專利名稱：液晶顯示面板及形成液晶顯示面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，尤指一種具有高開口率的三柵型(tri-gate)像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今消費(fèi)電子產(chǎn)品普遍采用輕薄的平板顯示器，其中液晶顯示器已經(jīng)逐漸被各種電子設(shè)備如電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦等所廣泛使用。薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)模式主要可分為單柵型(single-gate)像素結(jié)構(gòu)與三柵型(tri-gate)像素結(jié)構(gòu)兩種。在分辨率 nXm下，三柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器具有的掃描線與源極線的數(shù)目分別為: 條與η條， 而單柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器之掃描線與源極線數(shù)目為m條與3η條。換句話說，在相同的分辨率下，相較于具有單柵型像素結(jié)構(gòu)的顯示面板，具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的掃描線數(shù)目增加為三倍，而數(shù)據(jù)線數(shù)目則縮減為三分之一，因此具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的顯示面板使用較多的柵極驅(qū)動(dòng)芯片與較少的源極驅(qū)動(dòng)芯片。由于柵極驅(qū)動(dòng)芯片之成本與耗電量均較源極驅(qū)動(dòng)芯片低，因此采用三柵型像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將可降低成本及耗電量。請參閱圖1，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三柵型像素液晶顯示面板的子像素的俯視圖。液晶顯示面板具有多個(gè)像素，每一像素至少由三個(gè)子像素100(分別是紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素)組成。子像素100包括薄膜晶體管102以及像素電極112。薄膜晶體管 102的柵極電性連接到掃描線(Scan line) 104，源極電性連接到數(shù)據(jù)線(Date line) 106, 漏極電性連接到像素電極112。像素電極112實(shí)際上覆蓋于共通電極線108以及屏蔽金屬 (shielding metal)區(qū)110之上，但為便于說明，在圖1中，僅繪出像素電極112的相對位置。共通電極線108用來提供一公共電壓，且共通電極線108與像素電極112重疊之處形成一存儲電容。當(dāng)掃描信號通過掃描線104輸入，使得薄膜晶體管102開啟時(shí)，數(shù)據(jù)信號藉由數(shù)據(jù)線106經(jīng)由開啟的薄膜晶體管102傳遞至像素電極112，使其充電到所需的電壓。位于像素電極112底下的液晶分子會(huì)根據(jù)施加于像素電極112的該數(shù)據(jù)信號以及該公共電壓的電壓差控制其轉(zhuǎn)動(dòng)方向，使得子像素100顯示出不同的亮度。當(dāng)掃描線104沒有接收掃描信號時(shí)，液晶分子仍然會(huì)因?yàn)樵摯鎯﹄娙荽鎯υ摴搽妷号c該數(shù)據(jù)信號的電壓差而維持其轉(zhuǎn)動(dòng)方向，直到薄膜晶體管102收到下一次的掃描信號為止。為了增加存儲電容的電容值，并減少寄生電容效應(yīng)，在掃描線104兩邊會(huì)設(shè)置屏蔽金屬區(qū)110。屏蔽金屬區(qū)110與共通電極線108通過開口 114電性連接，使得屏蔽金屬區(qū)110與共通電極線108保持在同一電位，以避免施加于像素電極112的數(shù)據(jù)信號受到寄生電容的影響。在現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管102的柵極、屏蔽金屬區(qū)110與掃描線104是由第一金屬層構(gòu)成，薄膜晶體管102的源極和漏極、數(shù)據(jù)線106與共通電極線108是由第二金屬層構(gòu)成。薄膜晶體管102、屏蔽金屬區(qū)110、掃描線104、數(shù)據(jù)線106與共通電極線108等金屬層定義為子像素100的不透光部分。而子像素100的開口率(aperture ratio)定義為可透光部分的面積與子像素100總面積(包括不透光部分的面積)的比值。子像素100的開口率直接影響背光源的利用和顯示面板的亮度。開口率越大，液晶顯示器的亮度越大，對比度越好。為了提高開口率，必須盡可能減少不透光部分的面積，同時(shí)還需最小化像素總體面積。 因此，薄膜晶體管102越小或是掃描線104和數(shù)據(jù)線106的線寬越細(xì)，開口率越高。然而，受限于制程，掃描線104的線寬Wl —般較數(shù)據(jù)線106的線寬W2大，而且由同一層金屬層制成的屏蔽金屬區(qū)110與掃描線104之間必須保留固定的距離dl。這些因素都會(huì)使得像素開口率降低。所以雖然使用三柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板具有低成本與低耗電的優(yōu)點(diǎn)，但是像素開口率降低的問題仍待進(jìn)一步的改善。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種具有提高像素開口率的液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。為了達(dá)成本發(fā)明的目的，本發(fā)明揭示一種液晶顯示面板，其包含多個(gè)像素、多行彼此相互平行并朝一第一方向延伸的掃描線以及多列彼此相互平行并朝一第二方向延伸的數(shù)據(jù)線。所述第二方向垂直于所述第一方向。所述多行掃描線是以一第一金屬層制成，用來傳輸掃描信號。所述多列數(shù)據(jù)線是以一第二金屬層制成，用來傳輸數(shù)據(jù)信號。每一像素包含多個(gè)子像素。每一子像素包含一像素電極，由一透明導(dǎo)電層形成；一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管是一對一與所述像素電極、所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線連接；以及一共通電極線，包含一主支干區(qū)、一第一屏蔽金屬區(qū)和一第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述多行掃描線且連接于所述主支干區(qū)，且所述共通電極線由所述第二金屬層構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述共通電極線的主支干區(qū)是呈十字型。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一絕緣層設(shè)置于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，位于其中一數(shù)據(jù)線兩邊且連接于其中一掃描線的兩像素所對應(yīng)的兩共通電極線是電性連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述液晶顯示面板另包含二貫穿所述絕緣層的開口，所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述二開口以及所述第一金屬層上，使得所述兩共通電極線通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述兩共通電極線的所述主支干區(qū)通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述兩共通電極線的所述第一屏蔽金屬區(qū)或是所述兩共通電極線的所述第二屏蔽金屬區(qū)是通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。為了達(dá)成本發(fā)明的目的，本發(fā)明另提供一種形成液晶顯示面板的方法，其包含提供一玻璃基板；形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極以及一掃描線；在所述薄膜晶體管的柵極以及所述掃描線上形成一絕緣層；形成所述薄膜晶體管的通道區(qū)域于該絕緣層上；以及
形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏極、一共通電極線以及一數(shù)據(jù)線，其中所述共通電極線包含一主支干區(qū)、一第一屏蔽金屬區(qū)和一第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述掃描線且連接于所述主支干區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述方法另包含在所述數(shù)據(jù)線、所述共通電極線、所述薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護(hù)層；于所述共通電極線下方的所述保護(hù)層蝕刻一開口 ；以及形成一透明導(dǎo)電層于所述開口以及所述第一金屬層上，使得所述共通電極線通過所述透明導(dǎo)電層電性連接所述第一金屬層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述方法另包含于所述共通電極線下方的所述保護(hù)層蝕刻所述開口的同時(shí)，并于所述漏極的上方蝕刻所述保護(hù)層以形成一連接孔；及形成一透明導(dǎo)電層于所述開口以及所述第一金屬層上的同時(shí)，并于所述連接孔的上方形成所述透明導(dǎo)電層以產(chǎn)生一像素電極。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板以及形成該液晶顯示面板的方法。該液晶顯示面板的掃描線是由第一金屬層制成，數(shù)據(jù)線和共通電極線則由第二金屬層制成。因?yàn)閽呙杈€和共通電極線是由不同金屬層在不同蝕刻制程所形成，不僅掃描線和共通電極線之間的距離可以縮短，一部分做為屏蔽金屬區(qū)的共通電極線的寬度也可以適當(dāng)?shù)販p小，因此可以提高像素開口率。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三柵型像素液晶顯示面板的子像素的俯視圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的示意圖。圖3繪示了本發(fā)明的三柵型像素的電路圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的子像素的上視圖。圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的像素的示意圖。圖6是圖5的C-C’線段的截面圖。圖6至圖10是形成本發(fā)明液晶顯示面板的各制程的示意圖。
具體實(shí)施例方式在說明書及權(quán)利要求書中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)別組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。此外，“電性連接”一詞在此是包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此， 若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接于該第二裝置，或透過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施之特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“水平”、
“垂直”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參考圖2。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器10的示意圖。液晶顯示器10具有柵極驅(qū)動(dòng)模塊12、源極驅(qū)動(dòng)模塊14與液晶顯示面板30。以分辨率nXm為例，具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的顯示面板30具有nXm個(gè)像素20、mX3條掃描線
G1^G2.....G3m，以及η條數(shù)據(jù)線D^D2.....Dn，且掃描線與數(shù)據(jù)線定義出3XmXn個(gè)子像素
R、G、B，其中掃描線G1^2.....G3ffl是電性連接至柵極驅(qū)動(dòng)模塊12，而數(shù)據(jù)線Dp D2.....Dn
是電性連接至源極驅(qū)動(dòng)模塊14。每一像素20包括三個(gè)子像素R、G、B。請參考圖3，圖3繪示了本發(fā)明的三柵型像素的電路圖。如圖3所示，三柵型像素 20包括三子像素(分別為紅色子像素20R、綠色子像素20G與藍(lán)色子像素20B)、三薄膜晶體管Tl、T2、T3分別設(shè)置于紅色子像素20R、綠色子像素20G與藍(lán)色子像素20B內(nèi)，以及三像素電極22A、22B、22C分別設(shè)置于紅色子像素20R、綠色子像素20G與藍(lán)色子像素20B內(nèi)。 薄膜晶體管T1、T2、T3的柵極分別與對應(yīng)的掃描線&、&、&電性連接，薄膜晶體管Tl、Τ2、 Τ3的源極則均與數(shù)據(jù)線Dl電性連接，而各薄膜晶體管Τ1、Τ2、Τ3的漏極則分別與像素電極 22Α、22Β、22C電性連接。藉由上述配置，三柵型像素結(jié)構(gòu)20之紅色子像素20R、綠色子像素 20G與藍(lán)色子像素20Β是分別受掃描線‘ G2、G3的控制，而接收同一數(shù)據(jù)線D1于不同時(shí)間點(diǎn)所傳送的訊號以分別于紅色子像素20R、綠色子像素20G與藍(lán)色子像素20B顯示不同灰階。另外，掃描線G” G2、G3是沿第一方向排列，數(shù)據(jù)線是沿第二方向排列，第一方向是垂直于第二方向。共通電極線C1則越過掃描線G1A2A3并與掃描線G1A2A3部分重疊，且共通電極線C1分別與像素電極22A、22B、22C部分重疊構(gòu)成三儲存電容。請參考圖4，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的子像素的上視圖。在以下各實(shí)施例中，是以具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板30為例說明本發(fā)明，但本發(fā)明的顯示面板30的像素20并不以此為限。如圖4所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板30包括玻璃基板 (亦稱為薄膜晶體管基板)32與多個(gè)設(shè)置于玻璃基板32上的像素20。每一像素20包括三子像素20S，例如紅色子像素、綠色子像素與藍(lán)色子像素。為便于說明，圖4僅繪示像素電極的相對位置。子像素20S是為一長方形區(qū)域，且長方形區(qū)域之長軸是沿第一方向X設(shè)置， 而短軸方向則沿第二方向Y設(shè)置，其中第一方向X與第二方向Y大致上互相垂直。掃描線 40是設(shè)置于玻璃基板32上并沿第一方向X排列，數(shù)據(jù)線42則是設(shè)置于玻璃基板32上并沿第二方向Y排列。掃描線40是由第一金屬層制成。薄膜晶體管44是分別設(shè)置于各子像素20S內(nèi)，且各薄膜晶體管44包括柵極44G、源極44S與漏極44D，各柵極44G是與對應(yīng)之掃描線40電性連接，各源極44S均是與數(shù)據(jù)線42電性連接，而各漏極44D則分別與設(shè)置于各子像素20S內(nèi)的像素電極58電性連接。共通電極線48是設(shè)置于玻璃基板32上并越過掃描線40且與掃描線40部分重疊， 藉此共通電極線48分別與像素電極重疊之處而構(gòu)成儲存電容。共通電極線48與掃描線40 是由兩個(gè)不同金屬層所構(gòu)成，且該兩金屬層之間設(shè)有一絕緣層(未圖示)，用來避免兩金屬層直接電性連接。因此共通電極線48可與掃描線40沿不同方向排列并跨越掃描線40，例如掃描線40是沿子像素20S的長軸方向(第一方向)延伸，而共通電極線48是由子像素 20S的短軸方向(第二方向)貫穿子像素20S，如此一來可縮減共通電極線48在顯示區(qū)所占的面積比例，藉以減少遮光面積以提升開口率。在本實(shí)施例中，共通電極線48可與數(shù)據(jù)線42由同一層導(dǎo)電圖案，如第二層金屬層所構(gòu)成，但不以此為限，共通電極線48亦可由另一層導(dǎo)電層所構(gòu)成。共通電極線48包含主支干區(qū)480、一第一屏蔽金屬區(qū)481和一第二屏蔽金屬區(qū) 482。第一屏蔽金屬區(qū)481和第二屏蔽金屬區(qū)482平行于多行掃描線40且連接于主支干區(qū)480，且多列數(shù)據(jù)線42和共通電極線48皆由第二金屬層構(gòu)成。共通電極線48的主支干區(qū)480是呈十字型，可分為相互垂直的第一延伸部4801和第二延伸部4802。第二延伸部 4802與第一屏蔽金屬區(qū)481或第二屏蔽金屬區(qū)482垂直相交。共通電極線48的第二延伸部4802沿第二方向設(shè)置并貫穿各子像素20S，使得同一列的子像素20S的共通電極線48皆相互電性連接。請參閱圖5和圖9，圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的像素的示意圖，圖9是圖5的B-B’線段和C-C’線段的截面圖。在本實(shí)施例中，共通電極線48的第一延伸部4801 的末端的絕緣層(未圖示)之處形成一開口(Via)49，并在開口 49上形成一導(dǎo)電層(例如氧化銦錫物)，使得共通電極線48與連接區(qū)57電性連接，其中連接區(qū)57也是由第一金屬層構(gòu)成。因此位于同一數(shù)據(jù)線42兩邊且連接于掃描線40的兩像素20S所對應(yīng)的兩共通電極線48是電性連接。在另一實(shí)施例中，同一行的子像素20的兩共通電極線48的第一屏蔽金屬區(qū)481或是第二屏蔽金屬區(qū)482的末端的絕緣層之處也可以形成開口，之后再形成導(dǎo)電層于該開口上。同一行的子像素20的兩共通電極線48通過該開口下方的連接區(qū)57和該導(dǎo)電層電性連接。綜上所述，本發(fā)明的液晶顯示面板的掃描線40是由第一金屬層制成，數(shù)據(jù)線42和共通電極線48則由第二金屬層制成。特別是對于三柵型像素結(jié)構(gòu)而言，因?yàn)閽呙杈€40和共通電極線48是由不同金屬層在不同蝕刻制程所形成，不僅掃描線40和共通電極線48之間的距離d2可以縮短，一部分做為屏蔽金屬區(qū)481、482的共通電極線48的寬度W3也可以適當(dāng)?shù)販p小，因此可以提高像素開口率。在此請參閱圖6至圖10，圖6至圖10是形成本發(fā)明液晶顯示面板的各制程的示意圖。圖10也是對應(yīng)于圖5的B-B’線段以及C-C’線段的截面圖。請參閱圖6，首先提供一個(gè)玻璃基板32，接著進(jìn)行一金屬薄膜沉積制程，以于玻璃基板32表面形成一第一金屬層(未顯示)，并利用一第一掩膜來進(jìn)行第一微影蝕刻，以蝕刻得到薄膜晶體管44的柵極44G以及連接區(qū)57。接著請參閱圖7，接著沉積以氮化硅(SiNx)為材質(zhì)的絕緣層52而覆蓋柵極44G以及連接區(qū)57。于絕緣層52上連續(xù)沉積非晶硅(a-Si，Amorphous Si)層以及一高電子摻雜濃度的N+非晶硅層。利用第二掩膜來進(jìn)行第二微影蝕刻以構(gòu)成半導(dǎo)體層44s。半導(dǎo)體層 44s包含作為薄膜晶體管44通道的非晶硅層44a以及用來降低阻抗的歐姆接觸層(Ohmic contact layer)44b0請參閱圖8，接著在絕緣層52上形成一全面覆蓋的第二金屬層(未繪示于圖中)， 并利用第三掩膜來進(jìn)行第三微影蝕刻以分別定義出薄膜晶體管44的源極44S及漏極44D、 共通電極線48以及數(shù)據(jù)線42。數(shù)據(jù)線42是直接連接到源極44S。同時(shí)，在第三微影蝕刻時(shí)也會(huì)在絕緣層52上形成開口 49。請參閱圖9，接著沉積以氮化硅為材質(zhì)的保護(hù)層(passivation layer)54，并覆蓋源極44S、及漏極44D和數(shù)據(jù)線42，再利用第四掩膜來進(jìn)行第四微影蝕刻用以去除漏極44D 上方的部份保護(hù)層M，直至漏極44D表面，以于漏極44D上方形成連接孔(Via) 56。請參閱圖10。在保護(hù)層M上形成以氧化銦錫物andium tin oxide, I TO)為材質(zhì)的透明導(dǎo)電層，接著利用一第五掩膜蝕刻該透明導(dǎo)電層以形成像素電極58。像素電極58 透過預(yù)先形成的連接孔56與薄膜晶體管44的漏極44D電性連接。同時(shí)像素電極58會(huì)形成于開口 49之上，使得共通電極線48與連接區(qū)57電性連接。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
9
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，其包含多個(gè)像素、多行彼此相互平行并朝一第一方向延伸的掃描線以及多列彼此相互平行并朝一第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述多行掃描線是以一第一金屬層制成，用來傳輸掃描信號，所述多列數(shù)據(jù)線是以一第二金屬層制成，用來傳輸數(shù)據(jù)信號，每一像素包含多個(gè)子像素，其特征在于，每一子像素包含一像素電極，由一透明導(dǎo)電層形成；一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管是一對一與所述像素電極、所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線連接；以及一共通電極線，包含一主支干區(qū)、一第一屏蔽金屬區(qū)和一第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述多行掃描線且連接于所述主支干區(qū)，且所述共通電極線由所述第二金屬層構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述共通電極線的主支干區(qū)是呈十字型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，另包含一絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于，位于其中一數(shù)據(jù)線兩邊且連接于其中一掃描線的兩子像素所對應(yīng)的兩共通電極線是電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，另包含二貫穿所述絕緣層的開口，所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述二開口以及所述第一金屬層上，使得所述兩共通電極線通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述兩共通電極線的所述主支干區(qū)通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述兩共通電極線的所述第一屏蔽金屬區(qū)或是所述兩共通電極線的所述第二屏蔽金屬區(qū)是通過所透明導(dǎo)電層以及所述第一金屬層電性連接。
8.一種形成液晶顯示面板的方法，其包含提供一玻璃基板；形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極以及一掃描線；在所述薄膜晶體管的柵極以及所述掃描線上形成一絕緣層；形成所述薄膜晶體管的通道區(qū)域于該絕緣層上；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏極、一共通電極線以及一數(shù)據(jù)線，其中所述共通電極線包含一主支干區(qū)、一第一屏蔽金屬區(qū)和一第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述掃描線且連接于所述主支干區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述形成液晶顯示面板的方法，其特征在于，所述方法另包含在所述數(shù)據(jù)線、所述共通電極線、所述薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護(hù)層；于所述共通電極線下方的所述保護(hù)層蝕刻一開口 ；以及形成一透明導(dǎo)電層于所述開口以及所述第一金屬層上，使得所述共通電極線通過所述透明導(dǎo)電層電性連接所述第一金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述形成液晶顯示面板的方法，其特征在于，所述方法另包含 于所述共通電極線下方的所述保護(hù)層蝕刻所述開口的同時(shí)，并于所述漏極的上方蝕刻所述保護(hù)層以形成一連接孔；及形成所述透明導(dǎo)電層于所述開口以及所述第一金屬層上的同時(shí)，并于所述連接孔的上方形成所述透明導(dǎo)電層以產(chǎn)生一像素電極。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示面板以及其形成方法。該液晶顯示面板包含多個(gè)像素、多行掃描線以及多列數(shù)據(jù)線，所述多行掃描線是以第一金屬層制成，每一像素包含多個(gè)子像素，每一子像素包含像素電極、薄膜晶體管和共通電極線。該共通電極線包含主支干區(qū)、第一屏蔽金屬區(qū)和第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述多行掃描線且連接于所述主支干區(qū)，且所述多列數(shù)據(jù)線和所述共通電極線皆由所述第二金屬層構(gòu)成。因?yàn)閽呙杈€和共通電極線是由不同金屬層在不同蝕刻制程所形成，不僅掃描線和共通電極線之間的距離可以縮短，一部分做為屏蔽金屬區(qū)的共通電極線的寬度也可以適當(dāng)?shù)販p小，因此可以提高像素開口率。
文檔編號G02F1/1362GK102364390SQ20111031825
公開日2012年2月29日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者何海英, 施明宏 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司