專利名稱：一種陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在被廣泛使用的VA型液晶(Vertical Alignment Mode)在斷電時(shí)液晶分子定向垂直于陣列基板排列并且軸向?qū)ΨQ，背光源不能通過，當(dāng)在電場(chǎng)作用時(shí)，其液晶分子會(huì)在電場(chǎng)平面內(nèi)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，但是偏轉(zhuǎn)方向保持一致，導(dǎo)致顯示畫面在不同角度觀察時(shí)呈現(xiàn)對(duì)比度降低甚至灰階翻轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。為了改善VA型液晶在大視角的顯示效果，美國(guó)專利 US6822715(B2)從像素電極設(shè)計(jì)角度提出了改善方案如圖1所示，在像素電極上制作若干“孔”狀開口 Ma，并以一定幾何形狀排列，當(dāng)上下板電極間施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子在這些 “孔”狀開口 2 之間向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)，使得大視角顯示效果提高。該種方案的缺陷在于，“孔”狀開口 2 直接切斷了電極，因此開口 2 均不起電極的作用，當(dāng)上下板施加電壓時(shí)，上述開口 2 的中心處電場(chǎng)作用幾乎為零，因此液晶分子基本垂直于陣列基板，會(huì)出現(xiàn)如圖2所示的黑點(diǎn)，降低亮度，影響顯示品質(zhì)。而且，“孔”狀開口的尺寸對(duì)液晶顯示效果影響明顯，因此“孔”狀開口的尺寸必須精確地控制在一個(gè)非常小的范圍區(qū)間內(nèi)，稍有偏差對(duì)其顯示效果的影響都非常明顯，加工的精準(zhǔn)度要求非常高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是提供一種可提高VA液晶大視角顯示效果、且像素電極顯示無黑點(diǎn)的液晶顯示裝置的陣列基板。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的一種陣列基板，其包括絕緣層及密布有多個(gè)像素電極的電極層；其中，所述陣列基板存在有多個(gè)場(chǎng)變區(qū)域，所述場(chǎng)變區(qū)域的絕緣層的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不一致，所述像素電極在場(chǎng)變區(qū)域與其他區(qū)域內(nèi)都是可導(dǎo)通的。優(yōu)選的，所述陣列基板的絕緣層為設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，所述第一絕緣層存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層也在凹陷區(qū)域向內(nèi)凹陷，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。此為一種具體實(shí)施方式
。優(yōu)選的，所述陣列基板包括有設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，其還包括覆蓋在電極層上方的第二絕緣層，所述第二絕緣層存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。此為另一種具體實(shí)施方式
。優(yōu)選的，所述陣列基板的絕緣層為設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，所述第一絕緣層存在有多個(gè)凸起區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層也在凸起區(qū)域內(nèi)向上凸起，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。此為又一種具體實(shí)施方式
。優(yōu)選的，所述陣列基板包括有設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，其還包括覆蓋在電極層上方的第二絕緣層，所述第二絕緣層存在有多個(gè)凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。此為又一種具體實(shí)施方式
。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之二是提供一種可提高VA液晶大視角顯示效果、且像素電極顯示無黑點(diǎn)的液晶顯示裝置。所述的液晶顯示裝置包括上述的陣列基板。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之三是提供一種可提高VA液晶大視角顯示效果、且像素電極顯示無黑點(diǎn)的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法，包括以下步驟A 按公知方法在第一透明基板上覆蓋第一絕緣層；B:對(duì)第一絕緣層進(jìn)行蝕刻，使第一絕緣層部分區(qū)域的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不同，形成場(chǎng)變區(qū)域；C 按公知方法依次在第一絕緣層表面制作像素電極和第一配向膜。所述的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法也可以包括以下步驟A 按公知方法依次在第一透明基板上覆蓋第一絕緣層和像素電極；B:像素電極上覆蓋第二絕緣層，對(duì)第二絕緣層進(jìn)行蝕刻，使第二絕緣層部分區(qū)域的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不同，形成場(chǎng)變區(qū)域；C 在第二絕緣層上面覆蓋第一配向膜。本發(fā)明由于采用了場(chǎng)變區(qū)域，在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域表面的像素電極與反電極之間的距離與其他區(qū)域的像素電極與反電極之間的距離不同，場(chǎng)變區(qū)域表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致，造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)，擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小， 從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。而且，相對(duì)于“孔”狀開口來說，由于場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，場(chǎng)變區(qū)域的范圍大小可以更為靈活，而且可以根據(jù)具體的顯示情況對(duì)場(chǎng)邊區(qū)域的范圍大小進(jìn)行調(diào)整，可控程度更為好。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)像素電極的示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)像素電極在正交偏振狀態(tài)下的偏振光顯微鏡下的效果圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例一至四中像素電極的示意圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例一 四中像素電極在正交偏振狀態(tài)下的偏振光顯微鏡下的效果圖。其中1、濾色基板；11、第二透明基板；12、彩色濾光板；13、反電極；14、第二配向膜；2、陣列基板；21、第一透明基板；22、第一絕緣層；23、像素電極；24、第一配向膜；25、第二絕緣層；3、液晶分子；4、場(chǎng)變區(qū)域；51 53、子像素區(qū)域；6、薄膜晶體管；61、柵極掃描線；62、數(shù)據(jù)掃描線。
具體實(shí)施方式
一種液晶顯示裝置，包括陣列基板2和濾色基板1，所述陣列基板上具有多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)一個(gè)像素電極；所述濾色基板1上有跟像素電極對(duì)應(yīng)產(chǎn)生電場(chǎng)的反電極；所述像素電極和反電極之間填充有液晶分子；所述陣列基板存在有多個(gè)場(chǎng)變區(qū)域，所述場(chǎng)變區(qū)域的絕緣層的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不一致，所述像素電極在場(chǎng)變區(qū)域與其他區(qū)域內(nèi)都是可導(dǎo)通的。由于采用了場(chǎng)變區(qū)域，在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致，造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)，擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明實(shí)施例一如圖3所示，所述陣列基板2包括第一透明基板21、覆蓋在第一透明基板21表面的第一絕緣層22、覆蓋在第一絕緣層22表面的形成有多個(gè)像素電極23的電極層、覆蓋在像素電極23表面的第一配向膜M ；所述濾色基板1包括第二透明基板11、覆蓋在第二透明基板11表面的彩色濾光板12、覆蓋在彩色濾光板12表面的反電極13、覆蓋在反電極13表面的第二配向膜14。所述第一絕緣層22上存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層和第一配向膜M也在凹陷區(qū)域向內(nèi)凹陷，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域4。場(chǎng)變區(qū)域4表面的像素電極23與反電極13之間的距離大于其他區(qū)域的像素電極23與反電極13之間的距離。當(dāng)施加電壓時(shí)，由于場(chǎng)變區(qū)域4凹陷，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)不同于周邊區(qū)域的電場(chǎng)，場(chǎng)變區(qū)域4周邊的電場(chǎng)將發(fā)生傾斜，附近的液晶分子3圍繞場(chǎng)變區(qū)域4呈放射狀排列。該液晶顯示器陣列基板2的制作方法包括以下步驟A 按公知方法在第一透明基板21上覆蓋第一絕緣層22 ；B 對(duì)第一絕緣層22進(jìn)行蝕刻，使第一絕緣層22部分區(qū)域的厚度小于其他區(qū)域的絕緣層的厚度，形成場(chǎng)變區(qū)域4 ；C 按公知方法依次在第一絕緣層22表面制作像素電極23和第一配向膜M。如圖7所示，每個(gè)像素電極23對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管6，以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6導(dǎo)通/關(guān)閉的柵極掃描線61、驅(qū)動(dòng)像素電極23的數(shù)據(jù)掃描線62。場(chǎng)變區(qū)域4分布在像素電極23中，可以為凹孔、凹槽等其它凹陷形狀，相鄰兩個(gè)場(chǎng)變區(qū)域4中心連線形成了正方形的子像素區(qū)51、53，兩個(gè)正方形的子像素區(qū)中間是矩形的子像素區(qū)52。通電時(shí)，場(chǎng)變區(qū)域4附近的液晶分子3呈放射排列，圍繞四邊形或矩形的子像素區(qū)的中心對(duì)稱(如圖8所示)，因此在各個(gè)方向觀看都能取得較好的視覺效果，由于正方形具有四重對(duì)稱結(jié)構(gòu)，可以取得更好的對(duì)稱效果，在不同視角觀看的一致性較好，因此子像素區(qū)的形狀優(yōu)選正方形及其他多邊形結(jié)構(gòu)。在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域4表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致， 造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子3會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域4向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)， 擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域4仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子3數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。而且，相對(duì)于“孔”狀開口來說，由于場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，場(chǎng)變區(qū)域的范圍大小可以更為靈活，而且可以根據(jù)具體的顯示情況對(duì)場(chǎng)邊區(qū)域的范圍大小進(jìn)行調(diào)整，可控程度更為好。實(shí)施例二 如圖4所示，所述陣列基板2包括第一透明基板21、覆蓋在第一透明基板21表面的第一絕緣層22、覆蓋在第一絕緣層22表面形成有多個(gè)像素電極23的電極層、 增設(shè)覆蓋在電極層表面的第二絕緣層25、及覆蓋在第二絕緣層25表面的第一配向膜M ；所述濾色基板1包括第二透明基板11、覆蓋在第二透明基板11表面的彩色濾光板12、覆蓋在彩色濾光板12表面的反電極13、覆蓋在反電極13表面的第二配向膜14。所述第二絕緣層 25存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，第一配向膜M也在該區(qū)域凹陷，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域 4，場(chǎng)變區(qū)域4的表面與反電極13之間的距離大于其他區(qū)域的表面與反電極13之間的距離。當(dāng)施加電壓時(shí)，因?yàn)榉措姌O和電極層之間的第二絕緣層25的厚度不同，因此在凹陷區(qū)域形成場(chǎng)變區(qū)域4，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)不同于周邊區(qū)域的電場(chǎng)，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)將發(fā)生傾斜，附近的液晶分子3圍繞場(chǎng)變區(qū)域4呈放射狀排列。該液晶顯示裝置陣列基板2的制造方法，包括以下步驟A 按公知方法依次在第一透明基板21上覆蓋第一絕緣層22和像素電極23 ；B 像素電極23上覆蓋第二絕緣層25，對(duì)第二絕緣層25進(jìn)行蝕刻，使第二絕緣層 25部分區(qū)域的厚度小于其他區(qū)域的絕緣層的厚度，形成場(chǎng)變區(qū)域4 ；C:在第二絕緣層25上面覆蓋第一配向膜M。如圖7所示，每個(gè)像素電極23對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管6，以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6導(dǎo)通/關(guān)閉的柵極掃描線61、驅(qū)動(dòng)像素電極23的數(shù)據(jù)掃描線62。場(chǎng)變區(qū)域4分布在像素電極23中，可以為凹孔、凹槽等其它凹陷形狀，相鄰兩個(gè)場(chǎng)變區(qū)域4中心連線形成了正方形的子像素區(qū)51、53，兩個(gè)正方形的子像素區(qū)中間是矩形的子像素區(qū)52。通電時(shí)，場(chǎng)變區(qū)域4附近的液晶分子3呈放射排列，圍繞四邊形或矩形的子像素區(qū)的中心對(duì)稱(如圖8所示)，因此在各個(gè)方向觀看都能取得較好的視覺效果，由于正方形具有四重對(duì)稱結(jié)構(gòu)，可以取得更好的對(duì)稱效果，在不同視角觀看的一致性較好，因此子像素區(qū)的形狀優(yōu)選正方形及其他多邊形結(jié)構(gòu)。在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域4表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致， 造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子3會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域4向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)， 擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域4仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子3數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。而且，相對(duì)于“孔”狀開口來說，由于場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，場(chǎng)變區(qū)域的范圍大小可以更為靈活，而且可以根據(jù)具體的顯示情況對(duì)場(chǎng)邊區(qū)域的范圍大小進(jìn)行調(diào)整，可控程度更為好。實(shí)施例三如圖5所示，所述陣列基板2包括第一透明基板21、覆蓋在第一透明基板21表面的第一絕緣層22、覆蓋在第一絕緣層22表面的形成有多個(gè)像素電極23的電極層、覆蓋在像素電極23表面的第一配向膜M ；所述濾色基板1包括第二透明基板11、覆蓋在第二透明基板11表面的彩色濾光板12、覆蓋在彩色濾光板12表面的反電極13、覆蓋在反電極13表面的第二配向膜14。所述第一絕緣層22存在有多個(gè)凸起區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層和第一配向膜M也在凸起區(qū)域向外凸起，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域4。場(chǎng)變區(qū)域4表面的像素電極23與反電極13之間的距離小于其他區(qū)域的像素電極23與反電極13 之間的距離。當(dāng)施加電壓時(shí)，由于場(chǎng)變區(qū)域4凸起，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)不同于周邊區(qū)域的電場(chǎng)，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)將發(fā)生傾斜，附近的液晶分子3圍繞場(chǎng)變區(qū)域4呈放射狀排列。該液晶顯示器陣列基板2的制作方法包括以下步驟A 按公知方法在第一透明基板21上覆蓋第一絕緣層22 ；B 對(duì)第一絕緣層22進(jìn)行蝕刻，使第一絕緣層22部分區(qū)域的厚度大于其他區(qū)域的絕緣層的厚度，形成場(chǎng)變區(qū)域4 ；C 按公知方法依次在第一絕緣層22表面制作像素電極23和第一配向膜M。如圖7所示，每個(gè)像素電極23對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管6，以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6導(dǎo)通 /關(guān)閉的柵極掃描線61、驅(qū)動(dòng)像素電極23的數(shù)據(jù)掃描線62。場(chǎng)變區(qū)域4分布在像素電極 23中，可以為圓形凸臺(tái)、方形凸臺(tái)等其它凸起形狀，相鄰兩個(gè)場(chǎng)變區(qū)域4中心連線形成了正方形的子像素區(qū)51、53，兩個(gè)正方形的子像素區(qū)中間是矩形的子像素區(qū)52。通電時(shí)，場(chǎng)變區(qū)域4附近的液晶分子3呈放射排列，圍繞四邊形或矩形的子像素區(qū)的中心對(duì)稱(如圖8所示)，因此在各個(gè)方向觀看都能取得較好的視覺效果，由于正方形具有四重對(duì)稱結(jié)構(gòu)，可以取得更好的對(duì)稱效果，在不同視角觀看的一致性較好，因此子像素區(qū)的形狀優(yōu)選正方形及其他多邊形結(jié)構(gòu)。在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域4表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致， 造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子3會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域4向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)， 擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域4仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子3數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。而且，相對(duì)于“孔”狀開口來說，由于場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，場(chǎng)變區(qū)域的范圍大小可以更為靈活，而且可以根據(jù)具體的顯示情況對(duì)場(chǎng)邊區(qū)域的范圍大小進(jìn)行調(diào)整，可控程度更為好。實(shí)施例四如圖6所示，所述陣列基板2包括第一透明基板21、覆蓋在第一透明基板21表面的第一絕緣層22、覆蓋在第一絕緣層22表面形成有多個(gè)像素電極23的電極層、 增設(shè)覆蓋在電極層表面的第二絕緣層25、及覆蓋在第二絕緣層25表面的第一配向膜M ；所述濾色基板1包括第二透明基板11、覆蓋在第二透明基板11表面的彩色濾光板12、覆蓋在彩色濾光板12表面的反電極13、覆蓋在反電極13表面的第二配向膜14。所述第二絕緣層 25存在有多個(gè)凸起區(qū)域，第一配向膜M也會(huì)在該區(qū)域凸起，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域4，場(chǎng)變區(qū)域4的表面與反電極13之間的距離小于其它區(qū)域表面與反電極13之間的距離。當(dāng)施加電壓時(shí)，因?yàn)榉措姌O和電極層之間的第二絕緣層25的厚度不同，因此在凸起區(qū)域形成場(chǎng)變區(qū)域4，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)不同于周邊區(qū)域的電場(chǎng)，場(chǎng)變區(qū)域4的電場(chǎng)將發(fā)生傾斜，附近的液晶分子3圍繞場(chǎng)變區(qū)域4呈放射狀排列。該液晶顯示裝置陣列基板2的制造方法，包括以下步驟A 按公知方法依次在第一透明基板21上覆蓋第一絕緣層22和像素電極23 ；B 像素電極23上覆蓋第二絕緣層25，對(duì)第二絕緣層25進(jìn)行蝕刻，使第二絕緣層 25部分區(qū)域的厚度大于其他區(qū)域的絕緣層的厚度，形成場(chǎng)變區(qū)域4 ；C:在第二絕緣層25上面覆蓋第一配向膜M。如圖7所示，每個(gè)像素電極23對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管6，以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6導(dǎo)通/關(guān)閉的柵極掃描線61、驅(qū)動(dòng)像素電極23的數(shù)據(jù)掃描線62。場(chǎng)變區(qū)域4分布在像素電極23中，可以為凹孔、凹槽等其它凹陷形狀，相鄰兩個(gè)場(chǎng)變區(qū)域4中心連線形成了正方形的子像素區(qū)51、53，兩個(gè)正方形的子像素區(qū)中間是矩形的子像素區(qū)52。通電時(shí)，場(chǎng)變區(qū)域4附近的液晶分子3呈放射排列，圍繞四邊形或矩形的子像素區(qū)的中心對(duì)稱(如圖8所示)，因此在各個(gè)方向觀看都能取得較好的視覺效果，由于正方形具有四重對(duì)稱結(jié)構(gòu)，可以取得更好的對(duì)稱效果，在不同視角觀看的一致性較好，因此子像素區(qū)的形狀優(yōu)選正方形及其他多邊形結(jié)構(gòu)。在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域4表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致， 造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子3會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域4向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)， 擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域4仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子3數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。而且，相對(duì)于“孔”狀開口來說，由于場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，場(chǎng)變區(qū)域的范圍大小可以更為靈活，而且可以根據(jù)具體的顯示情況對(duì)場(chǎng)邊區(qū)域的范圍大小進(jìn)行調(diào)整，可控程度更為好。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其包括絕緣層及密布有多個(gè)像素電極的電極層；其特征在于，所述陣列基板存在有多個(gè)場(chǎng)變區(qū)域，所述場(chǎng)變區(qū)域的絕緣層的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不一致，所述像素電極在場(chǎng)變區(qū)域與其他區(qū)域內(nèi)都是可導(dǎo)通的。
2.如權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的絕緣層為設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，所述第一絕緣層存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層也在凹陷區(qū)域向內(nèi)凹陷，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括有設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，其還包括覆蓋在電極層上方的第二絕緣層，所述第二絕緣層存在有多個(gè)凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的絕緣層為設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，所述第一絕緣層存在有多個(gè)凸起區(qū)域，相應(yīng)的，所述電極層也在凸起區(qū)域內(nèi)向上凸起，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括有設(shè)置在電極層底部的第一絕緣層，其還包括覆蓋在電極層上方的第二絕緣層，所述第二絕緣層存在有多個(gè)凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域即為所述場(chǎng)變區(qū)域。
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述的液晶顯示裝置包括如權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板。
7.一種液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法，包括以下步驟A 按公知方法在第一透明基板上覆蓋第一絕緣層；B 對(duì)第一絕緣層進(jìn)行蝕刻，使第一絕緣層部分區(qū)域的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不同，形成場(chǎng)變區(qū)域；C 按公知方法依次在第一絕緣層表面制作像素電極和第一配向膜。
8.一種液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法，包括以下步驟A 按公知方法依次在第一透明基板上覆蓋第一絕緣層和像素電極；B:像素電極上覆蓋第二絕緣層，對(duì)第二絕緣層進(jìn)行蝕刻，使第二絕緣層部分區(qū)域的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不同，形成場(chǎng)變區(qū)域；C 在第二絕緣層上面覆蓋第一配向膜。
全文摘要
本發(fā)明公開陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造方法，所述陣列基板，其包括絕緣層及密布有多個(gè)像素電極的電極層；其中，所述陣列基板存在有多個(gè)場(chǎng)變區(qū)域，所述場(chǎng)變區(qū)域的絕緣層的厚度與其他區(qū)域的絕緣層的厚度不一致，所述像素電極在場(chǎng)變區(qū)域與其他區(qū)域內(nèi)都是可導(dǎo)通的。本發(fā)明由于采用了場(chǎng)變區(qū)域，在通電的時(shí)候，場(chǎng)變區(qū)域表面的電場(chǎng)強(qiáng)度跟所在電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度不一致，造成該區(qū)域附近的電力線傾斜，液晶分子會(huì)圍繞該場(chǎng)變區(qū)域向特定的不同方向偏轉(zhuǎn)，擴(kuò)大了顯示視角；而場(chǎng)變區(qū)域仍然存在電極作用，因此在該區(qū)域內(nèi)仍然存在較強(qiáng)的電場(chǎng)作用，可以減少保持垂直狀態(tài)的液晶分子數(shù)量，降低黑點(diǎn)的大小，從而提高亮度，提高了大視角顯示效果。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102402039SQ20111041637
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者李佳育, 王醉, 陳世烽 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司