專利名稱：相位差元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種相位差元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種利用電場誘導(dǎo)方式形成的相位差元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，提供三維(3D)顯示功能的顯示器包括顯示面板及3D顯示板。顯示面板例如是液晶顯示面板。3D顯示板例如是由圖案化相位差板及1/4波片所組成。光線經(jīng)過圖案化相位差板及1/4波片后以左旋偏振光及右旋偏振光出光,左旋偏振光及右旋偏振光進(jìn)入左偏光鏡片及右偏光鏡片，以讓觀看者接收到一立體影像。一般而言，制造圖案化相位差板的過程中，是采用光配向方式或蝕刻方式于配向 膜上形成多個(gè)溝槽。具有雙折射特性的分子形成于溝槽內(nèi)，借以使通過的光其相位發(fā)生變化。然而，光配向方式及蝕刻方式皆屬破壞式方式，故會(huì)有浪費(fèi)材料及廢料處理問題。特別是蝕刻方式，其對(duì)環(huán)境的破壞相當(dāng)大。在環(huán)保意識(shí)日益抬頭的趨勢下，業(yè)界開始尋求相對(duì)較潔凈且非破壞式的制造過程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種相位差元件及其制造方法，其較環(huán)保且屬于非破壞式的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提出一種相位差元件。相位差元件包括多個(gè)第一類液晶分子及數(shù)個(gè)第二類液晶分子。該些第一類液晶分子是已聚合并以一第一角度排列。該些第二類液晶分子是已聚合并以一第二角度排列。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提出一種相位差元件的制造方法。制造方法包括以下步驟。形成多個(gè)類液晶分子于一基板上；施加一第一電場引導(dǎo)該些類液晶分子以一第一角度排列；以及聚合該些類液晶分子。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說明，其中圖I繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的相位差元件的制造方法流程圖。圖2A至2D繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的相位差元件的制造示意圖。圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的相位差元件的制造示意圖。圖4繪示依照本發(fā)明又一實(shí)施例的相位差元件的制造示意圖。圖5繪示依照本發(fā)明又一實(shí)施例的相位差元件的示意圖。主要元件符號(hào)說明100、200、300 :相位差元件
110:基板111 :基材Illu :上表面112:電極112a:第一電極112b:第二電極112c:第三電極
120 :類液晶分子120a :第一類液晶分子120b :第二類液晶分子222 :脫膜層Al :第一角度A2 :第二角度A3 :角度L :光線El :第一電場E2:第二電場R1、R2:分布區(qū)域
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)DI及圖2A圖2D，圖I繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的相位差元件的制造方法流程圖，圖2A至圖2D繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的相位差元件的制造示意圖。首先，如圖2A所示，于步驟S102中，形成多個(gè)類液晶分子120 (圖2A以層結(jié)構(gòu)表示)于基板Iio上。該些類液晶分子120包括數(shù)個(gè)第一類液晶分子120a (繪示于圖2C)及數(shù)個(gè)第二類液晶分子120b (繪示于圖2C)?；?11例如是金屬基板、塑料基板、硅基板或FFS基板。形成類液晶分子120的方法例如是涂布方法,如印刷(printing)、旋涂(spinning)或噴涂(Ink jet) ο一種類液晶分子120的分子式例如是
權(quán)利要求
1.一種相位差元件的制造方法,包括 形成多個(gè)第一類液晶分子于一基板上； 施加一第一電場引導(dǎo)所述第一類液晶分子以一第一角度排列；以及 聚合所述第一類液晶分子。
2.如權(quán)利要求I所述的制造方法，更包括 形成多個(gè)第二類液晶分子于該基板上； 施加一第二電場引導(dǎo)所述第二類液晶分子以一第二角度排列；以及 聚合所述第二類液晶分子。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述電極包括多個(gè)第一電極及多個(gè)第二電極；該第一電場透過所述第一電極引導(dǎo)所述第一類液晶分子，該第二電場透過所述第二電極引導(dǎo)所述第二類液晶分子。
4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極與所述第二電極之間夾一角度。
5.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，聚合所述第一類液晶分子及聚合所述第二類液晶分子是以光照或加熱完成。
6.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，以該第一電場引導(dǎo)所述第一類液晶分子的該步驟與以該第二電場引導(dǎo)所述第二類液晶分子的該步驟系整合于同一制程完成，其中該第一電場與該第二電場是同時(shí)產(chǎn)生；于聚合所述第一類液晶分子的該步驟及聚合所述第二類液晶分子的該步驟是整合于同一制程完成。
7.如權(quán)利要求I所述的制造方法，更包括 提供一基板，該基板包括一基材及數(shù)個(gè)電極，所述電極配置于該基材中，該第一電場是經(jīng)由所述電極引導(dǎo)所述第一類液晶分子。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，更包括 形成一脫膜層于該基板上；以及 于形成所述第一類液晶分子于該基板的該步驟中，所述第一類液晶分子形成于該脫膜層上。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，更包括 分離所述第一類液晶分子與該基板，其中該脫膜層是保留在該基板上。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，更包括 分離所述第一類液晶分子與該基板，其中該脫膜層是保留在所述第一類液晶分子上。
11.如權(quán)利要求I所述的制造方法，更包括 移除該基板。
12.—種相位差元件,包括 多個(gè)第一類液晶分子，所述第一類液晶分子是已聚合并以一第一角度排列；以及 多個(gè)第二類液晶分子，所述第二類液晶分子是已聚合并以一第二角度排列。
13.如權(quán)利要求12所述的相位差元件，更包括一基板，該基板包括 一基材；以及 多個(gè)電極，系配置于該基材中； 其中，所述第一類液晶分子及所述第二類液晶分子形成于該基板上。
14.如權(quán)利要求13所述的相位差元件，其特征在于，該基材具有一上表面，所述電極配置于該基材的該上表面上。
15.如權(quán)利要求13所述的相位差元件，其特征在于，所述電極包括多個(gè)第一電極及多個(gè)第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間夾一角度。
16.如權(quán)利要求12所述的相位差元件，更包括 一脫膜層，所述第一類液晶分子及所述第二類液晶分子形成于該脫膜層上。
17.如權(quán)利要求13所述的相位差元件，其特征在于，該基材是金屬基板、塑料基板、玻璃基板或硅基板。
18.如權(quán)利要求13所述的相位差元件，其特征在于，該基材是透光基材。
19.如權(quán)利要求13所述的相位差元件，其特征在于，該基材是非透光基材。
全文摘要
本發(fā)明提供一種相位差元件及其制造方法。制造方法包括以下步驟。首先，形成多個(gè)類液晶分子于基板上。然后，施加第一電場引導(dǎo)類液晶分子以一角度排列。然后，聚合類液晶分子。相比傳統(tǒng)的蝕刻或激光雕刻制程，本發(fā)明的方法較環(huán)保且屬于非破壞式的制造方法。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK102841398SQ20111018462
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者李漢郎, 歐耀仁 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司