專利名稱：濾光器及其制造方法、分析設(shè)備以及光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濾光器及其制造方法、分析設(shè)備以及光設(shè)備等。
背景技術(shù)：
提出有使透射波長(zhǎng)可變的干涉濾波器(專利文獻(xiàn)1)。如專利文獻(xiàn)1的圖1所示， 該干涉濾波器具備保持為相互平行的一對(duì)基板、和在這一對(duì)基板上相互對(duì)置且以具有一定間隔間隙的方式形成的一對(duì)反射膜。向一對(duì)反射膜間入射的光因與法布里-珀羅干涉儀相同的原理而被多重反射，特定波段以外的光由于干涉而被抵消，僅有特定波段的光發(fā)生透射。通過使一對(duì)反射膜間的間隙可變，該干涉濾波器起到帶通濾波器的作用，被稱為標(biāo)準(zhǔn)具 (etalon)0一對(duì)反射膜可以由例如專利文獻(xiàn)2所示的電介質(zhì)多層膜、確保高反射率的金屬膜形成。另外，在一對(duì)基板上分別形成接合膜，使各接合膜的表面活化而接合起來(專利文獻(xiàn) 3,4) ο在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開平11-142752號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2009-1；34028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2008-116669號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特許第4337935號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在專利文獻(xiàn)3的接合方法中，一對(duì)基板是借助于在一對(duì)基板上分別形成的金屬膜 (接合膜)而固相接合的。然而，金屬膜的固相接合會(huì)受到表面粗糙度的影響，缺乏接合可靠性。另一方面，專利文獻(xiàn)4的接合方法是用臭氧、紫外線使接合膜活化而接合的。該接合膜的活化工序中，已明確了由金屬或電介質(zhì)多層膜形成的一對(duì)反射膜受到損害而發(fā)生變質(zhì)或惡化，從而反射率可能會(huì)降低。一對(duì)反射膜也會(huì)由于濾光器所配置的環(huán)境而受到臭氧、 紫外線的惡劣影響。因此，在本發(fā)明的若干方式中，提供一種在制造濾光器時(shí)或?qū)嶋H使用時(shí)能保護(hù)一對(duì)反射膜免受臭氧、紫外線的影響而不會(huì)使濾光器特性變差的濾光器及其制造方法、分析設(shè)備以及光設(shè)備。(1)本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的濾光器的制造方法，其特征在于，具有如下工序在第1基板上形成第1接合膜的工序，所述第1基板形成有第1反射膜，在第2基板上形成第2接合膜的工序，所述第2基板形成有第2反射膜，形成第1阻隔膜的工序，所述第1阻隔膜覆蓋所述第1基板的所述第1反射膜的表面，
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形成第2阻隔膜的工序，所述第2阻隔膜覆蓋所述第2基板的所述第2反射膜的表面，利用臭氧或紫外線對(duì)所述第1、第2接合膜分別賦予活化能的工序，以及接合已活化的所述第1、第2接合膜而將所述第1、第2基板黏在一起的工序，所述第1阻隔膜在對(duì)所述第1接合膜賦予活化能之前形成，所述第2阻隔膜在對(duì)所述第2接合膜賦予活化能之前形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，在利用臭氧或紫外線對(duì)第1、第2接合膜賦予活化能時(shí)， 可以利用第1、第2阻隔膜抑制臭氧或紫外線入射到第1、第2反射膜。因此，能夠抑制第1、 第2反射膜因臭氧或紫外線而變質(zhì)或惡化，能夠抑制第1、第2反射膜的反射率降低。(2)在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述第1阻隔膜和所述第1接合膜可以利用同一材料在同一工序中形成，所述第2阻隔膜和所述第2接合膜可以利用同一材料在同一工序中形成。這樣一來，就可以在同一個(gè)工序中實(shí)施用于形成第1阻隔膜的工序以及第1接合膜的成膜工序，可以在同一個(gè)工序中實(shí)施用于形成第2阻隔膜的工序以及第2接合膜的成膜工序，沒有必要增設(shè)用于形成第1、第2阻隔膜的工序。第1、第2阻隔膜與上述第1、第2 接合膜可以用任何方法來制作，例如可以利用等離子體聚合法、CVD法、PVD法之類的各種氣相成膜法、各種液相成膜法等來制作。其中，優(yōu)選利用等離子體聚合法來制作。利用等離子體聚合法，可以高效地制作致密且勻質(zhì)的膜。(3)在本發(fā)明的一個(gè)方式中，上述第1、第2接合膜及上述第1、第2阻隔膜分別含有具有硅氧烷鍵的Si骨架和與上述Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)而形成，在賦予上述第1、第2 接合膜活化能的工序中，包括所述脫離基團(tuán)從所述第1、第2接合膜的所述Si骨架脫離而形成未結(jié)合鍵的工序，在上述第1、第2接合膜的接合工序中，可以包括使已活化的上述第1、 第2接合膜各自的上述未結(jié)合鍵彼此鍵合的工序。這樣一來，在第1、第2接合膜的接合工序中，就可以使已活化的第1、第2接合膜各自的未結(jié)合鍵彼此鍵合，從而將第1、第2基板牢固地接合。第1、第2阻隔膜分別含有具有硅氧烷(Si-O-Si)鍵的Si骨架和與Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)而形成。氣體的通過路徑被硅氧烷鍵阻斷而能夠具有對(duì)臭氧氣體等的高氣體阻隔性。另外，第1、第2阻隔膜由于不具有未結(jié)合鍵因此反應(yīng)性低，而具有難以氧化或硫化的性質(zhì)。進(jìn)而，硅氧烷鍵像SiO2膜那樣能吸收包括紫外線的波段在內(nèi)的200nm以下的波長(zhǎng)。第1、第2阻隔膜即使吸收紫外線而激發(fā)也只是能量狀態(tài)增高，由于硅氧烷鍵的鍵能高于因紫外線而獲得的激發(fā)能，因此狀態(tài)沒有變化。(4)本發(fā)明的另一方式涉及的濾光器，其特征在于，具有第1基板，與所述第1基板對(duì)置的第2基板，設(shè)置在所述第1基板上的第1反射膜，設(shè)置在所述第2基板上的、與所述第1反射膜對(duì)置的第2反射膜，設(shè)置在所述第1基板上的第1接合膜，設(shè)置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜間設(shè)置一定間隔的方式與所述第1接合膜接合的第2接合膜，
在所述第1反射膜表面上形成的第1阻隔膜，以及在所述第2反射膜表面上形成的第2阻隔膜，所述第1阻隔膜的臭氧或紫外線的透過率比所述第1反射膜低，所述第2阻隔膜的臭氧或紫外線的透過率比所述第2反射膜低。該濾光器可以利用第1、第2阻隔膜來抑制臭氧或紫外線入射到第1、第2反射膜。 因此，可以抑制第1、第2反射膜因臭氧或紫外線而發(fā)生變質(zhì)或惡化，可以抑制第1、第2反射膜的反射率降低。由此，在濾光器暴露于紫外線或臭氧環(huán)境中的實(shí)際使用時(shí)、在制造利用臭氧或紫外線賦予第1、第2接合膜以活化能的濾光器時(shí)，可以抑制第1、第2反射膜發(fā)生變質(zhì)或惡化。(5)在本發(fā)明的另一方式中，所述第1阻隔膜的硫化性可以低于所述第1反射膜， 所述第2阻隔膜的硫化性可以低于所述第2反射膜。這樣一來，就可以抑制第1、第2反射膜被硫化氫等硫化而發(fā)生變質(zhì)或惡化。(6)在本發(fā)明的另一方式中，上述第1、第2阻隔膜可以是與利用等離子體聚合法形成的上述第1、第2接合膜同時(shí)形成的等離子體聚合膜。利用等離子體聚合法，不僅可以形成致密且勻質(zhì)的第1、第2阻隔膜和第1、第2接合膜，而且由于不增加成膜工序而可以維持低成本。(7)本發(fā)明的另一方式中，上述第1、第2接合膜和上述第1、第2阻隔膜分別在等離子體聚合時(shí)含有具有硅氧烷鍵的Si骨架和與所述Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)，上述第1、第 2接合膜可以將利用活化能使所述脫離基團(tuán)從所述Si骨架脫離而形成的未結(jié)合鍵彼此鍵合而接合。就第1、第2接合膜而言，活化時(shí)的未結(jié)合鍵彼此鍵合，可以將第1、第2基板牢固地接合。另一方面，就第1、第2阻隔膜各自而言，氣體的通過路徑被硅氧烷鍵阻斷而具有高氣體阻隔性，由于不具有未結(jié)合鍵因此反應(yīng)性低，硅氧烷鍵能夠吸收紫外線。(8)在本發(fā)明的另一方式中，定義了包含上述濾光器的分析設(shè)備。作為這種分析設(shè)備，使由被分析對(duì)象反射、吸收、透射或發(fā)光的光入射到波長(zhǎng)可變的濾光器中，用受光元件接受透過濾光器的各波長(zhǎng)的光，利用運(yùn)算電路對(duì)來自受光元件的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算，由此可以測(cè)定例如各波長(zhǎng)的強(qiáng)度，對(duì)顏色、氣體中的混合成分等進(jìn)行分析。(9)根據(jù)本發(fā)明的其他方式，定義了包含上述濾光器的光設(shè)備。作為這種光設(shè)備， 可以列舉例如光碼分復(fù)用(OCDM :0ptical code Division Multiplexing)、波分復(fù)用(WDM: Wavelength Division Multiplexing)等光復(fù)用通信系統(tǒng)的發(fā)報(bào)機(jī)。WDM中，根據(jù)構(gòu)成光脈沖信號(hào)的光脈沖波長(zhǎng)來識(shí)別通道。OCDM雖然可以根據(jù)符號(hào)化的光脈沖信號(hào)的模式匹配來識(shí)別通道，但是構(gòu)成光脈沖信號(hào)的光脈沖包含不同波長(zhǎng)的光成分。因此，光復(fù)用通信系統(tǒng)的發(fā)報(bào)機(jī)中，有必要使用多個(gè)波長(zhǎng)的光，若使用本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的濾光器，則可以從來自單一光源的光得到多個(gè)波長(zhǎng)的光。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的濾光器整體的縱向剖面圖。圖2是截?cái)鄨D1所示濾光器的一部分的立體示意圖。圖3是模式地表示賦予活化能之前的等離子體聚合膜(第1、第2阻隔膜)的構(gòu)造的示意圖。圖4是模式地表示賦予活化能之后的等離子體聚合膜的構(gòu)造的示意圖。圖5(A) 圖5(C)是分別表示第1基板的第1 第3制造工序的圖。圖6(A) 圖6(C)是分別表示第1基板的第4 第6制造工序的圖。圖7(A) 圖7(D)是分別表示第2基板的第1 第4制造工序的圖。圖8(A) 圖8(D)是分別表示第2基板的第5 第8制造工序的圖。圖9是表示對(duì)活化前的第1、第2接合膜賦予活化能的工序的圖。圖10是表示第1、第2基板的接合工序的圖。圖11是本發(fā)明其他實(shí)施方式即分析設(shè)備的框圖。圖12是表示用圖11所示裝置進(jìn)行的分光測(cè)定操作的流程圖。圖13是本發(fā)明另一實(shí)施方式即光設(shè)備的框圖。符號(hào)說明10-濾光器、20-第1基板、20A1-第1對(duì)置面、20A2-第2對(duì)置面、20A3-第3對(duì)置面、20A4-第4對(duì)置面、30-第2基板、30A-對(duì)置面、40-第1反射膜、50-第2反射膜、60-第 1電極、62-第1配線層、64-第1電極引出部、68-第1引線、70-第2電極、72-第2配線層、 74-第2電極引出部、76-第2引線、80-間隙可變驅(qū)動(dòng)部(靜電驅(qū)動(dòng)器)、100、110-第1、第 2接合膜、100AU10A-活化前的第1、第2接合膜、100BU10B-活化后的第1、第2接合膜、 120-第1阻隔膜、130-第2阻隔膜、200-分析設(shè)備(測(cè)色儀)、300_光設(shè)備、301_Si骨架、 302-硅氧烷鍵、303-脫離基團(tuán)、304-活性鍵(未結(jié)合鍵)、Gl-第1間隙、G2-第2間隙
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)予說明，下面所說的本實(shí)施方式并不是不合理地限定本申請(qǐng)要求保護(hù)的范圍所記載的本發(fā)明內(nèi)容，而本實(shí)施方式中說明的全部構(gòu)成作為本發(fā)明的解決手段未必是必需的。1.濾光器構(gòu)造的概要圖1是本實(shí)施方式的濾光器10的整體的縱向剖面圖，圖2是將濾光器10的一部分截?cái)嗪蟮牧Ⅲw示意圖。圖1及圖2所示的濾光器10包括第1基板20、與第1基板20對(duì)置的第2基板30。本實(shí)施方式中，將第1基板20作為固定基板或基礎(chǔ)基板，將第2基板30 作為可動(dòng)基板或光圈基板，但可以是任一方或雙方為可動(dòng)。第1、第2基板20、30分別由例如鈉鈣玻璃、結(jié)晶玻璃、石英玻璃、鉛玻璃、鉀玻璃、 硼硅酸玻璃、無堿玻璃等各種玻璃、水晶等形成。在本實(shí)施方式中，各基板20、30的構(gòu)成材料為合成石英玻璃。第1、第2基板20、30各自的一邊形成例如IOmm的正方形，作為圓形的光圈發(fā)揮作用的那部分的最大直徑例如是5mm。第1基板20具有與第2基板30對(duì)置的對(duì)置面20A，第2基板30具有與第1基板 20對(duì)置的對(duì)置面30A。在本實(shí)施方式中，對(duì)置面20A形成有例如各自高度不同的第1 第 4對(duì)置面20A1 20A4，對(duì)置面30A平坦地形成。第1基板20的第1對(duì)置面20A1上形成有第1反射膜40，第2對(duì)置面20A2上形成有第1電極60，第3對(duì)置面20A3上形成有第1接合膜100，第4對(duì)置面20A4上形成有相互絕緣的第1配線層及轉(zhuǎn)接配線層62B。第2基板30的對(duì)置面30A上分別形成有與第1反射膜40對(duì)置的第2反射膜50、與第1電極60對(duì)置的第2電極70、與第1接合膜100對(duì)置的第2接合膜110、以及與轉(zhuǎn)接配線層62B對(duì)置的第2配線層72。另外，在第1反射膜40的表面形成有第1阻隔膜120，在第2反射膜50的表面形成有第2阻隔膜130。另外，如圖1所示，在第1、第2基板20、30的外周部形成有用于將第1電極60與外部連接的第1電極引出部64、和用于將第2電極70與外部連接的第2電極引出部74。第 1電極引出部64中，與第1電極60導(dǎo)通的第1配線層62與第1引線68連接。第2電極引出部74中，在第2基板30上形成的第2配線層72借助焊錫等導(dǎo)電件66與第1基板20側(cè)的轉(zhuǎn)接配線層62B導(dǎo)通，轉(zhuǎn)接配線層62B上連接有第2引線76。作為基礎(chǔ)基板的第1基板20，通過蝕刻使厚度形成為例如500 μ m的玻璃基板形成第1 第4對(duì)置面20A1 20A4。第1基板20在與第2基板30對(duì)置的對(duì)置面20A中的中央的第1對(duì)置面20A1上形成有例如圓形的第1反射膜40。第2基板30，通過蝕刻使厚度形成為例如200 μ m的玻璃基板形成如圖2所示的薄壁例如環(huán)狀的光圈部32，其中心位置形成厚壁的反射膜支撐部34。第2基板30在與第1基板20對(duì)置的對(duì)置面30A上在反射膜支撐部34的位置形成有與第1反射膜40對(duì)置的例如圓形的第2反射膜50。第1、第2反射膜40、50形成例如直徑約為3mm的圓形。該第1、第2反射膜40、50 用同一材料以同一厚度形成。第1、第2反射膜40、50例如使用濺射法或蒸鍍法將Ag、Al、 Si02、Ti02、Ta205等材料形成單層膜或?qū)盈B而成膜，最外表面形成Ag、Al等金屬膜。第1、第 2反射膜40、50可以形成單層金屬層，也可以例如將TW2和SW2交替地層疊而形成電介質(zhì)多層膜。進(jìn)而，在與第1、第2基板20、30的各對(duì)置面20A1、20A2、30A相反側(cè)的面，在與第 1、第2反射膜40、50對(duì)應(yīng)的位置可以形成無圖示的防反射膜(AR)。該防反射膜通過將低折射率膜和高折射率膜交替層疊而形成，在第1、第2基板20、30的界面，使可見光的反射率降低，使透射率增大。在表面形成有第1、第2阻隔膜120、130的第1、第2反射膜40、50，隔著圖1所示的第1間隙Gl對(duì)置地配置。另外，在本實(shí)施方式中，將第1反射膜40作為固定鏡，將第2反射膜50作為可動(dòng)鏡，但也可以與上述第1、第2基板20、30的方式相對(duì)應(yīng)地將第1、第2反射膜40、50中的任一方或雙方設(shè)為可動(dòng)。在俯視圖中位于第1反射膜40周圍的位置并在第1基板20的第1對(duì)置面20A1 周圍的第2對(duì)置面20A2上形成有第1電極60。同樣地，在第2基板30的對(duì)置面30A上，與第1電極60對(duì)置地設(shè)置有第2電極70。第1電極60與第2電極70如圖2所示，例如形成環(huán)狀，隔著圖1所示的第2間隙G2對(duì)置地配置。另外，第1、第2電極60、70的表面可以用
絕緣膜覆蓋。在本實(shí)施方式中，第1基板20的對(duì)置面20A具有形成有第1反射膜40的第1對(duì)置面20A1、以及在俯視圖中配置在第1對(duì)置面20A1的周圍并形成有第1電極60的第2對(duì)置面20A2。第1對(duì)置面20A1和第2對(duì)置面20A2可以是同一面，但在本實(shí)施方式中，第1對(duì)置面20A1和第2對(duì)置面20A2之間有高低平面差，第2對(duì)置面20A2設(shè)置在比第1對(duì)置面20A1 更靠近第2基板30的位置。由此，第1間隙61>第2間隙G2的關(guān)系成立。不限于此，也可以是第1間隙Gl <第2間隙G2。第1、第2電極60、70用同一材料以同一厚度形成。第1、第2電極60、70在本實(shí)施方式中，使用以氧化錫為雜質(zhì)摻雜而成的透明ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫)、利用濺射法以例如0. 1 μ m左右的厚度成膜。因此，驅(qū)動(dòng)部的間隙根據(jù)凹部的深度、電極的厚度、 接合膜的厚度來確定。這里，電極部的材料不限于ΙΤ0，材料也可以使用金等金屬，但在本實(shí)施方式中，出于透明且容易確認(rèn)是否放電等理由使用ΙΤ0。此處，一對(duì)第1、第2電極60、70作為使第1、第2反射膜40、50間的第1間隙Gl 的大小可變的間隙可變驅(qū)動(dòng)部80發(fā)揮作用。本實(shí)施方式的間隙可變驅(qū)動(dòng)部80是靜電驅(qū)動(dòng)器。靜電驅(qū)動(dòng)器80對(duì)一對(duì)第1、第2電極60、70賦予電位差，利用由此產(chǎn)生的靜電引力使一對(duì)第1、第2電極60、70間的第2間隙G2的大小可變，由此使第2基板30對(duì)于第1基板20 相對(duì)地移動(dòng)，從而使第1、第2反射膜40、50間的第1間隙Gl的大小可變。另外，間隙可變驅(qū)動(dòng)部80不限于靜電驅(qū)動(dòng)器，也可以用壓電元件等來代替。2.接合膜和阻隔膜在俯視圖中位于第1電極60周圍的位置并在第1基板20的第2對(duì)置面20A2周圍的第3對(duì)置面20A3上形成有第1接合膜100。同樣地，在第2基板30的對(duì)置面30A上與第1接合膜100對(duì)置地設(shè)有第2接合膜110。第1阻隔膜120覆蓋第1反射膜40的表面而形成，用臭氧或紫外線的透過率低于第1反射膜40的材料形成。同樣地，第2阻隔膜130覆蓋第2反射膜50的表面而形成，用臭氧或紫外線的透過率低于第2反射膜50的材料形成。此處，第1、第2接合膜100、110可以在通過臭氧或紫外線照射而被賦予活化能后進(jìn)行接合。并且，第1阻隔膜120可以在至少對(duì)第1接合膜100賦予活化能之前形成，第2 阻隔膜130可以在至少對(duì)第2接合膜110賦予活化能之前形成。這樣一來，在通過臭氧或紫外線照射對(duì)第1接合膜100或第2接合膜110賦予活化能時(shí)，就可以抑制臭氧或紫外線入射到第1反射膜40或第2反射膜50。這樣，第1、第2反射膜40、50可以抑制因暴露于臭氧、紫外線中而發(fā)生變質(zhì)或惡化，抑制反射率降低。第1、第2反射膜40、50尤其是在作為高反射膜時(shí)有時(shí)會(huì)使用金屬膜例如Ag、Al 等。這些金屬膜的耐環(huán)境性差，例如會(huì)由于暴露在氧等離子體的臭氧中或者暴露在通過照射紫外線而產(chǎn)生的臭氧中而使得金屬氧化膜發(fā)生變質(zhì)。進(jìn)而，金屬膜如果被紫外線照射會(huì)因光電效應(yīng)而使金屬原子離子化，變得容易氧化或硫化。另一方面，作為第1、第2反射膜 40,50即使使用電介質(zhì)多層膜，也會(huì)由于電介質(zhì)多層膜用金屬氧化膜等形成而難以與氧發(fā)生本來的反應(yīng)，有可能受到物理破壞或者過度氧化而使膜質(zhì)發(fā)生變化。本實(shí)施方式中，利用第1、第2阻隔膜120、130抑制了第1、第2反射膜40、50的這些變質(zhì)、惡化。另外，第1、第2阻隔膜120、130的形成時(shí)期未必限于賦予活化能工序之前。這是因?yàn)樵跒V光器10組裝到使用紫外線的設(shè)備時(shí)，就可以保護(hù)第1、第2反射膜免受臭氧、紫外線的影響。這樣，在考慮濾光器10的實(shí)際使用時(shí)，如果從長(zhǎng)期保護(hù)第1、第2反射膜40、50 的觀點(diǎn)來講，第1、第2阻隔膜120、130優(yōu)選是除了耐受臭氧或紫外線以外、耐環(huán)境性也強(qiáng)的膜質(zhì)。特別是，第1、第2阻隔膜120、130優(yōu)選還具有如下特性與第1、第2反射膜40、50 相比較，與硫化氫(H2S)等的反應(yīng)性(硫化性)更低、與鹵素類的反應(yīng)性(鹵化性)更低、 從作為商品的可靠性角度考慮耐濕性更高等其他特性。這里，第1、第2接合膜100、110可以是利用等離子體聚合法成膜而得到的等離子體聚合膜。此時(shí)，第1、第2阻隔膜120、130可以是與第1、第2接合膜100、110同時(shí)形成的等離子體聚合膜。這樣，就可以將第1、第2阻隔膜120、130的成膜工序兼用作第1、第2接合膜100、110的成膜工序，沒必要增加制造工序，因此可以維持濾光器10的低成本化。在等離子體聚合時(shí)，第1、第2接合膜100、110及第1、第2阻隔膜120、130各自可以含有具有硅氧烷(Si-O-Si)鍵的Si骨架和與Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)。圖3模式地示出了這種等離子體聚合膜的構(gòu)造。圖3示出了由等離子體聚合膜形成的第1、第2阻隔膜120、130的構(gòu)造，并且，與由等離子體聚合膜形成的第1、第2接合膜 100、110的賦予活化能之前的構(gòu)造是相同的。因此，下面參照?qǐng)D3對(duì)第1、第2阻隔膜120、 130進(jìn)行說明，此說明也適用于第1、第2接合膜100、110賦予活化能之前的第1、第2接合膜100A、1 IOA(參照后述的圖6(C)及圖8(D))。另外，圖4示出了通過活化能使具有圖3所示構(gòu)造的賦予活化能之前的第1、第2 接合膜100A、110A活化后的第1、第2接合膜100B、110B(參照后述的圖9)的構(gòu)造。第1、第2阻隔膜120、130如圖3所示，活化后的第1、第2接合膜100B、110B如圖 4所示，均含有硅氧烷(Si-O-Si)鍵302，具有例如具有不規(guī)則原子構(gòu)造的Si骨架301。圖 3所示的第1、第2阻隔膜120、130具有與Si骨架301鍵合的脫離基團(tuán)303。另一方面，圖 4所示的活化后的第1、第2接合膜100B、110B，脫離基團(tuán)303從Si骨架301脫離而具有活性鍵(未結(jié)合鍵)304。另外，活性鍵304也包括在Si骨架301中未被終端化的結(jié)合鍵(以下也稱為“未結(jié)合鍵”或“懸掛鍵”)和該未結(jié)合鍵被羥基(0H基)終端化的鍵。第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、110B由于含有硅氧烷鍵302且受到具有不規(guī)則原子構(gòu)造的Si骨架301的影響而形成難以變形的堅(jiān)固的膜?？紤]這是由于Si骨架301的結(jié)晶性降低，因而不易產(chǎn)生晶界的錯(cuò)位、偏離等缺陷的緣故。因此，膜自身的接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性和尺寸精度提高，在最終獲得的第1、第2接合膜100、 110及第1、第2阻隔膜120、130中，可以得到耐化學(xué)藥品性及尺寸精度高的膜，第1、第2阻隔膜120、130可以得到高的接合強(qiáng)度。上述第1、第2阻隔膜120、130的特性也可以由具有包含硅氧烷(Si_0_Si)鍵302 的Si骨架301、和與Si骨架301鍵合的脫離基團(tuán)303的構(gòu)造來進(jìn)行說明。即，氣體的通過路徑被硅氧烷(Si-O-Si)鍵302阻斷而能夠具有高氣體阻隔性。另外，第1、第2阻隔膜 120、130由于不具有圖4所示的未結(jié)合鍵304，因此反應(yīng)性低，具有難以氧化或硫化的性質(zhì)。 進(jìn)而，硅氧烷(Si-O-Si)鍵302像SiO2那樣會(huì)吸收包括紫外線波段在內(nèi)的200nm以下的波長(zhǎng)。第1、第2阻隔膜120、130即使吸收紫外線而激發(fā)也只是能量狀態(tài)增高，由于硅氧烷 (Si-O-Si)鍵302的鍵能比因紫外線而得到的激發(fā)能高，因此狀態(tài)沒有變化。具有圖3構(gòu)造的賦予活化能之前的第1、第2接合膜100A、110A如被賦予活化能， 則脫離基團(tuán)303從Si骨架301脫離，如圖4所示，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304。由此，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面呈現(xiàn)粘合性，第1、第2接合膜100B、110B的活性鍵304中的未結(jié)合鍵彼此鍵合，由此得到圖1所示的接合后的第1、第2接合膜100、110。具備已活化的第1接合膜100B的第1基板20可以以較高的尺寸精度牢固且高效地與具備已活化的第2接合膜IlOB的第2基板30接合。第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、IlOB成為不具有流動(dòng)性的固體狀。因此，與以往具有流動(dòng)性的液態(tài)或粘液狀的粘合劑相比，膜的厚度和形狀幾乎沒有變化。由此，膜的尺寸精度與以往相比有顯著提高。進(jìn)而，無需粘結(jié)劑固化所需的時(shí)
10間，因此以短時(shí)間就能牢固地接合。第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110特別優(yōu)選在從構(gòu)成膜的全部原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率和0原子的含有率的總計(jì)為10 90原子％左右，更優(yōu)選20 80原子％左右。如果Si原子和0原子的含有率在該范圍內(nèi)，則對(duì)于接合膜31而言，Si原子和0原子形成牢固的網(wǎng)絡(luò)，對(duì)于第1、第2阻隔膜120、130及第1、 第2接合膜100、110而言，膜自身變得牢固。另外，第1、第2接合膜100、110可以以較高的接合強(qiáng)度將第1、第2基板20、30接合。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si原子和0原子的存在比例優(yōu)選是3 7 7 3左右，更優(yōu)選4 6 6 4左右。通過將Si原子和 0原子的存在比例設(shè)定在該范圍內(nèi)，膜的穩(wěn)定性提高。由此，第1、第2接合膜100、110可以以較高的接合強(qiáng)度將第1、第2基板20、30接合。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si骨架301的結(jié)晶度優(yōu)選是45%以下，更優(yōu)選40%以下。由此，Si骨架301成為充分地包含不規(guī)則原子構(gòu)造的結(jié)構(gòu)。因此，使上述的Si骨架301的特性明顯。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110優(yōu)選在其構(gòu)造中包含 Si-H鍵。該Si-H鍵是硅烷經(jīng)等離子體聚合法在發(fā)生聚合反應(yīng)時(shí)在聚合物中生成的，認(rèn)為此時(shí)Si-H鍵會(huì)阻礙有規(guī)則地進(jìn)行硅氧烷鍵的生成。因此，硅氧烷鍵是為了避免Si-H鍵而形成的，Si骨架301的原子構(gòu)造的規(guī)則性降低。這樣一來，利用等離子體聚合法，可以高效地形成結(jié)晶度低的Si骨架301。另一方面，并不是說第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的 Si-H鍵的含有率越多結(jié)晶度就越低。具體來講，在紅外吸收光譜中，將歸屬于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時(shí)，歸屬于Si-H鍵的峰強(qiáng)度優(yōu)選在0. 001 0. 2左右，更優(yōu)選0. 002 0. 05左右，進(jìn)而優(yōu)選0. 005 0. 02左右。通過使Si-H鍵與硅氧烷鍵的比例在該范圍內(nèi)，原子構(gòu)造就相對(duì)地最為不規(guī)則。因此，Si-H鍵的峰強(qiáng)度與硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度之比在該范圍內(nèi)時(shí)，第 1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐化學(xué)藥品性及尺寸精度特別優(yōu)異， 第1、第2接合膜100、110的接合強(qiáng)度也優(yōu)異。另外，與Si骨架301鍵合的脫離基團(tuán)303如上所述，通過從Si骨架301脫離，而起到使接合膜31產(chǎn)生活性鍵的作用。因此，通過對(duì)脫離基團(tuán)303賦予能量，可以比較簡(jiǎn)單且均一地脫離脫離基團(tuán)，但在未賦予能量時(shí)，有必要切實(shí)可靠地鍵合在Si骨架301上以便不發(fā)生脫離。從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，脫離基團(tuán)303優(yōu)選使用包含H原子、B原子、C原子、N原子、0原子、P原子、S原子及鹵素系原子、或者這些原子的基團(tuán)，從以與Si骨格301鍵合的方式配置有這些原子的原子團(tuán)中選擇的至少一種構(gòu)成的基團(tuán)。該脫離基團(tuán)303對(duì)賦予能量導(dǎo)致的鍵合/脫離的選擇性比較優(yōu)異。因此，這種脫離基團(tuán)303能充分滿足上述的必要性，可以得到更高的第1、第2接合膜100、110的粘合性。另外，作為上述那樣的以與Si骨架301鍵合的方式配置有各原子的原子團(tuán)(基團(tuán))，可以列舉例如甲基、乙基之類的烷基、乙烯基、烯丙基之類的烯基、醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、商代烷基、巰基、磺酸基、氰基、異氰酸酯基等。在這些各基團(tuán)中，脫離基團(tuán)303特別優(yōu)選是烷基。烷基的化學(xué)穩(wěn)定性高，因此包含烷基的第1、第2阻隔膜120、130的耐候性及耐化學(xué)藥品性等阻隔性優(yōu)異。這里，當(dāng)脫離基團(tuán)303為甲基(-CH3)時(shí)，其優(yōu)選的含有率由紅外吸收光譜中的峰強(qiáng)度作以下規(guī)定。即，在紅外吸收光譜中，當(dāng)將歸屬于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時(shí)，歸屬于甲基的峰強(qiáng)度優(yōu)選是0. 05 0. 45左右，更優(yōu)選是0. 1 0. 4左右，進(jìn)而優(yōu)選是0. 2 0. 3 左右。通過使甲基的峰強(qiáng)度相對(duì)于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度比例在該范圍內(nèi)，就可以防止甲基阻礙硅氧烷鍵生成為必需以上，且活化后的第1、第2接合膜100B、110B中產(chǎn)生必要且足夠個(gè)數(shù)的活性鍵304，因此活化后的第1、第2接合膜100B、110B產(chǎn)生足夠的粘合性。另外，第1、 第2阻隔膜120、130呈現(xiàn)出由甲基所帶來的足夠的耐候性及耐化學(xué)藥品性等阻隔性。作為具有這種特征的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的構(gòu)成材料，可以列舉例如聚有機(jī)硅氧烷這樣的包含硅氧烷鍵的聚合物等。由聚有機(jī)硅氧烷構(gòu)成的膜，其自身具有優(yōu)異的機(jī)械特性。另外，對(duì)許多材料都顯示出特別優(yōu)異的粘合性。因此，由聚有機(jī)硅氧烷構(gòu)成的第1、第2接合膜100、110顯示出特別強(qiáng)的粘附力，其結(jié)果，可以將第1、第2基板20、30牢固地接合。另外，聚有機(jī)硅氧烷通常顯示出疏水性(非粘合性)，但通過被賦予活化能而可以容易地使有機(jī)基團(tuán)脫離，親水性發(fā)生變化，從而呈現(xiàn)出粘合性，具有容易且可靠地對(duì)該非粘合性和粘合性進(jìn)行控制的優(yōu)點(diǎn)。另外，該疏水性(非粘合性)主要是由于聚有機(jī)硅氧烷中所含的烷基所帶來的作用。因此，由聚有機(jī)硅氧烷構(gòu)成的活化前的第1、第2接合膜100A、1 IOA通過被賦予活化能還具有如下優(yōu)點(diǎn)使得表面呈現(xiàn)粘合性，并且表面以外的部分會(huì)得到由上述的烷基帶來的作用、效果。因此，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐候性及耐化學(xué)藥品性優(yōu)異。此外，在聚有機(jī)硅氧烷中，尤其優(yōu)選以八甲基三硅氧烷的聚合物為主要成分。以八甲基三硅氧烷的聚合物為主要成分的第1、第2接合膜100、110的粘合性尤其優(yōu)異，所以特別優(yōu)選。另外，以八甲基三硅氧烷為主要成分的原料在常溫下為液態(tài)，具有適度的粘度，因此還具有容易處理的優(yōu)點(diǎn)。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的平均厚度優(yōu)選1 IOOOnm左右，更優(yōu)選2 SOOnm左右。通過使第1、第2接合膜100、110的平均厚度在該范圍內(nèi)，不僅可以防止尺寸精度顯著降低，而且可以更牢固地將第1、第2基板20、30接合。即， 在其平均厚度低于下限值時(shí)，可能無法得到足夠的接合強(qiáng)度，而平均厚度高于上限值時(shí)，有可能尺寸精度顯著降低。進(jìn)而，若平均厚度在上述范圍內(nèi)，則可以確保某種程度的形狀追隨性。因此，即使在第1、第2基板20、30的接合面上存在凹凸，其凹凸的高度也不同，但可以使第1、第2接合膜100、110粘附從而追隨凹凸的形狀。其結(jié)果是，第1、第2接合膜100、110可以吸收凹凸，緩解在其表面產(chǎn)生的凹凸高度，可以提高相互的密合性。這樣的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110可以用任何方法制作，可以利用等離子體聚合法、CVD法、PVD法之類的各種氣相成膜法、各種液相成膜法等來制作，在這些方法中優(yōu)選用等離子體聚合法制作。若利用等離子體聚合法，則可以高效地制成致密且勻質(zhì)的膜。由此，用等離子體聚合法制成的第1、第2接合膜100、110可以將第1、 第2基板20、30特別牢固地接合。進(jìn)而，用等離子體聚合法制成的第1、第2接合膜100、110被賦予活化能，活化后的狀態(tài)能維持較長(zhǎng)的時(shí)間。因此，可以實(shí)現(xiàn)濾光器10的制造過程的簡(jiǎn)單化、高效化。3.濾光器的制造方法3. 1.第1基板20的制造工序圖5㈧ 圖5(C)及圖6㈧ 圖6(C)示出了第1基板20的制造工序。首先，如圖5 (A)所示，將合成石英玻璃基板的兩面進(jìn)行鏡面研磨，制作厚度500 μ m的第1基板20。接著，在第1基板20的兩面20A、20B上，形成由厚度例如為50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜構(gòu)成的掩模層(在圖5(B)中省略了，但與圖7(B)的掩模層140、141 相同)，在單面20A側(cè)的掩模層上涂布抗蝕劑(未圖示)，在單面20A上實(shí)施用于形成凹部 22的抗蝕圖案形成，該凹部22用于形成第1對(duì)置面20A1。然后，用碘和碘化鉀的混合液對(duì)抗蝕劑開口部的Au膜進(jìn)行蝕刻，用硝酸鈰銨水溶液對(duì)Cr膜進(jìn)行蝕刻，用氫氟酸水溶液以例如約1.5μπι的深度對(duì)凹部22進(jìn)行濕法蝕刻(參照?qǐng)D5(B))。然后，將抗蝕劑及掩模層從第 1基板20上剝離。接著，在第1基板20的兩面20Α、20Β形成掩模層，在單面20Α的掩模層上涂布抗蝕劑(未圖示)，在形成有凹部22的面20Α上，進(jìn)一步實(shí)施用于形成第2、第4對(duì)置面20Α2、 20Α4的抗蝕圖案形成。然后，對(duì)抗蝕劑開口部的Au膜和Cr膜進(jìn)行蝕刻，例如用氫氟酸水溶液以約Iym的深度對(duì)單面20Α進(jìn)行濕法蝕刻(參照?qǐng)D5(C))。由此，在第1基板20的對(duì)置面20Α上同時(shí)形成第2、第4對(duì)置面20Α2、20Α4，與此同時(shí)，未被蝕刻的對(duì)置面20Α就成為第 3對(duì)置面20Α3。之后，將抗蝕劑和掩模層從第1基板20上剝離。接下來，在第1基板20的已蝕刻的面上使用濺射法以例如0. 1 μ m的厚度形成整個(gè)面的ITO膜。在該ITO膜上涂布抗蝕劑，實(shí)施抗蝕圖案的形成，例如用硝酸和鹽酸的混合液對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕刻，剝離抗蝕劑。由此，在第1基板20的第2對(duì)置面20A2上形成第1電極60，在第1基板20的第4對(duì)置面20A4上形成第1配線層62 (參照?qǐng)D6 (A))。接著，僅在第1基板20上的第1反射膜40的形成區(qū)域?qū)嵤╅_口用的抗蝕圖案形成，利用濺射法或蒸鍍法將反射膜材料成膜。使第1反射膜材料從第2基板20側(cè)以例如厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的順序?qū)盈B。然后，通過將抗蝕劑剝離， 第1反射膜材料被拿走，僅在抗蝕劑上有開口的區(qū)域殘留第1反射膜材料，形成第1反射膜 40(參照?qǐng)D6(B))。然后，僅在應(yīng)當(dāng)形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120的區(qū)域?qū)嵤╅_口用的抗蝕圖案形成，利用等離子體CVD法以厚度例如30nm形成兼作接合膜及阻隔膜的等離子體聚合膜。等離子體聚合膜的主要材料優(yōu)選上述的聚有機(jī)硅氧烷。就等離子體聚合而言，在一對(duì)電極間施加的高頻功率的頻率為1 100kHz，優(yōu)選是10 60kHz，腔體內(nèi)壓力為IX 10_5 lOTorr，優(yōu)選 1Χ1(Γ4 11^01^(133. 3 X10—4 133. 3Pa)，原料氣體流量為 0. 5 200sccm， 優(yōu)選1 lOOsccm，載氣流量為5 750sccm，優(yōu)選10 500sccm，處理時(shí)間為1 10分鐘， 優(yōu)選4 7分鐘。然后，通過將抗蝕劑剝離，等離子體聚合膜被拿走，形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120(參照?qǐng)D6(C))。由此，第1基板20完成。3. 2.第2基板30的制造工序圖7㈧ 圖7(D)及圖8㈧ 圖8(D)示出了第2基板30的制造工序。首先，對(duì)合成石英玻璃基板的兩面進(jìn)行鏡面研磨，制作厚度200 μ m的第2基板30 (參照?qǐng)D7 (A))。接著，在第2基板30的兩面30A、30B上形成由厚度為例如50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜構(gòu)成的掩模層140、142 (參照?qǐng)D7 (B))。接著，在第2基板30的掩模層140上涂布抗蝕劑(未圖示)，在單面30B實(shí)施用于形成光圈部32(參照?qǐng)D幻的抗蝕圖案形成。然后，用碘和碘化鉀的混合液對(duì)掩模層140的 Au膜進(jìn)行蝕刻，用硝酸鈰銨水溶液對(duì)掩模層140的Cr膜進(jìn)行蝕刻，形成圖案化后的掩模層 141(參照?qǐng)D 7(C))。接著，將第2基板30浸入氫氟酸水溶液中，對(duì)光圈部32蝕刻如約150 μ m(參照?qǐng)D 7 (D))。光圈部32的厚度達(dá)到例如約50 μ m,包括反射膜支撐部34的壁厚區(qū)域殘留200 μ m
的厚度。接著，分別將第2基板30的兩面30A、30B上附著的抗蝕劑、掩模層141、142剝離 (參照?qǐng)D8(A))。接著，在第2基板30的與抗蝕劑面30B相反的面30A上，使用濺射法將ITO膜以例如0. 1 μ m的厚度成膜。在該ITO膜上涂布抗蝕劑，實(shí)施用于形成第2電極70及第2配線層72的抗蝕圖案形成，用硝酸和鹽酸的混合液對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕刻。然后，將抗蝕劑從第 2基板30上除去(參照?qǐng)D8(B))。接著，在第2基板30上形成有第2電極70的單面30A上，僅在第2反射膜50的形成區(qū)域?qū)嵤┻M(jìn)行開口的抗蝕圖案形成，利用濺射法或蒸鍍法將第2反射膜材料成膜。作為成膜例子，從第2基板30側(cè)以厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的順序?qū)盈B。然后，通過將抗蝕劑剝離，第2反射膜材料被拿走，形成第2反射膜50(參照?qǐng)D 8(C))。接著，僅在應(yīng)該形成第2接合膜IlOA及第2阻隔膜130的區(qū)域?qū)嵤╅_口用的抗蝕圖案形成，利用等離子體CVD法以例如30nm的厚度形成兼作接合膜及阻隔膜的等離子體聚合膜。等離子體聚合膜的主要材料優(yōu)選上述的聚有機(jī)硅氧烷。然后，通過將抗蝕劑剝離，等離子體聚合膜被拿走，形成第2接合膜1IOA及第2阻隔膜130 (參照?qǐng)D8 (D))。由此，第2 基板30完成。3. 3.第1、第2基板的接合工序圖9及圖10示出了第1、第2基板20、30的接合工序。圖9模式地示出了對(duì)活性化前的第1、第2接合膜100A、110A賦予活化能的工序。對(duì)第1、第2接合膜100A、110A賦予活化能的方法有很多種，但這里以兩個(gè)例子進(jìn)行說明。一個(gè)例子是，利用臭氧進(jìn)行活化，例如可以舉出O2等離子體處理。O2等離子體處理的情況，在A流量例如為20 40cc/分鐘、壓力例如為20 35Pa、RF功率例如為150 250W的條件下，在等離子體處理容器中以例如每10 40秒對(duì)第1、第2基板20、30分別進(jìn)行處理。另一個(gè)例子是，利用紫外線(UV)照射進(jìn)行活化，例如作為UV光源使用發(fā)光波長(zhǎng) 150 300nm，優(yōu)選使用160 200nm，對(duì)活化前的第1、第2接合膜100A、110A以間距3 3000nm、優(yōu)選10 IOOOnm照射1 10分鐘例如數(shù)分鐘的紫外線。例如可以如圖9所示使第1、第2基板20、30層疊，使紫外線透射例如石英玻璃制的第1基板20和/或第2基板 30來照射紫外線。或者也可以對(duì)第1、第2基板20、30分別進(jìn)行處理，對(duì)活化前的第1、第2接合膜100A、1 IOA直接照射紫外線。在該活化能賦予工序中，如上所述，脫離基團(tuán)303從活化前的第1、第2接合膜 100AUIOA的Si骨架301上脫離，賦予活化能后的第1、第2接合膜100B、IlOB產(chǎn)生活性鍵 304而被活化。另外，在活化能賦予工序中，如上所述，第1、第2阻隔膜120、130可以保護(hù)第1、第2反射膜40、50免受臭氧或紫外線的影響。賦予活化能后，進(jìn)行第1、第2基板20、30的調(diào)整，如圖10所示，將第1、第2基板 20、30重疊，并施加荷重。此時(shí)，如上所述，賦予活化能后的第1、第2接合膜100B、110B的活性鍵(未結(jié)合手)304彼此鍵合，將第1、第2接合膜100、110牢固地接合。由此，第1、第 2基板20、30彼此的接合完成。之后，形成圖1所示的第1電極引出部64、和用于將第2電極70與外部連接的第2電極引出部74，濾光器10完成。4.分析設(shè)備圖11是表示本發(fā)明所涉及的一實(shí)施方式的分析設(shè)備的一例、即測(cè)色儀的大致構(gòu)成的框圖。在圖11中，測(cè)色儀200具備光源裝置202、分光測(cè)定裝置203和測(cè)色控制裝置204。 該測(cè)色儀200從光源裝置202向檢測(cè)對(duì)象A射出例如白色光，使由檢測(cè)對(duì)象A反射的光即檢測(cè)對(duì)象光入射到分光測(cè)定裝置203。接著，用分光測(cè)定裝置203對(duì)檢測(cè)對(duì)象光進(jìn)行分光， 實(shí)施對(duì)分光后的各波長(zhǎng)的光的光量進(jìn)行測(cè)定的分光特性測(cè)定。換言之，使由檢測(cè)對(duì)象A反射的光即檢測(cè)對(duì)象光入射到濾光器(標(biāo)準(zhǔn)具)10，實(shí)施對(duì)從標(biāo)準(zhǔn)具10透射的透射光的光量進(jìn)行測(cè)定的分光特性測(cè)定。接著，測(cè)色控制裝置204基于所得到的分光特性，對(duì)檢測(cè)對(duì)象A 的測(cè)色處理，即，對(duì)什么波長(zhǎng)的顏色含量多少進(jìn)行分析。光源裝置202具備光源210、多個(gè)透鏡212(圖11中僅有一個(gè))，將白色光向檢測(cè)對(duì)象A射出。另外，多個(gè)透鏡212包括準(zhǔn)直透鏡，光源裝置202利用準(zhǔn)直透鏡將從光源210 射出的白色光變成平行光，從未圖示的投射透鏡向檢測(cè)對(duì)象A射出。分光測(cè)定裝置203如圖11所示，具備標(biāo)準(zhǔn)具10、包括受光元件的受光部220、驅(qū)動(dòng)電路230和控制電路部M0。另外，分光測(cè)定裝置203在與標(biāo)準(zhǔn)具10對(duì)置的位置具備將由檢測(cè)對(duì)象A反射的反射光(測(cè)定對(duì)象光)導(dǎo)入內(nèi)部的未圖示的入射光學(xué)透鏡。受光部220由多個(gè)光電交換元件(受光元件)構(gòu)成，產(chǎn)生與受光量對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。 并且，受光部220與控制電路部240連接，將產(chǎn)生的電信號(hào)作為受光信號(hào)輸出到控制電路部 240 0另外，可以將標(biāo)準(zhǔn)具10和受光部(受光元件)220進(jìn)行單元化，由此構(gòu)成濾光器模塊。驅(qū)動(dòng)電路230與標(biāo)準(zhǔn)具10的第1電極60、第2電極70及控制電路部240連接。 該驅(qū)動(dòng)電路230基于從控制電路部240輸入的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，在第1電極60及第2電極70 間施加驅(qū)動(dòng)電壓，使第2基板30移動(dòng)到規(guī)定的變位位置。作為驅(qū)動(dòng)電壓，以在第1電極60 和第2電極70之間產(chǎn)生所需電壓的方式施加即可，例如可以對(duì)第1電極60施加規(guī)定電壓， 將第2電極70作為地電位。作為驅(qū)動(dòng)電壓，優(yōu)選使用直流電壓?？刂齐娐凡?40對(duì)分光測(cè)定裝置203的整體操作進(jìn)行控制。該控制電路部240如圖11所示，由例如CPU250、存儲(chǔ)部260等構(gòu)成。而且，CPU250基于在存儲(chǔ)部沈0中存儲(chǔ)的各種程序、各種數(shù)據(jù)實(shí)施分光測(cè)定處理。存儲(chǔ)部260具備例如存儲(chǔ)器或硬盤等存儲(chǔ)介質(zhì)而構(gòu)成，可以將各種程序、各種數(shù)據(jù)等適當(dāng)?shù)刈x出并存儲(chǔ)。此處，存儲(chǔ)部沈0中，作為程序存儲(chǔ)了電壓調(diào)整部、間隙測(cè)定部沈2、光量識(shí)別部263及測(cè)定部沈4。另外，間隙測(cè)定部262如上述也可以省略。另外，存儲(chǔ)部260中存儲(chǔ)了與用于調(diào)整第1間隙Gl的間隔而施加于靜電驅(qū)動(dòng)器80 的電壓值和施加該電壓值的時(shí)間相關(guān)聯(lián)的電壓表數(shù)據(jù)265。測(cè)色控制裝置204與分光測(cè)定裝置203及光源裝置202連接，實(shí)施光源裝置202 的控制、基于由分光測(cè)定裝置203取得的分光特性的測(cè)色處理。作為該測(cè)色控制裝置204， 可以使用例如通用的個(gè)人電腦、便攜式信息終端、除此之外還有測(cè)色專用電腦等。而且，測(cè)色控制裝置204如圖11所示，具備光源控制部272、分光特性取得部270 及測(cè)色處理部271等而構(gòu)成。光源控制部272與光源裝置202連接。并且，光源控制部272基于例如利用者的設(shè)定輸入，對(duì)光源裝置202輸出規(guī)定的控制信號(hào)，使規(guī)定亮度的白色光從光源裝置202射出。分光特性取得部270與分光測(cè)定裝置203連接，取得從分光測(cè)定裝置203輸入的分光特性。測(cè)色處理部271基于分光特性實(shí)施對(duì)檢測(cè)對(duì)象A的色度進(jìn)行測(cè)定的測(cè)色處理。例如，測(cè)色處理部271將從分光測(cè)定裝置203取得的分光特性圖形化，實(shí)施向未圖示的打印機(jī)、顯示器等輸出裝置進(jìn)行輸出等的處理。圖12是表示分光測(cè)定裝置203的分光測(cè)定操作的流程圖。首先，控制電路部240 的CPU250使電壓調(diào)整部沈1、光量識(shí)別部263及測(cè)定部264啟動(dòng)。另外，作為CPU250的初始狀態(tài)，將測(cè)定次數(shù)變量η初始化(設(shè)定為η = 0)(步驟Si)。另外，測(cè)定次數(shù)變量η取0 以上的整數(shù)值。然后，測(cè)定部264在初始狀態(tài)、即未對(duì)靜電驅(qū)動(dòng)器80施加電壓的狀態(tài)下，對(duì)透射標(biāo)準(zhǔn)具10的光的光量進(jìn)行測(cè)定(步驟S》。另外，該初始狀態(tài)下的第1間隙Gl的大小，例如可以在制造分光測(cè)定裝置時(shí)預(yù)先進(jìn)行測(cè)定并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部沈0中。而且，將此處得到的初始狀態(tài)的透射光的光量及第1間隙Gl的大小輸出到測(cè)色控制裝置204。接著，電壓調(diào)整部261讀取在存儲(chǔ)部沈0中存儲(chǔ)的電壓表數(shù)據(jù)沈5(步驟。另外，電壓調(diào)整部261在測(cè)定次數(shù)變量η上加上“1” (步驟S4)。然后，電壓調(diào)整部261從電壓表數(shù)據(jù)265取得與測(cè)定次數(shù)變量η對(duì)應(yīng)的第1、第2 段電極62、64的電壓數(shù)據(jù)及電壓施加期間數(shù)據(jù)(步驟S5)。而且，電壓調(diào)整部261對(duì)驅(qū)動(dòng)電路230輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，實(shí)施按照電壓表數(shù)據(jù)265的數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)靜電驅(qū)動(dòng)器80的處理 (步驟S6)。另外，測(cè)定部264在施加時(shí)間經(jīng)過時(shí)機(jī)實(shí)施分光測(cè)定處理(步驟S7)。S卩，測(cè)定部 264利用光量識(shí)別部263來測(cè)定透射光的光量。另外，測(cè)定部264對(duì)將分光測(cè)定結(jié)果向測(cè)色控制裝置204輸出進(jìn)行控制，所述分光測(cè)定結(jié)果是與測(cè)得的透射光的光量和透射光的波長(zhǎng)關(guān)聯(lián)的。另外，光量的測(cè)定可以如下進(jìn)行，即，預(yù)先將多次或所有次數(shù)的光量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部260中，在取得多次光量的數(shù)據(jù)或全部光量的數(shù)據(jù)后，綜合，就得到各自的光量。然后，CPU250對(duì)測(cè)定次數(shù)變量η是否達(dá)到最大值N進(jìn)行判斷(步驟S8)，如果判斷測(cè)定次數(shù)變量η為N，則結(jié)束一系列的分光測(cè)定操作。另一方面，在步驟S8中，當(dāng)測(cè)定次數(shù)變量η小于N時(shí)，返回步驟S4，實(shí)施在測(cè)定次數(shù)變量η上加上“ 1 ”的處理，重復(fù)步驟S5 步驟S8的處理。5.光設(shè)備
圖13示出了本發(fā)明涉及的一實(shí)施方式的光設(shè)備的一例即波分復(fù)用通信系統(tǒng)的發(fā)報(bào)機(jī)的大致構(gòu)成的框圖。在波分復(fù)用(WDM =Wavelength Division Multiplexing)通信中， 利用波長(zhǎng)不同的信號(hào)互不干涉的特性，將波長(zhǎng)不同的多個(gè)光信號(hào)在一根光纖內(nèi)多重使用， 不增設(shè)光纖線路就能夠使數(shù)據(jù)的傳送量提高。在圖13中，波分復(fù)用發(fā)報(bào)機(jī)300具有來自光源310的光所入射的濾光器10，多個(gè)波長(zhǎng)λ 0、λ 1、λ 2、…的光從濾光器10透射。每個(gè)波長(zhǎng)都設(shè)置發(fā)報(bào)機(jī)311、312、313。將來自發(fā)報(bào)機(jī)311、312、313的多通道的光脈沖信號(hào)用波分復(fù)用裝置321復(fù)合成一個(gè)信號(hào)，然后輸送到一根光纖傳送路331。本發(fā)明可以同樣地應(yīng)用于光碼分復(fù)用(OCDM :0ptical Code DivisionMultiplexing)發(fā)報(bào)機(jī)。OCDM利用符號(hào)化的光脈沖信號(hào)的圖案匹配來識(shí)別通道， 這是因?yàn)闃?gòu)成光脈沖信號(hào)的光脈沖包含不同波長(zhǎng)的光成分。上面對(duì)幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地理解在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明的范圍及效果的很多變形例都是可行的。因此，這種變形例全部包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在說明書或附圖中，至少一次與更廣義或意義相同的不同用語一起記載的用語，在說明書或附圖中的所有位置都可以替換成該不同的用語。
權(quán)利要求
1.一種濾光器的制造方法，其特征在于，具有如下工序在第1基板上形成第1接合膜的工序，所述第1基板形成有反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第1反射膜，在第2基板上形成第2接合膜的工序，所述第2基板形成有反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第2反射膜，形成第1阻隔膜的工序，所述第1阻隔膜覆蓋所述第1基板的所述第1反射膜的表面而保護(hù)所述第1反射膜，形成第2阻隔膜的工序，所述第2阻隔膜覆蓋所述第2基板的所述第2反射膜的表面而保護(hù)所述第2反射膜，利用臭氧或紫外線對(duì)所述第1、第2接合膜分別賦予活化能的工序，以及接合已活化的所述第1、第2接合膜而將所述第1、第2基板黏在一起的工序， 所述第1阻隔膜在對(duì)所述第1接合膜賦予活化能之前形成， 所述第2阻隔膜在對(duì)所述第2接合膜賦予活化能之前形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光器的制造方法，其特征在于，用同一材料在同一工序中形成所述第1阻隔膜和所述第1接合膜，用同一材料在同一工序中形成所述第2阻隔膜和所述第2接合膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濾光器的制造方法，其特征在于，所述第1、第2接合膜和所述第1、第2阻隔膜分別含有具有硅氧烷鍵的Si骨架和與所述Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)而形成，在對(duì)所述第1、第2接合膜賦予活化能的工序中，包括所述脫離基團(tuán)從所述第1、第2接合膜的所述Si骨架脫離而形成未結(jié)合鍵的工序，在所述第1、第2接合膜的接合工序中，包括使已活化的所述第1、第2接合膜各自的所述未結(jié)合鍵彼此鍵合的工序。
4.一種濾光器，其特征在于，具有 第1基板，與所述第1基板對(duì)置的第2基板，設(shè)置在所述第1基板上的、反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第1反射膜， 設(shè)置在所述第2基板上的、與所述第1反射膜對(duì)置的、反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第2反射膜，設(shè)置在所述第1基板上的第1接合膜，設(shè)置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜間設(shè)置一定間隔的方式與所述第 1接合膜接合的第2接合膜，設(shè)置在所述第1反射膜表面上的第1阻隔膜，以及設(shè)置在所述第2反射膜表面上的第2阻隔膜， 所述第1阻隔膜的臭氧透過率比所述第1反射膜低， 所述第2阻隔膜的臭氧透過率比所述第2反射膜低。
5.一種濾光器，其特征在于，具有 第1基板，與所述第1基板對(duì)置的第2基板，設(shè)置在所述第1基板上的、反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第1反射膜， 設(shè)置在所述第2基板上的、與所述第1反射膜對(duì)置的、反射光并能透射特定波長(zhǎng)的光的第2反射膜，設(shè)置在所述第1基板上的第1接合膜，設(shè)置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜間設(shè)置一定間隔的方式與所述第 1接合膜接合的第2接合膜，設(shè)置在所述第1反射膜表面上的第1阻隔膜，以及設(shè)置在所述第2反射膜表面上的第2阻隔膜， 所述第1阻隔膜的紫外線透射率比所述第1反射膜低， 所述第2阻隔膜的紫外線透射率比所述第2反射膜低。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的濾光器，其特征在于， 所述第1阻隔膜的硫化性比所述第1反射膜低， 所述第2阻隔膜的硫化性比所述第2反射膜低。
7.根據(jù)權(quán)利要求4 6中任一項(xiàng)所述的濾光器，其特征在于，所述第1、第2阻隔膜是與利用等離子體聚合法形成的所述第1、第2接合膜同時(shí)形成的等離子體聚合膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾光器，其特征在于，所述第1、第2接合膜和所述第1、第2阻隔膜分別在等離子體聚合時(shí)含有具有硅氧烷鍵的Si骨架和與所述Si骨架鍵合的脫離基團(tuán)，所述第1、第2接合膜是將利用活化能使所述脫離基團(tuán)從所述Si骨架脫離而形成的未結(jié)合鍵彼此鍵合而接合的。
9.一種分析設(shè)備，包含權(quán)利要求4 8中任一項(xiàng)所述的濾光器。
10.一種光設(shè)備，包含權(quán)利要求4 8中任一項(xiàng)所述的濾光器。
全文摘要
本發(fā)明涉及濾光器及其制造方法、分析設(shè)備以及光設(shè)備。本發(fā)明的濾光器具有對(duì)置的第1、第2基板、在第1、第2基板上設(shè)置的第1、第2反射膜、在第1、第2基板上設(shè)置的第1、第2接合膜、以及在第1、第2反射膜的表面形成的第1、第2阻隔膜，第1阻隔膜的臭氧或紫外線的透射率比第1反射膜低，第2阻隔膜的臭氧或紫外線的透射率比第2反射膜低，在制造或?qū)嶋H使用濾光器時(shí)，保護(hù)反射膜免受臭氧或紫外線的影響，不會(huì)使濾光器特性變差。
文檔編號(hào)G02B26/00GK102193183SQ201110049729
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者山崎成二 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社