專利名稱：一種降低光刻對準失效率的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域的冗余圖形填充方法，尤其是一種降低光刻對準失效率的冗余圖形填充方法。
背景技術：
在現(xiàn)有的集成電路制造工藝中，為了提高化學機械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會在0. 25微米以下的工藝需要化學機械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形。一種常用的冗余圖形式樣是矩形方塊的陣列，而這種圖形與某些光刻機的粗對準標記圖形有很高的相似度。當光刻機的預對準精度較差時，粗對準標記附近的冗余圖形很容易被認作是粗對準標記或干擾到粗對準標記的信號，從而導致硅片光刻對準失敗。如圖1所示，光刻機粗對準標記1與周圍的冗余圖形2非常相似，致使光刻機粗對準標記附近有很強的干擾信號如圖2所示，易造成對準信號誤認，進而導致硅片光刻對準失敗。
發(fā)明內容
針對現(xiàn)有的冗余圖形填充過程中存在的問題，本發(fā)明提供一種降低光刻對準失效率的冗余圖形填充方法。本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案為
一種降低光刻對準失效率的方法，其中，于一包含光刻機粗對準標記的多層復合結構的預定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形相互錯開。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述預定層為需要化學機械研磨的層或者需要刻蝕的層。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準標記距離小于10um-500um的冗余圖形。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離為lnm-5000nm。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離為lnm-5000nm。上述一種降低光刻對準失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形與所述光刻機粗對準標記水平距離小于等于lOOum，垂直距離小于等于lOOum，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離0. 2um，靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離0. 2um。本發(fā)明的有益效果是
在硅片光刻粗對準時，使冗余圖形的信號與光刻對準標記有明顯的區(qū)別，從而使其不能被光刻機誤認為粗對準標記或干擾粗對準標記的信號，以降低光刻對準的失效率。
圖1是本現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準標記附近冗余圖形的樣式；
圖2是現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準標記的信號； 圖3是本發(fā)明一種降低光刻對準失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準標記附近冗余圖形的樣式；
圖4是本發(fā)明一種降低光刻對準失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準標記的信號。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。如圖3所示本發(fā)明一種降低光刻對準失效率地方法，包括于一包含光刻機粗對準標記1的多層復合結構的預定層中加入冗余圖形2，且使靠近光刻機粗對準標記1的冗余圖形2彼此之間相互錯開。其中預定層為需要化學機械研磨的層或者需要刻蝕的層，加入的冗余圖形2為矩形方塊陣列，靠近光刻機粗對準標記1的冗余圖形2是指距光刻機粗對準標記1距離小于10um-500um的冗余圖形2。進一步的，靠近光刻機粗對準標記1的冗余圖形2相互錯開水平距離在 lnm-5000nm的范圍內，垂直距離在lnm_5000nm的范圍內。為了使硅片光刻粗對準時，冗余圖形2的信號與光刻機粗對準標記1有明顯的區(qū)別，在填充冗余圖形2時，將光刻機粗準標記2附近的矩形冗余圖形2錯開放置，可以有效降低光刻機粗對準的誤認，從而降低光刻對準失效率。在上述此基礎上，本發(fā)明可以通過以下較佳的方式實施
其中，靠近光刻機粗對準標記1的冗余圖形2與光刻機粗對準標記1水平距離小于等于lOOum，垂直距離小于等于lOOum，靠近光刻機粗對準標記1的冗余圖形2彼此間相互錯開水平距離0. 2um,垂直距離0. 2um。如圖4所示，以上述較佳的方式實施的冗余圖形2的填充方法使光刻機粗對準標記1附近無其他干擾信號，降低了對準信號誤認的可能。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的申請專利范圍，所以凡運用本發(fā)明說明書及圖示內容所作出的等效結構變化、利用公知的與本發(fā)明中提到具等同作用的物質進行代替，利用公知的與本發(fā)明中提到的手段方法具等同作用的手段方法進行替換，所得到的實施方式或者實施結果均包含在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
1.一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，于一包含光刻機粗對準標記的多層復合結構的預定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形相互錯開。
2.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述預定層為需要化學機械研磨的層或者需要刻蝕的層。
3.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
4.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準標記距離小于10um-500um的冗余圖形。
5.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離為lnm-5000nm。
6.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離為lnm-5000nm。
7.如權利要求2所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
8.如權利要求7所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準標記距離小于10um-500um的冗余圖形。
9.如權利要求8所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離為lnm-5000nm。
10.如權利要求9所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離為lnm-5000nm。
11.如權利要求1-10所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形與所述光刻機粗對準標記水平距離小于等于lOOum， 垂直距離小于等于lOOum，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離 0. 2um，靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離0. 2um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種降低光刻對準失效率的方法，其中，于一包含光刻機粗對準標記的多層復合結構的預定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形相互錯開。本發(fā)明的有益效果是在硅片光刻粗對準時，使冗余圖形的信號與光刻對準標記有明顯的區(qū)別，從而使其不能被光刻機誤認為粗對準標記或干擾粗對準標記的信號，以降低光刻對準的失效率。
文檔編號G03F9/00GK102445864SQ201110322329
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權日2011年10月21日
發(fā)明者闞歡, 魏芳 申請人:上海華力微電子有限公司