專利名稱：光刻設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光 刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?(reticle)的圖案形成裝置用于生成對(duì)應(yīng)于IC的單層的電路圖案。可以將該圖案成像到襯 底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上，所述襯底 具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的 網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所 述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)沿給定方向 (“掃描”方向)的輻射束掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述 襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。US6, 737，662描述一種光刻設(shè)備，在所述光刻設(shè)備中，反射鏡陣列被用于將所需的 角強(qiáng)度分布應(yīng)用于輻射束，所述輻射束隨后被用于將圖案投影到襯底的目標(biāo)部分上。例如，需要提供一種克服或減緩在US6，737，662中所述的設(shè)備的至少一個(gè)缺點(diǎn)的 光刻設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯底；采用照射系統(tǒng)提 供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及將圖案化的輻 射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相 關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換 成所需的照射方式；分配方案，所述分配方案用于將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照 射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供所述照射方式或所述輻射束的至少一種 屬性的所需修改。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯底；采用照射 系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及將圖案 化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列 以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束 轉(zhuǎn)換成所需的照射方式。所述方法還包括采用所述獨(dú)立可控的元件陣列將所述輻射束 轉(zhuǎn)換成第一照射方式，然后采用所述獨(dú)立可控的元件陣列將所述輻射束轉(zhuǎn)換成第二照射方 式；采用分配方案，以使得將輻射引導(dǎo)到第一照射方式下的位置上的所述獨(dú)立可控的元件 被用于將輻射引導(dǎo)到第二照射方式下的位置上，選擇所述位置，以使得所需的、在兩種方式 之間轉(zhuǎn)換的獨(dú)立可控的元件的運(yùn)動(dòng)少于如果采用隨機(jī)的分配方案時(shí)所需的運(yùn)動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯底；采用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及將圖案 化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列 以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束 轉(zhuǎn)換成所需的照射方式。所述方法還包括采用檢測(cè)器檢測(cè)輻射束的指向的變化；以及調(diào) 整所述獨(dú)立可控的元件以至少部分地修正所述束的指向的變化。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)， 所述照射系統(tǒng)配置用于提供輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)配置用于支撐圖案形成裝置， 所述圖案形成裝置用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；襯底臺(tái)，用于保持襯底； 以及投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中 所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列和相 關(guān)的光學(xué)部件設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述照射系統(tǒng)還包括控制器，設(shè) 置用于根據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分 配方案被選擇以提供所述照射方式的至少一種屬性的所需的修改。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種器件制造方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié) 輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，以將輻射 束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述控制包括根據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的元件分配給照 射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供照射方式、輻射束或照射方式和輻射束 兩者中的至少一種屬性的所需的修改；以圖案在輻射束的橫截面上對(duì)輻射束進(jìn)行圖案化， 以形成圖案化的輻射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種器件制造方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié) 輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣列，以根據(jù)分配方案將輻射束轉(zhuǎn) 換成第一照射方式和第二照射方式，以使得將輻射引導(dǎo)到在第一照射方式下的位置上的獨(dú) 立可控的元件被用于將輻射引導(dǎo)到在第二照射方式下的位置上，所述位置被選擇，以使得 所述獨(dú)立可控的元件的運(yùn)動(dòng)當(dāng)在第一和第二照射方式之間轉(zhuǎn)換時(shí)少于隨機(jī)的分配方案所 需的運(yùn)動(dòng)；以圖案在輻射束的橫截面上對(duì)輻射束進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的輻射束；以 及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在所附示意圖中， 相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分，且其中圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的布置、從角強(qiáng)度分布到空間強(qiáng)度分布的變換；圖3更詳細(xì)地示出如圖1所示的光刻設(shè)備的部分；圖4示出光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布；圖fe-b示意性地示出可以形成如圖1所示的光刻設(shè)備的一部分的反射鏡陣列的 反射鏡；圖6至8、10和11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反射鏡分配方案；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于補(bǔ)償光瞳變跡的反射鏡分配方案的效果；圖12至Ha-b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用反射鏡分配方案的聚焦遠(yuǎn)心和方式強(qiáng)度調(diào)整；以及圖15和16示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于降低入射到反射鏡陣列的反射鏡上的
輻射量的設(shè)備。
具體實(shí)施例方式盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這 里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖 案、液晶顯示器、薄膜磁頭的制造等。對(duì)于普通的技術(shù)人員，應(yīng)該理解的是，在這種可替代的 應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ) “襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道 (一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、度量工具 或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具 中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯 底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有5_20nm 范圍內(nèi)的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地解釋為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦 予輻射束的圖案可能不與在襯底目標(biāo)部分上所需的圖案完全相對(duì)應(yīng)。通常，被賦予輻射束 的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二 元掩模類型、交替相移掩模類型、衰減相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。 可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以 便沿不同方向反射入射的輻射束；以這種方式，所述被反射的輻射束被圖案化。支撐結(jié)構(gòu)保持圖案形成裝置。其以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì) 以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述 支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械夾持、真空的或其他夾持技術(shù)(例如在真空條件下的靜電夾持)保 持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移 動(dòng)的，所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在 這里使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢员徽J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括 折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)和反射折射型光學(xué)系統(tǒng)，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適 合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語(yǔ) “投影透鏡”可以被認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。所述照射系統(tǒng)也可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型和反射折射 型的光學(xué)部件，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射束，且這些部件也可以在下文被統(tǒng)稱為或特別地 稱為“透鏡”。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的支撐 結(jié)構(gòu))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在將一個(gè)或更多 個(gè)其他臺(tái)用于曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟。所述光刻設(shè)備可以是允許在兩個(gè)或更多個(gè)掩模之間(或在設(shè)置在可控的圖案形 成裝置上的圖案之間)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換的類型，例如，如US2007-0013890A1中所述。所述光刻設(shè)備也可以是其中襯底被浸在具有相對(duì)高折射率的液體(例如水)中的 類型，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙。浸沒(méi)液也可以被應(yīng)用到光刻設(shè)備 中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之間)。浸沒(méi)技術(shù)用于增加投影 系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域中是公知的。圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的特定的實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射 系統(tǒng)(照射器)IL，用于調(diào)整輻射束PB (例如，紫外輻射或極紫外輻射)；支撐結(jié)構(gòu)MT，用于 支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與用于相對(duì)于PL精確地定位圖案形成裝置的第一定 位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片) W,并與用于相對(duì)于PL精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；以及投影系統(tǒng)(例如折射 式投影透鏡)PL，所述投影系統(tǒng)PL配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束PB的圖案成 像到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列)。所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立 的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成光刻設(shè)備的組 成部分，并且通過(guò)包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所 述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述設(shè)備的組成部 分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述 束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。以下對(duì)照射器IL進(jìn)行進(jìn)一步描述。所述輻射束PB在離開(kāi)照射器IL之后，入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT上的所述圖案形 成裝置(例如，掩模)MA上。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束PB通過(guò)透鏡PL， 所述PL將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器 IF(例如，干涉儀器件)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部 分C定位于所述輻射束PB的輻射路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在 掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于 將圖案形成裝置MA相對(duì)于所述輻射束PB的輻射路徑精確地定位。通常，可以通過(guò)形成所 述定位裝置PM和PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái) 實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT和WT的移動(dòng)。然而，在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT 可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)齊標(biāo)記Ml、M2和 襯底對(duì)齊標(biāo)記PI、P2來(lái)對(duì)齊圖案形成裝置MA和襯底W?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下優(yōu)選模式中1.在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束PB的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的 同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)MT和所述襯底臺(tái)WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝 光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì) 支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐 結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。 在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非 掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止 狀態(tài)，并且在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn) 行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng) 之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種 操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣 列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AM。這 可以允許對(duì)例如所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少外部和/或內(nèi)部徑向范圍 (一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL通常包括各種其他 部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述積分器(例如可以是石英棒)改善輻射束的均勻 性。在輻射束入射到圖案形成裝置(例如掩模)MA之前，所述輻射束在照射器的光瞳 平面上的空間強(qiáng)度分布被轉(zhuǎn)換成角強(qiáng)度分布。換句話說(shuō)，在照射器的光瞳平面和圖案形成 裝置MA(圖案形成裝置在場(chǎng)平面上)之間存在傅里葉關(guān)系。這是因?yàn)檎丈淦鞴馔矫婊?上與耦合光學(xué)元件CO的前焦面一致，所述耦合光學(xué)元件將輻射束聚焦到圖案形成裝置MA 上。在光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布的控制可以被用于提高圖案形成裝置MA的圖像被 投影到襯底W上所具有的精度。尤其，具有雙極、環(huán)形或四極離軸照射輪廓的空間強(qiáng)度分布 可以被用于增強(qiáng)對(duì)圖案進(jìn)行投影所具有的分辨率，或者改善其他參數(shù)(例如對(duì)于投影透鏡 的像差的敏感度、曝光寬容度和焦深)。圖2更詳細(xì)地示出輻射束PB的對(duì)應(yīng)的角強(qiáng)度和空間強(qiáng)度分布的原理。根據(jù)現(xiàn)有 技術(shù)的布置，輻射束的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(分別為σ-外部和σ-內(nèi)部)可以采用 衍射元件4的陣列進(jìn)行設(shè)定。每個(gè)衍射元件4形成光線的發(fā)散光錐5。每個(gè)光線光錐5對(duì) 應(yīng)于輻射束PB的一部分或子束。光錐5將在聚焦透鏡6入射。在聚焦透鏡6的后焦面8 上，每個(gè)光錐5對(duì)應(yīng)于一個(gè)照射區(qū)域。所述區(qū)域的尺寸依賴于光錐5的光線傳播的方向的 范圍。如果所述方向范圍小，則在后焦面8上的照射區(qū)域的尺寸也小。如果所述方向范圍 大，則在后焦面8上的照射區(qū)域的尺寸也大。進(jìn)而，所有相同方向的光錐5，即相互平行的所 有光線對(duì)應(yīng)于在后焦面8上的相同的特定點(diǎn)(假定采用理想光學(xué)條件)。已知在具有環(huán)形的輻射束PB的橫截面中(尤其是在輻射束的光瞳平面中)產(chǎn)生 空間強(qiáng)度分布。這被公知為環(huán)形照射方式。所述環(huán)形的示例在圖4中由兩個(gè)同心圓示出。 環(huán)形的內(nèi)部徑向范圍(σ -內(nèi)部)對(duì)應(yīng)于強(qiáng)度為0或接近0的中心區(qū)域，并可以通過(guò)采用合適的衍射光學(xué)元件陣列進(jìn)行設(shè)定。例如，參照?qǐng)D2，衍射元件4的陣列可以被選擇，配置所 述衍射元件4的陣列，以使得沒(méi)有光線光錐5將在所述中心區(qū)域上入射，而替代地僅僅在環(huán) 形區(qū)域上入射(盡管在實(shí)際中，由于諸如色散等效應(yīng)而在所述中心區(qū)域上存在大于0的強(qiáng) 度)。通過(guò)衍射元件陣列4的合適的選擇，在橫截面區(qū)域上可以產(chǎn)生其他的空間強(qiáng)度分布， 例如雙極或四極照射。諸如變焦透鏡或軸棱鏡等附加的光學(xué)元件(未示出)可以被用于將 其他修改方案應(yīng)用于輻射束的角分布上。圖3示意性地示出替代的現(xiàn)有技術(shù)的布置。源31 (相當(dāng)于圖1中的LA)輸出相對(duì) 窄的經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直的輻射束，所述輻射束通過(guò)快門11。然后，輻射束通過(guò)束發(fā)散光學(xué)元件32，所 述束發(fā)散光學(xué)元件32將輻射束擴(kuò)展為具有與反射元件33a、33b、33c、33d和33e的陣列33 的尺寸相對(duì)應(yīng)的尺寸。理想地，所述輻射束發(fā)散光學(xué)元件32應(yīng)當(dāng)輸出經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直的輻射束。 優(yōu)選地，經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的輻射束的尺寸足夠大，以使得輻射束在所有反射元件33a至3 上入 射。在圖3中，通過(guò)示例，示出經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的輻射束的三個(gè)子束。第一子束入射到反射元件3 上。類似于陣列33的其他反射元件33a、33c至33e， 反射元件3 可以被控制用于調(diào)整其取向，以使得所述子束沿著所需的預(yù)定方向被反射。 轉(zhuǎn)向光學(xué)元件16可能包括聚焦透鏡，所述轉(zhuǎn)向光學(xué)元件16使所述子束轉(zhuǎn)向，以使得其入射 到輻射束的橫截面18中的所需點(diǎn)或小區(qū)域上。橫截面18可以與光瞳平面一致，所述橫截 面18用作對(duì)于照射器的其他部分(圖3中未示出)的虛擬輻射源。如圖3所示的其他子束 被反射元件33c、33d反射，并由轉(zhuǎn)向光學(xué)元件16轉(zhuǎn)向，以便在橫截面18的其他點(diǎn)上入射。 通過(guò)控制反射元件33a至33e的取向，可以在橫截面18上產(chǎn)生幾乎任何空間強(qiáng)度分布。盡管圖3僅示出五個(gè)反射元件33a_e，但是陣列33可以包括更多的反射元件，例 如以兩維柵格設(shè)置的反射元件。例如，陣列33可能包括IOM(例如32x32)個(gè)反射鏡，或者 4096(例如64x64)個(gè)反射鏡或者其他任何合適數(shù)量的反射鏡。多于一個(gè)的反射鏡陣列可以 被使用。例如，可以使用一組四個(gè)具有32x32個(gè)反射鏡的反射鏡陣列。在下面的文字中，術(shù) 語(yǔ)“陣列”可以表示單個(gè)陣列或一組反射鏡陣列。陣列33的每個(gè)反射鏡的取向可以被獨(dú)立地調(diào)整。反射鏡的取向可以由控制器CT 所控制(見(jiàn)圖1)。圖4示出在由光刻設(shè)備的照射器產(chǎn)生的光瞳平面中的空間強(qiáng)度分布。圖4可以被 理解為示出采用多個(gè)子束產(chǎn)生空間強(qiáng)度分布的原理的示意圖。圖4的紙平面與輻射束的 橫截面(例如圖3的橫截面18) —致。圖4示出十五個(gè)圓形區(qū)域23，所述十五個(gè)圓形區(qū)域 23表示具有大于閾值的照射強(qiáng)度的區(qū)域。如圖4所示的強(qiáng)度分布具有近似平行四邊形的形 狀。由于輻射束的子束可以被引導(dǎo)到橫截面區(qū)域的任意所需位置上，所以可以產(chǎn)生幾乎任 何強(qiáng)度分布。然而，也可能產(chǎn)生可以被考慮成常規(guī)的強(qiáng)度分布(例如具有環(huán)形、具有雙極形 狀、四極形狀等)的強(qiáng)度分布。在圖4中，在內(nèi)圓和外圓之間的區(qū)域21可以被填滿圓形區(qū) 域23?？梢酝ㄟ^(guò)將子束引導(dǎo)到在內(nèi)圓和外圓之間的對(duì)應(yīng)位置來(lái)調(diào)整σ-外部和σ-內(nèi)部。圖fe-b示意性地示出反射元件的示例，所述反射元件例如可以形成如圖3示意性 地示出的反射元件的陣列的一部分。反射元件的陣列可以包括例如超過(guò)1000個(gè)這種反射 元件，所述反射元件可以例如被設(shè)置在輻射束經(jīng)過(guò)的面上且以柵格形狀構(gòu)造。如圖fe-b所 示的反射元件，在圖fe中是所述反射元件的俯視圖，在圖恥中是所述反射元件的立體圖。 為了便于表示，在圖5a中示出的一些細(xì)節(jié)沒(méi)有被包括在圖恥中。反射元件包括具有矩形反射表面區(qū)域的反射鏡61。通常，所述反射鏡可以具有任意所需的形狀，例如方形、矩形、圓 形、六角形等。反射鏡61經(jīng)由旋轉(zhuǎn)連接件65被連接到支撐構(gòu)件63。反射鏡61可以相對(duì) 于支撐構(gòu)件63旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)圍繞第一軸線X (由虛線表示)進(jìn)行。支撐構(gòu)件63以旋轉(zhuǎn)方 式連接到支腳67，所述支腳67由襯底(未示出)支撐。所述支撐構(gòu)件可以圍繞第二軸線 Y(由虛線表示)旋轉(zhuǎn)。因此，能夠?qū)⒎瓷溏R61設(shè)定成沿著一定的方向取向，所述方向需要 X軸和Y軸旋轉(zhuǎn)的組合確定。反射鏡61的取向可以采用靜電致動(dòng)器71控制。靜電致動(dòng)器71包括預(yù)定電荷所 應(yīng)用的板。電荷通過(guò)靜電吸引力吸引反射鏡61，并被改變成調(diào)整所述反射鏡的取向。傳感 器可以被設(shè)置用于給出反射鏡61的取向的反饋控制。傳感器可以例如是光學(xué)傳感器，或者 可以例如是電容反饋傳感器。被用作靜電致動(dòng)器的板也可能用作電容反饋傳感器。盡管僅 僅兩個(gè)靜電致動(dòng)器71在圖fe-b中示出，但是可以使用多于兩個(gè)的靜電致動(dòng)器?？梢圆捎?任何其他適當(dāng)形式的致動(dòng)器。例如可以使用壓電致動(dòng)器。反射鏡61的取向可以被調(diào)整以便將入射的輻射束反射到任何所需的半球方向 上。關(guān)于如圖6所示類型的反射元件的其他細(xì)節(jié)以及其他類型在例如US6，031，946中公開(kāi)。陣列33的反射鏡分配可能采用簡(jiǎn)單的途徑完成。例如，圖6示意性地示出反射鏡 33的陣列以及環(huán)形21，所述環(huán)形21通過(guò)反射鏡經(jīng)由合適的輻射方向而形成。在典型的簡(jiǎn)單 的現(xiàn)有技術(shù)反射鏡分配方案中，第一反射鏡A被用于將輻射引導(dǎo)到環(huán)形的最上區(qū)域上。被 引導(dǎo)到該位置的輻射被表示為圓形區(qū)域A。陣列的第二反射鏡B被用于將輻射引導(dǎo)到環(huán)形 的相鄰位置B。陣列的第三反射鏡C被用于將輻射引導(dǎo)到另一個(gè)相鄰位置C等等。由此可 見(jiàn)，反射鏡分配方案是很簡(jiǎn)單的。應(yīng)當(dāng)理解，圖6是示意性的。在實(shí)際中可以使用更多的反 射鏡。在相鄰的照射區(qū)域之間存在更多的交疊。所述照射區(qū)域可以更小。在本發(fā)明的實(shí)施例中，如下所述，不是僅僅以諸如關(guān)于圖6的上述方式分配反射 鏡，而是設(shè)置反射鏡的分配，以使得其提供有益效果。這可能包括例如對(duì)光刻設(shè)備的不希望 的屬性的補(bǔ)償以及為改善光刻而對(duì)輻射束的屬性進(jìn)行的調(diào)整等。參照?qǐng)D7，示出反射鏡分配方案，所述反射鏡分配方案可以被用于提高在環(huán)形21 中的輻射強(qiáng)度的均勻性。在圖7中，當(dāng)形成所述環(huán)形的給定部分時(shí)，使用反射鏡陣列33的不 同部分。在所述示例中，采用在陣列33的左上角的第一反射鏡A形成第一圓形區(qū)域A(如 圖6所示)。采用位于反射鏡陣列33的下半部分的反射鏡D形成所述環(huán)形的相鄰的圓形區(qū) 域B。采用也位于所述反射鏡陣列的下半部分的反射鏡形成不同的相鄰的圓形區(qū)域C。采 用位于所述陣列的上半部分的反射鏡形成相鄰的圓形區(qū)域D、E。以這種方式，用于形成環(huán) 形21的圓形區(qū)域被從反射鏡陣列33的上半部分和下半部分中選出。以這種方式結(jié)合來(lái)自 反射鏡陣列33的不同部分的輻射可以幫助減小構(gòu)成環(huán)形21的輻射強(qiáng)度的變化。有時(shí)會(huì)出現(xiàn)形成反射鏡陣列的反射鏡的反射率不均勻的情況。例如，在陣列的上 部處的反射鏡具有比在陣列下部處的反射鏡更高的反射率。這例如可能由于被用于形成反 射鏡的涂層的材料的變化而出現(xiàn)。典型地，反射鏡的反射率的變化具有低的空間頻率，即， 所述反射率在相鄰的反射鏡之間沒(méi)有明顯的變化，但是替代地，穿過(guò)所述陣列的表面逐漸 變化。除了反射鏡反射率的變化之外或者沒(méi)有反射鏡反射率的變化，還可以看到輻射束穿過(guò)其橫截面的強(qiáng)度變化。在陣列的反射率(或輻射束的強(qiáng)度)從陣列的上部到下部逐漸增加的情況下(如 圖7所示)，以如圖6所示的方式進(jìn)行的反射鏡的分配將導(dǎo)致采用反射鏡所形成的在環(huán)形 21中的輻射強(qiáng)度的相應(yīng)變化。也就是說(shuō)，環(huán)形的強(qiáng)度將從上到下逐漸增加(如圖7所示)。 然而，如果采用如圖7所示的反射鏡分配方案，則所述強(qiáng)度的變化由于被反射鏡分配方案 平均而無(wú)法看到。如圖7所示的反射鏡分配方案是反射鏡分配方案的簡(jiǎn)單示例，所述反射鏡分配方 案可以被用于本發(fā)明的實(shí)施例，以去除或減少采用所述反射鏡所形成的形狀中的強(qiáng)度變 化。其他反射鏡分配方案可以出于相同目的而被使用。在本發(fā)明的可替代的實(shí)施例中，反射鏡陣列可以例如被考慮成四個(gè)區(qū)域或八個(gè)區(qū) 域等。每個(gè)區(qū)域?qū)⒁恍┹椛涮峁┙o采用反射鏡形成的形狀的每一個(gè)部分。這例如可以去除 或減少?gòu)?qiáng)度變化，所述強(qiáng)度變化例如可能由如圖7所示的反射鏡的反射率從左到右的逐漸 增加而產(chǎn)生，或者由如圖7所示的反射鏡的反射率從左上角到右下角的逐漸增加而產(chǎn)生。通常，反射鏡可以從陣列的不同部分分配，以便減少?gòu)?qiáng)度變化，或者減少或緩解一 些其他效應(yīng)。所述部分的尺寸及其間隔通常將依賴于待減少或緩解的效應(yīng)的空間頻率(或 一些其他屬性)。因此，在本文中，對(duì)于陣列的不同部分的提及不能被解釋為被限制于所述 陣列的不同的半部、所述陣列的不同的四分之一部分等。通常，對(duì)于在陣列的不同部分中的 反射鏡的引用可以被解釋為表示反射鏡不相鄰排列。在另一個(gè)替代的實(shí)施例中，反射鏡的分配可以被隨機(jī)地完成。換句話說(shuō)，陣列33 的任何反射鏡可以被用于形成第一圓形區(qū)域A，而任何其他的反射鏡可以被用于形成第二 圓形區(qū)域B。然后，任何未使用的反射鏡可以被用于形成圓形區(qū)域C等等。所述反射鏡被隨 機(jī)地選擇。隨機(jī)的反射鏡分配可能減少或去除由于反射鏡陣列的反射鏡之間的反射率差異 所造成的強(qiáng)度變化。隨機(jī)反射鏡分配也將減少或去除由于由源SO生成的輻射束的(橫截 面中的強(qiáng)度的)不均勻性所產(chǎn)生的強(qiáng)度變化。這在下文中進(jìn)行進(jìn)一步的解釋。本發(fā)明的上述實(shí)施例以圖6示意性地示出以很小的交疊彼此相鄰的輻射的圓形 區(qū)域A-E的方式被簡(jiǎn)化。然而，在一些情況下，環(huán)形(或其他形狀)的構(gòu)造可以以一定的布 置實(shí)現(xiàn)，在所述布置中，幾個(gè)圓形區(qū)域在任意給定位置處上下堆疊。經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)化的示意性示例 如圖8所示。位于環(huán)形21內(nèi)的五個(gè)圓形區(qū)域中的每一個(gè)接收由所述陣列的八個(gè)不同的反 射鏡所引導(dǎo)的輻射(所述區(qū)域標(biāo)記為8)。四個(gè)圓形區(qū)域(標(biāo)記為幻中的每一個(gè)接收來(lái)自 陣列的兩個(gè)反射鏡的輻射。如此的配置例如可以在例如需要逐漸降低形成所述環(huán)形的輻射 的強(qiáng)度的情況下使用。這是簡(jiǎn)化的示例，且在實(shí)際中，所述圓形區(qū)域可能變小，并存在多得 多的交疊區(qū)域，由此提供強(qiáng)度的平滑降低(或平滑器)。在像這樣的、輻射的多個(gè)圓形區(qū)域 上下堆疊或彼此相鄰的情況下，所采用的反射鏡分配方案可以以上述方案為基礎(chǔ)?？蛇x地， 所述反射鏡分配方案可能不同。在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射特定的圓形區(qū)域時(shí)，當(dāng)確定反 射鏡分配時(shí)，可以考慮反射鏡的反射率。例如，可以確定平均的反射鏡的反射率。具有比平 均的反射鏡反射率高15%的反射率的反射鏡可以與比平均的反射鏡反射率低15%的反射 率的反射鏡配對(duì)。然后所述兩個(gè)反射鏡可以被用于照射將接收來(lái)自所述陣列的兩個(gè)反射鏡 的輻射的圓形區(qū)域。以這樣的方式，解決了反射鏡的反射率與平均值的偏差。
當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射例如接收來(lái)自八個(gè)反射鏡的輻射的圓形區(qū)域或接收 來(lái)自多于一個(gè)的反射鏡的輻射的任何其他圓形區(qū)域時(shí)，可以使用類似的方法。在一些情況 下，傳感器或其他測(cè)量裝置可以被用于測(cè)量每個(gè)反射鏡的反射率，所測(cè)量到的反射率被儲(chǔ) 存。然后這將允許當(dāng)確定反射鏡分配時(shí)，考慮每個(gè)獨(dú)立的反射鏡的反射率。在替代的布置 中，不是測(cè)量獨(dú)立的反射鏡的反射率，而是測(cè)量反射鏡陣列的一部分的反射率。再者，可以 在確定所述反射鏡分配時(shí)，存儲(chǔ)并考慮所述信息。在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)確定多少反射鏡被用于將輻射引導(dǎo)到給定的位置上時(shí)， 可以使用陣列的反射鏡的反射率。可以實(shí)現(xiàn)以上方法的一種方式是通過(guò)針對(duì)給定的圓形區(qū) 域記錄所需的輻射強(qiáng)度。每次反射鏡被分配給所述位置時(shí)，由所述反射鏡傳遞的輻射強(qiáng)度 被從所需的總量中減去。以這種方式，反射鏡繼續(xù)被分配給所需的位置，直到提供所需的輻 射強(qiáng)度為止。當(dāng)采用該反射鏡分配方案時(shí)，可以例如通過(guò)將總的所需功率除以反射鏡的數(shù) 量，來(lái)采用歸一化，以便確定每個(gè)反射鏡所需的功率量。盡管本發(fā)明的實(shí)施例的以上描述已經(jīng)提及采用反射鏡分配方案補(bǔ)償反射鏡的反 射率的差異，但是可以以相同的方式對(duì)于光刻設(shè)備的其他缺陷或?qū)傩蕴峁┭a(bǔ)償。例如，反射 鏡分配可以被用于補(bǔ)償被用于照射陣列的輻射束的強(qiáng)度的不均勻性。例如，所述補(bǔ)償可能 涉及之前已經(jīng)被測(cè)量的屬性，所述屬性是已知的或假定成恒定的。替代地，例如，所述補(bǔ)償 可能基于所述光刻設(shè)備的屬性的周期性測(cè)量而隨時(shí)間變化。在一些情況下，光刻設(shè)備可能遭受聚焦遠(yuǎn)心偏移。當(dāng)聚焦遠(yuǎn)心偏移出現(xiàn)時(shí)，反射鏡 陣列33的每個(gè)反射鏡可以被旋轉(zhuǎn)過(guò)預(yù)定的角度，這提供對(duì)所述聚焦遠(yuǎn)心偏移的補(bǔ)償。反射 鏡的所述旋轉(zhuǎn)隨后被作為反射鏡的零位置。反射鏡為形成所需的輻射束形狀的所有后續(xù)轉(zhuǎn) 動(dòng)被從所述零位置的起點(diǎn)進(jìn)行。由此，陣列的反射鏡對(duì)光刻設(shè)備的聚焦遠(yuǎn)心偏移進(jìn)行補(bǔ)償?！┕饪淘O(shè)備受到被稱為束指向誤差的誤差的困擾。被用于生成輻射束的激光 (或其他光源)生成輻射束，所述輻射束的指向可以隨時(shí)變化。在一些現(xiàn)有技術(shù)的光刻設(shè) 備中，通過(guò)提供修正輻射束的方向的所謂導(dǎo)向反射鏡，對(duì)束指向誤差進(jìn)行修正。所述導(dǎo)向反 射鏡由控制器控制，所述控制器配置用于檢測(cè)指向誤差并用于確定束指向反射鏡的合適取 向，以對(duì)其進(jìn)行修正。在本發(fā)明的實(shí)施例中，諸如在圖3中所示的陣列33等陣列的反射鏡 可以被用于對(duì)所述誤差進(jìn)行修正，由此消除對(duì)于提供導(dǎo)向反射鏡的需求。通過(guò)采用控制器 檢測(cè)所述束指向誤差，可以進(jìn)行修正，且然后計(jì)算被應(yīng)用于陣列的反射鏡的合適角偏移。在本發(fā)明的實(shí)施例中，反射鏡分配方案可以被用于補(bǔ)償有時(shí)會(huì)出現(xiàn)在光刻設(shè)備中 的、稱為光瞳變跡的效應(yīng)。光瞳變跡表示通過(guò)光刻設(shè)備的投影透鏡進(jìn)行的輻射的透射具有 角度依賴性。換句話說(shuō)，當(dāng)考慮進(jìn)入投影系統(tǒng)之前的輻射束時(shí)，接近所述投影系統(tǒng)的邊緣的 輻射束部分以比通過(guò)所述投影系統(tǒng)的中心區(qū)域的所述輻射束部分的強(qiáng)度低的強(qiáng)度由投影 系統(tǒng)透射通過(guò)。圖9示意性地示出如何采用例如在圖3中所示的陣列的反射鏡補(bǔ)償光瞳變 跡。圖9示意性地示出在輻射束進(jìn)入投影系統(tǒng)之前、在光瞳平面上的輻射束的橫截面的強(qiáng) 度。反射鏡陣列已經(jīng)被配置，以使得被引導(dǎo)到輻射束的外部(在光瞳平面上)的輻射多于 被引導(dǎo)到輻射束的中心部分的輻射。輻射束的強(qiáng)度遵循被選擇用于補(bǔ)償投影系統(tǒng)的光瞳變 跡的曲線。這可以例如通過(guò)采用比用于將輻射引導(dǎo)到輻射束的中心部分(在光瞳平面上) 的反射鏡更多的反射鏡將輻射引導(dǎo)到輻射束的外部(在光瞳平面上)而實(shí)現(xiàn)。光瞳變跡通 過(guò)反射鏡分配方案來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。
當(dāng)相干源(例如激光)被用于生成輻射束時(shí)，所述源的相干性可能產(chǎn)生橫跨輻射 束的橫截面的強(qiáng)度波動(dòng)。這可以被考慮成散斑的形式。輻射束中的強(qiáng)度波動(dòng)通常將隨時(shí)間 保持靜止。在一些情況下，所述強(qiáng)度波動(dòng)可能造成被投影到襯底上的圖案的惡化。在本發(fā) 明的實(shí)施例中，反射鏡分配方案可以被用于減少所述效應(yīng)。在輻射源是脈沖源(例如脈沖 激光器)的情況下，這可以通過(guò)改變?cè)谳椛涿}沖之間的反射鏡的分配或者中途通過(guò)一系列 脈沖對(duì)其進(jìn)行改變來(lái)實(shí)現(xiàn)。這如圖10所示。在如圖10所示的示例中，需要三個(gè)輻射脈沖，以便將足夠的脈沖強(qiáng)度傳遞給圓形 區(qū)域A。配置反射鏡陣列33，以使得第一反射鏡Al被用于傳遞第一輻射脈沖。不同的反射 鏡A2被用于傳遞第二輻射脈沖。第三反射鏡A3被用于傳遞第三和最終的輻射脈沖。由于 被傳遞給圓形區(qū)域A的輻射來(lái)自輻射束的橫截面的不同區(qū)域，所以在輻射束中存在的任何 強(qiáng)度變化將被平均化或顯著地減小。反射鏡A1-A3的選擇可以是隨機(jī)的，可以基于強(qiáng)度變 化的空間頻率，和/或可以考慮在強(qiáng)度脈沖之間的反射鏡的運(yùn)動(dòng)的所需范圍。在實(shí)施例中，可以通過(guò)選擇性地改變與預(yù)定的反射鏡組相對(duì)應(yīng)的光路長(zhǎng)度來(lái)減弱 散斑效應(yīng)。通過(guò)改變第一反射鏡相對(duì)于相鄰第二反射鏡的光路長(zhǎng)度的光路長(zhǎng)度，改變?nèi)肷?到各個(gè)第一和第二反射鏡上的兩個(gè)子束之間的相位關(guān)系。通過(guò)改變相位關(guān)系，散斑效應(yīng)背 減弱。對(duì)應(yīng)于反射鏡的光路長(zhǎng)度可以通過(guò)引入反射鏡的平移運(yùn)動(dòng)而被改變。所需的平移運(yùn) 動(dòng)是光波長(zhǎng)量級(jí)的，并由此比照射束的相干長(zhǎng)度小，所述照射束的相干長(zhǎng)度為0. 30m量級(jí)。 這樣，僅僅子束的相位關(guān)系被調(diào)制而不涉及其相干屬性。反射鏡的平移運(yùn)動(dòng)可以通過(guò)在脈 沖之間的靜電致動(dòng)器71的驅(qū)動(dòng)電壓的預(yù)定改變而產(chǎn)生，所述改變以在反射鏡沿著垂直于 X-Y平面的方向出現(xiàn)位移的同時(shí)不改變反射鏡的傾角的方式進(jìn)行。這可以通過(guò)將靜電致動(dòng) 器電壓之間的電壓差保持恒定、同時(shí)將它們都增加小電壓而實(shí)現(xiàn)。如果需要傳遞高強(qiáng)度的輻射束，則在大多數(shù)情況下，對(duì)于每個(gè)輻射脈沖即使不需 要采用陣列的全部反射鏡，也需要采用陣列的大多數(shù)反射鏡。所述輻射脈沖可以在時(shí)間上 相隔很近。這可能意味著，被用于照射在環(huán)形(或其他形狀)中的一個(gè)位置處的圓形區(qū)域 的給定反射鏡可能沒(méi)有足夠的時(shí)間旋轉(zhuǎn)，以使得對(duì)于后續(xù)脈沖，其可以被用于照射在環(huán)形 的相對(duì)側(cè)的圓形區(qū)域。出于所述原因，反射鏡分配方案可以被選擇，在所述反射鏡分配方案 中，給定的反射鏡從不需要旋轉(zhuǎn)超過(guò)在輻射脈沖之間的小的預(yù)定角度范圍。換句話說(shuō)，反射 鏡可以被用于將輻射引導(dǎo)到圓形區(qū)域，所述圓形區(qū)域都落在環(huán)形(或其他形狀)的相同部 分之內(nèi)。通常，可能是陣列33的反射鏡具有受限的使用壽命。所述使用壽命可能部分地依 賴于所述反射鏡被旋轉(zhuǎn)的次數(shù)和這些旋轉(zhuǎn)的角度大小的結(jié)合。在本發(fā)明的實(shí)施例中，反射 鏡分配方案被用于減小反射鏡轉(zhuǎn)角的平均大小。在一些情況下，可能需要在兩種照射方式之間變換，例如具有環(huán)形的方式和具有 四極形狀的方式。這在圖11中示意性地示出。為了幫助在所述方式之間進(jìn)行比較，點(diǎn)劃線 22表示Sigma= 1。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以選擇反射鏡分配方案，以使得被用于照射環(huán) 形的給定部分的反射鏡被用于照射位于相同的普通區(qū)域中的四極形狀的一部分。在圖11 中，在環(huán)形的左上部分中的三個(gè)圓形區(qū)域A-C被照射。被用于照射這些圓形區(qū)域的反射鏡 被用于照射最接近環(huán)形的區(qū)域的四極部分(即四極的左上部分)。類似地，圓形區(qū)域D、E被 以由特定的反射鏡引導(dǎo)到其上的輻射所照射。這些相同的反射鏡被用于將輻射引導(dǎo)到最接近環(huán)形的相關(guān)部分的四極形狀的部分(即右下角)。當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射位于相同 的普通位置上的四極形狀的部分時(shí)，反射鏡分配方案考慮被用于照射環(huán)形的給定部分的反 射鏡的位置。這樣做減小所述反射鏡需要被轉(zhuǎn)過(guò)的角度，并由此可以延長(zhǎng)反射鏡的使用壽 命。盡管本發(fā)明的實(shí)施例表示在環(huán)形方式和四極方式之間的轉(zhuǎn)換，但是本發(fā)明的實(shí)施例可 以被應(yīng)用于在任何方式之間的轉(zhuǎn)換。在一些情況下，可以感到需要被設(shè)置在陣列33中的反射鏡的數(shù)量太大。例如，這 可能是因?yàn)樘峁┧龇瓷溏R的成本可能隨著陣列中的反射鏡的數(shù)量的上升而顯著增加。 在反射鏡陣列中所需的反射鏡的數(shù)量依賴于需要形成照射方式所具有的分辨率。換句話 說(shuō)，如果需要形成在其外邊緣上具有很光滑的圓形曲線的環(huán)形，則將需要比可接受沿著環(huán) 形的邊緣具有一些不平整的情況所需要的反射鏡更多的反射鏡。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為獲得具有給定分辨率的環(huán)形(或其他形狀)所需的反射 鏡數(shù)量可以通過(guò)在輻射脈沖之間(或在一系列輻射脈沖之間)移動(dòng)反射鏡而被減少。例如， 如果在襯底上的給定位置的曝光需要四個(gè)輻射脈沖，則反射鏡的有效數(shù)量可以通過(guò)在每個(gè) 脈沖之間移動(dòng)反射鏡而增加四倍。換句話說(shuō)，可以采用給定的反射鏡照射四個(gè)不同的位置 (每個(gè)脈沖一個(gè)位置)，而不是僅僅照射一個(gè)位置。這允許獲得相當(dāng)于由多達(dá)四倍的反射鏡 所提供的分辨率。在替代的示例中，反射鏡可以在第二和第三脈沖之間被移動(dòng)，以使得反射 鏡的數(shù)量被有效地增加到兩倍，而不是增加四倍。在另一個(gè)示例中，脈沖數(shù)量可以是五十， 并在每十個(gè)脈沖之后移動(dòng)反射鏡，由此提供相當(dāng)于將陣列中的反射鏡的數(shù)量增加五倍的分 辨率。在公知的光刻設(shè)備中，已知采用具有大于1的sigma的照射方式。這可能允許第 一衍射級(jí)或更高衍射級(jí)的輻射被用于照射圖案形成裝置(例如掩模)MA。大于1的sigma 可以通過(guò)陣列33的反射鏡的合適取向而獲得。在本發(fā)明的實(shí)施例中，至少一種反射鏡分配方案可以被用于處理輻射束的參數(shù)， 例如通過(guò)場(chǎng)的(在光瞳平面上的)橢圓率、極平衡和高能聚焦遠(yuǎn)心。橢圓率或聚焦遠(yuǎn)心處 理可以被考慮成能量不平衡處理的示例。圖12示意性地示出光刻設(shè)備任何可以造成聚焦遠(yuǎn)心誤差，以產(chǎn)生被引導(dǎo)到掩模 (或其他圖案形成裝置)MA的輻射。所述聚焦遠(yuǎn)心誤差可能是有害的，這是由于其可能劣化 被光刻設(shè)備投影到襯底上的圖案。本發(fā)明的實(shí)施例可以采用反射鏡陣列33對(duì)所述聚焦遠(yuǎn) 心誤差進(jìn)行修正。這可能被描述為輻射束的至少一個(gè)屬性的修改，而不是照射方式的至少 一個(gè)屬性的修改。通常，本發(fā)明的實(shí)施例可以被描述為采用反射鏡分配方案提供照射方式或輻射束 的至少一個(gè)屬性的所需修改。術(shù)語(yǔ)“修改”表示在輻射束入射到反射鏡陣列之前的照射方 式或輻射束與被反射鏡陣列反射之后的照射方式或輻射束之間的比較。盡管本發(fā)明的實(shí)施 例采用反射鏡陣列被描述，但是可以采用其他形式的獨(dú)立可控的元件的陣列。參照?qǐng)D12，輻射束由反射鏡陣列33經(jīng)由聚光透鏡50朝向場(chǎng)限定元件51反射。圖 12是示意性的，且應(yīng)當(dāng)理解，在實(shí)際中，在反射鏡陣列33、聚光透鏡50和場(chǎng)限定元件51的 兩兩之間存在很大的間距。聚光透鏡50可以包括一系列透鏡。設(shè)置反射鏡陣列33的反射鏡，以使得輻射束被分離到兩個(gè)區(qū)域上，所述兩個(gè)區(qū)域 在聚光透鏡50處彼此間隔開(kāi)(例如雙極方式)。輻射束的每個(gè)區(qū)域被從聚光透鏡50朝向場(chǎng)限定元件51引導(dǎo)。離開(kāi)聚光透鏡時(shí)的輻射束區(qū)域52a、52b與光軸OA成夾角。輻射束區(qū)域52a、52b通過(guò)一組透鏡53 (在此表示為單個(gè)透鏡)，所述透鏡組53將 輻射束聚焦到圖案形成裝置(例如掩模)MA上。圖案形成裝置(例如掩模)MA被位于所述 透鏡組53的出射焦面上。因此，圖案形成裝置(例如掩模)MA被輻射束照射，所述輻射束 包括具有不同的角分布的兩個(gè)區(qū)域52a、52b (雙極方式)。在圖案形成裝置(例如掩模)MA上的總輻射強(qiáng)度在圖案形成裝置(例如掩模)的 整個(gè)表面上是恒定的。然而，輻射束52a的第一區(qū)域和輻射束52b的第二區(qū)域的比例橫跨 圖案形成裝置(例如掩模)而變化。例如，在圖案形成裝置(例如掩模)的頂部上(如圖 12所示)，輻射束52a的第一區(qū)域的比例小于輻射束52b的第二區(qū)域的比例。因?yàn)槿肷涞?場(chǎng)限定元件51上的輻射不與光軸平行，所以產(chǎn)生所述差別。在圖案形成裝置(例如掩模) MA的底部，來(lái)自輻射束的第一區(qū)域52a的輻射的比例大于來(lái)自輻射束的第二區(qū)域52b的輻 射的比例。再者，因?yàn)槿肷涞綀?chǎng)限定元件51上的輻射不與光軸平行，所以產(chǎn)生所述差別。在 圖案形成裝置(例如掩模)MA的中間，來(lái)自輻射束的第一區(qū)域5 和第二區(qū)域52b的輻射 比例是相等的。用于表示橫跨掩模的輻射的變化的另一種方式是說(shuō)輻射的聚焦遠(yuǎn)心變化。在圖 12中，χ方向已經(jīng)被表示，并可能被用于幫助描述聚焦遠(yuǎn)心變化。在χ的值小時(shí)(在圖的底 部)，聚焦遠(yuǎn)心是負(fù)的，如曲線55所示。聚焦遠(yuǎn)心增加，并在圖案形成裝置(例如掩模)的 中心上過(guò)零。隨著χ的值增加，聚焦遠(yuǎn)心逐漸增加為正。如附圖標(biāo)記55所示，聚焦遠(yuǎn)心的 變化橫跨圖案形成裝置(例如掩模)是線性的。聚焦遠(yuǎn)心也被表示在附圖標(biāo)記M中，所述附圖標(biāo)記M示出在橫跨掩模的不同位 置處的等價(jià)的光瞳平面。在這些圖示中，“ + ”表示超過(guò)50%的輻射來(lái)自輻射束的特定極，而 “-”表示低于50%的輻射來(lái)自所述輻射束的特定極。在χ的值小時(shí)(在圖的底部)，大部分 輻射來(lái)自輻射束的第一區(qū)域52a，而少量的輻射來(lái)自輻射束的第二區(qū)域52b。在圖案形成裝 置(例如掩模)的頂部上，大部分輻射來(lái)自輻射束的第二區(qū)域52b，而少量輻射來(lái)自輻射束 的第一區(qū)域52a。在圖案形成裝置(例如掩模)的中心上，接收來(lái)自輻射束的第一區(qū)域52a 和第二區(qū)域52b的等量輻射。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在反射鏡陣列33處的反射鏡分配方案可以被用于調(diào)整輻 射的聚焦遠(yuǎn)心(例如在光刻設(shè)備中)。例如，反射鏡分配方案可能被用于從輻射束中去除或 減小如圖12所示的聚焦遠(yuǎn)心誤差。例如，反射鏡分配方案可以被用于為所有的χ值在圖案 形成裝置(例如掩模)MA上提供等比例的輻射束的第一區(qū)域5 和第二區(qū)域52b (在現(xiàn)有 的光刻設(shè)備中，聚焦遠(yuǎn)心誤差不會(huì)在y方向上產(chǎn)生)。結(jié)合圖13對(duì)關(guān)于聚焦遠(yuǎn)心的反射鏡分配效果進(jìn)行描述。圖13示意性地示出在三種不同的配置下的反射鏡陣列63a、b、c，每種所述配置被 用于生成所謂C四極照射方式(C-qUadrUpOle)60。所述C四極照射方式包括(在光瞳平面 上)四個(gè)束區(qū)域，每個(gè)所述束區(qū)域相互分隔開(kāi)。反射鏡陣列63a、b、c包括大約1000個(gè)反射鏡。每個(gè)反射鏡給出表示反射鏡引導(dǎo) 輻射的方式的陰影。例如，如果反射鏡是白的，則這表示反射鏡將輻射引導(dǎo)到C四極照射方 式的左極60a。如果反射鏡是黑的，則這表示反射鏡將輻射引導(dǎo)到C四極照射方式的上極 60b 等。
在圖13a中，反射鏡按行分配。第一行163a將輻射引導(dǎo)到C四極照射方式的左極 60a和右極60c，而第二行16 將輻射引導(dǎo)到C四極照射方式的上極60b和下極60d。在每 行內(nèi)，所分配的反射鏡在極間更替。所述反射鏡分配方案將去除或減小由于反射鏡反射率 變化或者輻射束的不均勻性所導(dǎo)致的強(qiáng)度變化。然而，將不修改在圖案形成裝置(例如掩 模)MA所看到的輻射束的聚焦遠(yuǎn)心。因此，如果光刻設(shè)備產(chǎn)生聚焦遠(yuǎn)心誤差，則該反射鏡分 配方案將不會(huì)去除或減小所述誤差。在圖1 中，分配所述反射鏡，以使得被引導(dǎo)到C四極的最上極60b的所有輻射來(lái) 自反射鏡陣列6 的最上面的四分之一 164a。入射到C四極的最下極上的所有輻射被從反 射鏡陣列的最下面的四分之一 16 接收。設(shè)置反射鏡分配方案，以使得在四極方式的中間 兩級(jí)上接收的輻射被從反射鏡陣列的中心部分164b的所有部分等同地接收。所述反射鏡 分配方案引入在入射到圖案形成裝置(例如掩模)MA的輻射的χ方向上的顯著的聚焦遠(yuǎn)心 變化。所述反射鏡分配方案在y方向上不產(chǎn)生聚焦遠(yuǎn)心變化。圖1 示出在χ方向上的聚焦遠(yuǎn)心變化如何被應(yīng)用于輻射束。所述變化的幅度可 以通過(guò)改變哪些反射鏡被分配給上極60b和下極60d而被減小。例如，在反射鏡陣列6 的 最上面四分之一 16 中的80%的反射鏡可能被分配給上極60b，而不是在反射鏡陣列6 的最上面四分之一 16 中的所有反射鏡都被分配給上極60b。剩余的20%的反射鏡可以 被分配給下極60b。類似地，在反射鏡陣列6 的最下面四分之一 16 中的80%的反射鏡 被分配給下極60d，而剩余的20%的反射鏡被分配給上極60b。以這種方式，減小的聚焦遠(yuǎn) 心變化被應(yīng)用于輻射束。由反射鏡分配方案所采用的聚焦遠(yuǎn)心的符號(hào)可以通過(guò)逆轉(zhuǎn)所述反 射鏡分配方案而被逆轉(zhuǎn)。通過(guò)調(diào)整被分配給上極60b和下極60d的反射鏡的比例，采用如圖1 所示的方 案，可以根據(jù)需要調(diào)整在輻射束的X方向上的聚焦遠(yuǎn)心的變化?？梢允褂门c所不希望的聚 焦遠(yuǎn)心相反的聚焦遠(yuǎn)心，所述所不希望的聚焦遠(yuǎn)心被光刻設(shè)備的其他部分所應(yīng)用。在完成 調(diào)整的情況下，由反射鏡所應(yīng)用的聚焦遠(yuǎn)心將抵消(或減弱)所述所不希望的聚焦遠(yuǎn)心，以 使得入射到圖案形成裝置(例如掩模)MA上的輻射對(duì)于在掩模上的所有X值具有零聚焦遠(yuǎn) 心(或減小的聚焦遠(yuǎn)心變化)。例如，這可以以迭代方式通過(guò)采用傳感器測(cè)量掩模上(或襯 底水平面上)的聚焦遠(yuǎn)心并調(diào)整反射鏡分配方案，然后重新測(cè)量聚焦遠(yuǎn)心等來(lái)實(shí)現(xiàn)。參照?qǐng)D13c，在替代的反射鏡分配方案中，四極方式的上極60b和下極60d接收來(lái) 自反射鏡陣列33c的上半部16 的輻射，而左極60a和右極60c接收來(lái)自反射鏡陣列的下 半部16 的輻射。所述反射鏡分配方案可以在與被引導(dǎo)到上極60b和下極60d的輻射的比例相比， 需要控制被引導(dǎo)到左極60a和右極60c的輻射的比例時(shí)使用。被引導(dǎo)到上極60b和下極 60d的輻射比例可以例如通過(guò)增加將輻射分配給這些極的反射鏡的數(shù)量而被增加。例如，這 可以通過(guò)重新分配反射鏡行、以使得它們將輻射引導(dǎo)到上極60b和下極60d而不是將輻射 引導(dǎo)到左極60a和右極60c而實(shí)現(xiàn)。例如，這可以是與反射鏡陣列63c的上半部16 相鄰 的反射鏡行。被重新分配的反射鏡的數(shù)量可以被基于一定的程度進(jìn)行選擇，在所述程度上 與存在于上極60b和下極60d中的輻射的比例相比，需要修改存在于左極60a和右極60c 中的輻射的比例。例如，如果采用光刻設(shè)備將水平線和垂直線(即沿著χ和y方向延伸的線)投影到襯底上，則結(jié)合圖13c所述的調(diào)整是有用的?？赡苁沁@種情況，在沒(méi)有調(diào)整的情況下，例 如由于輻射束的偏振，與垂直線相比，更多的輻射被傳遞給水平線。這可能造成在襯底上形 成比垂直線粗的水平線(反之亦然，依賴于在襯底上提供的抗蝕劑的性質(zhì))。與上極60b和 下極60d相比較，被傳遞給左極60a和右極60c的輻射比例的調(diào)整可以被用于去除或減小 所述差異。于是，反射鏡分配的調(diào)整可以被用于減小被投影到襯底上的水平和垂直線之間 的強(qiáng)度(以及隨后的厚度)變化。反射鏡分配方案可以被以相同的方式用于除去單極或雙極方式之外的照射方式。 例如，參照?qǐng)D14，引導(dǎo)來(lái)自反射鏡陣列的不同部分的輻射的反射鏡分配方案可以被用于形 成環(huán)形照射方式。在實(shí)現(xiàn)環(huán)形照射方式的情況下，邊界66將在采用反射鏡陣列的不同部分 而形成的照射方式的不同部分67之間出現(xiàn)。如果需要，接近反射鏡陣列上的相對(duì)應(yīng)邊界68 的一些反射鏡可以被分配給相鄰的照射方式的區(qū)域。在以上步驟完成的情況下，在照射方 式的不同區(qū)域之間的邊界可能被抹掉(如圖Ha所示)。在邊界未被抹掉的情況下，在照射 方式的不同區(qū)域之間將看到“硬”邊界(如圖14b所示)。在一些情況下，可能需要在χ方向上比y方向上長(zhǎng)的反射鏡陣列。這可能允許照 射方式的屬性(例如聚焦遠(yuǎn)心)的更顯著的修改。如上所述，反射鏡分配方案可以被修改，以使得反射被從一極轉(zhuǎn)移到另一極。這可 以被用于去除或降低極間的不希望的強(qiáng)度差。將輻射引導(dǎo)到強(qiáng)度更大的極的至少一個(gè)反射 鏡可以被重新定向，以使得其將輻射引導(dǎo)到強(qiáng)度較低的極。被重新定向的反射鏡的數(shù)量依 賴于所述極的強(qiáng)度之差。在一些情況下，所測(cè)量到的極間強(qiáng)度之差大到足以被考慮成所不希望的，但是也 可能足夠小，以使得從一極到另一極的輻射轉(zhuǎn)換不能被用于修正所述差別，這是因?yàn)橛擅?個(gè)反射鏡所反射的輻射量大于所述兩極之間的差別。在這種情況下，在本發(fā)明的實(shí)施例中， 至少一個(gè)反射鏡可以被設(shè)置，以使得它們將更少的輻射量引導(dǎo)到所述方式。例如，參照?qǐng)D 15，衰減片70位于反射鏡陣列33和用于將輻射束聚焦到反射鏡陣列上的(可選的)光學(xué) 元件71之間。例如衰減片70可以將輻射衰減50%，以使得兩個(gè)反射鏡將強(qiáng)度為正常強(qiáng)度 的50%的輻射引導(dǎo)到所述照射方式。這些反射鏡可以被用于例如對(duì)某種方式的特定的極的 強(qiáng)度進(jìn)行小的調(diào)整，或者對(duì)其他方式進(jìn)行另外的強(qiáng)度調(diào)整。盡管所示的衰減片具有50%的衰減，但是也可以采用提供其他衰減性的衰減片。 衰減片可以被提供給一個(gè)反射鏡、兩個(gè)反射鏡或任何其他數(shù)量的反射鏡。反射鏡可以被置 于彼此相鄰的位置上，或可以位于反射鏡陣列33上的不同位置上。圖16示出采用分束器72代替衰減片70的布置。設(shè)置分束器72，以使得入射輻射 在反射鏡陣列33的兩個(gè)反射鏡上被接收，而不是在一個(gè)反射鏡上被接收。一些輻射通過(guò)分 束器72，到達(dá)第一反射鏡上。其余的輻射被分束器反射，并被反射鏡74引導(dǎo)到相鄰的反射 鏡上。這些反射鏡可以被用于將強(qiáng)度被降低的輻射引導(dǎo)成照射方式。所述布置不會(huì)向圖15 所示的布置那樣導(dǎo)致輻射損失。在每個(gè)反射鏡上被引導(dǎo)的輻射的比例可以通過(guò)改變分束器 的反射率而被修改。在另一個(gè)替代的布置中(未示出)，輻射束的強(qiáng)度分布可能在其邊緣上逐漸減小。 因此，相比接收來(lái)自輻射束的中心的輻射反射鏡，接收來(lái)自輻射束的邊緣的輻射的反射鏡 接收更少的輻射。接收更少輻射的反射鏡可以被用于為供給照射方式的不同區(qū)域的輻射強(qiáng)度提供小的調(diào)整。在另一個(gè)替代的布置中(未示出)，光學(xué)元件71可能包括用于保持濾光片的狹槽。 如圖15所示，光學(xué)元件71包括多個(gè)透鏡元件，其中每個(gè)透鏡元件對(duì)應(yīng)于反射鏡陣列33的 各個(gè)反射鏡。在至少一個(gè)反射鏡有故障的情況下，就可能出現(xiàn)問(wèn)題。有故障的反射鏡可能 是被卡在固定位置上的反射鏡和不再能夠圍繞X軸和Y軸旋轉(zhuǎn)的反射鏡，所述軸如圖fe所 示。在存在至少一個(gè)這種有故障的反射鏡的情況下，每個(gè)有故障的反射鏡將輻射束的子束 沿著固定的方向反射。因此，在光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布包括不能橫跨所述光瞳平面移 動(dòng)的固定輻射斑。為了減輕至少一個(gè)有故障的反射鏡的問(wèn)題，濾光片可以被置于所述狹槽 中，所述狹槽被設(shè)置用于透射用于正常運(yùn)轉(zhuǎn)的反射鏡的輻射，而阻擋用于有故障的反射鏡 的輻射。在更多的反射鏡發(fā)生故障的情況下，這種濾光片可以被新的濾光片所替代。有故 障的反射鏡可以采用本說(shuō)明書第10頁(yè)第3段所述的傳感器被確定。替代地，所述狹槽可以 與光學(xué)元件71獨(dú)立地設(shè)置。涉及采用輻射的環(huán)形構(gòu)造的上述本發(fā)明的實(shí)施例可以被用于形成任意其他合適 形狀。換句話說(shuō)，在描述涉及形成環(huán)形照射方式的情況下，這可以被任何其他合適的照射方 式(例如雙極、四極等)所替代。如圖1所示的控制器CT可以被設(shè)置用于控制反射鏡陣列的反射鏡的取向，例如將 所需的反射鏡分配方案應(yīng)用到反射鏡上。在其中可提供本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備可能是允許在至少兩個(gè)掩模之間(或 者在設(shè)置在可控的圖案形成裝置的圖案之間)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換的類型。每個(gè)掩模(或在圖案 形成裝置上的圖案)可能需要不同的照射方式。因此，本發(fā)明的實(shí)施例尤其適用于所述類 型的光刻設(shè)備，這是因?yàn)樗鼈兡軌蛟谡丈浞绞街g實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換。盡管涉及反射鏡陣列的本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)在上面進(jìn)行了描述，但是也可以使用 任何其他合適的類型的獨(dú)立可控的元件陣列。盡管本發(fā)明的具體的實(shí)施例已經(jīng)在上面進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以 以與上述不同的方式實(shí)現(xiàn)。所述描述并不試圖限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種方法，所述方法包括 采用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及 將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的 元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式；以及其中分配方案用于將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分 配方案被選擇用于提供所述照射方式或所述輻射束的至少一種屬性的所需修改。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括采用位于陣列的不同部分中 的獨(dú)立可控的元件，將輻射引導(dǎo)到照射方式中的相鄰位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括將所述獨(dú)立可控的元件隨機(jī)地 分配。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括分配一對(duì)獨(dú)立可控的元件，以 將輻射引導(dǎo)到照射方式中的給定位置上，所述一對(duì)獨(dú)立可控的元件中的每個(gè)獨(dú)立可控的元 件位于陣列的不同部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括選擇一定數(shù)量的獨(dú)立可控的元 件，所述獨(dú)立可控的元件將輻射引導(dǎo)到所述方式中的給定位置上，所述選擇步驟依賴于從 每個(gè)獨(dú)立可控的元件所提供的輻射的強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于所述獨(dú)立可控的元件的反射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于入射到所述獨(dú)立可控的元件時(shí) 的輻射束的強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括與被分配以將輻射引導(dǎo)至輻 射束的中心部分的獨(dú)立可控的元件的數(shù)量相比，分配更多的獨(dú)立可控的元件以將輻射引導(dǎo) 到輻射束的外部，從而在將圖案化的輻射束投影到襯底上的過(guò)程中，減弱輻射束的變跡效應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括順序采用不同的獨(dú)立可控的 元件將輻射引導(dǎo)到照射方式中的給定位置上，所述獨(dú)立可控的元件選自所述陣列的不同部 分，以便減弱輻射束中的強(qiáng)度變化的效應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括采用獨(dú)立可控的元件的陣列 的不同部分，將輻射引導(dǎo)到照射方式的不同區(qū)域上，所述陣列的所述部分被選擇，以便應(yīng)用 輻射束的能量分布的所需修改。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻裝置及其方法。本發(fā)明還公開(kāi)了一種器件制造方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束。所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件的陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，以將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述控制包括將不同的獨(dú)立可控元件根據(jù)分配方案分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于對(duì)照射方式、輻射束或照射方式與輻射束兩者的至少一個(gè)屬性提供所需的修正。所述方法也包括以圖案在輻射束的橫截面上對(duì)輻射束進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的輻射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102122117SQ20111004217
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者亨德瑞卡斯·羅伯特斯·瑪麗·范格林溫布洛克, 保羅·范德文, 威爾弗萊德·愛(ài)德伍德·恩登迪基克, 帕特瑞卡斯·阿洛伊修斯·雅克布斯·蒂內(nèi)曼斯, 海涅·麥利·馬爾德, 約翰尼斯·雅克布斯·曼塞阿斯·卑斯?fàn)柭? 艾德瑞納斯·弗朗西斯克斯·皮卓斯·恩格倫, 馬卡斯·弗朗西斯克斯·安東尼斯·歐林斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司