專利名稱：一種陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
AD-SDS (Advanced Super Dimension Switch),簡稱 ADS,即高級超維場開關(guān)技術(shù)， 通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提聞了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級超維場開關(guān)技術(shù)可以提聞TFT-LCD廣品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋 (Push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。對于目前廣泛采用的ADS模式的TFT-LCD，由于摩擦取向膜與水平存在夾角，所以在TFT-LCD未通電時(shí)刻，液晶分子層中的液晶分子大部分以摩擦取向方向進(jìn)行排列，因而能達(dá)到較好的暗態(tài)。但在TFT-IXD通電工作時(shí)，由于像素區(qū)域邊緣處存在著數(shù)據(jù)線、柵線、 源極和柵極等電線和電極，這些電線和電極之間會產(chǎn)生較復(fù)雜的電場，受這些電場的影響， 處于像素區(qū)域邊緣處的液晶分子將按照電場方向排列，而不按照摩擦取向的方向進(jìn)行排列。如圖I所示，其中，TFT陣列基板I包括橫縱交叉確定像素單元的柵線11和數(shù)據(jù)線12，位于像素單元中的像素電極13，以及具有狹縫的公共電極14。由于柵線11、數(shù)據(jù)線12、像素電極13和公共電極14之間會產(chǎn)生較復(fù)雜的電場，受這些電場的影響，處于圖中 A區(qū)域處的液晶分子將按照電場方向排列，而不按照摩擦取向的方向進(jìn)行排列。因此，在 TFT-IXD通電工作時(shí)，A區(qū)域處將不可避免的產(chǎn)生暗態(tài)漏光。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及液晶顯示器，能夠簡單改善面板的暗態(tài)漏光問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供一種陣列基板，包括橫縱交叉確定像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述像素單元中的像素電極，具有狹縫的公共電極以及薄膜晶體管TFT。在一像素單元內(nèi)，所述公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊 (241)和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊(242)與相鄰像素單元的柵線的第三邊(211)相平行，其中， 所述第三邊(211)為所述相鄰像素單元的柵線中最接近所述第一邊(241)的邊。在所述陣列基板上設(shè)置有取向?qū)?，所述第一?241)、第二邊(242)、第三邊(211) 與所述取向?qū)拥娜∠蚍较虼怪?。所述第一?241)與所述第三邊(211)之間的距離為5-10 μ m。所述取向?qū)拥娜∠蚍较蚺c所述數(shù)據(jù)線的夾角為7°。另一方面，提供一種液晶顯示器，包括如上所述的陣列基板。[0013]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板及液晶顯示器，在一像素單元內(nèi)，公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊與相鄰像素單元的柵線的第三邊相平行，其中，第三邊為相鄰像素單元的柵線中最接近第一邊的邊。由于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板及液晶顯示器改變了公共電極與柵線的相對位置和形狀，從而使得液晶面板在通電工作時(shí)，像素單元區(qū)域中遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的邊緣處的電場發(fā)生變化，進(jìn)而改變了這一區(qū)域液晶分子的排列情況，使得這一區(qū)域的液晶分子按照取向膜的摩擦取向方向進(jìn)行排列，從而簡單改善了面板暗態(tài)漏光的問題。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有的陣列基板的局部示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的局部示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，如圖2所示，該陣列基板2包括橫縱交叉確定像素單元的柵線21和數(shù)據(jù)線22、位于像素單元中的像素電極23，具有狹縫的公共電極24以及薄膜晶體管TFT25。在一像素單元內(nèi)，公共電極24的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT25所在區(qū)域C的外側(cè)的邊 241(第一邊)和內(nèi)側(cè)狹縫處的邊242(第二邊)與相鄰像素單元的柵線21的邊211(第三邊)相平行，其中，邊211為相鄰像素單元的柵線21中最接近邊241的邊。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，在一像素單元內(nèi)，公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊與相鄰像素單元的柵線的第三邊相平行，其中，第三邊為相鄰像素單元的柵線中最接近第一邊的邊。由于改變了公共電極與柵線的相對位置和形狀，從而使得液晶面板在通電工作時(shí)，像素單元區(qū)域中遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的邊緣處的電場發(fā)生變化，進(jìn)而改變了這一區(qū)域液晶分子的排列情況，使得這一區(qū)域的液晶分子按照取向膜的摩擦取向方向進(jìn)行排列，從而簡單改善了面板暗態(tài)漏光的問題。進(jìn)一步地，在陣列基板上設(shè)置有取向?qū)?圖中未示出)，邊241、邊242、邊211均與取向?qū)拥娜∠蚍较虼怪薄＿?41與邊211之間的距離h為5_10 μ m,即相對于現(xiàn)有的公共電極，本實(shí)施例中的公共電極24向圖2中的上方向上移，移至其邊241與柵線21的邊211之間的距離h為 5-10 μ m 處。采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于未對透光區(qū)域進(jìn)行改變，所以并未對產(chǎn)品的開口率造成影響。另一方面，由于改變了公共電極、柵線與液晶取向的相對位置，從而使得液晶面板在通電工作時(shí)，像素單元區(qū)域中遠(yuǎn)離TFT區(qū)域C的邊241、242處，即圖中B區(qū)域處的液晶分子能夠按照取向膜的摩擦取向方向進(jìn)行排列，從而簡單改善了面板暗態(tài)漏光的問題。一般地，如圖2所示，取向膜的取向方向與數(shù)據(jù)線22的夾角α為7°。需要說明的是，取向膜在圖中未表示出，其取向方向?yàn)檠貓D中直線a的方向。相應(yīng)的，本實(shí)施例中的公共電極的邊241、242和柵線的邊211與取向膜的取向方向垂直，即相當(dāng)于與數(shù)據(jù)線夾角較小角為83°。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，在一像素單元內(nèi)，公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊與相鄰像素單元的柵線的第三邊相平行，其中，第三邊為相鄰像素單元的柵線中最接近第一邊的邊，并且該第一邊、第二邊、第三邊與取向膜的取向方向垂直；第一邊與第三邊之間的距離為5-10 μ m。由于改變了公共電極與柵線的相對位置和形狀，從而使得液晶面板在通電工作時(shí)，像素單元區(qū)域中遠(yuǎn)離TFT 區(qū)域的邊緣處的電場發(fā)生變化，進(jìn)而改變了這一區(qū)域液晶分子的排列情況，使得這一區(qū)域的液晶分子按照取向膜的摩擦取向方向進(jìn)行排列，從而簡單改善了面板暗態(tài)漏光的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的液晶顯示器，包括如上所述的陣列基板，其陣列基板結(jié)構(gòu)與上一實(shí)施例相同，在此不再贅述。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括橫縱交叉確定像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述像素單元中的像素電極，具有狹縫的公共電極以及薄膜晶體管TFT，其特征在于，在一像素單元內(nèi)，所述公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊(241)和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊(242)與相鄰像素單元的柵線的第三邊(211)相平行，其中，所述第三邊(211)為所述相鄰像素單元的柵線中最接近所述第一邊(241)的邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板上設(shè)置有取向?qū)?，所述第一?241)、第二邊(242)、第三邊(211)與所述取向?qū)拥娜∠蚍较虼怪薄?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一邊(241)與所述第三邊 (211)之間的距離為5-10 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述取向?qū)拥娜∠蚍较蚺c所述數(shù)據(jù)線的夾角為7°。
5.一種液晶顯示器，其特征在于，包括如權(quán)利要求I至4所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及液晶顯示器，涉及液晶面板制造領(lǐng)域，能夠簡單改善面板通電工作時(shí)像素單元區(qū)域中遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的邊緣處產(chǎn)生暗態(tài)漏光的問題。陣列基板包括橫縱交叉確定像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線，位于像素單元中的像素電極，具有狹縫的公共電極以及薄膜晶體管TFT，在一像素單元內(nèi)，公共電極的沿柵線方向的遠(yuǎn)離TFT區(qū)域的外側(cè)第一邊(241)和內(nèi)側(cè)狹縫處的第二邊(242)與相鄰像素單元的柵線的第三邊(211)相平行，其中，第三邊(211)為相鄰像素單元的柵線中最接近第一邊(241)的邊。本實(shí)用新型用于制造液晶顯示器。
文檔編號G02F1/1368GK202351591SQ20112049347
公開日2012年7月25日 申請日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者徐曉玲, 柳在健 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司