專利名稱：制作光線濾波結構的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制作光線濾波結構的方法，其是尤指一種可客制化與節(jié)省光罩使用的光線濾波結構的制作方法。
背景技術：
光線偵測器已被廣泛地運用于各種領域，例如工業(yè)、行動電話、電子裝置以及零售自動化等。光線偵測器可偵測多種不同的環(huán)境亮度，且依據不同亮度對應輸出不同的電子訊號，以讓后端電路依據電子訊號而得知當前的環(huán)境亮度。目前光線偵測器最常用于目前市面上常見的行動電話、液晶屏幕/面板和筆記型計算機的液晶背光控制。光線偵測器是偵測當前環(huán)境中的光度，以供后端電路依據偵測到的亮度而適度調節(jié)屏幕的亮度，如此可提高人眼觀看屏幕的舒適度，而不會因為屏幕的亮度太暗或太亮，造成眼睛疲勞。此外，也可以在亮度充足的環(huán)境下，降低屏幕的亮度以降低電源消耗，而達到省電的目的，這對于攜帶式電子裝置而言即可提高電池使用時間，而延長使用時間。
光線偵測器主要是用于偵測特定波長的光線，例如人眼可見的可見光，所以光線偵測器中是包含有光線濾波器，以過濾環(huán)境中的光線而僅讓特定波長的光線通過，如此光線偵測器即可偵測特定波長的光線?，F(xiàn)今的光線濾波結構大都皆為法布里-伯羅空腔 (Fabry Perot Cavuty)結構，其包含有兩反射層與一干涉層，干涉層位于兩反射層之間，干涉層是主要決定何種波長的光線可通過濾波結構，而隔絕其它波長的光線。
現(xiàn)今為了讓光線偵測器可以同時偵測多種波長的光線，所以發(fā)展出可以讓兩種以上波長的光線通過的濾波結構，例如美國專利第7，521，666號。請參閱圖1，其為上述習用專利的結構圖。如圖所示，其包含一基層410’、一第一反射層411’、一第一干涉層412’、一第二反射層413，、一第二干涉層421，、一第三反射層422，、一第三干涉層431，與一第四反射層432，。第一反射層411，設置于基層410，上，第一干涉層412，設置于第一反射層411， 上，第二反射層413’設置于第一干涉層412’上。如此即為一個法布里-伯羅空腔結構，允許一特定波長的光線通過法布里-伯羅空腔結構。
復參閱圖1，第二干涉層421，設置于第二反射層413，上，第三反射層422，設置于第二干涉層421’上，如此，即形成第二個法布里-伯羅空腔結構。由圖示可知，第二反射層413’的長度是長于第一反射層411’的長度，以供第一個法布里-伯羅空腔結構與第二個法布里-伯羅空腔結構共享。同理，第三反射層422’、第三干涉層431’與第四反射層 432’形成第三個法布里-伯羅空腔結構。第三反射層422’是供第二個法布里-伯羅空腔結構與第三個法布里-伯羅空腔結構共享。上述習用光線濾波結構因為兩個法布里-伯羅空腔結構要共享一反射層，所以其為堆棧結構。如圖所示，第二個法布里-伯羅空腔結構是堆棧于第一個法布里-伯羅空腔結構，而第三個法布里-伯羅空腔結構是堆棧于第二個法布里-伯羅空腔結構。此外，每一個法布里-伯羅空腔結構更包含有一頂層而覆蓋反射層， 以保護反射層。由于圖1所示的光線濾波結構具有三個法布里-伯羅空腔結構，所以有三種不同波長的光線可以通過光線濾波器。
雖然干涉層是主要決定何種波長的光線可以通過光線濾波結構，但是干涉層下方的底層亦會影響光線濾波結構的濾波特性。此外，若干涉層上的反射層更覆蓋有頂層時， 其亦會影響光線濾波結構的濾波特性。換言之，設計光線濾波器時，是必須考慮底層、干涉層與頂層的厚度，以決定何種波長的光線可以通過光線濾波器。習用光線濾波器因為是堆棧式，所以除了第一個法布里-伯羅空腔結構以外，其余法布里-伯羅空腔結構的基層的厚度是會包含前面法布里-伯羅空腔結構的干涉層的厚度，也就是說位于前面的法布里-伯羅空腔結構是會影響后面法布里-伯羅空腔結構的濾波特性。因此，設計者在設計堆棧型式的濾波結構時，必須考慮每一法布里-伯羅空腔結構的干涉層對后續(xù)法布里-伯羅空腔結構的底層的影響。如此，由于每一法布里-伯羅空腔結構的干涉層對后續(xù)法布里-伯羅空腔結構的底層的影響，而使設計者無法有效地客制化三種不同波長的光線通過光線濾波器，并且每一法布里-伯羅空腔結構的干涉層對后續(xù)法布里-伯羅空腔結構的底層都有關聯(lián)，而必須使用多道光罩，進而增加制作的成本。
因此，如何針對上述問題而提出一種新穎制作光線濾波結構的方法，不僅可有效客制化光線濾波結構，并可減少使用光罩，進而達到節(jié)省制作成本，使可解決上述的問題。發(fā)明內容
本發(fā)明的目的之一，在于提供一種制作光線濾波結構的方法，其通過個別獨立形成一第一濾波結構與一第二濾波結構于一第一光二極管與一第二光二極管的上方，以達到客制化光線濾波結構的目的。
本發(fā)明的目的之一，在于提供一種制作光線濾波結構的方法，其通過個別獨立形成復數濾波結構于復數光二極管的上方，以減少光罩的使用，進而節(jié)省其成本。
本發(fā)明的目的之一，在于提供一種制作光線濾波結構的方法，其通過一晶圓形成復數光偵測器，以減少其制作成本。
本發(fā)明的技術方案是一種制作光線濾波結構的方法，其步驟包含
提供一基層，該基層包含一第一光二極管與一第二光二極管；
依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于該基層的上方，該第一濾波結構對應該第一光二極管的上方；以及
依據該光線的該波長，形成一第二濾波結構于該基層的上方，該第二濾波結構對應于該第二光二極管的上方；
其中，該第一濾波結構與該第二濾波結構是個別獨立形成于該第一光二極管與該第二光二極管的上方。
本發(fā)明中，其更包含一步驟
提供一晶圓，該晶圓包含該些基層。
本發(fā)明中，其中于依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于該基層的上方的步驟中，更包含
形成一遮蔽層于該基層的上方，并預定的該第一濾波結構的區(qū)域不遮蔽。
本發(fā)明中，其中于形成一遮蔽層于該基層的步驟中，更包含
提供一遮蔽件于該基層的上方；以及
涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第一濾波結構的區(qū)域。
本發(fā)明中，其中于涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方的步驟中，是可噴墨或印刷該不透光液體于該遮蔽件的上方。
本發(fā)明中，其中于形成一遮蔽層于該基層的步驟中，更包含
提供一光阻于該基層的上方；以及
光處理該光阻，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第一濾波結構的區(qū)域。
本發(fā)明中，其中于形成一遮蔽層于該基層的上方的步驟之后，更包含
去除該遮蔽層。
本發(fā)明中，其中于依據該光線的該波長，形成一第二濾波結構于該基層的上方的步驟中，更包含
形成一遮蔽層于該基層的上方，并預定的該第二濾波結構的區(qū)域不遮蔽。
本發(fā)明中，其中于遮蔽該基層的步驟中，更包含
提供一遮蔽件于該基層的上方；以及
涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第二濾波結構的區(qū)域。
本發(fā)明中，其中涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方的步驟中，是可噴墨或印刷該不透光液體于該遮蔽件的上方。
本發(fā)明中，其中于遮蔽該基層的步驟中，更包含
提供一光阻于該基層的上方；以及
光處理該光阻，形成一遮蔽層，以遮蔽非該第二濾波結構的區(qū)域。
本發(fā)明中，其中于形成一遮蔽層于該基層的上方的步驟之后，更包含
去除該遮蔽層。
本發(fā)明具有的有益效果本發(fā)明所述制作光線濾波結構的方法，通過個別獨立形成一第一濾波結構與一第二濾波結構于一第一光二極管與一第二光二極管的上方，以達到客制化光線濾波結構的目的，并且可減少光罩的使用，進而節(jié)省其成本。
此外，本發(fā)明的制作光線濾波結構的方法是更包含提供一晶圓，該晶圓包含該些基層。如此，本發(fā)明可通過晶圓形成復數光偵測器，以減少其制作成本。


圖1為現(xiàn)有技術的光線濾波結構的結構圖2為本發(fā)明的一較佳實施例的流程圖3A為本發(fā)明的一較佳實施例的動作示意圖;3B為本發(fā)明的另一較佳實施例的動作示意圖3C為本發(fā)明的另一較佳實施例的動作示意圖3D為本發(fā)明的另一較佳實施例的動作示意圖3E為本發(fā)明的另一較佳實施例的剖面圖；以及
圖4為本發(fā)明的另一較佳實施例的剖面圖。
圖號對照說明
現(xiàn)有技術
410:’基層411，第一反射層
412:'第--干涉層413，第二反射層
421:’第二二干涉層422，第三反射層
431:’第三三干涉層432，第四反射層
本發(fā)明
10基層12第一光二極管
14第二光二極管16第三光二極管
20第—"■濾波結構200第一反射層
202第—-干涉層204第二反射層
206第—4呆護層22第二濾波結構
220第三反射層222第二干涉層
224第四反射層226第二保護層
24第三濾波結構240第五反射層
242第三干涉層244第六反射層
246第三保護層30第一遮蔽層
32第—々慮波結構的區(qū)域40第二遮蔽層
42第二濾波結構的區(qū)域50第三遮蔽層
52第三濾波結構的區(qū)域6基板
60第四濾波結構600第四干涉層
602第五干涉層604第四保護層
62第五濾波結構620第六干涉層
622第七干涉層624第五保護層
64第六濾波結構640第八干涉層
642第九干涉層644第六保護層具體實施方式
為使對本發(fā)明的結構特征及所達成的功效有更進一步的了解與認識，用以較佳的實施例及附圖配合詳細的說明，說明如下
請參閱圖2，為本發(fā)明的一較佳實施例的流程圖。如圖所示，本發(fā)明的制作光線濾波結構的方法是先執(zhí)行步驟SlO提供一晶圓，晶圓包含復數基層10，即如圖3A所示，于此實施例中，是以晶圓的該些基層10的部分基層10為例，接著執(zhí)行步驟S12提供該些基層的其中之一，基層10包含有一第一光二極管12與一第二光二極管14 (如圖3E所示)。之后，執(zhí)行步驟S16依據一光線的一波長，而形成一第一濾波結構20(如圖3E所示)于基層10的上方，并且該第一濾波結構20是對應于第一光二極管12的上方，即第一濾波結構20可以依據需求而過濾光線中不同的波長，使其特定的波長才能通過。接下來執(zhí)行步驟S22依據光線的波長，而形成一第二濾波結構22(如圖3E所示)于基層10的上方，并第二濾波結構 22是對應第二光二極管14的上方，使第二濾波結構22可以依據需求而過濾光線中不同的波長，使其特定的波長才能通過，其中，第一濾波結構20與第二濾波結構22是個別獨立形成于第一光二極管12與第二光二極管14的上方，如此，本發(fā)明可通過個別獨立形成第一濾波結構20與第二濾波結構22于第一光二極管12與第二光二極管14的上方，而依據使用者所需求不同過濾的波長，個別調整第一濾波結構20或第二濾波結構22，以達到客制化光線濾波結構的目的。
此外，本實施例的制作光線濾波結構的方法是更包含一步驟，即執(zhí)行步驟S^依據光線的波長而形成一第三濾波結構M于基層10的上方，并第三濾波結構M是對應于一第三光二極管16的上方，以依據需求而過濾光線中不同的波長，使其特定的波長才能通過。
請復參閱圖2，于步驟S16依據光線的波長，形成第一濾波結構20于基層10的上方的之前，是更包含一步驟S14形成一第一遮蔽層30 (如圖;3B所示)于基層10的上方，并預定的第一濾波結構20的區(qū)域32不遮蔽。于此步驟中，本實施例形成第一遮蔽層30的方法之一是先提供一遮蔽件(圖中未示)于基層10的上方，之后，涂布一不透光液體于遮蔽件的上方，而形成第一遮蔽層30，以遮蔽非該第一濾波結構20的區(qū)域32，其中，涂布不透光液體于遮蔽件的上方的步驟中，是可以噴墨或印刷的方式將不透光液體于遮蔽件的上方。
此外，本發(fā)明于形成第一遮蔽層30于基層10的上方的方法中，還包括另一個實施例，其提供一光阻(即遮蔽層30)于基層10的上方，之后，光處理光阻而形成遮蔽層30，以遮蔽非該第一濾波結構20的區(qū)域32 (如圖;3B所示)，即曝光及顯影該光阻而形成第一遮蔽層30，以遮蔽基層10的上方，并不遮蔽第一濾波結構20的區(qū)域32。在執(zhí)行步驟S16形成第一濾波結構20于基層10的上方后，是更執(zhí)行步驟S18去除該第一遮蔽層30。
承上所述，在形成第一濾波結構20于基層10的上方的步驟S16后，需要執(zhí)行步驟 S22形成第二濾波結構22(如圖3C所示)于基層10的上方，而在執(zhí)行此步驟之前，亦需要執(zhí)行步驟S20形成一第二遮蔽層40于基層10的上方，并預定的第二濾波結構22的區(qū)域 42不遮蔽，以供后續(xù)步驟S22形成第二濾波結構22，于此實施例中，由于在形成第二遮蔽層 40，以遮蔽非預定的第二濾波結構22的區(qū)域42時，亦會遮蔽已形成的第一濾波結構20的區(qū)域32，如此，本發(fā)明即可個別獨立形成復數濾波結構于復數光二極管的上方，以達到客制化光線濾波結構的目的。其中，形成第二遮蔽層40的方法與上述形成第一遮蔽層30的方法相同，故于此不再多加以贊述。接著，于執(zhí)行完步驟S22之后，是執(zhí)行步驟SM去除第二遮蔽層40。
同理，于步驟S^形成第三濾波結構24 (如圖3E所示)于基層10的上方前，是執(zhí)行步驟S^形成一第三遮蔽層50 (如圖3D所示)于基層10的上方，并預定的第三濾波結構M的區(qū)域52不遮蔽。接著執(zhí)行步驟S^形成第三濾波結構M于基層10的上方后，執(zhí)行步驟S30去除第三遮蔽層50。如此，即完成一光偵測器的制作。
由上述可知，本發(fā)明于此實施例中，只需要使用三道光罩即可完成光偵測器的制作。而現(xiàn)有技術的光偵測器(如圖1所示)則需要四至五道光罩才可以完成制作。如此， 本發(fā)明可通過個別獨立形成復數濾波結構于復數光二極管的上方，以減少光罩的使用，進而節(jié)省其成本。
請一并參閱圖3E，為本發(fā)明的另一較佳實施例的剖面圖。如圖所示，于本實施例中，第一濾波結構20包含一第一反射層200、一第一干涉層202、一第二反射層204與一第一保護層206。第一反射層200形成于基層10的上方，第一干涉層202形成于第一反射層 200的上方，第二反射層204形成于第一干涉層202的上方，第一保護層206形成于第二反射層204的上方。如此，第一濾波結構通過第一反射層200與第二反射層204之間的距離即可過濾特定光線的波長，此為該技術領域中具有通常知識者所皆知的技術，故此不再多加以贊述。同理，第二濾波結構22包含一第三反射層220、一第二干涉層222、一第四反射層 224與一第二保護層226。第三反射層220形成于基層10的上方，第二干涉層222形成于第三反射層220的上方，第四反射層2M形成于第二干涉層222的上方，第二保護層2 形成于第四反射層224的上方。第三濾波結構M包含一第五反射層M0、一第三干涉層M2、 一第六反射層244與一第三保護層M6。第五反射層240形成于基層10的上方，第三干涉層242形成于第五反射層240的上方，第六反射層244形成于第三干涉層242的上方，第三保護層246形成于第六反射層244的上方，如此，第二濾波結構22與第三濾波結構M可個別依據特定光線的波長過濾光線。
請參閱圖4，為本發(fā)明的另一較佳實施例的剖面圖。如圖所示，本實施例與圖3E的實施例不同之處，在于本實施例的一第四濾波結構60、一第五濾波結構62與一第六濾波結構64可僅包含復數干涉層，并依據濾波結構所要過濾光的波長，而調整干涉層的材料與厚度。于本實施例中，第四濾波結構60包含一第四干涉層600、一第五干涉層602與一第四保護層604。第四干涉層形成于一基板6的上方，第五干涉層602形成于第四干涉層604的上方，第四保護層604形成于第五干涉層602的上方。第五濾波結構62包含一第六干涉層 620、一第七干涉層622與一第五保護層624。第六干涉層620形成于基板6的上方，第七干涉層622形成于第六干涉層620的上方，第五保護層6M形成于第七干涉層622的上方。 第六濾波結構64包含一第八干涉層640、一第九干涉層642與一第六保護層644。第八干涉層640形成于基板6的上方，第九干涉層642形成于第八干涉層640的上方，第六保護層 644形成于第九干涉層644的上方。其中，第四濾波結構60、第五濾波結構62與第六濾波結構64中的干涉層是依據光波長(顏色)而調整干涉層的材質與厚度。
綜上所述，本發(fā)明的制作光線濾波結構的方法是先提供一基層，基層包含一第一光二極管與一第二光二極管，之后，依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于基層的上方，第一濾波結構對應第一光二極管的上方，接著依據光線的波長，形成一第二濾波結構于基層的上方，第二濾波結構對應于第二光二極管的上方，其中第一濾波結構與第二濾波結構是個別獨立形成于第一光二極管與第二光二極管的上方。如此，本發(fā)明是通過個別獨立形成第一濾波結構與第二濾波結構于第一光二極管與第二光二極管的上方，以達到客制化光線濾波結構的目的，并且可減少光罩的使用，進而節(jié)省其成本。
綜上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，凡依本發(fā)明權利要求范圍所述的形狀、構造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應包括于本發(fā)明的權利要求范圍內。
權利要求
1.一種制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其步驟包含 提供一基層，該基層包含一第一光二極管與一第二光二極管；依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于該基層的上方，該第一濾波結構對應該第一光二極管的上方；以及依據該光線的該波長，形成一第二濾波結構于該基層的上方，該第二濾波結構對應于該第二光二極管的上方；其中，該第一濾波結構與該第二濾波結構是個別獨立形成于該第一光二極管與該第二光二極管的上方。
2.如權利要求1所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其更包含一步驟 提供一晶圓，該晶圓包含該些基層。
3.如權利要求1所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于該基層的上方的步驟中，更包含形成一遮蔽層于該基層的上方，并預定的該第一濾波結構的區(qū)域不遮蔽。
4.如權利要求3所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于形成一遮蔽層于該基層的步驟中，更包含提供一遮蔽件于該基層的上方；以及涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第一濾波結構的區(qū)域。
5.如權利要求4所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方的步驟中，是可噴墨或印刷該不透光液體于該遮蔽件的上方。
6.如權利要求3所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于形成一遮蔽層于該基層的步驟中，更包含提供一光阻于該基層的上方；以及光處理該光阻，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第一濾波結構的區(qū)域。
7.如權利要求3所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于形成一遮蔽層于該基層的上方的步驟之后，更包含去除該遮蔽層。
8.如權利要求1所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于依據該光線的該波長，形成一第二濾波結構于該基層的上方的步驟中，更包含形成一遮蔽層于該基層的上方，并預定的該第二濾波結構的區(qū)域不遮蔽。
9.如權利要求8所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于遮蔽該基層的步驟中，更包含提供一遮蔽件于該基層的上方；以及涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方，形成該遮蔽層，以遮蔽非該第二濾波結構的區(qū)域。
10.如權利要求9所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中涂布一不透光液體于該遮蔽件的上方的步驟中，是可噴墨或印刷該不透光液體于該遮蔽件的上方。
11.如權利要求8所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于遮蔽該基層的步驟中，更包含提供一光阻于該基層的上方；以及光處理該光阻，形成一遮蔽層，以遮蔽非該第二濾波結構的區(qū)域。
12.如權利要求8所述的制作光線濾波結構的方法，其特征在于，其中于形成一遮蔽層于該基層的上方的步驟之后，更包含 去除該遮蔽層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制作光線濾波結構的方法，其步驟是提供一基層，基層包含一第一光二極管與一第二光二極管，之后，依據一光線的一波長，形成一第一濾波結構于基層的上方，第一濾波結構對應第一光二極管的上方，接著依據光線的波長，形成一第二濾波結構于基層的上方，第二濾波結構對應于第二光二極管的上方，其中第一濾波結構與第二濾波結構是個別獨立形成于第一光二極管與第二光二極管的上方。如此，本發(fā)明是通過個別獨立形成第一濾波結構與第二濾波結構于第一光二極管與第二光二極管的上方，以達到客制化光線濾波結構的目的，并且可減少光罩的使用，進而節(jié)省其成本。
文檔編號G02B5/28GK102544037SQ20111041206
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者李竹盛 申請人:矽創(chuàng)電子股份有限公司