專利名稱：用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種平面轉換(in-plane switching, IPS)模式液晶顯示(LCD)器件， 尤其涉及能夠防止色移(color shift)問題并增加孔徑比的用于IPS模式LCD器件的陣列基板。
背景技術：
相關技術的液晶顯示(LCD)器件利用液晶分子的光學各向異性和偏振特性。液晶分子由于它們的薄且長的形狀而具有確定的取向方向(alignment direction) 0可以通過跨液晶分子施加電場來控制液晶分子的取向方向。換句話說，隨著電場的強度或方向發(fā)生改變，液晶分子的取向也變化。由于液晶分子的光學各向異性，入射光基于液晶分子的取向而被折射，所以可以通過控制光透射率來顯示圖像。由于被稱為有源矩陣IXD(AM-IXD)器件的、包括薄膜晶體管(TFT)作為轉換元件的LCD器件具有高分辨率和能顯示移動圖像的優(yōu)異特性，所以AM-LCD器件被廣泛使用。AM-IXD器件包括陣列基板、濾色器基板、和設置在二者間的液晶層。陣列基板可以包括像素電極和TFT，濾色器基板可以包括濾色器層和公共電極。通過像素電極和公共電極之間的電場來驅動AM-LCD器件，以具有優(yōu)異的透光度和孔徑比性能。然而，由于AM-LCD 器件使用垂直電場，所以AM-LCD器件具有差的視角?？梢杂闷矫孓D換(IPQ模式LCD器件來解決上述局限。圖1是根據(jù)相關技術的 IPS模式IXD器件的剖視圖。如圖1所示，陣列基板和濾色器(color filter)被隔開并彼此面對。陣列基板包括第一基板10、公共電極17、和像素電極30。雖然未圖示，但是陣列基板可以包括TFT、柵線、數(shù)據(jù)線等。濾色器基板包括第二基板9、濾色器層(未圖示)等。 液晶層11被插入到第一基板10和第二基板9之間。由于公共電極17和像素電極30在相同的水平面上形成在第一基板10上，所以在公共電極17和像素電極30之間產(chǎn)生水平電場 “L”。液晶層11的液晶分子受水平電場所驅動，使得IPS模式LCD器件具有寬的視角。圖2A和2B是顯示根據(jù)相關技術的IPS模式LCD器件的開啟/關閉情形的剖面圖。 如圖2A所示，當對IPS模式LCD器件施加電壓時，公共電極17和像素電極30上方的液晶分子Ila無變化。而公共電極17和像素電極30之間的液晶分子lib由于水平電場“L”而水平排列。由于液晶分子經(jīng)由水平電場所排列，所以IPS模式LCD器件具有寬視角的特性。 圖2B示出了當不對IPS模式LCD器件施加電壓的情形。由于在公共電極17和像素電極30 之間沒有產(chǎn)生電場，所以液晶分子11的排列不變。圖3是示出用于根據(jù)相關技術的IPS模式LCD器件的陣列基板的一個像素區(qū)域的平面圖。如圖3所示，在基板40上形成柵線43、與該柵線43平行并分隔開的公共線(common line)47、與該柵線43交叉以限定像素區(qū)“P”的數(shù)據(jù)線60。薄膜晶體管(TFT) “Tr”形成在柵線43與數(shù)據(jù)線60的交叉部處。TFT “Tr”包括 柵極電極45、半導體層(未圖示)、源極電極53、和漏極電極55。源極電極53和柵極電極 45分別從數(shù)據(jù)線60和柵線53延伸，使得TFT “Tr”被連接到數(shù)據(jù)線60和柵線43。此外，通過漏極接觸孔67電連接到漏極電極55的多個像素電極70a和70b、和多個公共電極49a和49b形成在像素區(qū)“P”中。公共電極49a和49b與像素電極70a和70b 交替地設置，并從公共線47延伸。不幸的是，由于在一個像素區(qū)中產(chǎn)生單個域(domain)，所以在上右、上左、下右和下左側處有色移問題。尤其是，在上左側即10點鐘方向上產(chǎn)生嚴重的黃色色移問題，并且在上右側即2點鐘方向上產(chǎn)生嚴重的藍色色移問題。為了解決上述色移問題，引入了每一個像素電極和公共電極的中心被彎曲使得陣列基板具有雙域結構的陣列基板。圖4A和4B是圖示具有雙域結構的陣列基板的示意圖。圖4A和4B示出了公共電極80、像素電極83、摩擦方向“rb”、偏振板的第一偏振軸“P0L1”和第二偏振軸“P0L2”、和低灰度級下的液晶分子90的指向矢(director)。公共電極80和像素電極83在中心處對稱彎曲，使得在一個像素區(qū)“P”中產(chǎn)生雙域結構。結果是通過域的平衡(counterbalance) 防止了色移問題。更詳細地說，如示出了全白模式的示意圖的圖4B所示，當摩擦方向“rb”平行于彼此垂直的第一偏振軸“P0L1”和第二偏振軸“P0L2”中的一個時，第一域“D1”處的液晶分子 90的指向矢與第二域“D2”處的液晶分子90的指向矢彼此十分對稱。結果是防止了色移問題。然而，如示出了低灰度級模式的示意圖的圖4A所示，第一域“D1”處的液晶分子90 的方向與第二域“D2”處的液晶分子90的方向彼此不十分對稱，使得域“D1”和域“D2”的平衡也不是很好。結果是仍然產(chǎn)生色移的問題。此外，由于第一域“D1”和第二域“D2”的邊界位于像素區(qū)“P”中，所以產(chǎn)生了光泄漏的問題。當形成光屏蔽元件例如黑色矩陣來防止光泄漏問題時，孔徑比被降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種用于IPS模式LCD器件的陣列基板，該陣列基板顯著地消除了由于相關技術的局限和缺點所帶來的一個或多個問題。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在下面的說明中闡述，并且部分將從下面的說明中變得顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實踐來獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點將通過在書面描述和其權利要求以及附圖中特別指出的結構來實現(xiàn)并獲得。為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此實施的和寬泛地描述的，用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板包括柵線，位于包括像素區(qū)的基板上，該像素區(qū)包括在相對于柵線的下側的第一域和在相對于柵線的上側的第二域；數(shù)據(jù)線，與柵線交叉；薄膜晶體管，位于像素區(qū)中并位于柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部處；多個第一像素電極， 位于第一域中；多個第二像素電極，位于第二域中，多個第一像素電極和多個第二像素電極共用該薄膜晶體管；多個第一公共電極，位于第一域中并且與多個第一像素電極交替布置；多個第二公共電極，位于第二域中并且與多個第二像素電極交替布置。在本發(fā)明的另一個方面中，制造用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板的方法包括在具有像素區(qū)的基板上形成柵線、第一公共線和第二公共線，柵線設置在第一公共線和第二公共線之間；在柵線、第一公共線和第二公共線之上形成數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與第一公共線和第二公共線交叉以分別限定在像素區(qū)中的第一域和第二域；在像素區(qū)和柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部處形成薄膜晶體管；在第一域中形成多個第一像素電極，在第二域中形成多個第二像素電極，在第一域中形成多個第一公共電極，在第二域中形成多個第二公共電極，其中多個第一像素電極和多個第二像素電極共用該薄膜晶體管，并且其中多個第一公共電極與多個第一像素電極交替布置，多個第二公共電極與多個第二像素電極交替布置。應該理解的是，前面的概括描述和下面的詳細描述是示例性的和解釋性的，旨在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步的解釋。


包括以提供對本發(fā)明的進一步理解的附圖合并在內(nèi)并且形成本說明書的一部分， 圖示本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起來解釋本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)相關技術的IPS模式IXD顯示器件的剖面圖。圖2A和2B是示出根據(jù)相關技術的IPS模式LCD器件的開啟/關閉情形的剖面圖。圖3是示出根據(jù)相關技術的用于IPS模式LCD器件的陣列基板的一個像素區(qū)的平面圖。圖4A和4B是圖示具有雙域結構的陣列基板的示意圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD器件的陣列基板的一部分的示意平面圖。圖6是沿圖5的VI-VI線截取的剖面圖。圖7是沿圖5的VII-VII線截取的剖面圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD器件的陣列基板的公共電極、像素電極和柵線的示意圖。圖9A到9F是示出沿圖5的VI-VI線截取的部分的制造工序的剖面圖。圖IOA到IOF是示出沿圖5的VII-VII線截取的部分的制造工序的剖面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細參照優(yōu)選實施方式，其示例在附圖中圖示。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD器件的陣列基板的一部分的示意俯視圖。如圖5所示，柵線103和數(shù)據(jù)線135在基板101上形成。柵線103沿一方向例如水平方向延伸，并且數(shù)據(jù)線135與柵線103交叉。數(shù)據(jù)線135在柵線103之上具有彎曲部。 換句話說，數(shù)據(jù)線135具有曲折(zigzag)形狀。第一公共線109a和第二公共線109b設置在與柵線103相同的層上。第一公共線 109a和第二公共線109b與數(shù)據(jù)線13交叉以限定像素區(qū)“P”。像素區(qū)“P”關于柵線103被劃分為第一域“D1”和第二域“D2”。S卩，柵線103跨過像素區(qū)“P”的中心延伸，并且第一公共線109a和第二公共線109b分別設置在第一域“D1”和第二域“D2”的端部。S卩，第一和第二公共線109a和109b分別設置在像素區(qū)“P”的相對端。沿不同的方向摩擦第一域“D1” 和第二域“D2”的中的取向層(未圖示)，使得第一域“D1”和第二域“D2”中的液晶分子在最初的排列上有差別。結果是，第一域“D1”和第二域“D2”的邊界設置在柵線103之上。 即，由于共用TFT “Tr”的第一域“D1”和第二域“D2”的邊界設置于柵線103之上，所以不需要使用來屏蔽通過邊界的光泄漏的光屏蔽元件。因此，防止了孔徑比的降低。此外，由于一個像素區(qū)中的域與相鄰像素區(qū)中的域具有不同的域布置，所以進一步防止了色移的問題。即，包括在上側的第一域“D1”和在下側的第二域“D2”的第一像素區(qū)與包括在下側的第一域“D1”和在上側的第二域“D2”的第二像素區(qū)沿數(shù)據(jù)線135的方向彼此交替布置。換句話說，兩個第一域“D1”和兩個第二域“D2”沿數(shù)據(jù)線135的方向彼此交替布置。在第一域“D1”中有多個第一像素電極170a和多個第一公共電極173a，在第二域 “D2”中有多個第二像素電極170b和多個第二公共電極17北。第一域“D1”中的第一像素電極170a和第二域“D2”中的第二像素電極170b共用TFT “Tr”。彼此分隔開的第一像素電極170a和彼此分隔開的第一公共電極173a平行于數(shù)據(jù)線135，同時彼此分隔開的第二像素電極170b和彼此分隔來的第二公共電極17 與數(shù)據(jù)線135交叉。在每一個像素區(qū)“P”中，在柵線103和數(shù)據(jù)線135的交叉部處形成薄膜晶體管 (TFT) “Tr”。TFT “Tr”包括柵極電極106、柵絕緣層(未圖示)、半導體層(未圖示)、源極電極138、和漏極電極141。柵極電極106和源極電極138分別從柵線103和數(shù)據(jù)線135 延伸，使得TFT “Tr”電連接到柵線103和數(shù)據(jù)線135。漏極電極141與源極電極138分隔開。在第一域“D1”中，沿第一域“D1”的邊緣形成從第一公共線109a延伸的第一輔助公共圖案111a。換句話說，第一輔助公共圖案Illa與第一公共線109a形成矩形形狀，使得第一域“D1”被第一輔助公共圖案Illa和第一公共線109a所包圍。漏極電極141延伸到覆蓋(overlap)第一輔助公共圖案Illa的平行于柵線103的部分，使得形成第一存儲電容器“MgCl”。即，第一輔助公共圖案Illa的重疊部分用作第一存儲電容器“MgCl”的第一存儲電極，并且漏極電極141的重疊部分用作第一存儲電容器“MgCl”的第二存儲電極。此外，在第一域“D1”中形成通過第一公共接觸孔166a接觸第一公共線109a并且覆蓋第一公共線109a的第二輔助公共圖案17加。即，第二輔助公共圖案17 延伸至與第一公共線109a平行。從第二輔助公共圖案17 中分支出多個第一公共電極173a以與數(shù)據(jù)線135平行。而且，在第一域“D1”中形成通過漏極接觸孔165接觸漏極電極141的第一輔助像素圖案168a。從第一輔助像素圖案168a中分支出多個第一像素電極170a以與數(shù)據(jù)線135 平行。多個第一像素電極170a與多個第一公共電極173a交替布置并與其平行。在第二域“D2”中，形成從第二公共線109b延伸到柵線103并且與第二公共線 109b形成“C”型的第三輔助公共圖案111b。即，第三輔助公共圖案Illb延伸到柵線103 并且被彎曲以與柵線103平行。第三輔助公共圖案Illb用作第二存儲電容器‘、tgC2”的第三存儲電極。此外，形成接觸漏極電極141的從第一輔助像素圖案168a延伸的第二輔助像素圖案168b。第二輔助像素圖案168b與第三輔助公共圖案Illb相對應。即，第二輔助像素圖案168b覆蓋第三輔助公共圖案Illb并且用作第二存儲電容器“MgC2”的第四存儲電極。 第三輔助公共圖案Illb和第二輔助像素圖案168b形成第二存儲電容器“MgC2”。從第二輔助像素圖案168b中分支出多個第二像素電極170b。多個第二像素電極170b與數(shù)據(jù)線 135交叉。例如，第二域“D2”中的多個第二像素電極170b垂直于第一域“D1”中的多個第一像素電極170a。多個第一像素電極170a基本上平行于數(shù)據(jù)線135，同時多個第二像素電極173a基本上垂直于數(shù)據(jù)線135。而且，在第二域“D2”中形成第四輔助公共圖案172b。第四輔助公共圖案172b通過第二公共接觸孔166b接觸第二公共線109b，并且延伸到與數(shù)據(jù)線135平行。第四輔助公共圖案172b設置在第二域“D2”的一側。結果是，第四輔助公共圖案172b面對第三輔助公共圖案111b。多個第二公共電極17 從第四輔助公共圖案172b分支出，并與多個第二像素電極170b交替布置。相鄰兩個像素區(qū)“P”的第一域“D1”之間的第一公共線109a與柵線103平行，同時相鄰兩個像素區(qū)“P”的第二域“D2”之間的第二公共線109b與柵線103傾斜。第一公共線109b具有直線形狀，同時第二公共線109b具有樓梯形狀。在具有上述布置的根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD器件的陣列基板中，不管驅動電壓多大，由第一像素電極170a和第一公共電極173a之間的水平電場所驅動的液晶分子的指向矢總是垂直于由第二像素電極170b和第二公共電極17 之間的水平電場所驅動的液晶分子的指向矢。結果是，在整個灰度級上防止了色移問題。此外，由于在第一公共線109a和第二公共線109b的每一個的兩側上設置相同的域，所以第一域“D1”和第二域“D2”的一個邊界沿柵線130與相鄰的另一個邊界具有距離。 當根據(jù)本發(fā)明的陣列基板具有與相關技術的陣列基板相同尺寸的像素區(qū)“P”和相同數(shù)量的像素區(qū)“P”時，第一域“D1”和第二域“D2”的邊界的數(shù)量減半。另一方面，第一域“D1”和第二域“D2”通過掃描型UV照射被不同地取向。因此，降低了用于不同取向的取向處理時間。而且，由于不同像素區(qū)“P”中的相同域是連續(xù)的，所以相對低分辨率的UV照射裝置就足夠了。結果是降低了生產(chǎn)成本。參考圖8和圖5，圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD器件的陣列基板的公共電極、像素電極和柵線的示意圖，設置在LCD器件的外側上的第一和第二偏振器(未圖示)分別具有第一偏振軸“Poll”和第二偏振軸“Pol2”。第一偏振軸“Poll”基本上平行于柵線103，同時第二偏振軸“Pol2”基本上垂直于柵線103。在這種情況下，第一域“D1”中的第一摩擦方向“rbl”基本上平行于柵線103，同時第二域“D2”中的第二摩擦方向“A2” 基本上垂直于柵線103。即，第一摩擦方向“rbl”和第二摩擦方向“rb2”分別平行于第一偏振軸“Pol 1 ”和第二偏振軸“Pol2”。結果是，沒有電壓，第一域“D1”中的液晶分子190的指向矢和第二域“D2”中的液晶分子190的指向矢分別平行于第一摩擦方向“rbl”和第二摩擦方向“A2”。由于第一域“D1”和第二域“D2”中的液晶分子190的指向矢的初始排列平行于或垂直于第一偏振軸 “Poll”和第二偏振軸“Pol2”，所以IXD器件具有黑色模式。此外，由于第一域“D1”和第二域“D2”中的第一摩擦方向“rbl”和第二摩擦方向“rb2”彼此垂直，所以不會產(chǎn)生色移問題。而且，由于第一偏振軸“Poll”和第二偏振軸“Pol2”中的一個平行于柵線103，所以IXD器件在前視圖中產(chǎn)生最大的黑色圖像。結果是提高了 IXD器件的對比度(contrast ratio)ο圖6是沿圖5的VI-VI線截取的剖面圖，圖7是沿圖5的VII-VII線截取的剖面圖。為了便于解釋，限定了在其中形成TFT作為轉換元件的轉換區(qū)“TrA”。參考圖6、7和5，具有直線形狀的柵線103形成在基板101上。柵線103跨像素區(qū) “P”的中心延伸。第一公共線109a和第二公共線109b分別設置在像素區(qū)“P”的相對端上。 第一公共線109a具有直線形狀，而第二公共線109b具有樓梯形狀。此外，從柵線103延伸的柵極電極106形成在轉換區(qū)“TrA”中。而且，在第一域“D1”和第二域“D2”中分別形成從第一公共線109a延伸并且與第一公共線109a形成矩形形狀的第一輔助公共圖案Illa 和從第二公共線109b延伸并且與第二公共線109b形成“C”型的第三輔助公共圖案111b。柵絕緣層117形成在柵線103、柵極電極106、第一公共線109a和第二公共線 109b、第一輔助公共圖案Illa和第三輔助公共圖案Illb上。例如，柵絕緣層117可以由無機絕緣材料例如氧化硅或氮化硅來形成。包括有源層120a和歐姆接觸層120b的半導體層120形成在柵絕緣層上和轉換區(qū) “TrA”中。有源層120a包括本征非晶硅，歐姆接觸層120b包括雜質摻雜的非晶硅。源極電極138和與該源極電極138分隔開的漏極電極141形成在半導體層120上。 與柵線103交叉以限定像素區(qū)“P”的數(shù)據(jù)線135形成在柵絕緣層117上。數(shù)據(jù)線135在柵線103的交叉部處具有彎曲形狀。即，數(shù)據(jù)線135具有曲折形狀。源極電極138連接到數(shù)據(jù)線135。漏極電極141延伸到覆蓋第一輔助公共圖案Illa的一部分。第一輔助公共圖案 Illa的被覆蓋部分、漏極電極141的被覆蓋部分以及其間的柵絕緣層117形成第一存儲電容器“StgCl”。柵極電極103、柵絕緣層117、半導體層120、源極電極138和漏極電極141 形成TFT “Tr”。該TFT “Tr”連接到柵線103和數(shù)據(jù)線135。鈍化層163形成在數(shù)據(jù)線135和TFT “Tr”上。鈍化層163包括分別暴露第一公共線109a和第二公共線109b的第一公共接觸孔166a和第二公共接觸孔166b以及暴露漏極電極141的漏極接觸孔165。第二輔助公共圖案17 和第一公共電極173a形成在鈍化層163上和第一域“D1” 中。第二輔助公共圖案17 和第一公共電極173a中的每一個由透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成。第二輔助公共圖案17 通過第一公共接觸孔166a接觸第一公共線109a并且覆蓋第一公共線109a。第一公共電極173a從第二輔助公共圖案17 延伸。此外，第一輔助像素圖案168a和第一像素電極170a形成在鈍化層163上和第一域“D1”中。第一輔助像素圖案168a通過漏極接觸孔165接觸漏極電極141。第一像素電極170a從第一輔助像素圖案168a延伸并且與第一公共電極173a交替布置。第二輔助像素圖案168b、第二像素電極170b、第四輔助公共圖案172b、和第二公共電極17 形成在鈍化層163上和第二域“D2”中。第二輔助像素圖案168b連接到第一輔助像素圖案168a并且覆蓋第三輔助公共圖案111b。第三輔助公共圖案Illb的被覆蓋部分、第二輔助像素圖案168b的被覆蓋部分、以及二者間的柵絕緣層117和鈍化層163形成第二存儲電容器“MgC2”。第二像素電極170b在第一域“D1”中從第二輔助像素圖案168b 延伸并且垂直于第一像素電極170a。第四輔助公共圖案172b通過第二公共接觸孔166b接
10觸第二公共線109b，并且面對第三輔助公共圖案111b。第二公共電極17 從第四輔助公共圖案172b延伸并且與第二像素電極170b交替布置。例如，第二輔助公共圖案172a、第一公共電極173a、第一輔助像素圖案168a、第一像素電極170a、第二輔助像素圖案168b、第二像素電極170b、第四輔助公共圖案172b、和第二公共電極17 可以由相同的材料形成。取向層180形成在第一像素電極170a和第二像素電極170b以及第一公共電極 173a和第二公共電極17 上。第一域“D1”中的取向層被取向為基本上垂直于柵線103， 同時第二域“D2”中的取向層180被取向為基本上平行于柵線103。通過能夠在幾微米內(nèi)進行控制的UV照射裝置進行取向工藝。取向層180在它們的表面上具有多個官能團。該官能團與UV反應以沿一個方向取向。下面參考圖9A到9F、IOA到IOF和圖5，解釋根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式IXD器件的陣列基板的制造工序。圖9A到9F是示出沿圖5的VI-VI線截取的部分的制造工序的剖面圖，圖IOA到IOF是示出沿圖5的VII-VII線截取的部分的制造工序的剖面圖。如圖9A、10A和圖5所示，通過沉積第一金屬材料在基板101上形成第一金屬層 (未圖示)。第一金屬材料可以包括鋁(Al)、鋁合金(AlNd)JH (Cu)、銅合金、鉻(Cr)和鉬 (Mo)中的一種。將第一金屬層圖案化以沿一個方向形成柵線103和連接到柵線103的柵極電極106。柵極電極106設置在轉換區(qū)“TrA”中。同時，在基板101上形成位于像素區(qū)“P” 的邊界處的第一公共線109a和第二公共線109b、第一輔助公共圖案Illa和第三輔助公共圖案111b。第一公共線109a和第二公共線109b彼此交替布置，分別具有直線形狀和樓梯形狀。第一輔助公共圖案Illa從第一公共線109a延伸，并設置在第一域“D1”中。第三輔助公共圖案Illb從第二公共線109b延伸，并設置在第二域“D2”中。接下來，如圖9B、10B和圖5所示，通過沉積無機絕緣材料，例如氧化硅或氮化硅， 在柵線103、柵極電極106、第一公共線109a和第二公共線109b、第一輔助公共圖案Illa和第三輔助公共圖案Illb上形成柵絕緣層117。接下來，通過沉積本征非晶硅、雜質摻雜的非晶硅、和第二金屬材料，在柵絕緣層 117上順序形成本征非晶硅層(未圖示)、雜質摻雜的非晶硅層(未圖示)、和第二金屬層 (未圖示)。用折射曝光方法或半色調曝光(half-tone exposing)方法對本征非晶硅層 (未圖示)、雜質摻雜的非晶硅層(未圖示)、和第二金屬層(未圖示)進行圖案化，以形成本征非晶硅的有源層120a、雜質摻雜的非晶硅的歐姆接觸層120b、以及第二金屬材料的源極電極138和漏極電極141。例如，第二金屬材料可以包括鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、 銅合金、鉻(Cr)和鉬(Mo)中的一種。有源層120a和歐姆接觸層120b形成半導體層120。 同時，在柵絕緣層117上形成與第一公共線109a和第二公共線109b交叉以限定像素區(qū)“P” 的數(shù)據(jù)線135，并且將該數(shù)據(jù)線135連接到源極電極138。數(shù)據(jù)線135在與柵線103相交的部分具有彎曲部。即，數(shù)據(jù)線135具有曲折形狀。漏極電極141延伸到覆蓋第一輔助公共圖案Illa的一部分。第一輔助公共圖案Illa的被覆蓋部分、漏極電極141的被覆蓋部分、 以及其間的柵絕緣層117形成第一存儲電容器“MgCl”。由于折射曝光方法或半色調曝光方法，雜質摻雜的非晶硅層和本征非晶硅層中分別存在第一虛擬圖案(dummy pattern) 121a和第二虛擬圖案121b。然而，當通過不同的掩模工序來形成半導體層120以及源極電極138和漏極電極141時，不形成第一虛擬圖案 121a和第二虛擬圖案121b。
接下來，如圖9C、10C和圖5所示，通過沉積無機絕緣材料，例如氧化硅或氮化硅， 在數(shù)據(jù)線135以及源極電極138和漏極電極141上形成鈍化層163。然后，通過掩模工序對鈍化層163進行圖案化，以形成分別暴露第一公共線109a和第二公共線109b的第一公共接觸孔166a和第二公共接觸孔166b、以及暴露漏極電極141的漏極接觸孔165。接下來，如圖9D、10D和圖5所示，通過沉積透明導電材料，例如ITO或ΙΖ0，在鈍化層163上形成透明導電材料層(未圖示)。對透明導電材料層進行圖案化以形成第二輔助公共圖案17 和第四輔助公共圖案172b、第一輔助像素圖案168a和第二輔助像素圖案 168b、第一公共電極173a和第二公共電極173b、以及第一像素電極170a和第二像素電極 170b。第二輔助公共圖案17 和第四輔助公共圖案172b、第一輔助像素圖案168a和第二輔助像素圖案168b、第一公共電極173a和第二公共電極173b、以及第一像素電極170a和第二像素電極170b分別具有上述的平面形狀。第一輔助像素圖案168a通過漏極接觸孔 165接觸漏極電極141。第二輔助公共圖案17 通過第一公共接觸孔166a接觸第一公共線109a，第四輔助公共圖案172b通過第二公共接觸孔166b接觸第二公共線109b。接下來，如圖9E、IOE和圖5所示，通過涂覆聚合物材料在第一像素電極170a和第二像素電極170b以及第一公共電極173a和第二公共電極17 上形成取向層180。聚合物材料在它們的表面上具有與UV反應以沿一個方向取向的多個官能團。例如，聚合物材料可以包括聚酰亞胺。接下來，用UV照射裝置(未圖示)，沿基本上垂直于柵線103的第一摩擦方向 “rbl”對第一域“D1”中的取向層180進行取向。(第一取向工序)。結果是，第一域“D1” 中的取向層180的官能團沿第一摩擦方向“rbl”取向，使得第一域“D1”中的液晶分子190 的指向矢最初沿第一摩擦方向“rbl”排列。接下來，如圖9F、IOF和圖5所示，用UV照射裝置(未圖示)，沿第二摩擦方向 “rb2”對第二域“D2”中的取向層180進行取向。(第二取向工序)。結果是，第二域“D2” 中的取向層180的官能團沿第二摩擦方向“A2”取向，使得第二域“D2”中的液晶分子190 的指向矢最初沿第二摩擦方向“A2”排列。接下來，雖然未圖示，但是可以在基板101的外側上形成具有平行于或垂直于柵線103的偏振軸的偏振板。在本發(fā)明中，由于不管施加的電壓如何，一個域中的液晶分子的指向矢垂直于其他域中的液晶分子的指向矢，所以防止了色移問題。此外，由于一個像素區(qū)中的域與相鄰像素中的域具有不同的域布置，所以進一步防止了色移問題。而且，由于域的邊界覆蓋柵線，所以防止了孔徑比的降低。對本領域技術人員來說顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍下可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。從而，本發(fā)明旨在涵蓋各種修改和變化，只要它們落在附加的權利要求書及其等效物的范圍內(nèi)。
1權利要求
1.一種用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板，包括在包括像素區(qū)的基板上的柵線，該像素區(qū)包括在相對于所述柵線的下側的第一域和在相對于所述柵線的上側的第二域； 與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線；在像素區(qū)中的薄膜晶體管，該薄膜晶體管在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交叉部處； 在第一域中的多個第一像素電極；在第二域中的多個第二像素電極，該多個第一像素電極和所述多個第二像素電極共用所述薄膜晶體管；在第一域中的多個第一公共電極，該多個第一公共電極與所述多個第一像素電極交替布置；和在第二域中的多個第二公共電極，該多個第二公共電極與所述多個第二像素電極交替布置。
2.如權利要求1所述的陣列基板，還包括 延伸到與所述數(shù)據(jù)線交叉的第一公共線；和延伸到與所述數(shù)據(jù)線交叉的第二公共線，其中，所述柵線設置在所述第一公共線和所述第二公共線之間，所述第一公共線與所述柵線之間的區(qū)域用第一域來定義，以及所述第二公共線與所述柵線之間的區(qū)域用第二域來定義。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其中所述多個第一公共電極連接到所述第一公共線，所述多個第二公共電極連接到所述第二公共線。
4.如權利要求2所述的陣列基板，其中所述第一公共線具有沿所述柵線的直線形狀， 并且所述第二公共線具有沿所述柵線的樓梯形狀。
5.如權利要求2所述的陣列基板，還包括在第一域中的第一輔助公共圖案，該第一輔助公共圖案從所述第一公共線延伸； 在第一域中的第二輔助公共圖案，該第二輔助公共圖案覆蓋所述第一公共線，所述第二輔助公共圖案設置在與所述第一公共線不同的層上并且接觸所述第一公共線； 在第一域中的第一輔助像素圖案，該第一輔助像素圖案連接到薄膜晶體管； 在第二域中的第三輔助公共圖案，該第三輔助公共圖案從所述第二公共線延伸； 在第二域中的第四輔助公共圖案，該第四輔助公共圖案面對所述第三輔助公共圖案， 所述第四輔助公共圖案設置在與所述第二公共線不同的層上并且接觸所述第二公共線；和在第二域中的第二輔助像素圖案，該第二輔助像素圖案連接到所述第一輔助像素圖案。
6.如權利要求5所述的陣列基板，其中所述第一輔助公共圖案與所述第一公共線形成矩形形狀，并且所述第三輔助公共圖案與所述第二公共線形成C型。
7.如權利要求5所述的陣列基板，其中所述第一輔助像素圖案覆蓋所述第一輔助公共圖案，并且所述第二輔助像素圖案覆蓋所述第三輔助公共圖案。
8.如權利要求5所述的陣列基板，其中所述多個第一像素電極從所述第一輔助像素圖案延伸，并且所述多個第二像素電極從所述第二輔助像素圖案延伸。
9.如權利要求5所述的陣列基板，其中所述多個第一公共電極從所述第二輔助公共圖案延伸，并且所述多個第二公共電極從第四輔助公共圖案延伸。
10.如權利要求1所述的陣列基板，還包括在第一域中的第一取向層，該第一取向層具有第一摩擦方向；和在第二域中的第二取向層，該第二取向層具有第二摩擦方向。
11.如權利要求10所述的陣列基板，其中所述第一摩擦方向基本上垂直于所述第二摩擦方向。
12.如權利要求11所述的陣列基板，其中所述第一摩擦方向基本上垂直于所述柵線。
13.如權利要求1所述的陣列基板，其中所述多個第一像素電極基本上垂直于所述多個第二像素電極。
14.如權利要求1所述的陣列基板，其中所述數(shù)據(jù)線在與所述柵線的交叉部處具有彎曲部。
15.如權利要求14所述的陣列基板，其中在第一域中所述多個第一像素電極基本上平行于所述數(shù)據(jù)線，并且在第二域中所述多個第二像素電極與所述數(shù)據(jù)線傾斜。
16.如權利要求1所述的陣列基板，其中兩個第一域和兩個第二域沿數(shù)據(jù)線彼此交替布置。
17.—種制造用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板的方法，包括在具有像素區(qū)的基板上形成柵線、第一公共線和第二公共線，所述柵線設置在所述第一公共線和所述第二公共線之間；在柵線、第一公共線和第二公共線之上形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述第一公共線和所述第二公共線交叉以分別限定在像素區(qū)中的第一域和第二域；在像素區(qū)中形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部處；在第一域中形成多個第一像素電極，在第二域中形成多個第二像素電極，在第一域中形成多個第一公共電極，在第二域中形成多個第二公共電極，其中該多個第一像素電極和該多個第二像素電極共用該薄膜晶體管，并且其中該多個第一公共電極與該多個第一像素電極交替布置，該多個第二公共電極與該多個第二像素電極交替布置。
18.如權利要求17所述的方法，還包括在多個第一像素電極、多個第二像素電極、多個第一公共電極、和多個第二公共電極上形成取向層；對所述取向層的第一部分進行取向，使得第一域中的取向層沿第一方向取向；和對所述取向層的第二部分進行取向，使得第二域中的取向層沿第二方向取向。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。
20.如權利要求19所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述柵線。
21.如權利要求17所述的方法，其中形成柵線、第一公共線和第二公共線的步驟包括 在第一域中形成第一輔助公共圖案，該第一輔助公共圖案從該第一公共線延伸，以及在第二域中形成第三輔助公共圖案，該第三輔助公共圖案從該第二公共線延伸。
22.如權利要求21所述的方法，其中形成多個第一像素電極、多個第二像素電極、多個第一公共電極、和多個第二公共電極的步驟包括在第一域中形成第二輔助公共圖案，該第二輔助公共圖案覆蓋第一公共線，在第一域中形成第一輔助像素圖案，該第一輔助像素圖案連接到薄膜晶體管，在第二域中形成第四輔助公共圖案，該第四輔助公共圖案面對所述第三輔助公共圖案，以及在第二域中形成第二輔助像素圖案，該第二輔助像素圖案連接到所述第一輔助像素圖案，其中所述第二輔助公共圖案設置在與所述第一公共線不同的層上并且接觸所述第一公共線，并且所述第四輔助公共圖案設置在與所述第二公共線不同的層上并且接觸所述第
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于平面轉換模式液晶顯示器件的陣列基板，包括柵線，位于包括像素區(qū)的基板上，該像素區(qū)包括在相對于柵線的下側的第一域和在相對于柵線的上側的第二域；數(shù)據(jù)線，與柵線交叉；薄膜晶體管，位于像素區(qū)中并位于柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部處；多個第一像素電極，位于第一域中；多個第二像素電極，位于第二域中，多個第一像素電極和多個第二像素電極共用該薄膜晶體管；多個第一公共電極，位于第一域中并且與多個第一像素電極交替布置；多個第二公共電極，位于第二域中并且與多個第二像素電極交替布置。
文檔編號G02F1/1362GK102236226SQ20111011495
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權日2010年4月29日
發(fā)明者李源鎬 申請人:樂金顯示有限公司