專利名稱：顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)已被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中， 液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其是由液晶顯示面板及背光模塊(backlight module)所組成。一般的液晶顯示面板包含彩色濾光片(Color Filter,CF)基板及薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)矩陣基板。CF基板上設(shè)有多個(gè)彩色濾光片和共同電極。TFT矩陣基板上設(shè)有多條彼此平行的掃描線、多條彼此平行的數(shù)據(jù)線、多個(gè)薄膜晶體管及像素電極，其中掃描線是垂直于數(shù)據(jù)線，且兩相鄰掃描線和兩相鄰數(shù)據(jù)線之間可界定像素(Pixel)區(qū)域。然而，當(dāng)顯示面板的尺寸愈大時(shí)，容易造成顯示面板上的掃描信號的延遲。因此， 掃描信號波形容易變形，而嚴(yán)重影響數(shù)據(jù)線信號充電的正確性。故，有必要提供一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決信號的延遲問題。本發(fā)明的主要目的在于提供一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其形成于一基板上，所述像素結(jié)構(gòu)包括像素電極；第一晶體管，包括第一柵電極、第一源電極及第一漏電極，其中所述第一漏電極是電性連接于所述像素電極，所述第一源電極是電性連接于數(shù)據(jù)線；以及第二晶體管，包括第二柵電極、第二源電極及第二漏電極，其中所述第二源電極是電性連接于第一柵極線，所述第二漏電極是電性連接于所述第一晶體管的所述第一柵電極，所述第二柵電極是電性連接于第二柵極線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二柵極線是平行于所述第一柵極線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二柵電極是由部分的所述第二柵極線所形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二源電極是由所述第一柵極線延伸出。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二柵極線是平行于所述數(shù)據(jù)線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二柵電極通過第一接孔來電性連接于所述第二柵極線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二源電極通過第二接孔來電性連接于所述第一柵極線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二漏電極通過第三接孔來電性連接于第一柵電極。
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本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述制造方法包括如下步驟形成第一電極及第二電極于基板上；形成第一柵極絕緣層于所述第一電極上；形成半導(dǎo)體層于第一柵極絕緣層及所述第二電極上； 形成第一源電極及第一漏電極于所述半導(dǎo)體層上，其中所述第一源電極及所述第一漏電極是對位于所述第一電極，而部分所述第一電極是作為第一柵電極；形成第二柵極絕緣層于所述半導(dǎo)體層上，其中所述第二柵極絕緣層是對位于所述第二電極及另一部分的所述第一電極；形成第二柵電極于所述第二柵極絕緣層上，其中所述第二電極是作為第二源電極，所述另一部分的所述第一電極是作為第二漏電極；以及形成像素電極，其中所述像素電極是電性連接于所述第一漏電極。本發(fā)明的又一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述制造方法包括如下步驟形成第一柵電極及第二柵電極于基板上；形成柵極絕緣層于所述第一柵電極及所述第二柵電極上；形成第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，其中所述第一半導(dǎo)體層是對位于所述第一柵電極，所述第二半導(dǎo)體層是對位于所述第二柵電極；形成第一源電極及第一漏電極于所述第一半導(dǎo)體層上；形成第二源電極及第二漏電極于所述第二所述半導(dǎo)體層上，其中所述第二漏電極是通過接孔來電性連接于所述第一柵電極；以及形成像素電極，其中所述像素電極是電性連接于所述第一漏電極。本發(fā)明的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法可確保柵極線所傳送的柵極信號的正確性，以改善信號波形因延遲而導(dǎo)致的變形問題，而可確保數(shù)據(jù)線信號充電的正確性。因此，通過本發(fā)明的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，可改善顯示面板的像素充電效果。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下

圖1顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板與背光模塊的剖面示意圖；圖2顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖3顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4顯示依照本發(fā)明圖3沿A-A線的剖視圖；圖5顯示依照本發(fā)明的顯示面板的柵極信號的波形圖；圖6顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖7顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；以及圖8顯示依照本發(fā)明圖7沿B-B線的剖視圖。
具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。請參照圖1，其顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板與背光模塊的剖面示意圖。本發(fā)明的顯示面板100可為例如液晶顯示(IXD)面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示(OLED)面板、等離子顯示屏(PDP)或場致電子發(fā)射顯示面板(Field Emission Display)面板。以LCD為例，當(dāng)顯示面板100例如為液晶顯示面板時(shí)，顯示面板100可組合背光模塊101，而形成液晶
顯示裝置。請參照圖2、圖3及圖4，圖2顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖，圖3顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，圖4顯示依照本發(fā)明圖3沿A-A線的剖視圖。本實(shí)施例的顯示面板100包含基板110、多個(gè)像素120、多條數(shù)據(jù)線130、多條第一柵極線140及多條第二柵極線150。數(shù)據(jù)線130和第一柵極線140是相互交錯地配置于基板110上，像素120是以矩陣形式來配置于基板110上，并位于數(shù)據(jù)線 130和第一柵極線140之間，第二柵極線150是排列于像素120之間，其中第二柵極線150 可平行于數(shù)據(jù)線130或第一柵極線140。在第一實(shí)施例中，第二柵極線150是平行于第一柵極線140。如圖2所示，基板110可例如為玻璃基板或可撓性塑料基板，在本實(shí)施例中，基板 110可例如為薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)矩陣基板，當(dāng)顯示面板100例如為液晶顯示面板時(shí)，顯示面板100可更包含液晶層(未繪示)和另一基板(未繪示)，此另一基板例如為彩色濾光片(Color Filter, CF)基板，其相對于基板110設(shè)置，此時(shí)，液晶層是形成于TFT矩陣基板(基板110)和CF基板之間，此另一基板可設(shè)有公共電極(未繪示)， 用以提供一公共電壓(Vcom)。如圖2所示，每一像素120可包括像素電極121、第一晶體管122及第二晶體管 123。像素電極121優(yōu)選是以透光導(dǎo)電材料所制成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、 氧化銦錫鋅(ITZO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)、氧化鋅(SiO)或聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)。第一晶體管122及第二晶體管123例如為薄膜晶體管(TFT)，其電性連接于數(shù)據(jù)線130、第一柵極線140、第二柵極線150及像素電極121。第一晶體管122是用于允許數(shù)據(jù)線130提供數(shù)據(jù)信號至像素電極121，而第二晶體管123是用于修正由第一柵極線140 所傳來的柵極信號，并提供修正后的柵極信號至第一晶體管122。如圖2所示，第一晶體管122包括第一柵電極124、第一源電極125及第一漏電極 126，其中第一漏電極1 是電性連接于像素電極121，第一源電極125是電性連接于數(shù)據(jù)線 130。第二晶體管123包括第二柵電極127、第二源電極1 及第二漏電極129，其中第二源電極1 是電性連接于第一柵極線140，第二漏電極1 是電性連接于第一晶體管122的第一柵電極124，第二柵電極127是電性連接于第二柵極線150。當(dāng)本實(shí)施例的第一柵極線140傳送柵極信號至第一晶體管122時(shí)，第一柵極線140 所傳送的柵極信號可通過第二晶體管123來進(jìn)行修正，而修正后的柵極信號可通過第二晶體管123來提供至第一晶體管122。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線130通過第一晶體管122來傳送數(shù)據(jù)信號至像素電極121時(shí)，第一晶體管122可通過較正確的修正后柵極信號來開啟，因而可確保數(shù)據(jù)線130信號充電的正確性，而大幅改善柵極信號的延遲問題。請參照圖5，其顯示依照本發(fā)明的顯示面板的柵極信號的波形圖，線段102為現(xiàn)有技術(shù)的一顯示面板的柵極信號波形，而線段103為本發(fā)明的顯示面板100的修正后柵極信號波形。如圖5所示，相較于線段102的變形波形，線段103的修正后柵極信號波形可改善柵極信號因信號延遲而導(dǎo)致的信號變形問題。因此，本發(fā)明的顯示面板100的像素120可改善柵極信號的延遲問題，確保數(shù)據(jù)線130信號充電的正確性。如圖4所示，當(dāng)制造本實(shí)施例的顯示面板100的像素結(jié)構(gòu)120時(shí)，首先，形成第一電極111及第二電極112于基板110上，第一電極111及第二電極112之間具有一間隙。 第一電極111及第二電極112可通過光刻工藝來形成，其材料例如為Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、 Ta、Ti、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)，例如氮化鉬薄膜和鋁薄膜的雙層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，電極111、112及第一柵極線 140可同時(shí)通過光刻工藝來形成于基板110上，第二電極112是由第一柵極線140延伸出。如圖4所示，接著，形成第一柵極絕緣層113于第一電極111上。第一柵極絕緣層 113的材料例如為氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，其例如是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)方式來沉積形成。接著,形成半導(dǎo)體層114于第一柵極絕緣層113及第二電極112上，半導(dǎo)體層114的材料例如是由重?fù)诫s有N型雜質(zhì)(例如砷)的N+非晶硅(a-Si)或其硅化物所形成。如圖4所示，接著，形成第一源電極125及第一漏電極1 于半導(dǎo)體層114上，其中第一源電極125及第一漏電極1 是對位于第一電極111，亦即第一源電極125及第一漏電極1 是位于第一電極111的上方。其中，部分的第一電極111是作為第一柵電極124，第一源電極125是電性連接于數(shù)據(jù)線130。因此，通過部分的第一電極111 (第一柵電極124)、 第一柵極絕緣層113、半導(dǎo)體層114、第一源電極125及第一漏電極1 的形成，可得到第一晶體管122。第一源電極125及第一漏電極126的材料例如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、 氮化金屬或上述任意組合的合金。如圖4所示，接著，形成第二柵極絕緣層115于半導(dǎo)體層114上，其中此第二柵極絕緣層115是對位于第二電極112及另一部分的第一電極111，亦即第二柵極絕緣層115是位于第二電極112及另一部分的第一電極111的上方。接著，形成第二柵電極127于第二柵極絕緣層115上，其中第二電極112是作為第二源電極128，此另一部分的第一電極111 是作為第二漏電極129。因此，通過第二柵電極127、第二柵極絕緣層115、半導(dǎo)體層114、第二電極112(第二源電極128)及另一部分的第一電極111(第二漏電極129)的形成，可得到第二晶體管123。其中，第二柵電極127是由部分的第二柵極線150所形成，第二柵電極 127的材料可例如為Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金屬或上述任意組合的合金，并可相同或不同于電極111、112的材料。如圖4所示，接著，形成像素電極116，其中像素電極116是電性連接于第一晶體管 122的第一漏電極126。且像素電極116可形成于保護(hù)層118上，此保護(hù)層118可形成于源電極125及漏電極1 上。保護(hù)層118可具有至少一接孔(未顯示)，以暴露出部分漏電極 126，像素電極層116可覆蓋于接孔上，以電性連接于漏電極126，故完成本實(shí)施例的顯示面板100的像素結(jié)構(gòu)120。
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請參照圖6、圖7及圖8，圖6顯示依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖，圖7顯示依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，圖8顯示依照本發(fā)明圖7沿B-B線的剖視圖。第二實(shí)施例的像素220可包括像素電極221、第一晶體管222 及第二晶體管223。第一晶體管222及第二晶體管223電性連接于數(shù)據(jù)線230、第一柵極線 M0、第二柵極線250及像素電極221。第一晶體管222是用于允許數(shù)據(jù)線230提供數(shù)據(jù)信號至像素電極221，而第二晶體管223是用于修正由第一柵極線240所傳來的柵極信號，并提供修正后的柵極信號至第一晶體管222。在第二實(shí)施例中，第二柵極線250是平行于數(shù)據(jù)線 230。如圖8所示，第一晶體管222包括第一柵電極224、第一源電極225及第一漏電極 226，其中第一漏電極2 是電性連接于像素電極221，第一源電極225是電性連接于數(shù)據(jù)線 230。第二晶體管223包括第二柵電極227、第二源電極2 及第二漏電極229，其中第二源電極2 是電性連接于第一柵極線對0，第二漏電極2 是電性連接于第一晶體管222的第一柵電極224，第二柵電極227是電性連接于第二柵極線250。如圖8所示，當(dāng)制造本實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)220時(shí)，首先，形成第一柵電極2M及第二柵電極227于基板210上，其中第一柵電極2M及第二柵電極227之間具有一間隙。第一柵電極2M及第二柵電極227可通過光刻工藝來形成，其材料例如為Al、Ag、 Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)，例如氮化鉬薄膜和鋁薄膜的雙層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，柵電極224、227 及第一柵極線240可同時(shí)通過光刻工藝來形成于基板210上。如圖8所示，接著，形成柵極絕緣層213于第一柵電極2M及第二柵電極227上， 柵極絕緣層213的材料例如為氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。接著，形成第一半導(dǎo)體層 211及第二半導(dǎo)體層212于柵極絕緣層213上，其中第一半導(dǎo)體層211是對位于第一柵電極224，第二半導(dǎo)體層212是對位于第二柵電極227，亦即第一半導(dǎo)體層211是位于第一柵電極2M上，第二半導(dǎo)體層212是位于第二柵電極227上。半導(dǎo)體層211、212的材料例如是由重?fù)诫s有N型雜質(zhì)(例如砷)的N+非晶硅(a-Si)或其硅化物所形成。如圖8所示，接著，形成第一源電極225及第一漏電極2 于第一半導(dǎo)體層211上， 且形成第二源電極2 及第二漏電極2 于第二半導(dǎo)體層212上。因此，通過第一柵電極 224、柵極絕緣層213、第一半導(dǎo)體層211、第一源電極225及第一漏電極226的形成，可得到第一晶體管222 ；通過第二柵電極227、柵極絕緣層213、第二半導(dǎo)體層212、第二源電極2 及第二漏電極2 的形成，可得到第二晶體管223。其中，源電極225、2 及漏電極2沈、2四的材料例如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金屬或上述任意組合的合金。如圖8所示，在第二實(shí)施例中，源電極225、228、漏電極226、2 及第二柵極線250 可同時(shí)通過光刻工藝來形成。再者，在第二實(shí)施例中，位于不同層的電極及信號線可通過接孔(contact hole)來連接。其中，第二柵電極227可通過接孔201來電性連接于第二柵極線250，第二源電極2 可通過接孔202來電性連接于第一柵極線M0，第二漏電極2 可通過接孔203來電性連接于第一柵電極224。如圖8所示，接著，形成像素電極216，其中像素電極216是電性連接于第一晶體管 222的第一漏電極226。且像素電極216可形成于保護(hù)層218上，此保護(hù)層218可形成于源電極225、2觀及漏電極226、2四上。保護(hù)層218可具有至少一接孔(未顯示)，以暴露出部分漏電極226，像素電極層216可覆蓋于接孔上，以電性連接于漏電極226，故完成第二實(shí)施例的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)220。由上述可知，本發(fā)明的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法可利用第二晶體管來修正柵極線所傳送的柵極信號，以改善信號波形因延遲而導(dǎo)致的變形問題，而可確保數(shù)據(jù)線信號充電的正確性。因此，通過本發(fā)明的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，可改善顯示面板的像素充電效果(充電率及均勻度)。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其形成于ー基板上，其特征在于所述像素結(jié)構(gòu)包括 像素電極；第一晶體管，包括第一柵電極、第一源電極及第一漏電極，其中所述第一漏電極是電性 連接于所述像素電極，所述第一源電極是電性連接于數(shù)據(jù)線；以及第二晶體管，包括第二柵電極、第二源電極及第ニ漏電極，其中所述第二源電極是電性 連接于第一柵極線，所述第二漏電極是電性連接于所述第一晶體管的所述第一柵電扱，所 述第二柵電極是電性連接于第二柵極線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二柵極線是平行于所述第一 柵極線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二柵電極是由部分的所述第 ニ柵極線所形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二源電極是由所述第一柵極 線延伸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二柵極線是平行于所述數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二柵電極通過第一接孔來電 性連接于所述第二柵極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二源電極通過第二接孔來電 性連接于所述第一柵極線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于第二漏電極通過第三接孔來電性連 接于第一柵電扱。
9.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述制造方法包括如下步驟 形成第一電極及第ニ電極于基板上；形成第一柵極絕緣層于所述第一電極上；形成半導(dǎo)體層于所述第一柵極絕緣層及所述第二電極上；形成第一源電極及第一漏電極于所述半導(dǎo)體層上，其中所述第一源電極及所述第一漏 電極是對位于所述第一電極，而部分所述第一電極是作為第一柵電扱；形成第二柵極絕緣層于所述半導(dǎo)體層上，其中所述第二柵極絕緣層是對位于所述第二 電極及另一部分的所述第一電極；形成第二柵電極于所述第二柵極絕緣層上，其中所述第二電極是作為第二源電極，所 述另一部分的所述第一電極是作為第二漏電極；以及形成像素電極，其中所述像素電極是電性連接于所述第一漏電極。
10.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述制造方法包括如下步驟 形成第一柵電極及第ニ柵電極于基板上；形成柵極絕緣層于所述第一柵電極及所述第二柵電極上；形成第一半導(dǎo)體層及第ニ半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，其中所述第一半導(dǎo)體層是對位于 所述第一柵電極，所述第二半導(dǎo)體層是對位于所述第二柵電扱； 形成第一源電極及第一漏電極于所述第一半導(dǎo)體層上；形成第二源電極及第ニ漏電極于所述第二所述半導(dǎo)體層上，其中所述第二漏電極是通過接孔來電性連接于所述第一柵電極；以及形成像素電極，其中所述像素電極是電性連接于所述第一漏電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。此制造方法包括如下步驟形成第一晶體管及第二晶體管于基板上，其中第一晶體管是連接于第二晶體管與數(shù)據(jù)線之間，第二晶體管是連接于第一柵極線與第二柵極線；以及形成像素電極，其中像素電極是連接于第一晶體管。本發(fā)明可改善信號波形因延遲而導(dǎo)致的變形問題。
文檔編號G02F1/1362GK102402085SQ20111034305
公開日2012年4月4日 申請日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月3日
發(fā)明者侯鴻龍 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司