專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示器和用于驅(qū)動(dòng)該液晶顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器和用于驅(qū)動(dòng)該液晶顯示器的方法。特別地，本發(fā)明涉及場(chǎng)序液晶顯示器和用于驅(qū)動(dòng)該場(chǎng)序液晶顯示器的方法。
背景技術(shù)：
作為液晶顯示器的顯示方法，彩色濾光器法和場(chǎng)序法是已知的。在彩色濾光液晶顯示器(color-filter liquid crystal device)中，具有僅透射具有給定顏色(例如，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B))的波長(zhǎng)的光的彩色濾光器的多個(gè)子像素提供在每個(gè)像素中。 期望顏色通過(guò)控制白光在每個(gè)子像素中的透射和多個(gè)顏色在每個(gè)像素中的混合表現(xiàn)。相比之下，在場(chǎng)序液晶顯示器中，提供發(fā)射不同顏色(例如，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B))的光的多個(gè)光源。期望顏色通過(guò)多個(gè)光源的順序發(fā)光和控制不同顏色的光在每個(gè)像素中的透射表現(xiàn)。也就是說(shuō)，彩色濾光器法是期望的顏色通過(guò)在給定顏色的光之中分割一個(gè)像素的區(qū)域來(lái)表現(xiàn)的方法，并且場(chǎng)序法是期望的顏色通過(guò)在給定顏色光之中分割顯示時(shí)段來(lái)表現(xiàn)的方法。場(chǎng)序液晶顯示器相比彩色濾光液晶顯示器具有下列優(yōu)勢(shì)。首先，在場(chǎng)序液晶顯示器中，沒(méi)有必要提供每個(gè)像素中的子像素。從而，孔徑比可以提高或像素?cái)?shù)目可以增加。此外，在場(chǎng)序液晶顯示器中，沒(méi)有必要提供彩色濾光器。即，不發(fā)生由彩色濾光器中的光吸收引起的光損失。從而，透射率可以提高并且功耗可以減小。參考文獻(xiàn)1公開(kāi)場(chǎng)序液晶顯示器。具體地，參考文獻(xiàn)1公開(kāi)一種液晶顯示器，其中每個(gè)像素包括用于控制圖像信號(hào)的輸入的晶體管、用于保持該圖像信號(hào)的信號(hào)存儲(chǔ)電容器和用于控制電荷從該信號(hào)存儲(chǔ)電容器到顯示器像素電容器的傳輸?shù)木w管。在具有該結(jié)構(gòu)的液晶顯示器中，可以同時(shí)執(zhí)行圖像信號(hào)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器的寫(xiě)入和基于保持在顯示像素電容器中的電荷的顯示。[參考文獻(xiàn)]參考文獻(xiàn)1 日本公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?009-042405

發(fā)明內(nèi)容
在場(chǎng)序液晶顯示器中，增加圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入頻率是必須的。例如，在包括發(fā)射三個(gè)顏色(例如，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B))的光的光源的場(chǎng)序液晶顯示器中，如與彩色濾光液晶顯示器比較，至少將圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入頻率增至三倍是必須的。具體地，在幀頻是60Hz的情況下，在彩色濾光液晶顯示器中一秒輸入圖像信號(hào)到每個(gè)像素60次是必須的；相比之下，在場(chǎng)序液晶顯示器(其包括發(fā)射三個(gè)顏色(例如，紅色 (R)、綠色(G)和藍(lán)色(B))的光的光源)中一秒輸入圖像信號(hào)到每個(gè)像素180次是必須的。注意隨著圖像信號(hào)的輸入頻率增加，提供在每個(gè)像素中的元件應(yīng)該具有高響應(yīng)速度。具體地，例如提供在每個(gè)像素中的晶體管應(yīng)該具有更高的遷移率。然而，提高晶體管或其類(lèi)似物的特性是不容易的。
因此，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的目的是增加圖像信號(hào)的輸入頻率。該目的可以通過(guò)同時(shí)供應(yīng)圖像信號(hào)給提供在液晶顯示器的像素部分中采用矩陣設(shè)置的像素之中的多行中的像素實(shí)現(xiàn)。也就是說(shuō)，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是一種液晶顯示器，其包括第一信號(hào)線(xiàn)、第二信號(hào)線(xiàn)、第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)、第三掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)、第一像素、第二像素、電連接到第一掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)的第一移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)和電連接到第二掃描線(xiàn)和第四掃描線(xiàn)的第二移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)。該第一像素包括第一晶體管、第二晶體管和第一液晶元件。第一晶體管的柵極電連接到第一掃描線(xiàn)。第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第二晶體管的柵極電連接到第二掃描線(xiàn)。 第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第一液晶元件的一個(gè)電極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第二像素包括第三晶體管、第四晶體管和第二液晶元件。第三晶體管的柵極電連接到第三掃描線(xiàn)。 第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第四晶體管的柵極電連接到第四掃描線(xiàn)。第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第二液晶元件的一個(gè)電極電連接到第三晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和第四晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。 該第一至第四晶體管的溝道形成區(qū)包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。此外，從第一信號(hào)線(xiàn)，第一圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，并且第二圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。從第二信號(hào)線(xiàn)，第三圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，并且第四圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。另外，在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)和第四掃描線(xiàn)，并且非選擇信號(hào)供應(yīng)給第二掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)。在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第二掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)，并且非選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)和第四掃描線(xiàn)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是一種液晶顯示器，其包括第一信號(hào)線(xiàn)、第二信號(hào)線(xiàn)、第三信號(hào)線(xiàn)、第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)、第三掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)、第五掃描線(xiàn)、第六掃描線(xiàn)、第七掃描線(xiàn)、第八掃描線(xiàn)、第九掃描線(xiàn)、第一像素、第二像素、第三像素、電連接到第一掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)和第七掃描線(xiàn)的第一移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)、電連接到第二掃描線(xiàn)、第五掃描線(xiàn)和第八掃描線(xiàn)的第二移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)和電連接到第三掃描線(xiàn)、第六掃描線(xiàn)和第九掃描線(xiàn)的第三移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)。該第一像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第一液晶元件。第一晶體管的柵極電連接到第一掃描線(xiàn)。第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第二晶體管的柵極電連接到第二掃描線(xiàn)。第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第三晶體管的柵極電連接到第三掃描線(xiàn)。第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第三信號(hào)線(xiàn)。第一液晶元件的一個(gè)電極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)、 第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和第三晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第二像素包括第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第二液晶元件。第四晶體管的柵極電連接到第四掃描線(xiàn)。第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第五晶體管的柵極電連接到第五掃描線(xiàn)。第五晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第六晶體管的柵極電連接到第六掃描線(xiàn)。第六晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第三信號(hào)線(xiàn)。第二液晶元件的一個(gè)電極電連接到第四晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)、第五晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和第六晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第三像素包括第七晶體管、 第八晶體管、第九晶體管和第三液晶元件。第七晶體管的柵極電連接到第七掃描線(xiàn)。第七晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第八晶體管的柵極電連接到第八掃描線(xiàn)。第八晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第九晶體管的柵極電連接到第九掃描線(xiàn)。第九晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第三信號(hào)線(xiàn)。第三液晶元件的一個(gè)電極電連接到第七晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)、第八晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和第九晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第一至第九晶體管的溝道形成區(qū)包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。此外，從第一信號(hào)線(xiàn)，第一圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，第二圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)并且第三圖像信號(hào)在包括在第三采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。從第二信號(hào)線(xiàn)，第四圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，第五圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)并且第六圖像信號(hào)在包括在第三采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。 從第三信號(hào)線(xiàn)，第七圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，第八圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)并且第九圖像信號(hào)在包括在第三采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。另外，在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)、第五掃描線(xiàn)和第九掃描線(xiàn)，并且非選擇信號(hào)供應(yīng)給第二掃描線(xiàn)、第三掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)、第六掃描線(xiàn)、第七掃描線(xiàn)和第八掃描線(xiàn)。在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第三掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)和第八掃描線(xiàn)，并且非選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)、第五掃描線(xiàn)、第六掃描線(xiàn)、第七掃描線(xiàn)和第九掃描線(xiàn)。在包括在第三采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第二掃描線(xiàn)、第六掃描線(xiàn)和第七掃描線(xiàn)，并且非選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)、第三掃描線(xiàn)、第四掃描線(xiàn)、第五掃描線(xiàn)、第八掃描線(xiàn)和第九掃描線(xiàn)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是一種液晶顯示器，其包括第一信號(hào)線(xiàn)、第二信號(hào)線(xiàn)、第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)、第一像素、第二像素、電連接到第一掃描線(xiàn)的第一移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)和電連接到第二掃描線(xiàn)的第二移位寄存器(其具有供應(yīng)選擇信號(hào)的功能)。該第一像素包括第一晶體管和第一液晶元件。第一晶體管的柵極電連接到第一掃描線(xiàn)。第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)。第一液晶元件的一個(gè)電極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第二像素包括第二晶體管和第二液晶元件。第二晶體管的柵極電連接到第二掃描線(xiàn)。第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)。第二液晶元件的一個(gè)電極電連接到第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。該第一和第二晶體管的溝道形成區(qū)包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。此外，從第一信號(hào)線(xiàn)，第一圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，并且第二圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。從第二信號(hào)線(xiàn)，第三圖像信號(hào)在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)，并且第四圖像信號(hào)在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中供應(yīng)。另外，在包括在第一采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)和第二掃描線(xiàn)。在包括在第二采樣時(shí)段中的水平掃描時(shí)段中，選擇信號(hào)供應(yīng)給第一掃描線(xiàn)和第二掃描線(xiàn)。此外，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中，使用在溝道形成區(qū)中包括硅、
7鍺或其類(lèi)似物的非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體的晶體管。在像素部分中包括晶體管(其包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體)的液晶顯示器中，可以使用第五代(1300mm乘1100mm)或以后的玻璃襯底。從而，這樣的液晶顯示器具有高生產(chǎn)率和低成本的優(yōu)勢(shì)。具體地，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中，在溝道形成區(qū)中包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體的晶體管可以用在像素部分中，并且在溝道形成區(qū)中包括單晶半導(dǎo)體的晶體管可以用在驅(qū)動(dòng)電路中。注意微晶半導(dǎo)體是具有在非晶和結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu))之間的中間結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。微晶半導(dǎo)體是具有在自由能方面是穩(wěn)定的第三態(tài)的半導(dǎo)體并且是具有短程有序和晶格畸變的結(jié)晶半導(dǎo)體，其中具有2至200nm(優(yōu)選地10至80nm，更優(yōu)選地20至 50nm)的晶粒尺寸的柱狀或針狀晶體在垂直于襯底表面的方向上生長(zhǎng)。因此，在一些情況下晶粒邊界在該柱狀或針狀晶粒的界面處形成。在溝道形成區(qū)中包括微晶半導(dǎo)體的晶體管具有遷移率高于在溝道形成區(qū)中包括非晶半導(dǎo)體的晶體管的遷移率的優(yōu)勢(shì)和液晶顯示器的像素部分和外圍驅(qū)動(dòng)電路中的一些可以在一個(gè)襯底上形成的優(yōu)勢(shì)。從而，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中，利用在溝道形成區(qū)中包括微晶半導(dǎo)體的晶體管的使用，像素部分和驅(qū)動(dòng)電路中的一些可以在一個(gè)襯底上形成。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路中的一些在與像素部分一樣的襯底上形成時(shí)，例如外部驅(qū)動(dòng)電路等部件的數(shù)目減少。從而，通過(guò)減小組裝步驟和檢查步驟的數(shù)目，不僅縮小液晶顯示器的尺寸是可能的并且減少成本也是可能的。此外，將驅(qū)動(dòng)電路和像素部分互相連接的端子的數(shù)目可以減少。因此，防止由驅(qū)動(dòng)電路和像素部分之間的不良連接引起的良率降低和由在連接點(diǎn)的低機(jī)械強(qiáng)度引起的可靠性降低是可能的。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中，圖像信號(hào)可以同時(shí)供應(yīng)給提供在采用矩陣設(shè)置的像素之中的多行中的像素。從而，在沒(méi)有對(duì)包括在液晶顯示器中的晶體管或其類(lèi)似物的響應(yīng)速度的任何改變的情況下，可以增加圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入頻率。


在附圖中圖IA圖示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例，并且圖IB圖示像素的結(jié)構(gòu)示例；圖2圖示掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示例；圖3圖示移位寄存器的輸出信號(hào)；圖4A圖示信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示例，并且圖4B圖示背光的結(jié)構(gòu)示例；
圖5圖示液晶顯示器的操作示例；圖6A圖示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例，并且圖6B至6D圖示像素的結(jié)構(gòu)示例；圖7A圖示掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示例，并且圖7B圖示移位寄存器的輸出信號(hào)；圖8圖示信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示例；圖9是圖示像素的具體示例的橫截面視圖；圖IOA至IOC圖示端子之間的連接的具體示例；圖IlA和IlB是圖示液晶顯示器的具體示例的透視圖；圖12A是圖示液晶顯示器的具體示例的頂視圖，并且圖12B是圖示液晶顯示器的具體示例的橫截面視圖；圖13是圖示液晶顯示器的具體示例的透視圖；圖14A和14B圖示觸摸面板的具體示例；圖15A和15B圖示觸摸面板的具體示例；圖16A圖示包括光電傳感器的像素部分的具體示例，并且圖16B圖示光電傳感器的具體示例；圖17A和17B是圖示晶體管的具體示例的橫截面視圖，并且圖17C和17D是圖示半導(dǎo)體層的具體示例的橫截面視圖；圖18A至18C是圖示晶體管的具體示例的頂視圖；圖19A和19B是圖示晶體管的具體示例的橫截面視圖；圖20A至20C是圖示制造晶體管的步驟的具體示例的橫截面視圖；圖21A至21D是圖示制造晶體管的步驟的具體示例的橫截面視圖；圖22k至22F圖示電子裝置的示例；圖23A至23C是圖示液晶顯示器的具體示例的透視圖；圖24A是圖示液晶顯示器的具體示例的頂視圖，并且圖24B是圖示液晶顯示器的具體示例的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例將在下文中參照附圖詳細(xì)描述。注意本發(fā)明不限于下列說(shuō)明。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將容易意識(shí)到本發(fā)明的實(shí)施方式和細(xì)節(jié)可以采用各種方式改變而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該解釋為限于實(shí)施例的下列描述。(實(shí)施例1)在該實(shí)施例中，場(chǎng)序液晶顯示器的示例參照?qǐng)DIA和1B、圖2、圖3、圖4A和4B以及圖5描述。<液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例>圖IA圖示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例。在圖IA中圖示的該液晶顯示器包括；像素部分10 ；掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11 ；信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12 ；3η(η是2或更大的自然數(shù))個(gè)掃描線(xiàn)131， 3η個(gè)掃描線(xiàn)132以及3η個(gè)掃描線(xiàn)133，其互相平行或幾乎平行設(shè)置并且其電勢(shì)由掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11控制；和m (m是2或更大的自然數(shù))個(gè)信號(hào)線(xiàn)141，m個(gè)信號(hào)線(xiàn)142以及m個(gè)信號(hào)線(xiàn)143，其互相平行或幾乎平行設(shè)置并且其電勢(shì)由信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12控制。像素部分10包括采用矩陣(3η行乘m列)設(shè)置的多個(gè)像素15。注意掃描線(xiàn)131、 132和133中的每個(gè)電連接到提供在采用矩陣(3η行乘m列)設(shè)置的該多個(gè)像素15之中的給定行中的m個(gè)像素15。此外，信號(hào)線(xiàn)141、142和143中的每個(gè)電連接到提供在采用矩陣 (3η行乘m列)設(shè)置的該多個(gè)像素15之中的給定列中的3η個(gè)像素15。注意掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(GSP1至GSP3)、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào) (GCK)和例如高電源電勢(shì)(Vdd)和低電源電勢(shì)(Vss)等驅(qū)動(dòng)電源電勢(shì)從外面輸入到掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11。此外，例如信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(SSP)、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào) (SCK)和圖像信號(hào)(DATA1至DATA3)等信號(hào)以及例如高電源電勢(shì)和低電源電勢(shì)等電源電勢(shì)從外面輸入到信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12。
圖IB圖示像素15的電路結(jié)構(gòu)的示例。在圖IB中圖示的像素15包括晶體管151、 晶體管152、晶體管153、電容器IM和液晶元件155。晶體管151的柵極電連接到掃描線(xiàn) 131。晶體管151的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)141。晶體管152的柵極電連接到掃描線(xiàn)132。晶體管152的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)142。晶體管153的柵極電連接到掃描線(xiàn)133。晶體管153的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)143。電容器154 的一個(gè)電極電連接到晶體管151的源極和漏極中的另一個(gè)、晶體管152的源極和漏極中的另一個(gè)以及晶體管153的源極和漏極中的另一個(gè)。電容器154的另一個(gè)電極電連接到用于供應(yīng)電容器電勢(shì)的布線(xiàn)。液晶元件155的一個(gè)電極電連接到晶體管151的源極和漏極中的另一個(gè)、晶體管152的源極和漏極中的另一個(gè)以及晶體管153的源極和漏極中的另一個(gè)和電容器154的一個(gè)電極。液晶元件155的另一個(gè)電極電連接到用于供應(yīng)對(duì)電勢(shì)的布線(xiàn)。<掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11的結(jié)構(gòu)示例>圖2圖示包括在圖IA中圖示的液晶顯示器中的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11的結(jié)構(gòu)示例。 在圖2中圖示的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11包括三個(gè)移位寄存器111至113，每個(gè)包括3η個(gè)輸出端子。注意移位寄存器111的每個(gè)輸出端子電連接到提供在像素部分10中的3η個(gè)掃描線(xiàn)131 中的一個(gè)。移位寄存器112的每個(gè)輸出端子電連接到提供在像素部分10中的3η個(gè)掃描線(xiàn) 132中的一個(gè)。移位寄存器113的每個(gè)輸出端子電連接到提供在像素部分10中的3η個(gè)掃描線(xiàn)133中的一個(gè)。也就是說(shuō)，移位寄存器111驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)131 ；移位寄存器112驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)132 ；并且移位寄存器113驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)133。具體地，移位寄存器111具有從提供在第一行中的掃描線(xiàn)131順序供應(yīng)選擇信號(hào)(每隔一半掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(GCK)的周期順序選擇掃描線(xiàn)131)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的第一起始信號(hào)(GSPl) 充當(dāng)觸發(fā)器；移位寄存器112具有從提供在第一行中的掃描線(xiàn)132順序供應(yīng)選擇信號(hào)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的第二起始信號(hào)(GSP》充當(dāng)觸發(fā)器；并且移位寄存器113具有從提供在第一行中的掃描線(xiàn)133順序供應(yīng)選擇信號(hào)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的第三起始信號(hào)(GSP3)充當(dāng)觸發(fā)器。<掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11的操作示例>掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11的操作示例參照?qǐng)D3描述。注意圖3圖示掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(GCK)、從移位寄存器111的3η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SRlllout)、從移位寄存器112的3η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SR112out)和從移位寄存器113的3η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SR113out)。這里，取樣時(shí)段意思是輸入任何圖像信號(hào)到所有行(從第一行到第 3η行)需要的時(shí)段。在采樣時(shí)段(tl)中，高電平電勢(shì)從提供在第一行中的掃描線(xiàn)131每隔一半移位寄存器111中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第η行中的掃描線(xiàn)131 ； 高電平電勢(shì)從提供在第(η+1)行中的掃描線(xiàn)132每隔一半移位寄存器112中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第2η行中的掃描線(xiàn)132 ；并且高電平電勢(shì)從提供在第Οη+1)行中的掃描線(xiàn)133每隔一半移位寄存器113中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第3η行中的掃描線(xiàn)133。因此，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11中，提供在第一行中的m個(gè)像素15至提供在第η行中的m個(gè)像素15通過(guò)掃描線(xiàn)131順序選擇；提供在第(η+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第2η行中的m個(gè)像素15通過(guò)掃描線(xiàn)132順序選擇；并且提供在第On+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第3η行中的m個(gè)像素15通過(guò)掃描
10線(xiàn)133順序選擇。也就是說(shuō)，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11中，每個(gè)水平掃描時(shí)段選擇信號(hào)可以供應(yīng)給提供在不同的三行中的:3m個(gè)像素15。在采樣時(shí)段(t2)中，盡管移位寄存器111至113的輸出信號(hào)與在采樣時(shí)段(tl)中的那些不同，下列操作與在采樣時(shí)段(tl)中的相同移位寄存器111至113中的一個(gè)(在采樣時(shí)段(U)中移位寄存器11 順序選擇提供在第一行中的m個(gè)像素15至提供在第η 行中的m個(gè)像素15 ；不同于移位寄存器111至113中的該一個(gè)的移位寄存器111至113中的另一個(gè)(在采樣時(shí)段(t2)中移位寄存器111)順序選擇提供在第(n+1)行中的m個(gè)像素 15至提供在第2η行中的m個(gè)像素15 ；并且不同于移位寄存器111至113中的該兩個(gè)的移位寄存器111至113中的另一個(gè)(在采樣時(shí)段(U)中移位寄存器11 順序選擇提供在第 (2n+l)行中的m個(gè)像素15至提供在第3η行中的m個(gè)像素15。也就是說(shuō)，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路11中，如在采樣時(shí)段(tl)中那樣，每個(gè)水平掃描時(shí)段選擇信號(hào)可以供應(yīng)給提供在給定的三行中的:3m個(gè)像素15。<信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12的結(jié)構(gòu)示例>圖4A圖示包括在圖IA中圖示的液晶顯示器中的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12的結(jié)構(gòu)示例。 在圖4A中圖示的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路12包括具有m個(gè)輸出端子的移位寄存器120、m個(gè)晶體管 121、m個(gè)晶體管122和m個(gè)晶體管123。注意晶體管121的柵極電連接到移位寄存器120 的第j個(gè)輸出端子(j是1或更大且m或更小的自然數(shù))；晶體管121的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第一圖像信號(hào)(DATAl)的布線(xiàn)；并且晶體管121的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分10中的第j列的信號(hào)線(xiàn)141。另外，晶體管122的柵極電連接到移位寄存器120的第j個(gè)輸出端子；晶體管122的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第二圖像信號(hào)(DATA2)的布線(xiàn)；并且晶體管122的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分10中的第j列的信號(hào)線(xiàn)142。此外，晶體管123的柵極電連接到移位寄存器 120的第j個(gè)輸出端子；晶體管123的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第三圖像信號(hào)(DATA3)的布線(xiàn)；并且晶體管123的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分10 中的第j列的信號(hào)線(xiàn)143。注意這里，紅色(R)圖像信號(hào)(用于控制紅色(R)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)141作為第一圖像信號(hào)(DATAl)；藍(lán)色(B)圖像信號(hào)(用于控制藍(lán)色(B)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)142作為第二圖像信號(hào)(DATA2)；并且綠色(G)圖像信號(hào)(用于控制綠色(G)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)143作為第三圖像信號(hào)(DATA3)。<背光的結(jié)構(gòu)示例>圖4B圖示提供在圖IA中圖示的液晶顯示器中的像素部分10后面的背光的結(jié)構(gòu)示例。在圖4B中圖示的背光包括多個(gè)背光單元16，每個(gè)包括紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B) 三個(gè)顏色的光源。注意該多個(gè)背光單元16采用矩陣設(shè)置并且每給定區(qū)域可以控制該背光單元16的發(fā)光。這里，至少每k行乘m列(這里，k是η/4)提供背光單元組作為提供在3η 行乘m列中的多個(gè)像素15的背光。背光單元組的發(fā)光可以獨(dú)立控制。也就是說(shuō)，背光可以至少包括第一至第k行的背光單元組到第(3n-k+l)行至第3η行的背光單元組。背光單元組的發(fā)光可以獨(dú)立控制。<液晶顯示器的操作示例>圖5圖示包括在背光中的第一至第k行的背光單元組到第(3n_k+l)行至第3η行的背光單元組在液晶顯示器中什么時(shí)候點(diǎn)亮的時(shí)序和圖像信號(hào)什么時(shí)候輸入到像素部分 10中的提供在第一行中的m個(gè)像素至提供在第3η行中的m個(gè)像素的時(shí)序。具體地，在圖5 中，1至3η指示行數(shù)并且實(shí)線(xiàn)指示圖像信號(hào)什么時(shí)候輸入行中的時(shí)序。在液晶顯示器中，在采樣時(shí)段(tl)中，順序選擇提供在第一行中的m個(gè)像素15至提供在第η行中的m個(gè)像素 15 ；順序選擇提供在第(n+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第2η個(gè)行中的m個(gè)像素15 ；并且順序選擇提供在第On+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第3η個(gè)行中的m個(gè)像素15。從而，圖像信號(hào)可以輸入到每個(gè)像素。具體地，在液晶顯示器中，在采樣時(shí)段(tl)中，當(dāng)包括在提供在第一行中的m個(gè)像素15中的晶體管151至包括在提供在第η行中的m個(gè)像素15 中的晶體管151通過(guò)掃描線(xiàn)131順序?qū)〞r(shí)紅色(R)圖像信號(hào)可以通過(guò)信號(hào)線(xiàn)141順序輸入到像素；當(dāng)包括在提供在第(n+1)行中的m個(gè)像素15中的晶體管152至包括在提供在第 2η行中的m個(gè)像素15中的晶體管152通過(guò)掃描線(xiàn)132順序?qū)〞r(shí)藍(lán)色(B)圖像信號(hào)可以通過(guò)信號(hào)線(xiàn)142順序輸入到像素；并且當(dāng)包括在提供在第On+1)行中的m個(gè)像素15中的晶體管153至包括在提供在第3η行中的m個(gè)像素15中的晶體管153通過(guò)掃描線(xiàn)133順序?qū)〞r(shí)綠色(G)圖像信號(hào)可以通過(guò)信號(hào)線(xiàn)143順序輸入到像素。此外，在液晶顯示器中，在采樣時(shí)段(tl)中，在紅色(R)圖像信號(hào)輸入到提供在第一行中的m個(gè)像素15至提供在第k行中的m個(gè)像素15后紅色(R)光從第一至第k行的背光單元組發(fā)射；在藍(lán)色(B)圖像信號(hào)輸入到提供在第(n+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第 (n+k)行中的m個(gè)像素15后藍(lán)色⑶光從第(n+1)至第(n+k)行的背光單元組發(fā)射；并且在綠色(G)圖像信號(hào)輸入到提供在第On+1)行中的m個(gè)像素15至提供在第Qn+k)行中的m個(gè)像素15后綠色(G)光從第On+1)至第Qn+k)行的背光單元組發(fā)射。也就是說(shuō)，在液晶顯示器中，每個(gè)區(qū)域(第一至第η行、第(n+1)至第2η行和第Qn+Ι)至第3η行)選擇信號(hào)和給定顏色的光可以同時(shí)供應(yīng)。<在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的液晶顯示器>在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的液晶顯示器中，圖像信號(hào)可以同時(shí)供應(yīng)給提供在采用矩陣設(shè)置的像素之中的多行中的像素。從而，在沒(méi)有對(duì)包括在該液晶顯示器中的晶體管或其類(lèi)似物的響應(yīng)速度的任何改變的情況下，可以增加圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入頻率。具體地，在該液晶顯示器中，在沒(méi)有對(duì)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘頻率或其類(lèi)似的任何改變的情況下，圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入頻率可以增至三倍。也就是說(shuō)，該液晶顯示器適合場(chǎng)序液晶顯示器或具有高幀率驅(qū)動(dòng)的液晶顯示器。在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的液晶顯示器優(yōu)選地用作場(chǎng)序液晶顯示器的原因列舉如下。如上文描述的，在場(chǎng)序液晶顯示器中，顯示時(shí)段在給定顏色的光之中分割。從而，由用戶(hù)查看的顯示可能由于由短時(shí)間中顯示的遮擋(例如，用戶(hù)眨眼)引起的缺少給定顯示數(shù)據(jù)造成從基于原始顯示數(shù)據(jù)的顯示變化(偏離)(這樣的現(xiàn)象也稱(chēng)為顏色分離或色亂)。這里，幀頻的增加在抑制顏色分離上是有效的。在另一方面，為了通過(guò)場(chǎng)序方法顯示圖像，用高于幀頻的頻率輸入圖像信號(hào)到每個(gè)像素是必要的。因此，在圖像通過(guò)場(chǎng)序方法和高幀率驅(qū)動(dòng)在常規(guī)液晶顯示器中顯示的情況下，需要包括在該液晶顯示器中的元件的極高性能(極高響應(yīng)速度)。相比之下，在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的液晶顯示器中，輸入圖像信號(hào)到每個(gè)像素的頻率可以增加而不被元件的特性限制。從而，在場(chǎng)序液晶顯示器中可以容易抑制顏色分離。此外，在圖像通過(guò)場(chǎng)序方法顯示的情況下，不同顏色的光由于下列原因優(yōu)選地供
12應(yīng)給如在圖5中圖示的區(qū)域。在相同顏色的光供應(yīng)給整個(gè)屏幕的情況下，在給定時(shí)刻僅關(guān)于給定顏色的顏色數(shù)據(jù)在像素部分中存在。從而，由用戶(hù)眨眼或類(lèi)似的引起的在給定時(shí)段中缺少顯示數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于缺少給定的顏色數(shù)據(jù)。相比之下，在不同顏色的光供應(yīng)給區(qū)域的情況下，在給定時(shí)刻關(guān)于顏色的顏色數(shù)據(jù)在像素部分中存在。因此，由用戶(hù)眨眼或類(lèi)似的引起的在給定時(shí)段中缺少顯示數(shù)據(jù)不對(duì)應(yīng)于缺少給定的顏色數(shù)據(jù)。即，當(dāng)不同顏色的光供應(yīng)給不同區(qū)域時(shí)，可以抑制顏色分離。此外，在背光單元組如在圖5中圖示的點(diǎn)亮的情況下，鄰近背光單元組不發(fā)射不同顏色的光。具體地，在采樣時(shí)段(tl)中，當(dāng)?shù)?n+1)至第(n+k) 行的背光單元組在藍(lán)色(B)圖像信號(hào)輸入到在第(n+1)行中的m個(gè)像素15至在第(n+k) 行中的m個(gè)像素15后發(fā)射藍(lán)色(B)光時(shí)，對(duì)于在第(3k+l)行至第η行中的背光單元組和第(η+k+l)至第(n+2k)行的背光單元組發(fā)射藍(lán)色(B)光或不執(zhí)行它自己的發(fā)射(既不發(fā)射紅色(R)光也不發(fā)射綠色(G)光)。從而，可以減小不同于給定顏色的顏色的光通過(guò)關(guān)于該給定顏色的圖像數(shù)據(jù)輸入到其中的像素的透射的可能性。<修改示例>具有上文結(jié)構(gòu)的液晶顯示器是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，并且本發(fā)明包括不同于前面提到的液晶顯示器的液晶顯示器。例如，液晶顯示器具有其中圖像信號(hào)在相同時(shí)段中同時(shí)供應(yīng)給提供在像素部分10 中的給定三行中的!Μ個(gè)像素的結(jié)構(gòu)；然而，在本發(fā)明中的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)不限于這樣的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在本發(fā)明中的液晶顯示器可以具有其中圖像信號(hào)在相同時(shí)段中同時(shí)供應(yīng)給提供在像素部分10中的多個(gè)給定行中的多個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。注意在行數(shù)改變的情況下，行的數(shù)目和移位寄存器或類(lèi)似物的數(shù)目應(yīng)該相同，這是明顯的。另外，液晶顯示器具有其中圖像信號(hào)在相同時(shí)段中同時(shí)供應(yīng)給提供在以固定間隔 (供應(yīng)有圖像信號(hào)的行之間的間隔是η行像素)設(shè)置的給定三行中的像素的結(jié)構(gòu)；然而，在本發(fā)明中的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)不限于這樣的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在本發(fā)明中的液晶顯示器可以具有其中圖像信號(hào)在相同時(shí)段中同時(shí)供應(yīng)給提供在不以固定間隔設(shè)置的給定三行中的像素的結(jié)構(gòu)。具體地，本發(fā)明中的液晶顯示器可以具有其中圖像信號(hào)在相同時(shí)段中同時(shí)供應(yīng)給提供在第一行中的m個(gè)像素、提供在第(a+Ι)行(a是自然數(shù))中的m個(gè)像素和提供在第(a+b+Ι)行(b是不同于a的自然數(shù))中的m個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。此外，在液晶顯示器中，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路包括移位寄存器；然而，移位寄存器可以用具有相似功能的電路代替。例如，移位寄存器可以用解碼器代替。此外，液晶顯示器具有其中發(fā)射紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)三個(gè)顏色的光的光源用作多個(gè)光源的結(jié)構(gòu)；然而，在本發(fā)明中的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)不限于這樣的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在本發(fā)明中的液晶顯示器中，發(fā)射給定顏色的光的光源可以組合使用。例如，發(fā)射紅色 (R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)和白色(W)四個(gè)顏色的光的光源可以組合使用或發(fā)射青色、品紅色和黃色三個(gè)顏色光的光源可以組合使用。此外，發(fā)射淺紅色(R)、淺綠色(G)、淺藍(lán)色(B)、深紅色00、深綠色(G)和深藍(lán)色(B)六個(gè)顏色的光的光源可以組合使用或發(fā)射紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)、青色、品紅色和黃色六個(gè)顏色光的光源可以組合使用。采用該方式，利用發(fā)射更寬種類(lèi)顏色的光的光源組合，可以增加液晶顯示器的色域，使得可以提高圖像質(zhì)量。此外，液晶顯示器包括用于保持施加到液晶元件的電壓的電容器(參見(jiàn)圖1B)；然而，不提供該電容器是可能的。
此外，液晶顯示器具有其中紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)三個(gè)顏色的光源采用如背光單元的線(xiàn)形方式橫向設(shè)置的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖4B)；然而，背光單元的結(jié)構(gòu)不限于這樣的結(jié)構(gòu)。例如，三個(gè)顏色的光源可采用三角形設(shè)置；三個(gè)顏色的光源可采用線(xiàn)形方式縱向設(shè)置； 或紅色(R)的光源、綠色(G)的光源和藍(lán)色(B)的光源可分別提供。此外，液晶顯示器包括直下式(direct-lit)背光作為背光(參見(jiàn)圖4B)；然而，側(cè)光式(edge-lit)背光可以用作背光。(實(shí)施例2)在該實(shí)施例中，具有不同于實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)的場(chǎng)序液晶顯示器的示例參照?qǐng)D6A 至6D、圖7A和7B以及圖8描述。<液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例>圖6A圖示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示例。在圖6A中圖示的該液晶顯示器包括像素部分30 ；掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31 ；信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32 ；3n(n是2或更大的自然數(shù))個(gè)掃描線(xiàn)33， 其互相平行或幾乎平行設(shè)置并且其電勢(shì)由掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31控制；和m(m是2或更大的自然數(shù))個(gè)信號(hào)線(xiàn)；341，m個(gè)信號(hào)線(xiàn)342以及m個(gè)信號(hào)線(xiàn)343，其互相平行或幾乎平行設(shè)置并且其電勢(shì)由信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32控制。像素部分30分成三個(gè)區(qū)域(區(qū)域301至30 并且在每個(gè)區(qū)域中包括采用矩陣(η 行乘m列)設(shè)置的多個(gè)像素。注意掃描線(xiàn)33中的每個(gè)電連接到提供在像素部分30中采用矩陣(3η行乘m列)設(shè)置的該多個(gè)像素之中的給定行中的m個(gè)像素。另外，信號(hào)線(xiàn)341中的每個(gè)電連接到提供在區(qū)域301中采用矩陣(η行乘m列)設(shè)置的該多個(gè)像素之中的給定列中的η個(gè)像素。此外，信號(hào)線(xiàn)342中的每個(gè)電連接到提供在區(qū)域302中采用矩陣(η行乘 m列)設(shè)置的該多個(gè)像素之中的給定列中的η個(gè)像素。此外，信號(hào)線(xiàn)343中的每個(gè)電連接到提供在區(qū)域303中采用矩陣(η行乘m列)設(shè)置的該多個(gè)像素之中的給定列中的η個(gè)像素。注意掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(GSP)、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(GCK)和例如高電源電勢(shì)和低電源電勢(shì)等驅(qū)動(dòng)電源電勢(shì)從外面輸入到掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31。此外，例如信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(SSP)、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(SCK)和圖像信號(hào)(datal 至datU)等信號(hào)以及例如高電源電勢(shì)和低電源電勢(shì)等驅(qū)動(dòng)電源電勢(shì)從外面輸入到信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32。圖6B至6D圖示像素的電路結(jié)構(gòu)的示例。具體地，圖6B圖示提供在區(qū)域301中的像素351的電路結(jié)構(gòu)的示例；圖6C圖示提供在區(qū)域302中的像素352的電路結(jié)構(gòu)的示例； 并且圖6D圖示提供在區(qū)域303中的像素353的電路結(jié)構(gòu)的示例。在圖6B中圖示的像素 351包括晶體管3511、電容器3512和液晶元件3514。晶體管3511的柵極電連接到掃描線(xiàn) 33。晶體管3511的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)341。電容器3512的一個(gè)電極電連接到晶體管3511的源極和漏極中的另一個(gè)。電容器3512的另一個(gè)電極電連接到用于供應(yīng)電容器電勢(shì)的布線(xiàn)。液晶元件3514的一個(gè)電極電連接到晶體管3511的源極和漏極中的另一個(gè)和電容器3512的一個(gè)電極。液晶元件3514的另一個(gè)電極電連接到用于供應(yīng)對(duì)電勢(shì)的布線(xiàn)。在圖6C中圖示的像素352和在圖6D中圖示的像素353的電路結(jié)構(gòu)與在圖6B中圖示的像素351的相同。注意在圖6C中圖示的像素352與圖6B中圖示的像素351的不同在于晶體管3521的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)342而不是信號(hào)線(xiàn)341 ；并且在圖6D中圖示的像素353與圖6B中圖示的像素351的不同在于晶體管3531的源極和漏極中的一個(gè)電連接到信號(hào)線(xiàn)343而不是信號(hào)線(xiàn)341。<掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31的結(jié)構(gòu)示例>圖7A圖示包括在圖6A中圖示的液晶顯示器中的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31的結(jié)構(gòu)示例。 在圖7A中圖示的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31包括移位寄存器311至313，每個(gè)包括η個(gè)輸出端子。 注意移位寄存器311的每個(gè)輸出端子電連接到提供在區(qū)域301中的η個(gè)掃描線(xiàn)33中的一個(gè)。移位寄存器312的每個(gè)輸出端子電連接到提供在區(qū)域302中的η個(gè)掃描線(xiàn)33中的一個(gè)。移位寄存器313的每個(gè)輸出端子電連接到提供在區(qū)域303中的η個(gè)掃描線(xiàn)33中的一個(gè)。也就是說(shuō)，移位寄存器311供應(yīng)區(qū)域301中的選擇信號(hào)；移位寄存器312供應(yīng)區(qū)域302 中的選擇信號(hào)；并且移位寄存器313供應(yīng)區(qū)域303中的選擇信號(hào)。具體地，移位寄存器311 具有從提供在第一行中的掃描線(xiàn)33順序供應(yīng)選擇信號(hào)(每隔一半掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(GCK)的周期順序選擇掃描線(xiàn)33)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(GSP)充當(dāng)觸發(fā)器；移位寄存器312具有從提供在第(η+1)行中的掃描線(xiàn)33順序供應(yīng)選擇信號(hào)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(GSP)充當(dāng)觸發(fā)器；并且移位寄存器313具有從提供在第Οη+1)行中的掃描線(xiàn)33順序供應(yīng)選擇信號(hào)的功能，其中從外面輸入的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的起始信號(hào)(GSP)充當(dāng)觸發(fā)器。<掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31的操作示例>掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31的操作示例參照?qǐng)D7Β描述。注意圖7Β圖示掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)(GCK)、從移位寄存器311的η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SR311out)、從移位寄存器312的η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SR312out)和從移位寄存器313的η個(gè)輸出端子輸出的信號(hào)(SR313out)。在采樣時(shí)段(Tl)中，高電平電勢(shì)從提供在第一行中的掃描線(xiàn)33每隔一半移位寄存器311中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第η行中的掃描線(xiàn)33 ； 高電平電勢(shì)從提供在第(η+1)行中的掃描線(xiàn)33每隔一半移位寄存器312中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第2η行中的掃描線(xiàn)33 ；并且高電平電勢(shì)從提供在第Οη+1)行中的掃描線(xiàn)33每隔一半移位寄存器313中的時(shí)鐘信號(hào)的周期(水平掃描時(shí)段)順序移位到提供在第3η行中的掃描線(xiàn)33。因此，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31中，提供在第一行中的m個(gè)像素351至提供在第η行中的m個(gè)像素351通過(guò)掃描線(xiàn)33順序選擇；提供在第(η+1)行中的m個(gè)像素352至提供在第2η行中的m個(gè)像素352順序選擇；并且提供在第 (2n+l)行中的m個(gè)像素353至提供在第3η行中的m個(gè)像素353順序選擇。也就是說(shuō)，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31中，每個(gè)水平掃描時(shí)段選擇信號(hào)可以供應(yīng)給提供在不同的三行中的:3m個(gè)像素。在采樣時(shí)段(T2)和采樣時(shí)段(T3)中，移位寄存器311至313的操作與在采樣時(shí)段(Tl)中的相同。也就是說(shuō)，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路31中，如在采樣時(shí)段(Tl)中那樣，每個(gè)水平掃描時(shí)段選擇信號(hào)可以供應(yīng)給提供在給定的三行中的:3m個(gè)像素。<信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32的結(jié)構(gòu)示例>圖8圖示包括在圖6A中圖示的液晶顯示器中的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32的結(jié)構(gòu)示例。 在圖8中圖示的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路32包括具有m個(gè)輸出端子的移位寄存器320、m個(gè)晶體管 321、m個(gè)晶體管322和m個(gè)晶體管323。注意晶體管321的柵極電連接到移位寄存器320
15的第j個(gè)輸出端子(j是1或更大且m或更小的自然數(shù))；晶體管321的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第一圖像信號(hào)(datal)的布線(xiàn)；并且晶體管321的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分30中的第j列的信號(hào)線(xiàn)341。另外，晶體管322的柵極電連接到移位寄存器320的第j個(gè)輸出端子；晶體管322的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第二圖像信號(hào)(data2)的布線(xiàn)；并且晶體管322的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分30中的第j列的信號(hào)線(xiàn)342。此外，晶體管323的柵極電連接到移位寄存器 320的第j個(gè)輸出端子；晶體管323的源極和漏極中的一個(gè)電連接到用于供應(yīng)第三圖像信號(hào)(data3)的布線(xiàn)；并且晶體管323的源極和漏極中的另一個(gè)電連接到提供在像素部分30 中的第j列的信號(hào)線(xiàn)343。注意這里，在采樣時(shí)段(Tl)中，紅色(R)圖像信號(hào)(用于控制紅色(R)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)341作為第一圖像信號(hào)(datal)；在采樣時(shí)段(T2)中，綠色(G) 圖像信號(hào)(用于控制綠色(G)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)341作為第一圖像信號(hào) (datal)；并且在采樣時(shí)段(T3)中，藍(lán)色(B)圖像信號(hào)(用于控制藍(lán)色(B)光的透射的圖像信號(hào))供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)341作為第一圖像信號(hào)(datal)。另外，在采樣時(shí)段(Tl)中，藍(lán)色(B) 圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)342作為第二圖像信號(hào)(data2)；在采樣時(shí)段(T2)中，紅色(R)圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)342作為第二圖像信號(hào)(data2)；并且在采樣時(shí)段(T3)中，綠色(G) 圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)342作為第二圖像信號(hào)(data2)。此外，在采樣時(shí)段(Tl)中，綠色 (G)圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)343作為第三圖像信號(hào)(data3)；在采樣時(shí)段(1 中，藍(lán)色(B) 圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)343作為第三圖像信號(hào)(data3)；并且在采樣時(shí)段(B)中，紅色(R) 圖像信號(hào)供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)343作為第三圖像信號(hào)(data3)。<背光的結(jié)構(gòu)示例>在實(shí)施例1中描述的背光可以用作在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器的背光。因此，將參考上文的說(shuō)明。<液晶顯示器的操作示例>在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器可以像在實(shí)施例1中描述的液晶顯示器(參見(jiàn)圖 5) 一樣操作。也就是說(shuō)，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，在采樣時(shí)段(Tl)中，順序選擇提供在第一行中的m個(gè)像素351至提供在第η行中的m個(gè)像素351 ；順序選擇提供在第 (n+1)行中的m個(gè)像素352至提供在第2η個(gè)行中的m個(gè)像素352 ；并且順序選擇提供在第 (2n+l)行中的m個(gè)像素353至提供在第3η個(gè)行中的m個(gè)像素353。從而，圖像信號(hào)可以輸入到每個(gè)像素。此外，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，如在實(shí)施例1中描述的液晶顯示器中那樣，每個(gè)區(qū)域(第一至第η行、第(n+1)至第2η行和第Qn+Ι)至第3η行)選擇信號(hào)和給定顏色的光可以同時(shí)供應(yīng)?！丛搶?shí)施例中的液晶顯示器〉在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器像在實(shí)施例1中描述的液晶顯示器一樣操作。另外，如與在實(shí)施例中描述的液晶顯示器比較，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，孔徑比可以進(jìn)一步提高，因?yàn)樘峁┰谙袼夭糠种械膾呙杈€(xiàn)的數(shù)目和提供在每個(gè)像素中的晶體管的數(shù)目減少。此外，因?yàn)樘峁┰谙袼夭糠种械膾呙杈€(xiàn)的數(shù)目可以減少，由信號(hào)線(xiàn)和掃描線(xiàn)的重疊產(chǎn)生的寄生電容可以減少；從而，信號(hào)線(xiàn)可以以高速操作。此外，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的面積和對(duì)于掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的操作必需的信號(hào)的數(shù)目可以減少(輸入掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的不同起始信號(hào)到多個(gè)移位寄存器是沒(méi)有必要的)?！葱薷氖纠翟谠搶?shí)施例中描述的液晶顯示器是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，并且本發(fā)明包括不同于前面提到的液晶顯示器的液晶顯示器。例如，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)可以改變?yōu)樵趯?shí)施例1中的修改示例中描述的結(jié)構(gòu)。具體地，在該實(shí)施例中包括在液晶顯示器中的移位寄存器可以用具有相似功能的電路(例如解碼器)代替。另外，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器具有其中像素部分30分成三個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)；然而，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器不限于這樣的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，像素部分30可以分成給定的多個(gè)區(qū)域。注意在區(qū)域數(shù)目改變的情況下，區(qū)域的數(shù)目和移位寄存器的數(shù)目應(yīng)該相同，這是明顯的。此外，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，包括在三個(gè)區(qū)域的每個(gè)中的像素的數(shù)目是相同的(像素在每個(gè)區(qū)域中設(shè)置在η行和m列中)；然而，在該實(shí)施例中描述的液晶顯示器中，像素的數(shù)目可以在區(qū)域之間變化。具體地，像素可以在第一區(qū)域中設(shè)置在c行和m 列中(c是自然數(shù))，并且像素可以在第二區(qū)域中設(shè)置在d行和m列中(d是不同于c的自然數(shù))。(實(shí)施例3)在該實(shí)施例中，描述在實(shí)施例1或2中描述的液晶顯示器的具體結(jié)構(gòu)。<像素的橫截面的具體示例>圖9是在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中的像素的橫截面視圖的示例。 注意盡管圖9圖示包括微晶半導(dǎo)體的晶體管，可使用包括非晶半導(dǎo)體的晶體管。在圖9中圖示的晶體管1401包括在絕緣表面上形成的柵極層1402、在該柵極層 1402上的柵極絕緣層1403、包括在該柵極絕緣層1403上并且與柵極層1402重疊的微晶半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層1404以及起源極層和漏極層的作用并且堆疊在該半導(dǎo)體層1404上的導(dǎo)電膜1405和1406。此外，該晶體管1401可包括在半導(dǎo)體層1404上形成的絕緣層1407作為部件。該絕緣層1407形成以便覆蓋柵極層1402、柵極絕緣層1403、半導(dǎo)體層1404以及導(dǎo)電膜1405和1406。絕緣層1408在絕緣層1407上形成。開(kāi)口提供在部分絕緣層1407和部分絕緣層 1408中，并且像素電極1410形成以便通過(guò)該開(kāi)口與導(dǎo)電膜1406接觸。此外，用于控制液晶元件的單元間隙的隔離物1417在絕緣層1408上形成。絕緣層被蝕刻以具有期望的形狀，使得可以形成該隔離物1417。備選地，單元間隙可通過(guò)球形隔離物在絕緣層1408上散布控制。定向膜1411在像素電極1410上形成。此外，對(duì)襯底1420提供有面對(duì)像素電極 1410的對(duì)電極1413，并且定向膜1414在靠近像素電極1410的對(duì)電極1413的一側(cè)上形成。 該定向膜1411和該定向膜1414可以使用例如聚酰亞胺和聚(乙烯醇)等有機(jī)樹(shù)脂形成。 用于將液晶分子在某個(gè)方向上排列的定向處理(例如摩擦等)在它們的表面上執(zhí)行。當(dāng)與定向膜接觸時(shí)用尼龍布等包裹的軋棍滾動(dòng)使得定向膜的表面可以在某個(gè)方向上摩擦。注意使用例如氧化硅等無(wú)機(jī)材料通過(guò)蒸發(fā)或類(lèi)似方法而不用定向處理形成具有定向特性的定向膜1411和1414也是可能的。
此外，液晶1415提供在像素電極1410和對(duì)電極1413之間由密封劑1416包圍的區(qū)域中。該液晶1415可通過(guò)分配器法(dispenser method)(液滴法)或浸漬法(抽運(yùn)法) 注入。注意填料可混合在該密封劑1416中。可以遮擋光的遮光膜可在像素之間形成使得防止由該像素之間的液晶1415的排列無(wú)序引起的向錯(cuò)被觀察到。該遮光膜可以使用含例如碳黑或低價(jià)氧化鈦等黑色顏料的有機(jī)樹(shù)脂形成。備選地，該遮光膜可以使用包括鉻的膜形成。像素電極1410和對(duì)電極1413可以例如使用例如包括氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、 氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加鎵的氧化鋅(GZO)等透光導(dǎo)電材料形成。注意盡管這里TN(扭曲向列)液晶顯示器用作液晶顯示器，可使用例如VA(垂直定向)液晶顯示器、OCB(光學(xué)補(bǔ)償雙折射)液晶顯示器、IPS(共面轉(zhuǎn)換)液晶顯示器或 MVA(多疇垂直定向)液晶顯示器等不同的液晶顯示器。備選地，可使用對(duì)于其定向膜是不必要的展現(xiàn)藍(lán)相的液晶。藍(lán)相是液晶相中的一個(gè)，其在膽留液晶的溫度增加時(shí)剛好在膽留相變化成各向同性相之前觀察到。因?yàn)樗{(lán)相僅在窄溫度范圍中出現(xiàn)，添加手性劑或紫外線(xiàn)可固化樹(shù)脂使得溫度范圍改進(jìn)。具體地，混合 5wt%或更多的手性劑的液晶成分用于液晶1415。包括展現(xiàn)藍(lán)相的液晶和手性劑的液晶成分具有10至100 μ s的短響應(yīng)時(shí)間。包括該液晶成分的液晶顯示器不需要定向膜并且具有小的視角依賴(lài)性。具有這樣的特性的液晶特別優(yōu)選作為包括在液晶顯示器(需要多次輸入圖像信號(hào)到每個(gè)像素以便顯示圖像的液晶顯示器)中的液晶。注意圖9圖示具有其中液晶1415提供在像素電極1410和對(duì)電極1413之間的結(jié)構(gòu)的液晶元件；然而，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)不限于該結(jié)構(gòu)。像IPS 液晶元件或使用展現(xiàn)藍(lán)相的液晶的液晶元件一樣，一對(duì)電極可在一個(gè)襯底上形成。<像素部分和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接的具體示例>接著，描述當(dāng)提供有驅(qū)動(dòng)電路的襯底直接安裝在提供有像素部分的襯底上時(shí)用于互相連接端子的方法。圖IOA是其中提供有驅(qū)動(dòng)電路的襯底900和提供有像素部分的襯底901通過(guò)引線(xiàn)接合互相連接的部分的橫截面視圖。襯底900用粘合劑903貼附到襯底901上。襯底900 提供有包括在驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管906。另外，該晶體管906電連接到焊盤(pán)907，其形成以便暴露在襯底900的表面上并且起端子的作用。端子904提供在圖IOA中圖示的襯底901 上，并且焊盤(pán)907和該端子904用引線(xiàn)905互相連接。接著，圖IOB是其中提供有像素部分的襯底911和提供有驅(qū)動(dòng)電路的襯底910通過(guò)倒裝芯片法互相連接的部分的橫截面視圖。在圖IOB中，焊料球913連接到焊盤(pán)912，其形成以便暴露在襯底910的表面上。從而，包括在提供在襯底910上的驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管914通過(guò)該焊盤(pán)912電連接到該焊料球913。另外，該焊料球913連接到在襯底911上形成的端子916。注意焊料球913和端子916可以通過(guò)例如熱壓接合和用超聲波產(chǎn)生的振動(dòng)的熱壓接合等多種方法中的任何方法互相連接。當(dāng)?shù)撞刻畛?under-fill)樹(shù)脂提供在襯底910 和襯底911之間使得受到熱壓接合的焊料球之間的空間用底部填充樹(shù)脂填充時(shí)，連接部分的機(jī)械強(qiáng)度或在襯底911中產(chǎn)生的熱的擴(kuò)散效率或類(lèi)似的可增加。該底部填充樹(shù)脂不必須提供；然而，利用該底部填充樹(shù)脂，可以防止由襯底910的熱膨脹系數(shù)和襯底911的熱膨脹系數(shù)的不匹配產(chǎn)生的應(yīng)力引起的不良連接。在用超聲波產(chǎn)生的振動(dòng)的熱壓接合的情況下， 如與熱壓接合比較，可以更有效地防止不良連接。當(dāng)端子的數(shù)目大時(shí)倒裝芯片法適合于連接，因?yàn)榧词巩?dāng)應(yīng)該連接的焊盤(pán)的數(shù)目增加時(shí)，如與引線(xiàn)接合比較，焊盤(pán)之間的間距(Pitch)可以增加。注意可采用金屬納米顆粒散布在其中的液體通過(guò)其排出的液滴排出法。接著，圖IOC是其中提供有像素部分的襯底921和提供有驅(qū)動(dòng)電路的襯底920用各向異性導(dǎo)電樹(shù)脂互相連接的部分的橫截面視圖。在圖IOC中，形成以便暴露在襯底920 的表面上的焊盤(pán)922電連接到包括在襯底920上提供的驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管924。另外，該焊盤(pán)922用各向異性導(dǎo)電樹(shù)脂927連接到在襯底921上形成的端子926。注意連接方法不限于在圖IOA至圖IOC中圖示的方法。端子可用引線(xiàn)接合和倒裝芯片法的組合互相連接。<安裝在包括像素部分的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路的第一具體示例>接著，描述用于安裝包括驅(qū)動(dòng)電路的襯底(這樣的襯底也稱(chēng)為IC芯片)的方法。在圖IlA中圖示的液晶顯示器在襯底6301上包括像素部分6302。對(duì)襯底6306與襯底6301重疊以便覆蓋像素部分6302。提供有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6303和提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6304直接安裝在襯底6301上。具體地，提供在襯底6303上的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和提供在襯底6304上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路貼附到襯底6301并且電連接到像素部分 6302。另外，電源電勢(shì)、多種信號(hào)等通過(guò)FPC6305或FPC6307供應(yīng)給像素部分6302、提供在襯底6303上的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和提供在襯底6304上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。在圖IlB中圖示的液晶顯示器在襯底6401上包括像素部分6402。對(duì)襯底6406與襯底6401重疊以便覆蓋像素部分6402。提供有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6403安裝在連接到襯底6401的FPC6407上。提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6404安裝在連接到襯底6401的 FPC6405上。另外，電源電勢(shì)、多種信號(hào)等通過(guò)FPC6405或FPC6407供應(yīng)給像素部分6402、 提供在襯底6403上的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和提供在襯底6404上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。襯底的安裝方法不特定地限于某方法，并且可以采用已知的COG法、引線(xiàn)接合、 TAB法或類(lèi)似方法。另外，IC芯片安裝的位置不限于在圖IlA和IlB中圖示的位置，只要電連接是可能的即可。此外，控制器、CPU、存儲(chǔ)器或其類(lèi)似物可使用IC芯片形成并且可安裝在提供有像素部分的襯底上。<安裝在包括像素部分的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路的第二具體示例>接著，參照?qǐng)D23A至23C描述包括驅(qū)動(dòng)電路的襯底的安裝方法，其不同于在圖IlA 和1IB中圖示的包括驅(qū)動(dòng)電路的襯底的安裝方法。具體地，參照?qǐng)D23A至23C描述用于將提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的所有或部分的襯底安裝在提供有像素部分和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分)的襯底上的方法。為了使它簡(jiǎn)潔，在圖23A至 23C中圖示的結(jié)構(gòu)中的每個(gè)與圖IlA和IlB中圖示的結(jié)構(gòu)中的每個(gè)的不同在于掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分)在提供有像素部分的襯底上形成。在該情況下，在制造步驟方面，包括在像素部分中的晶體管和包括在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分)中的晶體管具有相同結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的。此外，包括在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分)中的晶體管需要高響應(yīng)速度。從而，在圖23A至23C中圖示的結(jié)構(gòu)中的每個(gè)中，包括微晶半導(dǎo)體的晶體管優(yōu)選地用作包括在像素部分中的晶體管和包括在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分)中的晶體管的每個(gè)中。在圖23A中圖示的液晶顯示器在襯底6001上包括像素部分6002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6003。對(duì)襯底6006與襯底6001重疊以便覆蓋像素部分6002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6003。 提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6004直接安裝在襯底6001上。具體地，提供在襯底6004上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路貼附到襯底6001并且電連接到像素部分6002。另外，電源電勢(shì)、多種信號(hào)等通過(guò)FPC6005供應(yīng)給像素部分6002、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6003和提供在襯底6004上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。在圖23B中圖示的液晶顯示器在襯底6101上包括像素部分6102和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6103。對(duì)襯底6106與襯底6101重疊以便覆蓋像素部分6102和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6103。 提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底6104安裝在連接到襯底6101的FPC6105上。另外，電源電勢(shì)、多種信號(hào)等通過(guò)FPC6105供應(yīng)給像素部分6102、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6103和提供在襯底 6104上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。在圖23C中圖示的液晶顯示器在襯底6201上包括像素部分6202、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6203和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分6207。對(duì)襯底6206與襯底6201重疊以便覆蓋像素部分 6202、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6203和信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分6207。提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的不同部分的襯底6204直接安裝在襯底6201上。具體地，提供在襯底6204上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的該不同部分貼附到襯底6201并且電連接到信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分6207。另外，電源電勢(shì)、多種信號(hào)等通過(guò)FPC6205供應(yīng)給像素部分6202、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路6203、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的部分6207和提供在襯底6204上的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的該不同部分。襯底的安裝方法不特定地限于某些方法，并且可以采用已知的COG法、引線(xiàn)接合、 TAB法或類(lèi)似方法。另外，IC芯片安裝的位置不限于在圖23A至23C中圖示的位置，只要電連接是可能的即可。此外，控制器、CPU、存儲(chǔ)器或其類(lèi)似物可使用IC芯片形成并且可安裝在提供有像素部分的襯底上。<液晶顯示器的具體示例>接著，參照?qǐng)D12A和12B描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器的面板的外觀。圖12A是其中襯底4001和對(duì)襯底4006用密封劑4005互相接合的面板的頂視圖。圖 12B對(duì)應(yīng)于沿在圖12A中的點(diǎn)線(xiàn)A-A’獲取的橫截面視圖。提供密封劑4005以便包圍提供在襯底4001上的像素部分4002。另外，對(duì)襯底 4006提供在像素部分4002上。從而，像素部分4002通過(guò)襯底4001、密封劑4005和對(duì)襯底 4006與液晶4007密封在一起。提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003的襯底4021和提供有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底4004 安裝在襯底4001上不同于由密封劑4005包圍的區(qū)域的區(qū)域中。圖12B圖示包括在信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003中的晶體管4009。多個(gè)晶體管包括在提供在襯底4001上的像素部分4002中。圖12B圖示包括在像素部分4002中的晶體管4010和4022。晶體管4010和4022中的每個(gè)包括在溝道形成區(qū)中的非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。包括在液晶元件4011中的像素電極4030電連接到晶體管4010。液晶元件4011的對(duì)電極4031在對(duì)襯底4006上形成。其中像素電極4030、對(duì)電極4031和液晶4007互相重疊的部分對(duì)應(yīng)于液晶元件4011。提供隔離物4035以便控制像素電極4030和對(duì)電極4031之間的距離(單元間隙)。 注意盡管圖12B圖示其中隔離物4035通過(guò)絕緣膜的圖案化獲得的情況，可使用球形隔離物。多種信號(hào)和電勢(shì)通過(guò)引線(xiàn)4014和4015從連接端子4016供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路 4003、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路和像素部分4002。連接端子4016通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018的端子。注意作為襯底4001、對(duì)襯底4006和襯底4021，可以使用玻璃、陶瓷或塑料。塑料包括玻璃纖維增強(qiáng)塑料(FRP)板、聚(氟乙烯)(PVF)膜、聚酯膜、丙烯酸樹(shù)脂膜等。注意例如玻璃板、塑料、聚酯膜或丙烯酸樹(shù)脂膜等透光材料用于襯底，其放置在透射通過(guò)液晶元件4011的光從其抽取的方向上。圖24A和24B圖示面板的外觀，其不同于在圖12A和12B中圖示的液晶顯示器的面板外觀。注意圖24A是其中襯底5001和對(duì)襯底5006用密封劑5005互相接合的面板的頂視圖。圖24B對(duì)應(yīng)于沿在圖24A中的點(diǎn)線(xiàn)B-B’獲取的橫截面視圖。在圖24A和MB中圖示的液晶顯示器與圖12A和12B中圖示的液晶顯示器的不同在于不僅像素部分5002并且掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004在襯底5001上形成。在圖24A和MB中圖示的液晶顯示器中，提供密封劑5005以便包圍提供在襯底 5001上的像素部分5002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004。另外，對(duì)襯底5006提供在像素部分5002 和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004上。從而，像素部分5002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004通過(guò)襯底5001、 密封劑5005和對(duì)襯底5006與液晶5007密封在一起。提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5003的襯底5021安裝在襯底5001上不同于由密封劑 5005包圍的區(qū)域的區(qū)域中。圖MB圖示包括在信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5003中的晶體管5009。多個(gè)晶體管包括在提供在襯底5001上的像素部分5002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004 中。圖MB圖示包括在像素部分5002中的晶體管5010和5022。晶體管5010和5022中的每個(gè)包括在溝道形成區(qū)中的微晶半導(dǎo)體。包括在液晶元件5011中的像素電極5030電連接到晶體管5010。液晶元件5011 的對(duì)電極5031在對(duì)襯底5006上形成。其中像素電極5030、對(duì)電極5031和液晶5007互相重疊的部分對(duì)應(yīng)于液晶元件5011。提供隔離物5035以便控制像素電極5030和對(duì)電極5031之間的距離(單元間隙)。 注意盡管圖MB圖示其中隔離物5035通過(guò)絕緣膜的圖案化獲得的情況，可使用球形隔離物。多種信號(hào)和電勢(shì)通過(guò)引線(xiàn)5014和5015從連接端子5016供應(yīng)給信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路 5003、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5004和像素部分5002。連接端子5016通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜5019電連接到FPC5018的端子。注意作為襯底5001、對(duì)襯底5006和襯底5021，可以使用玻璃、陶瓷或塑料。塑料包括玻璃纖維增強(qiáng)塑料(FRP)板、聚(氟乙烯)(PVF)膜、聚酯膜、丙烯酸樹(shù)脂膜等。注意例如玻璃板、塑料、聚酯膜或丙烯酸樹(shù)脂膜等透光材料用于襯底，其放置在透射通過(guò)液晶元件5011的光從其抽取的方向上。
圖13是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)的透視圖的示例。在圖13中圖示的液晶顯示器包括面板1601 (包括像素部分)、第一漫射板1602、棱鏡片1603、 第二漫射板1604、光導(dǎo)板1605、背光面板1607、電路板1608和提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底 1611。面板1601、第一漫射板1602、棱鏡片1603、第二漫射板1604、光導(dǎo)板1605和背光面板1607順序堆疊。背光面板1607包括背光1612，其包括多個(gè)背光單元。在光導(dǎo)板1605 中漫射的來(lái)自背光1612的光通過(guò)第一漫射板1602、棱鏡片1603和第二漫射板1604傳送到面板1601。盡管第一漫射板1602和第二漫射板1604在該實(shí)施例中使用，漫射板的數(shù)量不限于兩個(gè)。漫射板的數(shù)目可是一個(gè)或可是三個(gè)或更多。只要漫射板提供在光導(dǎo)板1605和面板1601之間就是可接受的。從而，漫射板可僅提供在比棱鏡片1603更靠近面板1601的側(cè)上，或可僅提供在比棱鏡片1603更靠近光導(dǎo)板1605的側(cè)上。此外，棱鏡片1603的橫截面的形狀不限于在圖13中圖示的鋸齒形狀，而可以是來(lái)自光導(dǎo)板1605的光可以借此集中在面板1601側(cè)上的形狀。電路板1608包括用于產(chǎn)生要輸入面板1601的各種信號(hào)的電路、用于處理該信號(hào)的電路等。另外，在圖13中，電路板1608和面板1601通過(guò)COF帶1609互相連接。此外， 提供有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的襯底1611通過(guò)膜上芯片(COF)方法連接到COF帶1609。圖13圖示示例，其中電路板1608提供有控制背光1612的驅(qū)動(dòng)的控制電路，并且該控制電路和背光面板1607通過(guò)FPC1610互相連接。注意該控制電路可在面板1601上形成。在該情況下，面板1601和背光面板1607通過(guò)FPC或其類(lèi)似物互相連接。<具有觸摸面板的液晶顯示器的具體示例>根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器可包括叫做觸摸面板的指點(diǎn)裝置。圖14A 圖示其中觸摸面板1620和面板1621互相重疊的情況。觸摸面板1620可以檢測(cè)在透光位置檢測(cè)部分1622由手指、指示筆或其類(lèi)似物觸摸的位置并且可以產(chǎn)生包括關(guān)于該位置的數(shù)據(jù)的信號(hào)。從而，當(dāng)觸摸面板1620提供為使得位置檢測(cè)部分1622與面板1621的像素部分1623重疊時(shí)，可以獲得關(guān)于由液晶顯示器的用戶(hù)觸摸的在像素部分1623中的位置的數(shù)據(jù)。位置檢測(cè)部分1622可以通過(guò)多種方法檢測(cè)位置，例如電阻法、電容法等。圖14B 是電阻位置檢測(cè)部分1622的透視圖。電阻位置檢測(cè)部分1622提供為使得多個(gè)第一電極 1630和多個(gè)第二電極1631互相面對(duì)且具有提供在其之間的空間。當(dāng)用手指或其類(lèi)似物施加應(yīng)力到多個(gè)第一電極1630中的一個(gè)時(shí)，該第一電極1630與多個(gè)第二電極1631中的一個(gè)接觸。另外，當(dāng)監(jiān)測(cè)多個(gè)第一電極1630中的每個(gè)的兩端的電壓水平和多個(gè)第二電極1631 中的每個(gè)的兩端的電壓水平時(shí)，識(shí)別哪個(gè)第一電極1630與哪個(gè)第二電極1631接觸是可能的；從而，可以檢測(cè)到由手指觸摸的位置。第一電極1630和第二電極1631可以例如使用例如包括氧化硅的氧化銦錫 (ITSO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(SiO)、氧化銦鋅(IZO)、添加鎵的氧化鋅(GZO)等透光導(dǎo)電材料形成。圖15A是使用突出電容法(projected capacitive method)作為電容法的位置檢測(cè)部分1622的透視圖。突出電容位置檢測(cè)部分1622提供為使得多個(gè)第一電極1640和多個(gè)第二電極1641互相重疊。該多個(gè)第一電極1640具有其中多個(gè)矩形導(dǎo)電膜1642互相連接的結(jié)構(gòu)。該多個(gè)第二電極1641具有其中多個(gè)矩形導(dǎo)電膜1643互相連接的結(jié)構(gòu)。注意第一電極1640和第二電極1641的結(jié)構(gòu)不限于這些結(jié)構(gòu)。此夕卜，在圖15A中，起電介質(zhì)作用的絕緣層1644與多個(gè)第一電極1640和多個(gè)第二電極1641重疊。圖15B圖示其中在圖15A中圖示的多個(gè)第一電極1640、多個(gè)第二電極1641 和絕緣層1644互相重疊的情況。如在圖15B中圖示的，多個(gè)第一電極1640和多個(gè)第二電極1641互相重疊使得矩形導(dǎo)電膜1642的位置和矩形導(dǎo)電膜1643的位置不互相對(duì)準(zhǔn)。當(dāng)手指或其類(lèi)似物與絕緣層1644接觸時(shí)，電容在多個(gè)第一電極1640中的一個(gè)和手指之間產(chǎn)生。此外，電容在多個(gè)第二電極1641中的一個(gè)和手指之間產(chǎn)生。從而，當(dāng)監(jiān)測(cè)到電容中的變化時(shí)，識(shí)別哪個(gè)第一電極1640和哪個(gè)第二電極1641最靠近手指是可能的。因此，可以檢測(cè)到由手指觸摸的位置。<包括光電傳感器的液晶顯示器的具體示例>根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器可在像素部分中包括光電傳感器。圖16A 示意地圖示包括光電傳感器的像素部分的結(jié)構(gòu)的示例。在圖16A中圖示的像素部分1650包括像素1651和對(duì)應(yīng)于該像素1651的光電傳感器1652。該光電傳感器1652包括晶體管和光接收元件，其具有當(dāng)接收光時(shí)產(chǎn)生電信號(hào)的功能，例如光電二極管等。注意作為由該光電傳感器1652接收的光，可以使用當(dāng)來(lái)自背光的光傳送到要檢測(cè)的對(duì)象時(shí)獲得的反射光。圖16B圖示光電傳感器1652的結(jié)構(gòu)的示例。在圖16B中圖示的光電傳感器1652 包括光電二極管1653、晶體管16M和晶體管1655。該光電二極管1653的一個(gè)電極電連接到復(fù)位信號(hào)線(xiàn)1656。該光電二極管1653的另一個(gè)電極電連接到晶體管16M的柵極。晶體管16M的源極和漏極中的一個(gè)連接到參考信號(hào)線(xiàn)1657。晶體管16M的源極和漏極中的另一個(gè)連接到晶體管1655的源極和漏極中的一個(gè)。晶體管1655的柵極連接到柵極信號(hào)線(xiàn) 1658。晶體管1655的源極和漏極中的另一個(gè)連接到輸出信號(hào)線(xiàn)1659?！淳w管的示例〉接著，晶體管的結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D17A至17D描述。這里，在半導(dǎo)體層中包括微晶半導(dǎo)體和非晶半導(dǎo)體的η溝道晶體管的結(jié)構(gòu)作為示例描述。圖17Α至17D是晶體管的橫截面視圖的示例。在圖17Α中圖示的晶體管在襯底 601上包括柵極層603、半導(dǎo)體層633、提供在該柵極層603和該半導(dǎo)體層633之間的柵極絕緣層605、與該半導(dǎo)體層633接觸并且起源區(qū)和漏區(qū)作用的雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b，以及與該雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b接觸的布線(xiàn)629a和629b。此外，形成覆蓋晶體管的半導(dǎo)體層633、雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b以及布線(xiàn)629a和629b的絕緣層637。半導(dǎo)體層633包括微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和一對(duì)非晶半導(dǎo)體區(qū)63北。該微晶半導(dǎo)體區(qū)633a在第一表面上與柵極絕緣層605接觸并且在面對(duì)第一表面的第二表面上與一對(duì)非晶半導(dǎo)體區(qū)63 和絕緣層637接觸。該非晶半導(dǎo)體區(qū)63 通過(guò)由絕緣層637分割獲得， 在第一表面上與微晶半導(dǎo)體區(qū)633a接觸，并且在面對(duì)第一表面的第二表面上與一對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b接觸。也就是說(shuō)，在與柵極層603重疊的半導(dǎo)體層633的區(qū)域中，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a與絕緣層637和柵極絕緣層605(其與柵極層603接觸)接觸。在圖17B中圖示的晶體管是雙柵極晶體管，其包括用于覆蓋在圖17A中圖示的晶體管的絕緣層637和提供在絕緣層637上并且與半導(dǎo)體層633重疊的電極。注意這里，面對(duì)半導(dǎo)體層633且其中絕緣層637提供在其之間的電極由背柵極層639表示。在雙柵極晶體管中，施加到柵極層603和背柵極層639的電勢(shì)可以彼此不同。從而，可以控制晶體管的閾值電壓。備選地，相同電勢(shì)可以施加到柵極層603和背柵極層639。 因此，溝道在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a的第一表面和第二表面上形成。在圖17B中圖示的雙柵極晶體管中，兩個(gè)溝道形成區(qū)在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和柵極絕緣層605之間的界面附近和在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和絕緣層637之間的界面附近形成，使得載流子傳輸量增加并且導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加。因此，晶體管的尺寸可以減小，使得可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的高集成度。因此，當(dāng)在圖17B中圖示的晶體管在液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電路中使用時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的尺寸可以減小，使得液晶顯示器的框架可以變窄。接著，下文描述晶體管的部件。作為襯底601，可以使用玻璃襯底、陶瓷襯底、具有耐熱性(可以耐受工藝溫度)的塑料襯底或其類(lèi)似物。作為玻璃襯底，優(yōu)選地使用例如包括鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃或其類(lèi)似物的無(wú)堿玻璃襯底。此外，作為襯底601，可以使用具有下列尺寸中的任何尺寸的玻璃襯底第3代(例如，550_X650mm)、第3. 5代(例如，600_X 720_ 或 620mmX 750mm)、第 4 代(例如，680mm X 880mm 或 730mm X 920mm)、第 5 代(例如， IlOOmmX 1300mm)、第 6 代(例如，1500mmX 1800mm)、第 7 代(例如，1900mmX2200mm)、 第8代(例如，2I6CtoimX對(duì)60謹(jǐn))、第9代(例如，2400mmX ^OOmm)和第10代(例如， 2850mmX3050mm)。柵極層603可以在單層或堆疊層中形成，其包括例如鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、 鈧或鎳等金屬材料或包含這些材料中的任何材料作為主要成分的合金材料。可使用由多晶硅作為典型的半導(dǎo)體材料，其摻雜有例如磷、AgPdCu合金、Al-Nd合金、Al-Ni合金或其類(lèi)似物等雜質(zhì)元素。例如，作為柵極層603的兩層結(jié)構(gòu)，其中鉬層堆疊在鋁層上的兩層結(jié)構(gòu)、其中鉬層堆疊在銅層上的兩層結(jié)構(gòu)、其中氮化鈦層或氮化鉭層堆疊在銅層上的兩層結(jié)構(gòu)、其中堆疊氮化鈦層和鉬層的兩層結(jié)構(gòu)、其中堆疊包括銅、鎂和氧的合金層和銅層的兩層結(jié)構(gòu)、其中堆疊包括銅、錳和氧的合金層和銅層的兩層結(jié)構(gòu)、其中堆疊包括銅和錳的合金層和銅層的兩層結(jié)構(gòu)，或類(lèi)似的是優(yōu)選的。備選地，優(yōu)選使用其中堆疊鎢層或氮化鎢層、包括鋁和硅的合金層或包括鋁和鈦的合金層以及氮化鈦層或鈦層的三層結(jié)構(gòu)。當(dāng)起阻擋層作用的金屬層堆疊在具有低電阻的層上時(shí)，電阻可以降低并且可以防止金屬元素從該金屬層擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體層。柵極絕緣層605可以通過(guò)CVD、濺射或類(lèi)似方法在單層或堆疊層中形成，其包括氧化硅層、氮化硅層、氧氮化硅層或氮氧化硅層。此外，當(dāng)柵極絕緣層605使用氧化硅層或氧氮化硅層形成時(shí)，可以抑制晶體管的閾值電壓中的波動(dòng)。注意這里，氧氮化硅意思是包含比氮更多的氧的硅。在測(cè)量使用盧瑟福背散射光譜法(RBQ和氫前向散射光譜法(HR5)進(jìn)行的情況下，氧氮化硅優(yōu)選地包含分別在原子百分比50%至70%、0. 5%至15%、25%至和0. 至10%的范圍內(nèi)的濃度的氧、氮、硅和氫。此外，氮氧化硅包含比氧更多的氮。在測(cè)量使用RBS和HFS進(jìn)行的情況下，氮氧化硅優(yōu)選地包含分別在原子百分比5%至30%、20%至55%、25%至35%和10%至30%的范圍內(nèi)的濃度的氧、氮、硅和氫。注意，氮、氧、硅和氫的百分比落在上文給出的范圍內(nèi)，其中包含在氧氮化硅或氮氧化硅中的原子的總數(shù)限定為原子百分比100%。半導(dǎo)體層633具有其中堆疊微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的結(jié)構(gòu)。此外，在該實(shí)施例中，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a是不平坦的。這里，描述半導(dǎo)體層633的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施例中，圖17C和17D是各自圖示柵極絕緣層605和雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a(其起在圖17A中圖示的晶體管中的源區(qū)或漏區(qū)的作用)之間的區(qū)域的放大視圖。如在圖17C中圖示的，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a是不平坦的。凸出部分具有其的尖端從柵極絕緣層605向非晶半導(dǎo)體區(qū)63 變窄的凸出(錐形或金字塔形)形狀(即，凸出部分的尖端具有銳角)。注意凸出部分可具有其的寬度從柵極絕緣層605向非晶半導(dǎo)體區(qū)63 增加的凸出(倒錐形或倒金字塔形)形狀。微晶半導(dǎo)體區(qū)633a包括微晶半導(dǎo)體。微晶硅(其是微晶半導(dǎo)體的典型示例)的拉曼光譜的峰偏移到比520CHT1(其代表單晶硅的拉曼光譜的峰)更低的波數(shù)側(cè)。即，微晶硅的拉曼光譜的峰在從代表單晶硅的 520cm-1到代表非晶硅的480CHT1的范圍內(nèi)。另外，微晶半導(dǎo)體包含以原子百分比至少1 %或更多的濃度的氫或鹵素以端接懸掛鍵。此外，微晶半導(dǎo)體可包含例如氦、氬、氪或氖等稀有氣體元素以進(jìn)一步促進(jìn)晶格畸變，使得穩(wěn)定性增加并且可以獲得有利的微晶半導(dǎo)體。微晶半導(dǎo)體區(qū)633a的厚度(S卩，從微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和柵極絕緣層605之間的界面到微晶半導(dǎo)體區(qū)633a的凸出(凸出部分)的尖端的距離)設(shè)置到3至410nm，優(yōu)選地 20至lOOnm，使得晶體管的截止?fàn)顟B(tài)電流可以減少。此外，由二次離子質(zhì)譜測(cè)量的包含在半導(dǎo)體層633中的氧和氮的濃度為低于 1 X 1018atoms/cm3是優(yōu)選的，因?yàn)榭梢蕴岣呶⒕О雽?dǎo)體區(qū)633a的結(jié)晶度。非晶半導(dǎo)體區(qū)63 包括含氮的非晶半導(dǎo)體。含氮的非晶半導(dǎo)體的氮可例如作為 NH基或NH2基存在。非晶半導(dǎo)體使用非晶硅形成。含氮的非晶半導(dǎo)體是如與常規(guī)非晶半導(dǎo)體相比具有在tobach邊緣的更低能量 (其通過(guò)恒定光電流方法(CPM)或光致發(fā)光光譜法(Photoluminescence)測(cè)量)和更小數(shù)量的缺陷吸收譜的半導(dǎo)體。也就是說(shuō)，如與常規(guī)非晶半導(dǎo)體比較，含氮的非晶半導(dǎo)體是具有很少缺陷并且其的能級(jí)尾部在價(jià)帶邊緣是陡直的有序半導(dǎo)體。因?yàn)楹姆蔷О雽?dǎo)體在價(jià)帶邊緣具有陡直的能級(jí)尾部，帶隙是寬的并且隧道電流不容易流動(dòng)。因此，當(dāng)含氮的非晶半導(dǎo)體提供在雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b的側(cè)上時(shí)，晶體管的截止?fàn)顟B(tài)電流可以減少。另外， 通過(guò)提供含氮的非晶半導(dǎo)體，導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加。此外，由低溫光致發(fā)光光譜法測(cè)量的含氮的非晶半導(dǎo)體的光譜的峰值區(qū)是1. 31 至1. 39eV。注意由低溫光致發(fā)光光譜法測(cè)量的微晶半導(dǎo)體(典型地微晶硅)的光譜的峰值區(qū)是0. 98至1. 02eV。因此，含氮的非晶半導(dǎo)體不同于微晶半導(dǎo)體。除非晶半導(dǎo)體區(qū)63 外，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a可包括NH基或NH2基。此外，如在圖17D中圖示的，當(dāng)半導(dǎo)體晶粒633c (其的晶粒尺寸是Inm至lOnm，優(yōu)選地Inm至5nm)散布在非晶半導(dǎo)體區(qū)63 中時(shí)，導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加。具有其的尖端從柵極絕緣層605向非晶半導(dǎo)體區(qū)63 變窄的凸出(錐形或金字塔形)形狀的微晶半導(dǎo)體區(qū)633a或具有其的寬度從柵極絕緣層605向非晶半導(dǎo)體區(qū)63
25增加的凸出形狀的微晶半導(dǎo)體區(qū)633a可以采用下列方式形成微晶半導(dǎo)體層在沉積微晶半導(dǎo)體的條件下形成，并且其后，微晶半導(dǎo)體層的晶體在抑制晶體生長(zhǎng)并且沉積非晶半導(dǎo)體的條件下生長(zhǎng)。因?yàn)樵趫D17A和17B中圖示的晶體管中的每個(gè)中的微晶半導(dǎo)體區(qū)633a具有錐形或金字塔形的形狀或倒錐形或倒金字塔形的形狀，當(dāng)晶體管導(dǎo)通并且電壓施加在源極層和漏極層之間時(shí)，在垂直方向(厚度方向)上的電阻，即半導(dǎo)體層633的電阻可以降低。此外， 作為有序半導(dǎo)體(其具有更少缺陷并且其的能級(jí)尾部在價(jià)帶邊緣是陡直的)的含氮非晶半導(dǎo)體提供在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b之間；從而，隧道電流不容易流動(dòng)。從而，在圖17A和17B中圖示的晶體管中的每個(gè)中，導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加并且截止?fàn)顟B(tài)電流可以減少。雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b包括添加磷的非晶硅、添加磷的微晶硅或其類(lèi)似物。備選地，雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b可以具有添加磷的非晶硅和添加磷的微晶硅的分層結(jié)構(gòu)。 注意當(dāng)P溝道晶體管形成作為該晶體管時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b包括添加硼的微晶硅、添加硼的非晶硅或其類(lèi)似物。注意在歐姆接觸在半導(dǎo)體層633和布線(xiàn)629a和629b之間形成的情況下，雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b不是必須形成的。在雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b包括添加磷的非晶硅、添加硼的微晶硅的情況下，界面特性可以通過(guò)在半導(dǎo)體層633和雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b之間形成微晶半導(dǎo)體層(典型地微晶硅層)改進(jìn)。因此，在雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b和半導(dǎo)體層633之間的界面處產(chǎn)生的電阻可以降低。從而，流動(dòng)通過(guò)晶體管的源區(qū)、半導(dǎo)體層和漏區(qū)的電流率可以增加并且導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加。布線(xiàn)629a和629b可以在鋁、銅、鈦、釹、鈧、鉬、鉻、鉭、鎢或其類(lèi)似物的單層或堆疊層中形成。備選地，可使用添加用于防止小丘的元素的鋁合金(例如，可以用于柵極層603 的Al-Nd合金)?？墒褂锰砑映洚?dāng)施主的雜質(zhì)元素的結(jié)晶硅。此外，布線(xiàn)629a和629b可具有分層結(jié)構(gòu)，其中與添加充當(dāng)施主的雜質(zhì)元素的結(jié)晶硅接觸的層使用鈦、鉭、鉬、鎢或這些元素中的任何元素的氮化物形成并且鋁或鋁合金在其上形成。備選地，布線(xiàn)629a和629b 可具有分層結(jié)構(gòu)，其中鋁或鋁合金的上側(cè)和下側(cè)用鈦、鉭、鉬、鎢或這些元素中的任何元素的氮化物覆蓋。絕緣層637可以采用與柵極絕緣層605的相似的方式形成。另外，絕緣層637可以使用有機(jī)樹(shù)脂層形成。作為有機(jī)樹(shù)脂層，可以使用例如丙烯酸樹(shù)脂(acrylic)、環(huán)氧樹(shù)脂 (epoxy)、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或其類(lèi)似物。備選地，可以使用硅氧烷聚合物。在圖17B中圖示的背柵極層639可以采用與布線(xiàn)629a和629b的相似的方式形成。 此外，背柵極層639可以使用包括氧化鎢的氧化銦、包括氧化鎢的氧化銦鋅、包括氧化鈦的氧化銦、包括氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫、氧化銦鋅、添加氧化硅的氧化銦錫或其類(lèi)似物形成。備選地，背柵極層639可以使用包括透光導(dǎo)電聚合物(也稱(chēng)為導(dǎo)電聚合物)的導(dǎo)電成分形成。背柵極層639優(yōu)選地具有l(wèi)OOOOohm/square或更低的薄層電阻和在550nm的波長(zhǎng)70%或更高的透光率。背柵極層639的薄層電阻優(yōu)選地更低。此外，包括在該導(dǎo)電成分中的導(dǎo)電聚合物的電阻率優(yōu)選是0.1 Ω · cm或更低。
作為導(dǎo)電聚合物，可以使用所謂的π電子共軛導(dǎo)電聚合物。例如，可以使用聚苯胺或其的衍生物、聚吡咯或其的衍生物、聚噻吩或其的衍生物、苯胺、吡咯和噻吩中的兩個(gè)或更多的共聚物或其的衍生物或類(lèi)似物。注意圖17Α和17Β各自圖示其中半導(dǎo)體層633包括微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的晶體管的結(jié)構(gòu)；然而，包括在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器中的晶體管的結(jié)構(gòu)不限于該結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層可僅包括非晶半導(dǎo)體。例如，含硅的非晶半導(dǎo)體可以通過(guò)含硅氣體的輝光放電分解獲得。作為含硅氣體， 可以使用3讓4或512!16。含硅氣體可用氫或氫和氦稀釋。具體地，包括含硅非晶半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)CVD在下列條件下形成甲硅烷和氫的流率(flow rate)是各自25sCCm ；反應(yīng)壓強(qiáng)是40 ；襯底溫度是250°C ；并且使用60MHz的高頻。接著，參照作為晶體管的平面圖的圖18A至18C描述背柵極層的形狀。如在圖18A中圖示的，背柵極層639可以與柵極層603平行形成。在該情況下，施加到背柵極層639的電勢(shì)和施加到柵極層603的電勢(shì)可以采用給定方式控制。從而，可以控制晶體管的閾值電壓。如在圖18B中圖示的，背柵極層639可以連接到柵極層603。也就是說(shuō)，柵極層603 和背柵極層639可以通過(guò)在柵極絕緣層605和絕緣層637中形成的開(kāi)口 650互相連接。在該情況下，施加到背柵極層639的電勢(shì)和施加到柵極層603的電勢(shì)是相等的。因此，在半導(dǎo)體層中的微晶半導(dǎo)體區(qū)中，載流子流動(dòng)的區(qū)域，即溝道，在柵極絕緣層605側(cè)和絕緣層637 側(cè)上形成。從而，晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電流可以增加。如在圖18C中圖示的，背柵極層639可與布線(xiàn)629a和629b重疊，其中絕緣層637 提供在其之間。盡管圖18C圖示具有在圖18A中圖示的結(jié)構(gòu)的背柵極層639，在圖18B中圖示的背柵極層639可采用相似的方式與布線(xiàn)629a和629b重疊。接著，包括具有不同于在圖17A至17D中圖示的半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層的晶體管參照?qǐng)D19A和19B描述。在圖19A中圖示的晶體管在襯底601上包括柵極層603、半導(dǎo)體層643、提供在該柵極層603和該半導(dǎo)體層643之間的柵極絕緣層605、與該半導(dǎo)體層643接觸并且起源區(qū)和漏區(qū)作用的雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b，以及與該雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b接觸的布線(xiàn)629a和629b。此外，形成覆蓋晶體管的半導(dǎo)體層643、雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b以及布線(xiàn)629a和629b的絕緣層637。半導(dǎo)體層643包括微晶半導(dǎo)體區(qū)643a和非晶半導(dǎo)體區(qū)64北。該微晶半導(dǎo)體區(qū) 643a在第一表面上與柵極絕緣層605接觸并且在面對(duì)第一表面的第二表面上與非晶半導(dǎo)體層64 接觸。該非晶半導(dǎo)體區(qū)64 在第一表面上與微晶半導(dǎo)體區(qū)643a接觸，并且在面對(duì)第一表面的第二表面上與一對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b接觸。在圖19B中圖示的晶體管是雙柵極晶體管，其包括用于覆蓋在圖19A中圖示的晶體管的絕緣層637和在絕緣層637上并且與半導(dǎo)體層643重疊的背柵極層639。換句話(huà)說(shuō)， 在與柵極層603重疊的半導(dǎo)體層643的區(qū)域中，微晶半導(dǎo)體區(qū)643a與柵極絕緣層605 (其與柵極層603接觸)接觸，并且非晶半導(dǎo)體區(qū)64 與絕緣層637 (其與背柵極層639接觸) 接觸。微晶半導(dǎo)體區(qū)643a使用與在圖17A至17D中圖示的微晶半導(dǎo)體區(qū)633a的相似的材料形成。非晶半導(dǎo)體區(qū)64 使用與在圖17A至17D中圖示的非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的相似的材料形成。在圖19A和19B中圖示的晶體管與在圖17A和17B中圖示的晶體管的不同在于非晶半導(dǎo)體區(qū)64 沒(méi)有分割，微晶半導(dǎo)體區(qū)643a的一個(gè)表面與柵極絕緣層605接觸，并且微晶半導(dǎo)體區(qū)643a的另一個(gè)表面與非晶半導(dǎo)體區(qū)64 接觸。在圖19A和19B中圖示的晶體管包括與柵極絕緣層605接觸的微晶半導(dǎo)體區(qū) 643a、使用有序半導(dǎo)體(其具有更少缺陷并且其的能級(jí)尾部在價(jià)帶邊緣是陡直的)形成的含氮非晶半導(dǎo)體區(qū)64 和在絕緣層637側(cè)上包括非晶半導(dǎo)體區(qū)64 的半導(dǎo)體層643。從而，在圖19A和19B中圖示的晶體管具有比在圖17A和17B中圖示的晶體管更低的截止?fàn)顟B(tài)電流、更高的導(dǎo)通狀態(tài)電流和更高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。因此，當(dāng)在圖19A和19B中的晶體管用作提供在液晶顯示器中的像素中的晶體管時(shí)，可以獲得具有高對(duì)比度和高圖像質(zhì)量的液晶顯不器。此外，在圖17A和17B中圖示的晶體管和在圖19A和19B中圖示的晶體管中，半導(dǎo)體層633和643中的每個(gè)的面積可比柵極層603的面積更小，并且半導(dǎo)體層633和643中的每個(gè)的整個(gè)區(qū)域可與柵極層603重疊。此外，作為阻擋區(qū)的絕緣區(qū)可提供在半導(dǎo)體層633 和643的側(cè)壁上，即，在半導(dǎo)體層633和643與布線(xiàn)629a和629b之間。作為阻擋區(qū)的絕緣區(qū)通過(guò)半導(dǎo)體層633或643中的一些的氮化或氧化形成并且典型地使用半導(dǎo)體氮化物或半導(dǎo)體氧化物形成。半導(dǎo)體氮化物的示例包括氮化硅、氮氧化硅等，并且半導(dǎo)體氧化物的示例包括氧化硅、氧氮化硅等。注意包括在絕緣區(qū)中的半導(dǎo)體氮化物或半導(dǎo)體氧化物不必須滿(mǎn)足化學(xué)計(jì)量比。當(dāng)作為阻擋區(qū)的絕緣區(qū)提供在半導(dǎo)體層633和643的側(cè)壁上，即，在半導(dǎo)體層633 或643與布線(xiàn)629a和629b之間時(shí)，可以抑制空穴從布線(xiàn)629a和629b進(jìn)入半導(dǎo)體層633 和643的注入，使得晶體管的截止?fàn)顟B(tài)電流可以減小。從而，可以獲得具有低的光漏電流和低截止?fàn)顟B(tài)電流的晶體管。<用于制造晶體管的方法的示例>接著，描述用于制造晶體管的方法的示例。這里，用于制造在圖17B中圖示的晶體管的方法參照?qǐng)D20A至20C和圖21A至21D作為示例描述。在該實(shí)施例中，描述用于制造 η溝道晶體管的方法。如在圖20Α中圖示的，柵極層603在襯底601上形成。然后形成用于覆蓋柵極層 603的柵極絕緣層605和微晶半導(dǎo)體層607。柵極層603視情況使用上文的材料中的任何材料形成。柵極層603可以采用下列方式形成導(dǎo)電層使用上文的材料通過(guò)濺射或真空蒸發(fā)在襯底601上形成，掩模通過(guò)光刻、 噴墨法或類(lèi)似方法在該導(dǎo)電層上形成，并且該導(dǎo)電層使用該掩模蝕刻。備選地，柵極層603 可以通過(guò)噴墨法在襯底上排出銀、金、銅或其類(lèi)似物的導(dǎo)電納米膠和烘烤該導(dǎo)電納米膠形成。注意為了提高在柵極層603和襯底601之間的粘附力，上文的金屬材料中的任何材料的氮化層可提供在襯底601和柵極層603之間。這里，導(dǎo)電層在襯底601上形成并且用使用光掩模形成的抗蝕劑掩模蝕刻，使得形成柵極層603。注意柵極層603的側(cè)面優(yōu)選地逐漸變窄，使得可以防止在后面的步驟中在柵極層 603上形成的絕緣層、半導(dǎo)體層和布線(xiàn)層在階梯部分?jǐn)嗔选榱耸箹艠O層603的側(cè)面逐漸變窄，可進(jìn)行蝕刻同時(shí)使抗蝕劑掩模縮進(jìn)。
通過(guò)形成柵極層603的步驟，可以同時(shí)形成柵極布線(xiàn)(掃描線(xiàn))和電容器布線(xiàn)。注意掃描線(xiàn)是選擇像素的布線(xiàn)，并且電容器布線(xiàn)是連接到像素中的存儲(chǔ)電容器的一個(gè)電極的布線(xiàn)。然而，該實(shí)施例不限于此。柵極布線(xiàn)和電容器布線(xiàn)中的任一個(gè)或二者和柵極層603 可分別形成。柵極絕緣層605可以使用上文的材料中的任何材料通過(guò)CVD、濺射或類(lèi)似方法形成。在通過(guò)CVD形成柵極絕緣層605的步驟中，輝光放電等離子體通過(guò)施加3至30MHz的高頻電力(典型地在HF波段中的13. 56MHz或27. 12MHz的高頻電力)或在VHF波段中的 30MHz至大約300MHz的高頻電力(典型地60MHz)產(chǎn)生。備選地，輝光放電等離子體通過(guò)施加具有IGHz或更高的微波的高頻電力產(chǎn)生。利用在VHF波段中或具有微波頻率的高頻電力，沉積率可以增加。注意可以采用高頻電力借此采用脈沖方式施加的脈沖振蕩或高頻電力借此連續(xù)施加的連續(xù)振蕩。另外，通過(guò)互相疊加在HF波段中的高頻電力和在VHF波段中的高頻電力，等離子體在大襯底中的不均勻度減小，使得均勻性可以提高并且沉積率可以增加。當(dāng)柵極絕緣層605使用具有IGHz或更高頻率的微波等離子體增強(qiáng)CVD設(shè)備形成時(shí)， 柵極層和漏極和源極層之間的耐受電壓可以提高，使得可以獲得高度可靠的晶體管。備選地，當(dāng)氧化硅層使用有機(jī)硅烷氣體通過(guò)CVD形成作為柵極絕緣層605時(shí)，后面形成的半導(dǎo)體層的結(jié)晶度可以提高；從而晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率可以增加。作為有機(jī)硅烷氣體，可以使用例如四乙氧基硅烷(TEOS)(化學(xué)式Si (OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS)(化學(xué)式Si (CH3)4)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、 六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(化學(xué)式=SiH(OC2H5)3)或三二甲基氨基硅烷(化學(xué)式SiH (N (CH3)2)3)等含硅化合物。微晶半導(dǎo)體層607使用由微晶硅層、微晶硅鍺層、微晶鍺層或其類(lèi)似物作為典型的微晶半導(dǎo)體層形成。微晶半導(dǎo)體層607的厚度優(yōu)選地是3至lOOnm，更優(yōu)選地5至50nm。 在微晶半導(dǎo)體層607太薄的情況下，晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電流減小。相比之下，在微晶半導(dǎo)體層608太厚的情況下，當(dāng)晶體管在高溫下操作時(shí)晶體管的截止?fàn)顟B(tài)電流增加。由于該原因， 當(dāng)微晶半導(dǎo)體層607的厚度是3至100nm(優(yōu)選地5至50nm)時(shí)，可以控制晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電流和截止?fàn)顟B(tài)電流。在等離子體增強(qiáng)CVD設(shè)備的反應(yīng)腔中，微晶半導(dǎo)體層607用氫和含硅或鍺的沉積氣體的混合物通過(guò)輝光放電等離子體形成。備選地，微晶半導(dǎo)體層607用包括硅或鍺的沉積氣體、氫和例如氦、氖或氪等稀有氣體的混合物通過(guò)輝光放電等離子體形成。微晶硅、微晶硅鍺、微晶鍺或其類(lèi)似物使用通過(guò)用氫稀釋含硅或鍺的沉積氣體獲得的混合物形成，氫的流率是沉積氣體的流率的10至2000倍，優(yōu)選地10至200倍。在該情況下沉積溫度優(yōu)選地是室溫至300°C，更優(yōu)選地200至280°C。含硅或鍺的沉積氣體的典型示例包括SiH4、Si2H6, GeH4, Ge2H6等。注意在柵極絕緣層605使用氮化硅層形成的情況下，非晶半導(dǎo)體區(qū)可能將在微晶半導(dǎo)體層607的沉積的早期形成，使得微晶半導(dǎo)體層607的結(jié)晶度低并且晶體管的電特性差。因此，在柵極絕緣層605使用氮化硅層形成的情況下，微晶半導(dǎo)體層607優(yōu)選地在含硅或鍺的沉積氣體的稀釋率高的情況下或在低溫情況下沉積。典型地，氫的流率是含硅或鍺的沉積氣體的流率的200至2000倍、更優(yōu)選地250至400倍的高稀釋率條件是優(yōu)選的。備選地，用于沉積微晶半導(dǎo)體層607的溫度是200至250°C的低溫條件是優(yōu)選的。當(dāng)采用高稀
29釋率條件或低溫條件時(shí)，初始形核密度增加，在柵極絕緣層605上形成的非晶組分減少，并且微晶半導(dǎo)體層607的結(jié)晶度提高。此外，當(dāng)使用氮化硅層形成的柵極絕緣層605的表面氧化時(shí)，與微晶半導(dǎo)體層607的粘附力提高。作為氧化處理，可以使用暴露于氧化氣體、在氧化氣體中等離子體處理或類(lèi)似處理。利用氦、氬、氖、氪或氙等稀有氣體作為微晶半導(dǎo)體層607的源氣體，微晶半導(dǎo)體層607的沉積率增加。此外，因?yàn)槌练e率增加，在微晶半導(dǎo)體層607中混合的雜質(zhì)量減少； 從而，微晶半導(dǎo)體層607的結(jié)晶度可以提高。從而，晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電流和場(chǎng)效應(yīng)遷移率增加并且晶體管的產(chǎn)量(throughput)可以增加。當(dāng)微晶半導(dǎo)體層607形成時(shí)，輝光放電等離子體通過(guò)施加3至30MHz的高頻電力 (典型地在HF波段中的13. 56MHz或27. 12MHz的高頻電力)或在VHF波段中的30MHz至大約300MHz的高頻電力(典型地60MHz)產(chǎn)生。備選地，輝光放電等離子體通過(guò)施加具有 IGHz或更高的微波的高頻電力產(chǎn)生。注意可以采用高頻電力借此采用脈沖方式施加的脈沖振蕩或高頻電力借此連續(xù)施加的連續(xù)振蕩。另外，通過(guò)互相疊加在HF波段中的高頻電力和在VHF波段中的高頻電力，等離子體在大襯底中的不均勻度減小，使得均勻性可以提高并且沉積率可以增加。接著，如在圖20B中圖示的，半導(dǎo)體層611在微晶半導(dǎo)體層607上形成。該半導(dǎo)體層611包括微晶半導(dǎo)體區(qū)611a和非晶半導(dǎo)體區(qū)611b。接著，雜質(zhì)半導(dǎo)體層613在半導(dǎo)體層 611上形成。然后，抗蝕劑掩模615在雜質(zhì)半導(dǎo)體層613上形成。包括微晶半導(dǎo)體區(qū)611a和非晶半導(dǎo)體區(qū)611b的半導(dǎo)體層611可以在利用微晶半導(dǎo)體層607作為籽晶部分地進(jìn)行晶體生長(zhǎng)(抑制晶體生長(zhǎng))的條件下形成。在等離子體增強(qiáng)CVD設(shè)備的處理腔中，微晶半導(dǎo)體層607用氫、含硅或鍺的沉積氣體和含氮?dú)怏w的混合物通過(guò)輝光放電等離子體形成。含氮?dú)怏w的示例包括氨、氮、氟化氮、 氯化氮、氯銨、氟銨等。輝光放電等離子體可以如在微晶半導(dǎo)體層607的情況下產(chǎn)生。在該情況下，含硅或鍺的沉積氣體與氫的流率比與用于形成微晶半導(dǎo)體層607的相同，并且含氮?dú)怏w用于源氣體，使得如與微晶半導(dǎo)體層607的沉積條件比較，可以抑制晶體生長(zhǎng)。具體地，因?yàn)楹獨(dú)怏w包括在源氣體中，在半導(dǎo)體層611的沉積早期，晶體生長(zhǎng)被部分抑制。從而，錐形或金字塔形微晶半導(dǎo)體區(qū)生長(zhǎng)，并且非晶半導(dǎo)體區(qū)形成。此外，在沉積的中期和后期，在錐形或金字塔形微晶半導(dǎo)體區(qū)中的晶體生長(zhǎng)停止并且僅非晶半導(dǎo)體區(qū)形成。因此，微晶半導(dǎo)體區(qū)611a和用有序半導(dǎo)體層(其具有更少缺陷并且在價(jià)帶邊緣陡直的能級(jí)尾部)形成的非晶半導(dǎo)體區(qū)611b可以在半導(dǎo)體層611中形成。這里，用于形成半導(dǎo)體層611的條件的典型示例列舉如下。氫的流率是含硅或鍺的沉積氣體的流率的10至2000倍，優(yōu)選地10至200倍。注意在用于形成正常非晶半導(dǎo)體層的條件的典型示例中，氫的流率是含硅或鍺的沉積氣體的流率的0至5倍。例如氦、氖、氬、氪或氙等稀有氣體引入半導(dǎo)體層611的源氣體，使得沉積率可以增加。半導(dǎo)體層611的厚度優(yōu)選地是50至350nm，更優(yōu)選地120至250nm。這里，包括微晶半導(dǎo)體區(qū)611a和非晶半導(dǎo)體區(qū)611b的半導(dǎo)體層611使用半導(dǎo)體層611的源氣體形成，其包括含氮?dú)怏w。備選地，在通過(guò)將微晶半導(dǎo)體層607的表面暴露于含氮?dú)怏w而氮被吸收到微晶半導(dǎo)體層607的表面上后，半導(dǎo)體層611使用包括氫的源氣體和含硅或鍺的沉積氣體形成。因此，可以形成包括微晶半導(dǎo)體區(qū)611a和非晶半導(dǎo)體區(qū)611b 的半導(dǎo)體層611。在等離子體增強(qiáng)CVD設(shè)備的反應(yīng)腔中，雜質(zhì)半導(dǎo)體層613用含硅的沉積氣體、氫和磷化氫(用氫或硅烷稀釋)的混合物通過(guò)輝光放電等離子體形成。添加磷的非晶硅或添加磷的微晶硅通過(guò)用氫稀釋包括硅的沉積氣體形成。注意在P溝道晶體管形成的情況下，雜質(zhì)半導(dǎo)體層613可使用乙硼烷而不是磷化氫來(lái)通過(guò)輝光放電等離子體形成。抗蝕劑掩模615通過(guò)光刻工藝形成。接著，微晶半導(dǎo)體層607、半導(dǎo)體層611和雜質(zhì)半導(dǎo)體層613使用抗蝕劑掩模615 蝕刻。通過(guò)該步驟，微晶半導(dǎo)體層607、半導(dǎo)體層611和雜質(zhì)半導(dǎo)體層613被分割以用于每個(gè)元件使得形成半導(dǎo)體層617和雜質(zhì)半導(dǎo)體層621。注意半導(dǎo)體層617是微晶半導(dǎo)體層607 的部分和半導(dǎo)體層611的部分并且包括微晶半導(dǎo)體區(qū)617a和非晶半導(dǎo)體區(qū)617b (參見(jiàn)圖 20C)。然后，等離子體可在氧化氣體氣氛或氮化氣體氣氛中產(chǎn)生同時(shí)抗蝕劑掩模615被留下，使得半導(dǎo)體層617暴露于該等離子體。等離子體在氧化氣體氣氛或氮化氣體氣氛中產(chǎn)生引起氧自由基或氮自由基產(chǎn)生。該自由基與半導(dǎo)體層617反應(yīng)，其形成充當(dāng)在半導(dǎo)體層617的側(cè)面上的阻擋區(qū)的絕緣區(qū)。接著，導(dǎo)電層627在雜質(zhì)半導(dǎo)體層621上形成(參見(jiàn)圖21A)。該導(dǎo)電層627可以視情況使用與在圖17A至17D、圖18A至18C與圖19A和19B中圖示的布線(xiàn)629a和629b的相似的材料形成。該導(dǎo)電層627通過(guò)CVD、濺射或真空蒸發(fā)形成。備選地，導(dǎo)電層627可通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、噴墨法或類(lèi)似方法排出銀、金、銅或其類(lèi)似物的導(dǎo)電納米膠以及烘烤該導(dǎo)電納米膠形成。然后，抗蝕劑掩模通過(guò)光刻工藝形成，并且導(dǎo)電層627使用該抗蝕劑掩模蝕刻，使得形成起源極層和漏極層作用的布線(xiàn)629a和629b (參見(jiàn)圖21B)。導(dǎo)電層627可以通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻蝕刻。注意布線(xiàn)629a和629b中的一個(gè)不僅起源極層和漏極層的作用并且起信號(hào)線(xiàn)的作用。然而，該實(shí)施例不限于此。信號(hào)線(xiàn)可與源極層和漏極層分開(kāi)提供。然后，雜質(zhì)半導(dǎo)體層621和半導(dǎo)體層617部分蝕刻，使得起源極區(qū)和漏極區(qū)作用的一對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b形成。另外，形成包括微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和一對(duì)非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的半導(dǎo)體層633。此時(shí)，半導(dǎo)體層617蝕刻使得暴露微晶半導(dǎo)體區(qū)633a，由此半導(dǎo)體層633具有下列結(jié)構(gòu)。在用布線(xiàn)629a和629b覆蓋的區(qū)域中，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 堆疊，并且在沒(méi)有用布線(xiàn)629a和629b覆蓋但與柵極層603重疊的區(qū)域中， 暴露微晶半導(dǎo)體區(qū)633a(參見(jiàn)圖21C)。因?yàn)檫@里在蝕刻中使用干法蝕刻，布線(xiàn)629a和629b的端與雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和 631b的端對(duì)準(zhǔn)。然而，當(dāng)導(dǎo)電層627通過(guò)濕法蝕刻被蝕刻并且雜質(zhì)半導(dǎo)體層621通過(guò)干法蝕刻被蝕刻時(shí)，布線(xiàn)629a和629b的端不與雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b的端對(duì)準(zhǔn)。在這樣的情況下的橫截面中，布線(xiàn)629a和629b的端置于相比雜質(zhì)半導(dǎo)體層631a和631b的端的內(nèi)側(cè)。接著，進(jìn)行干法蝕刻。干法蝕刻的條件設(shè)置成使得微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的暴露區(qū)域不被損傷并且微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的蝕刻率低。 也就是說(shuō)，幾乎不對(duì)微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的暴露表面造成損傷并且微晶半導(dǎo)體區(qū)633a的暴露區(qū)和暴露的非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的厚度幾乎不減少的條件。作為蝕刻氣體，典型地使用C12、CF4、N2或其類(lèi)似物。對(duì)于蝕刻沒(méi)有特定限制，可以使用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)蝕刻、電容耦合等離子體(CCP)蝕刻、電子回旋共振(ECR)蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)蝕刻或類(lèi)似方法。如上文描述的，在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 形成后，干法蝕刻在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 不被損傷的條件下另外進(jìn)行，使得可以去除例如在微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的暴露區(qū)域上存在的殘留物等雜質(zhì)。接著，微晶半導(dǎo)體區(qū)633a和非晶半導(dǎo)體區(qū)63 的表面可受到等離子體處理，典型地水等離子體處理、氧等離子體處理、氨等離子體處理、氮等離子體處理或類(lèi)似處理。水等離子體處理可以采用含水作為主要成分的氣體(由水蒸汽(H2O蒸汽)作為典型)引入反應(yīng)空間使得等離子體產(chǎn)生這樣的方式進(jìn)行。然后，去除抗蝕劑掩模。注意抗蝕劑掩?？稍诟煞ㄎg刻之前去除。如上文描述的，當(dāng)水等離子體處理在干法蝕刻后連續(xù)進(jìn)行時(shí)，可以去除抗蝕劑掩模的殘留物。通過(guò)等離子體處理，可以保證源區(qū)和漏區(qū)之間的絕緣，使得在完成的晶體管中，截止?fàn)顟B(tài)電流可以減小并且可以抑制電特性中的變化。通過(guò)上文的步驟，可以形成如在圖17A中圖示的包括使用微晶半導(dǎo)體層形成的溝道形成區(qū)的晶體管。此外，具有低截止?fàn)顟B(tài)電流、高導(dǎo)通狀態(tài)電流和高場(chǎng)效應(yīng)遷移率的晶體管可以高生產(chǎn)率地形成。接著，形成絕緣層637。絕緣層637可以采用與柵極絕緣層605的相似的方式形成。然后，開(kāi)口利用通過(guò)光刻工藝形成的抗蝕劑掩模在絕緣層637中形成，然后，形成背柵極層639(參見(jiàn)圖21D)。背柵極層639可以采用使用上文的材料中的任何材料通過(guò)濺射形成薄膜并且使用通過(guò)光刻工藝形成的抗蝕劑掩模蝕刻該薄膜這樣的方式形成。備選地，背柵極層639可以通過(guò)包括導(dǎo)電聚合物的透光導(dǎo)電成分的施加或印刷以及烘烤該導(dǎo)電成分形成。通過(guò)上文的步驟，可以形成如在圖17B中圖示的雙柵極晶體管。注意當(dāng)控制在圖21C中的半導(dǎo)體層617和雜質(zhì)半導(dǎo)體層621的蝕刻量時(shí)，可以形成在圖19A和19B中圖示的晶體管。<各種包括液晶顯示器的電子裝置>每個(gè)包括在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的液晶顯示器的電子裝置的示例在下文參照?qǐng)D22A 至22F描述。圖22A圖示膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)，其包括主體2201、外殼2202、顯示部分2203、鍵盤(pán) 2204 等。圖22B圖示便攜式信息終端(PDA)，其包括提供有顯示部分2213、外部接口 2215、 操作按鈕2214等的主體2211。此外，包括用于操作的指示筆2212作為附件。圖22C圖示電子書(shū)閱讀器2220作為電子紙的示例。該電子書(shū)閱讀器2220包括兩個(gè)外殼2221和2223。外殼2221和2223用鉸鏈2237互相結(jié)合使得該電子書(shū)閱讀器2220 可以打開(kāi)和關(guān)閉，其中鉸鏈2237用作軸。利用這樣的結(jié)構(gòu)，該電子書(shū)閱讀器2220可以像紙質(zhì)書(shū)一樣使用。
顯示部分2225包含在外殼2221中，并且顯示部分2227包含在外殼2223中。顯示部分2225和2227可顯示一個(gè)圖像或不同圖像。在顯示部分2225和2227顯示不同圖像的情況下，例如，在右側(cè)的顯示部分(在圖22C中的顯示部分222 可以顯示文本并且在左側(cè)的顯示部分(在圖22C中的顯示部分2227)可以顯示圖像。此外，在圖22C中，外殼2221包括操作部分等。例如，外殼2221包括電源按鈕 2231、操作鍵2233、揚(yáng)聲器2235等。利用操作鍵2233，可以翻頁(yè)。注意鍵盤(pán)、指點(diǎn)裝置或其類(lèi)似物可提供在與外殼的顯示部分相同的表面上。此外，外部連接端子(例如，耳機(jī)端子、 USB端子，或可以連接到AC適配器或例如USB電纜等多種電纜的端子)、記錄介質(zhì)插入部分或其類(lèi)似物可提供在外殼的背面或側(cè)面上。此外，電子書(shū)閱讀器2220可起電子辭典的作用。電子書(shū)閱讀器2220可無(wú)線(xiàn)地傳送和接收數(shù)據(jù)。通過(guò)無(wú)線(xiàn)通信，可以從電子書(shū)服務(wù)器購(gòu)買(mǎi)并且下載期望的書(shū)籍?dāng)?shù)據(jù)或類(lèi)似物。注意電子紙可以應(yīng)用于多種領(lǐng)域中的裝置，只要它們顯示信息即可。例如，除電子書(shū)閱讀器外，電子紙可以用于在例如火車(chē)等車(chē)輛中的海報(bào)、廣告、在例如信用卡等多種卡片中的顯示等。圖22D圖示蜂窩電話(huà)。該蜂窩電話(huà)包括兩個(gè)外殼2240和2241。外殼2241包括顯示面板2242、揚(yáng)聲器2243、麥克風(fēng)2244、指點(diǎn)裝置2246、拍攝裝置鏡頭2247、外部連接端子 2248等。外殼2240包括用于存儲(chǔ)電力在蜂窩電話(huà)中的太陽(yáng)能電池2249、外部存儲(chǔ)器插槽 2250等。此外，天線(xiàn)包含在外殼2241中。顯示面板2242具有觸摸面板功能。顯示為圖像的多個(gè)操作鍵2245在圖22D中由虛線(xiàn)指示。注意蜂窩電話(huà)包括用于將從太陽(yáng)能電池2249輸出的電壓升高到每個(gè)電路需要的電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。此外，除上文的部件之外，蜂窩電話(huà)可以包括非接觸式IC芯片、小型記錄裝置或其類(lèi)似物。顯示面板2242的顯示方向根據(jù)應(yīng)用視情況改變。此外，拍攝裝置鏡頭2247提供在與顯示面板2242相同的表面上；從而，蜂窩電話(huà)可以用作視頻電話(huà)。揚(yáng)聲器2243和麥克風(fēng)2244可以用于視頻電話(huà)通話(huà)、記錄和播放聲音等以及語(yǔ)音通話(huà)。此外，如在圖22D中圖示的展開(kāi)的外殼2240和2241可以通過(guò)滑動(dòng)互相重疊；從而，蜂窩電話(huà)的尺寸可以減小，其使蜂窩電話(huà)適合攜帶。外部連接端子2248可以連接到AC適配器或例如USB電纜等多種電纜，使得可以存儲(chǔ)電力并且可以進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。另外，通過(guò)在外部存儲(chǔ)器插槽2250中插入記錄介質(zhì)可以保存和移動(dòng)更大量的數(shù)據(jù)。此外，除上文的功能外，蜂窩電話(huà)可具有紅外線(xiàn)通信功能、電視接收功能或類(lèi)似功能。圖22E圖示數(shù)字拍攝裝置。該數(shù)字拍攝裝置包括主體2261、第一顯示部分2267、 目鏡部分2263、操作開(kāi)關(guān)2264、第二顯示部分2沈5、電池2266等。圖22F圖示電視機(jī)。電視機(jī)2270包括包含在外殼2271中的顯示部分2273。該顯示部分2273可顯示圖像。注意這里，外殼2271由底座2275支撐。電視機(jī)2270可以通過(guò)外殼2271的操作開(kāi)關(guān)或遙控2280操作。頻道和音量可以用遙控2280的操作鍵2279控制，使得可以控制在顯示部分2273上顯示的圖像。此外，遙控2280可具有用于顯示從遙控2280輸出的數(shù)據(jù)的顯示部分2277。
注意電視機(jī)2270優(yōu)選地包括接收器、調(diào)制解調(diào)器等。一般的電視廣播可以用該接收器接收。此外，當(dāng)電視機(jī)通過(guò)該調(diào)制解調(diào)器有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)地連接到通信網(wǎng)絡(luò)時(shí)，可以進(jìn)行單向(從傳送器到接收器)或雙向(在傳送器和接收器之間或在接收器之間)數(shù)據(jù)通信。該申請(qǐng)基于在2010年4月9日向日本專(zhuān)利局提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào) 2010-0909 和日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)2010-090936以及在2010年5月18日向日本專(zhuān)利局提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)2010-1144 和日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)2010-114431，其的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種顯示器，其包括包括第一晶體管、第二晶體管和第一顯示元件的第一像素； 包括第三晶體管、第四晶體管和第二顯示元件的第二像素； 電連接到第一掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)的第一移位寄存器；以及電連接到第二掃描線(xiàn)和第四掃描線(xiàn)的第二移位寄存器，其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第一掃描線(xiàn)，并且所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第二掃描線(xiàn)，并且所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)，其中所述第一顯示元件的一個(gè)電極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，其中所述第三晶體管的柵極電連接到所述第三掃描線(xiàn)，并且所述第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到所述第一信號(hào)線(xiàn)，其中所述第四晶體管的柵極電連接到所述第四掃描線(xiàn)，并且所述第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到所述第二信號(hào)線(xiàn)，其中所述第二顯示元件的一個(gè)電極電連接到所述第三晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)和所述第四晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，以及其中所述第一至第四晶體管的溝道形成區(qū)包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第一移位寄存器和所述第二移位寄存器包括在溝道形成區(qū)中包括微晶半導(dǎo)體的晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第一顯示元件和所述第二顯示元件中的每個(gè)是液晶元件。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中第一圖像信號(hào)配置成在包括在第一時(shí)段中的第一水平掃描時(shí)段中從所述第一信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第二圖像信號(hào)配置成在包括在第二時(shí)段中的第二水平掃描時(shí)段中從所述第一信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第三圖像信號(hào)配置成在包括在所述第一時(shí)段中的所述第一水平掃描時(shí)段中從所述第二信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第四圖像信號(hào)配置成在包括在所述第二時(shí)段中的所述第二水平掃描時(shí)段中從所述第二信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中所述第一圖像信號(hào)和所述第二圖像信號(hào)是用于控制具有第一顏色的光的透射的圖像信號(hào)，其中所述第三圖像信號(hào)和所述第四圖像信號(hào)是用于控制具有第二顏色的光的透射的圖像信號(hào)，以及其中所述第一顏色和所述第二顏色彼此不同。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示器，其中選擇信號(hào)配置成在包括在所述第一時(shí)段中的所述第一水平掃描時(shí)段中從所述第一移位寄存器和所述第二移位寄存器供應(yīng)給所述第一掃描線(xiàn)和所述第四掃描線(xiàn)，其中非選擇信號(hào)配置成在包括在所述第一時(shí)段中的所述第一水平掃描時(shí)段中從所述第二移位寄存器和所述第一移位寄存器供應(yīng)給所述第二掃描線(xiàn)和所述第三掃描線(xiàn)，其中選擇信號(hào)配置成在包括在所述第二時(shí)段中的所述第二水平掃描時(shí)段中從所述第二移位寄存器和所述第一移位寄存器供應(yīng)給所述第二掃描線(xiàn)和所述第三掃描線(xiàn)，以及其中非選擇信號(hào)配置成在包括在所述第二時(shí)段中的所述第二水平掃描時(shí)段中從所述第一移位寄存器和所述第二移位寄存器供應(yīng)給所述第一掃描線(xiàn)和所述第四掃描線(xiàn)。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器，進(jìn)一步包括多個(gè)背光單元，其配置成獨(dú)立地發(fā)射第一光線(xiàn)、第二光線(xiàn)和第三光線(xiàn)，其是互相不同的顏色。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中所述多個(gè)背光單元配置成同時(shí)供應(yīng)至少所述第一光線(xiàn)和所述第二光線(xiàn)給不同的區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示器，在所述第一像素中進(jìn)一步包括電容器，其中所述電容器的一個(gè)端子電連接到所述第一顯示元件的所述一個(gè)電極。
9.一種顯示器，其包括包括第一晶體管和第一顯示元件的第一像素； 包括第二晶體管和第二顯示元件的第二像素； 電連接到第一掃描線(xiàn)的第一移位寄存器；以及電連接到第二掃描線(xiàn)的第二移位寄存器，其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第一掃描線(xiàn)，并且所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第一信號(hào)線(xiàn)，其中所述第一顯示元件的一個(gè)電極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第二掃描線(xiàn)，并且所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接到第二信號(hào)線(xiàn)，其中所述第二顯示元件的一個(gè)電極電連接到所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，以及其中所述第一和第二晶體管的溝道形成區(qū)包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器，其中所述第一移位寄存器和所述第二移位寄存器包括在溝道形成區(qū)中包括微晶半導(dǎo)體的晶體管。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示器，其中所述第一顯示元件和所述第二顯示元件中的每個(gè)是液晶元件。
12.如權(quán)利要求9所述的顯示器，其中第一圖像信號(hào)配置成在包括在第一時(shí)段中的第一水平掃描時(shí)段中從所述第一信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第二圖像信號(hào)配置成在包括在第二時(shí)段中的第二水平掃描時(shí)段中從所述第一信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第三圖像信號(hào)配置成在包括在所述第一時(shí)段中的所述第一水平掃描時(shí)段中從所述第二信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中第四圖像信號(hào)配置成在包括在所述第二時(shí)段中的所述第二水平掃描時(shí)段中從所述第二信號(hào)線(xiàn)供應(yīng)，其中所述第一圖像信號(hào)是用于控制具有第一顏色的光的透射的圖像信號(hào)， 其中所述第二圖像信號(hào)是用于控制具有第二顏色的光的透射的圖像信號(hào)， 其中所述第三圖像信號(hào)是用于控制具有第三顏色的光的透射的圖像信號(hào)，以及其中所述第一顏色和所述第二顏色彼此不同，并且其中所述第一顏色和所述第三顏色彼此不同。
13.如權(quán)利要求9所述的顯示器，進(jìn)一步包括多個(gè)背光單元，其配置成獨(dú)立地發(fā)射第一光線(xiàn)、第二光線(xiàn)和第三光線(xiàn)，其是互相不同的顏色。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示器，其中所述多個(gè)背光單元配置成同時(shí)供應(yīng)至少所述第一光線(xiàn)和所述第二光線(xiàn)給不同的區(qū)域。
15.如權(quán)利要求9所述的顯示器，在所述第一像素中進(jìn)一步包括電容器，其中所述電容器的一個(gè)端子電連接到所述第一顯示元件的所述一個(gè)電極。
16.一種用于驅(qū)動(dòng)在像素中包括晶體管的顯示器的方法，所述晶體管在溝道形成區(qū)中包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體，所述方法包括步驟在時(shí)段中通過(guò)從第一掃描線(xiàn)至第k掃描線(xiàn)順序供應(yīng)來(lái)自第一移位寄存器的選擇信號(hào)， 通過(guò)第一圖像信號(hào)線(xiàn)順序輸入用于控制具有第一顏色的光的透射的圖像信號(hào)給提供在第一行至第k行中的像素；在所述時(shí)段中通過(guò)從第(n+1)掃描線(xiàn)至第(n+k)掃描線(xiàn)順序供應(yīng)來(lái)自第二移位寄存器的選擇信號(hào)，通過(guò)第二圖像信號(hào)線(xiàn)順序輸入用于控制具有第二顏色的光的透射的圖像信號(hào)給提供在第(n+1)行至第(n+k)行中的像素；以及在所述時(shí)段后，從所述第一行至所述第k行的光源發(fā)射具有所述第一顏色的光，同時(shí)通過(guò)從第(k+Ι)掃描線(xiàn)至第業(yè)掃描線(xiàn)順序供應(yīng)來(lái)自所述第一移位寄存器的選擇信號(hào)，通過(guò)所述第一圖像信號(hào)線(xiàn)順序輸入用于控制具有所述第一顏色的光的透射的圖像信號(hào)給提供在第(k+Ι)行至第業(yè)行中的像素， 其中η是3或更大的自然數(shù)，并且其中k是2或更大并且小于η的自然數(shù)。
17.如權(quán)利要求16所述的用于驅(qū)動(dòng)顯示器的方法，在所述時(shí)段后，從所述第(n+1)行至所述第(n+k)行的光源發(fā)射具有所述第二顏色的光，同時(shí)通過(guò)從第(η+k+l)掃描線(xiàn)至第(n+2k)掃描線(xiàn)順序供應(yīng)來(lái)自所述第二移位寄存器的選擇信號(hào)，通過(guò)所述第二圖像信號(hào)線(xiàn)順序輸入用于控制具有所述第二顏色的光的透射的圖像信號(hào)給提供在第(η+k+l)行至第(n+2k)行中的像素。
全文摘要
本發(fā)明液晶顯示器和用于驅(qū)動(dòng)該液晶顯示器的方法。在液晶顯示器中，圖像信號(hào)同時(shí)供應(yīng)給提供在像素部分中采用矩陣設(shè)置的像素之中的多行中的像素，其中圖像信號(hào)的輸入由在溝道形成區(qū)中包括非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體的晶體管控制。從而，圖像信號(hào)到每個(gè)像素的輸入的頻率可以增加而不改變包括在該液晶顯示器中的晶體管或其類(lèi)似物的響應(yīng)速度。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102213882SQ201110096348
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者三宅博之, 小山潤(rùn), 山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所