專(zhuān)利名稱(chēng)：控制光刻設(shè)備的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及控制光刻設(shè)備、以用于校正可用于例如通過(guò)光刻技術(shù)制造器件的光刻過(guò)程中的誤差，諸如重疊誤差。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過(guò)將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)福射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。為了監(jiān)測(cè)光刻過(guò)程，測(cè)量圖案化的襯底的參數(shù)。參數(shù)可以包括例如形成在圖案化襯底內(nèi)或圖案化襯底上的連續(xù)的層之間的重疊誤差和顯影的光致抗蝕劑的臨界線(xiàn)寬。這種測(cè)量可以在產(chǎn)品襯底和/或在專(zhuān)用的量測(cè)目標(biāo)上執(zhí)行。存在多種工藝測(cè)量在光刻過(guò)程中形成的微結(jié)構(gòu)，包括使用掃描電子顯微鏡和各種專(zhuān)用工具?？焖偾曳乔秩胧降膶?zhuān)用檢驗(yàn)工具是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)到襯底表面上的目標(biāo)上，測(cè)量散射或反射束的性質(zhì)。通過(guò)對(duì)比在其被襯底反射或散射之前和之后的束，可以確定襯底的性質(zhì)。這可以例如通過(guò)將反射束與存儲(chǔ)在已知的測(cè)量值的庫(kù)中的與已知襯底性質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比來(lái)完成。已知兩種主要類(lèi)型的散射儀。光譜散射儀引導(dǎo)寬帶輻射束到襯底上，并且測(cè)量散射到特定的窄的角度范圍的輻射的光譜(強(qiáng)度作為波長(zhǎng)的函數(shù))。角度分辨散射儀使用單色輻射束，并且測(cè)量散射輻射的強(qiáng)度作為角度的函數(shù)。通常，跨經(jīng)曝光場(chǎng)和跨經(jīng)晶片襯底測(cè)量襯底的性質(zhì)，例如晶片上的重疊誤差。在每個(gè)測(cè)量點(diǎn)處重疊誤差不被控制。相反，參數(shù)化被用于表征跨經(jīng)場(chǎng)和晶片的重疊。這種參數(shù)化描述重疊誤差作為晶片和場(chǎng)位置的函數(shù)。這種參數(shù)化可以是簡(jiǎn)單的， 例如10個(gè)參數(shù)模型，或較復(fù)雜的，例如一個(gè)基組的高次多項(xiàng)式。使用這種參數(shù)化，可以計(jì)算校正，其應(yīng)該在光刻設(shè)備應(yīng)用，目標(biāo)為驅(qū)使跨經(jīng)晶片(場(chǎng))的重疊誤差為零。目前，離線(xiàn)參數(shù)化模型以一般的方法考慮重疊誤差。由于在光刻設(shè)備應(yīng)用非優(yōu)化的校正，這會(huì)導(dǎo)致不有效的維護(hù)保養(yǎng)。這種維護(hù)的不精確導(dǎo)致需要執(zhí)行較頻繁的光刻設(shè)備的在線(xiàn)重新校準(zhǔn)，或?qū)е聦?duì)于其他場(chǎng)位置和尺寸是不通用的用于校準(zhǔn)的場(chǎng)位置和尺寸的具體校正(校準(zhǔn)vs生產(chǎn)布局)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要的是一種改善離線(xiàn)參數(shù)化建模的有效系統(tǒng)和方法。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種控制光刻設(shè)備的方法，包括測(cè)量在所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)以獲得襯底性質(zhì)測(cè)量值；和通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集。此外，每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)。進(jìn)一步，光刻設(shè)備的控制包括控制光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集控制所述光刻設(shè)備的所述具體子系統(tǒng)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種用于利用用以在襯底上執(zhí)行光刻過(guò)程的光刻設(shè)備控制光刻工藝的設(shè)備，其中所述設(shè)備包括檢驗(yàn)設(shè)備，用于測(cè)量所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)以獲得襯底性質(zhì)測(cè)量值；和處理器，用于通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集。此外，每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)。進(jìn)一步，光刻設(shè)備的控制包括控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。在本發(fā)明的還一實(shí)施例中，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包含一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令序列，用于利用用以在襯底上執(zhí)行光刻過(guò)程的光刻設(shè)備來(lái)控制光刻工藝，所述指令適于引起一個(gè)或多個(gè)處理器接收所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)測(cè)量值，和通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集。此外，每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)。進(jìn)一步，光刻設(shè)備的控制包括控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。下面參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的其他實(shí)施例、特征以及優(yōu)點(diǎn)，以及本發(fā)明的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)該注意，本發(fā)明不限于這里描述的具體實(shí)施例。這里給出的這些實(shí)施方式僅是用于示例?；谶@里包含的教導(dǎo)其他實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的。


下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件。此外，附圖在這里并入并形成說(shuō)明書(shū)的一部分，其示出本發(fā)明，并且與說(shuō)明書(shū)一起進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的原理，并且允許本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)和使用本發(fā)明。圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖2示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻單元或簇。圖3示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的第一散射儀。圖4示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的第二散射儀。圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備的部件的示意圖，其具有分開(kāi)的測(cè)量和曝光臺(tái)；圖6示意地示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、根據(jù)已知實(shí)踐的、在圖5的設(shè)備中的測(cè)量和曝光過(guò)程中的臺(tái)；
圖7示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于在襯底上移動(dòng)晶片臺(tái)的布置的第一示例；圖8示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于在襯底上移動(dòng)晶片臺(tái)的布置的第二示例；圖9示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在使用掃描器穩(wěn)定模塊的光刻過(guò)程中的控制回路；圖10是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的示出所述方法的流程圖。通過(guò)下面給出的詳細(xì)的描述，結(jié)合附圖，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚，其中相同的參考特征與對(duì)應(yīng)的元件一致。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記基本上表示相同的、功能類(lèi)似的和/或結(jié)構(gòu)類(lèi)似的元件。
具體實(shí)施例方式本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)了并入本發(fā)明的特征的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例。所公開(kāi)的實(shí)施例僅給出本發(fā)明的示例。本發(fā)明的范圍不限于所公開(kāi)的實(shí)施例。本發(fā)明通過(guò)未決的權(quán)利要求進(jìn)行限定。所述的實(shí)施例和在說(shuō)明書(shū)提到的“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例，，等表示所述的實(shí)施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個(gè)實(shí)施例不必包括所述特定特征、 結(jié)構(gòu)或特性。而且，這些段落不必指的是同一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)特定特征、結(jié)構(gòu)或特性與實(shí)施例結(jié)合進(jìn)行描述時(shí)，應(yīng)該理解，無(wú)論是否明確描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的知識(shí)可以實(shí)現(xiàn)將這些特征、結(jié)構(gòu)或特性與其他實(shí)施例結(jié)合。本發(fā)明實(shí)施例可以應(yīng)用到硬件、固件、軟件或其任何組合。本發(fā)明實(shí)施例還可以應(yīng)用為存儲(chǔ)在機(jī)器可讀介質(zhì)上的指令，其可以通過(guò)一個(gè)或更多個(gè)處理器讀取和執(zhí)行。機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括任何用于以機(jī)器(例如計(jì)算設(shè)備)可讀形式存儲(chǔ)或傳送信息的機(jī)構(gòu)。例如，機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)；隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)；磁盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)；光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)；閃存設(shè)備；傳播信號(hào)(例如，載波、紅外信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等)的電、光、聲或其他形式，以及其他。此外，這里可以將固件、軟件、程序、指令描述成執(zhí)行特定操作。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這些描述僅為了方便并且這些操作實(shí)際上由計(jì)算設(shè)備、處理器、控制器或其他執(zhí)行所述固件、軟件、程序、指令等的設(shè)備來(lái)完成的。然而，在更詳細(xì)地描述這些實(shí)施例之前，指導(dǎo)性地給出其中可以應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的示例性環(huán)境。圖1示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng) (照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT， 其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴(lài)于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。這里使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！笨梢钥醋髋c更為上位的“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案精確地相同(例如，如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是反射式的或透射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”可以廣義地解釋為包括各種的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。例如，在該施例中，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(例如，兩個(gè)或更多的掩模臺(tái)) 的類(lèi)型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。所述光刻設(shè)備還可以是這種類(lèi)型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體覆蓋(例如水)，以便填滿(mǎn)投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒(méi)液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒(méi)技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底) 浸入到液體中，而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照?qǐng)D1，照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。源SO和光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)源是準(zhǔn)分子激光器)。在這種情況下，不會(huì)將源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)源是汞燈)。源SO和照射器IL與需要時(shí)的束傳遞系統(tǒng)BD—起可以稱(chēng)為輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PL，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線(xiàn)性編碼器、二維編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械獲取之后或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF(在圖1中沒(méi)有明確地示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(例如，粗定位)和短行程模塊(例如，精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺(tái)MT可以?xún)H與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線(xiàn)對(duì)齊標(biāo)記)上。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT 的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，光刻設(shè)備LA形成光刻單元LC的一部分(有時(shí)也稱(chēng)為光刻元或者光刻簇)，光刻單元LC還包括用以在襯底上執(zhí)行曝光前和曝光后處理的設(shè)備。通常，這些包括用以沉積抗蝕劑層的旋涂器SC、用以顯影曝光后的抗蝕劑的顯影器 DE、激冷板CH和烘烤板BK。襯底輸送裝置或機(jī)械手RO從輸入/輸出口 1/01、1/02拾取襯底，然后在不同的處理設(shè)備之間移動(dòng)襯底，然后將襯底移動(dòng)到光刻設(shè)備的進(jìn)料臺(tái)LB。經(jīng)常統(tǒng)稱(chēng)為軌道的這些裝置處在軌道控制單元TCU的控制之下，所述軌道控制單元TCU自身由管理控制系統(tǒng)SCS控制，所述管理控制系統(tǒng)SCS也經(jīng)由光刻控制單元LA⑶控制光刻設(shè)備。因此，不同的設(shè)備可以被操作用于將生產(chǎn)量和處理效率最大化。為了由光刻設(shè)備曝光的襯底被正確地和一致地曝光，需要檢驗(yàn)經(jīng)過(guò)曝光的襯底以測(cè)量其性質(zhì)，例如連續(xù)層之間的重疊誤差、線(xiàn)厚度、臨界尺寸(⑶)等。如果檢測(cè)到誤差，例如可以對(duì)連續(xù)襯底的曝光進(jìn)行調(diào)整(尤其是如果檢驗(yàn)?zāi)軌蚣纯掏瓿刹⑶易銐蜓杆俚绞雇慌蔚钠渌r底仍處于待曝光狀態(tài)時(shí))。此外，已經(jīng)曝光過(guò)的襯底也可以被剝離并被重新加工(以提高產(chǎn)率)，或可以被遺棄，由此避免在已知存在缺陷的襯底上進(jìn)行曝光。在僅僅襯底的一些目標(biāo)部分存在缺陷的情況下，可以?xún)H對(duì)認(rèn)為是無(wú)缺陷的那些目標(biāo)部分進(jìn)行進(jìn)一步曝光。檢驗(yàn)設(shè)備被用于確定襯底的性質(zhì)，且尤其，用于確定不同的襯底或同一襯底的不同層的性質(zhì)如何從層到層變化。檢驗(yàn)設(shè)備可以被集成到光刻設(shè)備LA或光刻單元LC中，或可以是獨(dú)立的裝置。為了能進(jìn)行最迅速的測(cè)量，需要檢驗(yàn)設(shè)備在曝光后立即測(cè)量在經(jīng)過(guò)曝光的抗蝕劑層上的性質(zhì)。然而，抗蝕劑中的潛影具有很低的對(duì)比度(因?yàn)樵诮?jīng)過(guò)輻射曝光的抗蝕劑部分和沒(méi)有經(jīng)過(guò)輻射曝光的抗蝕劑部分之間僅有很小的折射率差)，且并非所有的檢驗(yàn)設(shè)備都對(duì)潛影的有效測(cè)量具有足夠的靈敏度。因此，測(cè)量可以在曝光后的烘烤步驟 (PEB)之后進(jìn)行，所述曝光后的烘烤步驟通常是在經(jīng)過(guò)曝光的襯底上進(jìn)行的第一步驟，且增加了抗蝕劑的經(jīng)過(guò)曝光和未經(jīng)曝光的部分之間的對(duì)比度。在該階段，抗蝕劑中的圖像可以被稱(chēng)為半潛在的。也能夠在抗蝕劑的曝光部分或者未曝光部分已經(jīng)被去除的點(diǎn)上，或者在諸如刻蝕等圖案轉(zhuǎn)移步驟之后，對(duì)經(jīng)過(guò)顯影的抗蝕劑圖像進(jìn)行測(cè)量。后一種可能性限制了有缺陷的襯底進(jìn)行重新加工的可能，但是仍舊可以提供有用的信息。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖3示出散射儀SM1，其可以用于本發(fā)明。散射儀包括寬帶(例如白光)輻射投影裝置2，其將輻射投影到襯底W上。反射的輻射通至光譜儀檢測(cè)器4，光譜儀檢測(cè)器4測(cè)量鏡面反射輻射的光譜10 (例如強(qiáng)度，作為波長(zhǎng)的函數(shù))。通過(guò)這個(gè)數(shù)據(jù)，引起被檢測(cè)的光譜的結(jié)構(gòu)或輪廓可以通過(guò)處理單元PU(例如通過(guò)嚴(yán)格耦合波分析和非線(xiàn)性回歸，或通過(guò)與圖3底部示出的模擬光譜庫(kù)進(jìn)行比較)進(jìn)行重建。通常，對(duì)于所述重建，獲知所述結(jié)構(gòu)的通常形式，且通過(guò)根據(jù)所述結(jié)構(gòu)的制作工藝的知識(shí)假定一些參數(shù)，僅留有一些結(jié)構(gòu)參數(shù)根據(jù)散射儀的數(shù)據(jù)確定。這種散射儀可以被配置為正入射散射儀或斜入射散射儀。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以用于本發(fā)明的另一個(gè)散射儀如圖4所示。在該裝置中，由輻射源2發(fā)出的輻射采用透鏡系統(tǒng)12校準(zhǔn)，并且通過(guò)干涉濾光片13和偏振器17 被透射，由部分反射表面16反射并經(jīng)由具有高數(shù)值孔徑(NA)(例如優(yōu)選至少大約0. 9或更優(yōu)選至少大約0.95)的顯微鏡物鏡15聚焦到襯底W上。浸沒(méi)式散射儀甚至可以具有數(shù)值孔徑超過(guò)1的透鏡。然后，所反射的輻射通過(guò)部分反射表面16透射入檢測(cè)器18，以便檢測(cè)散射光譜。檢測(cè)器可以位于在透鏡系統(tǒng)15的焦距處的后投影光瞳平面11上，然而，光瞳平面可以替代地以輔助的光學(xué)元件(未示出)在檢測(cè)器上重新成像。所述光瞳平面是在其上輻射的徑向位置限定入射角而角位置限定輻射的方位角的平面。在一個(gè)示例中，所述檢測(cè)器優(yōu)選為二維檢測(cè)器，以使得可以測(cè)量襯底目標(biāo)30的兩維角散射譜。檢測(cè)器18可以是例如電荷耦合器件(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器的陣列，且可以采用例如每幀40毫秒的積分時(shí)間。參考束經(jīng)常被用于例如測(cè)量入射輻射的強(qiáng)度。為此，當(dāng)輻射束入射到分束器16上時(shí)，輻射束的一部分通過(guò)所述分束器作為參考束朝向參考反射鏡14透射。然后，所述參考束被投影到同一檢測(cè)器18的不同部分上或可替換地投影到不同的檢測(cè)器(未示出)。一組干涉濾光片13可用于在如405-790nm或甚至更低(例如200_300nm)的范圍中選擇感興趣的波長(zhǎng)。干涉濾光片可以是可調(diào)諧的，而不是包括一組不同的濾光片。光柵可能被用于替代干涉濾光片。檢測(cè)器18可以測(cè)量單一波長(zhǎng)(或窄波長(zhǎng)范圍內(nèi))的被散射光的強(qiáng)度，所述強(qiáng)度在多個(gè)波長(zhǎng)上是獨(dú)立的，或者所述強(qiáng)度集中在一個(gè)波長(zhǎng)范圍上。進(jìn)而，檢測(cè)器可以分立地測(cè)量橫向磁場(chǎng)和橫向電場(chǎng)偏振光的強(qiáng)度和/或在橫向磁場(chǎng)和橫向電場(chǎng)偏振光之間的相位差。能夠采用給出大集光率的寬帶光源(即具有寬的光頻率范圍或波長(zhǎng)以及由此具有寬范圍的色彩的寬帶光源)，由此允許多個(gè)波長(zhǎng)的混合。在寬帶上的多個(gè)波長(zhǎng)優(yōu)選每個(gè)具有Δ λ的帶寬和至少2 Δ λ (即帶寬的兩倍)的間距。多個(gè)輻射“源”可以是已經(jīng)用光纖束被分割的擴(kuò)展輻射源的不同部分。以這樣的方式，角度分辨散射譜可以并行地在多個(gè)波長(zhǎng)上被測(cè)量?？梢詼y(cè)量包含比二維光譜更多的信息的三維光譜(諸如波長(zhǎng)和兩個(gè)不同的角度)。這允許更多的信息被測(cè)量，這增加量測(cè)工藝的魯棒性(robustness)。這在歐洲專(zhuān)利 EPl, 628, 164A中進(jìn)行了更詳細(xì)的描述，該文檔以引用的方式整體并入本文中。襯底W上的目標(biāo)30可以是一維光柵，其被印刷成使得在顯影之后，所述條紋為實(shí)抗蝕劑線(xiàn)的形式。目標(biāo)30可以是二維光柵，其被印刷成使得在顯影之后，所述光柵由抗蝕劑中的實(shí)抗蝕劑柱或通道形成。所述條紋、柱或通道(vias)可以替代地被蝕刻到所述襯底中。該圖案對(duì)于光刻投影設(shè)備(尤其是投影系統(tǒng)PL)中的色差和照射對(duì)稱(chēng)度敏感，且這種像差的存在將表明自身在所印刷的光柵中的變化。相應(yīng)地，所印刷的光柵的散射儀數(shù)據(jù)被用于重建光柵。一維光柵的參數(shù)(例如線(xiàn)寬和線(xiàn)形)，或二維光柵的參數(shù)(例如柱或通道寬度或長(zhǎng)度或形狀)可以被輸入到重建過(guò)程中，所述重建過(guò)程由處理單元PU根據(jù)印刷步驟和 /或其他的散射儀工藝的知識(shí)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖5示意地示出圖1中的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的布置，其中所述設(shè)備是具有雙襯底支撐結(jié)構(gòu)和單獨(dú)的量測(cè)和曝光站的類(lèi)型?；A(chǔ)框架FB在地面上支撐并圍繞所述設(shè)備。在用作精確的定位參照的所述設(shè)備內(nèi)，量測(cè)框架FM支撐在氣體軸承402上，其將量測(cè)框架與環(huán)境中的振動(dòng)隔離開(kāi)。安裝在該框架上的是投影系統(tǒng)PS，其自然形成曝光站EXP的核心，還有設(shè)備404、406、408，它們是量測(cè)站MET的功能元件。在這些站的上面，掩模臺(tái)MT和掩模MA安裝在投影系統(tǒng)PS之上。第一定位裝置PM包括長(zhǎng)行程(例如粗)致動(dòng)器410和短行程(例如精)致動(dòng)器412和414。 這些致動(dòng)器通過(guò)主動(dòng)反饋控制操作以獲得想要的掩模MA相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的位置，和因此掩模MA相對(duì)于量測(cè)框架FM的位置。測(cè)量值在416示意地示出。掩模MA的整個(gè)定位機(jī)構(gòu)經(jīng)由主動(dòng)空氣軸承418等支撐在基礎(chǔ)框架上B處。平衡質(zhì)量420設(shè)置用以模擬掩模臺(tái)MT 的至少粗移動(dòng)和定位，以減少振動(dòng)傳遞到框架和其他部件。低頻率伺服控制將平衡質(zhì)量420 保持在想要的平均位置。類(lèi)似地，圖中所示的位于投影系統(tǒng)下面的晶片臺(tái)WT具有用于相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的出射透鏡精確地定位襯底W的粗致動(dòng)器422和精致動(dòng)器424，426。此外，根據(jù)該示例的雙臺(tái)布置，設(shè)置二重的(duplicate)晶片臺(tái)WT，和定位機(jī)構(gòu)PW，。如圖所示， 這些二重元件支撐第二襯底W，在量測(cè)站MET。晶片臺(tái)WT、WT，和它們對(duì)應(yīng)的定位裝置PW和 PW’被承載并連接到共用的平衡質(zhì)量428。再次，例如在430示意地示出空氣軸承或其他合適的軸承(例如磁性的、靜電的，等等)。相對(duì)于在量測(cè)站的元件406和在曝光站的PS執(zhí)行用于晶片W和W’的位置的粗和精控制的晶片臺(tái)位置的測(cè)量，這些測(cè)量最終參照量測(cè)框架 FM。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖6示出在圖5的雙臺(tái)設(shè)備中的用以曝光在襯底W上的管芯的步驟。在虛線(xiàn)框內(nèi)左手邊的是在量測(cè)站MET執(zhí)行的步驟，而右手邊示出在曝光站 EXP執(zhí)行的步驟。襯底W已經(jīng)被裝載到曝光站。通過(guò)未示出的機(jī)構(gòu)，在步驟500，新的襯底 W’被裝載至所述設(shè)備。這兩個(gè)襯底平行地處理，以便在整體上提高量測(cè)過(guò)程的產(chǎn)出。首先看新裝載的襯底W’，其可以是前面沒(méi)有處理或加工的襯底，已經(jīng)預(yù)備有用于在所述設(shè)備內(nèi)第一曝光的新的光抗蝕劑。然而，通常，所描述的光刻過(guò)程將是一系列曝光和處理步驟中的僅一個(gè)步驟，使得襯底W’已經(jīng)通過(guò)所述設(shè)備和/或其他光刻設(shè)備若干次，并且還可以經(jīng)歷隨后的多次處理。在502，使用襯底標(biāo)記Pl等和圖像傳感器等的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量被用于測(cè)量和記錄襯底相對(duì)于襯底臺(tái)WT的對(duì)準(zhǔn)。在實(shí)際應(yīng)用中，將測(cè)量跨經(jīng)襯底W’的若干標(biāo)記以建立“晶片柵格”，其極為精確地繪出襯底上的標(biāo)記分布，包括相對(duì)于名義規(guī)則的柵格的任何變形或扭曲。在步驟504，還測(cè)量晶片高度相對(duì)于X-Y位置的圖，用于精確聚焦曝光的圖案。當(dāng)裝載襯底W’時(shí)，接收條件手段數(shù)據(jù)(recipe data) 506,限定將要執(zhí)行的曝光，還有晶片的性質(zhì)和前面形成的和將要在晶片上形成的圖案。對(duì)于這些，條件手段數(shù)據(jù)被加到在步驟502、504中進(jìn)行的測(cè)量，使得全部的條件手段和量測(cè)數(shù)據(jù)組508可以傳送到曝光臺(tái)。 在步驟510，交換晶片W’和W，使得測(cè)量的襯底W’變成進(jìn)入曝光設(shè)備的W。這種交換通過(guò)在設(shè)備內(nèi)交換支撐結(jié)構(gòu)WT和WT’來(lái)執(zhí)行，使得保持將襯底W和W’精確地夾持并定位在這些支撐結(jié)構(gòu)上，以保持襯底臺(tái)和襯底本身之間的相對(duì)對(duì)準(zhǔn)。因此，一旦臺(tái)已經(jīng)被交換，確定投影系統(tǒng)PS和襯底臺(tái)WT(前面的WT’)之間的相對(duì)位置是對(duì)使用襯底W(前面的W’)的測(cè)量信息502、504控制曝光步驟所必要的。在步驟512，使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行掩模版對(duì)準(zhǔn)。 在步驟514、516、518，在跨經(jīng)襯底W的連續(xù)的管芯位置應(yīng)用掃描動(dòng)作和輻射脈沖，以便完成多個(gè)圖案的曝光。歸功于對(duì)準(zhǔn)和水平繪圖數(shù)據(jù)，這些圖案被精確地相對(duì)于想要的位置對(duì)準(zhǔn)， 并且具體地，相對(duì)于前面裝載到同一襯底上的特征而被對(duì)準(zhǔn)。在步驟520，現(xiàn)在用W”表示的曝光過(guò)的襯底從所述設(shè)備卸載，以根據(jù)曝光的圖案進(jìn)行蝕刻或其他處理。通過(guò)采用單獨(dú)的襯底臺(tái)，設(shè)備在通過(guò)曝光臺(tái)的襯底產(chǎn)出方面的性能被保持，同時(shí)允許執(zhí)行相對(duì)耗時(shí)的測(cè)量系列，以表征晶片和前面沉積到晶片上的圖案。正如上面所述，在圖1中示出的晶片臺(tái)WT和圖5中示出的晶片臺(tái)WT、WT’具有粗致動(dòng)器422和精致動(dòng)器424、426，用于相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的出射透鏡精確地定位襯底W。已存在用于移動(dòng)晶片臺(tái)和掩模臺(tái)以及用于測(cè)量它們的位置的不同機(jī)制。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種這種系統(tǒng)(這里稱(chēng)為NXT)示意地在圖7中示出，其使用平面馬達(dá)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)晶片臺(tái)WT和WT，。在該實(shí)施例中的平衡質(zhì)量4 包括磁板，并且晶片臺(tái)WT和WT，的下側(cè)包括用于沿x、y和ζ方向(ζ方向是離開(kāi)頁(yè)面的平面的方向)移動(dòng)臺(tái)的力致動(dòng)器。在圖7中示出的這種類(lèi)型的系統(tǒng)中，通過(guò)定位在量測(cè)框架(在圖5中表示為FM)的下側(cè)的編碼器測(cè)量臺(tái)WT和WT’的位置，并且在相關(guān)的晶片卡盤(pán)上設(shè)置圖像傳感器以經(jīng)由臺(tái)的編碼器監(jiān)測(cè)位置。編碼器協(xié)作操作以輸出晶片臺(tái)在(X，y)坐標(biāo)中的位置。圖8中示出本發(fā)明的替換的實(shí)施例(這里稱(chēng)為XT)。在該實(shí)施例中，通過(guò)用于沿χ 方向(在圖中向左和向右)移動(dòng)臺(tái)的致動(dòng)器800、800’和用于沿y方向(例如在圖中向上和向下)移動(dòng)臺(tái)的致動(dòng)器802、802，控制平衡質(zhì)量4 上的晶片臺(tái)WT、WT’的位置。臺(tái)WT、 WT'的位置通過(guò)投影束到晶片臺(tái)的鏡像側(cè)壁表面上的干涉儀進(jìn)行測(cè)量。通常，“X”干涉儀提供一個(gè)晶片臺(tái)在χ軸線(xiàn)上的位置，“y”干涉儀提供一個(gè)晶片臺(tái)在y軸線(xiàn)上的位置。每個(gè)“χ” 和“y”干涉儀可以包括位于平衡質(zhì)量4 兩側(cè)的發(fā)射器，其布置用以引導(dǎo)干涉儀的束朝向晶片臺(tái)的相對(duì)的側(cè)面。精確的光刻術(shù)的關(guān)鍵因素是提高的用以控制光刻掃描器和掃描功能的能力。當(dāng)提到“掃描器”時(shí)，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，其包括這里描述的所有掃描模式和功能，以及其他掃描功能。 通過(guò)申請(qǐng)人的Baseliner 掃描器穩(wěn)定模塊，最近已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)掃描器的聚焦和重疊(例如層到層的對(duì)準(zhǔn)、一致性)的改進(jìn)，這導(dǎo)致對(duì)于給定的特征尺寸和芯片應(yīng)用的優(yōu)化的工藝窗口， 能夠連續(xù)地形成更小的、更先進(jìn)的芯片。當(dāng)?shù)谝淮伟惭b光刻系統(tǒng)時(shí)，必須進(jìn)行校準(zhǔn)以便確保優(yōu)化操作。然而，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，系統(tǒng)性能參數(shù)將會(huì)漂移。少量的漂移可以容忍，但是太大的漂移將導(dǎo)致系統(tǒng)超出技術(shù)要求。因此，制造商需要周期地停止生產(chǎn)以重新校準(zhǔn)。較頻繁地校準(zhǔn)系統(tǒng)給出較大的工藝窗口，但是這要花費(fèi)較多的規(guī)定停工時(shí)間。掃描器穩(wěn)定模塊極大地減少了這種生產(chǎn)停止。相反，其每天自動(dòng)地將系統(tǒng)重新設(shè)置至預(yù)定義基線(xiàn)。為此，其獲取使用量測(cè)工具從監(jiān)測(cè)晶片取得的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量值。使用包含特定散射儀標(biāo)記的特定掩模版曝光監(jiān)測(cè)晶片。通過(guò)那天的測(cè)量值，掃描器穩(wěn)定模塊確定系統(tǒng)已經(jīng)漂移離開(kāi)基線(xiàn)多遠(yuǎn)。然后，計(jì)算晶片水平重疊和聚焦校正組。然后，光刻系統(tǒng)將這些校正組轉(zhuǎn)變成用于在隨后的生產(chǎn)晶片上的每一次曝光的具體校正。對(duì)于批量生產(chǎn)，當(dāng)指定用于曝光的多個(gè)層到掃描器時(shí)，期望具有充分的靈活性。替換的層掃描器專(zhuān)用將會(huì)使得每月一次的生產(chǎn)率遭受風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)楣饪檀氐娜魏涡〉臄_動(dòng)直接在該月的輸出產(chǎn)品中顯示出來(lái)。用以克服這種風(fēng)險(xiǎn)的一種已知的方法是通過(guò)重疊柵格匹配。所有掃描器柵格被特意偏置一點(diǎn)，使得所有的掃描器或多或少具有相同的、或平均的柵格用于重疊。這種柵格通常稱(chēng)為“神圣(holy)”或“黃金”柵格。此時(shí)每個(gè)產(chǎn)品層可以在相同類(lèi)型的每個(gè)掃描器上曝光。這種“黃金”柵格被曝光并蝕刻到所謂的“參考晶片”上。如果這些“黃金”匹配晶片被用作用于重疊穩(wěn)定控制的基線(xiàn)，代替隨機(jī)監(jiān)測(cè)晶片，在單個(gè)自動(dòng)化的步驟中可以實(shí)現(xiàn)重疊柵格匹配和長(zhǎng)期穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖9示出并入掃描器穩(wěn)定模塊500的整個(gè)光刻和量測(cè)方法，例如實(shí)質(zhì)上是在服務(wù)器上運(yùn)行的應(yīng)用。圖示的是三個(gè)主處理控制回路。第一回路提供使用掃描器穩(wěn)定模塊500和監(jiān)測(cè)晶片的局部掃描器控制。如圖所示，監(jiān)測(cè)晶片505通過(guò)主光刻單元510，已經(jīng)被曝光以便為聚焦和重疊設(shè)定基線(xiàn)參數(shù)。隨后，量測(cè)單元515讀取這些基線(xiàn)參數(shù)，它們隨后通過(guò)掃描器穩(wěn)定模塊500進(jìn)行解釋?zhuān)员阌?jì)算被傳遞至主光刻單元510 的校正程序陽(yáng)0，并且在執(zhí)行另一曝光時(shí)使用。第二(APC)回路是用于局部掃描器控制在產(chǎn)產(chǎn)品(on-product)(確定焦點(diǎn)、劑量以及重疊)。曝光過(guò)的產(chǎn)品晶片520被傳送到量測(cè)單元515，隨后傳送到高級(jí)過(guò)程控制(APC) 模塊525。來(lái)自量測(cè)單元515的數(shù)據(jù)再次被傳送至掃描器穩(wěn)定模塊500。在制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)接管控制之前進(jìn)行工藝校正M0，提供掃描器控制至主光刻單元510，與掃描器穩(wěn)定模塊500通信。第三回路是為了使量測(cè)集成進(jìn)入到第二 APC回路中(例如用于雙圖案化)。蝕刻后的晶片530被傳送至量測(cè)單元515，隨后傳送至高級(jí)過(guò)程控制(APC)模塊。該回路與第二回路一樣繼續(xù)。本發(fā)明涉及用于控制通過(guò)光刻設(shè)備(例如掃描器)的曝光，以便減少在光刻過(guò)程中的誤差(例如重疊中的誤差)的實(shí)施例。掃描器誤差通過(guò)掃描器穩(wěn)定模塊的應(yīng)用，下面的重疊誤差已經(jīng)被確認(rèn)是引起將要進(jìn)行校正的誤差的重要原因1.定位漂移(用于XT的反射鏡和用于NXT的柵格板/編碼器)。2.向上/向下掃描和向左/向右步進(jìn)效應(yīng)，其顯示出反射鏡變形依賴(lài)于用于XT的移動(dòng)以及依賴(lài)于移動(dòng)的NXT的編碼器偏移。參照上面結(jié)合圖7和8對(duì)NXT和XT系統(tǒng)的描述。3.由晶片夾持指紋以及曝光過(guò)程中晶片變形的漂移引起的晶片變形。4.場(chǎng)指紋漂移(例如，由于透鏡或掩模版臺(tái)漂移)。5.依賴(lài)于掃描方向的場(chǎng)內(nèi)指紋(由于例如動(dòng)力透鏡擾動(dòng)引起的“擺動(dòng)”效應(yīng))。模型校正這些誤差的模型假定1.定位誤差的低頻漂移，其是定位類(lèi)型的具體的a.反射鏡變形(XT)每個(gè)卡盤(pán)的一次多項(xiàng)式dx P_n (y)和dy P_n (χ) (XT定位概念)。b.編碼器/柵格板變形(NXT)將通過(guò)依賴(lài)位置的編碼器偏移的多項(xiàng)式來(lái)確定 dh (x, y) P_n (χ, y)，其中dx和dy確定為(dx, dy) 編碼器模型(dh (x, y))=編碼器模型(P_n(x，y))。將對(duì)每個(gè)編碼器應(yīng)用二次多項(xiàng)式關(guān)系式。2.向上/向下掃描和向左/向右步進(jìn)誤差絕對(duì)值相同(對(duì)于相同位置)，符號(hào)相反。這些誤差描述了依賴(lài)于移動(dòng)歷史過(guò)程的定位和變形的改變。為了減小校準(zhǔn)的噪音，還假定這些誤差具有低頻屬性。對(duì)XT，這些定位和變形誤差通過(guò)多項(xiàng)式表示。對(duì)NXT，通過(guò)設(shè)置在卡盤(pán)的具體位置上的編碼器信號(hào)確定定位。因此，為了描述依賴(lài)于掃描/步進(jìn)的誤差， 僅編碼器上的誤差必須進(jìn)行考慮，而不是卡盤(pán)的全部變形需要被考慮。因此，對(duì)于NXT，將依賴(lài)于掃描/步進(jìn)的定位誤差看作依賴(lài)于移動(dòng)的編碼器偏移。依賴(lài)于晶片變形的誤差被看作與XT/NXT系統(tǒng)類(lèi)型類(lèi)似，因?yàn)樗鼈兪桥c定位無(wú)關(guān)的。3.依賴(lài)于晶片上的位置的二次誤差的其他部分通過(guò)二次多項(xiàng)式描述，并且它表示晶片柵格變形。4.由透鏡/RS引起的場(chǎng)指紋對(duì)于所有場(chǎng)是恒定的，并且與誤差的其他部分是不相關(guān)的。5.依賴(lài)于掃描方向的場(chǎng)內(nèi)誤差將通過(guò)三個(gè)一次多項(xiàng)式描述為低頻掩模版臺(tái)定位誤差dx P_n (y)，dy P_n (y)，dy x*P_n (y)(這表示旋轉(zhuǎn)誤差)。確定重疊誤差的思想不保證被校準(zhǔn)的參數(shù)的絕對(duì)準(zhǔn)確性。其可以保證，被確定的參數(shù)是不相關(guān)的，并且這些參數(shù)在掃描器的應(yīng)用范圍內(nèi)(對(duì)通常的場(chǎng)尺寸的動(dòng)態(tài)曝光)是正確的。此外，由于不考慮可能由反射鏡形狀引起的二次晶片變形項(xiàng)，一次反射鏡形狀校準(zhǔn)與二次晶片變形無(wú)關(guān)。定位誤差如果反射鏡變形存在，其將影響曝光，與掃描或步進(jìn)方向沒(méi)有關(guān)系。因此，反射鏡的多項(xiàng)式模型形式是dx(y_w) = Sum(a_n*y_w"n)dy (χ) = Sum (b_n*x' η)其中χ是場(chǎng)的中心點(diǎn)的χ坐標(biāo)，y_w是散射儀目標(biāo)標(biāo)記的y坐標(biāo)。這表示由XT掃描器產(chǎn)生的物理定位誤差。定位誤差的NXT模型更為復(fù)雜。因?yàn)槊總€(gè)編碼器可以影響χ和y偏移，該模型變成二次的。而且，其必須針對(duì)每個(gè)編碼器/柵格板單獨(dú)地確定(dx, dy) = Encoder—model(Sum(Sum(c_i_n_m氺))其中i表示編碼器i。依賴(lài)于掃描/步進(jìn)的誤差向上/向下掃描和向左/向右步進(jìn)誤差可能由曝光卡盤(pán)或晶片的變形引起。在這種情況下，變形將導(dǎo)致不同移動(dòng)(XT)或漂移的編碼器位置(NXT)的變形的反射鏡。因此， 為了描述XT向上/向下掃描和向左/向右步進(jìn)效應(yīng)，使用下面的多項(xiàng)式dx_up(y) = Sum(d_n*y"n)dx_down (y) = _dx_up(y)dy_up (χ) = Sum(e_n*x"n)dy_down (x) = -dy_up(x)dx_left(y) = Sum(f_n*y"n)dx_right(y) =-dx_left(y)dy_left(x) = Sum(g_n*x"n)dy_right(x) =-dy_left(x)其中(x，y)是曝光過(guò)的場(chǎng)(中心點(diǎn))的位置。對(duì)于NXT，使用下面的關(guān)系式(dx_up, dy_up) = Encoder model (h_up)(dx_left, dy_left) = Encoder model(h_left)(dx_down, dy_down) = -(dx_up, dy_up)(dx_right, dy_right) = -(dx_left, dy_left)同樣，在曝光過(guò)程中，可以預(yù)期晶片或晶片臺(tái)的變形。為了描述晶片和晶片臺(tái)的變形，使用二次多項(xiàng)式模型dx—up = Sum(u—η—m*x"n*y"m)dy—up = Sum(v—η—m*x"n*y"m)dx_down (x, y) = -dx_up (x, y)dy_down (x, y) = -dy_up (x, y)晶片變形
柵格誤差的其他部分被認(rèn)為是由晶片變形引起的，其可能具有機(jī)械的或熱屬性。 晶片可能例如在晶片夾持期間在力的作用下靜態(tài)地變形，或晶片可能在曝光期間變形。因?yàn)檎５南到y(tǒng)用途是曝光，可以假定當(dāng)BL的校準(zhǔn)布局被選定為是“典型的或常用的”(場(chǎng)的數(shù)量、場(chǎng)尺寸、正常曝光)，由于曝光引起的晶片變形在產(chǎn)品和校準(zhǔn)之間應(yīng)該沒(méi)有偏離太多。因此，晶片變形的關(guān)系式可以是dx = Sum(Sum(r_n_m*x"n*y"m))dy = Sum(Sum(s_n_m*x"n*y"m))其中(x，y)是YS標(biāo)記在晶片上的位置。此外，該模型可以延伸到例如雙圖案化的應(yīng)用，其中一個(gè)晶片在兩次通過(guò)中曝光， 例如圖像。在這種情形中，第二或更多圖像由于例如熱擾動(dòng)而具有不同的變形。對(duì)于這些應(yīng)用，通過(guò)在一個(gè)晶片上執(zhí)行多次曝光并確定在每次曝光通過(guò)中的晶片變形(如上所述)， 可以一致地校準(zhǔn)晶片變形。場(chǎng)誤差場(chǎng)校正模型可以如下進(jìn)行表示(符號(hào)P_n(x) = Sum(a_n*x"n))dx Ρ_η (χ) (η < 4)dx P_n (y)dy P_n (χ) (η < 3)dy P_n (y)dy x*P_n (y)在延伸歸因于依賴(lài)y的透鏡誤差(由于掃描透鏡元件或焦點(diǎn)偏移)的校正機(jī)制的情況下，通過(guò)在掃描操作期間僅調(diào)整透鏡或焦點(diǎn)偏移可以延伸場(chǎng)內(nèi)校正，因此還可以校正例如下面的誤差dx P_n_m(x, y) = Sum(t_n_m*x"n*y"m), η < 4dy P_n_m(x, y) = Sum(w_n_m*x"n*y"m), η < 3注意的是，通過(guò)調(diào)整透鏡元件可以?xún)H校正與χ的冪成比例的誤差，因此具有有限的校正能力。依賴(lài)于掃描方向的場(chǎng)誤差掃描方向誤差假定，掃描擾動(dòng)發(fā)生在影響掩模版的定位的掩模版臺(tái)上。這些誤差引起依賴(lài)于掃描方向的定位指紋，將在場(chǎng)水平面上校正為dx_up P_n (y)dy_up P_n (y)dy_up χ氺P_n (y)dx_down = _dx_updy_down = -dy_up用于模型參數(shù)估計(jì)的方法通過(guò)下面步驟、由測(cè)量數(shù)據(jù)可以確定這些影響1.首先，確定場(chǎng)變形(場(chǎng)內(nèi)誤差)?；趻呙杵髡`差的知識(shí)，可以假定場(chǎng)變形由掩模版臺(tái)或透鏡引起并且其與柵格誤差的其他部分不相關(guān)。2.確定掃描/步進(jìn)方向誤差(晶片和掩模版臺(tái)定位誤差)。因?yàn)檫@些誤差對(duì)重疊的影響將具有高頻屬性(相鄰的場(chǎng)將顯示顯著的改變)，可以與位置和變形誤差獨(dú)立地確定這些誤差(相鄰的場(chǎng)將顯示輕微的改變)。接縫數(shù)據(jù)或測(cè)量的重疊數(shù)據(jù)可以用于確定這些誤差。因此，存在若干種方法確定這些誤差。3.同時(shí)確定掃描/步進(jìn)方向校準(zhǔn)的剩余數(shù)據(jù)的定位和變形誤差。與場(chǎng)和/掃描/ 步進(jìn)方向誤差不同，定位和晶片變形中的誤差不能有效地分開(kāi)。因此，這些誤差必須同時(shí)確定以提供最好的校正。可選地，掃描/步進(jìn)方向誤差確信同時(shí)與柵格誤差進(jìn)行確定。這里可以使用獨(dú)立的參照，例如蝕刻的參照晶片。為了能夠確定校正，必須測(cè)量場(chǎng)的足夠數(shù)量的點(diǎn)(在χ和y坐標(biāo)內(nèi)大約7個(gè))。此外，曝光圖案必須選擇為使得其代表掃描/步進(jìn)方向。校正方法根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的校正方法是單獨(dú)地應(yīng)用到掃描器的不同子系統(tǒng)的所有上面的模型化的參數(shù)的結(jié)合1.定位誤差通過(guò)低水平定位控制器校正以便能夠校正在一次曝光中快速的柵格變化。這將給出在校正方面執(zhí)行的最佳的性能。其是新的功能。2.依賴(lài)于掃描/步進(jìn)方向的誤差通過(guò)定位或量測(cè)控制器進(jìn)行校正。此外，如在步驟1中那樣，如果需要在場(chǎng)內(nèi)對(duì)快速變化的情況的誤差進(jìn)行校正，則在低水平定位模塊上執(zhí)行。3.柵格變形誤差可以通過(guò)調(diào)整曝光過(guò)的場(chǎng)的設(shè)定點(diǎn)來(lái)校正。4.場(chǎng)誤差可以通過(guò)調(diào)整透鏡/掩模版臺(tái)設(shè)定點(diǎn)而被進(jìn)行校正。5.依賴(lài)于掃描的掩模版臺(tái)定位指紋(YTX，YTY和YRZ)可以在掃描驅(qū)動(dòng)器中校正為依賴(lài)于方向的掩模版臺(tái)掃描圖校正。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，參照?qǐng)D10，示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種控制光刻設(shè)備的方法。使用掃描器1006在襯底1004上執(zhí)行(100 —種光刻曝光工藝1000。掃描器包括若干子系統(tǒng)1008、1010、1012。存在在曝光期間在重疊中由子系統(tǒng)引起的誤差。使用散射儀測(cè)量(1014)重疊誤差以獲得重疊測(cè)量值1016。執(zhí)行模型化1018以單獨(dú)地通過(guò)重疊測(cè)量值確定估計(jì)的模型參數(shù)的不同子集，例如場(chǎng)變形模型參數(shù)1020、掃描/步進(jìn)方向模型參數(shù)1022以及位置/變形模型參數(shù)10M。每個(gè)子集與由光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)引起的重疊誤差相關(guān)，如上所述。最后，通過(guò)分別使用其相應(yīng)的估計(jì)的模型參數(shù)10對(duì)、1022、 1020的子集控制掃描器的具體子系統(tǒng)1008、1010、1012而在掃描器1006內(nèi)控制(1026)曝光。這導(dǎo)致產(chǎn)品晶片10 以被良好控制的重疊1030而被曝光。通過(guò)考慮重疊誤差以便考慮掃描器誤差的具體指紋(fingerprint)，本發(fā)明的實(shí)施例的應(yīng)用導(dǎo)致更加有效的維護(hù)和保養(yǎng)。提供根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有關(guān)掃描器具體誤差的知識(shí)給離線(xiàn)的模型化應(yīng)用提高了維護(hù)保養(yǎng)的精確性。因此，較少地需要在系統(tǒng)上執(zhí)行在線(xiàn)重新校準(zhǔn)，這也有利于減小維護(hù)時(shí)間。本發(fā)明的實(shí)施例提供有效的維護(hù)保養(yǎng)，其不需要掃描器時(shí)間來(lái)執(zhí)行太多的測(cè)量。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/ 或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例， 但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用中，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、355、對(duì)8、193、157或126歷的波長(zhǎng))或極紫外(EUV)輻射(例如具有 5-20nm范圍的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示不同類(lèi)型的光學(xué)構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的和靜電的光學(xué)構(gòu)件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開(kāi)的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))的形式。應(yīng)該理解，具體描述部分而不是發(fā)明內(nèi)容和摘要部分是用于解釋權(quán)利要求的。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以給出發(fā)明人預(yù)期的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)但不是全部的實(shí)施例，并因此不應(yīng)以任何方式限制本發(fā)明和所附的權(quán)利要求。上面通過(guò)表示具體功能及其之間的關(guān)系的功能組合存儲(chǔ)塊描述了本發(fā)明。為了描述方便，這里已經(jīng)任意地限定了這些功能組合存儲(chǔ)塊的邊界?？梢韵薅ㄆ渌吔纾灰梢哉_地執(zhí)行具體的功能及其關(guān)系。前面具體實(shí)施例的前述描述將充分反應(yīng)本發(fā)明的總的性質(zhì)，以至于在不脫離本發(fā)明的總的構(gòu)思的情況下，其他的性質(zhì)可以通過(guò)應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)對(duì)這些具體實(shí)施例的不同的應(yīng)用容易地修改和/或適應(yīng)，而不需要過(guò)多的實(shí)驗(yàn)。因此，基于此處給出的教導(dǎo)和啟示，這些適應(yīng)和修改是在公開(kāi)的實(shí)施例的等價(jià)物的范圍和含義之內(nèi)的。可以理解，這里所用的術(shù)語(yǔ)或措詞是為了描述而不是限定，使得目前的說(shuō)明書(shū)的術(shù)語(yǔ)或措詞將通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)教導(dǎo)和啟示進(jìn)行解釋。本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)該受到上述的示例性實(shí)施例的限制，而應(yīng)該僅通過(guò)隨附的權(quán)利要求及其等同物進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種控制光刻設(shè)備的方法，所述方法包括下列步驟 使用所述光刻設(shè)備在襯底上執(zhí)行光刻過(guò)程；測(cè)量在所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)，以獲得襯底性質(zhì)測(cè)量值； 通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集，其中每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)；和通過(guò)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)、由所述光刻設(shè)備控制光刻工藝，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的定位子系統(tǒng)中引起的定位誤差相關(guān)的參數(shù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的機(jī)械或熱子系統(tǒng)引起的襯底變形誤差相關(guān)的參數(shù)。
4.一種用于控制用以在襯底上執(zhí)行光刻過(guò)程的光刻設(shè)備所實(shí)施的光刻工藝的設(shè)備，所述設(shè)備包括檢驗(yàn)設(shè)備，用于測(cè)量所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)、以獲得襯底性質(zhì)測(cè)量值；和處理器，配置成通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集，其中每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)；和通過(guò)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)、由所述光刻設(shè)備控制光刻工藝，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集來(lái)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的定位子系統(tǒng)中引起的定位誤差相關(guān)的參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的設(shè)備，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的機(jī)械或熱子系統(tǒng)引起的襯底變形誤差相關(guān)的參數(shù)。
7.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包含一個(gè)或多個(gè)序列的機(jī)器可讀指令，用于控制用以在襯底上執(zhí)行光刻過(guò)程的光刻設(shè)備實(shí)施的光刻工藝，所述指令適于引起一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行下列動(dòng)作接收所述光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)測(cè)量值；通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集，其中每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的誤差相關(guān)；和通過(guò)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)、由所述光刻設(shè)備控制光刻工藝，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集來(lái)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。
8.一種用于控制光刻工藝的設(shè)備，包括檢驗(yàn)設(shè)備，配置用以測(cè)量光刻過(guò)程中產(chǎn)生的襯底性質(zhì)以獲得襯底性質(zhì)測(cè)量值；和處理器，配置成通過(guò)所述襯底性質(zhì)測(cè)量值單獨(dú)地確定所述光刻設(shè)備的估計(jì)的模型參數(shù)的多個(gè)子集，其中每個(gè)子集與所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的一個(gè)或多個(gè)誤差相關(guān)；和通過(guò)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)、由所述光刻設(shè)備控制光刻工藝，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的所述被控制的具體子系統(tǒng)的相應(yīng)子集來(lái)控制所述光刻設(shè)備的具體子系統(tǒng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的定位子系統(tǒng)中引起的定位誤差相關(guān)的參數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，估計(jì)的模型參數(shù)的所述多個(gè)子集中的至少一個(gè)包括與在所述襯底性質(zhì)中由所述光刻設(shè)備的相應(yīng)的機(jī)械或熱子系統(tǒng)引起的襯底變形誤差相關(guān)的參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種控制光刻設(shè)備的方法和設(shè)備。使用掃描器在襯底上執(zhí)行光刻曝光過(guò)程。掃描器包括若干子系統(tǒng)。在曝光期間存在有在系統(tǒng)中產(chǎn)生的重疊誤差。使用散射儀測(cè)量重疊誤差以獲得重疊測(cè)量值。執(zhí)行模型化以通過(guò)重疊測(cè)量值單獨(dú)地確定估計(jì)的模型參數(shù)的不同子集，例如場(chǎng)變形模型參數(shù)、掃描/步進(jìn)方向模型參數(shù)以及位置/變形模型參數(shù)。每個(gè)子集與光刻設(shè)備的相應(yīng)的具體子系統(tǒng)中引起的重疊誤差相關(guān)。最后，通過(guò)控制掃描器的具體子系統(tǒng)來(lái)控制掃描器中的曝光，其中使用估計(jì)的模型參數(shù)的相應(yīng)子集控制所述掃描器的具體子系統(tǒng)。這導(dǎo)致產(chǎn)品晶片以被良好控制的重疊而曝光。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102163001SQ201110042370
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月19日
發(fā)明者A·帕迪爾, B·曼科特柴可夫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司