專利名稱：顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于顯示領(lǐng)域，特別是有關(guān)于一種顯示器。
背景技術(shù)：
電濕潤(rùn)顯示器(electrowetting display)包括多個(gè)電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)，其中每一電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)可包括擋墻、像素電極、絕緣層、疏水層、極性流體以及非極性流體。 絕緣層配置于像素電極表面，而疏水層覆蓋絕緣層。其中非極性流體配置于疏水層表面，而極性流體覆蓋住非極性流體，以及擋墻配置于疏水層上以區(qū)隔兩個(gè)相鄰的像素結(jié)構(gòu)。當(dāng)每一電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)在處于被施加電壓的狀態(tài)時(shí)，極性流體透過(guò)靜電力的驅(qū)動(dòng)，使極性流體和電極親合接觸，并將非極性流體推動(dòng)至與對(duì)應(yīng)于該像素之疏水層的一個(gè)角落，其中非極性流體坐落的位置依照各個(gè)像素電極的設(shè)計(jì)方式而定。一般而言，非極性流體為具有顏色可為油或者其它材料的非極性流動(dòng)介質(zhì)，在非極性流體中的顏色可以使用顏料或者染料，極性流動(dòng)介質(zhì)為透明的水或者醇類等極性流動(dòng)介質(zhì)。因此，光線在通過(guò)加入染料的非極性流體后，光線會(huì)被非極性流體中的染料吸收而顯示非極性流體中的染料顏色，反之，光線則穿透透明的極性流體。換言之，對(duì)電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)施加電壓，會(huì)使極性流體與電極親合而將非極性流體推動(dòng)到擋墻旁。如此一來(lái)，透過(guò)電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)被施加電壓以及未被施加電壓兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，可造成顯示上的灰階變化，進(jìn)而使電濕潤(rùn)顯示器達(dá)到顯示畫(huà)面的效果。一般來(lái)說(shuō)，為了確保非極性流體收縮的一致性，會(huì)使用圖案化像素電極將非極性流體限縮在每一電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)的邊角處，以達(dá)到上述的顯示畫(huà)面效果。舉例來(lái)說(shuō)，如圖IA與圖IB所示，像素區(qū)114包括像素電極分布區(qū)118與無(wú)電極區(qū)116，其中像素電極PE 配置于像素電極分布區(qū)118內(nèi)，且具有對(duì)應(yīng)于無(wú)電極區(qū)116的1/4圓形缺角(如圖IA所示)或1/4方形缺角(如圖IB所示)。這些形狀的圖案化像素電極可以提升電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)被施加電壓以及未被施加電壓兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換速度。圖2A至圖2E為極性流體在具有圖IA所示的像素電極PE的電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)中，由無(wú)施加電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變成施加電壓狀態(tài)的收縮過(guò)程立體示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2E， 值得注意的是，為了加快反應(yīng)速度而在提高電壓下驅(qū)動(dòng)電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)時(shí)，這些圖案化像素電極PE的構(gòu)形可能會(huì)導(dǎo)致非極性流體134(在圖中以均勻點(diǎn)表示)在收縮過(guò)程中會(huì)發(fā)生分裂(如圖2D所示的破裂狀)，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后才逐漸收縮回到電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)的無(wú)電極區(qū)116，此非極性流體134的分裂過(guò)程易使得電濕潤(rùn)顯示器的開(kāi)口率降低、反應(yīng)時(shí)間增加、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜化增加以及顯示質(zhì)量下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器，使得顯示器具有較快的反應(yīng)速度、較穩(wěn)定的灰階驅(qū)動(dòng)顯示以及較佳的顯示質(zhì)量。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種顯示器，包括一像素矩陣基板、一對(duì)向基板以及一流動(dòng)介質(zhì)。像素矩陣基板包括一第一基板與多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。第一基板包括多個(gè)像素區(qū)，各像素區(qū)包括一像素電極分布區(qū)與一無(wú)電極區(qū)。像素結(jié)構(gòu)配置于像素區(qū)中，其中各像素結(jié)構(gòu)包括一像素電極、一絕緣層以及一疏水層。像素電極配置于電極分布區(qū)中，且具有至少一狹縫，至少一狹縫的延伸方向由無(wú)電極區(qū)朝向像素電極分布區(qū)。絕緣層覆蓋像素電極。疏水層覆蓋絕緣層。流體介質(zhì)包括極性流體與非極性流體。對(duì)向基板包括一第二基板以及一共用電極，共用電極位于第二基板上且與極性流體接觸。極性流體與非極性流體存在于第一基板與第二基板之間，當(dāng)像素電極與共用電極之間具有一電壓差時(shí)，非極性流體收縮于無(wú)電極區(qū)中。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
圖IA與圖IB分別為現(xiàn)有的一種顯示器的像素電極的上視示意圖；圖2A至圖2E為極性流體在具有圖IA所示的像素電極的電濕潤(rùn)顯示像素結(jié)構(gòu)中由無(wú)施加電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變成施加電壓狀態(tài)的收縮過(guò)程立體示意圖；圖3是本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的局部上視剖面示意圖；圖4A與圖4B為圖3的像素結(jié)構(gòu)處于未被施加電壓狀態(tài)下的剖面示意圖與上視示意圖；圖4C與圖4D為圖3的像素結(jié)構(gòu)處于被施加電壓狀態(tài)下的剖面示意圖與上視示意圖；圖5A至圖5F為自圖4B的狀態(tài)轉(zhuǎn)變成圖4D的狀態(tài)的過(guò)程立體示意圖；圖6A為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6B為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6C為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6D為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6E為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6F為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖6G為本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的像素電極的上視示意圖；圖7A至圖7F為非極性流體在圖6A所示的像素電極由未施加電壓轉(zhuǎn)換成施加電壓下進(jìn)行縮放動(dòng)作的過(guò)程示意圖；圖8為本發(fā)明的顯示器與現(xiàn)有的顯示器在施加電壓期間于不同時(shí)間內(nèi)所能達(dá)到的可視區(qū)域百分率的仿真關(guān)系圖。其中，附圖標(biāo)記100 顯示器110:像素矩陣基板112、122:基板114:像素區(qū)116:無(wú)電極區(qū)118:像素電極分布區(qū)120:對(duì)向基板
124:共用電極130 流動(dòng)介質(zhì)132 極性流體134 非極性流體200 像素結(jié)構(gòu)210、210a、210b、210c、210d、210e、210f、210g、PE 像素電極212 狹縫214 突出部220 絕緣層230:疏水層240 擋墻Dl 延伸方向d 距離
具體實(shí)施例方式圖3是本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示器的局部上視剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，本實(shí)施例的顯示器100包括一像素矩陣基板110、一對(duì)向基板120以及一流動(dòng)介質(zhì)130。像素矩陣基板110包括一第一基板112以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)200。像素結(jié)構(gòu)200例如是矩陣配置于第一基板112上。在本實(shí)施例中，對(duì)向基板120包括一第二基板122以及一共用電極124，其中共用電極1 位于第二基板122上。流動(dòng)介質(zhì)130包括一極性流體132與一非極性流體134(在圖4A至圖4D中以均勻密點(diǎn)表示)，流動(dòng)于像素矩陣基板110與對(duì)向基板120之間，且極性流體132與非極性流體134彼此不會(huì)互溶。實(shí)務(wù)上，可利用帶有顏色的油或其它非極性溶液的流動(dòng)介質(zhì)作為非極性流體134，以及以透明的水溶液或醇類的流動(dòng)介質(zhì)作為極性流體132，但本發(fā)明不以此為限。圖4A與圖4B為圖3的像素結(jié)構(gòu)處于未被施加電壓狀態(tài)下的剖面示意圖與上視示意圖，以及圖4C與圖4D為圖3的像素結(jié)構(gòu)處于被施加電壓狀態(tài)下的剖面示意圖與上視示意圖，其中為了清楚說(shuō)明非極性流體的收縮行為與像素電極構(gòu)形之間的關(guān)系，圖4B與圖4D中省略繪示絕緣層、疏水層、對(duì)向基板以及極性流體。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3至圖4D，在本實(shí)施例中，第一基板112包括多個(gè)像素區(qū)114，各像素區(qū)114包括一無(wú)電極區(qū)116與一像素電極分布區(qū)118。其中，無(wú)電極區(qū)116中未設(shè)置電極，且當(dāng)像素矩陣基板110中的像素電極210與對(duì)向基板120中的共用電極IM之間具有一電壓差時(shí)，極性流體132透過(guò)靜電力與像素電極210親合會(huì)將非極性流體134推動(dòng)至無(wú)電極區(qū)116范圍內(nèi)(如圖4C與圖4D所示)。像素電極分布區(qū)118則為像素區(qū)114扣除無(wú)電極區(qū)116后的范圍。在本實(shí)施例中，無(wú)電極區(qū)116的形狀可例如是1/4圓形，在其它實(shí)施例中，無(wú)電極區(qū)116的形狀亦可以是方形、三角形、梯形、多角形等多邊形或其它形狀。特別一提的是，由于無(wú)電極區(qū)116與像素電極分布區(qū)118是根據(jù)非極性流體134收縮后所分布的范圍來(lái)定義，因此在不影響非極性流體134收縮于無(wú)電極區(qū)116的前提下，無(wú)電極區(qū)116中亦有可能分布有一部分的像素電極210，將于后文中詳述。
像素結(jié)構(gòu)200配置于像素區(qū)114中，其中各像素結(jié)構(gòu)200包括一像素電極210、一絕緣層220、一疏水層230以及一擋墻M0。上述的基板112的像素區(qū)114上依序堆棧像素電極210、絕緣層220以及疏水層230。疏水層230上依序覆蓋有非極性流體134與極性流體132。擋墻240用以區(qū)隔兩相鄰的像素結(jié)構(gòu)200。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4B與圖4D，像素電極210配置于電極分布區(qū)118中，且具有至少一狹縫212，至少一狹縫212的延伸方向Dl由無(wú)電極區(qū)116向像素電極分布區(qū)118延伸。在本實(shí)施例中，狹縫212例如是與無(wú)電極區(qū)116連通，或狹縫212例如是多數(shù)個(gè)放射狀排列的長(zhǎng)條狀或針狀狹縫。換言之，狹縫212例如是沿著無(wú)電極區(qū)116邊緣呈放射狀排列且延伸至像素電極分布區(qū)118。狹縫212的形狀例如是針狀(如圖4B與圖4D所示)、條狀、橢圓狀、多邊形狀、樹(shù)枝狀、雪花狀、波浪狀或其它形狀，以及狹縫212的寬度例如是實(shí)質(zhì)上介于1 30 μ m。再者，無(wú)電極區(qū)116與狹縫212的面積總合可例如是像素區(qū)114的面積的10% 80%。在本實(shí)施例中，可透過(guò)像素矩陣基板110中的像素電極210以及對(duì)向基板120中的共用電極1 兩者之間的電壓差來(lái)決定流動(dòng)介質(zhì)130的縮放狀態(tài)，以及像素電極210的狹縫212使得非極性流體134可循著狹縫212的路徑來(lái)進(jìn)行縮放的動(dòng)作，而不會(huì)發(fā)生非極性流體134的分裂狀態(tài)。具體而言，如圖4A與圖4B所示，當(dāng)無(wú)施加電壓時(shí)，流動(dòng)介質(zhì)130的極性流體132與非極性流體134可均勻地覆蓋第一基板112，也就是覆蓋第一基板112的各像素區(qū)114。如此，背光或環(huán)境光會(huì)被帶有顏色(例如黑色)的非極性流體134所吸收，使顯示器100顯示該顏色(例如黑色)。反之，如圖4C與圖4D所示，當(dāng)施加電壓時(shí)，極性流體132透過(guò)靜電力與像素電極210親合會(huì)將非極性流體134推動(dòng)至無(wú)電極區(qū)116范圍內(nèi)。此舉會(huì)使非極性流體134被排擠到擋墻240旁并使非極性流體134分布范圍縮小，且集中至像素區(qū)114的無(wú)電極區(qū)116中。此時(shí)，背光可穿透透明的極性流體132，或者環(huán)境光可被第一基板112所反射，使顯示器100達(dá)到顯示畫(huà)面的效果。在本實(shí)施例中，像素電極210具有至少一狹縫212，就位于任一狹縫212兩旁的像素電極210的兩側(cè)表面而言，其可提供側(cè)向的推力，使非極性流體134可循著疏水層230上對(duì)應(yīng)至狹縫212的路徑來(lái)進(jìn)行縮放的動(dòng)作，以由圖4A與圖4B所示的狀態(tài)轉(zhuǎn)換至由圖4C與圖4D所示的狀態(tài)。圖5A至圖5F為自圖4B的狀態(tài)轉(zhuǎn)變成圖4D的狀態(tài)的過(guò)程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5A至圖5F，更詳細(xì)地說(shuō)，自圖4B的狀態(tài)轉(zhuǎn)變成圖4D的狀態(tài)的過(guò)程中，由于非極性流體134可依循著對(duì)應(yīng)于狹縫212的路徑流動(dòng)，因此非極性流體134可循著狹縫212的排列方式而流動(dòng)，以收縮至擋墻MO的一角落。反之，當(dāng)圖4D的狀態(tài)轉(zhuǎn)變成圖4B的狀態(tài)時(shí)，透過(guò)疏水層230的作用，非極性流體134將極性流體隔絕于像素矩陣基板110，以進(jìn)一步達(dá)到全面性覆蓋的樣貌。特別注意到的是，像素電極210的構(gòu)形使得非極性流體134可依循著對(duì)應(yīng)于狹縫212的路徑流動(dòng)，因而非極性流體134在收縮過(guò)程中不會(huì)有破碎而不連續(xù)的狀態(tài)發(fā)生，以加速非極性流體134在未施加電壓狀態(tài)與施加電壓狀態(tài)之間的縮放速度。換言之，像素結(jié)構(gòu)200能迅速地在被施加電壓以及未被施加電壓兩種狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。特別一提的是，雖然在本實(shí)施例中是以像素電極210具有呈放射狀排列的多個(gè)針狀狹縫212為例，但像素電極210的狹縫可以具有其它數(shù)目、構(gòu)形以及排列方式。舉例來(lái)說(shuō)，在另一實(shí)施例中，如圖6A所示，像素電極210a可以具有一個(gè)狹縫212，其中狹縫212例如是與無(wú)電極區(qū)116連通且具有一致的寬度。在又一實(shí)施例中，如圖6B所示，像素電極210b的狹縫212例如是與無(wú)電極區(qū)116不連通，且狹縫212與無(wú)電極區(qū)116之間的距離d例如是實(shí)質(zhì)上小于30 μ m。在另一實(shí)施例中，像素電極210c例如是更包括至少一突出部214，突出部214例如是由像素電極分布區(qū)118延伸至無(wú)電極區(qū)116中，詳言之，突出部214例如是沿著無(wú)電極區(qū)116的邊緣配置。再者，在另一實(shí)施例中，如圖6D與圖6E所示，像素電極210d、210e的狹縫212例如是沿著像素電極分布區(qū)118的部分邊緣配置。其中，特別注意的是，狹縫212與像素電極210d、210e的邊緣之間的距離d例如是實(shí)質(zhì)上介于1 30 μ m，較佳為大于20 μ m。此外，在又一實(shí)施例中，如圖6F與圖6G所示，像素電極210f、210g的狹縫212例如是樹(shù)枝狀(如圖6F所示)或雪花狀(如圖6G所示)，其中狹縫212的寬度可以相同或不同。特別說(shuō)明的是，非極性流體134的縮放動(dòng)作會(huì)根據(jù)像素電極的構(gòu)形而不同。以圖6A所示的像素電極210a為例，圖7A至圖7F為非極性流體134在像素電極210a由未施加電壓轉(zhuǎn)換成施加電壓下進(jìn)行縮放動(dòng)作的過(guò)程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7A至圖7F，非極性流體134可依循著對(duì)應(yīng)于狹縫212的路徑流動(dòng)，因而非極性流體134在收縮過(guò)程中不會(huì)有破碎而不連續(xù)的狀態(tài)發(fā)生，以加速非極性流體134在未施加電壓狀態(tài)與施加電壓狀態(tài)之間的縮放速度。如此一來(lái)，像素結(jié)構(gòu)能迅速地在被施加電壓以及未被施加電壓兩種狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。在上述的實(shí)施例中，由于像素電極具有延伸方向由無(wú)電極區(qū)朝向像素電極分布區(qū)的狹縫，使得非極性流體可依循著對(duì)應(yīng)于狹縫的路徑來(lái)進(jìn)行收縮的動(dòng)作，以避免非極性流體在收縮過(guò)程中有分裂的現(xiàn)象發(fā)生，特別是能避免在高電壓驅(qū)動(dòng)下非極性流體可能發(fā)生的分裂現(xiàn)象。如此一來(lái)，可增加顯示器的反應(yīng)速度、達(dá)到穩(wěn)定的灰階驅(qū)動(dòng)顯示以及降低驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的復(fù)雜度。接下來(lái)將以模擬例來(lái)驗(yàn)證本發(fā)明的效果。圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器與現(xiàn)有的顯示器在施加電壓期間于不同時(shí)間內(nèi)所能達(dá)到的可視區(qū)域百分率的模擬關(guān)系圖，以表示顯示器的反應(yīng)時(shí)間，其中可視區(qū)域百分率表示在單一像素區(qū)中可視區(qū)域所占的百分率，本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器1與顯示器2分別具有圖6A與圖4B所示的像素電極，以及現(xiàn)有的顯示器具有圖IB所示的像素電極PE，其中像素電極PE配置于像素區(qū)114的像素電極分布區(qū)118內(nèi)，且具有1/4方型的缺角(即無(wú)電極區(qū)116)。由圖8可知，在相同的時(shí)間內(nèi)，相較于現(xiàn)有的顯示器，本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器1與顯示器2可達(dá)到較大的可視區(qū)域百分率。換言之，本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器1與顯示器2具有較快的反應(yīng)速度。由上述實(shí)驗(yàn)可合理推論，在像素電極中設(shè)置延伸方向由無(wú)電極區(qū)朝向像素電極分布區(qū)的狹縫確實(shí)能加速非極性流體的收縮行為，并避免其在收縮過(guò)程中發(fā)生分裂，因而顯示器可具有較快的反應(yīng)速度。在本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極具有延伸方向由無(wú)電極區(qū)朝向像素電極分布區(qū)的狹縫，狹縫能提升非極性流體收縮至無(wú)電極區(qū)以避免其在收縮過(guò)程中發(fā)生分裂，進(jìn)而增加反應(yīng)速度。如此一來(lái)，使得顯示器具有較快的反應(yīng)速度、較穩(wěn)定的灰階驅(qū)動(dòng)顯示以及較佳的顯示質(zhì)量。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示器，其特征在于，包括 一像素矩陣基板，包括一第一基板，包括多個(gè)像素區(qū)，各該像素區(qū)包括一像素電極分布區(qū)與一無(wú)電極區(qū)； 多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，配置于該些像素區(qū)中，其中各該像素結(jié)構(gòu)包括 一像素電極，配置于該電極分布區(qū)中，且具有至少一狹縫，該至少一狹縫的延伸方向由該無(wú)電極區(qū)朝向該像素電極分布區(qū)； 一絕緣層，覆蓋該像素電極；以及一疏水層，覆蓋該絕緣層；一流動(dòng)介質(zhì)，包括一極性流體與一非極性流體；以及一對(duì)向基板，包括 一第二基板；以及一共用電極，位于該第二基板上且與該極性流體接觸，其中該極性流體與該非極性流體存在于該第一基板與該第二基板之間，當(dāng)該像素電極與該共用電極之間具有一電壓差時(shí)，該非極性流體收縮于該無(wú)電極區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫與該無(wú)電極區(qū)連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫與該無(wú)電極區(qū)不連通，且該至少一狹縫與該無(wú)電極區(qū)之間的距離小于30 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫的形狀包括條狀、針狀、 橢圓狀、多邊形狀、波浪狀、樹(shù)枝狀或雪花狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該無(wú)電極區(qū)的形狀包括方形、1/4圓形、 三角形、梯形或多角形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫為多個(gè)狹縫，該些狹縫沿著該無(wú)電極區(qū)與該像素電極分布區(qū)的交界邊緣呈放射狀排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫位于該像素電極分布區(qū)的邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該至少一狹縫的寬度介于1 30μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該像素電極更包括至少一突出部，該至少一突出部由該像素電極分布區(qū)延伸至該無(wú)電極區(qū)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，該無(wú)電極區(qū)與該至少一狹縫的面積總合為該像素區(qū)的面積的10% 80%。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示器，包括像素矩陣基板、對(duì)向基板及流動(dòng)介質(zhì)。像素矩陣基板包括具多個(gè)像素區(qū)的第一基板與配置于像素區(qū)的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。像素區(qū)包括像素電極分布區(qū)與無(wú)電極區(qū)。像素結(jié)構(gòu)包括像素電極、絕緣層及疏水層。像素電極配置于電極分布區(qū)中，且具有延伸方向由無(wú)電極區(qū)朝向像素電極分布區(qū)的至少一狹縫。對(duì)向基板包括第二基板以及共用電極，共用電極位于第二基板上且與極性流體接觸。流體介質(zhì)包括極性流體與非極性流體，流動(dòng)于像素矩陣基板與對(duì)向基板之間。當(dāng)像素電極與共用電極之間具有一電壓差時(shí)，非極性流體收縮于無(wú)電極區(qū)中。
文檔編號(hào)G02B26/02GK102385156SQ20111026307
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者古昀生, 羅國(guó)隆, 蔡宇翔, 鄭惟元, 陳慶耀, 黃裕盛 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院