專利名稱：一種陣列基板及其接觸端子區(qū)電極結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示面板領域，尤其涉及一種陣列基板及其接觸端子(PAD) 區(qū)電極結構。
背景技術：
隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展，近年來電子顯示產(chǎn)品得到迅猛發(fā)展，先進的平板顯示產(chǎn)品層出不窮，尺寸由小到大，小到手機、PDA產(chǎn)品，大到電視及平面廣告媒體機。平板顯示產(chǎn)品包括等離子電視、液晶電視、筆記本、提款機、手機、PDA、PSP、信息查詢機、媒體廣告播放機等，因此用于平板顯示產(chǎn)品的平面顯示面板的需求也在不斷增加，平面顯示面板包括液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)、等離子顯示面板(PDP)、以及有機發(fā)光二極管(OLED)等等，其中薄膜場效應晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-IXD)在大批量生產(chǎn)工藝、操作方便的驅動方式、以及容易實現(xiàn)高質量等方面獲得廣泛認可?，F(xiàn)有TFT-LCD的陣列基板包括薄膜晶體管、柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號掃描線、像素電極；其中，薄膜晶體管的柵極與柵極掃描線相連，源極與數(shù)據(jù)信號掃描線相連，漏極與像素電極相連；所述延伸至液晶盒外的PAD區(qū)域的柵極掃描線即為PAD區(qū)的柵極掃描電極，延伸至液晶盒外的PAD區(qū)域的數(shù)據(jù)信號掃描線即為PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描電極；這里，位于TFT-IXD液晶盒外的PAD區(qū)的結構具體參照圖1，PAD區(qū)是連接液晶盒內(nèi)的柵極掃描線與盒外薄膜集成芯片(C0F)9的區(qū)域，PAD區(qū)包括基板6、金屬層(柵極掃描電極或數(shù)據(jù)信號掃描電極)1、鈍化層2，其中，由于柵極掃描電極與數(shù)據(jù)信號電極相互垂直，因此，圖1的截面中僅示出了 PAD區(qū)的柵極掃描電極，這里，柵極掃描電極和數(shù)據(jù)信號電極在基板6上通過鍍膜、涂膠、曝光、顯影、刻蝕等工藝形成的，然后通過各向異性導電膠 (ACF)S與COF 9連接，實現(xiàn)導通，同時為了保護電極區(qū)，在彩膜7和COF 9之間的狹縫處涂覆硅膠10。現(xiàn)有的PAD區(qū)的電極結構多為大孔設計，具體可參考圖2和圖3，如圖2所示，所述 PAD區(qū)的金屬層1上設置有鈍化層2，在金屬層1上方的鈍化層2刻蝕形成一個大的過孔3， 然后制作像素電極4，其中，圖2中沿A-A’線的截面示意圖如圖3，圖3中，金屬層1上附著有鈍化層2，通過過孔3與像素電極4連通，由于PAD區(qū)電極的過孔設計，再結合硅膠涂覆情況、COF切割精度等因素影響，會使PAD區(qū)電極部分暴露出來，尤其當在潮濕環(huán)境下工作時發(fā)生電極腐蝕等現(xiàn)象時，腐蝕從一點開始發(fā)生后，很容易擴散到周圍，使得整個電極因腐蝕而斷裂，嚴重影響現(xiàn)有用戶終端市場的產(chǎn)品質量。
實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種陣列基板及其PAD區(qū)電極結構， 能夠有效解決PAD區(qū)電極腐蝕的問題。為達到上述目的，本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的[0008]一種陣列基板接觸端子PAD區(qū)電極結構，所述電極采用叉形結構，每個電極包含有至少兩個子電極，同一電極的子電極相互連通。其中，所述電極為PAD區(qū)的柵極掃描電極、和/或PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描電極。其中，所述構成PAD區(qū)的柵極掃描電極的金屬層為柵極的金屬層、和/或源漏極的
金屬層。其中，所述構成PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描電極的金屬層為柵極的金屬層、和/或源漏極的金屬層。進一步地，所述每個電極包含有三個子電極。一種陣列基板，所述陣列基板延伸至PAD區(qū)的柵極掃描線，采用如上所述的PAD區(qū)電極結構；和/或，所述陣列基板延伸至PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描線，采用如上所述的PAD區(qū)電極結構。本實用新型通過對PAD區(qū)電極結構采用叉形設計，每個電極包含多個子電極，同一電極的子電極相互連通，如此，當腐蝕發(fā)生在一個子電極的情況下，當腐蝕向四周擴散時，會遇到鈍化層而無法繼續(xù)腐蝕其他子電極，這樣，當被腐蝕的子電極斷裂后，其他子電極仍能起到連通的作用，避免了整個電極因腐蝕而斷裂，很好地提高了現(xiàn)有用戶終端市場 (Field端)的產(chǎn)品質量。
圖1為現(xiàn)有PAD區(qū)的截面示意圖；圖2為現(xiàn)有陣列基板的PAD區(qū)的電極結構示意圖；圖3為圖2示出的電極結構沿A-A’的截面示意圖；圖4為本實用新型陣列基板的PAD區(qū)的電極結構示意圖；圖5為圖4示出的電極結構沿B-B’的截面示意圖。附圖標記說明1-金屬層；2-鈍化層；3-過孔；4-像素電極；5-子電極；6_基板； 7-彩膜；8-ACF ；9-C0F ； 10-硅膠。
具體實施方式
本實用新型的基本思想為將陣列基板PAD區(qū)電極結構設置為叉形結構，每個電極包含有至少兩個子電極，且同一 PAD區(qū)電極的多個子電極相互連通；這里，具體子電極的個數(shù)根據(jù)設計要求和生產(chǎn)設備精度決定。為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下舉實施例并參照附圖，對本實用新型進一步詳細說明。本實用新型提供的PAD區(qū)電極的結構采用叉形結構，每個電極由多個子電極組成，多個子電極之間通過鈍化層進行保護，且同一 PAD區(qū)電極的多個子電極相互連通；這里，具體子電極的個數(shù)根據(jù)設計要求和生產(chǎn)設備精度決定。圖4示出了每個電極包含有三個子電極的情況，其中，圖5為圖4所示結構中PAD 電極結構沿B-B’線的截面示意。由圖4和圖5可以看出，由金屬層1構成的PAD區(qū)的電極采用叉形結構，每個電極包含有三個子電極5，多個子電極5之間通過鈍化層2進行保護，在每個子電極5的金屬層1上方的鈍化層2刻蝕形成小的過孔3，子電極5的金屬層1通過該過孔3與像素電極4連
ο下面，具體介紹上述PAD區(qū)電極結構的實施細節(jié)。PAD區(qū)的柵極掃描電極的制作過程包括首先可通過使用磁控濺射方法，在基板6 上制備一層金屬層1 ；柵極金屬層的材料通常使用鉬、鋁、釹鋁合金、鉬鎢合金、鉻等金屬。 使用柵電極層的掩模板通過曝光工藝和刻蝕工藝，制作陣列基板的柵極掃描電極，同時在 PAD區(qū)的金屬層1形成如上所述的柵極掃描電極的結構；然后，利用化學汽相沉積(PECVD)的方法在陣列基板上連續(xù)沉積柵極絕緣層薄膜和非晶硅薄膜，使用有源層的掩模板進行曝光后對非晶硅進行刻蝕，形成像素區(qū)半導體有源層溝道；接下來，采用與PAD區(qū)的柵極掃描電極相同的制備方法，在陣列基板上沉積一層約為柵極厚度的金屬薄膜，通常使用鉬、鋁、釹鋁合金、鉬鎢合金、鉻等金屬；使用源漏極的掩模板通過曝光工藝和刻蝕工藝，形成源、漏電極和數(shù)據(jù)信號電極；接著仍利用PECVD方法，在整個陣列基板上沉積一層鈍化層2，其材料通常是氮化硅；使用鈍化層2的掩模板，通過曝光和刻蝕工藝形成像素TFT漏極過孔和上述的鈍化層過孔3，如圖5所示；最后，利用磁控濺射方法淀積透明導電薄膜形成透明電極，常用的透明電極材料為氧化銦錫等；使用像素電極的掩模板光刻后進行刻蝕，形成如上所述的PAD區(qū)的像素電極4。對于PAD區(qū)的數(shù)據(jù)掃描電極，制作工藝與上述PAD區(qū)的柵極掃描電極大體相同；區(qū)別在于本實用新型PAD區(qū)的柵極掃描電極結構是利用柵電極層的掩模板，通過曝光工藝和刻蝕工藝形成的；而PAD區(qū)的數(shù)據(jù)掃描電極結構是利用源漏極的掩模板，通過曝光工藝和刻蝕工藝形成。需要說明的是，構成PAD區(qū)的柵極掃描電極和數(shù)據(jù)掃描電極的金屬層，既可采用柵極的金屬層，也可采用源漏極層的金屬，也可以是為了降低傳輸電阻，采用雙層金屬，但是并不影響本實用新型的PAD區(qū)的電極結構。本實用新型還提供了一種利用上述PAD區(qū)的電極結構的陣列基板，所述陣列基板的延伸至液晶盒外的PAD區(qū)的柵極掃描線，采用如上所述的PAD區(qū)電極結構；和/或所述陣列基板延伸至液晶盒外的PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描線，采用如上所述的PAD 區(qū)電極結構。以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用于限定本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種陣列基板接觸端子PAD區(qū)電極結構，其特征在于，所述電極采用叉形結構，每個電極包含有至少兩個子電極，同一電極的子電極相互連通。
2.根據(jù)權利要求1所述的電極結構，其特征在于，所述電極為PAD區(qū)的柵極掃描電極、 和/或PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描電極。
3.根據(jù)權利要求2所述的電極結構，其特征在于，所述構成PAD區(qū)的柵極掃描電極的金屬層為柵極的金屬層、和/或源漏極的金屬層。
4.根據(jù)權利要求2所述的電極結構，其特征在于，所述構成PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描電極的金屬層為柵極的金屬層、和/或源漏極的金屬層。
5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的電極結構，其特征在于，所述每個電極包含有三個子電極。
6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板延伸至PAD區(qū)的柵極掃描線，采用如權利要求1至5任一項所述的PAD區(qū)電極結構；和/或，所述陣列基板延伸至PAD區(qū)的數(shù)據(jù)信號掃描線，采用如權利要求1至5任一項所述的 PAD區(qū)電極結構。
專利摘要本實用新型提供了一種陣列基板及其接觸端子區(qū)電極結構，所述電極采用叉形結構，每個電極包含有至少兩個子電極，同一電極的子電極相互連通。本實用新型通過對PAD區(qū)電極結構采用叉形設計，每個電極包含有至少兩個子電極，同一電極的子電極是相互連通的，如此，當腐蝕發(fā)生在一個子電極的情況下，當腐蝕向四周擴散時，會遇到鈍化層而無法繼續(xù)腐蝕其他子電極，這樣，當被腐蝕的子電極斷裂后，其他子電極仍能起到連通的作用，避免了整個電極因腐蝕而斷裂，很好地提高了現(xiàn)有用戶終端市場的產(chǎn)品質量。
文檔編號G02F1/13GK202171704SQ201120201999
公開日2012年3月21日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權日2011年6月15日
發(fā)明者戰(zhàn)戈 申請人:北京京東方光電科技有限公司