專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器。更具體地，本發(fā)明涉及具有改善的顯示品質(zhì)的液晶顯示
O
背景技術(shù)：
一般地，液晶顯示器(IXD)通過(guò)施加電壓到液晶層來(lái)顯示圖像，其中施加電壓到液晶層控制穿過(guò)液晶層的光的透射率。然而，因?yàn)楣庋刂壕Х肿拥娜∠蚍较騻鬏?，所以與其它顯示裝置相比，LCD可具有相對(duì)窄的視角。在這點(diǎn)上，已經(jīng)開發(fā)了 PVA IXD(垂直取向構(gòu)型IXD)和SPVA IXD(超級(jí)垂直取向構(gòu)型IXD)。在PVA IXD和SPVA IXD中，每個(gè)像素被分成多個(gè)疇并且液晶分子在每個(gè)疇中沿不同方向取向。垂直取向液晶被用于PVA IXD和SPVA IXD，通過(guò)在像素電極和面對(duì)像素電極的公共電極中形成具有預(yù)定尺寸的縫開口圖案而在每個(gè)像素中形成多疇。然而，需要用于形成縫開口圖案的附加工藝，并且開口率會(huì)由于縫開口圖案而減

發(fā)明內(nèi)容
提供一種由于開口率和透光率的增加而具有改善的顯示品質(zhì)的IXD。在一個(gè)方面中，液晶顯示器包括第一基板、配向?qū)?、第二基板和液晶層。第一基板包括多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極與多個(gè)像素區(qū)的其中之一相應(yīng)；第二基板包括面對(duì)像素電極的公共電極。配向?qū)硬逯迷诘谝换迮c第二基板之間并包括沿第一方向取向的第一區(qū)域、沿不同于第一方向的第二方向取向的第二區(qū)域、沿不同于第一方向取向的第三區(qū)域以及沿與第三方向相反的第四方向取向的第四區(qū)域。以液晶分子在液晶層的多個(gè)疇的每一個(gè)中沿不同方向取向的方式，液晶層包括插置在第一基板與第二基板之間的液晶分子，所述疇通過(guò)第一區(qū)域至第四區(qū)域被限定在每個(gè)像素區(qū)中。在該情形下，每個(gè)像素電極包括延伸部，該延伸部在像素電極的與至少一個(gè)所述疇相應(yīng)的一部分處沿第一方向至第四方向中的至少一個(gè)從像素電極向外延伸。在另一方面，液晶顯示器包括具有多個(gè)像素的第一基板、面對(duì)第一基板的第二基板以及插置在第一基板與第二基板之間的液晶層。每個(gè)像素包括多個(gè)疇，在每個(gè)疇內(nèi)液晶分子沿基本相同的方向取向，液晶分子取向的方向?qū)τ诿總€(gè)疇不同。第一基板和第二基板的至少一個(gè)包括位于至少兩個(gè)所述疇之間的界線處的光阻擋層。光阻擋層的一端沿一方向被斜切，該方向與在光阻擋層周圍彼此相鄰的至少兩個(gè)疇的其中之一中液晶分子的取向方向平行。在另一方面，液晶顯示器包括第一基底、形成在第一基底上的像素電極、覆蓋像素電極的第一配向?qū)印⒚鎸?duì)第一基底的第二基底，形成在第二基底上的公共電極、覆蓋公共電極的第二配向?qū)右约安逯迷诘谝慌湎驅(qū)优c第二配向?qū)又g的液晶層。第一基底包括具有多列和多行的多個(gè)像素區(qū)并且像素電極設(shè)置在像素區(qū)中。
第一配向?qū)影ㄑ亓醒由觳⒃诘谝环较蛏先∠虻亩鄠€(gè)第一配向區(qū)以及沿列延伸并與第一配向區(qū)交替的多個(gè)第二配向區(qū)，第二配向區(qū)在與第一方向相反的第二方向上取向。第二配向?qū)影ㄑ匦醒由觳⒃诖怪庇诘谝环较虻牡谌较蛏先∠虻亩鄠€(gè)第三配向區(qū)以及沿行延伸并與第三配向區(qū)交替的多個(gè)第四配向區(qū)，第四配向區(qū)沿與第三方向相反的第四方向取向。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一配向區(qū)和第二配向區(qū)分別與在相同行中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)部分地重疊，第三配向區(qū)和第四配向區(qū)與在相同列中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)部分
地重疊。液晶層包括被限定為第一區(qū)域和第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第一疇、被限定為第一區(qū)域和第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第二疇、被限定為第二區(qū)域和第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第三疇以及被限定為第二區(qū)域和第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第四疇。液晶分子的取向方向在第一疇至第四疇中彼此不同。每個(gè)像素區(qū)包括第一疇至第四疇，在一個(gè)像素區(qū)中第一疇至第四疇的取向順序與在鄰近所述一個(gè)像素區(qū)的其它像素區(qū)中第一疇至第四疇的取向順序不同。當(dāng)在第一疇至第四疇中液晶分子的取向方向順序地順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的像素區(qū)被稱為旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)，并且液晶分子在第一疇中的取向方向與液晶分子在第四疇中的取向方向相反或面對(duì)或者液晶分子在第二疇中的取向方向與液晶分子在第三疇中的取向方向相反或面對(duì)的像素區(qū)被稱為會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)時(shí)，旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)在行方向和列方向上交替地排列。在另一方面，當(dāng)?shù)谝慌湎驅(qū)釉诘谝环较蚝偷诙较蛏先∠蛞约暗诙湎驅(qū)釉诘谌较蚝偷谒姆较蛏先∠驎r(shí)，延伸部沿第一方向至第四方向的其中之一設(shè)置在像素電極中。 如果其中液晶分子沿不同方向取向的多個(gè)疇被限定在像素區(qū)中，則能根據(jù)每個(gè)疇中液晶的取向方向確定延伸部的位置。因此，形成在液晶的取向方向指向相鄰像素電極的疇的界線處的邊緣場(chǎng)區(qū)能轉(zhuǎn)變成具有黑矩陣的光阻擋區(qū)。因而，能改善IXD的開口率和透光率。此外，提供能減少由離子雜質(zhì)的遷移所引起的線殘像的高品質(zhì)LCD。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參考以下的詳細(xì)描述，以上和其它優(yōu)點(diǎn)將變得容易看到， 其中圖1是局部切除的透視圖，顯示出根據(jù)第一示范性實(shí)施方式的IXD ；圖2是放大截面圖，顯示出在圖1中示出的IXD的一部分；圖3是沿圖2的線1-1’截取的截面圖；圖4A和圖4B是截面圖，顯示出在顯示面板的陣列基板上設(shè)置的第一配向?qū)拥娜∠蜻^(guò)程；圖5是在圖4A中顯示的第一掩模的平面圖；圖6A和圖6B是截面圖，顯示出在顯示面板的相對(duì)基板上設(shè)置的第二配向?qū)拥娜∠蜻^(guò)程；
圖7是在圖6A中顯示的第二掩模的平面圖；圖8A至圖8C是平面圖，顯示出第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥娜∠蚍较蛞约跋袼仉姌O的形狀；圖9A至圖9C是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥娜∠蚍较蛞约跋袼仉姌O的形狀；圖IOA至圖IOC是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀；圖11是在根據(jù)第二示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖；圖12是在圖11中顯示的像素的布局圖；圖13是沿圖12的線11-11’截取的截面圖；圖14A至圖14C是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀；圖15是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖14C中示出的第一像素電極和第二像素電極的陣列基板；圖16是沿圖15的線III-III，截取的截面圖；圖17是在根據(jù)第三示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖；圖18是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖17中示出的像素的陣列基板；圖19是在根據(jù)第四示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖；圖20是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖18中示出的像素的陣列基板；圖21是在根據(jù)第五示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖；圖22是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖21中示出的像素的陣列基板；圖23是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式設(shè)置有在圖21中示出的像素的陣列基板；圖24A至圖24C是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀；圖25是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的陣列基板；圖沈是平面圖，顯示出根據(jù)第六示范性實(shí)施方式的LCD ；圖27A是在圖沈中顯示的Al的放大圖；圖27B是根據(jù)另一示范性實(shí)施方式在圖沈中顯示的Al的平面圖；圖觀是平面圖，顯示出根據(jù)第七示范性實(shí)施方式的IXD的像素；圖四是沿圖28的線IV-IV’截取的截面圖；圖30是平面圖，顯示出根據(jù)第八示范性實(shí)施方式的IXD的像素；圖31A是平面圖，顯示出在根據(jù)第九示范性實(shí)施方式的LCD中第一基板的配向方向；圖31B是平面圖，顯示出在根據(jù)第九示范性實(shí)施方式的LCD中第二基板的配向方向；圖31C是截面圖，顯示出當(dāng)圖31A的第一基板與圖31B的第二基板耦接時(shí)液晶層的取向；圖32是平面圖，顯示出其中圖31C的像素區(qū)以3X5矩陣圖案重復(fù)排列的IXD ；
圖33是放大平面圖，顯示出根據(jù)第十示范性實(shí)施方式的LCD的一部分；以及圖34是平面圖，其與圖32類似，顯示出其中圖31C的像素區(qū)以3X5矩陣圖案重復(fù)排列的IXD。
具體實(shí)施例方式在以下文中，將參考附圖詳細(xì)描述示范性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施方式而是包括不同變型、替換和改進(jìn)。在圖中，為了清晰說(shuō)明的目的，可以放大層和區(qū)域的尺寸。術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等等能用來(lái)解釋不同的元件，但是元件不限于這樣的術(shù)語(yǔ)。術(shù)語(yǔ)用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件與另一元件。因而，在一個(gè)實(shí)施方式中被稱為第一元件的元件可以在另一實(shí)施方式中被稱為第二元件。除非上下文另外地需要，單數(shù)表達(dá)可以不排除復(fù)數(shù)表達(dá)。在下面的描述中，術(shù)語(yǔ)“包括”或“包含”用于表明特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、部件或其組合而不排除其它特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、部件或其組合。將理解當(dāng)元件諸如層、膜、區(qū)域或板被稱為在另一元件‘上’或‘下’時(shí)，該元件能是直接在另一元件上或者也可以存在中間元件或者存在多個(gè)中間元件。此外，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)， 不存在中間元件。圖1是局部切除的透視圖，顯示出根據(jù)第一示范性實(shí)施方式的IXD，圖2是放大的截面圖，顯示出在圖1中示出的LCD的一部分，圖3是沿圖2的線1-1’截取的截面圖。參考圖1至圖3，IXD 400包括第一基板100、第二基板200以及插置在第一基板 100與第二基板200之間的液晶層300。第一基板100包括第一基底110、柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、像素電極 PE和第一配向?qū)?20。第一基底110具有多個(gè)像素區(qū)PA。雖然為了便于說(shuō)明在圖2和圖3中僅顯示出一個(gè)像素區(qū)PA，但是在IXD 400(圖1)中多個(gè)像素區(qū)PA以矩陣形式布置。像素區(qū)PA具有相同的結(jié)構(gòu)，因此以下的描述將基于一個(gè)像素區(qū)PA作為實(shí)例進(jìn)行。 此外，像素區(qū)PA具有長(zhǎng)矩形形狀，但是本發(fā)明不限于此。像素區(qū)PA可具有不同的形狀，諸如V形狀或Z形狀。像素區(qū)PA包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT和像素電極PE。柵極線GL在第一基底110上沿一個(gè)方向延伸。數(shù)據(jù)線DL在基底110上交叉柵極線GL并與柵極線GL絕緣。薄膜晶體管TFT鄰近柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間的交叉點(diǎn)設(shè)置。薄膜晶體管TFT 包括從柵極線GL分支出的柵電極GE、從數(shù)據(jù)線DL分支出的源電極SE以及與源電極SE間隔開的漏電極DE。像素電極PE連接到漏電極DE。參考圖3，柵極線GL和柵電極GE設(shè)置在像素區(qū)PA中并形成在第一基底110上。半導(dǎo)體圖案SM形成在柵極線GL上并且第一絕緣層151插置在其間。具有半導(dǎo)體圖案SM的第一基底110上設(shè)置有數(shù)據(jù)線DL、源電極SE和漏電極DE。半導(dǎo)體圖案SM在源電極SE與漏電極DE之間形成導(dǎo)電溝道。第二絕緣層152與源電極SE和漏電極DE —起形成在第一絕緣層151上。有機(jī)層153形成在第二絕緣層152上。像素電極PE形成在有機(jī)層153上并穿過(guò)接觸孔CH電連接到漏電極DE，其中接觸孔CH穿過(guò)第二絕緣層152和有機(jī)層153形成。第一配向?qū)?20形成在像素電極PE上以覆蓋像素電極PE。第二基板200設(shè)置為面對(duì)第一基板100。第二基板200包括第二基底210、濾色器 CF、黑矩陣Ml、公共電極CE和第二配向?qū)?20。濾色器CF和黑矩陣241設(shè)置在第二基底210上。公共電極CE和第二配向?qū)?20 順序地形成在濾色器CF和黑矩陣241上。濾色器CF位于像素區(qū)PA中。每個(gè)濾色器CF具有紅色、綠色和藍(lán)色顏色中的其中之一。黑矩陣241形成在濾色器CF之間并阻擋透過(guò)液晶層300的光。公共電極CE設(shè)置在濾色器CF和黑矩陣241上。第二配向?qū)?20覆蓋公共電極CE。液晶層300設(shè)置在第一配向?qū)?20與第二配向?qū)?20之間。液晶層300包括垂直取向液晶，但是本發(fā)明不限于此。液晶層300可包括例如扭向相列液晶。當(dāng)薄膜晶體管TFT響應(yīng)通過(guò)柵極線GL供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線DL 供應(yīng)的圖像信號(hào)經(jīng)由已經(jīng)導(dǎo)通的薄膜晶體管TFT供應(yīng)到像素電極PE。公共電壓被施加到公共電極CE，并且電場(chǎng)產(chǎn)生在像素電極PE與公共電極CE之間。因此，液晶層300的液晶分子被電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，因此，基于穿過(guò)液晶層300的光量來(lái)顯示圖像。液晶分子的預(yù)傾斜角是在電場(chǎng)被施加到液晶層之前液晶分子旋轉(zhuǎn)或傾斜的角度。 在液晶層300中包括的液晶分子的預(yù)傾斜角可根據(jù)第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20的特性而變化。如果液晶層300包括垂直取向液晶，則垂直取向液晶分子具有相對(duì)于基板的表面約88°至約89°的預(yù)傾斜角。在示范性實(shí)施方式中，第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20每個(gè)均包括多個(gè)區(qū)域并且在每個(gè)區(qū)域中配向?qū)友夭煌较蛉∠颉Ｔ谝韵挛闹?，在首先描述用于使配向?qū)友靥囟ǚ较蛉∠虻姆椒ㄖ?，將描述根?jù)當(dāng)前示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20 的取向方向。用于使第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20在每個(gè)區(qū)域中沿特定方向取向的方法利用光。該方法可包括，例如，以具有彼此不同的各種偏振方向的紫外線輻照配向?qū)?，并且還以相對(duì)于配向?qū)颖砻婢哂幸粌A斜角的光線輻照配向?qū)印D4A和圖4B是截面圖，顯示出設(shè)置在顯示面板的第一基板上的第一配向?qū)拥娜∠蜻^(guò)程，圖5是在圖4A中顯示的第一掩模的平面圖。參考圖4A和圖4B，第一配向?qū)?20形成在第一基底110上以覆蓋像素電極PE。 如上所述，至少一層插置在第一基底Iio與像素電極PE之間，但是為了便于說(shuō)明，在圖 4A和圖4B中省略了任何插置層。第一配向?qū)?20可包括當(dāng)輻射光(諸如，例如，紫外線或激光)時(shí)可經(jīng)歷分解、二聚或異構(gòu)化反應(yīng)的聚合物材料，諸如，例如，聚乙烯醇肉桂酸酯 (polyvinyl cinnamate, PVCN)材料、聚硅氧烷肉桂酸酯(polysiloxane cinnamate, PSCN) 材料或纖維素肉桂酸酯(cellulose cinnamate，CelCN)材料。具有多個(gè)第一開口 131的第一掩模130設(shè)置在第一配向?qū)?20上方。如圖5所示， 第一開口 131沿第一方向Dl延伸并彼此平行。像素區(qū)PA包括沿垂直于第一方向Dl的方向限定的第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2。 在該情形下，第一掩模130的第一開口 131位于像素區(qū)PA的第一區(qū)域Al上方。然后，第一配向?qū)?20被相對(duì)于第一配向?qū)?20的表面具有預(yù)定傾斜角θ的光輻照以執(zhí)行第一配向?qū)?20的第一區(qū)域Al的首次曝光工藝。預(yù)定傾斜角θ，在相對(duì)于第一配向?qū)?20表面的約 40°至約45°的范圍內(nèi)，其中光以該預(yù)定傾斜角θ照在第一配向?qū)?20上。在首次曝光工藝中，光源(未示出)將光輻照到第一區(qū)域Al上同時(shí)沿第一開口 131在第一方向Dl上移動(dòng)。通過(guò)相對(duì)于第一配向?qū)?20的表面傾斜第一基底110或光源，光能夠以預(yù)定的傾斜角度輻照在第一配向?qū)?20的表面上。然后，移動(dòng)第一掩模130使得第一開口 131相應(yīng)于像素區(qū)PA的第二區(qū)域Α2定位。 在這個(gè)狀態(tài)下，第二區(qū)域Α2被光以預(yù)定傾斜角θ輻射從而執(zhí)行關(guān)于第一配向?qū)?20的第二區(qū)域Α2的二次曝光工藝。在二次曝光工藝中，光源將光輻照在第二區(qū)域Α2上同時(shí)沿第一開口 131在第二方向D2上移動(dòng)，第二方向D2與第一方向Dl相反。在完成該曝光工藝之后，第一配向?qū)?20在第一區(qū)域Al中沿第一方向Dl以第一角度傾斜，在第二區(qū)域Α2中沿第二方向D2以第二角度傾斜。例如，配向?qū)?20傾斜的角度， 在此也被稱為配向?qū)?20的預(yù)傾角，是約85°至約89°。因而，當(dāng)不施加電場(chǎng)時(shí)，第一配向?qū)?20的液晶層(未示出)的液晶分子沿配向方向垂直地取向，并在第一配向?qū)?20的特定區(qū)域傾斜預(yù)傾斜角。根據(jù)當(dāng)前示范性實(shí)施方式，能精確地控制液晶分子取向的方向。此外，雖然已經(jīng)關(guān)于第一配向?qū)?20描述了利用光使配向?qū)尤∠虻姆椒?，但是本發(fā)明不限于此。能采用使配向?qū)尤∠虻母鞣N其它方法，諸如通過(guò)利用反應(yīng)介晶(reactive mesogen)或摩擦法。圖6A和圖6B是截面圖，顯示出設(shè)置在顯示面板的相對(duì)基板上的第二配向?qū)拥娜∠蜻^(guò)程，圖7是在圖6A中顯示的第二掩模的平面圖。參考圖6A和圖6B，第二基板200包括第二基底210和形成在第二基底210上的公共電極CE。為了便于說(shuō)明，在圖6A和圖6B中顯示出與一個(gè)像素區(qū)PA相應(yīng)的公共電極CE。 然而，公共電極CE形成在第二基底210的整個(gè)表面上。此外，至少一層插置在第二基底210 與公共電極CE之間，但是為了便于說(shuō)明，在圖6A和圖6B中省略了任何插置層。第二配向?qū)?20形成在第二基底210上以覆蓋公共電極CE。第二配向?qū)?20可包括當(dāng)輻照光(諸如，例如，紫外線或激光)時(shí)可經(jīng)歷分解、二聚或異構(gòu)化反應(yīng)的聚合物材料， 諸如，例如，聚乙烯醇肉桂酸酯(PVCN)材料、聚硅氧烷肉桂酸酯(PSCN)材料或纖維素肉桂酸酯(CelCN)材料。具有多個(gè)第二開口 231的第二掩模230設(shè)置在第二配向?qū)?20上方。如圖7所示， 第二開口 231彼此平行并沿第三方向D3延伸，第三方向D3垂直于第一方向Dl (見圖5)。像素區(qū)PA包括沿第一方向Dl限定的第三區(qū)域A3和第四區(qū)域A4。在該情形下，第二掩模230的第二開口 231位于像素區(qū)PA的第三區(qū)域A3上方。然后，第二配向?qū)?20被相對(duì)于第二配向?qū)?20的表面具有預(yù)定傾斜角θ的光輻照以執(zhí)行第二配向?qū)?20的第三區(qū)域A3的第三曝光工藝。在第三曝光工藝中，曝光器件將光輻照在第三區(qū)域A3上同時(shí)沿第二開口 231在第三方向D3上移動(dòng)。通過(guò)相對(duì)于第二配向?qū)?20的表面傾斜第二基底210或光源，光能夠以預(yù)定傾斜角θ輻照在第二配向?qū)?20的表面上。然后，第二掩模230移位使得第二開口 231相應(yīng)于像素區(qū)PA的第四區(qū)域Α4定位。
14在這個(gè)狀態(tài)下，第四區(qū)域A4由光以相對(duì)于第二配向?qū)?20的表面的預(yù)定傾斜角θ輻照以執(zhí)行第二配向?qū)?20的第四區(qū)域Α4的第四曝光工藝。在該第四曝光工藝中，光源將光輻照在第四區(qū)域Α4上同時(shí)沿第二開口 231在第四方向D4上移動(dòng)，第四方向D4與第三方向D3 相反。在完成該曝光工藝之后，第二配向?qū)?20在第三區(qū)域A3中沿第三方向D3以第三角度傾斜，在第四區(qū)域Α4中沿第四方向D4以第四角度傾斜。例如，第二配向?qū)?20的預(yù)傾斜角為約85°至約89°。因而，當(dāng)不施加電場(chǎng)時(shí)，第二配向?qū)?20的液晶層(未示出)的液晶分子沿配向方向垂直地取向，并在第二配向?qū)?20的特定區(qū)域傾斜預(yù)傾斜角。圖8Α至圖8C是平面圖，顯示出第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约跋袼仉姌O的形狀。圖8Α顯示圖4Β的第一配向?qū)拥呐湎蚍较颉D8Β顯示圖6Β的第二配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖8C顯示像素電極。參考圖8Α至圖8C，在第一基板100中像素區(qū)PA被分成第一區(qū)域Al和第二區(qū)域 Α2，第一配向?qū)?20在第一區(qū)域Al中沿第一方向Dl取向以及在第二區(qū)域Α2中沿第二方向 D2取向。在第二基板200中像素區(qū)PA被分成第三區(qū)域A3和第四區(qū)域Α4，第二配向?qū)?20 在第三區(qū)域A3中沿第三方向D3取向以及在第四區(qū)域Α4中沿第四方向D4取向。圖8C顯示在彼此面對(duì)的同時(shí)被組合的圖8Α的第一基板100和圖8Β第二基板200。 當(dāng)?shù)谝换搴偷诙褰M合時(shí)，第一疇DMl、第二疇DM2、第三疇DM3和第四疇DM4形成在第一基板100和第二基板200之間。第一疇DMl相應(yīng)于其中第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第二疇DM2相應(yīng)于其中第一區(qū)域Al和第四區(qū)域Α4重疊的區(qū)域，第三疇DM3相應(yīng)于其中第二區(qū)域Α2和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第四疇DM4相應(yīng)于其中第二區(qū)域Α2和第四區(qū)域Α4重疊的區(qū)域。在插置在第一配向?qū)?20與第二配向?qū)?20之間的液晶層300中，液晶分子在每個(gè)疇中沿不同方向取向。在第一疇DMl至第四疇DM4中，液晶分子沿四個(gè)不同的方向取向。 具體地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為配向?qū)友仄淙∠虻牡谝环较駾l和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為其中配向?qū)友仄淙∠虻牡谝环较駾l和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為其中配向?qū)友仄淙∠虻牡诙较駾2和第三方向D3的矢量和；在第四疇中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向 D8被限定為其中配向?qū)友仄淙∠虻牡诙较駾2和第四方向D4的矢量和。因此，如圖8C所示，在第一疇DMl至第四疇DM4中，液晶層的液晶分子具有在第一疇DMl至第四疇DM4中依序順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的取向方向。例如，液晶分子的取向方向以第一疇 DM1、第三疇DM3、第四疇DM4和第二疇DM2的順序順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。因?yàn)樵谄渲幸壕Х肿友夭煌较蛉∠虻亩鄠€(gè)疇DMl至DM4形成在像素區(qū)中，所以IXD 400可具有寬視角。此外，設(shè)置在第一基板100上的像素電極PE包括至少一個(gè)延伸部，該至少一個(gè)延伸部在像素電極PE的與第一疇DMl至第四疇DM4的至少一個(gè)相應(yīng)的一部分處沿第一方向 Dl至第四方向D4之一延伸。具體地，如果液晶層300的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中如圖8C所示地依序順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則像素電極PE的延伸部可包括在像素電極的分別與第一疇DMl至第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域中沿像素電極PE的邊緣定位的第一延伸部111a、第二延伸部111b、第三延伸部Illc和第四延伸部llld。第一延伸部Illa在像素電極PE的與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl向外延伸。也就是說(shuō)，延伸部Illa在像素電極PE的與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域中沿像素電極PE的外邊緣定位，并沿第一方向Dl向外突出。第二延伸部Illb在像素電極PE的與第二疇DM2 相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4從像素電極PE向外延伸。此外，第三延伸部Illc在像素電極PE 的與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3從像素電極PE向外延伸，第四延伸部Illd在像素電極PE的與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2從像素電極PE向外延伸。由于在兩個(gè)相鄰像素電極PE之間形成的邊緣場(chǎng)(fringe field)，在兩個(gè)相鄰像素電極PE之間的界線處可發(fā)生液晶分子的異常取向(錯(cuò)排列(misalignment))。發(fā)生在兩個(gè)相鄰像素電極PE之間的邊緣場(chǎng)的位置可以通過(guò)在每個(gè)相鄰像素中液晶分子的取向方向來(lái)確定。也就是說(shuō)，在液晶分子的取向方向朝相鄰像素電極指向或?qū)?zhǔn)的區(qū)域中，在像素電極PE與相鄰像素電極(在圖8C中未示出)之間產(chǎn)生邊緣場(chǎng)。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，第一延伸部Illa至第四延伸部Illd設(shè)置在其中邊緣場(chǎng)產(chǎn)生于像素電極PE與相鄰像素電極之間的區(qū)域中。如果第一延伸部Illa至第四延伸部 Illd設(shè)置在這樣的區(qū)域中，則像素電極PE與相鄰像素電極之間的界線區(qū)域可以轉(zhuǎn)移到黑矩陣241所定位的區(qū)域，在此被稱為光阻擋區(qū)。黑矩陣241阻擋光并防止漏光。如此，如果產(chǎn)生邊緣場(chǎng)的界線區(qū)域轉(zhuǎn)移到這樣的光阻擋區(qū)，則由于邊緣場(chǎng)導(dǎo)致發(fā)生錯(cuò)排列的區(qū)域位于該光阻擋區(qū)中，因液晶分子的錯(cuò)排列可能泄漏的任何光被阻擋。因此，能防止可以由像素之間的界線處的液晶分子的錯(cuò)排列引起的LCD 400的開口率和透光率的降低。圖9A至圖9C是平面圖，顯示出根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约跋袼仉姌O的形狀。圖9A顯示出第一配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖9B 顯示出第二配向?qū)拥呐湎蚍较颉D9C顯示像素電極。參考圖9A至圖9C，在第一基板100中像素區(qū)PA被分成第一區(qū)域Al和第二區(qū)域 A2，第一配向?qū)?20在第一區(qū)域Al中沿第一方向Dl取向以及在第二區(qū)域A2中沿第二方向 D2取向。在第二基板200中像素區(qū)PA被分成第三區(qū)域A3和第四區(qū)域A4，第二配向?qū)?20 在第三區(qū)域A3中沿第三方向D3取向以及在第四區(qū)域A4中沿第四方向D4 (其與圖8B中的取向方向相反)取向。如圖9C所示，當(dāng)?shù)谝换?00和第二基板200組合同時(shí)彼此面對(duì)時(shí)，第一疇DMl 至第四疇DM4形成在第一基板100和第二基板200之間。第一疇DMl相應(yīng)于其中第一區(qū)域 Al和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第二疇DM2相應(yīng)于其中第一區(qū)域Al和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域，第三疇DM3相應(yīng)于其中第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第四疇DM4相應(yīng)于其中第二區(qū)域A2和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域。在該情形下，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4 中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和。因此，如圖9C所示，在第二疇DM2中的液晶300的取向方向面對(duì)在第三疇DM3中的液晶300的取向方向，在第一疇DMl中的液晶300的取向方向與在第四疇DM4中的液晶 300的取向方向相反。此外，設(shè)置在第一基板100上的像素電極PE包括至少一個(gè)延伸部，該至少一個(gè)延伸部沿與第一疇DMl至第四疇DM4的至少一個(gè)相應(yīng)的第一方向Dl至第四方向D4之一延伸。詳細(xì)地，如果第二疇DM2中的液晶分子的取向方向面對(duì)第三疇DM3中的液晶分子的取向方向，則像素電極PE的延伸部可包括沿第一疇DMl定位的第一延伸部Ille和第二延伸部lllf，以及沿第四疇DM4定位的第三延伸部Illg和第四延伸部lllh。第一延伸部Ille在第一疇DMl沿第一方向Dl從像素電極PE向外延伸，第二延伸部Illf在第一疇DMl沿第三方向D3從像素電極PE向外延伸。此外，第三延伸部Illg在第四疇DM4沿第二方向D2從像素電極PE向外延伸，第四延伸部11 Ih在第四疇DM4沿第四方向D4從像素電極PE向外延伸。在像素電極PE內(nèi)的液晶分子的取向方向彼此面對(duì)的第二疇DM2和第三疇DM3中相鄰像素電極之間不產(chǎn)生邊緣場(chǎng)。然而，在液晶分子的取向方向彼此相反的第一疇DMl和第四疇DM4中相鄰像素電極之間產(chǎn)生邊緣場(chǎng)。因而，如果第一延伸部Ille至第四延伸部 Illh形成在像素電極PE中與第一DMl至第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域，則在其中液晶分子錯(cuò)排列的區(qū)域可以轉(zhuǎn)移到黑矩陣241下面的光阻擋區(qū)中。因此，能改善IXD的開口率和透光率。圖IOA至圖IOC是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀。圖IOA顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖IOB顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第二配向?qū)拥呐湎蚍较颉DIOC顯示出設(shè)置在像素區(qū)中的像素電極。參考圖IOA至圖10C，在第一基板100中像素區(qū)PA被分成第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)被分成第一區(qū)域Al 和第二區(qū)域A2。在第一區(qū)域Al中液晶分子沿第二方向D2取向以及在第二區(qū)域A2中沿第一方向Dl取向。在第二基板200中，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)均被分成第三區(qū)域A3和第四區(qū)域A4。在第三區(qū)域A3中液晶分子沿第三方向D3取向以及在第四區(qū)域A4中沿第四方向D4取向。如圖IOC所示，當(dāng)?shù)谝换?00和第二基板200組合同時(shí)彼此面對(duì)時(shí)，第一疇DMl 至第四疇DM4形成在第一基板100和第二基板200之間的第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2兩者中。第一疇DMl相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第二疇DM2 相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域，第三疇DM3相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第三區(qū)域 A3重疊的區(qū)域，第四疇DM4相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域。液晶層300的液晶分子在第一疇DMl至第四疇DM4中沿彼此不同的各種方向取向。詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6 被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7 取向，第七方向D7被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和。因此，在每個(gè)子像素區(qū)SPAl和SPA2中液晶層300的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。例如，液晶層的取向方向以第一疇DM1、第二疇DM2、第四疇 DM4和第三疇DM3的順序逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。因?yàn)樵谄渲幸壕Х肿友夭煌较蛉∠虻亩鄠€(gè)疇DMl 至DM4形成在子像素區(qū)SPAl和SPA2中，所以IXD 400可具有寬視角。此外，第一像素電極141設(shè)置在第一基板100的第一子像素區(qū)SPAl中，第二像素電極142設(shè)置在第一基板100的第二子像素區(qū)SPA2中。第一像素電極141和第二像素電極142在第一方向Dl彼此相鄰地排列。第一像素電極141上包括至少一個(gè)延伸部，該至少一個(gè)延伸部沿與第一疇DMl至第四疇DM4的至少一個(gè)相應(yīng)的第一方向Dl至第四方向D4之一延伸。詳細(xì)地，如果液晶分子的取向方向如圖IOC所示地在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第一像素電極141的延伸部可分別包括沿第一疇DMl至第四疇DM4定位的第一延伸部141a至第四延伸部141d。特別地，像素電極141的第一延伸部141a在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向 D3延伸，第二延伸部141b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。此外，第三延伸部141c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第四延伸部141d在與第四疇DM4 相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸。第二像素電極142也包括至少一個(gè)延伸部，該至少一個(gè)延伸部沿與第一疇DMl至第四疇DM4的至少一個(gè)相應(yīng)的第一方向Dl至第四方向D4之一延伸。詳細(xì)地，如果液晶分子的取向方向如圖IOC所示地在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第二像素電極142的延伸部可分別包括沿第一疇DMl至第四疇DM4定位的第五延伸部14 至第八延伸部142d。第五延伸部14 沿第三方向D3延伸以及第六延伸部142b沿第二方向D2延伸。 此外，第七延伸部142c沿第一方向Dl延伸，第八延伸部142d沿第四方向D4延伸。在以下文中，將基于其中兩個(gè)子像素設(shè)置在每個(gè)像素中的結(jié)構(gòu)參考圖11至圖13 詳細(xì)地描述設(shè)置在像素電極中的延伸部。圖11是在根據(jù)第二示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖。根據(jù)第二示范性實(shí)施方式的LCD包括多個(gè)像素。然而，為了便于說(shuō)明，在圖11中僅示出其中一個(gè)像素，其余的像素具有相同的結(jié)構(gòu)。參考圖11，像素PX包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。第一子像素SPXl包括第一薄膜晶體管Trl、第一液晶電容器Clcl和第一存儲(chǔ)電容器Cstl。第二子像素SPX2包括第二薄膜晶體管Tr2、第二液晶電容器Clc2、第二存儲(chǔ)電容器Cst2、第三薄膜晶體管Tr3 和耦合電容器Ccp。第一子像素SPXl和第二子像素SPX2設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線(在以下文中，被稱為第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1)之間。第一子像素SPXl的第一薄膜晶體管Trl連接到第一數(shù)據(jù)線DLm和第一柵極線 GLn。第二子像素SPX2的第二薄膜晶體管Tr2連接到第一數(shù)據(jù)線DLm和第一柵極線GLn。詳細(xì)地，第一薄膜晶體管Trl包括連接到第一數(shù)據(jù)線DLm的第一源電極、連接到第一柵極線GLn的第一柵電極以及連接到第一液晶電容器Clcl的第一漏電極。第一存儲(chǔ)電容器Cstl設(shè)置在第一漏電極與第一存儲(chǔ)線SLn之間，并并聯(lián)連接到第一液晶電容器Clcl。第二薄膜晶體管Tr2包括連接到第一數(shù)據(jù)線DLm的第二源電極、連接到第一柵極線GLn的第二柵電極以及連接到第二液晶電容器Clc2的第二漏電極。第二存儲(chǔ)電容器Cst2設(shè)置在第二漏電極與第二存儲(chǔ)線SLn+Ι之間，并并聯(lián)連接到第二種液晶電容器Clc2。當(dāng)?shù)谝粬判盘?hào)被施加到第一柵極線GLn(高電平區(qū)間的第一柵信號(hào))時(shí)，第一薄膜晶體管Trl和第二薄膜晶體管Tr2同時(shí)導(dǎo)通。然后施加到第一數(shù)據(jù)線DLm的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已經(jīng)導(dǎo)通的第一薄膜晶體管Trl和第二薄膜晶體管Tr2施加到第一液晶電容器Clcl和第二液晶電容器Clc2。因而，在第一柵信號(hào)的高電平區(qū)間期間，第一液晶電容器Clcl和第二液晶電容器Clc2被充以相同的像素電壓。第三薄膜晶體管Tr3包括連接到第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極的第三源電極、連接到第二柵極線GLn+Ι的第三柵電極以及連接到耦合電容器Ccp的第三漏電極。第二柵極線GLn+Ι接收第二柵信號(hào)，該第二柵信號(hào)在第一柵信號(hào)落下之后上升。當(dāng)?shù)谌∧ぞw管Tr3響應(yīng)第二柵信號(hào)導(dǎo)通時(shí)，電壓分布(voltage distribution)可發(fā)生在第二液晶電容器Clc2與耦合電容器Ccp之間。因此，充在第二液晶電容器Clc2中的像素電壓降低。 在該電壓分布之后第二液晶電容器Clc2中像素電壓的降低的電壓電平取決于耦合電容器 Ccp的充電速率。因而，第一液晶電容器Clcl被充以第一像素電壓，第二液晶電容器Clc2被充以第二像素電壓，在接收第二柵信號(hào)之后該第二像素電壓低于第一像素電壓。圖12是在圖11中顯示的像素的布局圖，圖13是沿圖12的線11-11’截取的橫截面圖。參考圖12和圖13，IXD 400包括第一基板100、第二基板200以及插置在第一基板100與第二基板200之間的液晶層300，其中第二基板200與第一基板100耦接并面對(duì)第一基板100。第一基板100包括第一基底110、在第一基底110上沿第二方向D2延伸并彼此平行的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1以及在第一基底110上沿第三方向D3延伸的第一柵極線GLn和第二柵極線GLn+1。此外，第一基板100還包括沿第三方向D3延伸的第一存儲(chǔ)線SLn以及從第一存儲(chǔ)線SLn分支并沿第二方向D2延伸的第一分支電極LSLn和第二分支電極RSLn。第一基板 100可還包括沿第三方向D3延伸的第二存儲(chǔ)線SLn+Ι以及從第二存儲(chǔ)線SLn+Ι分支并沿第一方向Dl延伸的第三分支電極LSLn+Ι和第四分支電極RSLn+1。第一薄膜晶體管Trl包括從第一柵極線GLn分支的第一柵電極GE1、從第一數(shù)據(jù)線 DLm分支的第一源電極SEl以及電連接到第一像素電極141的第一漏電極DE1。第一像素電極141部分地重疊第一存儲(chǔ)線SLn以及第一分支電極LSLn和第二分支電極RSLn以形成第一存儲(chǔ)電容器Cstl (見圖11)。第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。例如，液晶分子的取向方向以第一疇DMl、第二疇DM2、第四疇DM4和第三疇DM3的順序逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。如果液晶分子的取向方向如圖12所示地在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第一像素電極141的第一延伸部141a在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第一像素電極141的第二延伸部141b在與第二疇 DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第一像素電極141的第三延伸部141c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部141d在與第四疇 DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第二薄膜晶體管Tr2包括從第一柵極線GLn分支的第二柵電極GE2、從第一數(shù)據(jù)線 DLm分支的第二源電極SE2以及電連接到第二像素電極142的第二漏電極DE2。第二像素電極142部分地重疊第二存儲(chǔ)線SLn+Ι以及第三分支電極LSLn+Ι和第四分支電極RSLn+Ι以形成第二存儲(chǔ)電容器Cst2(見圖11)。第二像素電極142被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。如果液晶分子的取向方向如圖12所示地在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第二像素電極142的第五延伸部14 在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向 D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第二像素電極142的第六延伸部142b在與第二疇 DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第二像素電極142的第七延伸部142c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部142d在與第四疇 DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第一基板100還包括第三薄膜晶體管Tr3和耦合電容器Ccp。第三薄膜晶體管Tr3 包括從第二柵極線GLn+Ι分支的第三柵電極GE3、從第二漏電極DE2延伸的第三源電極SE3 以及連接到耦合電容器Ccp的第三漏電極DE3。耦合電容器Ccp包括從第三漏電極DE3延伸的第一電極CEl以及面對(duì)第一電極CEl的第二電極CE2，但是本發(fā)明不限于此。參考圖13，第一基板100還包括第一絕緣層151和第二絕緣層152以及有機(jī)層 153。第二基板200包括第二基底210，黑矩陣Ml，濾色器層R、G和B，公共電極CE以及第二配向?qū)?20。黑矩陣241形成在與第一基板100的光阻擋區(qū)相應(yīng)的區(qū)域中。光阻擋區(qū)能被限定為形成第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1、第一薄膜晶體管Trl至第三薄膜晶體管Tr3、耦合電容器Ccp以及第一柵極線GLn和第二柵極線GLn+Ι的區(qū)域。因?yàn)榈谝幌袼仉姌O141和第二像素電極142沒(méi)有形成在光阻擋區(qū)中，所以液晶分子在光阻擋區(qū)沒(méi)有被排列，使得通過(guò)光阻擋區(qū)中的液晶層可發(fā)生漏光。為此，黑矩陣241設(shè)置在光阻擋區(qū)中以阻擋這樣的漏光。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，黑矩陣241可部分地重疊第一像素電極141的第一延伸部141a至第四延伸部141d。雖然在圖中未示出，但是黑矩陣241可部分地重疊第一像素電極141的第二延伸部141b和第三延伸部141c以及第二像素電極142的第五延伸部14 至第八延伸部142d。如果第一延伸部至第八延伸部141a至141d和142a至142d與黑矩陣241重疊， 則錯(cuò)排列或沒(méi)有被排列的液晶分子的區(qū)域能轉(zhuǎn)移到黑矩陣241下面的光阻擋區(qū)，其中該錯(cuò)排列可以由于邊緣場(chǎng)產(chǎn)生。因此，能防止可以由液晶分子的錯(cuò)排列引起的LCD的開口率和透光率的降低。公共電極CE面對(duì)第一像素電極141以形成第一液晶電容器Clcl。雖然在圖中沒(méi)有示出，公共電極CE面對(duì)第二像素電極142以形成第二液晶電容器Clc2。圖14A至圖14C是平面圖，顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀。圖14A顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖14B顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第二配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖14C顯示出設(shè)置在像素區(qū)中的第一像素電極和第二像素電極。參考圖14A至圖14C，在第一基板100中像素區(qū)PA被分成第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)被分成第一區(qū)域Al 和第二區(qū)域A2。在第一區(qū)域Al中液晶分子沿第二方向D2取向并且在第二區(qū)域A2中沿第一方向Dl取向。在第二基板200中，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)均被分成第三區(qū)域A3和第四區(qū)域A4。在第三區(qū)域A3中液晶分子沿第三方向D3取向并且在第四區(qū)域A4中沿第四方向D4取向。如圖14C所示，當(dāng)?shù)谝换?00和第二基板200組合同時(shí)彼此面對(duì)時(shí)，第一疇DMl 至第四疇DM4在第一基板100和第二基板200之間形成在第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2兩者中。第一疇DMl相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第二疇DM2 相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域，第三疇DM3相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第三區(qū)域 A3重疊的區(qū)域，第四疇DM4相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域。液晶層300的液晶分子在第一疇DMl至第四疇DM4中沿彼此不同的各種方向取向。詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6 被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7 取向，第七方向D7被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和。因此，在第二疇DM2中液晶層300的取向方向與在第三疇DM3中液晶層300的取向方向相反。此外，在第一疇DMl中液晶層300的取向方向面對(duì)在第四疇DM4中液晶層300 的取向方向。如此，因?yàn)樵谄渲幸壕Х肿友夭煌较蛉∠虻亩鄠€(gè)疇DMl至DM4形成在子像素區(qū)SPAl和SPA2中，所以IXD 400可具有寬視角。此外，第一像素電極141設(shè)置在第一基板100的第一子像素區(qū)SPAl中，第二像素電極142設(shè)置在第一基板100的第二子像素區(qū)SPA2中。第一像素電極141和第二像素電極142在第一方向Dl彼此相鄰地排列。當(dāng)液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反時(shí)，第一像素電極141的延伸部可包括沿第二疇DM2定位的第一延伸部141e和第二延伸部141f以及沿第三疇DM3定位的第三延伸部141g和第四延伸部141h。第一延伸部141e沿第二方向D2延伸以及第二延伸部141f沿第四方向D4延伸。 此外，第三延伸部141g沿第一方向Dl延伸，第四延伸部141h沿第三方向D3延伸。當(dāng)液晶層300在第一疇DMl中的取向方向面對(duì)液晶層300在第四疇DM4中的取向方向時(shí)，第二像素電極142可包括沿第二疇DM2定位的第五延伸部14 和第六延伸部142f 以及沿第三疇DM3定位的第七延伸部142g和第八延伸部14池。第五延伸部14 沿第二方向D2延伸以及第六延伸部142f沿第四方向D4延伸。此外，第七延伸部142g沿第一方向Dl延伸，第八延伸部14 沿第三方向D3延伸。圖15是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖14C中示出的第一像素電極和第二像素電極的陣列基板，圖16是沿圖15的線III-III’截取的截面圖。在下面的描述中，將省略已經(jīng)參考圖12描述的元件的細(xì)節(jié)并且相同的附圖標(biāo)記將指定相同的元件。參考圖15，第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反。當(dāng)液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反時(shí)，第一像素電極141的第一延伸部141e在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2 延伸，第一像素電極141的第二延伸部141f在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸同時(shí)與第一數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊。另外，第一像素電極141的第三延伸部141g在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部141h在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸同時(shí)與第二數(shù)據(jù)線DLm+1部分地重疊。此外，第二像素電極142被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇 DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反。當(dāng)液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反時(shí)，第二像素電極142的第五延伸部14 在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2 延伸，第二像素電極142的第六延伸部142f在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸同時(shí)與第一數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊。另外，第二像素電極142的第七延伸部142g在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部14 在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸同時(shí)部分地重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。如圖16所示，第一像素電極141的第一延伸部141e至第四延伸部141h可與黑矩陣241部分地重疊。此外，第二像素電極142的第五延伸部14 至第八延伸部14 可與黑矩陣241部分重疊。如果第一延伸部至第八延伸部141e至141h和14 至142h與黑矩陣241重疊， 則液晶分子錯(cuò)排列或沒(méi)有被排列的區(qū)域能轉(zhuǎn)移到黑矩陣241下面的光阻擋區(qū)，其中該錯(cuò)排列可以因邊緣場(chǎng)而產(chǎn)生。因此，能改善IXD 400的開口率和透光率。圖17是在根據(jù)第三示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖。參考圖17，像素PX包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。第一子像素SPXl包括第一薄膜晶體管Trl、第一液晶電容器Clcl和第一存儲(chǔ)電容器Cstl。第二子像素SPX2包括第二薄膜晶體管Tr2、第二液晶電容器Clc2、第二存儲(chǔ)電容器Cst2、第三薄膜晶體管Tr3 和耦合電容器Ccp。第一薄膜晶體管Trl包括連接到第一數(shù)據(jù)線DLm的第一源電極、連接到第一柵極線GLn的第一柵電極以及連接到第一液晶電容器Clcl的第一漏電極。第一存儲(chǔ)電容器Cstl 設(shè)置在第一漏電極與第一存儲(chǔ)線SLn之間，并且并聯(lián)連接到第一液晶電容器Clcl。第二薄膜晶體管Tr2包括連接到第一數(shù)據(jù)線DLm的第二源電極、連接到第一柵極線GLn的第二柵電極以及連接到第二液晶電容器Clc2的第二漏電極。第二存儲(chǔ)電容器Cst2 設(shè)置在第二漏電極與第二存儲(chǔ)線SLn+Ι之間，并聯(lián)連接到第二種液體晶電容器Clc2。
第三薄膜晶體管Tr3包括從連接到第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極的第三源電極、連接到第一存儲(chǔ)線SLn的第三柵電極以及連接到耦合電容器Ccp的第三漏電極。耦合電容器Ccp設(shè)置在第三漏電極與第一存儲(chǔ)線SLn之間。當(dāng)?shù)谝粬判盘?hào)施加到第一柵極線GLn時(shí)，第一薄膜晶體管Trl和第二薄膜晶體管 Tr2同時(shí)導(dǎo)通。然后施加到第一數(shù)據(jù)線DLm的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已經(jīng)導(dǎo)通的第一薄膜晶體管Trl 和第二薄膜晶體管Tr2被施加到第一液晶電容器Clcl和第二液晶電容器Clc2。因而，第一液晶電容器Clcl和第二液晶電容器Clc2被充以相同的像素電壓。根據(jù)當(dāng)前的示范性實(shí)施方式，數(shù)據(jù)電壓可具有OV至15V的電平。第三薄膜晶體管Tr3響應(yīng)施加到第一存儲(chǔ)線SLn的存儲(chǔ)電壓而導(dǎo)通。例如，施加到第一存儲(chǔ)線SLn的存儲(chǔ)電壓是約7. 5V。第三薄膜晶體管Tr3響應(yīng)存儲(chǔ)電壓可具有足以導(dǎo)通第三薄膜晶體管Tr3的溝道寬度。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，因?yàn)榈谌∧ぞw管Tr3已經(jīng)響應(yīng)存儲(chǔ)電壓而導(dǎo)通， 所以根據(jù)第一液晶電容器Clcl和耦合電容器Ccp的充電速率，在第一液晶電容器Clcl與耦合電容器Ccp之間發(fā)生電壓分布。第一節(jié)點(diǎn)m的電勢(shì)根據(jù)電壓分布而改變。詳細(xì)地，當(dāng)具有正極性的數(shù)據(jù)電壓被施加到第一節(jié)點(diǎn)m時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)m的電勢(shì)由于電壓分布而降低。 此外，當(dāng)具有負(fù)極性的數(shù)據(jù)電壓被施加到第一節(jié)點(diǎn)m時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)m的電勢(shì)由于電壓分布而增加。第一節(jié)點(diǎn)m的電勢(shì)變化能根據(jù)耦合電容器Ccp的電容被調(diào)整。因此，當(dāng)?shù)谝灰壕щ娙萜鰿lcl被充以第一像素電壓時(shí)，第二液晶電容器Clc2被充以低于第一像素電壓的第二像素電壓，并且是第三薄膜晶體管Tr3和耦合電容器Ccp降低了第二像素電壓。圖18是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖17中示出的像素的第一基板。參考圖18，第一基板100包括沿第二方向D2延伸并彼此平行的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1、沿第三方向D3延伸的第一柵極線GLn以及沿第三方向D3延伸的第一存儲(chǔ)線SLn和第二存儲(chǔ)線SLn+Ι。此外，第一基板100還包括從第一存儲(chǔ)線SLn分支并沿第二方向D2延伸的第一分支電極LSLn和第二分支電極RSLn。第一薄膜晶體管Trl的第一柵電極GEl從第一柵極線GLn分支，第一薄膜晶體管 Trl的第一源電極SEl從第一數(shù)據(jù)線DLm分支。第一薄膜晶體管Trl的第一漏電極DEl電連接到第一像素電極141。第一像素電極141部分地重疊第一存儲(chǔ)線SLn以及第一分支電極LSLn和第二分支電極RSLn以形成第一存儲(chǔ)電容器Cstl (見圖17)。第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。例如，液晶分子的取向方向以第一疇DMl、第二疇DM2、第四疇DM4和第三疇DM3的順序逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第一像素電極141的第一延伸部141a在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第一像素電極141的第二延伸部141b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第一像素電極141的第三延伸部141c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部141d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第二薄膜晶體管Tr2的第二柵電極GE2從第一柵極線GLn分支，第二薄膜晶體管 Tr2的第二源電極SE2從第一數(shù)據(jù)線DLm分支。第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極DE2電連接到第二像素電極142。第二像素電極142被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第二像素電極142的第五延伸部14 在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第二像素電極142的第六延伸部142b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第二像素電極142的第七延伸部142c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部142d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第一基板100還包括第三薄膜晶體管Tr3和耦合電容器Ccp。第三薄膜晶體管Tr3 的第三柵電極GE3從第一存儲(chǔ)線SLn分支，第三薄膜晶體管Tr3的第三源電極SE3從第二漏電極DE2延伸，第三薄膜晶體管Tr3的第三漏電極DE3連接到耦合電容器Ccp。耦合電容器Ccp包括從第三漏電極DE3延伸的第一電極CEl以及面對(duì)第一電極CEl的第二電極CE2， 但是本發(fā)明不限于此。圖19是在根據(jù)第四示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖，圖20是平面圖，顯示出設(shè)置有圖19中示出的像素的第一基板。在圖19和圖20中顯示的像素與在圖11和圖12中顯示的像素相同，除了第二耦合電容器Ccp2之外。參考圖19和圖20，第一耦合電容器Ccpl設(shè)置在第三薄膜晶體管Tr3的第三漏電極DE3與第一存儲(chǔ)線SLn之間。第一耦合電容器Ccpl包括從第三漏電極DE3延伸的第一電極CEl以及從第一存儲(chǔ)線SLn延伸同時(shí)面對(duì)第一電極CEl的第二電極CE2。第二耦合電容器Ccp2設(shè)置在第三薄膜晶體管Tr3的第三漏電極DE3與第一液晶電容器Clcl的第一像素電極141之間。第二耦合電容器Ccp2包括從第一電極CEl延伸的第三電極CE3以及從第一像素電極141延伸同時(shí)面對(duì)第三電極CE3的第四電極CE4。當(dāng)?shù)谌∧ぞw管Tr3響應(yīng)供應(yīng)到第二柵極線GLn+Ι的第二柵信號(hào)導(dǎo)通時(shí)，電壓分布可發(fā)生在第一耦合電容器Ccpl與第二液晶電容器Clc2之間。因此，第一耦合電容器 Ccpl和第二液晶電容器Clc2被充以相同的電壓，但是充到第二液晶電容器Clc2中的第二像素電壓低于充到第一液晶電容器Clcl中的第一像素電壓。當(dāng)?shù)谝灰壕щ娙萜鰿lcl通過(guò)第二耦合電容器Ccp2連接到第一耦合電容器Ccpl 時(shí)，充到第一液晶電容器Clcl中的第一像素電壓可由于第一耦合電容器Ccpl的耦合而增加。參考圖20，第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。例如，液晶分子的取向方向以第一疇DM1、第二疇DM2、第四疇DM4和第三疇DM3的順序逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。
如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第一像素電極141的第一延伸部141a在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第一像素電極141的第二延伸部141b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第一像素電極141的第三延伸部141c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部141d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第二薄膜晶體管Tr2的第二柵電極GE2從第一柵極線GLn分支，第二薄膜晶體管 Tr2的第二源電極SE2從第一數(shù)據(jù)線DLm分支。第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極DE2電連接到第二像素電極142。第二像素電極142被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第二像素電極142的第五延伸部14 在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第二像素電極142的第六延伸部142b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第二像素電極142的第七延伸部142c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部142d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。如此，當(dāng)延伸部形成在第一像素電極141和第二像素電極142中時(shí)，能改善IXD 400的開口率和透光率。圖21是在根據(jù)第五示范性實(shí)施方式的IXD中設(shè)置的像素的等效電路圖。根據(jù)第五示范性實(shí)施方式的IXD包括多個(gè)像素。然而，為了便于說(shuō)明，在圖21中僅示出其中一個(gè)像素，其余的像素具有相同的結(jié)構(gòu)。參考圖21，像素PX包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。第一子像素SPXl 包括第一薄膜晶體管Trl、第一液晶電容器Clcl和第一存儲(chǔ)電容器Cstl。第二子像素SPX2 包括第二薄膜晶體管Tr2、第二液晶電容器Clc2和第二存儲(chǔ)電容器Cst2。第一子像素SPXl 和第二子像素SPX2設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線(在以下文中，被稱為第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1)之間。第一子像素SPXl的第一薄膜晶體管Trl連接到第一數(shù)據(jù)線DLm和第一柵極線 GLn，第二子像素SPX2的第二薄膜晶體管Tr2連接到第二數(shù)據(jù)線DLm+1和第一柵極線GLn。
第一液晶電容器Clcl并聯(lián)連接到第一存儲(chǔ)電容器Cstl，第二液晶電容器Clc2并聯(lián)連接到第二存儲(chǔ)電容器Cst2。 當(dāng)一柵信號(hào)被施加到柵極線GLn時(shí)，第一薄膜晶體管Trl和第二薄膜晶體管Tr2 同時(shí)導(dǎo)通。然后，施加到第一數(shù)據(jù)線DLm的第一數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已經(jīng)導(dǎo)通的第一薄膜晶體管 Trl被傳送到第一液晶電容器Clcl，施加到第二數(shù)據(jù)線DLm+1的第二數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已經(jīng)導(dǎo)通的第二薄膜晶體管Tr2被傳送到第二液晶電容器Clc2。第一數(shù)據(jù)電壓的電壓電平不同于第二數(shù)據(jù)電壓的電壓電平。因而，充在第一液晶電容器Clcl中的電壓不同于充在第二液晶電容器Clc2中的電壓。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，如果第一液晶電容器Clcl被充以第一像素電壓，則第二液晶電容器Clc2被充以低于第一像素電壓的第二像素電壓。
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圖22是平面圖，顯示出設(shè)置有在圖21中示出的像素的第一基板。參考圖22，第一基板100包括沿第二方向延伸并彼此平行的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1以及沿第三方向D3延伸的柵極線GLn。第一薄膜晶體管Trl的第一柵電極GEl從第一柵極線GLn分支，第一薄膜晶體管 Trl的第一源電極SEl從第一數(shù)據(jù)線DLm分支。第一薄膜晶體管Trl的第一漏電極DEl電連接到第一像素電極141。第一像素電極141部分地重疊第一存儲(chǔ)線SLn以及第一分支電極LSLn和第二分支電極RSLn以形成第一存儲(chǔ)電容器Cstl (見圖21)。第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4 中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第一像素電極141的第一延伸部141a在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第一像素電極141的第二延伸部 141b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第一像素電極141的第三延伸部141c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部 141d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。第二薄膜晶體管Tr2的第二柵電極GE2從柵極線GLn分支，第二薄膜晶體管Tr2 的第二源電極SE2從第二數(shù)據(jù)線DLm+1分支。第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極DE2電連接到第二像素電極142。第二像素電極142部分地重疊第二存儲(chǔ)線SLn+Ι以及第三分支電極LSLn+Ι和第四分支電極RSLn+Ι以形成第二存儲(chǔ)電容器Cst2 (見圖21)。第二像素電極142被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4 中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。如果液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則第二像素電極142的第五延伸部14 在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm。此外，第二像素電極142的第六延伸部 142b在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸。另外，第二像素電極142的第七延伸部142c在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部 142d在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1。因而，第一像素電極141的第一延伸部141a至第四延伸部141d可部分地重疊黑矩陣Ml (見圖13)。此外，第二像素電極142的第五延伸部14 至第八延伸部142d可部分地重疊黑矩陣Ml。如果第一延伸部至第八延伸部141a至141d和14 至142d與黑矩陣241重疊， 則其中液晶分子錯(cuò)排列或沒(méi)有被排列的區(qū)域能轉(zhuǎn)移到黑矩陣241下方的光阻擋區(qū)中，其中錯(cuò)排列可以由于邊緣場(chǎng)產(chǎn)生。因此，能改善可以由液晶分子的錯(cuò)排列引起的LCD 400的開口率和透光率的降低。圖23是平面圖，顯示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式設(shè)置有在圖21中示出的像素的第一基板。在下面的描述中，將省略已經(jīng)參考圖22描述的元件的細(xì)節(jié)并且相同的附圖標(biāo)記將指定相同的元件。參考圖23，第一像素電極141和第二像素電極142的每一個(gè)均被分成第一疇DMl 至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。
如果液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反，則第一像素電極141的第一延伸部141e在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向 D2延伸，第一像素電極141的第二延伸部141f在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4 延伸同時(shí)與第一數(shù)據(jù)線DLm部分重疊。另外，第一像素電極141的第三延伸部141g在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第一像素電極141的第四延伸部141h在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸同時(shí)與第二數(shù)據(jù)線DLm+1部分地重疊。如果液晶層300在第二疇DM2中的取向方向與液晶層300在第三疇DM3中的取向方向相反，則第二像素電極142的第五延伸部14 在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向 D2延伸，第二像素電極142的第二延伸部142f在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4 延伸同時(shí)與第一數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊。另外，第二像素電極142的第七延伸部142g在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸，第二像素電極142的第八延伸部14 在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸同時(shí)與第二數(shù)據(jù)線DLm+1部分地重疊。因而，第一像素電極141的第一延伸部141e至第四延伸部141h可部分地重疊黑矩陣Ml (見圖16)。此外，第二像素電極142的第五延伸部14 至第八延伸部14 可部分地重疊黑矩陣Ml。如果第一延伸部至第八延伸部141e至141h和14 至142h與黑矩陣241重疊， 則可以因邊緣場(chǎng)而產(chǎn)生的液晶分子的錯(cuò)排列區(qū)域能轉(zhuǎn)移到光阻擋區(qū)。因此，能改善可由液晶分子的錯(cuò)排列所引起的LCD 400的開口率和透光率的降低。圖24A至圖24C是平面圖，顯示出根據(jù)又一示范性實(shí)施方式的第一配向?qū)雍偷诙湎驅(qū)拥呐湎蚍较蛞约暗谝幌袼仉姌O和第二像素電極的形狀，圖24A顯示出第一配向?qū)拥呐湎蚍较颉D24B顯示出第二配向?qū)拥呐湎蚍较?。圖24C顯示出設(shè)置在像素區(qū)中的第一像素電極和第二像素電極。參考圖24A至圖MC，在第一基板100中像素區(qū)PA被分成第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)被分成第一區(qū)域Al 和第二區(qū)域A2。在第一區(qū)域Al中液晶分子沿第二方向D2取向并且在第二區(qū)域A2中沿第一方向Dl取向。在第二基板200中，第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2的每一個(gè)均被分成第三區(qū)域A3和第四區(qū)域A4。在第三區(qū)域A3中液晶分子沿第三方向D3取向并且在第四區(qū)域A4中沿第四方向D4取向。第一子像素區(qū)SPAl的第四區(qū)域A4鄰近第二子像素區(qū)SPA2 的第四區(qū)域A4。在另一示范性實(shí)施方式中，第一子像素區(qū)SPAl的第三區(qū)域A3可鄰近第二子像素區(qū)SPA2的第三區(qū)域A3。第一疇DMl至第四疇DM4形成在第一基板100和第二基板200之間第一子像素區(qū) SPAl中。第一疇DMl相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第二疇DM2相應(yīng)于第一區(qū)域Al和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域，第三疇DM3相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3重疊的區(qū)域，第四疇DM4相應(yīng)于第二區(qū)域A2和第四區(qū)域A4重疊的區(qū)域。液晶層300的液晶分子在第一疇DMl至第四疇DM4中沿彼此不同的各種方向取向。詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向 D6被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4中，液晶分子沿第八方向D8取向，第四疇DM4中的第八方向D8被限定為第一方向Dl和第四方向 D4的矢量和。因此，液晶層300的取向方向在每個(gè)子像素區(qū)SPAl和SPA2中在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。第五疇DM5至第八疇DM8形成在第一基板100和第二基板200之間第二子像素區(qū) SPA2中，其中在第五疇DM5中第一區(qū)域Al和第四區(qū)域A4重疊，在第六疇DM6中第一區(qū)域 Al和第三區(qū)域A3重疊，在第七疇DM7中第二區(qū)域A2和第四區(qū)域A4，在第八疇DM8中第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3重疊。液晶層300的液晶分子在第五疇DM5至第八疇DM8中沿彼此不同的各種方向取向。詳細(xì)地，在第五疇DM5中，液晶分子沿第九方向D9取向，第九方向D9被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第六疇DM6中，液晶分子沿第十方向DlO取向，第十方向 DlO被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第七疇DM3中，液晶分子沿第十一方向Dll取向，第i^一方向Dll被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和；在第八疇DM8 中，液晶分子沿第十二方向D12取向，第十二方向D12被限定為第一方向Dl和第三方向D3 的矢量和。第五疇DM5的液晶層300的液晶分子面對(duì)第八疇DM8的液晶層的液晶分子。此外， 第六疇DM6的液晶層300的液晶分子與第七疇DM7的液晶層300的液晶分子相反地取向。如此，因?yàn)樵谄渲幸壕Х肿友夭煌较蛉∠虻亩鄠€(gè)疇DMl至DM8形成在第一子像素區(qū)SPAl和第二子像素區(qū)SPA2中，所以IXD 400可具有寬視角。當(dāng)液晶分子的取向方向在第一疇DMl至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，第一像素電極141可包括在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸的第一延伸部141a、 在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸的第二延伸部141b、在與第三疇DM3相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸的第三延伸部141c以及在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向 D4延伸的第四延伸部141d。此外，當(dāng)在第五疇DM5中液晶分子的取向方向面對(duì)第八疇DM8中液晶分子的取向方向時(shí)，第二像素電極142可包括在與第六疇DM6相應(yīng)的區(qū)域分別沿第二方向D2和第三方向D3延伸的第五延伸部14 和第六延伸部142f以及在與第七疇DM7相應(yīng)的區(qū)域分別沿第一方向Dl和第四方向D4延伸的第七延伸部142g和第八延伸部14池。參考圖MC，液晶分子的取向方向在第一子像素區(qū)SPAl中逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)；在第二子像素區(qū)SPA2中，液晶分子在第五疇DM5中的取向方向面對(duì)液晶分子在第八疇DM8中的取向方向。然而，根據(jù)另一示范性實(shí)施方式，液晶分子的取向方向可在第一子像素區(qū)SPAl中順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，在第二子像素區(qū)SPA2中在第六疇DM6中的液晶分子的取向方向可面對(duì)在第七疇 DM7中的液晶分子的取向方向。圖25是平面圖，顯示出根據(jù)另一示范性實(shí)施方式的第一基板。在圖25中，為了說(shuō)明目的，僅示出設(shè)置在第一基板100中的其中一個(gè)像素。參考圖25，第一基板100包括沿第二方向D2延伸并彼此平行的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1以及沿第三方向D3延伸的柵極線GLn。第一基板100的每個(gè)像素包括第一薄膜晶體管Trl、第三像素電極143、第二薄膜晶體管Tr2和第四像素電極。第四像素電極被分成第一電極部144和第二電極部145。第一薄膜晶體管Trl連接到第一數(shù)據(jù)線DLm和柵極線GLn，第二薄膜晶體管Tr2連接到第二數(shù)據(jù)線DLm+1和柵極線GLn。第一薄膜晶體管Trl的第一柵電極GEl從第一柵極線GLn分支，第一薄膜晶體管 Trl的第一源電極SEl從第一數(shù)據(jù)線DLm分支。第一薄膜晶體管Trl的第一漏電極DEl電連接到第四像素電極。第二薄膜晶體管Tr2的第二柵電極GE2從柵極線GLn分支，第二薄膜晶體管Tr2的第二源電極SE2從第二數(shù)據(jù)線DLm+1分支。第二薄膜晶體管Tr2的第二漏電極DE2電連接到第三像素電極143。第一電極部144和第二電極部145彼此電連接同時(shí)在第二方向D2上彼此間隔開。 第一像素電極143插置在第一電極部144和第二電極部145之間同時(shí)與第一電極部144和第二電極部145電絕緣。如圖25所示，第三像素電極143被分成第一疇DMl至第四疇DM4，在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。當(dāng)液晶分子的取向方向在第一疇DMl 至第四疇DM4中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，第三像素電極143包括在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm的第一延伸部143a以及在與第二疇DM2相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸的第二延伸部14 。另外，第一像素電極143包括在與第三疇DM3 相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸的第三延伸部143c以及在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸并重疊第二數(shù)據(jù)線DLm+1的第四延伸部143d。此外，第一電極部144和第二電極部145每個(gè)均被分成兩個(gè)疇以構(gòu)成第五疇DM5 至第八疇DM8，在第五疇DM5至第八疇DM8中液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。當(dāng)液晶分子的取向方向在第五疇DM5至第八疇DM8中順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，第一電極部144包括在與第五疇DM5相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸的第五延伸部14 、在與第五疇DM5相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸并重疊第一數(shù)據(jù)線DLm的第六延伸部144b、在與第七疇DM7相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl延伸的第七延伸部141c。此外，第二電極部145包括在與第六疇DM6相應(yīng)的區(qū)域沿第二方向D2延伸的第八延伸部145a、在與第八疇DM8相應(yīng)的區(qū)域沿第一方向Dl的第九延伸部14 以及在與第八疇DM8相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸的第十延伸部145c。雖然在圖中未示出，但是第三像素電極143的第一延伸部143a至第四延伸部143d 可部分地重疊黑矩陣Ml (見圖13)。此外，第一電極部144的第五延伸部14 至第七延伸部IMc以及第二電極部145的第八延伸部14 至第十延伸部145c可與黑矩陣241部分
地重疊。當(dāng)?shù)谝谎由觳恐恋谑由觳?43a至143d、IMa至IMc以及14 至145c與黑矩陣241重疊時(shí)，則可以因邊緣場(chǎng)而產(chǎn)生的液晶分子的錯(cuò)排列區(qū)域能轉(zhuǎn)移到光阻擋區(qū)中。因此，能改善可由液晶分子的錯(cuò)排列所引起的LCD 400的開口率和透光率的降低。圖沈是平面圖，顯示出根據(jù)第六示范性實(shí)施方式的LCD。在下面的描述中，將省略已經(jīng)參考圖12描述的元件的細(xì)節(jié)并且相同的附圖標(biāo)記將指定相同的元件。參考圖沈，像素PX還包括與第一像素電極141相應(yīng)的光阻擋層BL。特別地，光阻擋層BL可設(shè)置在第一疇DMl至第四疇DM4之間的界線區(qū)處。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，光阻擋層BL具有平行于第一存儲(chǔ)線SLn延伸的條紋形狀并設(shè)置在第一疇DMl與第二疇DM2之間以及第三疇DM3與第四疇DM4之間的界線區(qū)處。此外，光阻擋層BL的兩端分別連接到從第一存儲(chǔ)線SLn分支的第一分支電極LSLn 和第二分支電極RSLn。沿與彼此相鄰的兩個(gè)疇的至少一個(gè)中液晶分子的取向方向平行的方向，光阻擋層BL的兩端可在光阻擋層BL的任一側(cè)上被斜切。例如，沿與第一疇DMl和第二疇DM2的至少一個(gè)中的液晶分子的取向方向平行的方向，光阻擋層BL的連接到第一分支電極LSLn的第一端可被斜切。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，沿平行于第二疇DM2中液晶分子的取向方向的方向，光阻擋層BL的第一端被斜切。此外，沿與第三疇DM3和第四疇DM4的至少一個(gè)中的液晶分子的取向方向平行的方向，光阻擋層BL的連接到第二分支電極RSLn的第二端可被斜切。根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式，光阻擋層BL的第二端沿與在第三疇DM3中的液晶分子的取向方向平行的方向被斜切。雖然圖沈顯示出具有條紋形狀的光阻擋層BL，但是本發(fā)明不限于此。根據(jù)另一示范性實(shí)施方式，光阻擋層BL可具有延伸到第一疇DMl與第三疇DM3之間的界線區(qū)以及第二疇DM2與第四疇DM4之間的界線區(qū)的十字形狀。在該情形下，光阻擋層BL的四個(gè)邊緣可沿與相應(yīng)疇中的液晶分子的取向方向平行的方向被斜切。此外，雖然圖沈顯示了設(shè)置在第一像素電極141的第一疇DMl至第四疇DM4之間的界線區(qū)處的光阻擋層BL，但是本發(fā)明不限于此。根據(jù)另一示范性實(shí)施方式，光阻擋層BL 可設(shè)置在第二像素電極142的第一疇DMl至第四疇DM4之間的界線區(qū)處。如果光阻擋層BL設(shè)置在第一疇DMl至第四疇DM4之間的界線區(qū)處，則在顯示器中由第一疇DMl至第四疇DM4之間的界線區(qū)處的液晶分子的錯(cuò)排列所引起的紋理缺陷會(huì)不可見。此外，如果光阻擋層BL的第一端和第二端被斜切，則能改善像素PX的開口率和透光率。圖27A是在圖沈中顯示的Al的放大圖。參考圖27A，光阻擋層BL從第二分支電極RLSn分支。光阻擋層BL的連接到第二分支電極RSLn的第二端可沿平行于第三疇DM3(見圖26)中液晶分子的取向方向的方向被斜切。如果光阻擋層BL通過(guò)第二分支電極RSLn連接到第一存儲(chǔ)線SLn (見圖26)，則光阻擋層BL從第一存儲(chǔ)線SLn接收存儲(chǔ)電壓。因此，光阻擋層BL可增加設(shè)置在光阻擋層BL 與第一像素電極141之間的第一存儲(chǔ)電容器Cstl的電容。雖然在圖27A中僅顯示了光阻擋層BL的第二端，但是光阻擋層BL的第一端可從第一分支電極LSLn分支。圖27B是根據(jù)另一示范性實(shí)施方式在圖沈中顯示的Al的平面圖。參考圖27B，光阻擋層BL與第二分支電極RSLn間隔開。如果光阻擋層BL的第二端與第二分支電極RSLn電絕緣，則光阻擋層BL不從存儲(chǔ)線SLn接收存儲(chǔ)電壓。因而，光阻擋層BL不執(zhí)行改善第一存儲(chǔ)電容器Cstl的電容的功能。然而，如果光阻擋層BL與第二分支電極RSLn間隔開，則像素的開口率和透光率可相應(yīng)于光阻擋層BL與第二分支電極RSLn之間的間隙而改善。雖然在圖中未示出，但是光阻擋層BL的第一端能電連接到第一分支電極LSLn或與第一分支電極LSLn電絕緣。如果光阻擋層BL的第一端電連接到第一分支電極LSLnJlJ即使光阻擋層BL的第二端與第二分支電極RSLn電絕緣，光阻擋層BL也通過(guò)第一分支電極 LSLn接收存儲(chǔ)電壓，因此光阻擋層BL能改善第一存儲(chǔ)電容器Cstl的電容。然而，如果光阻擋層BL的第一端與第一分支電極LSLn電絕緣，則光阻擋層BL處于浮置狀態(tài)。因而，光阻擋層BL可以不執(zhí)行改善第一存儲(chǔ)電容器Cstl的電容的功能。然而，像素的開口率和透光率可相應(yīng)于光阻擋層BL的第一端與第一分支電極LSLn之間的間隙而被改善。圖觀是平面圖，顯示根據(jù)第七示范性實(shí)施方式的IXD的像素，圖四是沿圖觀的 IV-IV'線截取的截面圖。參考圖觀，第一像素電極141和第二像素電極142的每一個(gè)均被分成第一疇DMl 至第四疇DM4，其中在第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子的取向方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。 詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第二方向D2 和第四方向D4的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第七方向D7取向， 第七方向D7被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和；在第四疇DM4中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和。第一像素電極141可包括在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸的第一延伸部141i以及在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸的第二延伸部141 j。此外，第二像素電極142可包括在與第一疇DMl相應(yīng)的區(qū)域沿第四方向D4延伸的第三延伸部 142 以及在與第四疇DM4相應(yīng)的區(qū)域沿第三方向D3延伸的第四延伸部142j。第一數(shù)據(jù)線DLm在與第一延伸部141i相應(yīng)的區(qū)域彎曲到第一延伸部141i內(nèi)，然后在與第一像素電極141的第二疇DM2相鄰的區(qū)域處向外彎曲。此外，第一數(shù)據(jù)線DLm在與第三延伸部142i相應(yīng)的區(qū)域彎曲到第三延伸部142i內(nèi)，然后在與第二像素電極142的第二疇DM2相鄰的區(qū)域處向外彎曲。因而，對(duì)于每個(gè)像素來(lái)說(shuō)，第一數(shù)據(jù)線DLm彎曲四次。第二數(shù)據(jù)線DLm+1在與第二延伸部141 j相應(yīng)的區(qū)域彎曲到第二延伸部141 j內(nèi)， 然后在與第二像素電極142的第三疇DM3相鄰的區(qū)域處向外彎曲。此外，第二數(shù)據(jù)線DLm+1 在與第四延伸部142j相應(yīng)的區(qū)域彎曲到第四延伸部142j內(nèi)，然后在第四延伸部142j終止的區(qū)域向外彎曲。因而，對(duì)于每個(gè)像素來(lái)說(shuō)，第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲四次。邊緣場(chǎng)產(chǎn)生在第一像素電極141和第二像素電極142的與每個(gè)疇的液晶分子的取向方向相應(yīng)的邊緣處。特別地，邊緣場(chǎng)在第一疇DMl的左側(cè)和第四疇DM4的右側(cè)產(chǎn)生。當(dāng)產(chǎn)生邊緣場(chǎng)時(shí)，液晶分子在產(chǎn)生邊緣場(chǎng)的區(qū)域異常取向。第一延伸部至第四延伸部141i、141j、142i和142j相應(yīng)于產(chǎn)生邊緣場(chǎng)的區(qū)域形成，使得第一像素電極141和第二像素電極142的邊緣部轉(zhuǎn)移到黑矩陣區(qū)域中。因而，如果形成第一至第四延伸部141i、141j、142i和142j，則由液晶分子的錯(cuò)排列所引起的紋理缺陷會(huì)看不見。參考圖四，第二像素電極142的第三延伸部142i形成在形成黑矩陣241的第二基板200上。此外，第一數(shù)據(jù)線DLm位于第一分支電極LSLn內(nèi)部同時(shí)與第三延伸部142i重疊。因而，由液晶分子的錯(cuò)排列所引起的紋理缺陷可能看不見。圖30是平面圖，顯示出根據(jù)第八示范性實(shí)施方式的IXD的像素。參考圖30，第一像素電極141被分成第一疇DMl至第四疇DM4，其中液晶分子在第一疇DMl中的取向方向面對(duì)液晶分子在第四疇DM4中的取向方向，液晶分子在第二疇DM2 中的取向方向與液晶分子在第三疇DM3中的取向方向相反。也就是說(shuō)，液晶分子在第一疇至第四疇中的取向方向能被限定為會(huì)聚和發(fā)散型。詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶分子沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4中， 液晶分子沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和。第一像素電極141可包括在第二疇DM2中沿第四方向D4延伸的第五延伸部141k 以及在第三疇DM3中沿第三方向D3延伸的第六延伸部1411。第二像素電極142被分成第五疇DM5至第八疇DM8，在第五疇DM5至第八疇DM8中液晶分子的取向方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。詳細(xì)地，在第五疇DM5中，液晶分子沿第五方向D5 取向，第五方向D5被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和；在第六疇DM6中，液晶分子沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第七疇DM7中，液晶分子沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為第一方向Dl和第四方向D4 的矢量和；在第八疇DM8中，液晶分子沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第一方向 Dl和第三方向D3的矢量和。第二像素電極142可包括在第五疇DM5中沿第四方向D4延伸的第三延伸部142i 以及在第八疇DM8中沿第三方向D3延伸的第四延伸部142j。第一數(shù)據(jù)線DLm在與第五延伸部141k相應(yīng)的區(qū)域彎曲到第五延伸部141k內(nèi)部， 然后延伸到第二像素電極142的第三延伸部142i內(nèi)而不彎曲。然后，第一數(shù)據(jù)線DLm在第二像素電極142的第三延伸部142i終止的區(qū)域向外彎曲并位于第二像素電極142的第六疇DM6外。因而，對(duì)于每個(gè)像素來(lái)說(shuō)，第一數(shù)據(jù)線DLm彎曲至少兩次。此外，第二數(shù)據(jù)線DLm+1位于第六延伸部1411內(nèi)部然后在第六延伸部1411終止的區(qū)域向外彎曲。然后，第二數(shù)據(jù)線DLm+1延伸而不彎曲直到第二像素電極142的第四延伸部142j開始的區(qū)域，并彎曲到第四延伸部142j內(nèi)部。因而，對(duì)于每個(gè)像素來(lái)說(shuō)，第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲兩次。因此，如圖30所示的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲的次數(shù)小于如圖28 所示的第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲的次數(shù)。因此，如果在第一像素電極141 的第一疇DMl至第四疇DM4中液晶分子的取向方向被配置為會(huì)聚和發(fā)散型并且第二像素電極142的第五疇DM5至第八疇DM8的取向方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，則能減少第一數(shù)據(jù)線DLm 和第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲的次數(shù)。如果第一數(shù)據(jù)線DLm和第二數(shù)據(jù)線DLm+1彎曲的次數(shù)減少，則能減小互連電阻并且能提高IXD的產(chǎn)品良率。在以下文中，將參考圖31A至圖31C描述在根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施方式的IXD中液晶分子的取向方向。圖31A和圖31B是平面圖，分別顯示出在根據(jù)第九示范性實(shí)施方式的 LCD的第一基板100和第二基板200中像素區(qū)的取向方向，其中利用如上所述的取向方法， 液晶分子如箭頭所示地取向。圖31C是截面圖，顯示出當(dāng)圖31A的第一基板100與圖31B 的第二基板200耦接時(shí)液晶層300的取向方向，其中取向方向是第一基板100和第二基板200的取向方向的和。在圖31C中顯示的取向方向相應(yīng)于第一基板100的取向方向和第二基板200的取向方向的矢量和。在圖31A至圖31C中，顯示從多個(gè)像素區(qū)PA中選出并排列成2X2矩陣形式的四個(gè)像素區(qū)Pll、P12、P21和P22，以示出在每個(gè)像素區(qū)PA和相鄰的像素區(qū)PA中液晶分子的取向方向。實(shí)線指示像素區(qū)PA的界線，點(diǎn)線指示配向區(qū)的界線。此外，排列成2X2矩陣形式的四個(gè)像素區(qū)P11、P12、P21和P22可被稱為四個(gè)子像素區(qū)。在圖31A-31C中，四個(gè)子像素區(qū)排列成2X2矩陣形式以構(gòu)成一個(gè)像素區(qū)。此外，在每個(gè)像素區(qū)PA被稱為子像素區(qū)的情形下，每個(gè)像素區(qū)的排列方向可以與圖31A至31C中顯示的排列方向相同。另外，雖然在圖31A至圖31C中示出的像素區(qū)PA具有在縱向長(zhǎng)且在橫向短的矩形形狀，但是本發(fā)明不限于此。例如，像素區(qū)PA可具有在橫向長(zhǎng)且在縱向短的矩形形狀。參考圖31A，第一基板100設(shè)置有排列成2X2矩陣圖案的形式的像素區(qū)。也就是說(shuō)，第一基板100包括定位在第一行和第一列的第一像素區(qū)P11、定位在第一行和第二列的第二像素區(qū)P12、定位在第二行和第一列的第三像素區(qū)P21以及定位在第二行和第二列的第四像素區(qū)P22。第一配向?qū)?20包括第一配向區(qū)ANl和第二配向區(qū)AN2。在第一配向區(qū)ANl中液晶層300的取向方向與在第二配向區(qū)AN2中液晶層300的取向方向相反。液晶層300在第一配向區(qū)ANl中沿第一方向Dl取向，液晶層300在第二配向區(qū)AN2中沿與第一方向Dl相反的第二方向D2取向。第一方向Dl和第二方向D2是矩陣的列方向。第三方向D3和第四方向D4是矩陣的行方向。在一個(gè)示范性實(shí)施方式中，第一配向?qū)?20包括兩個(gè)第一配向區(qū)AN1，第二配向區(qū) AN2設(shè)置在兩個(gè)第一配向區(qū)ANl之間。第二配向區(qū)AN2可部分地重疊設(shè)置在相同行中的兩個(gè)相鄰像素區(qū)。詳細(xì)地，第二配向區(qū)AN2可部分地覆蓋在第一行中彼此相鄰的第一像素區(qū)Pll和第二像素區(qū)P12。此外， 第二配向區(qū)AN2可部分地覆蓋在第二行中彼此相鄰的第三像素區(qū)P21和第四像素區(qū)P22。根據(jù)當(dāng)前示范性實(shí)施方式，第二配向區(qū)AN2關(guān)于設(shè)置在相同行中的兩個(gè)相鄰像素區(qū)之一的重疊面積基本上與第二配向區(qū)AN2關(guān)于兩個(gè)相鄰像素區(qū)中另一個(gè)的重疊面積相同，但是本發(fā)明不限于此。例如，第二配向區(qū)AN2關(guān)于第一像素區(qū)Pll的重疊面積可大于或小于第二配向區(qū)AN2關(guān)于第二像素區(qū)P12的重疊面積。如此，能不同地調(diào)整在每個(gè)像素區(qū)中由配向區(qū)覆蓋的面積量。圖31B顯示出具有與第一基板100的像素區(qū)相應(yīng)地排列成2X2矩陣形式的像素區(qū)的第二基板200。參考圖31B，第二配向?qū)?20包括第三配向區(qū)AN3和第四配向區(qū)AN4。 在第三配向區(qū)AN3中液晶層300的取向方向與在第四配向區(qū)AN4中液晶層300的取向方向相反。液晶層300在第三配向區(qū)AN3中沿第三方向D31取向，液晶層300在第四配向區(qū)AN4 中沿與第三方向D3相反的第四方向D4取向。第三方向D3和第四方向D4是矩陣的行方向并且基本上垂直于第一方向Dl和第二方向D2。在一個(gè)示范性實(shí)施方式中，第二配向?qū)?20包括兩個(gè)第三配向區(qū)AN3，第四配向區(qū) AN4設(shè)置在這兩個(gè)第三配向區(qū)AN3之間。第四配向區(qū)AN4可部分地重疊設(shè)置在相同列中的兩個(gè)相鄰像素區(qū)。詳細(xì)地，第四配向區(qū)AN4可部分地覆蓋在第一列中彼此相鄰的第一像素區(qū)Pll和第三像素區(qū)P21。此外， 第四配向區(qū)AN4可部分地覆蓋在第二列中彼此相鄰的第二像素區(qū)P12和第四像素區(qū)P22。根據(jù)當(dāng)前示范性實(shí)施方式，第四配向區(qū)AN4關(guān)于設(shè)置在相同列中的兩個(gè)相鄰像素區(qū)的其中之一的重疊面積基本上與第四配向區(qū)AN4關(guān)于兩個(gè)相鄰像素區(qū)中另一個(gè)的重疊面積相同，但是本發(fā)明不限于此。例如，第四配向區(qū)AN4關(guān)于第一像素區(qū)Pll的重疊面積可大于或小于第四配向區(qū)AN4關(guān)于第四像素區(qū)P22的重疊面積。參考圖31C，當(dāng)?shù)谝换?00與第二基板200組合時(shí)，液晶層300具有與第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20的配向方向的矢量和相應(yīng)的取向方向。因而，液晶層300被分成多個(gè)疇，在該多個(gè)疇中液晶分子相應(yīng)于第一配向?qū)?20和第二配向?qū)?20的配向方向的矢量和來(lái)取向。疇可包括第一配向區(qū)ANl重疊第三配向區(qū)AN3的第一疇DMl、第一配向區(qū)ANl重疊第四配向區(qū)AN4的第二疇DM2、第二配向區(qū)AN2重疊第三配向區(qū)AN3的第三疇DM3以及第二配向區(qū)AN2重疊第四配向區(qū)AN4的第四疇DM4。在第一疇DMl至第四疇DM4中，液晶分子沿彼此不同的各種方向取向。也就是說(shuō)， 液晶層300在第一疇DMl至第四疇DM4中具有彼此不同的各種指向矢。詳細(xì)地，在第一疇DMl中，液晶層300沿第五方向D5取向，第五方向D5被限定為第一方向Dl和第三方向D3的矢量和；在第二疇DM2中，液晶層300沿第六方向D6取向，第六方向D6被限定為第一方向Dl和第四方向D4的矢量和；在第三疇DM3中，液晶層300沿第七方向D7取向，第七方向D7被限定為第二方向D2和第三方向D3的矢量和；在第四疇DM4 中，液晶層300沿第八方向D8取向，第八方向D8被限定為第二方向D2和第四方向D4的矢量和。第五方向D5至第八方向D8彼此不同。每個(gè)像素區(qū)P11、P12、P21和P22包括第一疇DMl至第四疇DM4。第一疇DMl至第四疇DM4如下布置。在第一像素區(qū)Pll中，第一疇DMl至第四疇DM4以第一疇DM1、第三疇 DM3、第四疇DM4和第二疇DM2的順序順時(shí)針排列。在第二像素區(qū)P12中，第一疇DMl至第四疇DM4以第三疇DM3、第一疇DM1、第二疇DM2和第四疇DM4的順序順時(shí)針排列。在第三像素區(qū)P21中，第一疇DMl至第四疇DM4以第二疇DM2、第四疇DM4、第三疇DM3和第一疇DMl 的順序順時(shí)針排列。在第四像素區(qū)P22中，第一疇DMl至第四疇DM4以第四疇DM4、第二疇 DM2、第一疇DMl和第三疇DM3的順序順時(shí)針排列。如上所述，第一疇DMl至第四疇DM4的排列方向在第一至第四像素區(qū)P11、P12、P21 和P22中彼此不同。在第一像素區(qū)Pll和第四像素區(qū)P22中，第一疇DMl至第四疇DM4依序順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。具有依序順時(shí)針或逆時(shí)針排列的第一疇DMl至第四疇DM4的像素區(qū)，諸如第一像素區(qū)Pll和第四像素區(qū)P22，將被稱為旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)。不同于第一像素區(qū)Pll和第四像素區(qū)P22，第二像素區(qū)P12和第三像素區(qū)P21的第一疇DMl至第四疇DM4的取向方向可以不依序旋轉(zhuǎn)。相反，在一個(gè)像素區(qū)中，第一疇DMl 的取向方向面對(duì)第四疇DM4的取向方向同時(shí)向內(nèi)會(huì)聚，或第一疇DMl的取向方向與第四疇 DM4的取向方向相反同時(shí)向外發(fā)散。此外，在一個(gè)像素區(qū)中，第二疇DM2的取向方向和第三疇DM3的取向方向彼此面對(duì)同時(shí)向內(nèi)會(huì)聚，或第二疇DM2的取向方向和第三疇DM3的取向方向彼此相反同時(shí)向外發(fā)散。因而，在第二像素區(qū)P12和第三像素區(qū)P21中液晶分子的取向方向被視為彎曲，但是取向方向指向第一方向Dl或第二方向D2。具有其中液晶分子的取向方向向內(nèi)會(huì)聚或向外發(fā)散的第一疇至第四疇的像素區(qū)，諸如第二像素區(qū)P12和第三像素區(qū)P21，將被稱為會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)。圖32是平面圖，顯示出其中圖31C的像素區(qū)以3X5矩陣圖案形式重復(fù)排列的 LCD。參考圖32，第一配向區(qū)Am和第二配向區(qū)AN2沿列彼此交替。此外，第一配向區(qū) ANl和第二配向區(qū)AN2可部分地重疊在相同行中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)。第三配向區(qū)AN3和第四配向區(qū)AN4沿行彼此交替。此外，第三配向區(qū)AN3和第四配向區(qū)AN4可部分地重疊在相同列中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)。因而，在不同像素區(qū)中的彼此鄰近的疇中，液晶分子沿相同取向方向取向。參考圖32，每個(gè)像素區(qū)包括第一疇DMl至第四疇DM4，其中在一個(gè)像素區(qū)中第一疇 DMl至第四疇DM4的排列順序與相鄰像素區(qū)的排列順序不同。此外，旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)沿行和列彼此交替地排列。因而，如果一個(gè)像素區(qū)是旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)，則在行方向或列方向上彼此相鄰的四個(gè)像素區(qū)是會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)。相反，如果一個(gè)像素區(qū)是會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)，則在行方向或列方向上彼此相鄰的四個(gè)像素區(qū)是旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)。因?yàn)榫哂猩鲜鼋Y(jié)構(gòu)的LCD具有在一個(gè)像素區(qū)中沿彼此不同的各種方向排列的多個(gè)疇，所以能實(shí)現(xiàn)寬橫向可見度。此外，在具有上述結(jié)構(gòu)的LCD中，可減少線殘影 (line-afterimage)0在具有如圖32所示的結(jié)構(gòu)的LCD中線殘影減少的原因如下。一般地，離子雜質(zhì)存在于IXD的液晶層中。離子雜質(zhì)可來(lái)自制造IXD的工藝或者可在已經(jīng)制成IXD之后由于設(shè)置在液晶層兩端的電極產(chǎn)生的電場(chǎng)而產(chǎn)生。離子雜質(zhì)的后一種原因可以在相同灰度級(jí)長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)顯示的像素區(qū)中常見。當(dāng)電壓被施加到每個(gè)像素區(qū)的電極時(shí)，離子雜質(zhì)由于吸引力而朝電極遷移，因此產(chǎn)生漏電流。因而，位于產(chǎn)生漏電流的區(qū)域處的液晶分子由于該漏電流而被錯(cuò)排列。與其它區(qū)域相比，液晶分子的錯(cuò)排列降低或增加區(qū)域的亮度。離子雜質(zhì)的遷移會(huì)受到電場(chǎng)、液晶分子的形狀和液晶分子的取向方向影響。離子雜質(zhì)在電場(chǎng)的邊緣能容易地遷移，因?yàn)殡妶?chǎng)的影響在電場(chǎng)的邊緣被最小化。因而，離子雜質(zhì)能通過(guò)吸引力在電場(chǎng)的邊緣容易地遷移而不受電場(chǎng)影響。此外，與液晶分子的短軸方向相比，離子雜質(zhì)能沿液晶分子的長(zhǎng)軸方向容易地遷移。此外，如果液晶分子在相鄰區(qū)域沿相同方向取向，則離子雜質(zhì)能在相鄰像素區(qū)之間容易地遷移。然而，根據(jù)示范性實(shí)施方式，液晶分子在一個(gè)像素區(qū)的每個(gè)疇中沿彼此不同的各種方向取向。此外，在一個(gè)像素區(qū)的疇中液晶分子的取向順序以液晶分子的取向方向可能彼此不匹配或者彼此不對(duì)稱的方式與鄰近所述一個(gè)像素區(qū)的其它像素中液晶分子的取向順序不同。因而，能減少離子雜質(zhì)的遷移，從而能減少由離子雜質(zhì)所引起的線殘像。表1顯示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的IXD中和根據(jù)示范性實(shí)施方式的IXD中線殘像的測(cè)試結(jié)果。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的IXD設(shè)置有旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)，因此相鄰像素區(qū)也被制定成旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)。此外，根據(jù)示范性實(shí)施方式的LCD被制定成旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)，其中旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)與如上所述的第九示范性實(shí)施方式類似地彼此交替地排列。在表1中，“表示殘像的灰度級(jí)”指在相同條件下殘像圖案被施加到LCD持續(xù)預(yù)定時(shí)間之后，當(dāng)電壓被施加到在屏幕的整個(gè)表面上實(shí)現(xiàn)相同灰度級(jí)的程度時(shí)發(fā)生殘像的灰度級(jí)?；叶燃?jí)在從OG到225G的范圍內(nèi)，其中G表示灰度級(jí)。此外，OG指示黑顏色，255G指示白顏色以及IG至254G指示灰顏色。在表1中，由于表示殘像的灰度級(jí)具有較低灰度級(jí)，所以在LCD中殘像減少。表 1
配向?qū)?殘像圖案施加時(shí)間)表示在現(xiàn)有技術(shù)的LCD中線殘像的灰度級(jí)表示在本發(fā)明的LCD中線殘像的灰度級(jí)第一配向?qū)?504小時(shí))180G160G第二配向?qū)?24小時(shí))180G92G第三配向?qū)?％小時(shí))240G220G參考表1，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD相比，根據(jù)第九示范性實(shí)施方式的LCD能減少殘像。表2顯示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD中和根據(jù)示范性實(shí)施方式的LCD中對(duì)于產(chǎn)生殘像的時(shí)間長(zhǎng)度的測(cè)試結(jié)果。在該測(cè)試中，施加電壓使得在表1的相同條件下在屏幕的整個(gè)面上實(shí)現(xiàn)相同的灰度級(jí)。表2
配向?qū)釉诂F(xiàn)有技術(shù)的LCD中引起線殘像的時(shí)間在本發(fā)明的LCD中引起線殘像的時(shí)間第一配向?qū)?68小時(shí)336小時(shí)參考表2，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD相比，在根據(jù)第九示范性實(shí)施方式的LCD中看到線殘像之前的時(shí)間長(zhǎng)度被延遲。在以下文中，將描述根據(jù)第十示范性實(shí)施方式的LCD。第十示范性實(shí)施方式的以下描述將集中于相對(duì)于第九示范性實(shí)施方式的區(qū)別從而避免冗余。此外，將省略已經(jīng)在第九示范性實(shí)施方式中描述的元件的細(xì)節(jié)且相同的附圖標(biāo)記將指定相同的元件。圖33是放大平面圖，顯示出根據(jù)第十示范性實(shí)施方式的IXD的一部分。IXD 400 設(shè)置有具有矩陣形式的相同結(jié)構(gòu)的多個(gè)像素區(qū)PA，然而，為了便于說(shuō)明，在圖33中僅示出一個(gè)像素區(qū)PA。參考圖33，除了每個(gè)像素區(qū)PA的像素電極被分成第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2之外，第十示范性實(shí)施方式類似于第九示范性實(shí)施方式，第一薄膜晶體管Trl 和第二薄膜晶體管Tr2以及第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2相應(yīng)于第一子像素電極PEl 和第二子像素電極PE2設(shè)置。
每個(gè)像素區(qū)設(shè)置有柵極線GL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第一薄膜晶體管 Trl和第二薄膜晶體管Tr2以及第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2。柵極線GL沿第一方向延伸。第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2沿其它方向延伸同時(shí)交叉柵極線GL。第一薄膜晶體管Trl鄰近柵極線GL和第一數(shù)據(jù)線DLl之間的交叉點(diǎn)設(shè)置。第一薄膜晶體管Trl包括從柵極線GL分支的第一柵電極GE1、從第一數(shù)據(jù)線DLl分支的第一源電極SEl以及與第一源電極SEl間隔開的第一漏電極DE1。第二薄膜晶體管Tr2鄰近柵極線GL和第二數(shù)據(jù)線DL2之間的交叉點(diǎn)設(shè)置。第二薄膜晶體管Tr2包括從柵極線GL分支的第二柵電極GE2、從第二數(shù)據(jù)線DL2分支的第二源電極SE2以及與第二源電極SE2間隔開的第二漏電極DE2。第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線 DL2之間。第一子像素電極PEl通過(guò)接觸孔連接到第一漏電極DEl。第二子像素電極PE2還通過(guò)一接觸孔連接到第二漏電極DE2。對(duì)于相同的灰度級(jí)，第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2分別通過(guò)第一薄膜晶體管Trl和第二薄膜晶體管Tr2接收具有彼此不同的電壓電平的兩個(gè)電壓。圖34是平面圖，其與圖32類似，顯示出其中像素區(qū)以3X5矩陣圖案重復(fù)排列的 LCD。參考圖34，第一配向區(qū)Am和第二配向區(qū)AN2沿列彼此交替地排列。此外，第一配向區(qū)ANl和第二配向區(qū)AN2可部分地重疊在相同行中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)。第三配向區(qū) AN3和第四配向區(qū)AN4沿行彼此交替地排列。此外，第三配向區(qū)AN3和第四配向區(qū)AN4可部分地重疊沿列方向彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)。例如，第三配向區(qū)AN3重疊設(shè)置在沿列方向彼此鄰近的兩個(gè)子像素區(qū)的其中之一中的第二子像素電極PE2，并重疊設(shè)置在沿列方向彼此鄰近的兩個(gè)子像素區(qū)的另一個(gè)中的第一子像素電極PE1。此外，第四配向區(qū)AN4重疊設(shè)置在沿列方向彼此相鄰的兩個(gè)子像素區(qū)的其中之一中的第二子像素電極PE2，并重疊設(shè)置在沿列方向彼此鄰近的兩個(gè)子像素區(qū)的另一個(gè)中的第一子像素電極PE1。此外，每個(gè)子像素區(qū)包括第一疇DMl至第四疇DM4，其中在一個(gè)像素區(qū)中第一疇 DMl至第四疇DM4的排列順序與相鄰子像素區(qū)中的排列順序不同。此外，旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)沿行和列方向彼此交替地排列。因而，如果一個(gè)像素區(qū)是旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)， 則在行方向或列方向上鄰近旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)的四個(gè)像素區(qū)是會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)。相反，如果一個(gè)像素區(qū)是會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)，則在行方向或列方向上鄰近會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)的四個(gè)像素區(qū)是旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)。因?yàn)榫哂猩鲜鼋Y(jié)構(gòu)的IXD能通過(guò)第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2調(diào)整液晶層300的取向方向同時(shí)表現(xiàn)出相同的灰度級(jí)，所以能改善LCD的橫向可見度。此外，因?yàn)榈谝蛔酉袼仉姌OPEl和第二子像素電極PE2在一個(gè)像素區(qū)中相應(yīng)于不同的配向區(qū)，所以能減少離子雜質(zhì)的遷移。離子雜質(zhì)存在于LCD的液晶層中。離子雜質(zhì)可在電場(chǎng)的邊緣容易地遷移。然而，因?yàn)榈谝蛔酉袼仉姌OPEl與第二子像素電極PE2之間的間隙相應(yīng)于第三配向區(qū)AN3與第四配向區(qū)AN4之間的間隙，所以液晶層300的取向方向在該區(qū)域不同，使得離子雜質(zhì)不會(huì)容易地遷移。CN 102236211 A
說(shuō)明書
30/30 頁(yè)根據(jù)當(dāng)前示范性實(shí)施方式，第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2沿列方向排列，但是實(shí)施方式不限于此。子像素電極的數(shù)量和形狀能不同地變化并且子像素電極能沿不同方向排列。例如，第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2能沿行方向排列。另外，第一子像素電極PEl能被分成兩個(gè)子像素電極PEl。在該情形下，第二子像素電極PE2 設(shè)置在這兩個(gè)子像素電極PEl之間。雖然已經(jīng)描述了示范性實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解本發(fā)明不應(yīng)限于這些示范性實(shí)施方式而是能在本公開的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。例如，雖然像素區(qū)已經(jīng)被示為矩形形狀，但是像素區(qū)可具有不同的形狀。此外，像素電極的數(shù)量和形狀能不同地變化。本申請(qǐng)依賴于分別在2010年11月19日、2010年5月7日和2010年4月22日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2010-0115819、10-2010-0043073 和 10-2010-0037539 的優(yōu)先權(quán)，
在此通過(guò)參考結(jié)合其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括第一基板，包括多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極相應(yīng)于多個(gè)像素區(qū)中的其中之一；第二基板，包括面對(duì)所述像素電極的公共電極；配向?qū)樱逯迷谒龅谝换迮c所述第二基板之間并包括沿第一方向取向的第一區(qū)域、沿不同于所述第一方向的第二方向取向的第二區(qū)域、沿不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向取向的第三區(qū)域以及沿不同于所述第一方向至所述第三方向的第四方向取向的第四區(qū)域；以及液晶層，包括插置在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子，其中所述液晶分子在所述液晶層中的多個(gè)疇的每一個(gè)中沿不同的方向取向，所述疇通過(guò)所述配向?qū)拥牡谝粎^(qū)域至第四區(qū)域限定在每個(gè)像素區(qū)中；其中每個(gè)像素電極包括延伸部，該延伸部在所述像素電極的與至少一個(gè)所述疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向至所述第四方向中的至少一個(gè)延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述配向?qū)影ó?dāng)被輻照光時(shí)經(jīng)歷分解、 二聚和異構(gòu)化反應(yīng)的其中之一的聚合物材料，所述疇包含被限定為所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第一疇、被限定為所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第二疇、被限定為所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第三疇以及被限定為所述第二區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第四疇；以及所述液晶分子在所述第一疇中沿被限定為所述第一方向和所述第三方向的矢量和的第五方向取向，在所述第二疇中沿被限定為所述第一方向和所述第四方向的矢量和的第六方向取向，在所述第三疇中沿被限定為所述第二方向和所述第三方向的矢量和的第七方向取向，以及在所述第四疇中沿被限定為所述第二方向和所述第四方向的矢量和的第八方向取向。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向、所述第六方向、所述第七方向和所述第八方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，每個(gè)像素電極的所述延伸部包括在所述像素電極的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第一延伸部、在所述像素電極與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第二延伸部、在所述像素電極的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述像素電極的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第四延伸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向、所述第六方向、所述第七方向和所述第八方向順序地順時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，每個(gè)像素電極的所述延伸部包括在所述像素電極的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述像素電極與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第二延伸部、在所述像素電極的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第三延伸部以及在所述像素電極的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第四延伸部。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向面對(duì)所述第八方向時(shí)，每個(gè)像素電極的所述延伸部包括在所述像素電極的與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述像素電極與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第二延伸部、在所述像素電極的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述像素電極的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第四延伸部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第六方向與所述第七方向面對(duì)時(shí)， 每個(gè)像素電極的所述延伸部包括在所述像素電極的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述像素電極與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第二延伸部、在所述像素電極的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述像素電極的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第四延伸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述配向?qū)影ǜ采w所述像素電極的第一配向?qū)右约案采w所述公共電極的第二配向?qū)?，所述第一配向?qū)影ㄋ龅谝粎^(qū)域和所述第二區(qū)域，所述第二配向?qū)影ㄋ龅谌齾^(qū)域和所述第四區(qū)域，其中所述第一方向與所述第二方向相反，所述第三方向基本上垂直于所述第一方向，所述第四方向與所述第三方向相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素電極包括對(duì)于相同的灰度級(jí)接收彼此不同的電壓的第一子像素電極和第二子像素電極，所述延伸部在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每個(gè)的與至少之一所述疇相應(yīng)的部分處從所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)沿所述第一方向至所述第四方向的至少之一延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中所述第一配向?qū)雍退龅诙湎驅(qū)拥拿總€(gè)均包括當(dāng)被輻照光時(shí)經(jīng)歷分解、二聚和異構(gòu)化反應(yīng)的其中之一的聚合物材料，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的所述疇包含被限定為所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第一疇、被限定為所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第二疇、被限定為所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第三疇以及被限定為所述第二區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第四疇；以及所述液晶分子在所述第一疇中沿被限定為所述第一方向和所述第三方向的矢量和的第五方向取向，在所述第二疇中沿被限定為所述第一方向和所述第四方向的矢量和的第六方向取向，在所述第三疇中沿被限定為所述第二方向和所述第三方向的矢量和的第七方向取向，以及在所述第四疇中沿被限定為所述第二方向和所述第四方向的矢量和的第八方向取向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向、所述第六方向、所述第七方向和第八方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的所述延伸部均包括在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每個(gè)的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第一延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每個(gè)的與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第二延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每個(gè)的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每個(gè)的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第四延伸部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中所述第一基板還包括沿所述第一方向延伸并在所述第三方向上排列的多條數(shù)據(jù)線以及沿所述第三方向延伸并在所述第一方向上排列的多條柵極線，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極在所述第一方向上彼此相鄰。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間，所述第一子像素電極和第二子像素電極的每一個(gè)的所述第一延伸部和所述第四延伸部分別與所述兩條相鄰的數(shù)據(jù)線重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向、所述第六方向、所述第七方向和第第八方向順序地順時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的所述延伸部包括在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第二延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第三延伸部以及在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第四延伸部。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第五方向面對(duì)所述第八方向時(shí)，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的所述延伸部包括在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第二疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第二延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第三疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第四延伸部。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中當(dāng)所述第六方向與所述第七方向面對(duì)時(shí)， 所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的所述延伸部包括在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第一方向向外延伸的第一延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第一疇相應(yīng)的一部分處沿所述第三方向向外延伸的第二延伸部、在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第二方向向外延伸的第三延伸部以及在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的每一個(gè)的與所述第四疇相應(yīng)的一部分處沿所述第四方向向外延伸的第四延伸部。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)還包括連接到所述第一子像素電極的第一晶體管和連接到所述第二子像素電極的第二晶體管，所述第一子像素電極和所述第二子像素在所述第一方向上彼此相鄰，所述第一晶體管和所述第二晶體管設(shè)置在所述第一子像素電極和所述第二子像素電極之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中所述第一基板還包括沿所述第一方向延伸并在所述第三方向上排列的多條數(shù)據(jù)線以及沿所述第三方向延伸并在所述第一方向上排列的多條柵極線，所述第一晶體管和所述第二晶體管連接到相同的數(shù)據(jù)線和相同的柵極線。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中所述第一基板還包括沿所述第一方向延伸并在所述第三方向上排列的多條數(shù)據(jù)線以及沿所述第三方向延伸并在所述第一方向上排列的多條柵極線，每個(gè)像素區(qū)設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間，以及每個(gè)像素區(qū)的所述第一晶體管連接到所述兩條數(shù)據(jù)線的其中之一，所述第二晶體管連接到所述兩條數(shù)據(jù)線的剩余一條。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中所述第二子像素電極包括在所述第一方向上彼此間隔開預(yù)定距離同時(shí)彼此電連接的兩個(gè)電極部，所述第一子像素電極設(shè)置在所述兩個(gè)電極部之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第二基板還包括黑矩陣，每個(gè)像素電極的所述延伸部部分地重疊所述黑矩陣。
21.一種液晶顯示器，包括第一基板，包括多個(gè)像素；第二基板，面對(duì)所述第一基板；以及液晶層，包括插置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶分子；其中每個(gè)像素包括多個(gè)疇，在每個(gè)疇內(nèi)所述液晶分子沿基本上相同的方向取向，所述液晶分子取向的所述方向?qū)τ诿總€(gè)疇不同，其中所述第一基板和所述第二基板的至少一個(gè)包括位于一個(gè)或多個(gè)所述疇之間的界線處的光阻擋層，所述光阻擋層的端部沿一方向被斜切，該方向基本上平行于在所述光阻擋層周圍彼此相鄰的所述兩個(gè)疇的其中之一中所述液晶分子取向的所述方向。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中所述第一基板包括設(shè)置在每個(gè)像素中的像素電極以及與所述像素電極重疊的存儲(chǔ)互連部，所述光阻擋層從所述存儲(chǔ)互連部延伸。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中所述第一基板包括設(shè)置在每個(gè)像素中的像素電極以及與所述像素電極重疊的存儲(chǔ)互連部，所述光阻擋層與所述存儲(chǔ)互連部間隔開預(yù)定距離。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中所述像素包括第一子像素和第二子像素，所述第二子像素被充以一電壓，該電壓低于被充到所述第一子像素中的電壓，所述第一子像素包括被分成第一疇至第四疇的第一子像素電極，所述第二子像素包括被分成第一疇至第四疇的第二子像素電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的液晶顯示器，其中所述液晶分子在所述第一子像素和所述第二子像素的每一個(gè)的所述第一疇至所述第四疇中取向的方向順序地逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中所述光阻擋層面對(duì)所述第一子像素電極，所述光阻擋層的第一端位于所述第一疇和所述第二疇之間的界線處并沿所述液晶分子在所述第二疇中取向的方向被斜切，所述光阻擋層的第二端位于所述第三疇和所述第四疇之間的界線處并沿所述液晶分子在所述第三疇中取向的方向被斜切。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中所述第一子像素電極包括從所述第一疇延伸的第一延伸部以及從所述第四疇延伸的第二延伸部，所述第二子像素電極包括從所述第一疇延伸的第三延伸部以及從所述第四疇延伸的第四延伸部。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的液晶顯示器，其中所述第一子像素電極和所述第二子像素電極設(shè)置在彼此相鄰的所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間，所述第一子像素電極的所述第一延伸部和所述第二延伸部分別重疊所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二子像素電極的所述第三延伸部和所述第四延伸部分別重疊所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的液晶顯示器，其中所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線在一個(gè)像素中彎曲四次。
30.根據(jù)權(quán)利要求M所述的液晶顯示器，其中所述液晶分子在所述第一子像素的所述第一疇至所述第四疇中取向的方向與所述液晶分子在所述第二子像素的所述第一疇至所述第四疇中取向的方向不同。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，其中所述第一子像素電極包括從所述第二疇延伸的第五延伸部以及從所述第三疇延伸的第六延伸部，所述第二子像素電極包括從所述第一疇延伸的第三延伸部以及從所述第四疇延伸的第四延伸部。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，其中所述第一子像素電極和所述第二子像素電極設(shè)置在彼此相鄰的所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間，所述第一子像素電極的所述第五延伸部和所述第六延伸部分別重疊所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二子像素電極的所述第三延伸部和所述第四延伸部分別重疊所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線在一個(gè)像素中彎曲兩次。
34.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，還包括第一配向?qū)?，形成在所述第一基板上并在每個(gè)像素中包括沿第一方向取向的第一區(qū)域以及沿不同于所述第一方向的第二方向取向的第二區(qū)域；以及第二配向?qū)樱纬稍谒龅诙迳贤瑫r(shí)面對(duì)所述第一配向?qū)印?br> 35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的液晶顯示器，其中所述第一配向?qū)雍退龅诙湎驅(qū)拥拿總€(gè)均包含當(dāng)被輻照光時(shí)經(jīng)歷分解、二聚和異構(gòu)化反應(yīng)的其中之一的聚合物材料。
36.一種液晶顯示器，包括第一基底，包含具有多列和多行的多個(gè)像素區(qū)；像素電極，設(shè)置在所述像素區(qū)中；第一配向?qū)樱采w所述像素電極并包括沿所述列延伸并沿所述第一方向取向的多個(gè)第一配向區(qū)以及沿所述列延伸并與所述第一配向區(qū)交替的多個(gè)第二配向區(qū)；第二基底，面對(duì)所述第一基底；公共電極，形成在所述第二基底上同時(shí)面對(duì)所述像素電極；第二配向?qū)樱采w所述公共電極，并包含沿所述行延伸并沿垂直于所述第一方向的第三方向取向的多個(gè)第三配向區(qū)以及沿所述行延伸并與所述第三配向區(qū)交替的多個(gè)第四配向區(qū)，所述第四配向區(qū)沿與所述第三方向相反的第四方向取向；以及液晶層，包括插置在所述第一配向?qū)雍退龅诙湎驅(qū)又g的液晶分子，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，所述第一配向區(qū)和所述第二配向區(qū)分別部分地重疊在相同行中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)，所述第三配向區(qū)和所述第四配向區(qū)部分地重疊在相同列中彼此相鄰的兩個(gè)像素區(qū)。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的液晶顯示器，其中所述液晶層包括被限定為所述第一配向區(qū)和所述第三配向區(qū)的重疊區(qū)域的第一疇、被限定為所述第一配向區(qū)和所述第四配向區(qū)的重疊區(qū)域的第二疇、被限定為所述第二配向區(qū)和所述第三配向區(qū)的重疊區(qū)域的第三疇以及被限定為所述第二配向區(qū)和所述第四配向區(qū)的重疊區(qū)域的第四疇，其中所述液晶分子的取向方向在所述第一疇至所述第四疇中彼此不同。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示器，其中在彼此相鄰并在不同像素區(qū)中排列的兩個(gè)疇中的液晶分子的取向方向彼此相同。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示器，其中所述液晶分子在所述第一疇中沿被限定為第一方向和第三方向的矢量和的第五方向取向，在所述第二疇中沿被限定為第一方向和第四方向的矢量和的第六方向取向，在第三疇中沿被限定為第二方向和第三方向的矢量和的第七方向取向，在所述第四疇中沿被限定為第二方向和第四方向的矢量和的第八方向取向。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)包括所述第一疇至所述第四疇，在一個(gè)像素區(qū)中所述第一疇至所述第四疇中取向方向的順序與在鄰近所述一個(gè)像素區(qū)的其它像素區(qū)中所述第一疇至所述第四疇中取向方向的順序不同。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的液晶顯示器，其中，如果在所述第一疇至所述第四疇中所述液晶分子的所述取向方向順序地順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的像素區(qū)被稱為旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)，并且所述液晶分子在所述第一疇中的所述取向方向與所述液晶分子在所述第四疇中的所述取向方向相反或面對(duì)或者所述液晶分子在所述第二疇中的取向方向與所述液晶分子在所述第三疇中的所述取向方向相反或面對(duì)的像素區(qū)被稱為會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)，則所述旋轉(zhuǎn)型像素區(qū)和所述會(huì)聚-發(fā)散型像素區(qū)在行方向和列方向上交替地布置。
42.根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)與所述第一配向區(qū)之間的重疊面積與每個(gè)像素區(qū)與所述第二配向區(qū)之間的重疊面積相同。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)與所述第三配向區(qū)之間的重疊面積與每個(gè)像素區(qū)與所述第四配向區(qū)之間的重疊面積相同。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的液晶顯示器，其中所述第一配向區(qū)至所述第四配向區(qū)的每一個(gè)與兩個(gè)相鄰像素區(qū)的其中之一之間的重疊面積與所述第一配向區(qū)至所述第四配向區(qū)的每一個(gè)與兩個(gè)相鄰像素區(qū)的剩余一個(gè)之間的重疊面積不同。
45.根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示器，還包括在所述第一基底上沿所述行的延伸方向延伸并在所述列的延伸方向上排列的多條柵極線以及在所述第一基底上沿所述列的所述延伸方向延伸并在所述行的所述延伸方向上排列的多條數(shù)據(jù)線。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)還包括連接到所述柵極線之一和所述數(shù)據(jù)線之一的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管連接到相應(yīng)的像素電極。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素電極設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間，并包括對(duì)于相同的灰度級(jí)接收彼此不同的電壓的第一子像素電極和第二子像素電極。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的液晶顯示器，其中每個(gè)像素區(qū)還包括連接到所述柵極線之一和所述兩條相鄰數(shù)據(jù)線之一的第一薄膜晶體管以及連接到所述柵極線之一和所述兩條相鄰數(shù)據(jù)線的剩余一條的第二薄膜晶體管，所述第一子像素電極連接到所述第一薄膜晶體管，所述第二子像素電極連接到所述第二子像素電極。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的液晶顯示器，其中設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)中的所述第一子像素電極和所述第二子像素電極沿所述列的所述延伸方向延伸，所述第一子像素電極重疊所述第一配向區(qū)和所述第二配向區(qū)的其中之一，所述第二子像素電極重疊所述第一配向區(qū)和所述第二配向區(qū)的剩余一個(gè)。
50.根據(jù)權(quán)利要求47所述的液晶顯示器，其中所述第一子像素電極重疊所述第三配向區(qū)和所述第四配向區(qū)的其中之一，所述第二子像素電極重疊所述第三配向區(qū)和所述第四配向區(qū)的剩余一個(gè)。
51.一種液晶顯示器，包括多個(gè)像素；其中每個(gè)像素包括第一基底，包括2X 2矩陣形式的四個(gè)子像素區(qū)；子像素電極，設(shè)置在所述子像素區(qū)中；第一配向?qū)?，覆蓋所述子像素電極并包括沿彼此相反的方向取向的第一配向區(qū)和第二配向區(qū)；第二基底，面對(duì)所述第一基底；公共電極，形成在所述第二基底上同時(shí)面對(duì)所述子像素電極；第二配向?qū)?，覆蓋所述公共電極并包括沿彼此相反的方向以及沿與所述第一配向區(qū)和所述第二配向區(qū)垂直的方向取向的第三配向區(qū)和第四配向區(qū)；以及液晶層，插置在所述第一配向?qū)雍退龅诙湎驅(qū)又g；其中所述第二配向區(qū)設(shè)置在第一配向區(qū)之間同時(shí)與在相同行中彼此相鄰的兩個(gè)子像素區(qū)部分地重疊，所述第四配向區(qū)設(shè)置在所述第三配向區(qū)之間同時(shí)與在相同列中彼此相鄰的兩個(gè)子像素區(qū)部分地重疊。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的液晶顯示器，其中所述液晶層包括多個(gè)疇，每個(gè)疇包括沿兩個(gè)配向區(qū)以彼此不同的不同方向取向的液晶分子，其中當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)所述兩個(gè)配向區(qū)彼此相應(yīng)。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的液晶顯示器，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，每個(gè)子像素區(qū)的所述液晶層包含被限定為所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第一疇、被限定為所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第二疇、被限定為所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的重疊區(qū)域的第三疇以及被限定為所述第二區(qū)域和所述第四區(qū)域的重疊區(qū)域的第四疇。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示器。在液晶顯示器中，形成在第一基板上的第一配向?qū)影ㄔ诘谝环较蛏先∠虻牡谝粎^(qū)域以及在與第一方向相反的第二方向上取向的第二區(qū)域，形成在面對(duì)第一基板的第二基板上的第二配向?qū)影ㄑ夭煌诘谝环较虻牡谌较蛉∠虻牡谌齾^(qū)域以及沿與第三方向相反的第四方向取向的第四區(qū)域。插置在第一配向?qū)优c第二配向?qū)又g的液晶分子在由第一區(qū)域至第四區(qū)域限定的不同疇中沿不同方向取向。像素電極包括沿第一方向至第四方向的至少之一延伸的延伸部。能改善液晶顯示器的開口率和透光率。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK102236211SQ20111010146
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
發(fā)明者丁閔湜, 嚴(yán)臺(tái)欽, 全栢均, 安賢九, 慎庸桓, 李準(zhǔn)宇, 申暻周, 辛教直, 鄭進(jìn)秀, 金會(huì)林, 金坰兌, 金昤究, 高亨贊 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社