專利名稱：光纖、光學(xué)放大器、光纖激光器和光纖初級預(yù)制件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖領(lǐng)域，尤其涉及摻雜有稀土(例如，稀土離子)的輻射不敏感光纖。本發(fā)明還涉及制造這種光纖的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，光纖(S卩，通常由一個或多個包覆層圍繞的玻璃纖維)包括中央纖芯和光包層，其中，中央纖芯的功能是傳輸光信號以及可能地放大光信號，以及光包層的功能是將光信號限制在中央纖芯內(nèi)。為了提供引導(dǎo)光信號的該功能，中央纖芯的折射率n。通常高于包層的折射率ng(即，ne>ng)。
通常通過向中央纖芯和/或包層引入摻雜物來獲得中央纖芯和包層之間的折射率差。
通常中央纖芯和光包層是通過諸如改進的化學(xué)氣相沉積(MCVD)、外部氣相沉積 (OVD)、軸向氣相沉積(VAD)等的氣相沉積所獲得的。利用MCVD工藝，外包層被制成包括沉積管以及可能地額外的包層或套筒。一般而言，通過浸透例如可在MCVD工藝的中間步驟獲得的二氧化硅(SiO2)的多孔層而摻入諸如鋁或稀土族元素(以下稱為“稀土”、“稀土摻雜物”、“稀土離子”或“稀土摻雜元素”)等的揮發(fā)性低的元素。使用包含稀土的溶液來使稀土浸透到沉積物內(nèi)。例如，可以從溶解鹽獲得這種溶液。
進行光信號放大的系統(tǒng)通常使用摻雜有稀土的光纖。例如，在鉺摻雜光纖放大器(EDFA)中使用摻雜有鉺的光纖，以放大在一些遠程光通信系統(tǒng)內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?。這些 EDFA在功耗和光功率轉(zhuǎn)換效率方面具有高的性能。摻雜有稀土的光纖通常具有由二氧化硅基質(zhì)(matrix)構(gòu)成的中央纖芯，其中，該二氧化硅基質(zhì)包含重量濃度約為百萬分之 250 (250ppm) IOOOppm(即，0. 025重量百分比 0. I重量百分比(wt% ))的諸如鉺等的稀土。
放大光纖的增益是入射信號的波長的函數(shù)。例如，可以在C波段(1530納米 (nm) 1565nm)內(nèi)使用摻雜有鉺的光纖。傳統(tǒng)上，摻雜有鉺的光纖在波段C內(nèi)的增益寬度約為30納米(nm) 35nm，并且數(shù)值孔徑為0.23。然而，當(dāng)使用其它類型的稀土元素(即， 稀土離子)時，可能使用不同的波長范圍。
波分復(fù)用(WDM)應(yīng)用需要高的增益寬度。為此，可以將稀土與用于提高放大率的補充摻雜物相關(guān)聯(lián)。這些補充摻雜物通過防止稀土之間發(fā)生相互作用來提高放大率。為此， 這些補充摻雜物必須包圍稀土。在使用包含稀土的溶液對光纖進行摻雜時，為了使中央纖芯內(nèi)的各稀土均被補充摻雜物包圍，補充摻雜物的濃度非常高。鋁(Al)是補充摻雜物的一個例子。鋁作為元素鋁而存在，即鋁以氧化鋁的形式存在于光纖纖芯的玻璃網(wǎng)絡(luò)內(nèi)。
在諸如核電站等的暴露至輻射的環(huán)境內(nèi)的應(yīng)用中，光學(xué)系統(tǒng)相對于電子系統(tǒng)存在以下幾個優(yōu)勢。光纖的抗電磁干擾性較好且化學(xué)穩(wěn)定性較好。光纖使得可以獲得幾乎不需要維護的更加安全可靠的通信系統(tǒng)。光纖還使得可以獲得高的數(shù)據(jù)速率。光纖還非常緊湊， 從而特別適用于飛機和航天器所搭載的系統(tǒng)。
然而，暴露至輻射的環(huán)境趨于使光纖的背景損耗增大，由此使所傳輸信號的衰減增大。背景損耗的增大可能是由于在使用基于二氧化硅的光纖的情況下二氧化硅的結(jié)構(gòu)缺陷所引起的，其中，這些缺陷是因輻射而產(chǎn)生的。這些缺陷包括例如懸鍵和陷阱電荷， 它們吸收以特定波長在光纖內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?。背景損耗的增大還可能是由于與獲得光信號引導(dǎo)的性質(zhì)所需的摻雜物有關(guān)的特定缺陷所引起的。如前面所述，中央纖芯和/或光包層內(nèi)通常存在摻雜物以獲得相對于外包層的特定折射率差。該折射率分布確定了光纖的光學(xué)性質(zhì)。然而，添加這些摻雜物提高了光纖對輻射的靈敏度。以下參考圖1來解釋摻雜物對于光纖的輻射靈敏度的重要性。圖1提供了各種光纖例子中的所傳輸信號的衰減值?？v軸表示以分貝/公里/格雷(dB/km/Gy)為單位的由輻射引起的衰減(RIA)，因而被標(biāo)準(zhǔn)化成輻射劑量。橫軸表示以納米(nm)為單位的所傳輸信號的波長。RIA的值越大，輻射對光纖的光學(xué)性質(zhì)的負面影響越大。曲線1是針對以100格雷(Gy)照射具有純二氧化硅纖芯(即，纖芯內(nèi)無摻雜物) 的光纖所獲取到的。曲線2是根據(jù)以360Gy照射中央纖芯內(nèi)摻雜有鋁(鋁濃度約為7wt%) 的光纖所獲取到的。曲線3是根據(jù)以500Gy照射中央纖芯內(nèi)摻雜有磷(磷濃度約為IOwt % ) 的光纖所獲取到的。曲線4是根據(jù)以IOOGy照射中央纖芯內(nèi)摻雜有鍺(鍺濃度約為5wt%) 的光纖所獲取到的?？梢钥闯?，在波長約1200nm處之前，一直存在衰減的增大。這將降低光學(xué)性能。輻射引起的衰減依賴于所傳輸信號的波長以及存在于光纖的中央纖芯內(nèi)的輻射敏感摻雜物。不同的摻雜物展示不同的輻射靈敏度。因而，EDFA中的光信號的衰減依賴于為獲得預(yù)定引導(dǎo)性質(zhì)所使用的摻雜物(例如，鍺、鋁、磷或氟)。信號衰減的增大還依賴于由于制造工藝而引入的因素。例如，使用氯來防止這些原料混有氫氧根離子(0H—)。衰減的增大還依賴于為獲得所需的放大性質(zhì)所使用的補充摻雜物。這些補充摻雜物的例子包括鋁、 磷、銻、鑭和鉍。為了降低光纖的輻射靈敏度，Regnier等人題為“Recent developments in optical fibers and how defense, security and sensing can benefit", Proceedings of the SPIE,Vol. 7306, 2009, pp. 73061-730618-10 的論文提出了，通過改為采用使用二氧化硅納米顆粒摻雜的稀土，省去了放大性質(zhì)所需的補充摻雜物。納米顆粒由二氧化硅基質(zhì)和稀土構(gòu)成。此外，納米顆?；|(zhì)可以包含氧化鋁。納米顆粒的這種化學(xué)組成確保了稀土不形成聚集體。由于基質(zhì)不包含補充摻雜物，因此輻射靈敏度降低。然而，補充摻雜物改善了放大品質(zhì)。省去補充摻雜物排除了諸如WDM等的高光譜帶寬應(yīng)用。此外，二氧化硅對稀土的溶解度有限，這限制了放大增益。因而，對于利用鉺進行摻雜，使用二氧化硅納米顆粒局限于鉺的重量濃度小于300ppm的光纖?，F(xiàn)有技術(shù)還提出了縮短光纖的長度以減少光纖暴露至輻射的體積。這種縮短特別是通過提高光纖的每單位長度的放大增益來獲得的。Ma 等人題為"Experimental investigation of radiation effect on erbium—ytterbium co-doped fiber amplifier for space optical communication in low-dose radiation environment”，Optics Express, Vol. 17，No.18，2009，pages 15571to 15577的論文提出了通過使用鉺和鐿的組合進行摻雜來提高放大效率。然而，該摻雜使光纖的輻射靈敏度增大。輻射靈敏度的增大部分是由從鐿向鉺傳遞能量所需的且存在于中央纖芯基質(zhì)的組合物中的磷所引起的。此外，由于該論文中的解決方案通常包括適合于高功率應(yīng)用的雙包層結(jié)構(gòu)，因此與傳統(tǒng)的利用鉺進行摻雜的方案相比，其成本較高。Gusarov 等人題為"Radiation sensitivity of EDFAs based on highly doped fibers", Journal of Lightwave Technology, Vol.27, No. 11,2009, pp.1540 to 1545 的論文提出了通過增加存在于光纖內(nèi)的稀土的量來提高放大效率。然而，如果光纖的中央纖芯內(nèi)的稀土的濃度高，則觀察到在中央纖芯基質(zhì)內(nèi)形成稀土的對或者甚至聚集體，這導(dǎo)致非均勻摻雜。由于同時存在諸如稀土之間的淬火等的非輻射機制，因此這種非均勻摻雜使光纖的放大效率下降。稀土之間的這些協(xié)作作用包括例如同質(zhì)上轉(zhuǎn)換(HUC)和對誘發(fā)淬火 (PIQ)。這些機制對產(chǎn)生放大的受激輻射進行干涉。例如，在具有鋁濃度約為7wt%的二氧化硅中央纖芯的光纖中，淬火現(xiàn)象對于700ppm的鉺重量濃度而言很重要。這些不想要的能量傳遞隨著泵浦光束所激發(fā)的發(fā)射而完成，由此限制了光纖的放大效率。稀土的這些聚集體還可能使諸如光致暗化等的光子退化更突出。由于存在于光纖的中央纖芯的基質(zhì)內(nèi)的高度吸收缺陷，因此在該中央纖芯內(nèi)傳播高功率光信號時可能發(fā)生光子退化。為了規(guī)避這些聚集體，上述論文提出增加補充摻雜物的量。因而，減少光纖暴露至輻射的體積可能因增加了輻射敏感元素的量而失效。鉺摻雜放大器光纖可以采用在保持高放大增益的同時便于縮短光纖的長度的多孔包層。例如，根據(jù) Knight 等人題為 “All silica single-mode optical fiber with photonic crystal cladding",Optics Letters, Vol. 21,1996,pp. 1547 to 1549 StJife^lB 知有多孔包層。包括多孔包層的光纖被稱為光子晶體光纖、多孔光纖、微結(jié)構(gòu)光纖或光子晶體纖維(PCF)。例如，現(xiàn)有技術(shù)已知存在由多層膜構(gòu)成并且被稱為Bragg光纖的多孔光纖。 此外，一些多孔光纖使用禁能帶來限制所傳輸信號。光子晶體光纖通過經(jīng)由光纖的光包層內(nèi)的氣孔陣列進行內(nèi)部反射來提供引導(dǎo)。該光纖的中央纖芯可以由純二氧化硅(不包含摻雜物的二氧化硅)構(gòu)成。包層由具有氣孔的純二氧化硅構(gòu)成，因此不再需要使用摻雜物來獲得引導(dǎo)性質(zhì)。例如，Cucinotta 等人題為"Design of erbium-doped triangular photonic-cristal fiber based amplifiers", IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 16, No. 9,2004, pp. 2027 to 2029 的論文以及 K. Furusawa 等人題為 “High gain efficiency amplifier based on an erbium doped alumino-silicate holey fiber", Optics Express, Vol. 12，No. 15，2004，pp. 3452 to 3458 的論文提出了摻雜有鉺且具有多孔包層的光纖。該多孔包層使得可以改善這些放大器光纖的放大性質(zhì)。放大性質(zhì)的改善主要是由于理論上改善了摻雜有稀土的區(qū)段分別與泵浦光束和信號光束這兩者之間的重疊而產(chǎn)生的。然而，這兩篇論文未涉及光纖的輻射靈敏度。Hilaire 等人題為"Numerical study of single mode Er-doped microstructured fibers :influence of geometrical parameters on amplifier performance", Optics Express, Vol. 14,2006，pp. 10865to 10877 的論文中描述了包括多孔包層的光纖。在該論文中，光纖的長度相對于標(biāo)準(zhǔn)的鉺摻雜光纖縮短了 40%以上，同時保持了相同的增益曲線。使光纖的分布最優(yōu)化以獲得波長幾乎未改變的90%的重疊。然而， 該論文未涉及光纖的輻射靈敏度。S. Girard 等人題為"Gamma-radiation induced attenuation in PCF Electronic Letters, Vol. 38，No. 20,2002, pp. 1169 to 1171 的論文指出光子晶體光纖的輻射靈敏度在很大程度上依賴于制造纖芯所使用的二氧化硅的純度。例如，根據(jù)S. Girard 等人題為"Radiation-induced defects in fluorine-doped silica-based optical fibers :Influence of pre-loading with H2",Journal of Non-Crystalline Solids,355, 2009，pp. 1089 to 1091的論文還已知，二氧化硅內(nèi)的氯引起了輻射下的高吸收，特別是在短波長處。然而，這些論文未能描述摻雜有稀土的放大器光纖。特別地，這些論文未涉及放大器光纖的光譜帶寬的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，對于摻雜有稀土的光纖，希望具有低輻射靈敏度以及未劣化的放大性質(zhì)。為此，本發(fā)明提供一種光纖，其從中心到外周依次包括中央纖芯，用于傳輸和放大光信號并包括包含納米顆粒的纖芯基質(zhì)，其中，所述納米顆粒由包含稀土族離子形式的摻雜物的納米顆?；|(zhì)構(gòu)成；光包層，其包住所述中央纖芯并用于限制所述中央纖芯所傳輸?shù)墓庑盘?，其中，所述光包層具有沿著所述光纖的長度延伸的多個孔，所述多個孔以一定間距分隔開；以及外包層。換言之，本發(fā)明涉及一種光纖，其從中心到外周依次包括中央纖芯，用于傳輸和放大光信號并包括包含納米顆粒的纖芯基質(zhì)，其中，所述納米顆粒由包含稀土族摻雜物的納米顆?；|(zhì)構(gòu)成；包住所述中央纖芯的光包層，用于限制所述中央纖芯所傳輸?shù)墓庑盘枺?并具有沿著所述光纖的長度延伸的多個孔，其中，所述多個孔以一定間距彼此分隔開；以及外包層。在實施例中，各孔的間距恒定，以便于進行光纖制造工藝。在本發(fā)明中，補充摻雜物是指存在于納米顆粒基質(zhì)內(nèi)且包圍稀土元素的摻雜元素。這些補充摻雜物可以是例如鋁、磷、銻、鑭或鉍或者它們中的一個或多個組合。在一個實施例中，所述光包層的氯重量濃度小于500ppm，并且所述光包層不包含重量濃度大于十億分之一的其它化學(xué)元素(雜質(zhì))。在一個實施例中，所述光包層的氯重量濃度小于lOOppm，并且所述光包層不包含重量濃度大于十億分之一的其它化學(xué)元素。在一個實施例中，所述光包層由純二氧化硅制成。在一個實施例中，所述孔和所述中央纖芯僅具有繞光纖的中心的π階旋轉(zhuǎn)對稱性(symmetries of rotation of order π )。這表示通過使該圖案繞中心旋轉(zhuǎn)角度π，將恢復(fù)相同的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，纖芯在兩個主正交方向上具有不同的大小，由此定義了快軸和慢軸并產(chǎn)生偏振保持光纖(作為例子，基于如下設(shè)計的三角格，在該設(shè)計中，隔著纖芯相對且屬于纖芯附近的第一行中的六個孔的兩個孔的大小相等，但這兩個孔的大小與所有其它的孔的大小不等)。在一個實施例中，孔以2微米(μ m) 10 μ m的間距分隔開。
在一個實施例中，所述孔具有基本上為圓形的截面，并且各孔的直徑相對于間距的比在0.3 0.9的范圍內(nèi)。在一個實施例中，所述纖芯基質(zhì)由二氧化硅、優(yōu)選為純二氧化硅制成。在一個實施例中，所述中央纖芯內(nèi)的稀土族摻雜物的重量濃度在200ppm IOOOppm的范圍內(nèi)并且納米顆?；|(zhì)濃度在0. 5wt% 5wt%的范圍內(nèi)。在一個實施例中，對于所述納米顆粒，納米顆?；|(zhì)相對于稀土族摻雜劑的原子比在10 500的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50 350的范圍內(nèi)。在一個實施例中，所述納米顆?；|(zhì)的材料是從氧化鋁(即三氧化二鋁或Al2O3) 和/或二氧化硅中選擇出的。在一個實施例中，所述稀土族摻雜物是從鉺、鐿、銩以及它們中的一個或多個組合中選擇出的。本發(fā)明還提供一種光學(xué)放大器，其包括根據(jù)本發(fā)明的光纖的至少一部分并且使用在150毫瓦(mW) 1. 5瓦(W)的范圍內(nèi)的泵浦功率。在一個實施例中，所述光學(xué)放大器在C波段(S卩，1530nm 1560nm)內(nèi)的帶寬在 25nm 3&im的范圍內(nèi)。本發(fā)明還提供包括根據(jù)本發(fā)明的光纖的至少一部分的光纖激光器。本發(fā)明還提供一種光纖初級預(yù)制件的制造方法，包括以下步驟形成步驟，用于形成包括摻雜有稀土族元素的納米顆粒的預(yù)制件組成部分(還稱為芯)，其中，所述預(yù)制件芯用于形成光纖的中央纖芯；制造多個毛細管；以及將所述毛細管配置成中心包括所述預(yù)制件芯的毛細管束。換言之，本發(fā)明涉及一種光纖初級預(yù)制件的制造方法，包括以下步驟形成步驟， 用于形成包括摻雜有稀土族元素的納米顆粒的預(yù)制件組成部分，其中，所述預(yù)制件組成部分用于形成光纖的中央纖芯；制造多個毛細管；以及將所述毛細管配置成中心包括所述預(yù)制件組成部分的毛細管束。在一個實施例中，采用基于純二氧化硅的材料來制造用于形成光纖的中央纖芯的所述預(yù)制件芯。在一個實施例中，所述毛細管的氯重量濃度小于500ppm，并且所述毛細管不包含重量濃度大于十億分之一的其它化學(xué)元素(即，雜質(zhì))。在一個實施例中，所述毛細管的氯重量濃度小于lOOppm，并且所述毛細管不包含重量濃度大于十億分之一的其它化學(xué)元素。在一個實施例中，所述毛細管由純二氧化硅制成。在一個實施例中，所述形成步驟包括以下步驟沉積步驟，用于在管的內(nèi)表面上產(chǎn)生多孔沉積物，其中，所述多孔沉積物具有管狀；利用摻雜有稀土族元素的納米顆粒的懸浮液浸透所述多孔沉積物；使浸透后的所述多孔沉積物玻璃化；(由于該多孔沉積物已被浸透，因此認為是浸透沉積物)使包括所述管和所述多孔沉積物的組合收攏；以及
提取收攏后的浸透沉積物，其中，所述沉積物構(gòu)成了用于形成光纖的中央纖芯的所述預(yù)制件組成部分。在一個實施例中，經(jīng)由改進的化學(xué)氣相沉積技術(shù)來進行所述沉積步驟。在一個實施例中，所述形成步驟包括如下步驟形成包括摻雜有稀土族元素的納米顆粒的棒；使所述棒玻璃化；以及使所述棒收攏，其中，所述棒構(gòu)成了用于形成光纖的中央纖芯(11)的預(yù)制件芯。在一個實施例中，經(jīng)由溶膠-凝膠工藝來制造所述棒。在一個實施例中，用于制造多個毛細管的步驟包括以下步驟在管的內(nèi)表面上產(chǎn)生沉積物，其中，所述沉積物具有管狀；提取該管狀的沉積物；以及從該管狀的沉積物拉制所述毛細管。在一個實施例中，用于制造多個毛細管的步驟包括以下步驟在管的內(nèi)表面上產(chǎn)生沉積物，其中，所述沉積物具有管狀；以及從內(nèi)表面上具有所述沉積物的所述管拉制所述毛細管。在一個實施例中，經(jīng)由等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)來執(zhí)行產(chǎn)生沉積物的步驟。在一個實施例中，預(yù)制件的芯內(nèi)的納米顆粒的濃度在IO16/立方厘米(cm3) IO18/ cm3的范圍內(nèi)。在一個實施例中，所述納米顆?；旧蠟榍蛐尾⑶移渲睆皆?nm 25nm的范圍內(nèi)。在根據(jù)本發(fā)明的光纖中，通過使用包括稀土的納米顆粒來執(zhí)行稀土的摻雜。使用納米顆粒進行摻雜使得可以限制或者甚至消除對輻射敏感的補充摻雜物的使用。根據(jù)本發(fā)明的光纖還包括具有孔的光包層，還被稱為多孔包層。光包層內(nèi)的孔使得可以在不使用對輻射敏感的摻雜物的情況下提供光纖的引導(dǎo)性質(zhì)。此外，這些孔使得可以通過提高轉(zhuǎn)換效率來縮短光纖長度。這縮短了光纖暴露至輻射的長度。因而，根據(jù)本發(fā)明的光纖對輻射非常不敏感。光纖的這些特性使得可以獲得最優(yōu)的輻射性質(zhì)和放大性質(zhì)。


通過閱讀以下對以非限制性的示例的方式并且參考附圖所給出的本發(fā)明的具體實施例的說明，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點變得清楚，其中圖1 (已說明)示出作為存在于光纖內(nèi)的摻雜物和該光纖所傳輸?shù)男盘柕牟ㄩL的函數(shù)的、該光纖內(nèi)的輻射引起的衰減；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的光纖的一個示例；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的光纖的另一示例；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的光纖的又一示例；圖5說明本發(fā)明的方法的步驟；圖6說明本發(fā)明的一個特定實施例的方法的步驟；圖7說明本發(fā)明的一個特定實施例的方法的步驟；以及
圖8示出本發(fā)明的一個特定實施例的光纖的截面圖。
具體實施例方式在根據(jù)本發(fā)明的光纖的實施例中，通過使用包含稀土摻雜物的納米顆粒來使光纖摻雜有稀土。利用納米顆粒進行摻雜通常使得可以限制使用或者甚至不使用對輻射敏感的補充摻雜物。這些光纖的實施例還包括也被稱為多孔包層的具有孔(hole)的光包層。光包層內(nèi)的孔使得可以在不使用輻射敏感摻雜物的情況下提供光纖的引導(dǎo)性質(zhì)。此外，這些孔使得可以通過提高轉(zhuǎn)換效率來縮短光纖長度。這樣縮短了光纖暴露至輻射的長度。由此， 根據(jù)本發(fā)明的光纖對輻射極不敏感。光纖的這些特性使得可以獲得期望的輻射性質(zhì)和放大性質(zhì)。參考作為根據(jù)本發(fā)明的光纖的示例的截面圖的圖2、3、4和8來說明根據(jù)本發(fā)明的光纖。這些附圖示出各光纖在與各光纖的軸垂直的平面的截面圖。采用用于傳輸光信號的諸如二氧化硅等的材料來制造光包層。光包層包括沿著光纖的長度延伸的孔10。換言之，孔10在與光纖的軸平行的方向上延伸。這些孔10形成規(guī)則的孔陣列，在該孔陣列中，相鄰的兩個孔的軸以間距ΛΛ分隔開。在與光纖的軸垂直的橫向平面上，孔10的截面被組織成三角形周期陣列的形式。 除了光纖的纖芯11所占據(jù)的中心區(qū)域以外(即中心區(qū)域內(nèi)的孔被移除)，通過使中心形成等邊三角形的三個孔的圖案重復(fù)來獲得該周期陣列。此外，在實際實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)時，這些孔10排列成孔的同心環(huán)。術(shù)語“環(huán)”應(yīng)當(dāng)作最廣義的理解，特別是包括如圖2、3、4和8所示的大致六邊形。圖2、3、4和8所示的例子不限制本發(fā)明。特別地，這些孔10可以排列成不同的周期陣列。同心環(huán)可以具有除六邊形以外的幾何形狀?？?0填充有諸如空氣或二氧化碳(CO2)等的氣體。孔10內(nèi)的介質(zhì)不同于孔10之間的材料。因而，孔10內(nèi)的介質(zhì)和孔10周圍的材料具有不同的折射率。孔10的數(shù)量和體積使得可以調(diào)節(jié)光包層的折射率。因而，孔10的數(shù)量和體積使得可以調(diào)節(jié)光纖的數(shù)值孔徑以及光纖的中央纖芯11的折射率與光包層的折射率之間的差。因而，光包層內(nèi)的孔10使得可以在不使用摻雜物的情況下獲得中央纖芯11的折射率和光包層的折射率之間的差。將光信號限制中央纖芯11內(nèi)而不存在摻雜物。這減少了對輻射敏感的摻雜物的量。例如，在圖8所示的特定實施例中，孔10具有直徑為φ Λ的圓形截面。間距Λ Λ 在2μπι IOym的范圍內(nèi)。比Φ孔/Λ孔在0. 3 0. 9的范圍內(nèi)。光包層具有由孔組成的 2 6個同心六邊形環(huán)。由于光纖制造工藝的不確定性，因此孔10可能改變。例如，針對間距Λ Λ和直徑 φ孔的值，孔10的公差為20% (例如，10%以下或者5%以下)。因此，這里，間距和直徑的標(biāo)稱值包括20%的公差。以相同的間距(相同的外部毛細管直徑)為目標(biāo)從而得到三角格和容易裝配是可行的，但也可以通過改變毛細管之間的直徑(例如，行之間)來以不同的孔直徑為目標(biāo)。但從容易制備的方面而言，最優(yōu)選的方案是以相同的間距和相同的孔直徑作為目標(biāo)。
在其它實施例中，孔10的截面為具有不同的直徑Φ &的圓形。在圖2所示的特定實施例中，中心位于穿過光纖中心的直線上的孔的直徑小于光包層內(nèi)的其它孔的直徑。在圖3所示的另一特定實施例中，第一個環(huán)內(nèi)的直接相對的孔的直徑小于其它孔的直徑。與標(biāo)準(zhǔn)的基于摻雜的階梯折射率包層技術(shù)相比，光包層內(nèi)的孔10使得可以改善摻雜有稀土的區(qū)域12與泵浦光束之間的重疊和/或摻雜有稀土的區(qū)域12與信號光束之間的重疊，其中，在標(biāo)準(zhǔn)的階梯折射率技術(shù)中，纖芯的折射率比(無任何孔的)包層的折射率高。改善摻雜有稀土的區(qū)域12與泵浦光束和/或信號光束之間的重疊使得可以使光纖的長度最優(yōu)化。對于相同濃度的稀土以及對于波長分別為980nm和1550nm的泵浦光束和信號光束，與利用摻雜物來獲得中央纖芯11和光包層之間的折射率差的現(xiàn)有技術(shù)光纖相比， 根據(jù)本發(fā)明的光纖的長度的縮減量在20% 50%的范圍內(nèi)。換言之，與典型的現(xiàn)有技術(shù)光纖相比，該光纖的每單位長度的放大增益較大。因而，與現(xiàn)有技術(shù)光纖的暴露長度相比，本發(fā)明的光纖暴露至輻射的長度較短(例如，短了 20 50% )。此外，孔10的數(shù)量和體積確定了光纖的其它光學(xué)性質(zhì)。間距Λ &具有在光纖的有效區(qū)域和光纖的彎曲損耗之間實現(xiàn)折衷的值。在孔10具有直徑φ Λ的圓形截面的該例子中，間距Λ Λ和比Φ λ/Λ &進一步使光纖的單模行為針對該光纖(例如，在放大時)所使用的波長穩(wěn)定化。因而，間距Λ Λ和比Φ λ/Λ &確保了光纖的截止波長λ。小于泵浦波長 (對于鉺為980nm或1480nm)。已將光包層描述為包括具有圓形截面的孔10，但本發(fā)明不限于此。特別地，孔10 可以具有除圓形以外的截面形狀(例如，與標(biāo)準(zhǔn)圓形相比在一個方向上延長的圓形(或珍珠形狀)或者橢圓形)。中央纖芯11是位于光纖中心且由光包層包住的光纖部分。在與光纖的軸垂直的平面上，中央纖芯11是位于從光纖中心起的、與第一個孔10環(huán)相切的圓內(nèi)的區(qū)域。在一個實施例中，中央纖芯11占據(jù)上述位于光纖中心的點的周期陣列中的單個
點ο在孔10具有直徑Φ Λ的圓形截面(圖8所示)的本實施例的一個例子中，中央纖芯11具有直徑2Γι = 2Χ Λ孔-Φ孔的圓形截面。將該等式代入圖8所示的空間關(guān)系得出以下等式:八孔=①摻雜；這表示毛細管的直徑等于摻雜預(yù)制件組成部分的直徑，從而使制造簡化并確保了多孔包層內(nèi)的間距恒定。因而，在一些實施例中，在不會干擾間距均勻性的情況下制造出具有最大可能直徑的摻雜預(yù)制件芯。在第一個環(huán)的孔10具有不同的直徑的圖2和3所示的本實施例中的其它例子中， 纖芯11具有橢圓形的截面。中央纖芯11的另一實施例包括陣列中位于光纖的中心的點以及該陣列的一個或多個其它點。圖4示出本實施例的一個例子。中央纖芯11具有基本上為四邊形的截面。中央纖芯11包括纖芯基質(zhì)和納米顆粒。纖芯基質(zhì)包圍摻雜有稀土的納米顆粒。纖芯基質(zhì)用于在中央纖芯11內(nèi)引導(dǎo)光信號。纖芯基質(zhì)不包含摻雜物。特別地，纖芯基質(zhì)不包含用于獲得中央纖芯11和光包層之間的折射率差的摻雜物。因而，纖芯基質(zhì)不包含造成信號出現(xiàn)輻射引起的衰減的摻雜物。纖芯基質(zhì)11的氯重量濃度小于lOOOppm。(例如在諸如純二氧化硅等的材料中) 通常使用氯以防止混入氫氧根離子(Off)。然而，氯在可見光的波長范圍內(nèi)產(chǎn)生高的由輻射引起的吸收。使光纖內(nèi)的氯的量最小化提高了光纖的耐輻射性。纖芯基質(zhì)11不包含通過標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)分析可檢測到的其它化學(xué)元素。等離子體炬或電感耦合等離子體(ICP)技術(shù)是化學(xué)分析技術(shù)的例子。例如，纖芯基質(zhì)11不包含重量濃度大于十億分之一(PPb)的其它化學(xué)元素特別是金屬雜質(zhì)或陽離子。換言之，在纖芯基質(zhì)中， 除氯以外的化學(xué)元素的重量濃度小于十億分之一。因而，所有的無氯污染物或雜質(zhì)的總和不超過十億分之一。由此，中央纖芯11的基質(zhì)包含有限量的可以使光纖所傳輸?shù)男盘査p的化學(xué)元素。在纖芯基質(zhì)中，使信號的由輻射引起的衰減最小。纖芯基質(zhì)不包含在可用的波長范圍內(nèi)引起大于0.05分貝/米/千格雷(dB/m/kGy)的輻射損耗的化學(xué)元素。在這方面，可用的波長范圍是指包括光纖所傳輸?shù)男盘柕牟ㄩL的波長范圍。對于鉺，例如，可用的波長范圍是 900nm 1600nm。纖芯基質(zhì)是例如主要包含二氧化硅的玻璃體基質(zhì)。纖芯基質(zhì)11是例如純二氧化硅(例如，不包含摻雜物的二氧化硅)。中央纖芯11還包含納米顆粒。這些納米顆粒由纖芯基質(zhì)包圍。通過納米顆粒來使中央纖芯11摻雜有稀土。納米顆粒包含在中央纖芯11的中心區(qū)域12內(nèi)，其中，中心區(qū)域12具有直徑為Φ 慘雜的大致圓形的截面。摻雜區(qū)域12的直徑①慘雜通常在？口！??！ ^^?。。〉姆秶鷥?nèi)。直徑Φ
具有最大值使得可以保持應(yīng)用于比φ λ/α Λ的約束，特別是在光纖制造期間。納米顆粒由基質(zhì)和所嵌入的稀土形成。納米顆?；|(zhì)包圍稀土。納米顆?；|(zhì)的組成和結(jié)構(gòu)有利于稀土的溶解。該納米顆粒基質(zhì)不依賴于光纖的纖芯基質(zhì)11的組成。例如，納米顆?；|(zhì)通常為二氧化硅或氧化鋁或者它們的組合。稀土使得可以放大中央纖芯11所傳輸?shù)男盘?。在光纖中，稀土采用稀土族的同一化學(xué)元素的離子形式。稀土例如是鉺(Er)、鐿( )、銩(Tm)或它們的組合，或者是使得可以通過光泵浦進行放大的任何其它稀土。例如，稀土是用于在C波段內(nèi)進行放大的鉺。經(jīng)由納米顆粒進行摻雜使得可以避免稀土聚集。因此，無需使中央纖芯11充滿補充摻雜物以防止稀土聚集。因而，在減少中央纖芯11內(nèi)的輻射敏感元素的量的同時，保持了放大性質(zhì)。例如，中央纖芯11的摻雜區(qū)域12內(nèi)的稀土的重量濃度在200ppm IOOOppm(包括端點)的范圍內(nèi)，并且中央纖芯11的摻雜區(qū)域12內(nèi)的納米顆?；|(zhì)濃度為0.5wt% 5wt%，優(yōu)選在1. 5wt% 的范圍內(nèi)。例如，納米顆粒中的納米顆粒基質(zhì)相對于稀土的原子比為10 500，優(yōu)選在50 350的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在50 200的范圍內(nèi)。光纖還具有典型的外包層。例如，由于成本原因，外包層通常是天然二氧化硅。在其它例子中，外部的光包層采用摻雜二氧化硅。對于相同的放大性能，根據(jù)輻射條件和光纖工作條件，與一般的現(xiàn)有技術(shù)光纖相比，根據(jù)本發(fā)明的光纖的耐輻射性高出2 100倍、通常為10 1000倍。因而，在可用波長范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的光纖的由輻射引起的衰減在0. 005dB/m/kGy 0. 05dB/m/kGy的范圍內(nèi)。此外，由于使用小量的補充摻雜物或者甚至不存在補充摻雜物，根據(jù)本發(fā)明的光纖的在照射之前的背景損耗(background losses before irradiation)低。因而，在 IOOOnm 1200nm的波長范圍內(nèi)，照射前的背景損耗通常小于5分貝/千米(dB/km)，或者甚至小于2dB/km。根據(jù)本發(fā)明的光纖在保持對輻射極度不敏感的情況下，根據(jù)包含在光纖內(nèi)的補充摻雜物的量，可用于諸如單通道應(yīng)用等的低帶寬應(yīng)用和諸如波分復(fù)用應(yīng)用等的寬帶寬應(yīng)用。在一個實施例中，納米顆?；|(zhì)不包含補充摻雜物。例如，納米顆?；|(zhì)是二氧化硅。納米顆粒內(nèi)的稀土的重量濃度在150ppm 250ppm的范圍內(nèi)。光纖的由輻射引起的衰減在 0. 005dB/m/kGy 0. 05dB/m/kGy 的范圍內(nèi)。在一個實施例中，納米顆?；|(zhì)包含補充摻雜物，其中，這些補充摻雜物用于改善高濃度的稀土的分解，改善光纖的增益性質(zhì)并且維持稀土之間的物理屏障。這些補充摻雜物使得可以在無需犧牲耐輻射性的情況下獲得寬的帶寬。在本實施例的一個例子中，納米顆?；|(zhì)是諸如氧化鋁等的氧化物，其中，該氧化物便于實現(xiàn)稀土在納米顆粒內(nèi)的良好分布，并且使得可以擴寬譜窗以提供針對波分復(fù)用應(yīng)用的放大增益。在該例子中，纖芯11內(nèi)的稀土的重量濃度在200ppm 400ppm的范圍內(nèi)，并且補充摻雜物的濃度在2. 5wt% 3. 5wt%的范圍內(nèi)。這便于實現(xiàn)相對寬的帶寬和低的由鉺引起的衰減，其中，由鉺引起的衰減與存在于光纖內(nèi)的鉺的量成比例。因此，在利用鉺進行摻雜的情況下，光纖在波長1530nm處與鉺有關(guān)的每單位長度的衰減在3分貝/米(dB. πΓ1) 6dB.Hr1的范圍內(nèi)，并且光纖的帶寬在25nm 32nm的范圍內(nèi)。包括孔10的光包層傳輸基本光模式的一部分并且可對中央纖芯11所傳輸?shù)男盘柈a(chǎn)生干涉。光包層對所傳輸信號的影響隨著光纖的半徑快速減小。實際上，主要由包括圍繞中央纖芯11的第一個孔10環(huán)的部分來傳輸光信號。在圖8所示的實施例中，有可能對所傳輸信號產(chǎn)生干涉的區(qū)域是半徑為0. 5Λ Λ 1. 5 Λ Λ的環(huán)形區(qū)域。在一個實施例中，光包層的氯重量濃度小于500ppm，優(yōu)選小于lOOppm。此外，光包層不包含通過標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)分析手段可檢測到的其它化學(xué)元素。等離子體炬或電感耦合等離子體(ICP)技術(shù)是化學(xué)分析技術(shù)的例子。例如，光包層不包含重量濃度高于十億分之一的其它化學(xué)元素。換言之，光包層內(nèi)的除氯以外的化學(xué)元素的重量濃度小于十億分之一。因而， 光包層包含有限量的可以使中央纖芯11所傳輸?shù)男盘査p的輻射敏感化學(xué)元素或雜質(zhì)。因而，通過光包層使信號的由輻射引起的衰減最小化。光包層不包含引起大于 0. 05分貝/米/格雷(dB/m/Gy)的輻射損耗的化學(xué)元素。在一個實施例中，直徑為Φ 的摻雜有稀土的區(qū)域12沒有覆蓋整個中央纖芯11。 在本實施例中，與纖芯與(無任何孔的)包層相比具有較高的折射率的標(biāo)準(zhǔn)階梯折射率技術(shù)相比，僅改善了中央纖芯11和泵浦光束之間的重疊或者中央纖芯11和信號光束之間的重疊。例如，該重疊在0.6 0.7的范圍內(nèi)。在典型實施例中，中央纖芯11和孔10僅具有繞光纖中心的π階旋轉(zhuǎn)對稱性。由此，使光纖的截面繞光纖的中央縱軸旋轉(zhuǎn)角度η將得出相同的截面。因此，中央纖芯區(qū)域在兩個主正交方向上的大小不同，由此定義了快軸和慢軸從而生成偏振保持光纖。例如，基于以下設(shè)計的三角格將展示繞光纖中心的η階旋轉(zhuǎn)對稱性，其中，在該設(shè)計中，隔著纖芯相對并且屬于纖芯附近的第一個環(huán)中的六個孔的兩個孔具有相對于所有其它孔而言不同的大小。這種η階旋轉(zhuǎn)對稱性使得可以保持在光纖內(nèi)傳輸?shù)男盘柕钠裥浴Ｒ蚨?，在本發(fā)明的光纖的這種實施例中，光包層使得可以在不使用諸如硼等的附加摻雜物的情況下獲得偏振保持光纖。通常，在利用摻雜物獲得中央纖芯和光包層之間的折射率差的光纖中，通過在中央纖芯的任一側(cè)上的光包層中插入摻雜有硼的二氧化硅的棒來維持所傳輸信號的偏振性。圖2 4示出孔10和中央纖芯11具有π階旋轉(zhuǎn)對稱性的光纖的示例。圖8中的光纖示例展示η/3階對稱。因此，圖8中的光纖示例不具有π階對稱并且不是偏振保持光纖。以下參考表1和2示出的放大器光纖的(比較)例I、II、III和IV來解釋根據(jù)本發(fā)明的光纖的優(yōu)點。例I和III是利用諸如鍺和/或氟等的摻雜物來獲得中央纖芯和光包層之間的折射率差的比較光纖。使中央纖芯摻雜有稀土不是通過利用包含稀土的溶液浸透納米顆粒而獲得的。光纖例II和IV是根據(jù)本發(fā)明的光纖。借助于光包層內(nèi)的孔10將信號限制在中央纖芯11內(nèi)。特別地，在光纖II和IV中，使孔10組織成三角形陣列。此外，通過使用納米顆粒來使光纖II和IV摻雜有鉺。表1給出可用于諸如單通道應(yīng)用等的窄帶寬應(yīng)用的光纖的例I、II。
權(quán)利要求
1.一種光纖，其從中心到外周依次包括中央纖芯(11)，用于傳輸和放大光信號，其中，所述中央纖芯(11)包括包含納米顆粒的纖芯基質(zhì)，所述納米顆粒由包含稀土族離子形式的摻雜物的納米顆?；|(zhì)構(gòu)成；包住所述中央纖芯(11)的光包層，用于限制所述中央纖芯(11)所傳輸?shù)墓庑盘?，其中，所述光包層具有沿著所述光纖的長度延伸的多個孔(10)，所述孔(10)相互隔開一定的間距(A ;以及外包層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖，其特征在于，所述光包層包含重量濃度小于500ppm的氯，并且不包含重量濃度大于十億分之一的其它雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖，其特征在于，所述光包層包含重量濃度小于IOOppm的氯，并且不包含重量濃度大于十億分之一的其它雜質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的光纖，其特征在于，所述光包層由純二氧化硅制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的光纖，其特征在于，所述孔(10)和所述中央纖芯(11)僅具有繞所述光纖的中心的n階旋轉(zhuǎn)對稱性。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的光纖，其特征在于，所述間距(A在 IOiim的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項所述的光纖，其特征在于，所述孔(10)具有基本上為圓形的截面，并且所述孔(10)各自的直徑(Oa)相對于所述間距(A孔)的比在0. 3 0. 9的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項所述的光纖，其特征在于，所述纖芯基質(zhì)(11)由純二氧化硅制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項所述的光纖，其特征在于，所述中央纖芯(11)內(nèi)的來自稀土族的所述摻雜物的重量濃度在200ppm IOOOppm的范圍內(nèi)，并且所述中央纖芯(11) 內(nèi)的納米顆?；|(zhì)濃度在0. 5wt% 5wt%的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任一項所述的光纖，其特征在于，在所述納米顆粒中，所述納米顆?；|(zhì)相對于來自稀土族的所述摻雜物的原子比在10 500的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50 350的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至10中任一項所述的光纖，其特征在于，所述納米顆?；|(zhì)采用從氧化鋁、二氧化硅或它們的組合中選擇出的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至11中任一項所述的光纖，其特征在于，來自稀土族的所述摻雜物是從鉺、鐿、銩或者它們的組合中選擇出的。
13.一種光學(xué)放大器，其包括根據(jù)權(quán)利要求I至12中任一項所述的光纖的至少一部分并且使用150mW I. 5W的范圍內(nèi)的泵浦功率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)放大器，其特征在于，所述光學(xué)放大器在C波段即 1530nm 1560nm內(nèi)的帶寬在25nm 32nm的范圍內(nèi)。
15.一種光纖激光器，其包括根據(jù)權(quán)利要求I至12中任一項所述的光纖的至少一部分。
16.一種光纖初級預(yù)制件制造方法，包括以下步驟形成步驟(35)，用于形成包括摻雜有稀土族元素的納米顆粒的預(yù)制件組成部分(200)，其中，所述預(yù)制件組成部分(200)用于形成光纖的中央纖芯(11)；制造多個毛細管(100) (36);以及使所述毛細管(100)排列成中心包括所述預(yù)制件組成部分(200)的毛細管束(38)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，用于形成光纖的中央纖芯(11)的所述預(yù)制件組成部分(200)是采用基于純二氧化硅的材料制造的。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述毛細管 (100)包含重量濃度小于500ppm的氯，并且不包含重量濃度大于十億分之一的其它雜質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述毛細管 (100)包含重量濃度小于IOOppm的氯，并且不包含重量濃度大于十億分之一的其它雜質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述毛細管(100)采用純二氧化硅。
21.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述形成步驟(35)包括以下步驟沉積步驟(30)，用于在管(210)的內(nèi)表面上產(chǎn)生多孔沉積物，其中，所述多孔沉積物具有管狀；利用摻雜有稀土族元素的納米顆粒的懸浮液浸透所述多孔沉積物(31)；使浸透后的所述多孔沉積物玻璃化(32)；使包括所述管(210)和所述多孔沉積物的組合收攏(33);以及提取所述多孔沉積物(34)，其中，所述多孔沉積物構(gòu)成用于形成光纖的中央纖芯(11) 的所述預(yù)制件組成部分(200)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，經(jīng)由改進的化學(xué)氣相沉積即MCVD技術(shù)來進行所述沉積步驟(30)。
23.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述形成步驟(35)包括以下步驟形成包括摻雜有稀土族元素的納米顆粒的棒；使所述棒玻璃化；以及使所述棒收攏，其中，所述棒構(gòu)成用于形成光纖的中央纖芯(11)的所述預(yù)制件組成部分(200)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，經(jīng)由溶膠-凝膠工藝來制造所述棒。
25.根據(jù)權(quán)利要求16至24中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，用于制造所述多個毛細管(100)的步驟(36)包括以下步驟在管(110)的內(nèi)表面上產(chǎn)生沉積物(20)，其中，所述沉積物具有管狀；提取該管狀的沉積物(22);以及從該管狀的沉積物拉制所述毛細管(100) (24)。
26.根據(jù)權(quán)利要求16至24中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，用于制造所述多個毛細管(100)的步驟(36)包括以下步驟在管(110)的內(nèi)表面上產(chǎn)生沉積物(20)，其中，所述沉積物具有管狀；以及從內(nèi)表面上具有所述沉積物的所述管(110)拉制所述毛細管(100) (24)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，經(jīng)由等離子化學(xué)氣相沉積即PCVD技術(shù)來執(zhí)行用于產(chǎn)生所述沉積物的步驟(20)。
28.根據(jù)權(quán)利要求16至27中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述預(yù)制件組成部分(200)內(nèi)的所述納米顆粒的濃度在IOlfVcm3 IO1Vcm3的范圍內(nèi)。
29.根據(jù)權(quán)利要求16至28中任一項所述的光纖初級預(yù)制件制造方法，其特征在于，所述納米顆粒基本上為球狀，并且所述納米顆粒的直徑在5nm 25nm的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及光纖、光學(xué)放大器、光纖激光器和光纖初級預(yù)制件制造方法，公開了一種摻雜有稀土的輻射不敏感光纖，其從中心到外周依次包括中央纖芯(11)，用于傳輸和放大光信號，其中，所述中央纖芯(11)包括包含納米顆粒的纖芯基質(zhì)，所述納米顆粒由包含來自稀土族的摻雜物的納米顆?；|(zhì)構(gòu)成；包住所述中央纖芯(11)的光包層，用于限制所述中央纖芯(11)所傳輸?shù)墓庑盘枺渲校龉獍鼘泳哂醒刂龉饫w的長度延伸的多個孔(10)，所述孔(10)相互隔開一定的間距(Λ孔)；以及外包層。
文檔編號G02F1/39GK102540326SQ201110390969
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者A·帕斯圖雷特, D·博伊文, E·布羅夫, G·梅林 申請人:德拉克通信科技公司