專利名稱：薄膜晶體管面板的制作方法
技術領域：
薄膜晶體管面板
技術領域：
本實用新型涉及一種液晶顯示器件，特別是涉及一種薄膜晶體管面板，包括基板， 絕緣層，透明導電材料；
背景技術：
現有薄膜晶體管面板中，兩相鄰的條狀透明導電電極4之間具有間隙，如圖1所示，這造成了部分區(qū)域的液晶接收到的電場不足，液晶不傾斜，如圖2所示，從而在這些間隙區(qū)域的穿透率非常低，如圖3所示，影響了液晶面板的顯示效果。制造這種薄膜晶體管面板需要高解析度曝光能力的機臺，對制程有極大的困難。故，有必要提供一種薄膜晶體管面板及其制造方法，以解決現有技術所存在的問題。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管面板，以解決薄膜晶體管面板中部分區(qū)域的液晶接收的電場不足從而導致穿透率低，顯示效果受限的技術問題。為解決上述問題，本實用新型構造了一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導電材料，所述絕緣層背向所述基板的一面上設有突出物，相鄰兩個所述突出物的間距的取值范圍為1-ΙΟμπι(微米)；所述透明導電材料設置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側面和底部周圍的平面上，所述絕緣層與所述突出物為同一材料及層別。在本實用新型的薄膜晶體管面板中，若所述透明電極設置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側面和底部周圍的平面上，兩個相鄰的所述突出物上的所述透明導電材料相連。在本實用新型的薄膜晶體管面板中，所述設置在所述突出物上的所述透明導電材料是條狀的或者是片狀的。在本實用新型的薄膜晶體管面板中，所述突出物的高度的取值范圍為10-100納米。在本實用新型的薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀是規(guī)則的形狀或者不規(guī)則的形狀。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為矩形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為梯形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為三角形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為平行四邊形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為半圓形。本實用新型相對于現有技術，消除了現有技術中兩透明導電電極之間液晶不傾斜的盲區(qū)，顯示區(qū)域中的穿透率均勻，增強了顯示效果。[0016]為讓本實用新型的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下

圖1為現有技術中薄膜晶體管面板的薄膜晶體管與像素區(qū)域的俯視圖；圖2為圖1中A-A，截面的局部視圖；圖3為圖2中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖4為本實用新型的薄膜晶體管面板的第一較佳實施例的俯視圖；圖5為圖4中B-B，截面的局部視圖；圖6為圖5中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖7為本實用新型的薄膜晶體管面板的第二較佳實施例的示意圖；圖8為圖7中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖9為本實用新型的薄膜晶體管面板的第三較佳實施例的俯視圖；圖10為圖9中C-C’截面的局部視圖；圖11為圖10中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖12為本實用新型的薄膜晶體管面板的第四較佳實施例的示意圖；圖13為圖12中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖14為本實用新型的薄膜晶體管面板的第五較佳實施例的示意圖；圖15為圖14中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖16為本實用新型薄膜晶體管面板的制造方法較佳實施例的流程圖。
具體實施方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本實用新型可用以實施的特定實施例。本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、 「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。參考圖4和圖5，圖4為本實用新型的薄膜晶體管面板的第一較佳實施例的俯視圖，圖5為圖4中B-B’截面的局部視圖。透明導電材料(第一透明導電材料12和第二透明導電材料1 是條狀的。絕緣層5設置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側面9和第二側面10。在本實施例中，突出物7的截面是矩形的，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。突出物7的頂面8上設有第一透明導電材料12，突出物7的根部所在的平面11設有第二透明導電材料15。彩色濾光片2設置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導電材料12和第二透明導電材料1 之間。在本實施例中，第二透明導電材料15與突出物7的第一側面9和相鄰的突出物7的第二側面10相接觸。第一透明導電材料12的厚度和第二透明導電材料15的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導電材料12和第二透明導電材料15上任意選取兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相差不超過10%。突出物7的高度H均可在IO-IOOnm(納米)內取值。兩個相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m(微米)。本實用新型中，由于在絕緣層5上設置突出物7，并且在突出物7的頂面8和突出物7根部所在的平面11上均設置透明導電材料(第一透明導電材料12和第二透明導電材料1 ，因此消除了現有技術中的液晶不傾斜的盲區(qū)，提升了穿透率，如圖6所示，圖6中第一透明導電材料12區(qū)域對應的穿透率跟第二透明導電材料15區(qū)域對應的穿透率相差不大，同時由于兩個透明導電材料在垂直方向上具有一定的落差，即電場的發(fā)出點錯開布置，增加了電場對液晶的作用，提升了穿透率。參考圖7，圖7為本實用新型的薄膜晶體管面板的第二較佳實施例的示意圖。透明導電材料(第一透明導電材料12、第三透明導電材料13和第二透明導電材料15組成的整體)是條狀的，本實施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖4類似。絕緣層5設置在基板 6上，絕緣層5背向基板6的一面上設有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側面9和第二側面10，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。在本實施例中，突出物7的截面是直角梯形。突出物7的頂面8、第二側面10上分別設有第一透明導電材料12和第三透明導電材料 13，第三透明導電材料13延伸到突出物7根部所在的平面11，與第二透明導電材料15連接，優(yōu)選地，第一透明導電材料12與第三透明導電材料13相連。彩色濾光片2設置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導電材料12、第三透明導電材料13和第二透明導電材料15組成的整體)之間。第一透明導電材料12和第三透明導電材料13的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導電材料12、第三透明導電材料 13和第二透明導電材料15上任意選取兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相差不超過10%。突出物7的高度H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。如圖8所示，第三透明導電材料13區(qū)域對應的穿透率跟第一透明導電材料12 區(qū)域對應的穿透率相差不大，即消除了現有技術中兩相鄰的透明導電材料之間的液晶不傾斜的盲區(qū)。參考圖9和圖10，圖9為本實用新型的薄膜晶體管面板的第三較佳實施例的俯視圖，圖10為圖9中C-C’截面的局部視圖。透明導電材料(第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14組成的整體)是片狀的。絕緣層5設置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側面9和第二側面10，突出物7的截面形狀是等腰梯形，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導電材料12設置在突出物7的頂面8上，第三透明導電材料13和第四透明導電材料14分別設置在第一側面9和第二側面10上，第二透明導電材料15設置在突出物7根部所在的平面11上。彩色濾光片2設置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14組成的整體)之間。第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14上任意選取兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相互之間相差不超過10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1_10 μ m。參考圖 11，穿透率曲線很平坦，消除現有技術中出現的關于穿透率的波谷，增強了顯示效果。參考圖12，圖12為本實用新型的薄膜晶體管面板的第四較佳實施例的示意圖。透明導電材料(第一透明導電材料、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明
5導電材料14組成的整體)是片狀的，本實施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖9類似。絕緣層5設置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設置有突出物7，突出物7具有頂面 8、第一側面9和第二側面10，突出物7的截面形狀是矩形，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導電材料12設置在突出物7的頂面8上，第三透明導電材料13和第四透明導電材料14分別設置在第一側面13和第二側面14上，第二透明導電材料15設置在突出物7根部所在的平面11上。兩個相鄰的突出物7上的透明導電材料相連。彩色濾光片2設置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導電材料 12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14組成的整體)之間。第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導電材料12、第二透明導電材料15、 第三透明導電材料13和第四透明導電材料14上任意選取兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相互之間相差不超過10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。圖13，穿透率曲線很平坦，消除現有技術中出現的關于穿透率的波谷，增強了顯示效果。參考圖14，圖14為本實用新型的薄膜晶體管面板的第五較佳實施例的示意圖。透明導電材料(第一透明導電材料12、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14組成的整體)是片狀的，本實施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖9類似。絕緣層5設置在基板6 上，絕緣層5背向基板6的一面上設有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側面9和第二側面10，突出物7為非規(guī)則形狀，突出物7的第一側面9和第二側10面均是曲面，特別地，在本實施例中，突出物7的第一側面9和第二側面10均是四分之一圓弧曲面，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導電材料12設置在突出物7的頂面8上，第三透明導電材料13和第四透明導電材料14分別設置在第一側面13和第二側面14上，相鄰兩個突出物7的相對的側面上的透明導電材料相連。彩色濾光片2設置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導電材料12、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14組成的整體)之間。第一透明導電材料12、第三透明導電材料13和第四透明導電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在透明材料上任意選取兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相互之間相差不超過10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。 兩個相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。圖15，穿透率曲線很平坦，消除現有技術中出現的關于穿透率的波谷，增強了顯示效果。在本實用新型的薄膜晶體管面板中，突出物7的截面形狀除了可以是上述形狀外，還可以是三角形、平行四邊形、半圓形等規(guī)則形狀，還可以是其它不規(guī)則的形狀。參考圖16，圖16為本實用新型的薄膜晶體管面板的制造方法的較佳實施例流程圖。在步驟1601，在基板6背向光源的一面上設置絕緣層5。在步驟1602，對所述絕緣層 5背向基板6的一面進行蝕刻以形成突出物7，兩個相鄰的所述突出物7的間距的取值范圍為1-10μπι。在步驟1603，去除絕緣層5上蝕刻后產生的殘留物。在步驟1604，在絕緣層5進行了蝕刻的一面上設置透明導電材料，具體地，可以使用磁控濺射或者沉積的方式在絕緣層進行了蝕刻的一面上設置厚度固定的透明導電材料在這里，厚度固定是指任意選取透明導電材料的兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相差不超過10% ；另外，還可以使用沉積的方式在絕緣層進行了蝕刻的一面上沉積厚度不固定的透明導電材料，在這里，厚度不固定是指在兩個相鄰的突出物之間(包括突出物7的第一側面9、第二側面10和突出物7根部所在的平面11)的透明導電材料的厚度與在突出物7頂面8的透明導電材料的厚度相差超過10%，特別地，如果前者大于后者，那么在相鄰兩個突出物7之間的透明導電材料的表面上進行蝕刻，使蝕刻后的透明導電材料厚度固定，在這里，厚度固定是指任意選取透明導電材料的兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相差不超過10%，蝕刻后，去除透明導電材料上的殘留物，如果前者小于后者，那么在突出物7頂面8的透明導電材料的表面上進行蝕刻，使蝕刻后的透明導電材料厚度固定，在這里，厚度固定是指任意選取透明導電材料的兩個區(qū)域，這兩個區(qū)域的厚度相差不超過10%，蝕刻后，去除透明導電材料上的殘留物。 綜上所述，雖然本實用新型已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本實用新型，本領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
權利要求1.一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導電材料，其特征在于所述絕緣層背向所述基板的一面上設有突出物，相鄰兩個所述突出物的間距的取值范圍為1-10微米；所述透明導電材料設置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側面和底部周圍的平面上，所述絕緣層與所述突出物為同一材料及層別。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，若所述透明電極設置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側面和底部周圍的平面上，兩個相鄰的所述突出物上的所述透明導電材料相連。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，設置在所述突出物上的所述透明導電材料是條狀的或者是片狀的。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的高度的取值范圍為10-100納米。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀是規(guī)則的形狀或者不規(guī)則的形狀。
6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為矩形。
7.根據權利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為梯形。
8.根據權利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為三角形。
9.根據權利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為平行四邊形。
10.根據權利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為半圓形。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導電材料，所述絕緣層背向所述基板的一面上設有突出物，相鄰兩個所述突出物的間距的取值范圍為1-10μm；所述透明導電材料設置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側面和底部周圍的平面上。
文檔編號G02F1/1343GK202183001SQ20112020634
公開日2012年4月4日 申請日期2011年6月19日 優(yōu)先權日2011年6月19日
發(fā)明者賀成明, 邱鐘毅 申請人:深圳市華星光電技術有限公司