專利名稱：感光性樹脂組合物及受光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種經(jīng)過對準工藝制得的半導(dǎo)體裝置、尤其是搭載CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造中所使用的阻焊層用感光性樹脂組合物及使用該感光性樹脂組合物制造的受光裝置。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是一種將光學(xué)影像轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體裝置。作為這種圖像傳感器，有CXD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器。一直以來，作為數(shù)碼相機等的攝像元件，一直在使用CCD圖像傳感器。但是，與CCD 圖像傳感器相比，由于消耗電力少、可小型化，人們開始采用CMOD圖像傳感器。CMOS圖像傳感器形成在硅基板上，由受光元件、濾色器、顯微透鏡等構(gòu)成。搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的以往的形態(tài)為，CMOS圖像傳感器搭載在電路基板上，CMOS圖像傳感器的鋁墊和電路基板通過線焊而連接。由于這種線焊方式的搭載有CMOS圖像傳感器受光裝置需要有用于引出接線的空間，因而整個裝置大。因此，近年來，人們開始開發(fā)這樣一種芯片尺寸的受光裝置在搭載有CMOS圖像傳感器的硅基板上設(shè)置作為貫通孔的導(dǎo)通孔(via hole)，通過在該導(dǎo)通孔內(nèi)面形成的配線電路，形成在硅基板上面的配線電路和形成在硅基板下面的配線電路產(chǎn)生連接，硅基板下面的配線電路和電路基板通過焊接(焊點連接)而連接。作為這種搭載有芯片尺寸的CMOS圖像傳感器的受光裝置，例如可列舉日本特開2007-67017號公報(專利文獻I)。在日本特開2007-67017號公報(專利文獻I)中記載了下述半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)該制造方法，首先，在半導(dǎo)體元件的一表面?zhèn)鹊碾姌O極板及器件形成層的表面上形成第I抗蝕層。接著，在電極極板上通過蝕刻形成開口。接著，通過蝕刻將一端與開口連通、另一端在半導(dǎo)體元件的另一表面?zhèn)壬祥_口的貫通孔形成在基板上。再在貫通孔中形成貫通電極。還公開了一種通過上述制造方法制得的受光裝置。此外，在日本特開2007-73958號公報(專利文獻2)中記載了下述圖像傳感模組用晶圓級芯片尺寸封裝件的制造方法。根據(jù)該制造方法，A)在將圖像傳感器晶圓和玻璃晶圓封接之后，在圖像傳感器晶圓上形成貫通孔。接著，B)用導(dǎo)電物質(zhì)充填形成在圖像傳感器晶圓上的貫通孔，形成導(dǎo)體。接著，C)在導(dǎo)體末端上形成焊接凸點，與形成有電路的PCB基板連接。還公開了一種通過上述制造方法制得的受光裝置。此外，在日本特開2007-73958號公報(專利文獻2)中還公開了玻璃晶圓涂敷有IR截止濾光層。專利文獻專利文獻I :日本特開2007-67017號公報專利文獻2 :日本特開2007-73958號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明者對這種芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，由于從娃基板的下側(cè)面透過阻焊層(soldering resist)而進入的紅外線,傳感器芯片(受光元件)會弓I起誤啟動。因此，為了遮住從硅基板下表面?zhèn)冗M入的紅外線，本發(fā)明嘗試在阻焊層表面上再形成遮光膜。然而，通過這種手法，雖然能遮住從硅基板下表面?zhèn)冗M入的紅外線，但產(chǎn)生了這樣的問題為了形成遮光膜而導(dǎo)致制造成本上升以及需要額外地進行遮光膜形成工序。本發(fā)明提供一種感光性樹脂組合物，其特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光聚合引發(fā)劑(B)和最大吸收波長在800nm以上、2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，在波長400nm以上、700nm以下處的可見光透過率的最大值在5. 0%以上。此外，本發(fā)明還提供這樣一種感光性樹脂組合物，其特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光生酸劑(C)和最大吸收波長在800nm以上、2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，波長400nm以上700以下的可見光透過率的最大值在5. O %以上。此外，本發(fā)明還提供一種受光裝置，其特征在于，它是這樣一種芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置，具有由光兀件構(gòu)成的搭載有CMOS圖像傳感器的娃基板、透明基板和確定前述CMOS圖像傳感器和前述透明基板之間的間隙的間隔件，前述硅基板上設(shè)置有導(dǎo)通孔，通過形成在前述導(dǎo)通孔內(nèi)面的配線電路，前述硅基板上面的配線電路和前述硅基板下面的配線電路形成連接，前述硅基板下面設(shè)置有阻焊層，前述硅基板下面的配線電路和電路基板的配線電路通過焊接而連接，前述阻焊層為上述任一種感光性樹脂組合物的固化物。根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明的感光性樹脂組合物含有最大吸收波長在SOOnm以上、2500nm以下的范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，在波長400nm以上、700nm以下處的可見光透過率的最大值在5. 0%以上。設(shè)置有為該感光性樹脂組合物固化物的阻焊層的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的感光性樹脂組合物含有紅外吸收劑。由此能防止紅外線從硅基板的下面?zhèn)冗M入。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物具有可見光透過性。由此，在上述受光裝置的制造工序中進行對準時能肉眼識別印在硅基板下面的對準標記。通過這樣，感光性樹脂組合物能使可見光透過，而且，感光性樹脂組合物的固化物能遮蔽紅外線。因此，能提供一種尤其具有耐熱性、耐化學(xué)藥品性、耐濕性、低翹曲性等阻焊層所必需的性能的阻焊層用的感光性樹脂組合物。根據(jù)本發(fā)明，感光性樹脂組合物能使可見光透過，而且，感光性樹脂組合物的固化物能遮蔽紅外線。因此，能提供一種尤其具有耐熱性、耐化學(xué)藥品性、耐濕性、低翹曲性等阻焊層所必需的性能的阻焊層用的感光性樹脂組合物。


通過以下所述的優(yōu)選實施方式及其附圖進一步說明上述目的及其他目的、特征及優(yōu)點。圖I是搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的示意截面圖。圖2是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖3是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖4是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖5是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截 面圖。圖6是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖7是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖8是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖9是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖10是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖11是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖12是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖13是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖14是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖15是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖16是表示搭載有焊接方式的CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。圖17是表示單片化工序的示意截面圖。
具體實施例方式本發(fā)明的第一實施方式的感光性樹脂組合物(下面也記作本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I))的特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光聚合引發(fā)劑(B)和最大吸收波長在SOOnm以上2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，400nm以上700nm以下的可見光透過率的最大值在5.0%以上。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)為負片型光感性樹脂組合物，是一種半導(dǎo)體裝置的阻焊層用的光感性樹脂組合物。本發(fā)明的第二實施方式的感光性樹脂組合物(下面也記作本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2))的特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光生酸劑(C)和最大吸收波長在SOOnm以上2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，400nm以上700nm以下的可見光透過率的最大值在
5.0%以上。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)為正片型光感性樹脂組合物，是一種半導(dǎo)體裝置的阻焊層用的光感性樹脂組合物。如圖I所示，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)是為制造芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置而使用的感光性樹脂組合物。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)用于在通過曝光及堿顯影而形成圖案之后通過熱固化而形成阻焊層。
在以下說明中，列舉本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)用于形成芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的阻焊層的使用方式例作為本發(fā)明的使用方式例進行說明。但是，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)不局限于芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造用。這些感光性樹脂組合物還可用于形成例如經(jīng)過通過對準工藝、曝光、顯影而圖案化的工序而形成且具有遮蔽紅外線的功能的保護膜。這些感光性樹脂組合物尤其適合用于半導(dǎo)體裝置的阻焊層的形成。參照圖I對用本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)制造的芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置I進行說明。圖I是芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的示意截面圖。圖I中，受光裝置I包括硅基板6和透明基板3。在硅基板6的上面11上形成有受光部8。并且，在形成在硅基板6的上面11上的受光部8和透明基板3之間設(shè)置有間隔件4以形成間隙5。用該間隔件4確定受光部8(硅基板6)和透明基板3之間的間隙5。此外，受光裝置I通過用焊料9焊接而搭載在電路基板2上。該受光部8即為CMOS圖像傳感器。此外，受光部8主要由形成在硅基板6上的受光元件(圖中未顯示)構(gòu)成。受光部8 (CMOS圖像傳感器)除此以外還包括在硅基板6的上面11的受光元件周圍形成的配線電路、受光元件及在在受光元件周圍形成的配線電路之上所形成的作為絕緣膜的層間絕緣膜(圖中未顯示)、濾色器(圖中未顯示)、顯微透鏡(圖中未顯示)或配線電路所連接的電極極板(圖中未顯示)等。受光裝置I的娃基板6上設(shè)置有為貫通孔的導(dǎo)通孔10。娃基板6的上面11、導(dǎo)通孔10的內(nèi)面及硅基板6的下面12上形成有配線電路。此外，通過形成在導(dǎo)通孔10內(nèi)面的配線電路，硅基板6的上面11的配線電路和下面12的配線電路形成連接。而且，通過焊點9，電路基板2的配線電路和硅基板6的下面12的配線電路(22，可參見圖16等)形成連接。電路基板2是一種形成有配線電路的基板，所述配線電路通過在對銅箔等進行蝕刻加工而成的電路圖案上電鍍鎳、金等而得到。對電路基板2的材質(zhì)無特殊限制，有將玻璃纖維在樹脂中浸潰而成的有機基板、陶瓷基板，鋁、銅等金屬基板等。此外，電路基板2可以是一層電路基板，也可以是多層電路基板。
透明基板3為玻璃基板或丙烯酸、聚碳酸酯、聚醚砜等有機基板。透明基板3與受光部8之間留出間隙5，設(shè)置在受光部8的上方，并隔著間隔件4與受光部對向。間隔件4用于在受光部8和透明基板3之間形成間隙5，以確保在透明基板3和受光部8 (CMOS圖像傳感器)之間留有空間。硅基板6的上面11上形成有受光部8即CMOS圖像傳感器。而在硅基板6的下面12上形成有配線電路(22)。此外，硅基板6上設(shè)置有導(dǎo)通孔10。由此，通過形成在導(dǎo)通孔10內(nèi)面的配線電路，硅基板6的上面11的配線電路(15)和下面12的配線電路(22)形成連接。硅基板6的下面12的配線電路(22)除了焊接部分以外被作為絕緣層的阻焊層
(25)包覆。焊接部分上配置有焊點9。阻焊層(25)在焊接時能僅使搭載有焊點9的部分與下面12的配線電路(22)連接 而不絕緣部分不連接。此外，阻焊層(25)能保護硅基板6的下面12及硅基板6的下面12的配線電路(22)的非連接部分。與硅基板6的下面12的配線電路(22)連接的焊點9不被阻焊層(25)包覆。由此，該焊點9和電路基板2上的配線電路形成連接。接著，參照圖2 圖16對使用本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)的芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的制造工序進行說明。圖2 圖16是表示芯片尺寸的搭載有CMOS的圖像傳感器的受光裝置的制造工序的示意截面圖。此外，圖2 圖16是對芯片尺寸的搭載有CMOS的圖像傳感器的受光裝置中設(shè)置有導(dǎo)通孔的附近進行擴大后的圖。因此不是表示芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的整體的圖。首先，如圖2所示，在硅基板6的上面11上形成由受光元件(圖中未顯示)、在受光元件周圍形成的配線電路15、絕緣膜17、濾色器(圖中未顯示)、顯微透鏡(圖中未顯示)、電極極板16等構(gòu)成的受光部8。由此制作在硅基板6上搭載有受光部8的搭載有CMOS圖像傳感器的硅基板40。圖2中，對于受光部8，僅示出了配線電路15、絕緣膜17及電極極板
16。作為絕緣膜17，無特殊限制，例如可以是SiN、SiO2等無機材料、聚酰亞胺樹脂、聚苯并噁唑樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂等有機材料。接著，如圖3所示，以包覆整個受光部8上表面的方式(在圖2所示的部分中以包覆絕緣膜17及電極極板16的方式)在受光部8上形成間隔件用感光性樹脂組合物層4a。間隔件用的感光性樹脂組合物層4a與阻焊層用的感光性樹脂不同，由間隔件用的感光性樹脂組合物構(gòu)成。在將間隔件用感光性樹脂組合物以層狀形成在受光部8上之后，通過曝光及顯影進行圖案化，形成間隔件4的形狀。作為這種間隔件用感光性樹脂組合物，無特殊限制，只要是可通過上述工序圖案化成間隔件4的形狀的感光性樹脂組合物即可。此外，間隔件用感光性樹脂組合物既可以是負片型也可以是正片型。此外，間隔件用感光性樹脂組合物在25°C既可以是液體狀也可以是膜狀。間隔件用感光性樹脂組合物在25°C為液體狀時，可用旋涂、印刷等手法形成間隔件用感光性樹脂組合物層4a。而當間隔件用感光性樹脂組合物在25°C為膜狀時，可用層積等手法形成間隔件用感光性樹脂組合物層4a。接著，如圖4所示，在間隔件用感光性樹脂組合物層4a的上側(cè)配置掩模33。接著，對沒有被掩模33掩蔽的部分的間隔件用感光性樹脂組合物層4a用紫外線34曝光。間隔件用感光性樹脂組合物為負片型時，掩蔽形成有間隙5的部分，對形成有間隔件4的部分照射曝光用的光。另一方面，間隔件用感光性樹脂組合物為負片型時，掩蔽形成有間隔件4的部分，對形成有間隙5的部分照射光曝光用的光。曝光用的光為紫外線，作為曝光用光的光源，無特殊限制，可以使用g線、i線、準分子激光等光源。接著，如圖5所示，對曝光后的間隔件用感光性樹脂組合物層4a用顯影液進行顯影。在此，間隔件用感光性樹脂組合物為負片型時，除去未曝光部分(形成有間隙5的部分)。另一方面，間隔件用感光性樹脂組合物為正片型時，除去曝光部分(形成有間隙5的部分)。由此，將圖案化為間隔件形狀的間隔件用感光性樹脂組合物4a形成在受光部8上。也就是說，從平面上觀察時(從圖5的上側(cè)觀察時)，以包圍硅基板6上的受光元件、濾色器、微型透鏡等的方式形成間隔件用感光性樹脂組合物4a。該形成為圖案的間隔件用感光性樹脂組合物4a在后面的工序中成為在受光部8和透明基板3之間形成間隙5且將受光部8和透明基板3粘接的間隔件4。在此，作為顯影液，無特殊限制，可以是溶劑、堿顯影液等。其中，優(yōu)選對環(huán)境負荷小的堿顯影液。接著，如圖6所示，通過形成在受光部8上的間隔件4將受光部8和透明基板3粘 接。對受光部8和透明基板3的粘接方法無特殊限制，例如可以是像下述那樣進行粘接的方法。首先，將搭載有受光部8的硅基板6與透明基板3的位置對準。接著，通過壓印部件的壓印面，從硅基板6側(cè)或透明基板3側(cè)進行加熱及加壓。這樣，用間隔件4將受光部8和透明基板3粘接，從而得到硅基板6及透明基板3的結(jié)合體35。接著，如圖7所示，用干法蝕刻等在結(jié)合體35的硅基板6上形成為貫通孔的導(dǎo)通孔18。此時，形成導(dǎo)通孔18，直至到達電極極板16。接著，如圖8所示，在導(dǎo)通孔18的內(nèi)面及硅基板6的整個下面12上用CVD (化學(xué)蒸鍍)等形成SiO2等的絕緣膜19。接著，圖如9所示，用干法蝕刻等除去形成在電極極板16上的絕緣膜19而露出電極極板16。接著，如圖10所示，在導(dǎo)通孔18的內(nèi)面及硅基板6的下面12的絕緣膜19上形成成為鍍銅襯底的晶種層20。作為晶種層，無特殊限制，可以是Ti、Ti/Cu、Cu、Ni、Cr/Ni等。接著，如圖11所示，在晶種層20上用無電解電鍍法、電解電鍍法等形成銅鍍層21。接著，如圖12所示，將晶種層及銅鍍層21蝕刻成硅基板6的下面12的配線電路圖案，形成銅配線電路22。接著，如圖13所示，向?qū)?8的內(nèi)部充填本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)，并用本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)包覆具有形成有銅配線電路22的部分在內(nèi)的硅基板6的下面12側(cè)整體。由此形成本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23。作為本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23的形成方法，無特殊限制，例如可以是以下方法。首先，使硅基板6的下面12側(cè)朝上，將溶解或分散在溶劑中的本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明感光性樹脂組合物(2)涂布在硅基板6的下面12上。接著，揮發(fā)除去溶劑。此外，作為其他方法，也可以是如下方法。首先，制作糊狀的本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2 )。接著，使硅基板6的下面12朝上，在硅基板6的下面12側(cè)上涂布。此外，作為其他方法，也可以是將形成在樹脂片上的膜狀的本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)(粘合膜)壓粘到硅基板6的下面12側(cè)的方法等。接著，如圖14所示，以能僅除去本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23中與焊球搭載部分26對應(yīng)的部分的方式進行掩蔽，照射曝光用的光。接著，通過用堿顯影液等進行顯影，除去與焊球搭載部分相當?shù)牟糠值谋景l(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)。這樣，使本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23圖案化，使形成在硅基板6的下面12側(cè)的銅配線電路22露出。此外，由于本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)為負片型，因而,掩蔽形成有焊球搭載部分的部分，對形成有阻焊層的部分照射曝光用的光。另一方面，由于本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)為正片型，因而，掩蔽形成有焊球的部分，對形成有焊球搭載部分的部分照射曝光用的光。曝光用光為紫外線，作為曝光用光的光源，無特殊限制，可以是用g線、i線、準分子激光等光源。在進行該曝光時，為了在硅基板6的下面12側(cè)的必要的位置上形成圖案化的本發(fā)明的感光性樹脂組合物層24，在感光性樹脂組合物層23的曝光前，有必要進行掩模位置對準(對準)。這種對準通過使事先配置在硅基板6的下面12上的對準標記與掩模的對準標記 一致而進行。此時，在硅基板6的下面12側(cè)，形成有本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23。因 此，對準時，通過本發(fā)明的感光性樹脂組合物層23觀察、識別硅基板6的下面12的對準標記。在該工序中，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2 )具有透過可見過的性質(zhì)，因而能切實地觀察、識別對準標記。接著，如圖15所示，對形成圖案的本發(fā)明的感光性樹脂組合物層24進行加熱，使其熱固化。由此形成阻焊層25。接著，在圖15中的硅基板6的下面12側(cè)的焊球搭載部分26上搭載焊球27。由此，如圖16所示，得到搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置(受光裝置1)，該CMOS圖像傳感器搭載有焊球27。在圖2 圖6中顯示了間隔件4形成在受光部8上的實施方式的例子，但并不局限于此，間隔件4也可直接形成在硅基板6的表面上。如圖17所示，搭載有焊球27的CMOS圖像傳感器搭載受光裝置(受光裝置I)也可以不是一個一個制作。例如，用I塊大的硅基板6進行加工，制造多個受光裝置I在平面方向上相連的坯料30 (其中，平面方向在圖17中是指圖17的左右方向及紙面的正面背面方向。)。接著，將多個受光裝置I在平面方向上相連而成的坯料30如圖17所示，在符號31表示的位置上對每一受光裝置I進行單片化(切割)，得到芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置(受光裝置I)。作為切割方法，無特殊限制，可以是以下這樣的方法。首先，從透明基板3側(cè)形成切口，直至間隔件4與硅基板6的界面。接著，從硅基板6的下側(cè)形成切口，進行切割。接著，進行搭載在搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的硅基板6的下面12側(cè)上的焊球27與通過焊球27連接的電路基板上的配線電路的位置對準。接著，加熱進行焊接。由此將搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置搭載在電路基板上(例如圖I中的電路基板2上)。對進行焊接的條件無特殊限制，可用回流焊接裝置進行。按上述那樣制成的受光裝置I具有以下特征。如圖16所示，在硅基板6的下面
(12)側(cè)，焊接后，有焊球27或銅配線電路22存在的部分通過焊球27或銅配線電路22遮蔽了紅外線從硅基板6的下面12側(cè)進入。此外，焊球27及銅配線電路22不存在的部分則像后述那樣通過含有紅外線吸收劑(D)的阻抗層25遮蔽了紅外線從硅基板6的下面(12)側(cè)進入。這樣，在使用本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)或本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2 )制造的受光裝置I中，不存在紅外線從硅基板6的下面(12)側(cè)進入。接著，對為形成上述受光裝置I的阻焊層25而使用的本發(fā)明的感光性樹脂組合物
(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)進行詳細說明。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)在感光性樹脂組合物固化前具有可見光透過性。由此，在對準時能觀察、識別印在硅基板的下面的對準標記。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2)在感光性樹脂組合物固化后可防止紅外線從硅基板的下面?zhèn)冗M入。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)及本發(fā)明的感光性樹脂組合物(2 )的感光性樹脂組合物的固化物具有阻焊層所必需的性能，即具有耐熱性、耐化學(xué)藥品性、絕緣性、耐濕性、低翹曲性、對準性。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)是一種通過曝光及堿顯影，曝光部分會殘留而未曝光部分會被除去的負片型感光性樹脂組合物。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)包含堿可 溶性樹脂(A)、光聚合引發(fā)劑(B)、最大吸收波長在800nm以上2500nm以下范圍內(nèi)的紫外線吸收劑(D)。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)為負片型感光性樹脂組合物，因而是一種會通過照射曝光用的光而聚合的可光聚合的感光性樹脂組合物，而且是一種在通過曝光用光的照射及堿顯影而形成圖案后，會通過加熱而熱固化，形成熱固化物的樹脂組合物。因此，作為本發(fā)明的感光性樹脂組合物(1)，可以列舉以下實施方式的例子。(I)包含具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)、光聚合引發(fā)劑(B)和紅外線吸收劑(D)的感光性樹脂組合物。(II)包含不具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-1)、具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)、光聚合引發(fā)劑(B)和紅外線吸收劑(D)的感光性樹脂組合物。(III)包含不具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-I)、光聚合引發(fā)劑(B)、紅外線吸收劑(D)和光聚合性化合物(G)的感光性樹脂組合物。(IV)包含具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)、光聚合引發(fā)劑(B)、紅外線吸收劑(D)和光聚合性化合物(G)的感光性樹脂組合物。(V)包含不具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-1)、具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)、光聚合引發(fā)劑(B)、紅外線吸收劑
(D)和光聚合性化合物(G)的感光性樹脂組合物。在本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中，堿可溶性樹脂(A)在曝光后用堿顯影液顯影時，未曝光部分溶解在堿顯影液中而被除去。這樣，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)由于包含堿可溶性樹脂(A)，可通過曝光用光的照射而選擇性地形成圖案。曝光用光為紫外線，優(yōu)選360nm以上400nm以下的紫外線。作為曝光用光的光源，無特殊限制，可以使用g線、i線、準分子激光等光源。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)的堿可溶性樹脂(A)是一種在堿顯影液中可溶性的樹脂，分子內(nèi)具有堿可溶性基團。堿可溶性基團為酚羥基(結(jié)合在芳香環(huán)上的羥基)或羧基。此外，堿可溶性樹脂(A)具有酚羥基、醇羥基、羧基、酸酐基、氨基、氰酸酯基等會通過加熱而進行熱固化反應(yīng)的熱反應(yīng)基團，這樣，顯影后的圖案化的感光性樹脂組合物層會熱固化。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中的堿可溶性樹脂(A)包括不具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-I)和具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)。光聚合性雙鍵是指通過曝光用光的照射而會與其他分子的光聚合性雙鍵發(fā)生聚合反應(yīng)的基團。例如乙烯基、(甲基)丙烯基、丙烯基等取代基中的雙鍵或分子鏈中的雙鍵。作為堿可溶性樹脂(A-1)，例如可以是甲酚型、苯酚型、雙酚A型、雙酚F型、鄰苯二酚型、間苯二酚型、連苯三酚型等酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、三苯基甲烷型酚醛樹脂、聯(lián)苯芳烷基型酚醛樹脂、α -萘酚芳烷基型酚醛樹脂、β_萘酚芳烷基型酚醛樹脂、羥基苯乙烯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、含有羥基、羧基等的環(huán)烯烴類樹脂、聚酰胺類樹脂(具體而言，具有聚苯并噁唑結(jié)構(gòu)及聚酰亞胺結(jié)構(gòu)中的至少一方且主鏈或側(cè)鏈上具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂、具有聚苯并噁唑前體結(jié)構(gòu)的樹脂、具有聚酰亞胺前體結(jié)構(gòu)的樹 月旨、具有聚酰胺酸酯結(jié)構(gòu)的樹脂等)等，這些樹脂在分子內(nèi)具有為堿可溶性基團的酚羥基或羧基。此外，堿可溶性樹脂(A-I)中既包括甲酚、雙酚Α、雙酚F、鄰苯二酚、間苯二酚、連苯三酚等重復(fù)單元數(shù)為I個的低分子量化合物，又包括甲酚型、苯酚型、雙酚A型、雙酚F型、鄰苯二酚型、間苯二酚型、連苯三酚型等酚醛清漆樹脂等重復(fù)單元數(shù)在2個以上的高分子量化合物。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)還可包含含有羧基的丙烯酸樹脂之類的堿可溶性的熱塑性樹脂。作為堿可溶性樹脂(Α-2)，例如可以是在堿可溶性樹脂(A-I)之類的具有堿可溶性基團的樹脂中導(dǎo)入具有雙鍵的基團而成的樹脂、在具有光聚合性雙鍵的樹脂中導(dǎo)入堿可溶性基團而成的樹脂等。在本發(fā)明中，(甲基)丙烯基是指丙烯基或甲基丙烯基，而(甲基)丙烯?；侵副；蚣谆；?。堿可溶性樹脂(Α-2)中，作為在堿可溶性樹脂(A-I)等那樣的具有堿可溶性基團的樹脂中導(dǎo)入具有雙鍵的基團而成的樹脂，例如可以是使(甲基)丙烯酸縮水甘油酯與酚醛樹脂的部分酚羥基反應(yīng)而得的(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂或使雙酚A等雙酚化合物的一方的羥基和(甲基)丙烯酸縮水甘油酯反應(yīng)而得的(甲基)丙烯酸改性雙酚等。此外，作為向具有光聚合性雙鍵的樹脂中導(dǎo)入堿可溶性基團而成的樹脂，例如可以是使具有(甲基)丙烯基和環(huán)氧基的化合物、例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的環(huán)氧基與雙酚化合物的兩方的羥基反應(yīng)而得到樹脂并使酸酐與該樹脂的羥基反應(yīng)而導(dǎo)入了羧基的樹脂、使具有(甲基)丙烯基和環(huán)氧基的化合物、例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的環(huán)氧基與雙酚化合物的兩方的羥基反應(yīng)而得到樹脂并使二羧酸與該樹脂的羥基反應(yīng)而導(dǎo)入了羧基的樹脂。在堿可溶性樹脂(A)中，優(yōu)選堿可溶性樹脂(Α-2)，尤其優(yōu)選(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂。通過使用堿可溶性樹脂(Α-2)，能在曝光時切實地交聯(lián)曝光部。由此，能防止顯影時曝光部溶解到顯影液中。此外，能提高曝光后的曝光部的機械強度。通過這樣能提高形狀保持性。在此，堿可溶性樹脂(Α-2)為向具有像堿可溶性樹脂(A-I)等這樣的堿可溶性基團的樹脂的堿可溶性基團中導(dǎo)入具有雙鍵的基團而成的樹脂時，對堿可溶性基團當量(分子量/堿可溶性基團的數(shù))無特殊限制，優(yōu)選在30以上2000以下，尤其優(yōu)選在50以上1000以下。若堿可溶性基團當量大于上限值，則堿顯影性會降低，顯影需要長時間。若小于下限值，則曝光部的堿顯影耐性會降低。此外，堿可溶性基團當量使用重均分子量作為分子量進行計算。此外，堿可溶性樹脂(A-2)為使具有(甲基)丙烯基和環(huán)氧基的化合物的環(huán)氧基與雙酚化合物的兩方的羥基反應(yīng)而得到樹脂并使酸酐或二羧酸與該樹脂的羥基反應(yīng)而導(dǎo)入了羧基的樹脂時，對堿可溶性基團當量(分子量/堿可溶性基團的數(shù))無特殊限制，優(yōu)選在30以上2000以下，尤其優(yōu)選在50以上1000以下。該堿可溶性基團當量大于上限值，則堿顯影性會降低，顯影需要長時間。若小于下限值，則曝光部的堿顯影耐性會降低。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)在進行曝光用光的照射及堿顯影而形成圖案后通過加熱進行熱固化，形成半導(dǎo)體裝置的阻焊層等保護膜。并且，根據(jù)本發(fā)明的感光性樹脂 組合物(I)通過加熱而熱固化時的作用，在堿可溶性樹脂(A-I)中存在以下兩種樹脂(i)通過與環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂的反應(yīng)而形成固化物的熱固性樹脂加成型樹月旨，(ii)通過自身分子鏈上結(jié)合的官能團在分子鏈內(nèi)進行環(huán)化反應(yīng)而形成固化物的自縮合型樹脂。其中，在(i )熱固性樹脂加成型樹脂的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)含有與(i)熱固性樹脂加成型樹脂發(fā)生熱固化反應(yīng)的熱固性樹脂。而在(ii)自縮合型樹脂的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)既可以含有熱固性樹脂，也可以不含熱固性樹脂。堿可溶性樹脂(A-I)中，作為(i )熱固性樹脂加成型樹脂，例如可以是苯酚酚醛清漆樹脂、聚酰胺酸等，更具體而言，可以是甲酚型、苯酚型、雙酚A型、雙酚F型、鄰苯二酚型、間苯二酚型、連苯三酚型等酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、羥基苯乙烯樹脂、甲基丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸酯樹脂等丙烯酸類樹脂、含有羥基、羧基等的環(huán)烯烴類樹脂。此外，堿可溶性樹脂(A-I)中，作為(ii)自縮合型樹脂，例如可以是聚酰胺類樹脂，更具體而言，可以是具有聚苯并噁唑結(jié)構(gòu)及聚酰亞胺結(jié)構(gòu)的至少一方且主鏈或側(cè)鏈上具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂、具有聚苯并噁唑前體結(jié)構(gòu)的樹脂、具有聚酰亞胺前體結(jié)構(gòu)的樹脂、具有聚酰胺酸酯結(jié)構(gòu)的樹脂等。根據(jù)本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)通過加熱而熱固化時的作用，在堿可溶性樹月旨(A-2)中存在以下兩種樹脂(i)通過與環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂的反應(yīng)而形成固化物的熱固性樹脂加成型樹月旨，(ii)通過自身分子鏈上結(jié)合的官能團在分子鏈內(nèi)進行環(huán)化反應(yīng)而形成固化物的自縮合型樹脂。其中，在(i )熱固性樹脂加成型樹脂的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)含有與(i)熱固性樹脂加成型樹脂發(fā)生熱固化反應(yīng)的熱固性樹脂。而在(ii)自縮合型樹脂的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)既可以含有熱固性樹脂，也可以不含熱固性樹脂。堿可溶性樹脂(A-2)中，作為(i )熱固性樹脂加成型樹脂，例如可以是(甲基)丙烯基改性酚醛樹脂、(甲基)丙烯基改性雙酚、使具有(甲基)丙烯基和環(huán)氧基的化合物與雙酚化合物的兩方的羥基反應(yīng)而得到樹脂并使酸酐與該樹脂的羥基反應(yīng)而導(dǎo)入了羧基的樹脂、使具有(甲基)丙烯基和環(huán)氧基的化合物與雙酚化合物的兩方的羥基反應(yīng)而得到樹脂并使二羧酸與該樹脂的羥基反應(yīng)而導(dǎo)入了羧基的樹脂等。此外，堿可溶性樹脂(A-2)中，作為(ii)自縮合型型樹脂，例如可以是向聚酰胺類樹脂中導(dǎo)入了(甲基)丙烯基的樹脂，具體而言，可以是向具有聚苯并噁唑結(jié)構(gòu)及聚酰亞胺結(jié)構(gòu)的至少一方且主鏈或側(cè)鏈上具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂、具有聚苯并噁唑前體結(jié)構(gòu)的樹脂、具有聚酰亞胺前體結(jié)構(gòu)的樹脂、具有聚酰胺酸酯結(jié)構(gòu)的樹脂等中導(dǎo)入了(甲基)丙稀基的樹脂等。堿可溶性樹脂(A-2)中的光反應(yīng)性雙鍵在曝光用光的照射時，大部分發(fā)生光聚合，但一部分在曝光用光的照射時不發(fā)生光聚合而殘留。這種在曝光用光的照射時不發(fā)生光聚合的光聚合性雙鍵在熱固化時發(fā)生熱聚合。
對堿可溶性樹脂(A)的重均分子量無特殊限制，優(yōu)選在300000以下，尤其優(yōu)選在5000以上150000以下。若堿可溶性樹脂(A)的重均分子量在上述范圍內(nèi)，則形成間隔件4時的成膜性尤其優(yōu)異。在此，重均分子量使用例如GPC (凝膠滲透色譜)進行評價，通過事先使用苯乙烯標準物質(zhì)作成的標準曲線求出重均分子量。此外，作為測定溶劑，使用四氫呋喃(THF )，在40 V的溫度條件下進行測定。對本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中的堿可溶性樹脂(A)的含量無特殊限制，但在本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)不含后述無機填充材料時，本發(fā)明的感光性樹脂組合物
(I)中的堿可溶性樹脂(A)的含量在10%重量％以上80重量％以下,優(yōu)選在15重量％以上70重量％以下。另一方面，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)含有后述無機填充材料時，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中的堿可溶性樹脂(A)的含量優(yōu)選相對于從本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中除去該無機填充材料后的成分的總量在15重量％以上60重量％以下，尤其優(yōu)選在20重量％以上50重量％以下。若堿可溶性樹脂(A)的含量低于上述下限值，則有時會在曝光、顯影時出現(xiàn)感光性樹脂組合物的殘渣。此外，若超過上述上限值，則有時在曝光、顯影時形成圖案的感光性樹脂組合物的膜減量大，會出現(xiàn)圖案的厚度偏差。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中，堿可溶性樹脂(A)為具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)。由此，從曝光后的間隔件的彈性率、防止顯影時在間隔件和硅基板的界面上發(fā)生咬邊(undercut)(剝離)的角度考慮，為優(yōu)選。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)可以含有光聚合性化合物(G)。由此，曝光后的曝光部的交聯(lián)密度增大。由此，由于彈性率提高，能提高形狀保持性。其中，光聚合性化合物(G)可以是單獨的一種或兩種以上的組合。本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)僅含有具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-2)作為堿可溶性樹脂(A)的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)可以含有光聚合性化合物(G)，也可以不含光聚合性化合物(G)。這種情況下，是否向本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)中添加光聚合性化合物需考慮(G)曝光后的圖案的彈性率、顯影時在圖案和硅基板界面上發(fā)生咬邊的情況等。由此進行適當選擇。此外，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)僅含有不具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂(A-I)作為堿可溶性樹脂(A)的情況下，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)含有光聚合性化合物(G)。
光聚合性化合物(G)是一種通過照射光而發(fā)生光聚合的化合物，且是一種具有光聚合性雙鍵的化合物。作為光聚合性化合物(G)，可以是具有光聚合性雙鍵的光聚合性單體、光聚合性低聚物、主鏈或側(cè)鏈上具有光聚合性雙鍵的樹脂等。作為光聚合性單體，可以是雙酚A乙二醇改性二(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸乙二醇改性二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯單硬脂酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷丙二醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙二醇三(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸乙二醇改性三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。作為光聚合性低聚物，可以是聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯等。作為主鏈或側(cè)鏈上具有光聚合性雙鍵的樹脂，可以是使(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的縮水甘油基與具有(甲基)丙烯酸結(jié)構(gòu)單元的(甲基)丙烯酸類樹脂的羧基反應(yīng)而成的樹月旨、使(甲基)丙烯酸的羧基與具有(甲基)丙烯酸縮水甘油酯結(jié)構(gòu)單元的(甲基)丙烯酸類樹脂的縮水甘油基反應(yīng)而成的樹脂。主鏈或側(cè)鏈上具有光聚合性雙鍵的樹脂的分子量優(yōu)選在 50以上5000以下。此外，作為光聚合性化合物(G)，可以是具有親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)的光聚合性化合物(G-1)。本發(fā)明的感光性樹脂組合物通過含有具有親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)的光聚合性化合物(G-1)，能減少圖案化處理后的殘渣。作為親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)，例如可以是醇羥基等親水性基團、氧乙烯結(jié)構(gòu)、氧丙烯結(jié)構(gòu)等親水性結(jié)構(gòu)。這樣，本發(fā)明的感光性樹脂組合物(I)含有具有親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)的光聚合性化合物(G-1)。通過賦予親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)，與水的親和性提高。由此，感光性樹脂組合物易溶解在堿顯影液中。因此能減少圖案化后的殘渣。作為具有親水性基團或親水性結(jié)構(gòu)的光聚合性化合物(G-1)，例如可以是具有羥基的丙烯酸類化合物(G-1-1)、具有氧乙烯結(jié)構(gòu)或氧丙烯結(jié)構(gòu)的丙烯酸類化合物(G-1-2)等。這些化合物中，優(yōu)選具有羥基的丙烯酸類化合物(G-1-1)。如上述那樣，本發(fā)明的感光性樹脂組合物通過含有丙烯酸類化合物(G-1-1)或丙烯酸類化合物(G-1-2)，圖案形成性(顯影性)提聞。作為具有羥基的丙烯酸類化合物(G-1-1)，優(yōu)選使(甲基)丙烯酸與環(huán)氧樹脂化合物的環(huán)氧基反應(yīng)、加成而成的化合物，具體而言，可以是在乙二醇二縮水甘油醚上加成甲基丙烯酸而成的化合物、在乙二醇二縮水甘油醚上加成丙烯酸而成的化合物、在丙二醇二縮水甘油醚上加成甲基丙烯酸而成的化合物、在丙二醇二縮水甘油醚上加成丙烯酸而成的化合物、在三丙二醇二縮水甘油醚上加成甲基丙烯酸而成的化合物、在三丙二醇二縮水甘油醚上加成上丙烯酸而成的化合物、在雙酚A 二縮水甘油醚上加成甲基丙烯酸而成的化合物、在雙酚A 二縮水甘油醚上加成丙烯酸而成的化合物等。作為具有羥基的丙烯酸類化合物(G-1-1)的環(huán)氧化合物，即作為加成有(甲基)丙烯酸的環(huán)氧化合物，具有芳香環(huán)的環(huán)氧化合物因形狀保持性也優(yōu)異而優(yōu)選。具有羥基的丙烯酸類化合物(G-1-1)中，選自下述式(11)的一種以上化合物除了減少殘渣的效果外，形狀保持性也優(yōu)異，因而優(yōu)選。[化I]
權(quán)利要求
1.感光性樹脂組合物，其特征在于，含有堿可溶性樹脂(A )、 光聚合引發(fā)劑(B)和 最大吸收波長在800nm以上、2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)， 波長400nm以上、700nm以下處的可見光透過率的最大值在5. 0%以上。
2.感光性樹脂組合物，其特征在于，含有堿可溶性樹脂(A)、 光生酸劑(C)和 最大吸收波長在800nm以上、2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)， 波長400nm以上、700nm以下處的可見光透過率的最大值在5. 0%以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，波長360nm以上、400nm以下處的紫外線透過率的最小值在35%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，所述感光性樹脂組合物的固化物的波長在800nm以上、2500nm以下的紅外線透過率的最小值在15%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，紅外線吸收劑(D)的熱分解溫度在200°C以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，紅外線吸收劑(D )為金屬硼化物、氧化鈦、氧化鋯、摻錫氧化銦、摻銻氧化錫、偶氮化合物、銨化合物、亞胺化合物、蒽醌化合物、菁化合物、二亞胺化合物、方酸菁化合物、酞菁化合物、萘酞菁化合物、蒽醌化合物、萘醌化合物、二巰基化合物、聚次甲基化合物中的一種以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，含有O.01重量％以上、15重量％以下的紅外線吸收劑(D)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I 7中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，紅外線吸收劑(D)的平均粒徑在10 μ m以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 8中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，還含有具有酚羥基和羧基的化合物(E)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 9中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，具有酚羥基和羧基的化合物(E)全部或部分為用下述通式(22)、(23)及(24)中的任一種所表示的化合物，
11.根據(jù)權(quán)利要求I 10中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，具有酚羥基和羧基的化合物(E)的重均分子在100以上、5000以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求I 11中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，還含有熱固性樹脂(F)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，熱固性樹脂(F)為環(huán)氧樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂的全部或一部分為苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂及三酚基甲烷型環(huán)氧樹脂中的一種以上。
15.根據(jù)權(quán)利要求I 14中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，還含有光聚合性化合物(G)。
16.根據(jù)權(quán)利要求I 15中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，堿可溶性樹月旨(A)為具有光聚合性雙鍵且具有堿可溶性基團的堿可溶性樹脂。
17.根據(jù)權(quán)利要求I 16中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，堿可溶性樹月旨(A)為(甲基)丙烯?；男苑尤渲?。
18.根據(jù)權(quán)利要求I 17中任一項所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，是一種芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置的阻焊層用的感光性樹脂組合物， 該芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置具有 搭載有由光兀件構(gòu)成的CMOS圖像傳感器的娃基板、 透明基板和 確定所述CMOS圖像傳感器與所述透明基板之間的間隙的間隔件， 所述硅基板上設(shè)置有導(dǎo)通孔， 通過所述導(dǎo)通孔內(nèi)表面上形成的配線電路，所述硅基板上表面的配線電路與所述硅基板下表面的配線電路形成連接， 所述硅基板的下表面設(shè)置有所述阻焊層， 所述硅基板下表面的配線電路和電路基板的配線電路通過焊接而連接。
19.受光裝置，其特征在于，是一種具有搭載有由光元件構(gòu)成的CMOS圖像傳感器的硅基板、 透明基板和 確定所述CMOS圖像傳感器與所述透明基板之間的間隙的間隔件， 所述硅基板上設(shè)置有導(dǎo)通孔， 通過所述導(dǎo)通孔內(nèi)表面上形成的配線電路，所述硅基板上表面的配線電路和所述硅基板下表面的配線電路形成連接， 所述硅基板的下表面設(shè)置有所述阻焊層， 所述硅基板下表面的配線電路與電路基板的配線電路通過焊接而連接的芯片尺寸的搭載有CMOS圖像傳感器的受光裝置， 所述阻焊層為權(quán)利要求I 18中任一項所述的感光性樹脂組合物的固化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的受光裝置，其特征在于，所述阻焊層通過壓粘截面積中紅外線吸收劑(D)所占的面積比在O. 1%以上、30%以下的膜狀的所述感光性樹脂組合物構(gòu)成的粘合膜而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種感光性樹脂組合物，其特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光聚合引發(fā)劑(B)和最大吸收波長在波長800nm以上2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，波長400nm以上700nm以下的可見光透過率的最大值在5.0％以上。此外，本發(fā)明還涉及一種感光性樹脂組合物，其特征在于，包含堿可溶性樹脂(A)、光生酸劑(C)和最大吸收波長在波長800nm以上2500nm以下范圍內(nèi)的紅外線吸收劑(D)，波長400nm以上700nm以下的可見光透過率的最大值在5.0％以上。
文檔編號G03F7/004GK102822745SQ20118001565
公開日2012年12月12日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者白石史廣, 米山正洋, 川田政和, 高橋豐誠, 出島裕久 申請人:住友電木株式會社