專利名稱：波導(dǎo)型偏振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā) 明涉及一種波導(dǎo)型偏振器，尤其是涉及在Z切型的鈮酸鋰基板上形成有脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)的波導(dǎo)型偏振器。
背景技術(shù)：
在光通信及光信息處理的技術(shù)領(lǐng)域中，利用了鈮酸鋰(LN)等具有電光效應(yīng)的基板的光波導(dǎo)元件被廣泛利用。例如，作為LN光調(diào)制器，存在波導(dǎo)形狀具有馬赫-曾德爾(MZ) 結(jié)構(gòu)的光調(diào)制器。MZ結(jié)構(gòu)的調(diào)制器通過施加電壓來控制光的on/off。具體來說，MZ結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的輸出波導(dǎo)是單模式波導(dǎo)，根據(jù)施加電壓，光的傳播速度發(fā)生變化，從而進(jìn)行基本模式、 激勵模式控制，由此能夠?qū)崿F(xiàn)光的on/off。這種LN光調(diào)制器的特性中存在Vn、光頻帶。Vn是指使光從on成為off時所需的施加電壓，光頻帶是指on/off動作的頻率。Vn越小且光頻帶越大，LN光調(diào)制器的特性就越良好。為了減小Vn，需要減薄緩沖層的厚度以縮短電極與光的距離。而為了達(dá)到光頻帶的寬頻化，需要增加緩沖層的厚度，以防止電極中的電流集中于一個部位。因此，在￥11和光頻帶中，存在一定的相反規(guī)則。為了同時實(shí)現(xiàn)Vn的減小和光頻帶的寬頻化，Z切型的LN基板使用了脊形結(jié)構(gòu)。另一方面，近年來，對隨機(jī)型光調(diào)制器等的強(qiáng)度、相位進(jìn)行調(diào)制的方式成為主流。 為了對強(qiáng)度、相位進(jìn)行操作，需要配置多個MZ結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)。尤其是在使用了 Z切型LN基板的DQPSK調(diào)制器的情況下，需要六個電極。因此，調(diào)制電極占據(jù)了 LN光調(diào)制器芯片的表面的大部分，從而難以對提供附加特性的部件進(jìn)行集成化。另外，作為晶體的LN在電光效應(yīng)方面具有各向異性，因此向LN光調(diào)制器入射特定偏振波的光而使用。在LN光調(diào)制器的情況下，通常入射光偏振波為非常光(ne)。然而，商用的實(shí)施了 Ti擴(kuò)散的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)對非常光(ne)、尋常光(no)這雙方進(jìn)行波導(dǎo)，因此需要除去尋常光(no)。作為對Z切型的LN基板進(jìn)行了 Ti擴(kuò)散的光波導(dǎo)的非常光(ne)路徑偏振器，有非專利文獻(xiàn)1所公開的在芯片與光纖的連接部上粘貼薄膜狀的偏振器的方法，或者專利文獻(xiàn) 1及非專利文獻(xiàn)2至4所公開的在Ti擴(kuò)散的光波導(dǎo)上形成低折射率膜、高折射率膜等的方法等。然而，在上述非常光(ne)透過型偏振器中存在以下的缺點(diǎn)。(1)由于在芯片與光纖之間(波導(dǎo)間)粘貼偏振器，因此光損失大。而且，對每個芯片進(jìn)行粘貼，因此生產(chǎn)率差。(2)在￥11與光頻帶的關(guān)系方面，需要分別形成偏振器部分的薄膜和電極下部的薄膜，生產(chǎn)率差。而且，由于需要偏振器的區(qū)域，因此LN芯片增大。專利文獻(xiàn)1 日本專利第2613942號公報非專利文獻(xiàn)1 住友大阪七乂>卜〒夕二力>> 水。一卜(cement technicalreport) 1996 年，pp24
非專利文獻(xiàn) 2 :Electronics Letters, Vol. 24, No. 4, pp229 (1988)非專利文獻(xiàn)3 =Optics Letters, Vol. 16，No. 10，pp717 (1991)非專利文獻(xiàn) 4 :Chinese Optics Letters, Vol. 2, No. 2, pp89 (2004)非專利文獻(xiàn)5 電子情報通信學(xué)會論文誌(電子信息通信學(xué)會論文志)C-I Vol. J77-C-I, No. 5，ppl94(1994)非專利文獻(xiàn)6 藪哲郎，「光導(dǎo)波路解析入門(光波導(dǎo)解析入門)」(森北出版)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題是解決上述問題，提供一種不使用特別的制造工序也能夠穩(wěn)定地對光波導(dǎo)本身附加偏振器作用的波導(dǎo)型偏振器。為了解決上述課題，本發(fā)明的技術(shù)方案1涉及一種波導(dǎo)型偏振器，具有Z切型的鈮酸鋰基板和形成在該基板上的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)，其特征在于，上述脊形結(jié)構(gòu)的寬度是在上述光波導(dǎo)中傳播的光波的尋常光的光分布變化、且上述光波的非常光的光分布不變化的脊形寬度，上述脊形結(jié)構(gòu)的角度小于90°，在上述脊形結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成有膜厚滿足 O^n-t/λ < 0.3742的條件(其中，η為折射率，t為膜厚，λ為光波的波長，膜厚、波長的單位為Pm)的低折射率膜，在該低折射率膜上形成有膜厚滿足0.089 <η·νλ的條件的高折射率膜，上述波導(dǎo)型偏振器具有非常光透過型偏振器的功能。本發(fā)明的技術(shù)方案2以技術(shù)方案1所記載的波導(dǎo)型偏振器為基礎(chǔ)，其特征在于，上述低折射率膜的膜厚滿足0. 0935 ^ η · t/ λ ^ 0. 3742的條件。本發(fā)明的技術(shù)方案3以技術(shù)方案1或2所記載的波導(dǎo)型偏振器為基礎(chǔ)，其特征在于，上述低折射率膜的主要成分為SiO2,上述低折射率膜是在SiO2膜中混入雜質(zhì)而控制折射率的膜體。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案1，一種波導(dǎo)型偏振器，具有Z切型的鈮酸鋰基板和形成在該基板上的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)，其特征在于，上述脊形結(jié)構(gòu)的寬度是在上述光波導(dǎo)中傳播的光波的尋常光的光分布變化、且上述光波的非常光的光分布不變化的脊形寬度，上述脊形結(jié)構(gòu)的角度小于90°，在上述脊形結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成有膜厚滿足0<η·νλ ^ 0. 3742 的條件(其中，η為折射率，t為膜厚，λ為光波的波長)的低折射率膜，在該低折射率膜上形成有膜厚滿足0. 089 ^ η· t/λ的條件的高折射率膜，上述波導(dǎo)型偏振器具有非常光透過型偏振器的功能，因此通過調(diào)整脊形寬度、低折射率膜及高折射率膜的膜厚，不使制造工序復(fù)雜化即可容易地將非常光透過型偏振器的功能附加給光波導(dǎo)例如施加調(diào)制電極的電場的作用部等。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案2，由于低折射率膜的膜厚滿足0.0935 Sn· t/ λ < 0. 3742的條件，因此始終能夠形成一定厚度以上的低折射率膜，從而也能夠減少制造時的誤差，能夠發(fā)揮更穩(wěn)定的性能。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案3，由于低折射率膜的主要成分為SiO2，上述低折射率膜是在SiO2膜中混入雜質(zhì)而控制折射率的膜體，因此不使用特殊的裝置也能夠進(jìn)行低折射率膜的折射率控制，從而能夠避免裝置固有的覆蓋特性。


圖1是 本發(fā)明的波導(dǎo)型偏振器的剖視圖。圖2是光波導(dǎo)的作用部的剖視圖。圖3是表示現(xiàn)有偏振器的例子的剖視圖。圖4是表示圖3的Si膜厚與有效折射率的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示脊形寬度與有效折射率的關(guān)系的曲線圖。圖6是說明在脊形結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)中傳播的尋常光的狀態(tài)的圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的測定結(jié)果的曲線圖。圖8是說明本發(fā)明的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的測定結(jié)果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下，使用優(yōu)選例詳細(xì)說明本發(fā)明的波導(dǎo)型偏振器。如圖1所示，本發(fā)明的波導(dǎo)型偏振器具有Z切型的鈮酸鋰基板1和形成在該基板上的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)，該脊形結(jié)構(gòu)的寬度w是在該光波導(dǎo)中傳播的光波的尋常光的光分布變化、且該光波的非常光的光分布不變化的脊形寬度，該脊形結(jié)構(gòu)的角度θ小于90°， 在該脊形結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成有膜厚滿足· /λ < 0.3742的條件(其中，η為折射率， t為膜厚，λ為光波的波長，膜厚、波長的單位為μπι)的低折射率膜3，在該低折射率膜上形成有膜厚滿足0. 089 ^n-t/λ的條件的高折射率膜4，上述波導(dǎo)型偏振器具有非常光透過型偏振器的功能。作為光波導(dǎo)的形成方法，在形成有熱擴(kuò)散了 Ti的光波導(dǎo)2的鈮酸鋰(LN)晶片上， 在光波導(dǎo)2的旁邊形成槽而制作脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)。Ti的擴(kuò)散工序使用非專利文獻(xiàn)5所記載的已知的技術(shù)。而且，在制作槽時，能夠利用將抗蝕劑、金屬(Ti、M等)作為遮擋掩模并對LN基板進(jìn)行濕式或干式蝕刻的方法、或利用受激準(zhǔn)分子等的激光加工、噴砂器等。在上述晶片上通過現(xiàn)有技術(shù)的方法(在Ti擴(kuò)散的光波導(dǎo)上形成低折射率膜或高折射率膜等的方法)制作偏振器時，在偏振器形成區(qū)域以外也形成緩沖層(BF層)(Si02)、 電荷分散層(Si)。由于根據(jù)光學(xué)元件的設(shè)計目的來確SVn、光頻帶，因此BF層膜厚、電荷分散層膜厚形成符合該目的的膜厚。通常的LN光調(diào)制器的BF層使用SiO2或在SiO2中添加有微量雜質(zhì)的膜。因此，形成BF層后，為了增加LN基板和BF層的附著力或緩和膜應(yīng)力而進(jìn)行熱處理。因此，若在形成BF層或電荷分散層之前形成偏振器，則在BF層的熱處理時， 會發(fā)生偏振器氧化或由于膜的體積變化而引起偏振器剝落的不良情況。因此，需要在必要的部分、例如調(diào)制電極的電場所作用的光波導(dǎo)部分(以下稱為“作用部”)上形成BF層、電荷分散層后，形成上述的現(xiàn)有技術(shù)的偏振器。本發(fā)明的波導(dǎo)型偏振器同時進(jìn)行BF層或電荷分散層的形成和偏振器的形成，能夠使用膜的覆蓋率(Coverage)(脊形的側(cè)面的膜厚/脊形的上表面的膜厚)低的成膜裝置 (蒸鍍、濺射裝置等)進(jìn)行制作。首先，使用覆蓋率低的裝置在形成有上述脊形波導(dǎo)的晶片上形成BF層后，進(jìn)行熱處理。圖2是在作用部形成有BF層(低折射率膜)和電荷分散層(高折射率膜)時的剖視圖，標(biāo)號5表示作為調(diào)制電極的一部分的信號電極。在制造本發(fā)明的波導(dǎo)型偏振器時，由于使用覆蓋率低的裝置，因此即使在脊形的上表面的BF層膜厚為0. 7 μ m的情況下，脊形的側(cè)面的膜厚也為0. 4 μ m以下。覆蓋率根據(jù)裝置的形狀、規(guī)格、晶片的配置等而不同，作為標(biāo)準(zhǔn)，蒸鍍裝置為 0，濺射裝置為 0. 5。通常，脊形的上表面的BF層膜厚需要為主信號光(非常光(ne))不會因電荷分散膜、金屬膜(電極)而衰減的膜厚，需要為0.4μπι以上。即，以0.4μπι附近為界，主信號光開始衰減。接下來，通過形成半導(dǎo)體、高折射率膜(Si等)的電荷分散膜，形成使非常光 (ne)透過的偏振器。圖3是表示現(xiàn)有偏振器的結(jié)構(gòu)的圖。在波導(dǎo)2上形成有Si膜(高折射率膜)4。 根據(jù)文獻(xiàn)，也存在沒有SiO2膜3的情況。如非專利文獻(xiàn)6所記載，隨著Si膜厚增加，Si膜作為波導(dǎo)起作用。作為偏振器發(fā)揮作用的主要原因在于，Si膜增厚時，TE模式先成為傳播模式(參照圖4的曲線圖。圖4是表示在Z切型的LN基板上堆疊SiO2膜(η= 1. 45)、Si膜(η = 3. 47)時的有效折射率與Si膜厚的關(guān)系的曲線圖)。通過將Si膜的膜厚調(diào)整為TE光為傳播模式(0. 03 4!11以上)311光為1盼1^(漏出)模式(0. 11 μ m以下)，能夠使Ti擴(kuò)散的波導(dǎo)的尋常光向Si膜4的TE模式光轉(zhuǎn)變并擴(kuò)散。此時，Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的非常光由于無法與Si 膜的TM模式光耦合(即，在TM模式中，沒有Si的傳播模式)，所以能夠透過Ti擴(kuò)散波導(dǎo)， 形成非常光透過型偏振器。在非專利文獻(xiàn)6中記載有與波導(dǎo)的芯厚相關(guān)的TE模式和TM模式的相關(guān)描述。另一方面，在脊形結(jié)構(gòu)的擴(kuò)散有Tj的光波導(dǎo)的側(cè)面上形成有SiO2膜、Si膜時，若光的模式分布不根據(jù)偏振波進(jìn)行變化，則同理能夠形成尋常光透過型偏振器。如圖1所示，實(shí)際的脊形結(jié)構(gòu)的形狀存在脊形角度θ。LN光調(diào)制器的特性即Vjg 據(jù)LN基板的脊形角度θ而變化，隨著脊形角度接近垂直而減小。然而，當(dāng)脊形角度為70° 以上時，對Vn不太起作用(參照非專利文獻(xiàn)5)，而且，由于難以使脊形角度垂直，因此通常為 θ = 70° 80°。使用Z切型的LN基板形成Ti擴(kuò)散的光波導(dǎo)時，與Ti密度相關(guān)的折射率變化量在尋常光和非常光中不同，因此尋常光的模式分布大，非常光的模式分布小。因此，從不是脊形結(jié)構(gòu)的狀態(tài)使脊形寬度變窄時，光模式分布的TE模式光先變化。伴隨光分布的變化，光向脊形部分外漏出，因此有效折射率(=真空中的光的速度/波導(dǎo)光的速度)減小，得出有效折射率與光分布相關(guān)。Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的脊形寬度與有效折射率的關(guān)系如圖5的曲線圖所示。圖5(a)的曲線圖表示1550nm的TM模式所涉及的脊形寬度和有效折射率的關(guān)系，圖5(b)的曲線圖表示1550nm的TE模式所涉及的脊形寬度和有效折射率的關(guān)系。脊形寬度變窄時，有效折射率成為小于LN基板折射率的值。這是因?yàn)椋?傳播光向脊形外部漏出的結(jié)果，存在有效折射率低于基板折射率的區(qū)域。根據(jù)各偏振波，有效折射率低于基板折射率的脊形寬度的部位不同，因此存在滿足以下條件的區(qū)域。尋常光有效折射率< LN基板折射率<非常光有效折射率然而，通過在脊形的側(cè)面上形成Si膜，能夠形成尋常光透過型偏振器。S卩，在脊形結(jié)構(gòu)的Ti擴(kuò)散波導(dǎo)中，脊形寬度變窄時，尋常光先向脊形外部漏出，使光與Si膜耦合。脊形角度為90°時，尋常光相對于側(cè)面的Si膜為TM模式。由此，側(cè)面的Si膜的膜厚僅對 一個偏振波進(jìn)行波導(dǎo)時，Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的尋常光無法與側(cè)面Si膜耦合并放射。然而，脊形角度小于90°時，Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的尋常光相對于側(cè)面Si膜成為TM模式和TE模式混合的狀態(tài)。由此，即使側(cè)面的Si膜的膜厚僅對一個偏振波進(jìn)行波導(dǎo)時，雖然效果比非脊形結(jié)構(gòu)時小，但是Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的尋常光能夠與側(cè)面的Si膜耦合并放射。圖6是尋常光與側(cè)面的Si膜耦合并放射的說明圖，圖6(a)表示脊形結(jié)構(gòu)的Ti擴(kuò)散波導(dǎo)中傳播尋常光10的狀態(tài)，圖6(b)是將(a)的尋常光10展開成以脊形側(cè)面為一個軸的正交坐標(biāo)系的圖，平行于脊形側(cè)面的分量與Si膜耦合并放射。在圖中以右側(cè)的脊形側(cè)面為基準(zhǔn)，但也可以以左側(cè)的脊形側(cè)面為基準(zhǔn)。上表面的Si膜的膜厚固定時，側(cè)面的Si膜的膜厚由成膜裝置固有的覆蓋率確定。 并且，側(cè)面的SiO2膜變化時，側(cè)面的SiO2膜的膜厚的制造誤差直接影響偏振器特性(參照圖4)。為了減少該制造誤差，通過使BF層的厚度為0. 1 μ m以上，能夠減輕側(cè)面的SiO2膜的膜厚對偏振器特性的影響。然而，上表面的SiO2膜的膜厚由LN光調(diào)制器的特性確定，覆蓋率為裝置所固有的 (難以改變覆蓋率)，因此為了維持偏振器的特性，需要改變SiO2的折射率。作為低折射率膜的折射率變更方法，可以向SiO2添加適量的Ti02、In203、SnO2等雜質(zhì)。對以上條件進(jìn)行歸納，需要滿足以下的三個條件。(條件1)為了產(chǎn)生偏振器作用， 脊形角小于90°，·脊形結(jié)構(gòu)Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的有效折射率在滿足“尋常光有效折射率< LN基板折射率<非常光有效折射率”的區(qū)域中，·在脊形側(cè)面上形成0. 04 μ m以上的高折射率膜。(條件2)通過在脊形側(cè)面與側(cè)面高折射率膜之間存在0.1 0. 4 μ m的低折射率膜，偏振光作用的制造依賴性減小。(條件3)在覆蓋率不變的裝置中，通過對低折射率膜添加雜質(zhì)而使折射率變化， 滿足條件2。但是，上述膜厚是高折射率膜的折射率為3. 47、低折射率膜的折射率為1. 45的情況下的厚度。因此，對上述膜厚進(jìn)行規(guī)格化時，“高折射率膜為0. 04 μ m以上”成為“η · t/ λ為0. 089以上”的條件，“側(cè)面高折射率膜之間為0. 1 0. 4 μ m左右”成為“η · t/λ為 0.0935 0.3742左右”的條件。其中，η表示折射率，t表示膜厚，λ表示光的波長。而且， 實(shí)際上難以直接確認(rèn)脊形結(jié)構(gòu)Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的有效折射率為“尋常光有效折射率< LN基板折射率<非常光有效折射率”。因此，當(dāng)判斷為尋常光成分的光分布變化且非常光成分的光分布不變化的邊界時，可確認(rèn)為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的形狀具有作為偏振器的功能。[實(shí)施例1]使用通常的光刻法或蒸鍍裝置在Z切型的LN基板上形成Ti (寬度7. 0 μ m、厚度 75nm)的圖案。在晶片上熱擴(kuò)散上述Ti (溫度1000°C、14小時)。然后，為了在Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的側(cè)方形成槽，以抗蝕劑為蝕刻掩模進(jìn)行干式蝕刻，形成槽深度5. 0 μ m、脊形寬度8. 0 μ m、 脊形角度75°。然后，作為低折射率膜，通過磁控管濺射裝置形成SiO2膜(平坦部膜厚 0. 6 μ m、脊形側(cè)面0. 3 μ m)，進(jìn)行退火處理(600°C、5小時)。然后，作為高折射率膜，通過磁控管濺射裝置形成了非晶Si膜(平坦部膜厚lOOnm、脊形的側(cè)面50nm)。然后，切斷成長度為40mm的樣品。為了確認(rèn)樣品作為偏振器的效果，測定了對各偏振波的光損失。結(jié)果是， 在通信波長頻帶中，能夠確認(rèn)-IOdB以上的偏振器功能(TM插入損失-TE插入損失)。圖7的曲線圖是表示實(shí)施例1的樣品的測定結(jié)果的曲線圖。TM模式(非常光)的插入損失沒有波長依賴性，為_5dB。另一方面，TE模式(尋常光)的插入損失，由于低折射率膜的厚度增厚為0. 3 μ m，因此在短波長側(cè)光損失小，但在長波長側(cè)成為_30dB以上。

[實(shí)施例2]通過與實(shí)施例1記載的內(nèi)容同樣的方法，如圖8所示，確認(rèn)了僅在Ti擴(kuò)散波導(dǎo)的單側(cè)形成有槽時的效果。其結(jié)果如圖9的曲線圖所示。在圖9中，TE模式(尋常光)的插入損失與實(shí)施例1同樣地，在短波長側(cè)光損失小，但在長波長側(cè)成為_30dB以上。如以上說明所示，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種不使用特別的制造工序也能夠穩(wěn)定地對光波導(dǎo)本身附加偏振器作用的波導(dǎo)型偏振器。
權(quán)利要求
1.一種波導(dǎo)型偏振器，具有Z切型的鈮酸鋰基板和形成在該基板上的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)，其特征在于，上述脊形結(jié)構(gòu)的寬度是在上述光波導(dǎo)中傳播的光波的尋常光的光分布變化、且上述光波的非常光的光分布不變化的脊形寬度， 上述脊形結(jié)構(gòu)的角度小于90°，在上述脊形結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成有膜厚滿足0 < η · t/ λ < 0. 3742的條件的低折射率膜，其中，η為折射率，t為膜厚，λ為光波的波長，膜厚、波長的單位為μπι，在上述低折射率膜上形成有膜厚滿足0. 089 ^ η· t/λ的條件的高折射率膜， 上述波導(dǎo)型偏振器具有非常光透過型偏振器的功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)型偏振器，其特征在于，上述低折射率膜的膜厚滿足0. 0935 ^n-t/λ ^ 0. 3742的條件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波導(dǎo)型偏振器，其特征在于，上述低折射率膜的主要成分為SiO2,上述低折射率膜是在SiO2膜中混入雜質(zhì)而控制折射率的膜體。
全文摘要
一種波導(dǎo)型偏振器，不使用特別的制造工序也能夠穩(wěn)定地對光波導(dǎo)本身附加偏振器作用。上述波導(dǎo)型偏振器具有Z切型的鈮酸鋰基板(1)和形成在該基板上的脊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)，其特征在于，該脊形結(jié)構(gòu)的寬度是在該光波導(dǎo)中傳播的光波的尋常光的光分布變化、且該光波的非常光的光分布不變化的脊形寬度，該脊形結(jié)構(gòu)的角度小于90°，在該脊形結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成有膜厚滿足0≤n·t/λ≤0.3742的條件(其中，n為折射率，t為膜厚，λ為光波的波長，膜厚、波長的單位為μm)的低折射率膜(3)，在該低折射率膜上形成有膜厚滿足0.089≤n·t/λ的條件的高折射率膜(4)，上述波導(dǎo)型偏振器具有非常光透過型偏振器的功能。
文檔編號G02B6/27GK102213797SQ201110083660
公開日2011年10月12日 申請日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日
發(fā)明者栗原雅尚, 菅又徹, 近藤勝利 申請人:住友大阪水泥股份有限公司