蔽可能是需要的,用于遮蔽曝光區(qū)域204防止發(fā)射輻射器件102在曝光區(qū)域204外被接通(ON)。使得發(fā)射輻射器件102一致地接通(ON)可以在使用期間便于使得發(fā)射輻射器件102處于基本上一致的溫度。在一實(shí)施例中，發(fā)射輻射器件102可以在大部分時(shí)間保持關(guān)斷(OFF)，而在處于曝光區(qū)域204中時(shí)一個(gè)或更多的發(fā)射輻射器件102被接通(ON)。在一實(shí)施例中，可旋轉(zhuǎn)板可以具有如圖7所示的配置。例如，在圖7(A)中，顯示了可旋轉(zhuǎn)板的示意俯視圖?？尚D(zhuǎn)板可以具有陣列200，該陣列200具有圍繞板布置的獨(dú)立可尋址元件102的多個(gè)子陣列210(與圖5中的可旋轉(zhuǎn)板相比,其示意性地顯示圍繞板布置的獨(dú)立可尋址元件102的單個(gè)陣列200)。在圖7(A)中，子陣列210顯示為彼此交錯(cuò),使得一個(gè)子陣列210的獨(dú)立可尋址元件102在另一子陣列210的兩個(gè)獨(dú)立可尋址元件102之間。然而，子陣列210的獨(dú)立可尋址元件102可以彼此對準(zhǔn)。獨(dú)立可尋址元件102可以獨(dú)立地或一起通過電機(jī)216圍繞軸線旋轉(zhuǎn),在這一例子中,軸線沿著圖7(A)中的Z方向延伸通過電機(jī)216。電機(jī)216可以連接至可旋轉(zhuǎn)板且連接至框架(例如框架160)、或連接至框架(例 如框架160)且連接至可旋轉(zhuǎn)板。在一實(shí)施例中，電機(jī)216(或例如，位于另外位置的某個(gè)電機(jī))可能引起獨(dú)立可尋址元件102的另外的移動,不論是單獨(dú)地或一起地移動。例如,電機(jī)216可以引起一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102在X、Y和/或Z方向上的平移。另外或可替代地，電機(jī)216可能引起一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件102圍繞X和/或Y方向的旋轉(zhuǎn)(即，Rx和/或Ry運(yùn)動)。在作為俯視圖的圖7(B)中示意性地顯示的可旋轉(zhuǎn)板的實(shí)施例中，可旋轉(zhuǎn)板可能在其中心區(qū)域具有開口 21.2,且獨(dú)立可尋址元件102的陣列200布置在開口 212外面的板上。因此,例如可旋轉(zhuǎn)板可以形成如圖7(B)所顯示的環(huán)形盤,且獨(dú)立可尋址元件102的陣列200圍繞盤布置。開口可以減小可旋轉(zhuǎn)板的重量，和/或便于冷卻獨(dú)立可尋址元件102。在一實(shí)施例中，可以使用支撐件204在外周邊處支撐可旋轉(zhuǎn)板。支撐件214可以是軸承，例如輥?zhàn)虞S承或氣體軸承。旋轉(zhuǎn)(和/或其它運(yùn)動，例如沿著X、Y和/或Z方向的平移和/或Rx運(yùn)動和/或Ry運(yùn)動)可以通過如圖7 (A)所顯示的電機(jī)216來提供。另外地或可替代地,支撐件214可以包括使得獨(dú)立可尋址元件102圍繞軸線A旋轉(zhuǎn)(和/或提供其它移動，例如沿著X、Y和/或Z方向的平移和/或Rx運(yùn)動和/或Ry運(yùn)動)的電機(jī)。在一實(shí)施例中，參考圖7 (D)和7 (E),具有獨(dú)立可尋址元件102的陣列200的可旋轉(zhuǎn)板可以連接至可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)218。可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)218可以通過電機(jī)220圍繞軸線B旋轉(zhuǎn)。另夕卜，可旋轉(zhuǎn)板可以通過電機(jī)216相對于可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)218旋轉(zhuǎn),電機(jī)216使得可旋轉(zhuǎn)板圍繞軸線A旋轉(zhuǎn)。在一實(shí)施例中,旋轉(zhuǎn)軸線A和B不會重合,因此軸線如圖7(D)和7(E)中顯示的在空間上是分離的。在一實(shí)施例中,旋轉(zhuǎn)軸線A和B基本上彼此平行。在曝光期間的使用中，可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)218和可旋轉(zhuǎn)板旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)可以被協(xié)調(diào)，使得獨(dú)立可尋址元件102在曝光區(qū)域204中可以沿著大致直線對準(zhǔn)。這可以與例如圖5的實(shí)施例相比較,其中曝光區(qū)域204中的獨(dú)立可尋址元件102可以不被沿著大致直線對準(zhǔn)。在具有如上文所述的可移動的獨(dú)立可尋址元件的情況下,在需要時(shí)可以通過將獨(dú)立可尋址元件移動到曝光區(qū)域204中來減少獨(dú)立可尋址元件的數(shù)量。因此,可以減小熱負(fù)載。在一實(shí)施例中，可以提供比理論上所需要的可移動的獨(dú)立可尋址元件(例如在可旋轉(zhuǎn)板上)更多的可移動的獨(dú)立可尋址元件。這一布置的可能的優(yōu)點(diǎn)是如果^-個(gè)或更多的可移動的獨(dú)立可尋址元件破裂或不能操作，替代地可以使用一個(gè)或更多的其它可移動的獨(dú)立可尋址元件。另外或可替代地，額外的可移動的獨(dú)立可尋址元件可以具有控制獨(dú)立可尋址元件上的熱負(fù)載的優(yōu)點(diǎn)，這是因?yàn)榭梢苿拥莫?dú)立可尋址元件越多，曝光區(qū)域204外的可移動的獨(dú)立可尋址元件的冷卻機(jī)會就越大。在一實(shí)施例中，可移動的獨(dú)立可尋址元件102被內(nèi)嵌到具有低熱導(dǎo)率的材料中。例如,材料可以是陶瓷的，例如堇青石或基于堇青石的陶瓷和/或微晶玻璃(Zerodur)陶瓷。在一實(shí)施例中，可移動的獨(dú) 可尋址兀件102內(nèi)嵌在具有1 熱導(dǎo)率的材料中，諸如金屬,例如相對輕質(zhì)的金屬,例如鋁或鈦。在一實(shí)施例中，陣列200可以包括溫度控制布置。例如，參考圖7 (F),陣列200可以具有流體(例如液體)引導(dǎo)通道222，用于傳輸冷卻流體到陣列200上、傳輸冷卻流體到陣列200附近或傳輸冷卻流體通過陣列200來冷卻陣列。通道222可以連接至適合的熱交換器和泵228,以使得流體通過通道循環(huán)。在通道222與熱交換器和泵228之間連接的供 給裝置224和回送裝置226可以促進(jìn)流體的循環(huán)和溫度控制。傳感器234可以設(shè)置在陣列中、陣列上或陣列附近，以測量陣列200的參數(shù)，所得測量結(jié)果可以用于控制由熱交換器和泵提供的流體流的溫度。在一實(shí)施例中，傳感器234可以測量陣列200的主體的膨脹和/或收縮，所得測量結(jié)果可以用于控制由熱交換器和泵所提供的流體流的溫度。這樣的膨脹和/或收縮可以是溫度的代表。在一實(shí)施例中，傳感器234可以與陣列200集成(如由成點(diǎn)的形式的傳感器234所顯示的)和/或可以與陣列200是分立的(如由成盒形式的傳感器234所顯示的)。與陣列200分立的傳感器234可以是光學(xué)傳感器。在一實(shí)施例中，參考圖7 (G),陣列200可以具有一個(gè)或更多的散熱片230,用于增加散熱的表面積。散熱片230可以例如位于陣列200的頂表面....t和/或在陣列200的側(cè)表面上?？蛇x地,一個(gè)或更多的另外的散熱片232可以被提供用于與散熱片230配合，以便于散熱。例如,散熱片232能夠從散熱片230吸收熱量，且可以包括流體(例如液體)引導(dǎo)通道和類似于如在圖7(F)中顯示的和關(guān)于其所描述的相關(guān)的熱交換器/泵。在一實(shí)施例中,參考圖7 (H)，陣列200可以位于流體限制結(jié)構(gòu)236處或附近,該流體限制結(jié)構(gòu)236配置成保持流體238與陣列200的主體接觸以便于通過流體進(jìn)行散熱。在一實(shí)施例中，流體238可以是液體,例如水。在一實(shí)施例中，流體限制結(jié)構(gòu)236提供在它和陣列200的主體之間的密封。在^-實(shí)施例中，該密封可以是例如通過氣流或毛細(xì)作用力所提供的無接觸密封。在一實(shí)施例中，類似于如關(guān)于流體引導(dǎo)通道222所討論的，流體238被循環(huán)以促進(jìn)散熱?？梢酝ㄟ^流體供給裝置240提供流體238。在一實(shí)施例中,參考圖7 (H),陣列200可以位于流體供給裝置240處或附近,該流體供給裝置240配置成朝向陣列200的主體投射流體238,以便于通過流體進(jìn)行散熱。在一實(shí)施例中，流體238是氣體，例如清潔的千燥氣體，N2、惰性氣體等。雖然流體限制結(jié)構(gòu)236和流體供給裝置240在圖7(H)中顯示在一起,但是它們不必設(shè)置在一起。在一實(shí)施例中，陣列200的主體是大致實(shí)心的結(jié)構(gòu),且具有例如用于流體引導(dǎo)通道222的腔。在^-實(shí)施例中，陣列200的主體是大部分敞開的大致框架狀結(jié)構(gòu),且各種部件(例如獨(dú)立可尋址元件102、流體引導(dǎo)通道222等)連接至該大致框架狀結(jié)構(gòu)。這一敞開狀的結(jié)構(gòu)便于氣體流動和/或增加表面積。在一實(shí)施例中，陣列200的主體是具有多個(gè)進(jìn)入或通過所述主體的腔的大致實(shí)心結(jié)構(gòu)，以便于氣體流動和/或增加表面積。 雖然在上文描述了提供冷卻的實(shí)施例，但是實(shí)施例可替代或另外可以提供加熱。在一實(shí)施例中，在曝光使用期間陣列200期望保持在大致恒定的穩(wěn)態(tài)溫度。因此，例如陣列200中的所有或許多獨(dú)立可尋址元件102可以在曝光之前被通電以達(dá)到期望的穩(wěn)態(tài)溫度或在其附近，且在曝光期間任意一個(gè)或更多的溫度控制布置可以用于冷卻和/或加熱陣列200,以保持穩(wěn)態(tài)溫度。在一實(shí)施例中,任意一個(gè)或更多的溫度控制布置可以用于在曝光之前加熱陣列200，以達(dá)到期望的穩(wěn)態(tài)溫度或在其附近。之后,在曝光期間，任意一個(gè)或更多的溫度控制布置可以用于冷卻和/或加熱陣列200,以保持穩(wěn)態(tài)溫度。來自傳感器234的測量結(jié)果可以以前饋和/或反饋的方式使用，以保持穩(wěn)態(tài)溫度。在一實(shí)施例中，多個(gè)陣列200中的每一個(gè)可以具有相同的穩(wěn)態(tài)溫度，或多個(gè)陣列200中的一個(gè)或更多的陣列200可以具有不同于多個(gè)陣列200中的一個(gè)或更多的其它的陣列200的穩(wěn)態(tài)溫度。在一實(shí)施例中，陣列200被加熱至比期望的穩(wěn)態(tài)溫度高的溫度，且之后由于任意一個(gè)或更多的溫度控制布 置所施加的冷卻和/或因?yàn)楠?dú)立可尋址元件102的使用不足以保持比期望的穩(wěn)態(tài)溫度高的溫度而在曝光期間溫度降低。在一實(shí)施例中，為了改善熱控制和整體冷卻,陣列200的主體的數(shù)量被沿著和/或跨經(jīng)曝光區(qū)域增加。因此,例如替代圖5中顯示的四個(gè)陣列200,可以設(shè)置5個(gè)、6個(gè)、7個(gè)、8個(gè)、9個(gè)、10個(gè)或更多的陣列200?？梢栽O(shè)置更少的陣列,例如一個(gè)陣列200,諸如覆蓋襯底的全部寬度的單個(gè)大陣列。在一實(shí)施例中，如在此處描述的透鏡陣列與可移動的獨(dú)立可尋址元件是相關(guān)聯(lián)的或是一體的。例如,透鏡陣列板可以連接至每個(gè)可移動陣列200,且因此與獨(dú)立可尋址元件102是可一起移動的(例如可旋轉(zhuǎn)的)。如上文所述,透鏡陣列板可以是相對于獨(dú)立可尋址元件102(例如沿著Z方向)是可移位的。在一實(shí)施例中,可以為陣列200設(shè)置多個(gè)透鏡陣列板,每一透鏡陣列板與多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102的不同的子組相關(guān)聯(lián)。在一實(shí)施例中，參考圖7(1),單個(gè)分立的透鏡242可以連接在每個(gè)獨(dú)立可尋址元件102的前面,且102是可與獨(dú)立可尋址元件移動的(例如圍繞軸線A是可旋轉(zhuǎn)的)。另外，通過使用致動器244，透鏡242可以是相對于獨(dú)立可尋址元件102(例如沿著Z方向)是可移位的。在一實(shí)施例中，參考圖7 (J)，獨(dú)立可尋址元件102和透鏡242可以通過致動器244相對于陣列200的主體246 —起被移位。在一實(shí)施例中，致動器244配置成(即相對于獨(dú)立可尋址元件102或與獨(dú)立可尋址元件102 —起)沿著Z方向僅使透鏡242移位。在一實(shí)施例中，致動器244配置成在高達(dá)3個(gè)自由度上(Z方向、圍繞X方向的旋轉(zhuǎn)和/或圍繞Y方向的旋轉(zhuǎn))將透鏡242移位。在一實(shí)施例中，致動器244配置成在高達(dá)6個(gè)自由度上將透鏡242移位。在透鏡242相對于其獨(dú)立可尋址元件102可移動時(shí)，可以通過致動器244移動透鏡242以改變透鏡242相對于襯底的聚焦位置。在透鏡242與其獨(dú)立可尋址元件102 —起移動時(shí)，透鏡242的聚焦位置是大致恒定的，但是相對于襯底被移位。在一實(shí)施例中，透鏡242的移動對于與陣列200中的每個(gè)獨(dú)立可尋址元件102相關(guān)的每一透鏡242被獨(dú)立控制。在一實(shí)施例中，多個(gè)透鏡242的子組相對于它們的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102的相關(guān)子組--起移動,或與它們一起移動。在后一情形下,為了較低的數(shù)據(jù)管理費(fèi)用和/或較快的響應(yīng)，可能是以犧牲精細(xì)的聚焦控制為代價(jià)的。在一實(shí)施例中，由獨(dú)立可尋址元件102所提供的輻射斑的尺寸可以通過離焦進(jìn)行調(diào)整，即離焦越大，輻射斑的尺寸越大。
在^-實(shí)施例中，參考圖7⑷，在其中具有孔闌的孔闌結(jié)構(gòu)248可以位于透鏡242的下面。在一實(shí)施例中，孔闌結(jié)構(gòu)248可以位于在透鏡242 ....t方，且在透鏡242和相關(guān)的獨(dú)立可尋址元件102之間。孔闌結(jié)構(gòu)248可能限制了透鏡242、相關(guān)的獨(dú)立可尋址元件102和/或相鄰的透鏡242/獨(dú)立可尋址元件102的衍射效應(yīng)。在一實(shí)施例中，獨(dú)立可尋址元件102可以是發(fā)射輻射器件,例如激光二極管。這樣的發(fā)射輻射器件可以具有高的空間相千性且因此可能顯示出散斑問題。為了避免這樣的散斑問題，應(yīng)當(dāng)通過移動一束部分相對于另一束部分的相位來擾亂由發(fā)射輻射器件發(fā)射的輻射。在一實(shí)施例中，參考圖7 (L)和7 (M),板250可以位于例如框架160上,且獨(dú)立可尋址元件102相對于板250移動。在獨(dú)立可尋址元件102相對于板250且在板250上移動時(shí),板250引起了由獨(dú)立可尋址元件102朝向襯底發(fā)射的輻射的空間相千性的破壞。在一實(shí)施例中，在獨(dú)立可尋址元件102相對于板250和在板250上移動時(shí)，板250位于透鏡242和其相關(guān)的獨(dú)立可尋址元件102之間。在一實(shí)施例中，板250可以位于透鏡242和襯底之間。
在一實(shí)施例中，參考圖7 (N),空間相干性破壞裝置252可以位于襯底和至少獨(dú)立可尋址元件102之間，該獨(dú)立可尋址元件102將輻射投影到曝光區(qū)域....Li。在一實(shí)施例中，空間相干性破壞裝置252位于獨(dú)立可尋址元件102和透鏡242之間，且可以連接至主體246。在一實(shí)施例中，空間相干性破壞裝置252是相位調(diào)制器、振動板或旋轉(zhuǎn)板。在獨(dú)立可尋址元件102將輻射朝向襯底投影時(shí)，空間相干性破壞裝置252使得破壞由獨(dú)立可尋址元件102發(fā)射的輻射的空間相千性。在一實(shí)施例中，透鏡陣列(不論是否是一起作為一個(gè)單元或作為獨(dú)立的透鏡)(期望地經(jīng)由高熱導(dǎo)率材料)連接至陣列200,以便于在可以提供更加有利的冷卻情況下,將熱量從透鏡陣列傳導(dǎo)至陣列200。在一實(shí)施例中，陣列200可以包括一個(gè)或更多的聚焦或水平傳感器254，如同水平傳感器150。例如,傳感器254可以配置成測量陣列200中的每一個(gè)獨(dú)立可尋址元件102或陣列200的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102的聚焦。因此,如果檢測到離焦?fàn)顟B(tài),那么可以對于陣列200中的每個(gè)獨(dú)立可尋址元件102或?qū)τ陉嚵?00中的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102來校正聚焦。聚焦可以通過例如沿著Z方向(和/或圍繞X軸線和/或圍繞Y軸線)移動透鏡242來進(jìn)行校正。在一實(shí)施例中，傳感器254與獨(dú)立可尋址元件102是一體的(或可以與陣列200中的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102是一體的)。參考圖7 (O),示意性地顯示示例性的傳感器254。聚焦檢測束256被改向(例如反射)遠(yuǎn)離襯底表面，穿過透鏡242，且被半鍍銀反射鏡258引導(dǎo)朝向檢測器262。在一實(shí)施例中，聚焦檢測束256可以是用于曝光的輻射，該輻射剛好是從襯底被改向的。在一實(shí)施例中，聚焦檢測束256可以是在襯底處被引導(dǎo)的專門的束，其在被襯底改向時(shí)變成束256。在束256撞擊到檢測器262上之前,刀邊緣260 (其可以是孔闌)位于束256的路徑中。在這一例子中，檢測器262包括通過分開檢測器262在圖7(0)中顯示的至少兩個(gè)輻射敏感部分(例如區(qū)域或檢測器)。在襯底處于正焦位置時(shí)，在邊緣260處形成清晰圖像，因此檢測器262的輻射敏感部分接收相等量的輻射。在襯底處于離焦?fàn)顟B(tài)時(shí)，束256移位，圖像將形成在邊緣260的前面或后面。因此,邊緣260將截取束256的特定部分，檢測器262的一個(gè)輻射敏感部分將接收比檢測器262的另一輻射敏感部分更小量的輻射。來自檢測器262的輻射敏感部分的輸出信號的比較使得能夠得到被改向的束256與所期望的位置不同的量、被改向的束256與所期望的位置不同時(shí)所處的方向、以及被改向的束256與所期望的位置不同時(shí)所離開的襯底的平面。信號可以被電子處理以提供控制信號，例如通過該控制信號可以對透鏡242進(jìn)行調(diào)整。反射鏡258、邊緣260和檢測器262可以安裝至陣列200。在一實(shí)施例中，檢測器262可以是四象限光電單元。在一實(shí)施例中，可以提供400個(gè)獨(dú)立可尋址元件102,且(在任一時(shí)刻)133個(gè)進(jìn)行工作。在一實(shí)施例中，可以設(shè)置有600-1200個(gè)工作的獨(dú)立可尋址元件102,且可選地具有額外的獨(dú)立可尋址元件102,例如用作預(yù)留和/或用于校正曝光(如例如上文所述的)。工作的獨(dú)立可尋址元件102的數(shù)量可能例如依賴于抗蝕劑,其需要用于形成圖案的輻射的特定劑量。在獨(dú)立可尋址元件102是可旋轉(zhuǎn)的(如獨(dú)立可尋址元件102)情況下,獨(dú)立可尋址元件102可以在6Hz的頻率進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，且具有1200個(gè)工作的獨(dú)立可尋址元件102。如果具有較少的獨(dú)立可尋址元件102，則可以在較高的頻率下旋轉(zhuǎn)獨(dú)立可尋址元件102 ;如果具有更多的獨(dú)立可尋址元件102,可以以較低的頻率旋轉(zhuǎn)獨(dú)立可尋址元件102。在一實(shí)施例中，與獨(dú)立可尋址元件102的陣列相比,可以使用可移動的獨(dú)立可尋 址元件102減小獨(dú)立可尋址元件102的數(shù)量。例如，可以(在任一時(shí)刻)提供600-1200個(gè)工作的獨(dú)立可尋址元件102。另外，減小的數(shù)量可以產(chǎn)生基本上與獨(dú)立可尋址元件102的陣列相類似的結(jié)果，但是具有一個(gè)或更多的優(yōu)點(diǎn)。例如，對于使用紫藍(lán)二極管陣列的充分的曝光能力，可能需要100000個(gè)紫藍(lán)二極管的陣列，例如布置成200個(gè)二極管X500個(gè)二極管。在以IOkHz的頻率操作時(shí)，每個(gè)激光二極管的光功率將是O. 33mW。每一激光二極管的電功率將是ISOmff = 35mAX4. IV。因此,對于所述陣列，電功率將是ISkW0在使用可移動的獨(dú)立可尋址元件的實(shí)施例中，可以提供400個(gè)紫藍(lán)二極管,其中133個(gè)進(jìn)行工作。在9Mhz的頻率下操作時(shí),每一激光二極管的光功率將是250mW。每^-激光二極管的電功率將是IOOOmff = 240mAX 4. 2V。因此,對于所述陣列，電功率將是133W。因此,可移動的獨(dú)立可尋址元件布置中的二極管可以在如例如在圖7(P)中顯示的光輸出功率與前向電流關(guān)系曲線(240mA V. 35mA)中的陡峭部分中進(jìn)行操作，從而產(chǎn)生了每一二極管的高輸出功率(250mWv. O. 33mW),但是具有對于多個(gè)獨(dú)立可尋址元件(133W v. 15kff)的低電功率。因此,二極管可以更加有效地使用且導(dǎo)致減小的功率損耗和/或熱量。因此，在一實(shí)施例中，二極管在功率/前向電流曲線的陡峭部分中進(jìn)行操作。在功率/前向電流曲線的非陡峭部分中進(jìn)行操作可能導(dǎo)致輻射的不相干性。在一實(shí)施例中，二極管在大于5mff的光功率下但是小于或等于20mW,或小于或等于30mW,或小于或等于40mff的情況'卜進(jìn)行操作。在一實(shí)施例中，二極管沒有在大于300mW的光功率'卜進(jìn)行操作ο在一實(shí)施例中，二極管被以單一的模式進(jìn)行操作，而不是以多模式進(jìn)行操作。陣列200上的獨(dú)立可尋址元件102的數(shù)量可能依賴于,特別是依賴于(且如另外在上文所指出的程度)陣列200將要覆蓋的曝光區(qū)域的長度、在曝光期間陣列移動的速度、斑的尺寸(即從獨(dú)立可尋址元件102投影到襯底上的斑的橫截面尺寸,例如寬度/直徑)、每一獨(dú)立可尋址元件應(yīng)當(dāng)提供的期望的強(qiáng)度(例如是否期望對于多于一個(gè)的獨(dú)立可尋址元件上方的襯底上的斑展開期望的劑量，以避免對襯底或襯底上的抗蝕劑的損害)、襯底的期望的掃描速度、成本考慮、獨(dú)立可尋址元件可以被接通(ON)或關(guān)斷(OFF)的頻率、以及對于冗余的獨(dú)立可尋址元件102的期望(如之前討論的；例如用于校正曝光或作為預(yù)留，例如如果一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件故障)。在一實(shí)施例中，陣列200包括至少100個(gè)獨(dú)立可尋址元件102,例如至少200個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少400個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少600個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少1000個(gè)獨(dú)立可尋址元件，至少1500個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少2500個(gè)獨(dú)立可尋址兀件，或至少5000個(gè)獨(dú)立可尋址兀件。在一實(shí)施例中，陣列200包括小于50000個(gè)獨(dú)立可尋址元件102,例如小于25000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于15000個(gè)獨(dú)立可尋址元件，小于10000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于7500個(gè)獨(dú)立可尋址元件 ,小于5000個(gè)獨(dú)立可尋址元件，小于2500個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于1200個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于600個(gè)獨(dú)立可尋址元件，或小于300個(gè)獨(dú)立可尋址元件。在一實(shí)施例中，陣列200對于每IOcm曝光區(qū)域長度(g卩，使得陣列中的獨(dú)立可尋址元件的數(shù)量對于IOcm的曝光區(qū)域長度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化)包括至少100個(gè)獨(dú)立可尋址元件102,例如至少200個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少400個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少600個(gè)獨(dú)立可尋址元件，至少1000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,至少1500個(gè)獨(dú)立可尋址元件，至少2500個(gè)獨(dú)立可尋址元件，或至少5000個(gè)獨(dú)立可尋址元件。在一實(shí)施例中，陣列200對于每IOcra曝光區(qū)域長度(即使得陣列中的獨(dú)立可尋址元件的數(shù)量對于IOcm的曝光區(qū)域長度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化)包括小于50000個(gè)獨(dú)立可尋址元件102,例如小于25000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于15000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于10000個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于7500個(gè)獨(dú)立可尋址元件，小于5000個(gè)獨(dú)立可尋址元件，小于2500個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于1200個(gè)獨(dú)立可尋址元件,小于600個(gè)獨(dú)立可尋址元件,或小于300個(gè)獨(dú)立可尋址元件。在一實(shí)施例中，陣列200包括小于75%的冗余的獨(dú)立可尋址元件102,例如67%或更少,50%或更少,約33%或更少,25%或更少,20%或更少,10%或更少，或5%或更少。在一實(shí)施例中，陣列200包括至少5%的冗余的獨(dú)立可尋址元件102,例如至少10%,至少25%,至少33%,至少50%,或至少65%。在一實(shí)施例中,陣列包括約67%的冗余的獨(dú)立可尋址元件。在一實(shí)施例中，襯底上的獨(dú)立可尋址元件的斑的尺寸是10微米或更少，5微米或更少，例如3微米或更少，2微米或更少，I微米或更少，O. 5微米或更少，O. 8微米或更少，或約O. I微米。在一實(shí)施例中，襯底上的獨(dú)立可尋址元件的斑的尺寸是O. I微米或更大,O. 2微米或更大，O. 3微米或更大，O. 5微米或更大，O. 7微米或更大，I微米或更大，I. 5微米或更大，2微米或更大，或5微米或更大。在一實(shí)施例中，斑的尺寸是約O. I微米。在一實(shí)施例中,斑的尺寸是約O. 5微米。在一實(shí)施例中,斑的尺寸是約I微米。在操作光刻設(shè)備100時(shí),襯底114被使用例如機(jī)器人輸送器(未顯示)裝載到襯底臺106上。之后襯底114在框架160和獨(dú)立可尋址元件102的下面沿著X方向移位。襯底114通過水平傳感器和/或?qū)?zhǔn)傳感器150進(jìn)行測量，且之后使用獨(dú)立可尋址元件102將襯底以圖案曝光，如上文所述。獨(dú)立可尋址元件102可以被操作，例如提供如此處所討論的像素-柵格成像。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。如圖8所示，光刻設(shè)備100包括圖案形成裝置104和投影系統(tǒng)108。投影系統(tǒng)108包括兩個(gè)透鏡176、172。第一透鏡176被布置成接收來自圖案形成裝置104的經(jīng)過調(diào)制的輻射束110,且聚焦它通過孔徑光闌174中的對比度孔闌。另外的透鏡(未顯示)可以位于孔闌中。之后輻射束110發(fā)散，且被第二透鏡172 (例如場透鏡)聚焦。投影系統(tǒng)108還包括布置成接收經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的透鏡陣列170。與圖案形成裝置104中的一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件相對應(yīng)的經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列170中的各自不同的透鏡。每一透鏡將經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的各自部分聚焦至位于襯底114上的點(diǎn)上。這樣，福射斑S (參見圖12)的陣列被曝光至襯底114上。應(yīng)當(dāng)理解，雖然僅顯示出所示出的透鏡陣列170中的5個(gè)透鏡，但是透鏡陣列可以包括數(shù)百個(gè)或數(shù)千個(gè)透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨(dú)立可控元件)。如圖8所示，在襯底114和透鏡陣列170之間設(shè)置自由工作距離FWD。這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，從而允許例如聚焦校正。在一實(shí)施例中，自由工作距離在l-3mm的范圍內(nèi)，例如約I. 4ram。圖案形成裝置104的獨(dú)立可尋址元件布置在節(jié)距P處,其導(dǎo)致在襯底114處的成像斑的相關(guān)節(jié)距P。在^-實(shí)施例中，透鏡陣列170可以提供O. 15或O. 18的NA。在一實(shí)施例中，成像斑的尺寸是約I. 6 μ m。在這一實(shí)施例中，投影系統(tǒng)108可以是I : I投影系統(tǒng),其中襯底114上的圖像斑的陣列間距與圖案形成裝置104的像素的陣列間距是相同的。為了提供改善的分辨率，圖 像斑可以遠(yuǎn)小于圖案形成裝置104的像素。圖9顯示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。在這一實(shí)施例中，除了透鏡陣列170之外，在圖案形成裝置104和襯底114之間沒有光學(xué)裝置。圖9中的光刻設(shè)備100包括圖案形成裝.量104和投影系統(tǒng)108。在這種情形下，投影系統(tǒng)108僅包括布置成接收經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的透鏡陣列170。與圖案形成裝置104中的一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件相對應(yīng)的調(diào)制輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列170中的各自的不同的透鏡。每一透鏡將經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的各自的部分聚焦到位于襯底114上的點(diǎn)上。這樣,輻射斑S(參見圖12)的陣列被曝光至襯底114上。應(yīng)當(dāng)理解，雖然僅顯示出所顯示的透鏡陣列170中的5個(gè)透鏡,但是透鏡陣列可以包括數(shù)百或數(shù)千個(gè)透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨(dú)立可控元件)。如同在圖8中示出的那樣，在襯底114和透鏡陣列170之間設(shè)置了自由工作距離FWD0這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，以允許例如進(jìn)行聚焦校正。圖案形成裝置104的獨(dú)立可尋址元件布置在節(jié)距P處,其導(dǎo)致了在襯底114處的成像斑的相關(guān)節(jié)距P。在一實(shí)施例中，透鏡陣列170可以提供O. 15的NA。在一實(shí)施例中，成像斑的尺寸是約 I. 6 μ m。圖1.0顯示使用關(guān)于圖5在上文描述的可移動的獨(dú)立可尋址元件102的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。在這^-實(shí)施例中，除了透鏡陣列170之外,在圖案形成裝置104和襯底114之間沒有其它光學(xué)裝置。圖10中的光刻設(shè)備100包括圖案形成裝置104和投影系統(tǒng)108。在這種情形下，投影系統(tǒng)108僅包括布置成接收經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的透鏡陣列170。與在圖案形成裝置104中的一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件相對應(yīng)的調(diào)制輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列170中的各自的不同的透鏡。每一透鏡將經(jīng)過調(diào)制的輻射束110的各自的部分聚焦到位于襯底114上的點(diǎn)上。這樣，輻射斑S(參見圖12)的陣列被曝光至襯底114上。應(yīng)當(dāng)理解，雖然僅顯示出所示的透鏡陣列170中的5個(gè)透鏡,但是透鏡陣列可以包括數(shù)百或數(shù)千個(gè)透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨(dú)立可控元件)。如同在圖8中示出的那樣,在襯底114和透鏡陣列170之間設(shè)置了自由工作距離FffD0這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，以允許例如進(jìn)行聚焦校正。圖案形成裝置104的獨(dú)立可尋址元件布置在節(jié)距P處,其導(dǎo)致了在襯底114處的成像斑的相關(guān)節(jié)距P。在一實(shí)施例中，透鏡陣列170可以提供O. 15的NA。在一實(shí)施例中，成像斑的尺寸是約 I. 6 μ m。圖1.1顯示多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102，具體地是6個(gè)獨(dú)立可尋址元件102。在這一實(shí)施例中，每個(gè)獨(dú)立可尋址元件102是發(fā)射輻射二極管,例如藍(lán)紫激光二極管。每一發(fā)射輻射二極管橋接兩條電線，以將電流供給至發(fā)射輻射二極管以控制二極管。因此，二極管形成可尋址柵格。兩條電線之間的寬度是約250 μ m,發(fā)射輻射二極管具有約500 μ m的節(jié)距。圖12示意性地顯示襯底114上的圖案可以如何產(chǎn)生。實(shí)心圓圈表示通過投影系統(tǒng)108中的透鏡陣列MLA投影到襯底114上的斑S的陣列。當(dāng)在襯底上進(jìn)行一系列曝光時(shí)，襯底114被相對于投影系統(tǒng)108在X方向上移動。空心圓圈表不之前已經(jīng)在襯底上被曝光的斑曝光SE。如圖所示，通過投影系統(tǒng)108中的透鏡陣列170投影到襯底114上的每一斑在襯底114上曝光一排R的斑。通過被每一斑S曝光的所有排R的斑曝光SE的總和產(chǎn)生 襯底114的完整的圖案。這樣的布置通常稱為“像素-柵格成像”。應(yīng)當(dāng)理解，圖12是示意性的附圖且斑S在實(shí)際中可能重疊?？梢?輻射斑S的陣列被以相對于襯底114的角度α布置(襯底114的邊緣位于平行于X和Y方向)ο這被完成使得在襯底114被沿著掃描方向(X方向)移動時(shí),每一福射斑將通過襯底的不同的區(qū)域,從而允許整個(gè)襯底被輻射斑S的陣列覆蓋。在^-實(shí)施例中，角度α是至多20°，10° ,例如至多5° ,至多3°，至多1° ,至多O. 5° ,至多O. 25°，至多O. 10°，至多O. 05° ,或至多O. 01° 。在一實(shí)施例中，角度α是至少O. 000Γ，例如至少O. 001。。根據(jù)在垂直于掃描方向的方向上的陣列間距和圖像斑尺寸確定在掃描方向上的陣列的寬度和傾斜角α ,用于確保襯底114的整個(gè)表面積被尋址。圖13示意性地顯示如何可以通過使用多個(gè)光學(xué)引擎在單個(gè)掃描中曝光整個(gè)襯底114，每個(gè)光學(xué)引擎包括一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件。通過8個(gè)光學(xué)引擎來產(chǎn)生輻射斑S (未顯示)的8個(gè)陣列SA,該8個(gè)光學(xué)引擎布置成在“棋盤板”上的兩個(gè)排Rl、R2,或交錯(cuò)配置,使得輻射斑S的一個(gè)陣列的邊緣與輻射斑S的相鄰陣列的邊緣略微重疊。在一實(shí)施例中，光學(xué)引擎布置成至少3個(gè)排，例如4個(gè)排或5個(gè)排。這樣，輻射帶延伸跨過襯底W的寬度，從而允許在單一掃描中執(zhí)行對整個(gè)襯底的曝光。這樣的“全寬度”單次通過曝光幫助避免連接兩次或更多次通過過程的可能的縫合問題，且還可以減小機(jī)器印跡，因?yàn)橐r底可能不需要在橫向于襯底通過方向的方向上被移動。應(yīng)當(dāng)理解,可以使用任何適合數(shù)量的光學(xué)引擎。在一實(shí)施例中，光學(xué)引擎的數(shù)量是至少I,例如至少2，至少4，至少8，至少10，至少12,至少14,或至少17。在一實(shí)施例中，光學(xué)引擎的數(shù)量是小于40，例如小于30或小于20。每一光學(xué)引擎可以包括分立的圖案形成裝置104和可選的如上文所述的分立的投影系統(tǒng)108和/或輻射系統(tǒng)。然而應(yīng)當(dāng)理解,兩個(gè)或更多的光學(xué)引擎可能共有一個(gè)或更多的輻射系統(tǒng)、圖案形成裝置104、和/或投影系統(tǒng)108中的至少一部分。在此處描述的實(shí)施例中，提供用于控制獨(dú)立可尋址元件的控制器。例如，在獨(dú)立可尋址元件是發(fā)射輻射器件的例子中，控制器可以控制何時(shí)獨(dú)立可尋址元件被接通(ON)或關(guān)斷(OFF),和獲得對獨(dú)立可尋址元件的高頻調(diào)制。控制器可以控制由一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件發(fā)射的輻射的功率。控制器可以調(diào)制通過一個(gè)或更多的獨(dú)立可尋址元件發(fā)射的輻射的強(qiáng)度?？刂破骺梢钥刂?調(diào)整在獨(dú)立可尋址元件的陣列的所有或一部分上的強(qiáng)度均勻性?？刂破骺梢哉{(diào)整獨(dú)立可尋址元件的輻射輸出，以對成像誤差(例如集光率和光學(xué)像差(例如彗差、象散等))進(jìn)行校正。在光刻術(shù)中，可以通過選擇性地將襯底上的抗蝕劑層以輻射曝光(例如通過以圖案化的輻射曝光抗蝕劑層)，而在襯底上產(chǎn)生期望的特征。接收特定的最小輻射劑量(“劑量閾值”)的抗蝕劑區(qū)域經(jīng)歷化學(xué)反應(yīng),而其它區(qū)域保持不變。由此產(chǎn)生的抗蝕劑層中的化學(xué)差別允許對抗蝕劑顯影，即選擇性移除已經(jīng)接收至少最小劑量的區(qū)域或移除沒有接收最小劑量的區(qū)域。結(jié)果，一部分襯底仍然被抗蝕劑保護(hù)，而移除了抗蝕劑的襯底的區(qū)域被曝光,從而允許例如額外的處理步驟,例如選擇性蝕刻襯底、選擇性金屬沉積等，由此產(chǎn)生期望的特征?？梢酝ㄟ^在圖案形成裝置中設(shè)定獨(dú)立可控元件來實(shí)現(xiàn)輻射的圖案化,使得被傳輸至位于期望的特征內(nèi)的襯底上的抗蝕劑層區(qū)域的輻射處于足夠高的強(qiáng)度，使 得所述區(qū)域在曝光期間接收大于劑量閾值的輻射劑量，而襯底上的其它區(qū)域通過設(shè)定對應(yīng)的獨(dú)立可控元件來接收低于劑量閾值的輻射劑量，以提供零或顯著地較低的輻射強(qiáng)度。在實(shí)際中，即使獨(dú)立可控元件被設(shè)置成在特征邊界的一側(cè)上提供最大輻射強(qiáng)度和在另一側(cè)—t提供最小輻射強(qiáng)度，在期望的特征的邊緣處的輻射劑量可能不會從給定的最大劑量急劇地變化至零劑量。替代地，由于衍射效應(yīng),輻射劑量的水平可能橫跨經(jīng)過過渡區(qū)降低。然后,在顯影抗蝕劑之后最終形成的期望特征的邊界的位置通過所接收的劑量降低至低于輻射劑量閾值的位置來確定。輻射劑量橫跨經(jīng)過過渡區(qū)而下降的分布以及由此特征邊界的精確位置可以通過設(shè)定獨(dú)立可控元件來更加精確地進(jìn)行控制，該獨(dú)立可控元件提供不僅是最大或最小強(qiáng)度水平而且也可以是在最大和最小強(qiáng)度水平之間的強(qiáng)度水平的輻射至襯底上位于特征邊界上或附近的點(diǎn)上。這通常稱為“灰度級”或“灰度水平”?；叶燃壙梢蕴峁┡c在光刻系統(tǒng)中可行的相比,對特征邊界的位置的更大的控制，其中通過給定的獨(dú)立可控元件提供至襯底的輻射強(qiáng)度可以僅被設(shè)定成兩個(gè)值(即僅是最大值和最小值)。在一實(shí)施例中，至少三個(gè)不同的輻射強(qiáng)度值可以被投影到襯底上，例如至少4個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少8個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少16個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少32個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少64個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少100個(gè)輻射強(qiáng)度值,至少128個(gè)輻射強(qiáng)度值,或至少256個(gè)輻射強(qiáng)度值。如果圖案形成裝置自身是輻射源(例如發(fā)光二極管或激光二極管的陣列)，那么可以實(shí)現(xiàn)灰度級，例如通過控制被傳輸?shù)妮椛涞膹?qiáng)度水平。如果對比度裝置是微反射鏡器件,可以實(shí)現(xiàn)灰度級,例如通過控制微反射鏡的傾斜角度。另外,可以通過對對比度裝置中的多個(gè)可編程元件進(jìn)行分組且控制在給定時(shí)間被接通或關(guān)斷的所述組內(nèi)的元件的數(shù)量,來實(shí)現(xiàn)灰度級。在一個(gè)例子中，圖案形成裝置可以具有一系列的狀態(tài)，包括(a)黑狀態(tài)，其中所提供的輻射對其對應(yīng)像素的強(qiáng)度分布的貢獻(xiàn)是最小的或甚至為零；(b)最白狀態(tài),其中所提供的輻射做出了最大的貢獻(xiàn)；和(C)在前述兩個(gè)狀態(tài)之間的多個(gè)狀態(tài),其中所提供的輻射做出了中間的貢獻(xiàn)。所述狀態(tài)被分成正常組和補(bǔ)償組，該正常組用于正常束圖案化/印刷，該補(bǔ)償組用于補(bǔ)償缺陷元件的效應(yīng)。正常組包括黑狀態(tài)和第一組中間狀態(tài)。該第一組將被描述成灰度狀態(tài)，它們是可選的，以給對應(yīng)像素強(qiáng)度提供從最小黑值直到特定的正常最大值的不斷增加的貢獻(xiàn)。補(bǔ)償組包括剩下的第二組中間狀態(tài)以及最白狀態(tài)。該第二組中間狀態(tài)將被描述成自狀態(tài)，它們是可選的、以提供比正常最大值大的貢獻(xiàn)，不斷增加至對應(yīng)于最白狀態(tài)的真實(shí)最大值。雖然第二組中間狀態(tài)被描述成白狀態(tài)，但是應(yīng)當(dāng)理解這僅是便于在正常和補(bǔ)償曝光步驟之間進(jìn)行區(qū)分。全部多個(gè)狀態(tài)將可替代地描述成在黑和白之間的一灰度狀態(tài)的序列，可選擇地可以使得能夠進(jìn)行灰度級印刷。應(yīng)當(dāng)理解，灰度級可以用于對于上文所述的來說額外的或可替代的目的。例如,在曝光之后的襯底的處理可以被調(diào)整,使得依賴于所接收的輻射劑量水平,具有襯底的區(qū)域的多于兩個(gè)的潛在響應(yīng)。例如,接收低于第^ -閾值的輻射劑量的襯底的-部分以第--方式響應(yīng)；接收高于第一閾值但是低于第二閾值的福射劑量的襯底的一部分以第二方式響應(yīng)；和接收高于第二閾值的輻射劑量的襯底的一部分以第三方式響應(yīng)。因此，灰度級可以用于提供經(jīng)過襯底上的輻射劑量分布,其具有多于兩個(gè)的期望的劑量水平。在一實(shí)施例中,輻射劑量分布具有至少2個(gè)期望的劑量水平,例如至少3個(gè)期望的輻射劑量水平,至少4個(gè)期望的輻射劑量水平、至少6個(gè)期望的輻射劑量水平或至少8個(gè)期望的輻射劑量水平。還應(yīng)當(dāng)理解,可以通過除了僅控制在襯底上的每一點(diǎn)處接收的輻射的強(qiáng)度之外的方法來控制輻射劑量分布,如上文所述。例如,可替代地或另外 地，由襯底上的每一點(diǎn)所接收的輻射劑量可以通過控制所述點(diǎn)的曝光的持續(xù)時(shí)間來控制。作為另一例子,襯底上的每一點(diǎn)可以潛在地接收多個(gè)連續(xù)的曝光中的輻射。因此，由每一點(diǎn)所接收的輻射劑量可以可替代地或另外地通過使用所述多個(gè)連續(xù)曝光中的已選擇的子組曝光所述點(diǎn)來進(jìn)行控制。為了在襯底上形成圖案,需要在曝光過程期間在每一階段將圖案形成裝置中的每一獨(dú)立可控元件設(shè)定成所需要的狀態(tài)。因此,表示所需要的狀態(tài)的控制信號必須被傳輸至每一獨(dú)立可控元件。期望地,光刻設(shè)備包括產(chǎn)生控制信號的控制器400。將在襯底上形成的圖案可以以矢量定義的格式(例如GDSII)提供至光刻設(shè)備。為了將設(shè)計(jì)信息轉(zhuǎn)換成每一獨(dú)立可控元件的控制信號,控制器包括一個(gè)或更多的數(shù)據(jù)操作裝置，每一個(gè)配置成在表示圖案的數(shù)據(jù)流上執(zhí)行處理步驟。數(shù)據(jù)操作裝置可以統(tǒng)稱為“數(shù)據(jù)通路(datapath) ”。數(shù)據(jù)通路中的數(shù)據(jù)操作裝置可以配置成執(zhí)行下述功能中的一個(gè)或更多個(gè)將基于矢量的設(shè)計(jì)信息轉(zhuǎn)換成位案數(shù)據(jù)；將位案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成需要的輻射劑量圖(即在整個(gè)襯底上的所需要的輻射劑量分布)；將需要的輻射劑量圖轉(zhuǎn)換成每一獨(dú)立可控元件的所需輻射強(qiáng)度值；以及將每^-獨(dú)立可控元件的需要的輻射強(qiáng)度值轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的控制信號。在一實(shí)施例中，控制信號可以通過有線通信或無線通信供給至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。另外，來自獨(dú)立可控元件102和/或來自一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的信號可以通信至控制器400。參考圖14 (A),在無線的實(shí)施例中，收發(fā)器(或僅是發(fā)射器)406發(fā)射包含由收發(fā)器(或僅是接收器)402接收的控制信號的信號。通過一個(gè)或更多的線404將控制信號發(fā)送至各自的獨(dú)立可控元件102。在一實(shí)施例中，來自收發(fā)器406的信號可以包括多個(gè)控制信號，收發(fā)器402可以將所述信號多路分解成為各自的獨(dú)立可控元件1.02和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的多個(gè)控制信號。在一實(shí)施例中,無線傳輸可以是通過射頻(RF)來進(jìn)行。參考圖14(B),在有線的實(shí)施例中，一個(gè)或更多的線404可以將控制器400連接至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。在一實(shí)施例中，可以提供單條線404,以將每個(gè)控制信號傳送至陣列200的主體和/或從陣列200的主體傳送每一控制信號。在陣列200的主體處，控制信號之后可以單獨(dú)地提供至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如，類似于無線的例子，為了在單條線上傳輸可以對控制信號進(jìn)行多路傳輸,且之后為了提供至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)可以對其進(jìn)行多路分解。在一實(shí)施例中，可以提供多條線404,以傳送獨(dú)立可控兀件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的各自的控制信號。在陣列200可旋轉(zhuǎn)的實(shí)施例中，可以沿著旋轉(zhuǎn)軸線A提供線404。在一實(shí)施例中，通過在電機(jī)216處或在電機(jī)216周圍的滑動接觸可以將信號提供至陣列200的主體,或從陣列200的主體提供信號。這對于可旋轉(zhuǎn)的實(shí)施例可能是有利的?；瑒咏佑|可以是例如通過與板接觸的刷。在一實(shí)施例中，線404可以是光學(xué)線。在這種情形中，信號可以是光學(xué)信號,其中例如可以以不同的波長傳送不同的控制信號。以類似于控制信號的方式,可以通過有線的或無線的方式將功率供給至獨(dú)立可控元件102或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如，在有線的實(shí)施例中，可以通過一個(gè)或更多的線404供給功率，而不管是否與傳送信號的線是相同的、還是不同的。如上所述,可以設(shè)置滑動接觸布置以傳輸功率。在無線的實(shí)施例中，可以通過RF耦合傳遞功率。 雖然之前的討論集中在被供給至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的控制信號，但是應(yīng)當(dāng)理解它們還包括，另外地或可替代地通過適合的配置將信號從獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)傳輸至控制器400。因此,通信可以是單向的(例如僅到達(dá)或來自獨(dú)立可控元件102和/或^-個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器))或兩向的(即，到達(dá)和來自獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器))。例如，收發(fā)器402可以為了傳輸至收發(fā)器406而將來自獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的多個(gè)信號進(jìn)行多路傳輸，此時(shí)它可以被多路分解成獨(dú)立的信號。在一實(shí)施例中，考慮到可能影響襯底....t的圖案的正確供給和/或?qū)崿F(xiàn)的因素，可以改變提供圖案的控制信號。例如,考慮了對一個(gè)或更多的陣列200的加熱，可以將校正施加至控制信號。這樣的加熱可能引起獨(dú)立可控元件102的改變的指向方向、來自獨(dú)立可控元件102的輻射的均勻性的變化等。在一實(shí)施例中，來自例如傳感器234的與(例如一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102的)陣列200相關(guān)的測量的溫度和/或膨脹/收縮可以用于改變控制信號，否則將已經(jīng)提供該控制信號以形成圖案。因此,例如在曝光期間，獨(dú)立可控元 件102的溫度可能變化,該變化引起了將在單個(gè)恒定的溫度提供的所投影的圖案的變化。因此,考慮到這樣的變化,可以改變控制信號。類似地,在^-實(shí)施例中,來自對準(zhǔn)傳感器和!或水平傳感器150的結(jié)果可以用于改變通過獨(dú)立可控元件102提供的圖案?？梢愿淖冊搱D案以校正例如變形，該變形可能由例如獨(dú)立可控元件102和襯底114之間的光學(xué)裝置(如果有的話)、襯底114的定位的不規(guī)則性、襯底114的不平整度等引起。在一實(shí)施例中，基于由所測量的參數(shù)(例如測量的溫度、通過水平傳感器測量的距離等)引起的期望圖案上的物理/光學(xué)結(jié)果的理論，可以確定控制信號的變化。在一實(shí)施例中，可以基于由所測量的參數(shù)引起的在期望圖案上的物理/光學(xué)結(jié)果的試驗(yàn)或經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?確定控制信號的變化。在一實(shí)施例中，可以以前饋和/或反饋的方式施加控制信號的變化。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以包括測量輻射的特性的傳感器500,該輻射被或?qū)⒈煌ㄟ^一個(gè)或更多的獨(dú)立可控兀件102朝向襯底進(jìn)行傳輸。這樣的傳感器可以是斑傳感器或透射圖像傳感器。傳感器可以用于例如確定來自獨(dú)立可控元件102的輻射的強(qiáng)度、來自獨(dú)立可控元件102的輻射的均勻性、來自獨(dú)立可控元件102的輻射斑的橫截面尺寸或面積、和/或來自獨(dú)立可控元件102的輻射斑(在X-Y平面內(nèi))的位置。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意俯視圖，顯示出傳感器500的一些示例性的位置。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的傳感器500設(shè)置在保持襯底114的襯底臺106中或襯底臺106上。例如,傳感器500可以設(shè)置在襯底臺106的前邊緣和/或襯底臺106的尾邊緣。在這一例子中，顯不出四個(gè)傳感器500，對于每一陣列200對應(yīng)一個(gè)傳感器。期望它們位于將不會被襯底116覆蓋的位置。在可替代的或另外的例子中，可以將傳感器設(shè)置在襯底臺106的側(cè)邊緣,期望地設(shè)置在將不會被襯底116覆蓋的位置處。在襯底臺106的前邊緣處的傳感器500可以用于獨(dú)立可控元件102的預(yù)曝光的檢測。在襯底臺106的尾邊緣處的傳感器500可以用于獨(dú)立可控元件102的后曝光的檢測。在襯底臺106的側(cè)邊緣處的傳感器500可以用于獨(dú)立可控元件102的在曝光期間的檢測(“運(yùn)行中的(on-the-fly) ”檢測)。 參考圖16(A),顯示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備的一部分的示意側(cè)視圖。在這一例子中，僅顯示出單個(gè)陣列200,且為了清楚起見省略了光刻設(shè)備的其它部分；此處描述的傳感器可以施加至每一陣列200或一些陣列20(L在圖16(A)中顯示出傳感器500的位置的--些另外的或可替代的例子(除了襯底臺106的傳感器500之外)。第一例子是框架160上的傳感器500，該傳感器接收通過束改向結(jié)構(gòu)502 (例如反射式反射鏡布置)的來自獨(dú)立可控元件102的輻射。在該第一例子中，獨(dú)立可控元件102在X-Y平面中移動，且因此獨(dú)立可控元件102中的不同的獨(dú)立可控元件可以被設(shè)置以提供輻射至束改向結(jié)構(gòu)502。另外的或可替代的第二例子是在框架160上的傳感器500,該傳感器500接收來自獨(dú)立可控元件102的背側(cè)(即與提供曝光輻射相對的一側(cè))的來自獨(dú)立可控元件102的輻射。在該第二例子中，獨(dú)立可控元件102在X-Y平面中移動，且因此獨(dú)立可控元件102中的不同的獨(dú)立可控元件可以被設(shè)置以提供輻射至傳感器500。雖然第二例子中的傳感器500顯示在曝光區(qū)域204處的獨(dú)立可控元件102的路徑中，傳感器500可以位于顯示傳感器510的位置。在一實(shí)施例中，框架160上的傳感器500位于固定的位置處或者另外可以通過例如相關(guān)的致動器是可移動的。除了或替代預(yù)曝光感測和/或后曝光感測，上文的第一和第二例子可以用于提供“運(yùn)行中的”感測。第三例子是結(jié)構(gòu)504、506上的傳感器500。結(jié)構(gòu)504、506可以是通過致動器508可移動的。在一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)504位于襯底臺將移動(如圖16 (A)所示)的路徑的下面或在所述路徑的側(cè)面。在一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)504可以是通過致動器508移動至在圖16(A)中顯示的襯底臺106的傳感器500所在的位置(如果襯底臺106未在那里的話)，如果結(jié)構(gòu)504在路徑的側(cè)面,則這樣的移動可以是沿著Z方向(如圖16㈧所示)或沿著X和/或Y方向。在一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)506位于襯底臺將移動(如圖16(A)所示)所在的路徑的....t方或在路徑的側(cè)面。在一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)506可以通過致動器508移動至在圖16 (A)所顯示的襯底臺106的傳感器500所在的位置(如果襯底臺106不在那里的話)。結(jié)構(gòu)506可以連接至框架160且相對于框架160是可移位的。在測量通過^-個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102朝向襯底傳輸或?qū)⒁獋鬏數(shù)妮椛涞奶匦缘牟僮髦?，通過移動傳感器500和/或移動獨(dú)立可控元件102的輻射束，使得傳感器500位于來自獨(dú)立可控元件102的輻射的路徑中。因此,作為例子,可以移動襯底臺106，以將傳感器500定位在來自圖16 (A)中顯示的獨(dú)立可控元件102的輻射的路徑中。在這種情形中，傳感器500被定位在曝光區(qū)域204處的獨(dú)立可控元件102的路徑中。在一實(shí)施例中,傳感器500可以定位在曝光區(qū)域204外的獨(dú)立可控元件102的路徑中(例如在左手側(cè)顯示的獨(dú)立可控元件102,如果束改向結(jié)構(gòu)502不在那里的話)。如果位于輻射路徑中，傳感器500可以檢測輻射且測量輻射的特性。為了便于感測,傳感器500可以相對于獨(dú)立可控元件102移動，和/或獨(dú)立可控元件102可以相對于傳感器500移動。作為另一例子，可以將獨(dú)立可控元件102移動至一位置，使得來自獨(dú)立可控元件102的輻射撞擊到束改向結(jié)構(gòu)502上。束改向結(jié)構(gòu)502將束引導(dǎo)至框架160上的傳感器500。為了便于感測，傳感器500可以相對于獨(dú)立可控元件102移動,和/或獨(dú)立可控元件102可以相對于傳感器500移動。在這一例子中,在曝光區(qū)域204外測量獨(dú)立可控元件102。在一實(shí)施例中，傳感器500可以是固定的或移動的。如果是固定的話，獨(dú)立可控元 件102期望地相對于固定的傳感器500是可移動的，以便于感測。例如，陣列200可以相對于傳感器500 (例如框架160上的傳感器500)移動(例如旋轉(zhuǎn)或平移)，以便于通過傳感器500進(jìn)行感測。如果傳感器500是可移動的(例如襯底臺106 ....t的傳感器500),則獨(dú)立可控元件102可以保持成靜止的、用于感測，或另外被移動以例如加速感測。傳感器500可以用于校準(zhǔn)一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件1.02。例如,在曝光之前可以通過傳感器500檢測獨(dú)立可控元件102的斑的位置,且相應(yīng)地系統(tǒng)被校準(zhǔn)。之后可以基于斑的這一預(yù)期位置調(diào)整曝光(例如控制襯底114的位置,控制獨(dú)立可控元件102的位置，控制獨(dú)立可控元件102的關(guān)斷(OFF)或接通(ON)等)。另外，可以隨后進(jìn)行校準(zhǔn)。例如，可以在曝光之后、在另一曝光之前,立即使用例如襯底臺106的尾邊緣上的傳感器500進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)可以在每一曝光之前、在特定數(shù)量的曝光之后等情況下進(jìn)行。另外，通過使用傳感器500可以“在運(yùn)行中”檢測獨(dú)立可控元件102的斑的位置,并相應(yīng)地調(diào)整曝光。獨(dú)立可控元件102也許能夠基于“在運(yùn)行中的”感測進(jìn)行再次校準(zhǔn)。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102可以被編碼以便能夠檢測哪一獨(dú)立可控元件102位于特定的位置或被使用。在一實(shí)施例中，獨(dú)立可控元件102可以具有標(biāo)識，傳感器510可以用于檢測標(biāo)識，該標(biāo)識可以是RFU)、條碼等。例如，多個(gè)獨(dú)立可控元件102中的每一·"Iv可以被移動至靠近傳感器510,以讀取標(biāo)識。在知道哪一獨(dú)立可控兀件102靠近傳感器510的情況下，可以知道哪一獨(dú)立可控元件102靠近傳感器500,哪一獨(dú)立可控元件102在曝光區(qū)域204中等。在一實(shí)施例中,每一獨(dú)立可控元件102可以用于提供具有不同頻率的輻射，傳感器500、510可以用于檢測哪一獨(dú)立可控元件102靠近傳感器500、510。例如，多個(gè)獨(dú)立可控兀件102中的每一·"Iv可以被移動成靠近傳感器500、510，以接收來自獨(dú)立可控元件102的輻射,且之后傳感器500、510可以多路分解所接收到的輻射，以確定哪一獨(dú)立可控元件102在特定時(shí)間靠近傳感器500、510。在知曉上述情況的情況下,可以知道哪一獨(dú)立可控元件102靠近傳感器500，哪一獨(dú)立可控元件102位于曝光區(qū)域204中等。在一實(shí)施例中，如上文所述,位置傳感器可以被提供以確定一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102在高達(dá)6個(gè)自由度上的位置。例如，傳感器510可以用于位置檢測。在一實(shí)施例中，傳感器510可以包括干涉儀。在一實(shí)施例中，傳感器510可以包括編碼器,該編碼器可以用于檢測一個(gè)或更多的一維編碼器光柵和/或一個(gè)或更多的二維的編碼器光柵。在一實(shí)施例中，可以提供傳感器520用于確定已經(jīng)傳輸至襯底的輻射的特性。在這--實(shí)施例中，傳感器520捕獲被襯底改向的輻射。在示例的使用中，被傳感器520捕獲的被改向的輻射可以用于便于確定來自獨(dú)立可控元件102的輻射的斑的位置(例如來自獨(dú)立可控元件102的輻射的斑的錯(cuò)位)。具體地，傳感器520可以捕獲從襯底的剛被曝光的部分被改向的輻射，即潛像。對這一尾部改向的輻射的強(qiáng)度的測量，可以給出斑是否被適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)的指示。例如,對這-一尾部的重復(fù)測量可以給出重復(fù)的信號，從該重復(fù)的信號的偏離將顯示斑的錯(cuò)位(例如，異相的信號可能表示未對準(zhǔn))。圖16(B)顯示傳感器520的檢測區(qū)域相對于襯底114的曝光區(qū)域522的示意位置。在這一實(shí)施例中，顯示出3個(gè)檢測區(qū)域,其結(jié)果可以被比較和/或組合以便于識別錯(cuò)位。僅需要使用一個(gè)檢測區(qū)域,例如在左手側(cè)上的一個(gè)。在一實(shí)施例中，可以以與傳感器520相類似的方式使用獨(dú)立可控元件102的檢測器262。例如,在右手側(cè)上的陣列200的曝光區(qū)域204外的一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102可以用于檢測從襯底上的潛像被改向的輻射。圖17顯不光刻設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例。在這一實(shí)施例中，多個(gè)獨(dú)立可控兀件102朝向 可旋轉(zhuǎn)的多邊形件600引導(dǎo)輻射。輻射撞擊到其上的多邊形件600的表面604將輻射朝向透鏡陣列170改向。透鏡陣列170朝向襯底114引導(dǎo)輻射。在曝光期間，多邊形件600圍繞軸線602旋轉(zhuǎn),從而使得來自多個(gè)獨(dú)立可控元件102中的每一個(gè)的各自的束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170移動。具體地,在多邊形件600的每一新的琢面與輻射撞擊時(shí),束將沿著正Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170重復(fù)進(jìn)行掃描。在曝光期間獨(dú)立可控元件102被調(diào)制，以提供如此處討論的期望的圖案。多邊形件可以具有任意數(shù)量的適合的邊。另外，獨(dú)立可控元件102在時(shí)序上被與旋轉(zhuǎn)的多邊形600調(diào)制，使得各自的束撞擊到透鏡陣列170中的透鏡上。在一實(shí)施例中，另外的多個(gè)獨(dú)立可控元件102可以設(shè)置在多邊形件的相反側(cè)上，即在右手側(cè)上，以便使得輻射撞擊到多邊形件600的表面606上。在一實(shí)施例中，可以使用振動的光學(xué)元件替代多邊形件600。振動的光學(xué)元件具有相對于透鏡陣列170的特定的固定角度，且可以沿著Y方向來回平移，以使得束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170來回進(jìn)行掃描。在一實(shí)施例中，可以使用圍繞軸線602來回旋轉(zhuǎn)通過一弧度的光學(xué)元件替代多邊形件600。通過來回旋轉(zhuǎn)光學(xué)元件通過--弧度,使得束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170來回進(jìn)行掃描。在一實(shí)施例中，多邊形件600、振動的光學(xué)元件、和/或旋轉(zhuǎn)的光學(xué)元件具有一個(gè)或更多的反射鏡表面。在一實(shí)施例中，多邊形件600、振動的光學(xué)元件、和/或旋轉(zhuǎn)的光學(xué)元件包括棱鏡。在一實(shí)施例中，可以使用聲-光調(diào)制器替代多邊形件600。聲-光調(diào)制器可以用于跨經(jīng)透鏡陣列170掃描束。在一實(shí)施例中,可以將透鏡陣列170放置在多個(gè)獨(dú)立可控元件102與多邊形件600、振動的光學(xué)元件、旋轉(zhuǎn)的光學(xué)元件、和/或聲-光調(diào)制器之間的輻射路徑中。因此，通常，與被分成曝光區(qū)域的寬度的這些輻射輸出的寬度相比,可以用更小的輻射輸出來覆蓋曝光區(qū)域(例如襯底)的寬度。在一實(shí)施例中,這可以包括相對于曝光區(qū)域來移動輻射束源或相對于曝光區(qū)域移動輻射束。圖18顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意橫截面?zhèn)纫晥D，具有可移動的獨(dú)立可控兀件102。如圖5中顯不的光刻設(shè)備100 一樣,光刻設(shè)備100包括用于保持襯底的襯底臺106,和在高達(dá)6個(gè)自由度上移動襯底臺106的定位裝置116。光刻設(shè)備100還包括布置在框架160上的多個(gè)獨(dú)立可控元件102。在這一實(shí)施例中，每一獨(dú)立可控元件102是發(fā)射輻射二極管,例如激光二極管，諸如藍(lán)紫激光二極管。獨(dú)立可控元件102布置成沿著Y方向延伸的獨(dú)立可控元件102的陣列200。雖然顯示出一個(gè)陣列200，但是光刻設(shè)備可以具有例如在圖5中顯示的多個(gè)陣列200。在這一實(shí)施例中，陣列200是可旋轉(zhuǎn)的板，具有圍繞板布置的多個(gè)空間上分立的獨(dú)立可控元件102。在使用時(shí),板圍繞其自身的軸線206旋轉(zhuǎn),例如沿著由圖5中的箭頭顯示的方向。使用電機(jī)216使陣列200的板圍繞軸線206旋轉(zhuǎn)。另外，陣列200的板可以通過電機(jī)216沿著Z方向移動，使得獨(dú)立可控元件102可以相對于襯底臺106移位。在這一實(shí)施例中，陣列200可以具有一個(gè)或更多的散熱片230,以增加散熱表面積。散熱片230可以例如在陣列200的頂表面上?？蛇x地,可以提供一個(gè)或更多的另外的散熱片232,以與散熱片230配合、以便于散熱。例如，散熱片232能夠從散熱片230吸收熱量，且可以包括流體(例如液體)引導(dǎo)通道以及類似于在圖7(F)中顯示的且相對于其描述的相關(guān)的熱交換器/泵。在這一實(shí)施例中，透鏡242可以位于每一獨(dú)立可控元件1.02的前面,且可以與獨(dú)立 可控元件102 一起移動(例如圍繞軸線A是可旋轉(zhuǎn)的)。在圖18中，顯示出兩個(gè)透鏡242且連接至陣列200。另外，透鏡242可以相對于獨(dú)立可控元件102(例如沿著Z方向)是可移位的。在這一實(shí)施例中，其中具有孔闌的孔闌結(jié)構(gòu)248可以位于透鏡242的上方、在透鏡242和相關(guān)的獨(dú)立可控元件102之間?？钻@結(jié)構(gòu)248可以限制透鏡242、相關(guān)的獨(dú)立可控元件102的衍射效應(yīng)和/或相鄰的透鏡242/獨(dú)立可控元件102的衍射效應(yīng)。在這一實(shí)施例中，傳感器254可以設(shè)置有獨(dú)立可尋址元件102 (或陣列200中的多個(gè)獨(dú)立可尋址元件102)。在這一實(shí)施例中，傳感器254布置用于檢測聚焦。聚焦檢測束256被改向(例如反射)遠(yuǎn)離襯底表面，穿過透鏡242,且被通過例如半鍍銀反射鏡258朝向檢測器262引導(dǎo)。在一實(shí)施例中，聚焦檢測束256可以是用于曝光的輻射，該輻射剛好是從襯底被改向的。在一實(shí)施例中，聚焦檢測束256可以是在襯底處被引導(dǎo)的專門的束，其在被襯底改向時(shí)變成束256。關(guān)于圖7 (O),在上文描述了不例性的聚焦傳感器。反射鏡258和檢測器262可以安裝至陣列200。在這一實(shí)施例中，控制信號可以通過有線通信或無線通信供給至獨(dú)立可控元件102和/或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。另外，來自獨(dú)立可控元件102和/或來自一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)的信號可以通信至控制器。在圖18中，可以沿著旋轉(zhuǎn)軸線206設(shè)置線404。在一實(shí)施例中，線404可以是光學(xué)線。在所述情形中,所述信號可以是光學(xué)信號，其中例如以不同的波長傳送不同的控制信號。以類似于控制信號的方式，可以通過有線或無線的方式將功率供給至獨(dú)立可控元件102或一個(gè)或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如在有線的實(shí)施例中,可以通過一個(gè)或更多的線404供給功率,而不管其與傳送信號的線是相同的或不同的。在無線的實(shí)施例中，可以通過如在標(biāo)記700處顯示的RF耦合傳遞功率。在這一實(shí)施例中,光刻設(shè)備可以包括測量福射的特性的傳感器500,該福射被或?qū)⒈煌ㄟ^一個(gè)或更多的獨(dú)立可控元件102朝向襯底進(jìn)行傳輸。這樣的傳感器可以是斑傳感器或透射圖像傳感器。傳感器可以用于例如確定來自獨(dú)立可控元件102的輻射的強(qiáng)度、來自獨(dú)立可控元件102的輻射的均勻性、來自獨(dú)立可控元件102的輻射斑的橫截面尺寸或面積、和/或來自獨(dú)立可控元件102的輻射斑的位置(在X-Y平面內(nèi))。在這一實(shí)施例中，傳感器500在框架160上,且可以鄰近襯底臺106或是通過襯底臺106可訪問的。在一實(shí)施例中，并非具有在X-Y平面內(nèi)可移動的獨(dú)立可控元件102,獨(dú)立可控元件102在襯底的曝光期間在X-Y平面內(nèi)是大致靜止的。不必說,可控元件102在X-Y平面內(nèi)可能是不可移動的。例如,它們可以在X-Y平面內(nèi)是可移動的，以校正它們的位置。具有基本上靜止的可控元件102的可能的優(yōu)點(diǎn)是較容易地將功率和/或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至可控元件102。另外的或可替代的可能的優(yōu)點(diǎn)是局部調(diào)整聚焦以補(bǔ)償襯底上的高度差的能力得到提高，其中所述高度差大于系統(tǒng)的焦深且處在比移動可控元件的節(jié)距更高的空間頻率上。
在這一實(shí)施例中，雖然可控元件102是基本上靜止的，但是具有相對于獨(dú)立可控元件102移動的至少一個(gè)光學(xué)元件。在下文描述了在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件102的各種布置以及相對于其可移動的光學(xué)元件。在下文的描述中，在情況允許時(shí)，術(shù)語“透鏡”應(yīng)當(dāng)通常理解成包括各種類型的光學(xué)部件的任一個(gè)或其的組合,包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)部件,諸如任意的折射式、反射式和/或衍射式光學(xué)元件,其提供與所提及的透鏡相同的功能。例如，成像透鏡可以具體為具有光焦度的傳統(tǒng)的折射式透鏡的形式、成具有光焦度的Schwarzschild反射式系統(tǒng)的形式、和/或成具有光焦度的區(qū)域板的形式。此外,如果產(chǎn)生的效應(yīng)是在襯底上產(chǎn)生會聚的束,則成像透鏡可以包括非成像的光學(xué)裝置。另外,在下文的描述中，對多個(gè)獨(dú)立可控元件102做出參考,諸如反射鏡陣列調(diào)制器中的反射鏡或多個(gè)輻射源。然而，應(yīng)當(dāng)理解，描述更加通常是指布置成輸出多個(gè)束的調(diào)制器。例如，調(diào)制器可以是聲光調(diào)制器，以從由輻射源提供的束輸出多個(gè)束。圖1.9顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有在X-Y平面內(nèi)是基本靜止的多個(gè)獨(dú)立可控元件102 (例如激光二極管)和相對于其是可移動的光學(xué)元件242的光刻設(shè)備的一部分的示意俯視圖布局。在這一實(shí)施例中，多個(gè)獨(dú)立可控元件102可以連接至框架,且在X-Y平面內(nèi)是基本上靜止的，多個(gè)成像透鏡242相對于這些獨(dú)立可控元件102基本上在X-Y平面中移動(如在圖19中由輪801的旋轉(zhuǎn)指示所顯示的)，襯底沿著方向803移動。在一實(shí)施例中，成像透鏡242通過圍繞軸線旋轉(zhuǎn)而相對于獨(dú)立可控元件102移動。在^-實(shí)施例中，成像透鏡242被安裝在圍繞軸線(例如沿著圖19中顯示的方向)旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)....t且被以圓形的方式布置(如圖19中部分地顯示的)。每個(gè)獨(dú)立可控元件102提供準(zhǔn)直束至移動的成像透鏡242。在一實(shí)施例中，獨(dú)立可控元件102與--個(gè)或更多的準(zhǔn)直透鏡相關(guān)，以提供準(zhǔn)直束。在一實(shí)施例中,準(zhǔn)直透鏡在X-Y平面中是基本上靜止的且連接至獨(dú)立可控元件102連接所在的框架上。在這一實(shí)施例中，準(zhǔn)直束的橫截面寬度小于成像透鏡242的橫截面寬度。因此，在準(zhǔn)直束剛完全落入到成像透鏡242的光學(xué)透射部分中，獨(dú)立可控元件102 (例如激光二極管)就可以被接通。之后在束落入到成像透鏡242的光學(xué)透射部分之外時(shí)，則關(guān)斷獨(dú)立可控元件102 (例如激光二極管)。因此，在一實(shí)施例中，來自獨(dú)立可控元件102的束在任一時(shí)刻穿過單個(gè)成像透鏡242。成像透鏡242相對于來自獨(dú)立可控元件102的束的所形成的橫越(traversal)由被接通的每一獨(dú)立可控元件102在襯底上產(chǎn)生了相關(guān)的成像線800。在圖19中，關(guān)于圖19中的三個(gè)示例性的獨(dú)立可控元件102中的每^-個(gè)顯示出三個(gè)成像線800，盡管顯然圖19中的其它獨(dú)立可控元件102可以在襯底....t產(chǎn)生相關(guān)的成像線800。在圖19的布局中，成像透鏡242的節(jié)距可以是I. 5mm，來自每一獨(dú)立可控元件102的束的橫截面寬度(例如直徑)略小于O. 5mm。對于這一配置,可以用每^-獨(dú)立可控元件102寫長度約Imm的線。因此，在束直徑為O. 5mm且成像透鏡242的直徑為L 5mm的這一配置中，占空比可以高達(dá)67%。對于相對于成像透鏡242適當(dāng)?shù)囟ㄎ华?dú)立可控元件102，跨經(jīng)襯底的寬度的全覆蓋是可行的。因此，例如如果僅使用標(biāo)準(zhǔn)5. 6mra直徑的激光二極管,那么如圖19所示的激光二極管的幾個(gè)同心環(huán)可以用于獲得跨經(jīng)襯底的寬度的全部覆蓋。因此，在這一實(shí)施例中，可以使用比僅使用獨(dú)立可控元件102的固定陣列或可能使用此處描述的移動的獨(dú)立可控元件102的情況更少的獨(dú)立可控元件102 (例如激光二極管)。在這一實(shí)施例中，每個(gè)成像透鏡242應(yīng)當(dāng)是相同的,這是因?yàn)槊總€(gè)獨(dú)立可控元件102將通過所有的移動的成像透鏡242進(jìn)行成像。在這一實(shí)施例中，所有的成像透鏡242不需要使得場成像，盡管需要具有更高NA的透鏡，例如大于O. 3、大于O. 18或大于O. 15。對于這樣的單一元件的光學(xué)裝置，衍射限制成像是可能的。襯底上的束的聚焦點(diǎn)不管準(zhǔn)直束在哪里進(jìn)入透鏡，均被固定至成像透鏡242的光 軸(參見,例如圖20,其顯示是圖19的光刻設(shè)備的一部分的示意三維視圖)。這--布置的缺點(diǎn)是來自成像透鏡242朝向襯底的束不是遠(yuǎn)心的，并因此會發(fā)生聚焦誤差，從而可能導(dǎo)
致重疊誤差。在這一實(shí)施例中，通過使用在X-Y平面中不移動的(例如在獨(dú)立可控元件102處)的元件調(diào)整聚焦將可能引起暈影。因此,期望的聚焦調(diào)整應(yīng)當(dāng)在移動的成像透鏡242中發(fā)生。這因此可能需要比移動的成像透鏡242更高頻率的致動器。圖21顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖布局，且顯不相對于獨(dú)立可控元件的成像透鏡242組的三個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。在這一實(shí)施例中，圖19和20中的光刻設(shè)備通過具有成像透鏡242進(jìn)行擴(kuò)展,該成像透鏡242包括用于接收來自獨(dú)立可控元件102的準(zhǔn)直束的兩個(gè)透鏡802,804o如在圖19中示出的那樣,成像透鏡242相對于獨(dú)立可控元件102在X-Y平面中移動(例如圍繞至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242所對應(yīng)的軸線旋轉(zhuǎn))。在這^-實(shí)施例中，在到達(dá)成像透鏡242之前,通過透鏡806使得來自獨(dú)立可控元件102的束準(zhǔn)直,但在一實(shí)施例中不需要提供這樣的透鏡。透鏡806基本....t在X-Y平面中是靜止的。襯底沿著X方向移動。兩個(gè)透鏡802、804布置在準(zhǔn)直束的從獨(dú)立可控元件102至襯底的光路中，以使得束朝向襯底是遠(yuǎn)心的。在獨(dú)立可控元件102和透鏡804之間的透鏡802包括具有大致相等的焦距的兩個(gè)透鏡802A、802B。來自獨(dú)立可控元件102的準(zhǔn)直束在兩個(gè)透鏡802A，802B之間聚焦,使得透鏡802B將朝向成像透鏡804準(zhǔn)直所述束。成像透鏡804使得束成像到襯底上。在這一實(shí)施例中，透鏡802相對于獨(dú)立可控元件102在X-Y平面內(nèi)以特定的速度(例如每分鐘特定的轉(zhuǎn)數(shù)(RPM))移動。因此，在這一實(shí)施例中，如果移動的成像透鏡804以與透鏡802相同的速度移動的話,來自透鏡802的出射的準(zhǔn)直束將在X-Y平面內(nèi)具有兩倍于移動的成像透鏡804的速度。因此,在這一實(shí)施例中，成像透鏡804相對于獨(dú)立可控元件102以不同于透鏡802的速度的速度移動。尤其是,成像透鏡804以透鏡802的速度的兩倍的速度(例如透鏡802的RPM的兩倍)在X-Y平面中移動,使得束將被遠(yuǎn)心地聚焦到襯底上。在圖21的三個(gè)示例性的位置中示意性地顯示了來自透鏡802的出射的準(zhǔn)直束與成像透鏡804的對準(zhǔn)。另外，因?yàn)樵谝r底上的實(shí)際刻寫與圖19中的例子相比將以所述速度的兩倍的速度完成，所以獨(dú)立可控元件102的功率應(yīng)當(dāng)是兩倍的。在這一實(shí)施例中，通過使用在X-Y平面中不移動的(例如在獨(dú)立可控元件102處的)元件調(diào)整聚焦,將可能導(dǎo)致遠(yuǎn)心損失且引起暈影。因此,應(yīng)當(dāng)在移動的成像透鏡242中出現(xiàn)期望的聚焦調(diào)整。另外，在這一實(shí)施例中，所有的成像透鏡242不需要使得場成像。對于這樣的單個(gè)元件的光學(xué)裝置，衍射限制的成像是可能的。約65%的占空比是可能的。在一實(shí)施例中，透鏡8()6,8()2A,8()2B和804可以包括2個(gè)非球面透鏡和2個(gè)球面透鏡。在^-實(shí)施例中,可以使用約380個(gè)獨(dú)立可控元件102 (例如標(biāo)準(zhǔn)激光二極管)。在一實(shí)施例中，可以使用約1400個(gè)成像透鏡242的組。在使用標(biāo)準(zhǔn)激光二極管 的實(shí)施例中，可以使用約4200個(gè)成像透鏡242的組，其可以布置成輪上的6個(gè)同心環(huán)。在一實(shí)施例中，成像透鏡的旋轉(zhuǎn)的輪將以約12000RPM旋轉(zhuǎn)。圖22顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)元件的光刻設(shè)備的一部分的不' 意側(cè)視圖布局，且顯 ]_、'相對于獨(dú)立可控元件的成像透鏡242的組的三個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。在這一實(shí)施例中，為了避免以與如關(guān)于圖21描述的不同的速度移動透鏡,可以如圖22所顯示使用用于移動成像透鏡242的所謂的4f遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出(telecentric in/telecentric out)的成像系統(tǒng)。移動的成像透鏡242包括兩個(gè)成像透鏡808、810，該兩個(gè)成像透鏡808、810在X-Y平面中以大致相同的速度移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242所沿的軸線旋轉(zhuǎn))，且接收遠(yuǎn)心束作為輸入和將遠(yuǎn)心成像束輸出至襯底。在I倍放大率的布置中,襯底上的圖像以與移動的成像透鏡242兩倍的速度^-樣快地移動。襯底沿著X方向移動。在這一布置中，光學(xué)裝置將可能需要以相對大的NA(例如大于O. 3、大于O. 18或大于O. 15)使場成像。這一布置可能不具有兩個(gè)單元件光學(xué)裝置?？赡苄枰哂蟹浅?zhǔn)確的對準(zhǔn)公差的六個(gè)或更多的元件，以獲得衍射限制圖像。約65%的占空比是可能的。在這一實(shí)施例中，還用不與可移動的成像透鏡242 —起移動或配合可移動的成像透鏡242移動的元件相對容易地進(jìn)行局部聚焦。圖23顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖布局，且顯不相對于獨(dú)立可控元件的成像透鏡242的組的五個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。在這一實(shí)施例中，為了避免以與關(guān)于圖21所描述的不相同的速度移動透鏡,且具有不使得如關(guān)于圖22所指出的對場成像的光學(xué)裝置，在X-Y平面中基本上靜止的透鏡的組合與移動的成像透鏡242結(jié)合。參考圖23,設(shè)置了在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件102。提供了在X-Y平面中基本上靜止的可選的準(zhǔn)直透鏡806,用于準(zhǔn)直來自獨(dú)立可控元件102的束,且提供準(zhǔn)直束(具有例如O. 5mm的橫截面寬度(例如直徑))至透鏡812。另外，透鏡812在X-Y平面中是基本上靜止的且將準(zhǔn)直束聚焦至移動的成像透鏡242的場透鏡814(具有例如I. 5mm的橫截面寬度(例如直徑))。透鏡814具有相對大的焦距(例如f = 20mm) ο可移動的成像透鏡242的場透鏡814相對于獨(dú)立可控元件102移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242所沿的軸線旋轉(zhuǎn))。場透鏡814朝向可移動的成像透鏡242的成像透鏡818引導(dǎo)束。如同場透鏡814,成像透鏡818相對于獨(dú)立可控元件102移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242所沿的軸線旋轉(zhuǎn))。在這一實(shí)施例中，場透鏡814以與成像透鏡818大致相同的速度移動。一對場透鏡814和成像透鏡818彼此對準(zhǔn)。襯底沿著X方向移動。在場透鏡814和成像透鏡818之間的是透鏡816。透鏡816在X-Y平面中是基本上靜止的，且將來自場透鏡814的束準(zhǔn)直到成像透鏡818。透鏡816具有相對大的焦距(例如，f = 20mm)。在這一實(shí)施例中，場透鏡814的光軸應(yīng)當(dāng)與對應(yīng)的成像透鏡816的光軸重合。場透鏡814設(shè)計(jì)成使得將所述束折疊,從而被透鏡816準(zhǔn)直的束的主射線與成像透鏡818的光軸重合。這樣，朝向襯底的束是遠(yuǎn)心的。由于大的f數(shù),透鏡812和816可以是簡單的球面透鏡。場透鏡814不會影響圖像品質(zhì)，且還可以是球面元件。在這個(gè)實(shí)施例中，準(zhǔn)直透鏡806和成像透鏡818是不需要對場成像的透鏡。對于這^-單個(gè)元件的光學(xué)裝置，衍射限制成像是可能的。約65%的占空比 是司以的。在一實(shí)施例中，在可移動的成像透鏡242是可旋轉(zhuǎn)的情況下，提供獨(dú)立可控元件102和透鏡的至少兩個(gè)同心環(huán)，以獲得跨經(jīng)襯底寬度的全部覆蓋。在一實(shí)施例中，在這些環(huán)上的獨(dú)立可控元件102被布置成處于I. 5mm的節(jié)距處。如果使用具有直徑為5. 6mm的標(biāo)準(zhǔn)激光二極管，那么對于全部覆蓋可能需要至少6個(gè)同心環(huán)。圖24和25顯示根據(jù)這些布置的獨(dú)立可控元件102的同心環(huán)的布置。在一實(shí)施例中，這將導(dǎo)致約380個(gè)獨(dú)立可控元件102和在X-Y平面中基本上靜止的對應(yīng)的透鏡。移動的成像透鏡242將具有700X6個(gè)環(huán)=4200組透鏡814、818。借助于這^-配置,可以用每一獨(dú)立可控元件102刻寫長度約Imm的線。在一實(shí)施例中，可以使用約1400個(gè)成像透鏡242的組。在一實(shí)施例中，透鏡812，814，816和818可以包括4個(gè)非球面透鏡。在這一實(shí)施例中，通過使用在X-Y平面中不移動(例如在獨(dú)立可控元件102處)的元件調(diào)整聚焦將可能導(dǎo)致遠(yuǎn)心損失和引起暈影。因此，期望的聚焦調(diào)整應(yīng)當(dāng)在移動的成像透鏡242中發(fā)生。這因此可能需要比移動的成像透鏡242更高頻率的致動器。圖26顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖布局。在這一實(shí)施例中，光學(xué)消轉(zhuǎn)儀(derotator)用于將在X_Y平面中大致靜止的獨(dú)立可控元件102顆合至移動的成像透鏡242。在這一實(shí)施例中，獨(dú)立可控元件102與可選的準(zhǔn)直透鏡一起布置成環(huán)。兩個(gè)拋物面反射鏡820、822使得來自獨(dú)立可控元件102的準(zhǔn)直束的環(huán)減小至對于消轉(zhuǎn)儀824可接受的直徑。在圖26中，佩肯(pechan)棱鏡用作消轉(zhuǎn)儀824。如果消轉(zhuǎn)儀以與成像透鏡242的速度相比的一半的速度旋轉(zhuǎn)，每個(gè)獨(dú)立可控元件102看上去相對于其各自的成像透鏡242是大致靜止的。兩個(gè)另外的拋物面反射鏡826,828使得來自消轉(zhuǎn)儀824的消轉(zhuǎn)束的環(huán)擴(kuò)張至對于移動的成像透鏡242可接受的直徑。襯底沿著X方向移動。在這一實(shí)施例中，每個(gè)獨(dú)立可控元件102與成像透鏡242成為一對。因此,不可以將獨(dú)立可控元件102安裝在同心環(huán)上，因此不可能獲得跨經(jīng)襯底的寬度的全部覆蓋。約33%的占空比是可能的。在這一實(shí)施例中，成像透鏡242是不需要對場成像的透鏡。
圖27顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其司移動的光學(xué)元件的光刻設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖布局。在這種布置中，成像透鏡242布置成圍繞在X-Y平面中延伸的方向旋轉(zhuǎn)(例如旋轉(zhuǎn)鼓,而不是如例如關(guān)于圖19-26所描述的旋轉(zhuǎn)輪)。參考圖27,可移動的成像透鏡242布置在被布置成圍繞例如Y方向旋轉(zhuǎn)的鼓上?？梢苿拥某上裢哥R242接收在鼓的旋轉(zhuǎn)軸線和可移動的成像透鏡242之間的Y方向—t的線....t延伸的來自獨(dú)立可控元件102的輻射。原則上,通過這樣的鼓的可移動的成像透鏡242刻寫的線將平行于襯底的掃描方向831。因此，以45°安裝的消轉(zhuǎn)儀830布置成將通過鼓的可移動的成像透鏡242制造的線旋轉(zhuǎn)90° ,使得成像的線垂直于襯底的掃描方向。襯底沿著X方向移動。對于襯底上的每條條紋,在鼓....t將需要可移動的成像透鏡242的圓圈。如果一個(gè)這樣的圓圈可以在襯底上刻寫3mm寬的條紋且襯底為300mm寬，那么可能在鼓上需要700 (鼓的圓周上的光學(xué)裝置)X 100 = 70000個(gè)光學(xué)組件。如果在鼓上使用圓柱形光學(xué)裝置,則其可能是較少的。另外，在這一實(shí)施例中成像光學(xué)裝置可能需要對特定場成像,其可能使得光學(xué)裝置更加復(fù)雜。約95%的占空比是可能的。這一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是所成像的條紋可以具有大致相等的長度、且是大致平行的且是直的。在這一實(shí)施例中，用不與可移動的成 像透鏡242 —起移動或結(jié)合其一起移動的元件進(jìn)行局部聚焦是相對容易的。圖28顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件和相對于其司移動的光學(xué)元件的光亥1J設(shè)備的一部分的不意側(cè)視圖布局，且顯不相對于獨(dú)立可控元件的成像透鏡242的組的五個(gè)不同的旋轉(zhuǎn)位置。參考圖28,設(shè)置了在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控元件102?？梢苿拥某上裢哥R242包括多個(gè)透鏡組,每個(gè)透鏡組包括場透鏡814和成像透鏡818。襯底沿著X方向移動?？梢苿拥某上裢哥R242的場透鏡814 (例如球面透鏡)相對于獨(dú)立可控元件102沿著方向815移動(例如圍繞在成像透鏡242被至少部分地以圓形方式布置所沿的的軸線旋轉(zhuǎn))。場透鏡814朝向可移動的成像透鏡242的成像透鏡818 (例如,諸如雙非球面透鏡等非球面透鏡)引導(dǎo)束。如同場透鏡814，成像透鏡818相對于獨(dú)立可控元件102移動(例如圍繞在成像透鏡242被至少部分地以圓形方式布置所沿的軸線旋轉(zhuǎn))。在這一實(shí)施例中，場透鏡814以基本上與成像透鏡818相同的速度移動。場透鏡814的焦平面在位置815處與成像透鏡818的后焦面重合,其提供遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出的系統(tǒng)。與圖23的布置相反，成像透鏡818對特定場成像。場透鏡814的焦距使得用于成像透鏡818的場尺寸小于2至T的半角。在這種情形中，還可以用一個(gè)單元件光學(xué)裝置(例如雙非球面表面單元件)獲得衍射限制成像。布置場透鏡814安裝成在各個(gè)場透鏡814之間沒有間距。在這種情形下,獨(dú)立可控元件102的占空比可以是約95%。成像透鏡818的焦距使得對于在襯底處的為O. 2的NA，這些透鏡將不會大于場透鏡814的直徑。等于場透鏡814的直徑的成像透鏡818的焦距將提供成像透鏡818的直徑，其留下了用于安裝成像透鏡81.8的足夠空間。由于場角度,可以刻寫比場透鏡814的節(jié)距略微大的線。另外依賴于成像透鏡818的焦距，這提供了襯底上的相鄰的獨(dú)立可控元件102的所成像的線之間的重疊。因此，獨(dú)立可控元件102可以安裝在與一個(gè)環(huán)上的成像透鏡242節(jié)距相同的節(jié)距上。
圖29顯示出圖28的光刻設(shè)備的一部分的示意三維視圖。在這一描述中，5個(gè)獨(dú)立可控元件102顯示具有5個(gè)相關(guān)的可移動的成像透鏡組242?？梢悦靼?，可以提供另外的獨(dú)立可控元件102和相關(guān)的可移動的成像透鏡組242。襯底沿著由箭頭829顯示的X方向移動。在一實(shí)施例中，場透鏡814布置成它們之間沒有間距。光瞳面位于標(biāo)記81.7處。為了避免相對小的雙非球面成像透鏡818,減小移動的成像透鏡242的光學(xué)裝置的量以及使用標(biāo)準(zhǔn)激光二極管作為獨(dú)立可控元件102，在這一實(shí)施例中可能使用可移動的成像透鏡242的單個(gè)透鏡組對多個(gè)獨(dú)立可控元件102成像。只要獨(dú)立可控元件102被遠(yuǎn)心地成像到每一可移動的成像透鏡242的場透鏡81.4上,對應(yīng)的成像透鏡81.8將使得來自獨(dú)立可控元件102的束再次遠(yuǎn)心地成像到襯底上。如果例如8條線被同時(shí)刻寫,那么場透鏡814的直徑和成像透鏡818的焦距在相同的生產(chǎn)率下可以被增加8倍，同時(shí)可移動的成像透鏡242的數(shù)量可以被減小8倍。另外，因?yàn)橛糜谑沟锚?dú)立可控元件102成像到場透鏡814上所需要的光學(xué)裝置的一部分可以是公共的,所以在X-Y平面中基本上靜止的光學(xué)裝置可以被減少。在圖30中示意性地顯示通過單個(gè)可移動的成像透鏡242的組同時(shí)刻寫8條線 的這樣的布置，具有成像透鏡242的組的旋轉(zhuǎn)軸線821和成像透鏡242的組距離旋轉(zhuǎn)軸線821的半徑823。從I. 5mm的節(jié)距至12mm的節(jié)距(在通過單個(gè)可移動的成像透鏡242的組同時(shí)刻寫8條線時(shí))為安裝作為獨(dú)立可控元件102的標(biāo)準(zhǔn)激光二極管留下了足夠的空間。在一實(shí)施例中，224個(gè)獨(dú)立可控元件102 (例如標(biāo)準(zhǔn)激光二極管)可以被使用。在-一實(shí)施例中，可以使用120個(gè)成像透鏡242的組。在一實(shí)施例中，可以使用28個(gè)基本....t靜止的光學(xué)裝置組和224個(gè)獨(dú)立可控元件102。在這一實(shí)施例中，還相對容易地用不與可移動的成像透鏡242 —起移動或配合其--起移動的元件進(jìn)行局部聚焦。只要場透鏡814上的獨(dú)立可控元件102的遠(yuǎn)心圖像被沿著光軸移動且保持成遠(yuǎn)心的，將僅襯底上的圖像的聚焦變化，且圖像將保持是遠(yuǎn)心的。圖31顯示用圖28和29的布置中的移動屋頂狀部件控制聚焦的示意性布置。兩個(gè)折疊的反射鏡832和屋頂狀部件(例如棱鏡或反射鏡組)834放置在來自獨(dú)立可控元件102的遠(yuǎn)心束中，且在場透鏡814的前面。通過沿著方向833移動屋頂狀部件834遠(yuǎn)離或朝向折疊的反射鏡832，圖像被沿著光軸移位，并且因此也相對于襯底移位。因?yàn)橛捎谳S向聚焦變化等于F/數(shù)的二次方比例，沿著光軸具有大的放大倍數(shù)，所以具有F/2. 5的束的襯底處的25 μ m的離焦將提供在f’/37. 5的束的場透鏡814處的5. 625mm (37. 5/2. 5) 2的聚焦位移。這意味著屋頂狀部件834必須移動其的一半。圖32顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在X-Y平面中基本上靜止的獨(dú)立可控兀件和相對于其可移動的光學(xué)兀件的光刻設(shè)備的不意橫截面?zhèn)纫晥D。雖然圖32顯示類似于圖23的布置，但是它可以修改為適合圖19-22和/或圖24-31中的任一實(shí)施例。參考圖32，光刻設(shè)備100包括保持襯底的襯底臺106,和在高達(dá)6個(gè)自由度....t移動襯底臺106的定位裝置116。光刻設(shè)備100還包括在框架160上布置的多個(gè)獨(dú)立可控元件102。在這一實(shí)施例中，每個(gè)獨(dú)立可控元件102是發(fā)射輻射二極管,例如激光二極管,諸如藍(lán)紫激光二極管。獨(dú)立可控元件102布置在框架838上且沿著Y方向延伸。雖然顯示一個(gè)框架838,但是光刻設(shè)備可以具有與例如在圖5中的陣列200類似地顯示的多個(gè)框架838。進(jìn)一步地布置在框架838上的是透鏡812和816?？蚣?38和因此獨(dú)立可控元件102與透鏡812和816在X-Y平面中是基本—t靜止的。框架838、獨(dú)立可控元件102以及透鏡812和816可以通過致動器836沿著Z方向移動。在這一實(shí)施例中，設(shè)置可旋轉(zhuǎn)的框架840。場透鏡814和成像透鏡818布置在框架840上,其中場透鏡814和成像透鏡818的組合形成了可移動的成像透鏡242。在使用中，板圍繞其自身的軸線206旋轉(zhuǎn),例如沿著相對于陣列200的由圖5中箭頭顯示的方向。使用電機(jī)216使框架840圍繞軸線206旋轉(zhuǎn)。另外,可以通過電機(jī)216沿著Z方向移動框架840，使得可移動的成像透鏡242可以相對于襯底臺106移位。在這一實(shí)施例中，在其中具有孔闌的孔闌結(jié)構(gòu)248可以位于透鏡812的上方、在透鏡812和相關(guān)的獨(dú)立可控元件102之間。孔闌結(jié)構(gòu)248可以限制透鏡812、相關(guān)的獨(dú)立可控元件102的衍射效應(yīng)、和/或相鄰的透鏡812/獨(dú)立可控元件102的衍射效應(yīng)。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備100包括一個(gè)或更多的可移動板890 (例如可旋轉(zhuǎn)板，例 如可旋轉(zhuǎn)盤)，其包括光學(xué)元件，例如透鏡。在圖32的實(shí)施例中，顯示具有場透鏡814的板890和具有成像透鏡818的板890。在一實(shí)施例中,在使用時(shí)光刻設(shè)備沒有旋轉(zhuǎn)的任何反射式光學(xué)兀件。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備沒有任何反射式光學(xué)兀件，其接收來自任意或所有獨(dú)立可控元件102的輻射,其在使用時(shí)旋轉(zhuǎn)。在一實(shí)施例中，一個(gè)或更多的(例如全部)板890是大致平坦的,例如沒有伸出到板的一個(gè)或更多的表面上方或下面的光學(xué)元件(或光學(xué)元件的一部分)。例如這可以通過確保板890是足夠厚的(即至少比光學(xué)元件的高度厚且定位光學(xué)元件使得它們不會伸出)或通過提供在板890 (未顯示)上方的平坦的蓋板來實(shí)現(xiàn)。確保板的一個(gè)或更多的表面是基本上平坦可以幫助例如在設(shè)備處于使用中時(shí)減小噪音。圖3 3示意性地示出光刻設(shè)備的一部分的橫截面?zhèn)纫暿疽鈭D，該光刻設(shè)備具有大致在X-Y平面內(nèi)靜止的獨(dú)立可控元件。光刻設(shè)備900包括用于保持襯底的襯底臺902和用于在高達(dá)6個(gè)自由度上移動襯底臺902的定位裝置904。所述襯底可以是涂覆有抗蝕劑的襯底。在一實(shí)施例中，所述襯底是晶片。在一實(shí)施例中,所述襯底是多邊形(例如矩形)襯底。在一實(shí)施例中,所述襯底是玻璃板。在一實(shí)施例中，所述襯底是塑料板。在^-實(shí)施例中，所述襯底是薄片(foil)。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備適合于卷對卷制造。光刻設(shè)備900還包括配置成發(fā)射多個(gè)束的多個(gè)獨(dú)立可控自發(fā)射式對比度裝置906。在一實(shí)施例中，自發(fā)射式對比度裝置906是發(fā)射輻射二極管,諸如發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)LED (OLED)、聚合物L(fēng)ED (PLED)或激光二極管(例如固態(tài)激光二極管)。在一實(shí)施例中，每個(gè)獨(dú)立可控元件906是藍(lán)紫色激光二極管(例如三洋(Sanyo)型號no. DL-3146-151)。這樣的二極管可以由諸如Sanyo, Nichia, Osram和Nitride等公司供應(yīng)。在一實(shí)施例中，二極管發(fā)射具有例如大約365nm或大約405nm的波長的UV輻射。在一實(shí)施例中，二極管可以提供從O. 5-100mW的范圍內(nèi)選擇的輸出功率。在一實(shí)施例中,激光二極管(裸露的管芯)的尺寸是從100-800微米的范圍內(nèi)選擇的。在一實(shí)施例中，激光二極管具有從1-5平方微米的范圍內(nèi)選擇出的發(fā)射面積。在一實(shí)施例中，激光二極管具有從7-44度的范圍選擇的發(fā)散角。在一實(shí)施例中，二極管具有用于提供大于或等于大約6. 4x108W/ (m2. sr)的總亮度的配置(例如，發(fā)射面積、發(fā)散角、輸出功率等)。獨(dú)立可控裝置906布置在框架908上且可以沿著Y方向和/或X方向延伸。雖然示出了一個(gè)框架908,但是光刻設(shè)備可以具有多個(gè)框架908。在框架908上還布置有透鏡920?？蚣?08和因此獨(dú)立可控的自發(fā)射式對比度裝置906和透鏡920大致在X-Y平面中是靜止的?？梢酝ㄟ^致動器910沿著Z方向移動框架908、獨(dú)立可控的對比度裝置906以及透鏡920?？商娲?，可以通過與所述特定的透鏡相關(guān)聯(lián)的致動器沿著Z方向移動透鏡920。每個(gè)透鏡可以設(shè)置有其自己的致動器。自發(fā)射式對比度裝置906可以配置成發(fā)射束,投影系統(tǒng)920,924和930可以配置成將所述束投影到襯底的目標(biāo)部分上。自發(fā)射式對比度裝置906和投影系統(tǒng)形成光學(xué)裝置列。光刻設(shè)備900可以包括用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或其一部分的致動器(例如電機(jī)918)。在其上布置有場透鏡924和成像透鏡930的框架912可以隨著致動器旋轉(zhuǎn)。場透鏡924和成像透鏡930的組合形成了可移動的光學(xué)裝置914。在使用中，框架912圍繞其自身的軸線916旋轉(zhuǎn),例如沿著由圖34中的箭頭顯示的方向旋轉(zhuǎn)。通過使用致動器(例如電機(jī)918)使框架912圍繞軸線916旋轉(zhuǎn)。另外,可以通過電機(jī)910使框架912沿著Z方向移動，使得可移動的光學(xué)裝置914可以相對于襯底臺902移位?？捉Y(jié)構(gòu)922其中具有孔,可以定位在透鏡920的上方且在透鏡920和自發(fā)射式對比度裝置906之間。孔結(jié)構(gòu)922可以限制透鏡920、相關(guān)的獨(dú)立可控自發(fā)射式對比度裝置 906的衍射效應(yīng)和/或相鄰的透鏡920/獨(dú)立可控自發(fā)射式對比度裝置906的衍射效應(yīng)。所示出的設(shè)備可以通過旋轉(zhuǎn)框架912和同時(shí)在光學(xué)裝置列的下面移動襯底臺902上的襯底而被使用。自發(fā)射式對比度裝置906可以在透鏡920、924和930大致彼此對準(zhǔn)時(shí)發(fā)射束穿過這些透鏡。通過移動透鏡924和930,所述束在襯底....t的像被在襯底的一部分之上進(jìn)行掃描。通過同時(shí)在光學(xué)裝置列的下面移動襯底臺902上的襯底,接收到自發(fā)射式對比度裝置906的像的襯底的一部分也移動。通過在還用于控制光學(xué)裝置列或其一部分的旋轉(zhuǎn)和控制襯底的速度的控制器的控制之下高速地接通和/或關(guān)斷自發(fā)射式對比度裝置906,可以在襯底上的抗蝕劑層中對期望的圖案進(jìn)行成像。圖34示出具有自發(fā)射式對比度裝置906的圖33的光刻設(shè)備的示意性俯視圖。如圖33中顯不的光刻設(shè)備900,光刻設(shè)備900包括用于保持襯底928的襯底臺902、用于在_達(dá)6個(gè)自由度上移動襯底臺902的定位裝置904。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括用于確定獨(dú)立可尋址元件906和襯底928之間的對準(zhǔn)以及用于確定襯底928是否相對于自發(fā)射式對比度裝置906的投影處于水平的對準(zhǔn)/調(diào)平傳感器932。如圖所示，襯底928具有矩形形狀，然而,另外地或可替代地可以處理圓形形狀的襯底。自發(fā)射式對比度裝置906布置在框架926上。自發(fā)射式對比度裝置906可以是發(fā)射輻射二極管，例如激光二極管，例如藍(lán)紫色激光二極管。如圖34所示,對比度裝置906可以布置到在X-Y平面中延伸的陣列中。所述陣列934可以是細(xì)長的線。在一實(shí)施例中，所述陣列934可以是一個(gè)或更多的獨(dú)立可控對比度裝置906的--維陣列。在一實(shí)施例中,所述陣列934可以是--個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立可尋址的對比度裝置906的兩維陣列?？梢蕴峁┬D(zhuǎn)框架912,其可以沿著由所述箭頭顯示的方向旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)框架可以設(shè)置有透鏡924、930(在圖33中)，以提供每個(gè)可獨(dú)立尋址的對比度裝置906的圖像。所述設(shè)備可以設(shè)置有相對于襯底旋轉(zhuǎn)包括框架912和透鏡924,930的光學(xué)裝置列的致動器。光學(xué)裝置列或其一部分的移動可以導(dǎo)致圍繞透鏡的湍流。這樣的移動可能導(dǎo)致圍繞光學(xué)裝置列的介質(zhì)的密度變化。該密度變化可能導(dǎo)致稱為紋影Cschlieren)的光學(xué)效應(yīng)，其使得束在襯底928上的成像劣化。圖35示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖33的光刻設(shè)備,其被構(gòu)造以減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。所述設(shè)備設(shè)置有圍繞旋轉(zhuǎn)框架912的隔室936。由自發(fā)射式對比度裝置906發(fā)射的束938橫穿隔室中的窗口 940到達(dá)襯底臺上的襯底928。圍繞框架912的湍流通過最小化隔室936和旋轉(zhuǎn)框架912之間的空間而被最小化。在一實(shí)施例中，隔室936和框架912之間的空間應(yīng)當(dāng)小于2cm、小于1cm、小于5mm或小于2mm,使得瑞流和/或紋影的光學(xué)效應(yīng)被減小或最小化。在一實(shí)施例中，隔室936和框架912之間的距離在靠近窗口 940和透鏡924、930的區(qū)域中被最小化，這是因?yàn)樵谶@些區(qū)域中束938可能受紋影效應(yīng)的影響。最小化所述距離可以減小湍流,且還可以減小其中瑞流可能影響所述束的光路的長度。圖36不意性地顯不根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的圖33的光刻設(shè)備，該光刻設(shè)備被構(gòu)造成減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。隔室936可能基本上包封旋轉(zhuǎn)框架912,隔室936內(nèi)的空間可能通過泵944進(jìn)行抽氣以減小壓強(qiáng)。一 個(gè)或更多的開口 942可以被設(shè)置以通過整個(gè)隔室936傳輸該減小的壓強(qiáng)。通過減小所述壓強(qiáng)，紋影效應(yīng)可以被削弱。隔室內(nèi)的壓強(qiáng)可以被減小至低于I巴、低于100毫巴、低于20毫巴或低于10毫巴的水平。隔室936可以設(shè)置有特定的介質(zhì),例如來自氣體儲存室946的氦氣以減小紋影效應(yīng)。使用氦氣的優(yōu)點(diǎn)在于其具有比正常空氣更好的冷卻性質(zhì)。光學(xué)裝置列或其一部分的移動可能會加熱光刻設(shè)備的一部分。氦氣的被改善的冷卻能力可以減小這樣的加熱。提供氦氣可以與減小壓強(qiáng)和/或減小隔室936和透鏡924、930之間的空間組合,或可以用作單獨(dú)的方案。減小的壓強(qiáng)和特定的氣體(例如氦氣)可以與較低的旋轉(zhuǎn)速度組合以進(jìn)一步減小紋影效應(yīng)。圖37顯不根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備，該光刻設(shè)備被構(gòu)造以減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。自發(fā)射式對比度裝置906發(fā)射輻射束通過靜止的透鏡920和連接至旋轉(zhuǎn)框架912的旋轉(zhuǎn)透鏡924、930。隔室936為旋轉(zhuǎn)透鏡924、930提供了大致封閉的環(huán)境。該封閉的環(huán)境可以具有減小的壓強(qiáng)或可以如上所述地設(shè)置有氦氣。圖38a至38c示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖38a公開了設(shè)置有旋轉(zhuǎn)部分950的旋轉(zhuǎn)框架912 (顯示出一部分)，該旋轉(zhuǎn)部分950部分地封閉透鏡924、930之間的空間和為束的穿過而部分地敞開。同樣地，旋轉(zhuǎn)框架在本實(shí)施例中將看____t去更像旋轉(zhuǎn)鼓。透鏡924,930之間的湍流可以以這樣方式被最小化。另外，光刻設(shè)備設(shè)置有靜止的蓋952,該蓋部分地包封透鏡920,924之間的空間，同時(shí)留有為束的穿過而敞開的空間。窗口 940可以設(shè)置在靜止的蓋952的底部，以防止氣體進(jìn)入到靜止的蓋952的內(nèi)部的敞開空間中。在透鏡930的F方，具有窗口 940的板948被設(shè)置以減小或最小化湍流。窗口 940還可以保護(hù)透鏡930免遭從襯底射出的碎片的影響。圖38b公開了板948被設(shè)置成靠近移動的透鏡924和930的實(shí)施例。板948可以設(shè)置有透明部分(即窗口 940)。板948減小了在移動的透鏡周圍的湍流,且可以減小紋影效應(yīng)。圖38c公開了靜止的蓋952設(shè)置成圍繞束的實(shí)施例。靜止的蓋952設(shè)置有透明窗口 940以封閉蓋952中供束穿過的敞開的空間。所述束對由透鏡924和930的移動引起的湍流的敏感性被以這種方式減小。在下文標(biāo)以序號的方面中還提供了實(shí)施例I. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束進(jìn)行曝光；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個(gè)束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述調(diào)制器移動所述透鏡陣列。
2.根據(jù)實(shí)施例I所述的光刻設(shè)備，其中每一透鏡包括沿著從所述調(diào)制器至所述襯底的所述多個(gè)束中的至少一個(gè)束的束路徑布置的至少兩個(gè)透鏡。3.根據(jù)實(shí)施例2所述的光刻設(shè)備,其中所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡包括場透鏡，所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡包括成像透鏡。4.根據(jù)實(shí)施例3所述的光刻設(shè)備,其中所述場透鏡的焦平面與所述成像透鏡的后焦面重合。5.根據(jù)實(shí)施例3或4所述的光刻設(shè)備,其中所述成像透鏡包括雙非球面透鏡。6.根據(jù)實(shí)施例3-5中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述場透鏡的焦距使得所述成像透鏡的場尺寸小于2至3°半角。7.根據(jù)實(shí)施例3-6中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述成像透鏡的焦距使得對在所述襯底處的為O. 2的NA,所述成像透鏡不大于所述場透鏡的直徑。8.根據(jù)實(shí)施例7所述的光刻設(shè)備，其中所述成像透鏡的焦距等于所述場透鏡的直徑。9.根據(jù)實(shí)施例3-8中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中用所述場透鏡和所述成像透鏡的單一組合使得多個(gè)所述束成像。10.根據(jù)實(shí)施例3-9中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，還包括聚焦控制裝置，該聚焦控制裝置沿著從所述調(diào)制器至所述場透鏡的所述多個(gè)束中的至少一個(gè)束的束路徑布置。11.根據(jù)實(shí)施例1.0所述的光刻設(shè)備，其中所述聚焦控制裝置包括折疊反射鏡和可移動屋頂狀部件。12.根據(jù)實(shí)施例3所述的光刻設(shè)備，還包括在所述路徑中的透鏡，以將從所述第一透鏡至所述第二透鏡的所述束準(zhǔn)直。18.根據(jù)實(shí)施例12所述的光刻設(shè)備,其中用于準(zhǔn)直所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調(diào)制器基本上是靜止的。14.根據(jù)實(shí)施例3,12和13中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括在所述調(diào)制器和所述第一透鏡之間的路徑中的透鏡，以朝向所述第一透鏡聚焦所述多個(gè)束中的至少一個(gè)。15.根據(jù)實(shí)施例14所述的光刻設(shè)備，其中用于聚焦所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調(diào)制器是基本上靜止的。16.根據(jù)實(shí)施例3和12-15中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述場透鏡的光軸與所述成像透鏡的光軸重合。
17.根據(jù)實(shí)施例2所述的光刻設(shè)備,其中所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡包括至少兩個(gè)子透鏡，其中所述多個(gè)束中的至少一個(gè)束在所述兩個(gè)子透鏡中間進(jìn)行聚焦。18.根據(jù)實(shí)施例17所述的光刻設(shè)備,其中所述至少兩個(gè)子透鏡中的每一個(gè)具有大致相等的焦距。19.根據(jù)實(shí)施例2,17和18中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述第一透鏡被布置成朝向所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡輸出被準(zhǔn)直的束。20.根據(jù)實(shí)施例2和17-19中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,配置成以不同于所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡的速度移動所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡。21.根據(jù)實(shí)施例20所述的光刻設(shè)備,其中所述第二透鏡的速度是所述第一透鏡的速度的兩倍。22.根據(jù)實(shí)施例I所述的光刻設(shè)備，其中每一透鏡包括4f遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出的成像 系統(tǒng)。23.根據(jù)實(shí)施例22所述的光刻設(shè)備,其中所述4f遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出的成像系統(tǒng)包括至少6個(gè)透鏡。24.根據(jù)實(shí)施例I所述的光刻設(shè)備，還包括在所述調(diào)制器和所述透鏡陣列之間的消轉(zhuǎn)儀。25.根據(jù)實(shí)施例24所述的光刻設(shè)備,其中所述消轉(zhuǎn)儀包括佩肯棱鏡。26.根據(jù)實(shí)施例24或25所述的光刻設(shè)備，其中所述消轉(zhuǎn)儀布置成以所述透鏡陣列的速度的一半移動。27.根據(jù)實(shí)施例24-26中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括拋物面反射鏡，以減小在所述調(diào)制器和所述消轉(zhuǎn)儀之間的束的尺寸。28.根據(jù)實(shí)施例24-27中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，還包括拋物面反射鏡，以增加在所述消轉(zhuǎn)儀和所述透鏡陣列之間的束的尺寸。29.根據(jù)實(shí)施例1-28中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡陣列相對于所述調(diào)制器旋轉(zhuǎn)。30.根據(jù)實(shí)施例1-29中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述調(diào)制器包括用于發(fā)射電磁輻射的多個(gè)獨(dú)立可控輻射源。31.根據(jù)實(shí)施例1-29中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述調(diào)制器包括微反射鏡陣列。32.根據(jù)實(shí)施例1-29中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述調(diào)制器包括輻射源和聲光調(diào)制器。38. 一種器件制造方法,包括步驟提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；和使用接收所述多個(gè)束的透鏡陣列將所述多個(gè)束投影到襯底上；和在所述投影期間,相對于所述束移動所述透鏡陣列。34.根據(jù)實(shí)施例33所述的方法，其中每一透鏡包括沿著從所述至少一個(gè)束的源至所述襯底的所述多個(gè)束中的至少^-個(gè)束的束路徑布置的至少兩個(gè)透鏡。35.根據(jù)實(shí)施例34所述的方法，其中所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡包括場透鏡,所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡包括成像透鏡。
36.根據(jù)實(shí)施例35所述的方法,其中所述場透鏡的焦平面與所述成像透鏡的后焦
面重合。37.根據(jù)實(shí)施例35或36所述的方法，其中所述成像透鏡包括雙非球面透鏡。38.根據(jù)實(shí)施例35-37中任一個(gè)所述的方法,其中所述場透鏡的焦距使得所述成像透鏡的場尺寸小于2至3°半角。39.根據(jù)實(shí)施例35-38中任一個(gè)所述的方法，其中所述成像透鏡的焦距使得對在所述襯底處的為O. 2的NA，所述成像透鏡不大于所述場透鏡的直徑。40.根據(jù)實(shí)施例39所述的方法,其中所述成像透鏡的焦距等于所述場透鏡的直徑。
41.根據(jù)實(shí)施例35-40中任一個(gè)所述的方法,其中用所述場透鏡和所述成像透鏡的單一組合對多個(gè)所述束成像。42.根據(jù)實(shí)施例35-41中任一個(gè)所述的方法,還包括使用在所述多個(gè)束中的至少--個(gè)束的源和所述場透鏡之間的聚焦控制裝置。43.根據(jù)實(shí)施例42所述的方法,其中所述聚焦控制裝置包括折疊反射鏡和可移動的屋頂狀部件。44.根據(jù)實(shí)施例35所述的方法,還包括使用透鏡將在所述第一透鏡和所述第二透鏡之間的至少一個(gè)束準(zhǔn)直。45.根據(jù)實(shí)施例44所述的方法，其中用于準(zhǔn)直所述至少一個(gè)束的透鏡相對于所述至少一個(gè)束基本上是靜止的。46.根據(jù)實(shí)施例35,44和45中任一個(gè)所述的方法，還包括使用在所述至少一個(gè)束的源和所述第一透鏡之間的路徑中的透鏡,朝向所述第一透鏡聚焦所述多個(gè)束中的至少一個(gè)。47.根據(jù)實(shí)施例46所述的方法，其中用于聚焦所述至少一個(gè)束的透鏡相對于所述至少一個(gè)束是基本上靜止的。48.根據(jù)實(shí)施例35和44-47中任一個(gè)所述的方法,其中所述場透鏡的光軸與所述對應(yīng)的成像透鏡的光軸重合。49.根據(jù)實(shí)施例34所述的方法,其中所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡包括至少兩個(gè)子透鏡,其中所述多個(gè)束中的至少一個(gè)束在所述兩個(gè)子透鏡中間進(jìn)行聚焦。50.根據(jù)實(shí)施例49所述的方法,其中所述至少兩個(gè)子透鏡中的每一個(gè)具有大致相等的焦距。51.根據(jù)實(shí)施例34,49和50中任一個(gè)所述的方法，其中所述第一透鏡被布置成朝向所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡輸出被準(zhǔn)直的束。52.根據(jù)實(shí)施例34和49_51中任一個(gè)所述的方法,包括以不同于所述至少兩個(gè)透鏡中的第二透鏡的速度移動所述至少兩個(gè)透鏡中的第一透鏡。53.根據(jù)實(shí)施例52所述的方法,其中所述第二透鏡的速度是所述第一透鏡的速度的兩倍。54.根據(jù)實(shí)施例33所述的方法,其中每一透鏡包括4f遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出的成像系統(tǒng)。55.根據(jù)實(shí)施例54所述的方法,其中所述4f遠(yuǎn)心進(jìn)/遠(yuǎn)心出的成像系統(tǒng)包括至少6個(gè)透鏡。56.根據(jù)實(shí)施例33所述的方法，還包括使用在所述束的源和所述透鏡陣列之間的消轉(zhuǎn)儀對所述束進(jìn)行消轉(zhuǎn)。57.根據(jù)實(shí)施例56所述的方法,其中所述消轉(zhuǎn)儀包括佩肯棱鏡。58.根據(jù)實(shí)施例56或57所述的方法,包括以所述透鏡陣列的速度的一半移動所述消轉(zhuǎn)儀。59.根據(jù)實(shí)施例56-58中任一個(gè)所述的方法,還包括使用拋物面反射鏡減小在所述束的源和所述消轉(zhuǎn)儀之間的束的尺寸。60.根據(jù)實(shí)施例56-59中任一個(gè)所述的方法,還包括使用拋物面反射鏡增加在所述消轉(zhuǎn)儀和所述透鏡陣列之間的束的尺寸。 61.根據(jù)實(shí)施例33-60中任一個(gè)所述的方法，包括相對于所述束旋轉(zhuǎn)所述透鏡陣列。62.根據(jù)實(shí)施例33-61中任一個(gè)所述的方法,其中多個(gè)獨(dú)立可控輻射源中的每--個(gè)發(fā)射所述多個(gè)束中的每一個(gè)。63.根據(jù)實(shí)施例33-61中任一個(gè)所述的方法，其中微反射鏡陣列發(fā)射多個(gè)束。64.根據(jù)實(shí)施例33-61中任一個(gè)所述的方法,其中輻射源和聲光調(diào)制器產(chǎn)生所述多個(gè)束。65. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括發(fā)射電磁輻射的多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束進(jìn)行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個(gè)束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述獨(dú)立可控輻射源移動所述透鏡陣列。66. 一種器件制造方法,包括步驟使用多個(gè)獨(dú)立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；和使用接收所述多個(gè)束的透鏡陣列將所述多個(gè)束投影到襯底上；和在所述投影期間相對于所述獨(dú)立可控輻射源移動所述透鏡陣列。67. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束進(jìn)行曝光；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到襯底上且包括用于接收所述多個(gè)束的多個(gè)透鏡陣列，所述陣列中的每一個(gè)獨(dú)立地沿著所述多個(gè)束的束路徑布置。68.根據(jù)實(shí)施例67所述的光刻設(shè)備,其中所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述調(diào)制器移動所述透鏡陣列。69.根據(jù)實(shí)施例67或68所述的光刻設(shè)備,其中每一陣列中的所述透鏡布置在單個(gè)主體中。70. 一種光刻設(shè)備，包括
襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括發(fā)射電磁輻射的多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束進(jìn)行曝光,和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源,使得僅少于全部所述多個(gè)輻射源的多個(gè)輻射源可以在任--時(shí)刻曝光所述曝光區(qū)域；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底....匕。71. 一種光刻設(shè)備，包括 多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束,所述多個(gè)輻射源中的至少--個(gè)輻射源在它發(fā)射輻射的位置和在它不發(fā)射輻射的位置之間是可移動的；襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底;和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。72. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括用于發(fā)射電磁輻射的多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束進(jìn)行曝光,和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源,使得來自所述至少一個(gè)輻射源的輻射在同一時(shí)刻與來自所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)其它的輻射源的輻射鄰接或重置；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。73. —種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源在它可以發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置和它不發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置之間是可移動的,和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。74. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源，所述調(diào)制器具有至所述曝光區(qū)域的多個(gè)束的輸出，所述輸出具有小于所述多個(gè)輻射源的輸出的面積的面積；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。75. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源的陣列，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的各自的曝光區(qū)域,且配置成相對于其各自的曝光區(qū)域移動每一陣列，或相對于其各自的曝光區(qū)域移動來自每--陣列的所述多個(gè)束，或相對于所述各自的曝光區(qū)域移動所述陣列和所述多個(gè)束，其中在使用時(shí)多個(gè)陣列中的陣列的各自的曝光區(qū)域與所述多個(gè)陣列中的另一陣列的各自的曝光區(qū)域鄰接或重疊;和
投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。76. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案 調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每-個(gè)，或相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)束，或相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)和所述多個(gè)束，其中在使用過程中所述福射源中的每一個(gè)在其各自的功率/前向電流曲線的陡峭部分中進(jìn)行操作；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。77. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，或相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)束，或相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)和所述多個(gè)束,其中所述獨(dú)立可控輻射源中的每一個(gè)包括藍(lán)紫激光二極管；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。78. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在至少兩個(gè)同心的圓形陣列中；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底....匕。79.根據(jù)實(shí)施例78所述的光刻設(shè)備，其中所述圓形陣列中的至少一個(gè)圓形陣列被以交錯(cuò)的方式布置至所述圓形陣列中的至少一個(gè)其它的圓形陣列。80. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源圍繞結(jié)構(gòu)的中心布置,且所述結(jié)構(gòu)具有在所述多個(gè)輻射源內(nèi)的延伸通過所述結(jié)構(gòu)的開口 ；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。81.根據(jù)實(shí)施例80所述的光刻設(shè)備,還包括在所述輻射源處或所述輻射源的外部保持支撐結(jié)構(gòu)的支撐件。82.根據(jù)實(shí)施例81所述的光刻設(shè)備，其中所述支撐件包括允許所述結(jié)構(gòu)移動的軸承。83.根據(jù)實(shí)施例81或82所述的光刻設(shè)備，其中所述支撐件包括移動所述結(jié)構(gòu)的電機(jī)。84. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；
調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源圍繞結(jié)構(gòu)的中心布置；支撐件,用于在所述輻射源處或所述輻射源的外部支撐所述結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)配置成旋轉(zhuǎn)所述結(jié)構(gòu)或允許旋轉(zhuǎn)所述結(jié)構(gòu)；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底....匕。85.根據(jù)實(shí)施例84所述的光刻設(shè)備，其中所述支撐件包括允許旋轉(zhuǎn)所述結(jié)構(gòu)的軸
承。 86.根據(jù)實(shí)施例84或85所述的光刻設(shè)備,其中所述支撐件包括旋轉(zhuǎn)所述結(jié)構(gòu)的電機(jī)。87. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)上，所述可移動結(jié)構(gòu)又布置在可移動板上；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。88.根據(jù)實(shí)施例87所述的光刻設(shè)備,其中所述可移動結(jié)構(gòu)是可旋轉(zhuǎn)的。89.根據(jù)實(shí)施例87或88所述的光刻設(shè)備，其中所述可移動板是可旋轉(zhuǎn)的。90.根據(jù)實(shí)施例89所述的光刻設(shè)備，其中所述可移動板的旋轉(zhuǎn)中心不與所述可移動結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)中心重合。91. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上；流體通道，布置在所述可移動結(jié)構(gòu)中，以提供溫度控制流體至至少鄰近所述多個(gè)輻射源的位置；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。92.根據(jù)實(shí)施例91所述的光刻設(shè)備,還包括位于所述可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上的傳感器。93.根據(jù)實(shí)施例91或92所述的光刻設(shè)備，還包括傳感器,所述傳感器位于鄰近所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源的位置但不在所述可移動結(jié)構(gòu)中或所述可移動結(jié)構(gòu)上。94.根據(jù)實(shí)施例92或93所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器包括溫度傳感器。95.根據(jù)實(shí)施例92-94中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述傳感器包括配置成測量所述結(jié)構(gòu)的膨脹和/或收縮的傳感器。96. 一種光刻設(shè)備,包括 襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上；散熱片,所述散熱片布置在所述可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上，以提供對所述結(jié)構(gòu)的溫度控制；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。97.根據(jù)實(shí)施例96所述的光刻設(shè)備,還包括靜止的散熱片，以與所述可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上的散熱片配合。98.根據(jù)實(shí)施例97所述的光刻設(shè)備，包括在所述可移動結(jié)構(gòu)中或在可移動結(jié)構(gòu)上的至少兩個(gè)散熱片,所述靜止的散熱片位于所述可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上的所述散熱片中的至少-個(gè)散熱片與所述可移動結(jié)構(gòu)中或所述可移動結(jié)構(gòu)上的所述散熱片中的至少一個(gè)其它散熱片之間。
99. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上；流體供給裝置，配置成供給流體至所述結(jié)構(gòu)的外表面，以控制所述結(jié)構(gòu)的溫度；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。
100.根據(jù)實(shí)施例99所述的光刻設(shè)備,其中所述流體供給裝置配置成供給氣體。101.根據(jù)實(shí)施例99所述的光刻設(shè)備，其中所述流體供給裝置配置成供給液體。102.根據(jù)實(shí)施例101所述的光刻設(shè)備,還包括流體限制結(jié)構(gòu)，配置成保持所述液體與所述結(jié)構(gòu)接觸。103.根據(jù)實(shí)施例102所述的光刻設(shè)備，其中所述流體限制結(jié)構(gòu)配置成保持所述結(jié)構(gòu)與所述流體限制結(jié)構(gòu)之間的密封。104. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；結(jié)構(gòu)上獨(dú)立的透鏡，所述透鏡連接在所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)輻射源附近或連接至所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)輻射源,且能夠隨各自的輻射源移動。105.根據(jù)實(shí)施例104所述的光刻設(shè)備,還包括致動器，所述致動器配置成相對于其各自的輻射源來使透鏡移位。106.根據(jù)實(shí)施例104或105所述的光刻設(shè)備,還包括致動器,所述致動器配置成相對于支撐所述透鏡的結(jié)構(gòu)和其各自的輻射源來使透鏡和其各自的輻射源移位。107.根據(jù)實(shí)施例105或106所述的光刻設(shè)備，其中所述致動器配置成在高達(dá)3個(gè)自由度上移動所述透鏡。108.根據(jù)實(shí)施例104-107中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括所述多個(gè)輻射源中的至少·_一個(gè)輻射源的下游的孔闌結(jié)構(gòu)。109.根據(jù)實(shí)施例104-107中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中用高熱導(dǎo)率材料將所述透鏡連接至支撐所述透鏡的結(jié)構(gòu)和其各自的輻射源。
110. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；空間相干性破壞裝置,配置成擾亂來自所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源的輻射；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。111.根據(jù)實(shí)施例110所述的光刻設(shè)備,其中所述空間相干性破壞裝置包括靜止的板,所述至少一個(gè)輻射源相對于所述板是可移動的。112.根據(jù)實(shí)施例110所述的光刻設(shè)備,其中所述空間相千性破壞裝置包括從F述 裝置中選出的至少一個(gè)相位調(diào)制器、旋轉(zhuǎn)板或振動板。113. —種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；傳感器，配置成測量與所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源相關(guān)的聚焦,所述傳感器的至少--部分在所述至少--個(gè)輻射源中或所述至少一個(gè)輻射源上；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。114.根據(jù)實(shí)施例113所述的光刻設(shè)備，其中所述傳感器配置成單獨(dú)測量與所述輻射源的每一個(gè)相關(guān)的聚焦。115.根據(jù)實(shí)施例113或114所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器是刀口聚焦檢測器。116. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；發(fā)送器，配置成無線地發(fā)送信號和/或功率至所述多個(gè)輻射源，以分別控制所述多個(gè)輻射源和/或?qū)λ龆鄠€(gè)輻射源供電；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。117.根據(jù)實(shí)施例116所述的光刻設(shè)備,其中所述信號包括多個(gè)信號,且還包括多路分解器，以朝向各自的輻射源發(fā)送所述多個(gè)信號中的每一個(gè)信號。118. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上；單條線,用于將控制器連接至所述可移動結(jié)構(gòu)，以將多個(gè)信號和/或功率發(fā)送至所述多個(gè)輻射源，以分別控制所述多個(gè)輻射源和/或?qū)ζ溥M(jìn)行供電；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底....匕。119.根據(jù)實(shí)施例118所述的光刻設(shè)備,其中所述信號包括多個(gè)信號，且還包括多路分解器，以朝向各自的輻射源發(fā)送所述多個(gè)信號中的每一個(gè)信號。120.根據(jù)實(shí)施例118或119所述的光刻設(shè)備，其中所述線包括光學(xué)線。121. —種光刻設(shè)備，包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；傳感器，測量由所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源朝向所述襯底發(fā)射或?qū)⒁l(fā)射的輻射的特性；和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。
122.根據(jù)實(shí)施例121所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的至少一部分位于所述襯底保持器中或所述襯底保持器上。123.根據(jù)實(shí)施例122所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的所述至少一部分位于所述襯底保持器中或所述襯底保持器上并且在所述襯底被支撐在所述襯底保持器上所處的區(qū)域的外部的一位置處。124.根據(jù)實(shí)施例121-123中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的至少一部分位于所述襯底的一側(cè)，其在使用時(shí)基本上沿著所述襯底的掃描方向延伸。125.根據(jù)實(shí)施例121-124中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述可移動結(jié)構(gòu)的框架中或框架上。126.根據(jù)實(shí)施例121-125中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述傳感器配置成測量來自所述曝光區(qū)域外的所述至少一個(gè)輻射源的輻射。127.根據(jù)實(shí)施例121-126中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的至少一部分是可移動的。128.根據(jù)實(shí)施例121-127中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，還包括控制器,所述控制器配置成基于所述傳感器的結(jié)果來校準(zhǔn)所述至少一個(gè)輻射源。129. 一種光刻設(shè)備,包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器，包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)，所述多個(gè)輻射源布置在可移動結(jié)構(gòu)中或可移動結(jié)構(gòu)上；傳感器,用于測量所述可移動結(jié)構(gòu)的位置;和投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。130.根據(jù)實(shí)施例129所述的光刻設(shè)備，其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述可移動結(jié)構(gòu)的框架中或框架上。131. 一種光刻設(shè)備，包括 襯底保持器,構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供至所述襯底的曝光區(qū)域,且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每-個(gè)，所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)具有識別標(biāo)志或提供識別標(biāo)志；傳感器，配置成檢測所述識別標(biāo)志；和
投影系統(tǒng),配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底上。132.根據(jù)實(shí)施例131所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述多個(gè)輻射源的框架中或框架上。133.根據(jù)實(shí)施例131或132所述的光刻設(shè)備，其中所述識別標(biāo)志包括來自各自的輻射源的輻射頻率。134.根據(jù)實(shí)施例131-133中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述識別標(biāo)志包括從F述中選擇的至少一個(gè)條碼、標(biāo)記或射頻識別標(biāo)志。135. 一種光刻設(shè)備，包括襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底；調(diào)制器,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源，配置成將根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束提供 至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)；傳感器,配置成檢測被所述襯底改向的、來自所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源的輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所調(diào)制的束投影到所述襯底....匕。136.根據(jù)實(shí)施例135所述的光刻設(shè)備,其中所述傳感器配置成根據(jù)所述改向的輻射來確定入射到所述襯底上的來自所述至少一個(gè)輻射源的所述輻射的斑的位置。137.根據(jù)實(shí)施例70-136中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述調(diào)制器配置成圍繞基本—t平行于所述多個(gè)束的傳播方向的軸線旋轉(zhuǎn)至少一個(gè)輻射源。138.根據(jù)實(shí)施例70-137中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述調(diào)制器配置成沿著橫向于所述多個(gè)束的傳播方向的方向平移至少一個(gè)輻射源。139.根據(jù)實(shí)施例70-138中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述調(diào)制器包括配置成移動所述多個(gè)束的束偏轉(zhuǎn)器。140.根據(jù)實(shí)施例139所述的光刻設(shè)備，其中所述束偏轉(zhuǎn)器是從由下述部件構(gòu)成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲光調(diào)制器。141.根據(jù)實(shí)施例139所述的光刻設(shè)備,其中所述束偏轉(zhuǎn)器包括多邊形件。142.根據(jù)實(shí)施例139所述的光刻設(shè)備,其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成振動。143.根據(jù)實(shí)施例139所述的光刻設(shè)備，其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成旋轉(zhuǎn)。144.根據(jù)實(shí)施例70-1.43中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述襯底保持器配置成沿著設(shè)置所述多個(gè)束的方向移動所述襯底。145.根據(jù)實(shí)施例144所述的光刻設(shè)備，其中所述襯底的移動是旋轉(zhuǎn)。146.根據(jù)實(shí)施例70-145中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述多個(gè)輻射源是能夠一起移動的。147.根據(jù)實(shí)施例70-146中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述多個(gè)輻射源以圓形方式布置。148.根據(jù)實(shí)施例70-147中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述多個(gè)福射源布置在板中且彼此間隔開。149.根據(jù)實(shí)施例70-148中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述投影系統(tǒng)包括透鏡陣列。150.根據(jù)實(shí)施例70-149中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述投影系統(tǒng)實(shí)質(zhì)上由透鏡陣列構(gòu)成。151.根據(jù)實(shí)施例149或150所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡陣列的透鏡具有高的數(shù)值孔徑，所述光刻設(shè)備配置成使得所述襯底處在與所述透鏡相關(guān)的輻射的聚焦位置的外面，以有效地降低所述透鏡的數(shù)值孔徑。152.根據(jù) 實(shí)施例70-151中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述輻射源中的每^ -個(gè)包括激光二極管。153.根據(jù)實(shí)施例152所述的光刻設(shè)備,其中每一激光二極管配置成發(fā)射具有約405nm的波長的輻射。154.根據(jù)實(shí)施例70-153中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括溫度控制器,所述溫度控制器配置成在曝光期間將所述多個(gè)輻射源保持在大致恒定的溫度。155.根據(jù)實(shí)施例154所述的光刻設(shè)備，其中所述控制器配置成在曝光之前將所述多個(gè)輻射源加熱至處于所述大致恒定的溫度的溫度或接近所述大致恒定的溫度的溫度。156.根據(jù)實(shí)施例70-155中任--個(gè)所述的光刻設(shè)備,包括沿著一方向布置的至少3個(gè)獨(dú)立的陣列，所述陣列中每一個(gè)包括多個(gè)輻射源。157.根據(jù)實(shí)施例70-156中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，其中所述多個(gè)輻射源包括至少約1.2()()個(gè)輻射源。158.根據(jù)實(shí)施例70-157中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括對準(zhǔn)傳感器,用于確定所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源與所述襯底之間的對準(zhǔn)。159.根據(jù)實(shí)施例70-158中任一·"Iv所述的光刻設(shè)備,還包括水平傳感器，用于確定所述襯底相對于所述多個(gè)束中的至少一個(gè)束的聚焦位置的位置。160.根據(jù)實(shí)施例158或159所述的光刻設(shè)備,還包括控制器,所述控制器配置成基于對準(zhǔn)傳感器的結(jié)果和/或水平傳感器的結(jié)果改變所述圖案。161.根據(jù)實(shí)施例70-160中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，還包括控制器,所述控制器配置成基于所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源的溫度的測量或與所述多個(gè)輻射源中的至少--個(gè)輻射源相關(guān)的溫度的測量來改變所述圖案。162.根據(jù)實(shí)施例70-161中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,還包括傳感器,用于測量由所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源被朝向所述襯底發(fā)射或?qū)⒈话l(fā)射的輻射的特性。163. 一種光刻設(shè)備,包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,配置成提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；透鏡陣列，包括多個(gè)小透鏡;和襯底保持器，構(gòu)造成保持襯底，其中在使用期間，除了所述透鏡陣列之外,在所述多個(gè)輻射源和所述襯底之間沒有其它光學(xué)裝置。164. 一種可編程圖案形成裝置，包括襯底，在所述襯底上具有沿至少一個(gè)方向間隔開的發(fā)射輻射二極管的陣列;和透鏡陣列，在所述發(fā)射輻射二極管的輻射下游側(cè)處。165.根據(jù)實(shí)施例164所述的可編程圖案形成裝置,其中所述透鏡陣列包括具有多個(gè)微透鏡的微透鏡陣列，所述微透鏡的數(shù)量對應(yīng)于發(fā)射輻射二極管的數(shù)量,且被定位以將選擇性地穿過所述發(fā)射輻射二極管中的各自的發(fā)射輻射二極管的輻射聚焦成為微斑陣列。
166.根據(jù)實(shí)施例164或165所述的可編程圖案形成裝置,其中所述發(fā)射輻射二極管沿著至少兩個(gè)正交的方向間隔開。167.根據(jù)實(shí)施例164-166中任一個(gè)所述的可編程圖案形成裝置,其中所述發(fā)射輻射二極管嵌入在具有低熱導(dǎo)率的材料中。168.…-種器件制造方法,包括步驟使用多個(gè)獨(dú)立可控輻射源朝向襯底的曝光區(qū)域提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；在提供所述多個(gè)束的同時(shí)移動所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè),使得僅少于全部所述多個(gè)輻射源的多個(gè)輻射源可以在任一時(shí)刻曝光所述曝光區(qū)域；和將所述多個(gè)束投影到所述襯底上。
169. 一種器件制造方法，包括步驟使用多個(gè)獨(dú)立可控輻射源來提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；在它發(fā)射輻射的位置和它不發(fā)射輻射的位置之間移動所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè);和將所述多個(gè)束投影到所述襯底上。170. 一種器件制造方法，包括使用多個(gè)獨(dú)立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的束，且僅使用透鏡陣列將來自所述多個(gè)獨(dú)立可控輻射源的調(diào)制的束投影至襯底。171. 一種器件制造方法,包括步驟使用多個(gè)獨(dú)立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)電磁輻射束；在曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)輻射源，使得來自所述至少一個(gè)輻射源的輻射在同一時(shí)刻與來自所述多個(gè)輻射源中的至少一個(gè)其它輻射源的輻射鄰接或重疊；和將所述多個(gè)束投影到襯底上。172.根據(jù)實(shí)施例168-171中任一個(gè)所述的方法,其中移動步驟包括圍繞基本上平行于所述多個(gè)束的傳播方向的軸線旋轉(zhuǎn)至少--個(gè)輻射源。173.根據(jù)實(shí)施例168-172中任一個(gè)所述的方法,其中移動步驟包括沿著橫向于所述多個(gè)束的傳播方向的方向平移至少一個(gè)輻射源。174.根據(jù)實(shí)施例168-173中任一個(gè)所述的方法,包括通過使用束偏轉(zhuǎn)器移動所述多個(gè)束。175.根據(jù)實(shí)施例174所述的方法，其中所述束偏轉(zhuǎn)器是由下述部件構(gòu)成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲光調(diào)制器。176.根據(jù)實(shí)施例174所述的方法,其中所述束偏轉(zhuǎn)器包括多邊形件。177.根據(jù)實(shí)施例174所述的方法,其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成振動。178.根據(jù)實(shí)施例174所述的方法,其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成旋轉(zhuǎn)。179.根據(jù)實(shí)施例168-178中任一個(gè)所述的方法，包括使所述襯底沿著所述多個(gè)束被設(shè)置所在的方向運(yùn)動。180.根據(jù)實(shí)施例179所述的方法,其中所述襯底的運(yùn)動是旋轉(zhuǎn)。181.根據(jù)實(shí)施例168-180中任一個(gè)所述的方法,包括一起移動所述多個(gè)輻射源。182.根據(jù)實(shí)施例168-181中任一個(gè)所述的方法，其中所述多個(gè)輻射源以圓形方式布置。183.根據(jù)實(shí)施例168-182中任一個(gè)所述的方法,其中所述多個(gè)輻射源布置在板中且彼此間隔開。184.根據(jù)實(shí)施例168-183中任一個(gè)所述的方法,其中所述投影步驟包括通過使用透鏡陣列將所述束中的每個(gè)束的圖像形成在所述襯底上。185.根據(jù)實(shí)施例168-184中任一個(gè)所述的方法，其中所述投影步驟包括實(shí)質(zhì)....匕僅使用透鏡陣列將所述束中的每個(gè)束的圖像形成在所述襯底上。186.根據(jù)實(shí)施例168-185中任一個(gè)所述的方法，其中所述輻射源中的每個(gè)包括激
光二極管。187.根據(jù)實(shí)施例186所述的方法,其中每個(gè)激光二極管配置成發(fā)射具有約405nm的波長的福射。 188. 一種根據(jù)實(shí)施例168-187中任一個(gè)所述的方法制造的平板顯示器。189. ^-種根據(jù)實(shí)施例168-187中任一個(gè)所述的方法制造的集成電路器件。190. 一種輻射系統(tǒng)，包括多個(gè)可移動的輻射陣列，每個(gè)輻射陣列包括多個(gè)獨(dú)立可控輻射源,所述多個(gè)獨(dú)立可控輻射源配置成提供根據(jù)期望的圖案調(diào)制的多個(gè)束；和電機(jī),配置成移動所述輻射陣列中的每一個(gè)。191.根據(jù)實(shí)施例190所述的輻射系統(tǒng),其中所述電機(jī)配置成圍繞基本....t平行于所述多個(gè)束的傳播方向的軸線旋轉(zhuǎn)所述輻射陣列中的每一個(gè)。192.根據(jù)實(shí)施例190或191所述的輻射系統(tǒng)，其中所述電機(jī)配置成沿著橫向于所述多個(gè)束的傳播方向的方向平移所述輻射陣列中的每一個(gè)。193.根據(jù)實(shí)施例190-192中任一個(gè)所述的輻射系統(tǒng),還包括束偏轉(zhuǎn)器，所述束偏轉(zhuǎn)器配置成移動所述多個(gè)束。194.根據(jù)實(shí)施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉(zhuǎn)器是由下述部件構(gòu)成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲光調(diào)制器。195.根據(jù)實(shí)施例193所述的輻射系統(tǒng),其中所述束偏轉(zhuǎn)器包括多邊形件。196.根據(jù)實(shí)施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成振動。197.根據(jù)實(shí)施例193所述的輻射系統(tǒng),其中所述束偏轉(zhuǎn)器配置成旋轉(zhuǎn)。198.根據(jù)實(shí)施例190-197中任一個(gè)所述的輻射系統(tǒng),其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個(gè)輻射源能夠一起移動。199.根據(jù)實(shí)施例190-198中任一個(gè)所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個(gè)輻射源被以圓形方式布置。200.根據(jù)實(shí)施例190-199中任--個(gè)所述的輻射系統(tǒng),其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的所述多個(gè)輻射源布置在板中且彼此間隔開。201.根據(jù)實(shí)施例190-200中任一個(gè)所述的輻射系統(tǒng)，還包括與所述輻射陣列中的每一輻射陣列相關(guān)聯(lián)的透鏡陣列。202.根據(jù)實(shí)施例201所述的輻射系統(tǒng),其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的所述多個(gè)輻射源中的每一個(gè)與同所述輻射陣列相關(guān)聯(lián)的透鏡陣列中的透鏡相關(guān)聯(lián)。203.根據(jù)實(shí)施例190-202中任一個(gè)所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個(gè)源中的每一個(gè)源包括激光二極管。204.根據(jù)實(shí)施例203所述的輻射系統(tǒng),其中每一激光二極管配置成發(fā)射具有約405nm的波長的輻射。205. 一種用于將襯底以福射曝光的光刻設(shè)備,所述光刻設(shè)備包括具有100-25000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件的可編程圖案形成裝置。206.根據(jù)實(shí)施例205所述的光刻設(shè)備，包括至少400個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。207.根據(jù)實(shí)施例205所述的光刻設(shè)備，包括至少1000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。208.根據(jù)實(shí)施例205-207中任--個(gè)所述的光刻設(shè)備,包括小于10000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。 209.根據(jù)實(shí)施例205-207中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，包括小于5000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)
立可尋址元件。210.根據(jù)實(shí)施例205-209中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋
址元件是激光二極管。211.根據(jù)實(shí)施例205-209中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件布置成具有從O. 1-3微米的范圍選出的在所述襯底上的斑尺寸。212.根據(jù)實(shí)施例205-209中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件布置成具有約I微米的在所述襯底上的斑尺寸。213. 一種用于將襯底以福射曝光的光刻設(shè)備,所述光刻設(shè)備包括可編程圖案形成裝置,所述可編程圖案形成裝置使得，以IOcm的曝光場長度為基準(zhǔn),具有100-25000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。214.根據(jù)實(shí)施例213所述的光刻設(shè)備，包括至少400個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。215.根據(jù)實(shí)施例213所述的光刻設(shè)備，包括至少1000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。216.根據(jù)實(shí)施例213-215中任--個(gè)所述的光刻設(shè)備,包括小于10000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。217.根據(jù)實(shí)施例213-215中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備，包括小于5000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)
立可尋址元件。218.根據(jù)實(shí)施例213-217中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋
址元件是激光二極管。219.根據(jù)實(shí)施例213-217中任一個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件布置成具有從O. 1-3微米的范圍選出的在所述襯底上的斑尺寸。220.根據(jù)實(shí)施例213-217中任^-個(gè)所述的光刻設(shè)備,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件布置成具有約I微米的在所述襯底上的斑尺寸。221. 一種可編程圖案形成裝置，包括可旋轉(zhuǎn)盤，所述盤具有100-25000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。222.根據(jù)實(shí)施例221所述的可編程圖案形成裝置,其中所述盤包括至少400個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。223.根據(jù)實(shí)施例221所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括至少1000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。224.根據(jù)實(shí)施例221-223中任一個(gè)所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括小于10000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。225.根據(jù)實(shí)施例221-223中任一個(gè)所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括小于5000個(gè)自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件。226.根據(jù)實(shí)施例221-225中任一個(gè)所述的可編程圖案形成裝置,其中所述自發(fā)射式獨(dú)立可尋址元件是激光二極管。227.在制造平板顯示器中使用一個(gè)或更多的本發(fā)明。228.在集成電路封裝中使用一個(gè)或更多的本發(fā)明。229. 一種光刻方法,包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置將襯底以 輻射曝光，其中在所述曝光期間操作所述自發(fā)射式元件的所述可編程圖案形成裝置的功耗小于IOkW0230.根據(jù)實(shí)施例229所述的方法,其中所述功耗小于Skff0231.根據(jù)實(shí)施例229或230所述的方法,其中所述功耗是至少IOOmff0232.根據(jù)實(shí)施例229-231中任一個(gè)所述的方法，其中所述自發(fā)射式兀件是激光二極管。233.根據(jù)實(shí)施例232所述的方法,其中所述激光二極管是藍(lán)紫激光二極管。234. 一種光刻方法,包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置將襯底以福射曝光，其中在使用時(shí)每一發(fā)射式兀件的光輸出是至少Imff0235.根據(jù)實(shí)施例234所述的方法,其中所述光輸出是至少IOmW0236.根據(jù)實(shí)施例234所述的方法,其中所述光輸出是至少50mffo 237.根據(jù)實(shí)施例234-236中任一個(gè)所述的方法，其中所述光輸出小于200mW。238.根據(jù)實(shí)施例234-237中任一個(gè)所述的方法，其中所述自發(fā)射式元件是激光二極管。239.根據(jù)實(shí)施例238所述的方法,其中所述激光二極管是藍(lán)紫激光二極管。240.根據(jù)實(shí)施例234所述的方法,其中所述光輸出大于5mW但小于或等于20mW。241.根據(jù)實(shí)施例234所述的方法，其中所述光輸出大于5mW但小于或等于SOmff0242.根據(jù)實(shí)施例234所述的方法,其中所述光輸出大于5inW但小于或等于40mW。243.根據(jù)實(shí)施例234-242中任一個(gè)所述的方法,其中所述自發(fā)射式元件以單一模式進(jìn)行操作。244. —種光刻設(shè)備,包括可編程圖案形成裝置,具有自發(fā)射式元件；和可旋轉(zhuǎn)框架,具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學(xué)元件,所述光學(xué)元件是折射式光學(xué)元件。245. 一種光刻設(shè)備，包括可編程圖案形成裝置，具有自發(fā)射式元件；和可旋轉(zhuǎn)框架,具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學(xué)元件,所述可旋轉(zhuǎn)框架沒有用于接收來自任意所述自發(fā)射式元件或所有所述自發(fā)射式元件的輻射的反射式光學(xué)兀件。
246. 一種光刻設(shè)備,包括可編程圖案形成裝置；和可旋轉(zhuǎn)框架,所述可旋轉(zhuǎn)框架包括具有光學(xué)元件的板，所述具有光學(xué)元件的板的表面是平坦的。247.所述發(fā)明中的^-個(gè)或更多個(gè)在制造平板顯示器中的應(yīng)用。248.所述發(fā)明中的一個(gè)或更多個(gè)在集成電路的封裝中的應(yīng)用。249. 一種平板顯示器，所述平板顯示器被根據(jù)所述方法中的任一方法制造。250. 一種根據(jù)所述方法中的任一方法制造的集成電路器件。
251. 一種設(shè)備,包括光學(xué)裝置列，能夠?qū)⑹队暗揭r底的目標(biāo)部分....t,所述光學(xué)裝置列具有自發(fā)射式對比度裝置,配置成發(fā)射所述束；投影系統(tǒng),配置成將所述束投影到目標(biāo)部分上；和致動器,用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或其一部分,其中，所述設(shè)備被構(gòu)造以減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。252.根據(jù)實(shí)施例251所述的設(shè)備，包括圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的隔室。253.根據(jù)實(shí)施例252所述的設(shè)備,其中所述隔室對于任何介質(zhì)是基本上封閉的。254.根據(jù)實(shí)施例252或253所述的設(shè)備,還包括泵，用于控制所述隔室內(nèi)的壓強(qiáng)處于低于I巴、低于100毫巴、低于20毫巴或低于10毫巴的水平。255.根據(jù)實(shí)施例252-254中任一實(shí)施例所述的設(shè)備,還包括介質(zhì)供給裝置，用于給隔室提供除空氣之外的介質(zhì)。256.根據(jù)實(shí)施例255所述的設(shè)備，其中所述介質(zhì)供給裝置是用于將氦氣供給至隔室的氦氣供給裝置。257.根據(jù)實(shí)施例252-256中任一實(shí)施例所述的設(shè)備，其中所述隔室被構(gòu)造和布置以最小化在光學(xué)裝置列的移動部分和隔室之間的距離。258.根據(jù)實(shí)施例252-256中任一實(shí)施例所述的設(shè)備,其中光學(xué)裝置列的移動部分包括透鏡，所述隔室包括窗口，所述束穿過透鏡和窗口，透鏡和窗口之間的距離小于2cm、小于1cm、小于Smin或小于2mm。259.根據(jù)實(shí)施例251-258中任一實(shí)施例所述的設(shè)備,其中光學(xué)裝置列包括移動部分和靜止部分，配置成發(fā)射束的自發(fā)射式對比度裝置被設(shè)置至靜止部分。260.根據(jù)實(shí)施例251-259中任一實(shí)施例所述的設(shè)備，其中致動器是旋轉(zhuǎn)的電機(jī)，光學(xué)裝置列或其一部分的移動是旋轉(zhuǎn)移動。261.根據(jù)實(shí)施例260所述的設(shè)備,其中旋轉(zhuǎn)移動大于500RPM、大于1000RPM、大于2000RPM 或大于 4000RPM。262.根據(jù)實(shí)施例251-261中任一實(shí)施例所述的設(shè)備，其中投影系統(tǒng)包括第一光學(xué)裝置組和第二光學(xué)裝置組,第一光學(xué)裝置組形成投影系統(tǒng)的第一輪形部分,第二光學(xué)裝置組形成投影系統(tǒng)的第二輪形部分。263.根據(jù)實(shí)施例251-262中任一實(shí)施例所述的設(shè)備，其中自發(fā)射式對比度裝置包
括激光二極管。
264. 一種器件制造方法,所述方法包括將圖案化的輻射束投影到襯底上的步驟，所述方法還包括用光學(xué)裝置列在襯底的目標(biāo)部分上生成圖案，所述生成圖案的步驟通過以下步驟實(shí)現(xiàn)用自發(fā)射式對比度裝置發(fā)射束；用投影系統(tǒng)將束投影到目標(biāo)部分上；和在相對于襯底移動光學(xué)裝置列或至少光學(xué)裝置列的一部分的同時(shí)，減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。265.根據(jù)實(shí)施例264所述的方法,其中移動光學(xué)裝置列或 光學(xué)裝置列的至少一部分的步驟包括旋轉(zhuǎn)光學(xué)裝置列。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造特定的裝置或結(jié)構(gòu)(例如集成電路或平板顯示器)，但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備和光刻方法可以有其他的應(yīng)用。應(yīng)用包括但不限于集成電路、集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器、薄膜磁頭、微機(jī)電器件(MEMS)、微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)、DNA芯片、封裝(例如倒裝芯片、再分布等)、柔性顯示器或電子裝置(其是顯示器或電子裝置，其可以是可滾動的、如紙一樣可彎曲的和保持不變形的、保形的、高低不平的、薄和/或輕質(zhì)的，例如柔性塑料顯示器)等的制造。另外,例如在平板顯示器中，本發(fā)明的設(shè)備和方法可以用于幫助產(chǎn)生各種層，例如薄膜晶體管層和/或彩色濾光片層。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是,在這種替代應(yīng)用的情況中,可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(例如，一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況F，可以將此處的公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外,所述襯底可以處理一次以上,例如以便產(chǎn)生多層IC,使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。平板顯示器襯底可以是矩形形狀。設(shè)計(jì)用于曝光這種類型的襯底的光刻設(shè)備可以提供曝光區(qū)域，其覆蓋矩形襯底的全部寬度，或覆蓋所述寬度的一部分(例如寬度的一半)?？梢栽谄毓鈪^(qū)域的下面掃描襯底，同時(shí)通過圖案化的束同步掃描圖案形成裝置或圖案形成裝置提供變化的圖案。這樣,期望的圖案的所有或一部分被轉(zhuǎn)移到襯底上。如果曝光區(qū)域覆蓋襯底的全部寬度,那么可以以單次掃描完成曝光。如果曝光區(qū)域覆蓋例如襯底的寬度的一半，那么可以在第一掃描之后橫向地移動襯底，和通常進(jìn)行另一掃描以曝光襯底的剩余部分。此處使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)當(dāng)廣義地詮釋成表示可以用于調(diào)制輻射束的橫截面的任意器件，諸如產(chǎn)生(一部分)襯底中的圖案。應(yīng)當(dāng)注意,賦予輻射束的圖案可以不完全對應(yīng)于襯底的目標(biāo)部分中的期望的圖案，例如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。類似地，最終在襯底上產(chǎn)生的圖案可能不對應(yīng)于在獨(dú)立可控元件的陣列上的任一瞬間形成的圖案。這可以對于以下的布置尤其是這樣的在所述布置中，形成在襯底的每一部分上的最終圖案在給定的時(shí)間周期上或在給定數(shù)量的曝光期間建造,在給定的時(shí)間周期或給定數(shù)量的曝光期間，獨(dú)立可控元件的陣列上的圖案和/或襯底的相對位置變化。通常，在襯底的目標(biāo)部分上產(chǎn)生的圖案將對應(yīng)于在目標(biāo)部分中產(chǎn)生的器件中的特定功能層，例如集成電路或平板顯示器(例如平板顯示器中的彩色濾光片層或平板顯示器中的薄膜晶體管層)。這樣的圖案形成裝置的例子包括例如掩模版、可編程反射鏡陣列、激光二極管陣列、發(fā)光二極管陣列、光柵光閥以及LCD陣列。其圖案在電子裝置(例如計(jì)算機(jī))的幫助下是可編程的圖案形成裝置在此處被統(tǒng)稱為“對比度裝置”，例如包括多個(gè)可編程元件的圖案形成裝置，其可以每個(gè)可編程元件調(diào)制輻射束的一部分的強(qiáng)度(例如除了掩模版之外在之前的句子中提及的所有器件)，包括具有多個(gè)可編程元件的電子可編程圖案形成裝置，其通過相對于輻射束的相鄰部分來調(diào)制輻射束的一部分的相位來將圖案賦予輻射束。在一實(shí)施例中，圖案形成裝置包括至少10個(gè)可編程元件,例如至少100,至少1000,至少1.0000,至少100000,至少1000000,或至少10000000個(gè)可編程元件。在下文--定程度上更加詳細(xì)地討論這些器件中的幾個(gè)的實(shí)施例可編程反射鏡陣列?？删幊谭瓷溏R陣列可以包括矩陣可尋址表面,該矩陣可尋址表面具有粘彈性控制層和反射表面。這樣的設(shè)備所依據(jù)的基本原理是例如反射表面的被尋址的區(qū)域?qū)⑷肷涞妮椛浞瓷渥鳛檠苌漭椛?而未被尋址的區(qū)域?qū)⑷肷涞妮椛浞瓷渥鳛槲幢谎苌涞妮椛?。通過使用適當(dāng)?shù)目臻g濾波器，可以從反射束中過濾出未被衍射的輻射，僅留F衍射輻射到達(dá)襯底。這樣，所述束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案而被圖案化。應(yīng)當(dāng)理解， 作為替代,濾波器可以過濾掉衍射輻射，留下未被衍射的輻射到達(dá)襯底。衍射的光學(xué)MEMS器件的陣列也可以以對應(yīng)的方式使用。衍射的光學(xué)MEMS器件可以包括多個(gè)反射帶,所述多個(gè)反射帶可以相對于彼此變形，以形成反射入射輻射作為衍射輻射的光柵?？删幊谭瓷溏R陣列的另外的實(shí)施例采用微小反射鏡的矩陣布置，每個(gè)微小反射鏡可以通過施加適合的局部電場或通過采用壓電致動裝置圍繞軸線獨(dú)立地傾斜。傾斜度定義了每一反射鏡的狀態(tài)。在元件是無缺陷時(shí),反射鏡通過來自控制器的適合的控制信號能夠進(jìn)行控制。每個(gè)無缺陷的元件是可控制的，以采用一系列狀態(tài)中的任意一個(gè)，以便調(diào)整在投影的輻射圖案中的其對應(yīng)的像素的強(qiáng)度。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，使得被尋址的反射鏡沿著與未被尋址的反射鏡不同的方向反射入射的輻射束；這樣，反射束可以根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的尋址圖案進(jìn)行圖案化?？梢允褂眠m合的電子方式進(jìn)行所需要的矩陣尋址。如此處所引述的有關(guān)反射鏡陣列的更多的信息可以參考例如美國專利Nos. US 5，296，891和US 5，523，193以及PCT專利申請公開Nos. WO 98/38597和W098/33096,通過參考將它們的全部內(nèi)容并入本文中?？删幊蘈CD陣列。在美國專利No. US 5，229，872中提供了這樣的構(gòu)造的例子,通過參考將其全部內(nèi)容并入本文中。光刻設(shè)備可以包括一個(gè)或更多的圖案形成裝置，例如一個(gè)或更多的對比度裝置。例如，它可以具有多個(gè)獨(dú)立可控元件的陣列，每個(gè)彼此獨(dú)立地進(jìn)行控制。在這樣的布置中，獨(dú)立可控元件陣列中的一些或全部可以具有公共的照射系統(tǒng)(或照射系統(tǒng)的一部分)、用于獨(dú)立可控元件的陣列的公共支撐結(jié)構(gòu)和/或公共的投影系統(tǒng)(或投影系統(tǒng)的一部分)中的至少一個(gè)。應(yīng)當(dāng)理解,在預(yù)先偏置特征、光學(xué)鄰近校正特征、相位變化技術(shù)和/或多重曝光技術(shù)被使用時(shí)，例如在獨(dú)立可控元件的陣列上“顯示的”圖案可以基本上不同于最終轉(zhuǎn)移到襯底的一個(gè)層或襯底上的圖案。類似地，最終在襯底上產(chǎn)生的圖案可能不對應(yīng)于在獨(dú)立可控元件的陣列上在任一瞬間形成的圖案。這可以對以下布置尤其是這樣的在所述布置中，形成在襯底的每-部分上的最終圖案在給定的時(shí)間周期上或在給定數(shù)量的曝光上建造,在給定的時(shí)間周期或給定數(shù)量的曝光期間獨(dú)立可控元件的陣列—t的圖案和/或襯底的相對位置變化。投影系統(tǒng)和/或照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件,例如折射式、反射式、磁性式、電磁式、靜電式或其它類型的光學(xué)部件，或它們的任意組合，以引導(dǎo)、成形或控制輻射束。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(例如雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí),將一個(gè)或更多個(gè)其它臺用于曝光。光刻設(shè)備還可以是至少一部分襯底可以被具有相對高折射率的“浸沒液體”(例如水)覆蓋、以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的類型。浸沒液體還可以被施加至光刻設(shè)備中的其它空間,例如在圖案形成裝置和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù) 值孔徑。如在此處所使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著諸如襯底等結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而是意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。另外，設(shè)備可以設(shè)置有流體處理單元，以允許流體和襯底的照射部分之間的相互作用(例如選擇性地將化學(xué)品連接至襯底或選擇性地修改襯底的表面結(jié)構(gòu))。在一實(shí)施例中，襯底具有大致圓形形狀,可選地具有沿著其周界的一部分的凹口和/或平坦化的邊緣。在一實(shí)施例中，襯底具有多邊形形狀，例如矩形形狀。襯底具有大致圓形形狀的實(shí)施例包括這樣的實(shí)施例其中襯底的直徑為至少25mm,例如至少50mm,至少75mm,至少100mm,至少125ram,至少150mm,至少175ram,至少200mm,至少250mm,或至少300mm。在一實(shí)施例中，襯底的直徑為至多500mm,至多400mm,至多350mm,至多300mm,至多250mm,至多200mm,至多150mm,至多100mm,或至多75mm。襯底為多邊形(例如矩形)的實(shí)施例包括襯底的至少I個(gè)側(cè)邊，例如至少2個(gè)側(cè)邊或至少3個(gè)側(cè)邊具有至少5cm,例如至少25cm,至少50cm,至少IOOcin,至少150cm,至少200cm,或至少250cm的長度的實(shí)施例。在一實(shí)施例中，襯底的至少I個(gè)側(cè)邊具有的長度為至多1000cm,例如至多750cm,至多500cm,至多350cm,至多250cm,至多150cm,或至多75cm。在一實(shí)施例中，襯底是具有長度為約250-350cm且寬度為約250-300cm的矩形襯底。襯底的厚度可以變化,且一定程度上可以依賴于例如襯底材料和/或襯底尺寸。在一實(shí)施例中，厚度是至少50 μ m,例如至少100 μ m,至少200 μ m,至少300 μ m,至少400 μ m,至少500 μ m,或至少600 μ m。在一實(shí)施例中，襯底的厚度是至多5000 μ m,例如至多3500 μ m,至多2500 μ m,至多1750 μ m,至多1250 μ m,至多1000 μ m,至多800 μ m,至多600 μ m,至多500 μ m,至多400 μ m,或至多300 μ m。這里所指的襯底可以在曝光之ill或之后進(jìn)彳丁處理,例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)中。可以在曝光之前或曝光之后測量襯底的性質(zhì)，例如在量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在一實(shí)施例中,將抗蝕劑層設(shè)置在襯底上。在一實(shí)施例中，襯底是晶片,例如半導(dǎo)體晶片。在一實(shí)施例中，晶片材料是從由Si，SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP和InAs構(gòu)成的組中選擇的。在一實(shí)施例中，晶片是III/V族化合物半導(dǎo)體晶片。在^-實(shí)施例中，晶片是硅晶片。在一實(shí)施例中，襯底是陶瓷襯底。在一實(shí)施例中，襯底是玻璃襯底。玻璃襯底可能是有用的,例如在制造平板顯示器和液晶顯示器面板中。在一實(shí)施例中，襯底是塑料襯底。在--實(shí)施例中，襯底是透明的(對于人的肉眼)。在一實(shí)施例中,襯底是具有顏色的。在一實(shí)施例中，襯底是沒有顏色的。雖然在一實(shí)施例中圖案形成裝置104如在上文描述和/或顯示成在襯底114之上，但是它可以替代或另外地位于襯底114的下面。另外,在一實(shí)施例中，圖案形成裝置104和襯底114可以是并排的，例如圖案形成裝置104和襯底114垂直地延伸，圖案被水平地投影。在一實(shí)施例中，提供圖案形成裝置104以曝光襯底114的至少兩個(gè)相對的側(cè)面。例如，可以至少在襯底114的每個(gè)各自的相對側(cè)面上具有至少兩個(gè)圖案形成裝置104,以曝光這些側(cè)面。在一實(shí)施例中,可能具有單個(gè)圖案形成裝置104,以投影襯底114的一個(gè)側(cè)面和適合的光學(xué)裝置(例如束引導(dǎo)反射鏡)而將來自單個(gè)圖案形成裝置104的圖案投影到襯底114的另一側(cè)面上。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如,本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者采取具有在其中存儲的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。另外,雖然在特定的實(shí)施例和例子的情形下公開了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明超出特定公開的實(shí)施例延伸至其它的可替代的實(shí)施例和/或本發(fā)明的使用和其顯而易見的修改和等價(jià)物。另外,盡管詳細(xì)地顯示和描述了本發(fā)明的許多變形,但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)的其它修改基于這一公開對本領(lǐng)域技術(shù)人員是容易理解的。例如，設(shè)想實(shí)施例的特定特征和方面的各種組合或子組合可以被進(jìn)行且仍然落到本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此,應(yīng)當(dāng)理解,公開的實(shí)施例的各種特征和方面可以彼此結(jié)合或替代，用于形成公開的本發(fā)明的變化的模式。例如在^-實(shí)施例中，圖5的可移動的獨(dú)立可控元件的實(shí)施例可以與獨(dú)立可控元件的不可移動的陣列組合，例如提供或具有備份系統(tǒng)。因此,盡管在上文描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，僅通過舉例的方式顯示出它們,且不是限制性的。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的條件下,可以對本發(fā)明在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。因此,本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)當(dāng)被上文描述的示例性實(shí)施例中的任意一個(gè)限制，而是應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)權(quán)利要求和它們的等同物來進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備,包括 光學(xué)裝置列，能夠?qū)⑹队暗揭r底的目標(biāo)部分上,所述光學(xué)裝置列具有 自發(fā)射式對比度裝置，配置成發(fā)射所述束； 投影系統(tǒng)，配置成將所述束投影到目標(biāo)部分上；和 致動器,用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的至少一部分， 其中，所述光刻設(shè)備被構(gòu)造以減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻設(shè)備，包括圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的隔室。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備,其中所述隔室對于任何介質(zhì)是基本上封閉的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備,還包括泵,所述泵用于控制所述隔室內(nèi)的壓強(qiáng)處于低于I巴、低于100毫巴、低于20毫巴或低于10毫巴的水平。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備，還包括介質(zhì)供給裝置,用于給隔室提供除空氣之外的介質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻設(shè)備,其中所述介質(zhì)供給裝置是用于將氦氣供給至隔室的氦氣供給裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-6中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備,其中所述隔室被構(gòu)造和布置以最小化光學(xué)裝置列的移動部分和隔室之間的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-6中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備,其中光學(xué)裝置列的移動部分包括透鏡，隔室包括窗口，所述束穿過透鏡和窗口，透鏡和窗口之間的距離小于2cm、小于1cm、小于5mm或小于2mm0
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備,其中光學(xué)裝置列包括移動部分和靜止部分,配置成發(fā)射束的自發(fā)射式對比度裝置被設(shè)置至靜止部分。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備，其中致動器是旋轉(zhuǎn)的電機(jī)，移動部分的移動是旋轉(zhuǎn)移動。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻設(shè)備,其中旋轉(zhuǎn)移動大于500RPM、大于1000RPM、大于2000RPM 或大于 4000RPM。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備,其中投影系統(tǒng)包括第一光學(xué)裝置組和第二光學(xué)裝置組,第一光學(xué)裝置組形成投影系統(tǒng)的第一輪形部分，第二光學(xué)裝置組形成投影系統(tǒng)的第二輪形部分。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備,其中自發(fā)射式對比度裝置包括激光二極管。
14.一種器件制造方法,所述方法包括將圖案化的輻射束投影到襯底上的步驟,所述方法還包括 用光學(xué)裝置列在襯底的目標(biāo)部分上生成圖案,所述生成圖案的步驟通過以下步驟實(shí)現(xiàn) 用自發(fā)射式對比度裝置發(fā)射束； 用投影系統(tǒng)將束投影到目標(biāo)部分上；和 在相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的至少一部分的同時(shí)，減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的至少一部分的步驟包括旋轉(zhuǎn)光學(xué)裝置列。
全文摘要
公開了一種光刻設(shè)備，其包括能夠在襯底的目標(biāo)部分上生成圖案的光學(xué)裝置列。所述光學(xué)裝置列具有配置成發(fā)射所述束的自發(fā)射式對比度裝置(906)；和配置成將所述束投影到目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。所述光刻設(shè)備還可以具有致動器，用于相對于襯底移動光學(xué)裝置列或光學(xué)裝置列的一部分。所述光刻設(shè)備被構(gòu)造以通過使用隔室(936)減小圍繞光學(xué)裝置列的移動部分的介質(zhì)的密度變化對所述束的光學(xué)效應(yīng)，所述隔室(936)提供圍繞所述移動部分的基本上封閉的環(huán)境。
文檔編號G03F7/20GK102822749SQ201180017276
公開日2012年12月12日 申請日期2011年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月9日
發(fā)明者埃爾溫·范茨韋特, 彼得·德亞格爾, 約翰內(nèi)斯·昂伍李, 埃里克·弗瑞特茨 申請人:Asml荷蘭有限公司