專利名稱：充電構件、處理盒和電子照相設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于電子照相設備的充電構件、處理盒和電子照相設備。
背景技術：
在電子照相設備中，與電子照相感光構件的表面接觸和具有用于給電子照相感光構件的表面充電的輥形狀的充電構件(下文中也稱為"充電輥")通常具有包含樹脂的彈性層。此類充電輥能夠充分地確保充電輥和電子照相感光構件之間的輥隙寬度，結果，能夠有效并均勻地給電子照相感光構件充電。然而，彈性層包含增塑劑或樹脂的低分子量組分，從而使其軟化。因此，低分子量組分會在長期使用之后滲出至充電輥的表面。關于此類問題，專利文獻I公開了用通過溶膠-凝膠法形成的由無機氧化物膜構成的滲出阻擋層(bleeding block layer)覆蓋充電棍表面并抑制低分子量組分滲出直至表面的導電棍基材。引用列表專利文獻PTL I :日本專利申請?zhí)亻_2001-17364
發(fā)明內容
_6] 發(fā)明要解決的問題根據由本發(fā)明人進行的研究，發(fā)現了專利文獻I中公開的導電輥(其滲出阻礙層為表面層)，在重復使用之后逐漸磨耗，并且導致充電性能隨時間而改變。接著，本發(fā)明的目的在于提供其充電性能即使在長期使用之后也較少地隨時間變化的充電構件。本發(fā)明的另一目的在于提供能夠穩(wěn)定地形成高品質電子照相圖像的處理盒和電子照相設備。
_9] 用于解決問題的方案根據本發(fā)明的充電構件依次具有支承體、導電性彈性層和表面層，其中所述表面層包括聚硅氧烷和倍半硅氧烷，其中所述聚硅氧烷具有由SiOa5R1(C)R2) (0R3)表示的第一單元、由SiO^R4(ORs)表示的第二單元和由SiC^5R6表示的第三單元，和所述倍半硅氧烷為選自由以下化合物(1)-(6)表示的化合物組成的組的至少一種化合物
[式I]
權利要求
1.一種充電構件，其依次包括支承體、導電性彈性層和表面層，其中所述表面層包括聚硅氧烷和倍半硅氧烷，其中 所述聚硅氧烷具有由SiOa5R1(C)R2) (0R3)表示的第一單元、由SiOuR4(ORs)表示的第二單元和由SiOuR6表示的第三單元，和 所述倍半硅氧烷為選自由以下化合物(1)-(6)表示的化合物組成的組的至少一種化合物
2.根據權利要求I所述的充電構件，其中所述化合物(1)-(6)中的Rltll至R616各自獨立地為選自由具有1-20個碳原子的未取代烷基和由式(7)表示的基團組成的組的任一種，并且當選自Rltll至R616的任一種取代基是所述式(7)時，所述式(7)中X和Y各自為具有1-3個碳原子的烷基，Z為具有1-3個碳原子的烷基或環(huán)烯基改性的烷基，和m為I。
3.根據權利要求2所述的充電構件，其中所述倍半硅氧烷是由化合物(2)表示的倍半硅氧燒，R2tll至R2tl8各自為具有1-20個碳原子的支化烷基和由式(7)表示的基團組成的組的任一種基團，并且所有R2Ci1至Rm8為相同基團。
4.一種電子照相設備，其包括根據權利要求1-3任一項所述的充電構件和以與所述充電構件接觸而配置的電子照相感光構件。
5.—種處理盒,其一體化保持根據權利要求1-3任一項所述的充電構件和選自由電子照相感光構件I、顯影單元5、轉印單元6和清潔單元7組成的組的至少一種構件，并且采用所述處理盒從而可拆卸地安裝在電子照相設備的主體上。
全文摘要
公開一種充電構件，其即使在重復使用后也能夠維持優(yōu)良的耐磨耗性。具體公開一種具有表面層的充電構件，其中所述表面層由至少一種倍半硅氧烷和聚硅氧烷構成，所述倍半硅氧烷選自具有由化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)、化合物(4)、化合物(5)或化合物(6)表示的結構的倍半硅氧烷中，和所述聚硅氧烷具有由SiO0.5R1(OR2)(OR3)表示的第一單元、由SiO1.0R4(OR5)表示的第二單元和由SiO1.5R6表示的第三單元。在所述表面層中，倍半硅氧烷包含在聚硅氧烷中。
文檔編號G03G15/02GK102656523SQ20108005662
公開日2012年9月5日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權日2009年12月14日
發(fā)明者來摩洋子, 長嶺典子, 黑田紀明 申請人:佳能株式會社