專利名稱：內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸控面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前，觸控面板技術(shù)被廣泛應(yīng)用于液晶顯示器，以制作具有可以同時顯示影像以及輸入功能的顯示器，例如電阻式、電容式以及波動式(如音波、紅外線與雷射)等。電容式觸控面板分為外掛電容式觸控面板和內(nèi)嵌電容式觸控面板，其中，外掛電容式觸控面板是將觸控面板與液晶顯示器直接進(jìn)行上下的疊合，內(nèi)嵌電容式觸控面板是將觸控面板融合在液晶顯示器的內(nèi)部。外掛電容式觸控液晶顯示器，由于必須在液晶顯示器上疊合一個觸控面板，使得液晶顯示器的厚度和重量大幅地增加，不符合現(xiàn)在市場對于液晶顯示器輕薄短小的要求，而且由于光穿透觸控面板的層數(shù)眾多，致使光穿透時，光量遭到吸收，光穿透率損失大。在傳統(tǒng)的內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器中，觸控電路設(shè)計在陣列基板上，這種設(shè)計會使內(nèi)置的觸控感應(yīng)電極與液晶顯示器屏幕之間隔有其他材料，導(dǎo)致觸控感應(yīng)電極與液晶顯示器屏幕之間的距離增大，進(jìn)而影響到觸控操作產(chǎn)生的電容變化，使觸控感應(yīng)性能降低，而且，由于將觸控電路內(nèi)置在液晶顯示器中，增加了液晶顯示器的制作工序，使得生產(chǎn)內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法，無需增加原有的液晶顯示器制作工序即可完成電容式觸控面板的設(shè)計，降低了內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本,并且提高了觸控感應(yīng)性能。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一種內(nèi)嵌電容式觸控面板，包括觸控電路，所述觸控電路包括設(shè)置在陣列基板上的感應(yīng)單元和放大單元；所述感應(yīng)單元與所述放大單元連接,所述感應(yīng)單元與陣列基板上顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接；所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為感應(yīng)單元提供開啟電壓，感應(yīng)單元開啟后，感應(yīng)單元中生成一個電壓，觸控操作使所述感應(yīng)單元中的電壓發(fā)生變化，所述放大單元將所述感應(yīng)單元中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導(dǎo)出。所述感應(yīng)單元包括與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第一薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述預(yù)設(shè)電壓線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與感應(yīng)電、容上極板連接；所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供開啟電壓，所述預(yù)設(shè)電壓線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供充電電壓，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管開啟后為所述感應(yīng)電容充電，使感應(yīng)電容上產(chǎn)生電壓，觸控操作使所述感應(yīng)電容上的電壓發(fā)生變化。所述放大單元包括與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第二薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的電源線和觸控數(shù)據(jù)線；所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與所述感應(yīng)電容下極板連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述電源線連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與所述觸控數(shù)據(jù)線連接；所述電源線為所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管提供電源，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管將所述感應(yīng)電容上電壓的變化放大，所述觸控數(shù)據(jù)線將所述放大后的電壓變化導(dǎo)出。還包括導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置在感應(yīng)單元中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極上。所述導(dǎo)電屏蔽物的材質(zhì)為導(dǎo)電聚苯乙烯。一種內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法，包括形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，所述感應(yīng)單元電路與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接；形成彩膜基板；將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中。所述感應(yīng)單元電路包括第一薄膜場效應(yīng)晶體管、感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；所述放大單元電路包括第二薄膜場效應(yīng)晶體管、觸控數(shù)據(jù)線和電源線；所述顯示像素結(jié)構(gòu)包括薄膜場效應(yīng)晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極；所述形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，具體為在基板上形成柵線圖形和柵極絕緣層圖形，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形；在形成有所述柵線圖形和柵極絕緣層圖形的基板上形成薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形；在形成有所述薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極的基板上形成數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形，并同時形成預(yù)設(shè)電壓線圖形、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形、觸控數(shù)據(jù)線圖形和電源線圖形；
在形成有數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的基板上形成鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔；在形成有鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔的基板上形成公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形。形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形包括形成相互連接的第一柵線圖形和第二柵線圖形，所述第一柵線圖形用于形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管，所述第二柵線圖形用于形成感應(yīng)電容。
所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形設(shè)置位置與所述第二柵線圖形設(shè)置位置相對應(yīng)，使所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極與所述第二柵線形成感應(yīng)電容。形成的所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜覆蓋在第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔上。所述形成彩膜基板包括在彩膜基板的公共電極層上貼附導(dǎo)電屏蔽物材料，形成導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置位置與陣列基板上感應(yīng)單元中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極圖形位置相對應(yīng)。所述導(dǎo)電屏蔽物材料為導(dǎo)電聚苯乙烯。本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法，通過在液晶顯示器陣列基板上增加觸控電路來實現(xiàn)液晶顯示器的觸控功能，將制備陣列基板過程中所用的掩模板的設(shè)計增加改變和彩膜基板的制備過程增加改變，無需增加原有的液晶顯示器制作工序即可完成電容式觸控面板的設(shè)計，降低了內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本。本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板在感應(yīng)電容上設(shè)置導(dǎo)電屏蔽物，屏蔽液晶顯示器中液晶電容對感應(yīng)電容的影響，并使感應(yīng)電容與顯示器屏幕之間的距離變短，使感應(yīng)電容更容易的受到人的手指觸控廣生的影響，提聞了觸控感應(yīng)性能。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例中內(nèi)嵌電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例中感應(yīng)單元和放大單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例中內(nèi)嵌電容式觸控面板的原理示意圖；圖4為本發(fā)明實施例中導(dǎo)電屏蔽物的設(shè)置位置示意圖；圖5為本發(fā)明實施例中內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法流程圖；圖6為本發(fā)明實施例中步驟101的流程圖；圖7為本發(fā)明實施例中柵線圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例中薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例中像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實施例中數(shù)據(jù)線圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例中鈍化層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實施例中公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實施例中導(dǎo)電屏蔽物的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明I、陣列基板 2、感應(yīng)單元 3、放大單元 4、柵線 5、第一薄膜場效應(yīng)晶體管6、預(yù)設(shè)電壓線7、感應(yīng)電容8、第二薄膜場效應(yīng)晶體管9、觸控數(shù)據(jù)線10、電源線11、第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔12、電源線過孔13、透明導(dǎo)電膜14、耦合電容15、陣列基板柵線第n+1行16、陣列基板柵線第η行17、導(dǎo)電屏蔽物18、彩膜基板
21、柵線圖形22、第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形23、第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形231、第一柵線圖形232、第二柵線圖形 24、第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形25、第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形26、薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形27、像素電極28、數(shù)據(jù)線圖形29、預(yù)設(shè)電壓線圖形30、觸控數(shù)據(jù)線圖形31、電源線圖形32、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形 35、第二 薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形 36、公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實施例一本發(fā)明實施例提供一種內(nèi)嵌電容式觸控面板，如圖I所示，該內(nèi)嵌電容式觸控面板包括觸控電路，所述觸控電路包括設(shè)置在陣列基板I上的感應(yīng)單元2和放大單元3 ；所述感應(yīng)單元2與所述放大單元3連接,所述感應(yīng)單元與陣列基板I上顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線4連接；所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線4為感應(yīng)單元2提供開啟電壓，感應(yīng)單元2開啟后，感應(yīng)單元2中生成一個電壓，觸控操作使所述感應(yīng)單元2中的電壓發(fā)生變化，所述放大單元3將所述感應(yīng)單元2中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導(dǎo)出。如圖2所示,本發(fā)明實施例中感應(yīng)單元2包括與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第一薄膜場效應(yīng)晶體管5、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的感應(yīng)電容7和預(yù)設(shè)電壓線6 ；本發(fā)明實施例中放大單元3包括與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第二薄膜場效應(yīng)晶體管8、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的電源線10和觸控數(shù)據(jù)線9 ；第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的柵極與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線4連接，第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的源極與預(yù)設(shè)電壓線6連接，第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的漏極與感應(yīng)電容7上極板連接，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的柵極與感應(yīng)電容7下極板連接，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的漏極與觸控數(shù)據(jù)線9連接，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與電源線10分別通過第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔11和電源線過孔12與第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜13連接，即第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與電源線10相連接。顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線4為第一薄膜場效應(yīng)晶體管5提供開啟電壓，預(yù)設(shè)電壓線6為第一薄膜場效應(yīng)晶體管5提供充電電壓,第一薄膜場效應(yīng)晶體管5開啟后為感應(yīng)電容7充電，使感應(yīng)電容7上產(chǎn)生電壓，觸控操作使感應(yīng)電容7上的電壓發(fā)生變化，電源線10為第二薄膜場效應(yīng)晶體管8提供電源，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8將感應(yīng)電容7上電壓的變化放大，觸控數(shù)據(jù)線9將放大后的電壓變化導(dǎo)出。觸控電路的原理如圖3所示，第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的源極與預(yù)設(shè)電壓線6連接，第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的柵極與顯示像素結(jié)構(gòu)中的陣列基板柵線第n+1行15連接，感應(yīng)電容7兩端分別連接第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的漏極與第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的柵極，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與電源線10連接，第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的漏極與感應(yīng)數(shù)據(jù)線9連接。
本發(fā)明實施例中，預(yù)設(shè)電壓線6中加載的預(yù)設(shè)電壓為12V，當(dāng)顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線掃描到第n+1行時，即顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線第n+1行15打開通入柵極電壓后，第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的源極和漏極導(dǎo)通，此時預(yù)設(shè)電壓將為感應(yīng)電容7充電，使感應(yīng)電容7兩端的電壓達(dá)到12V，即與感應(yīng)電容7 —端相連的第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的柵極電壓也為12V，由于第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的導(dǎo)通電壓為12V，所以此時第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極和漏極導(dǎo)通，由于電源線10中加載的電壓為4V，使得觸控數(shù)據(jù)線9的電壓為4V。從當(dāng)陣列基板柵線掃描到第n+2行后，陣列基板柵線第n+1行15關(guān)斷，此時第一薄膜場效應(yīng)晶體管5的源極和漏極不導(dǎo)通，感應(yīng)電容7兩端保持12V的電壓不變化，由于人體自身攜帶電場，所以當(dāng)人的手指觸控顯示器屏幕上與感應(yīng)電容對應(yīng)的區(qū)域時，人的手指會與感應(yīng)電容之間形成一個耦合電容14，帶走感應(yīng)電容7上的一部分電量，使感應(yīng)電容7兩端的電壓降低，即感應(yīng)電容7兩端電壓將小于12V，與感應(yīng)電容7 —端連接的第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的柵極電壓也將小于12V，由于12V是第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的導(dǎo)通電壓，所以此時第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與漏極之間關(guān)斷，觸控數(shù)據(jù)線9的電壓變?yōu)?V。由于人體電場使感應(yīng)電容7上的電壓產(chǎn)生的變化非常小，導(dǎo)致用于檢測觸控信號的芯片很難檢測到這個電壓變化，本發(fā)明實施例在觸控電路中加入放大電路，即在顯示器屏幕上與感應(yīng)電容7對應(yīng)區(qū)域上無觸控操作時，感應(yīng)電容7上電壓無變化，此時第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與漏極導(dǎo)通，觸控數(shù)據(jù)線9電壓為4V，在顯示器屏幕上與感應(yīng)電容對應(yīng)區(qū)域上有觸控操作時，感應(yīng)電容7上電壓變小，此時第二薄膜場效應(yīng)晶體管8的源極與漏極關(guān)斷，觸控數(shù)據(jù)線9電壓為0V，將觸控數(shù)據(jù)線9與檢測觸控信號的芯片連接，這樣就將感應(yīng)電容7上電壓的微小變化放大為從5V到OV的變化，使檢測觸控信號的芯片能夠靈敏的檢測到這個電壓的變化，從而計算出觸控操作的具體位置。如圖4所示，本發(fā)明實施例在感應(yīng)電容7上設(shè)置導(dǎo)電屏蔽物17，導(dǎo)電屏蔽物17的上截面與彩膜基板18連接，導(dǎo)電屏蔽物下截面形狀的大小大于或者等于第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極圖形大小，以便于導(dǎo)電屏蔽物下截面完全覆蓋在感應(yīng)電容7上極板上，導(dǎo)電屏蔽物17的材質(zhì)為導(dǎo)電聚苯乙烯，其作用是將感應(yīng)電容7上極板連接到彩膜基板18上的同時屏蔽陣列基板中液晶電容對觸控電路的影響，現(xiàn)有技術(shù)中感應(yīng)電容與彩膜極板之間隔有液晶層，感應(yīng)電容距離顯示器屏幕較遠(yuǎn)，影響到觸控操作產(chǎn)生的電容變化，使觸控感應(yīng)性能降低，同時，液晶顯示器中的液晶層的電容會對感應(yīng)電容產(chǎn)生影響，而本發(fā)明實施例在感應(yīng)電容上設(shè)置的導(dǎo)電屏蔽物使感應(yīng)電容直接與彩膜基板連接，使感應(yīng)電容與顯示器屏幕之間的距離變短，使感應(yīng)電容更容易的受到人的手指觸控產(chǎn)生的影響，提高了觸控感應(yīng)性能。本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板，通過在液晶顯示器陣列基板上增加觸控電路來實現(xiàn)液晶顯示器的觸控功能，無需增加原有的液晶顯示器制作工序即可完成電容式觸控面板的設(shè)計，降低了內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本。本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板在觸控電路中加入放大電路使檢測觸控信號的芯片能夠更靈敏的檢測到觸控位置的電壓變化，計算出觸控操作的具體位置，本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板在感應(yīng)電容上設(shè)置導(dǎo)電屏蔽物，屏蔽了液晶顯示器中液晶電容對感應(yīng)電容的影響，并使感應(yīng)電容與顯示器屏幕之間的距離變短，使感應(yīng)電容更容易的受到人的手指觸控產(chǎn)生的影響，提高了觸控感應(yīng)性能。實施例二本發(fā)明實施例提供一種內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法，如圖5所示，該制備方法包括101、形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，所述感應(yīng)單元電路與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接，所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為所述感應(yīng)單元電路提供開啟電壓，感應(yīng)單元電路開啟后，感應(yīng) 單元電路中生成一個電壓，觸控操作使所述感應(yīng)單元電路中的電壓發(fā)生變化，所述放大單元電路將所述感應(yīng)單元電路中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導(dǎo)出；102、形成彩膜基板；103、將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中。下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的制備方法進(jìn)行詳細(xì)地描述。所述感應(yīng)單元電路包括第一薄膜場效應(yīng)晶體管、感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；所述放大單元電路包括第二薄膜場效應(yīng)晶體管、觸控數(shù)據(jù)線和電源線；所述顯示像素結(jié)構(gòu)包括薄膜場效應(yīng)晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極；其中，步驟101、形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，如圖6所示，該步驟具體包括1011、在基板上形成柵線圖形和柵極絕緣層圖形，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形；如圖7所示，第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形22與柵線圖形21連接，第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形23包括相互連接的第一柵線圖形231和第二柵線圖形232，所述第一柵線圖形231用于形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管，所述第二柵線圖形232用于形成感應(yīng)電容，第二柵線圖形作為感應(yīng)電容的下極板。1012、在形成有所述柵線圖形和柵極絕緣層圖形的基板上形成薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形；如圖8所示，薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形26與薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形對應(yīng)設(shè)置，第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形24與第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形對應(yīng)設(shè)置，第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形25與第一柵線圖形對應(yīng)設(shè)置。如圖9所示，在柵極絕緣層上沉積像素電極材料，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極27 ；1013、在形成有所述薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極的基板上形成數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形，并同時形成預(yù)設(shè)電壓線圖形、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形、觸控數(shù)據(jù)線圖形和電源線圖形；如圖10所示，在形成有所述薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極的基板上沉積數(shù)據(jù)線層材料，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線圖形28、薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形37、預(yù)設(shè)電壓線圖形29、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形32、觸控數(shù)據(jù)線圖形30和電源線圖形31，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形32設(shè)置位置與所述第二柵線圖形232設(shè)置位置相對應(yīng)，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形32與所述第二柵線圖形232之間夾有柵極絕緣層，使所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極與所述第二柵線形成感應(yīng)電容；1014、在形成有數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的基板上形成鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔；如圖11所示，在形成有數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的基板上沉積鈍化層材料，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層圖形，在鈍化層圖形上留有薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔、第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔11和電源線過孔12 ；1015、在形成有鈍化層和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔的基板上形成公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形。如圖12所示，在鈍化層圖形上沉積透明導(dǎo)電膜層材料，通過構(gòu)圖工藝形成公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形36和第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形35，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜覆蓋在第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔上，使得第二薄膜場效應(yīng)晶體管的源極和電源線分別通過第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔與第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜連接，即第二薄膜場效應(yīng)晶體管的源極和電源線連接。步驟102、形成彩膜基板，具體包括本發(fā)明實施例在彩膜基板的公共電極層上貼附導(dǎo)電屏蔽物材料，形成導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置位置與陣列基板上觸控電路中第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的位置相對應(yīng)，導(dǎo)電屏蔽物下截面形狀的大小大于或者等于第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極圖形大小，以便于在彩膜基板和陣列基板對盒封裝后，導(dǎo)電屏蔽物能夠覆蓋在觸控電路中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極圖形上，所述導(dǎo)電屏蔽物材料為導(dǎo)電聚苯乙烯。步驟103、將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中，如圖13所示，將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒后，導(dǎo)電屏蔽物17的上截面與彩膜基板18連接，下截面完全覆蓋在第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形32上，即完全覆蓋在感應(yīng)電容上極板上，其作用是將感應(yīng)電容上極板連接到彩膜基板上的同時屏蔽液晶顯示器中液晶電容對觸控電路的影響?，F(xiàn)有技術(shù)中感應(yīng)電容與彩膜極板之間隔有液晶層，感應(yīng)電容距離顯示器屏幕較遠(yuǎn)，影響到觸控操作產(chǎn)生的電容變化，使觸控感應(yīng)性能降低，同時，液晶顯示器中的液晶層的電容會對感應(yīng)電容產(chǎn)生影響，而本發(fā)明實施例在感應(yīng)電容上設(shè)置的導(dǎo)電屏蔽物屏蔽了液晶電容對感應(yīng)電容的影響，使感應(yīng)電容直接與彩膜基板連接，使感應(yīng)電容與顯示器屏幕之間的距離變短，使感應(yīng)電容更容易的受到人的手指觸控產(chǎn)生的影響，提高了觸控感應(yīng)性能。本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法，通過在液晶顯示器陣列基板上增加觸控電路來實現(xiàn)液晶顯示器的觸控功能，將制備陣列基板過程中用到的掩模板的設(shè)計增加改變和彩膜基板的制備過程增加改變，無需增加原有的液晶顯示器制作工序即可完成電容式觸控面板的設(shè)計，降低了內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本。本發(fā)明實施例提、供的內(nèi)嵌電容式觸控面板在感應(yīng)電容上設(shè)置導(dǎo)電屏蔽物，屏蔽液晶顯示器中液晶電容對感應(yīng)電容的影響，并使感應(yīng)電容與顯示器屏幕之間的距離變短，使感應(yīng)電容更容易的受到人的手指觸控廣生的影響，提聞了觸控感應(yīng)性能。以 上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，包括觸控電路，所述觸控電路包括設(shè)置在陣列基板上的感應(yīng)單元和放大單元； 所述感應(yīng)單元與所述放大單元連接,所述感應(yīng)單元與陣列基板上顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接； 所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為感應(yīng)單元提供開啟電壓，感應(yīng)單元開啟后，感應(yīng)單元中生成一個電壓，觸控操作使所述感應(yīng)單元中的電壓發(fā)生變化，所述放大單元將所述感應(yīng)單元中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導(dǎo)出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述感應(yīng)單元包括 與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第一薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線； 所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述預(yù)設(shè)電壓線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與感應(yīng)電容上極板連接； 所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供開啟電壓，所述預(yù)設(shè)電壓線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供充電電壓，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管開啟后為所述感應(yīng)電容充電，使感應(yīng)電容上產(chǎn)生電壓，觸控操作使所述感應(yīng)電容上的電壓發(fā)生變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述放大單元包括 與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第二薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的電源線和觸控數(shù)據(jù)線； 所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與所述感應(yīng)電容下極板連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述電源線連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與所述觸控數(shù)據(jù)線連接； 所述電源線為所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管提供電源，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管將所述感應(yīng)電容上電壓的變化放大，所述觸控數(shù)據(jù)線將所述放大后的電壓變化導(dǎo)出。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，還包括導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置在感應(yīng)單元中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)電屏蔽物的材質(zhì)為導(dǎo)電聚苯乙烯。
6.—種內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法,其特征在于,包括 形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，所述感應(yīng)單元電路與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接； 形成彩膜基板； 將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述感應(yīng)單元電路包括第一薄膜場效應(yīng)晶體管、感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；所述放大單元電路包括第二薄膜場效應(yīng)晶體管、觸控數(shù)據(jù)線和電源線；所述顯示像素結(jié)構(gòu)包括薄膜場效應(yīng)晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極； 所述形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，具體為在基板上形成柵線圖形和柵極絕緣層圖形，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形； 在形成有所述柵線圖形和柵極絕緣層圖形的基板上形成薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極，并同時形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形； 在形成有所述薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極的基板上形成數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形，并同時形成預(yù)設(shè)電壓線圖形、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形、觸控數(shù)據(jù)線圖形和電源線圖形； 在形成有數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的基板上形成鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔； 在形成有鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔的基板上形成公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形，并同時形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形包括形成相互連接的第一柵線圖形和第二柵線圖形，所述第一柵線圖形用于形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管，所述第二柵線圖形用于形成感應(yīng)電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形設(shè)置位置與所述第二柵線圖形設(shè)置位置相對應(yīng)，使所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極與所述第二柵線形成感應(yīng)電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成的所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜覆蓋在第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔上。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述形成彩膜基板包括在彩膜基板的公共電極層上貼附導(dǎo)電屏蔽物材料，形成導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置位置與陣列基板上感應(yīng)單元中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極圖形位置相對應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電屏蔽物材料為導(dǎo)電聚苯乙烯。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法，涉及觸控面板技術(shù)領(lǐng)域，降低了內(nèi)嵌電容式觸控液晶顯示器的成本，并且提高了觸控感應(yīng)性能。內(nèi)嵌電容式觸控面板，包括觸控電路，所述觸控電路包括設(shè)置在陣列基板上的感應(yīng)單元和放大單元；所述感應(yīng)單元與所述放大單元連接，所述感應(yīng)單元與陣列基板上顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接。內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法，包括形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板；形成彩膜基板；將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中。
文檔編號G02F1/1362GK102654664SQ201110267828
公開日2012年9月5日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者陳東, 黎蔚 申請人:北京京東方光電科技有限公司