專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。具體涉及垂直取向模式的液晶顯示裝置，而且是具備用于限制液晶分子取向的結(jié)構(gòu)物的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置發(fā)揮其薄而輕、且消費(fèi)電力低的特點(diǎn)，應(yīng)用于各種領(lǐng)域。液晶顯示裝置有各種顯示模式，作為可得到高對(duì)比度的液晶顯示裝置，已知有垂直取向(Vertical Alignment :VA)模式。在VA模式的液晶顯示裝置中，作為可容易限制液晶分子取向方向的液晶顯示裝置，已知有多疇垂直取向型(Multi-domain Vertical Alignment)液晶顯示裝置(以下稱之為MVA-LCD)，該液晶顯示裝置中設(shè)有用于限制取向的結(jié)構(gòu)物，該結(jié)構(gòu)物使具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分子垂直取向，限制液晶分子的取向(例如參照專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2)。作為用于限制取向的結(jié)構(gòu)物，可列舉在基板上形成的突起、在用于對(duì)液晶施加電壓的電極上形成的去除部(狹縫)等，它們也可以組合使用。通過(guò)設(shè)置這種結(jié)構(gòu)物，可將液晶分子的取向限制在一定的方向。在具有上述構(gòu)成的液晶顯示裝置方面，隨著人們對(duì)分辨率的提高、裝置小型化的要求，像素的高精細(xì)化在不斷進(jìn)展，對(duì)于提高像素開(kāi)口率的技術(shù)有更強(qiáng)烈的要求?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2000-193976號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開(kāi)2006-243317號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題但是，如專利文獻(xiàn)1所述，因?yàn)樵诨迳显O(shè)置多個(gè)突起會(huì)使像素的開(kāi)口率下降，所以要求盡可能地減少突起的數(shù)量。因此，可以考慮減少突起的數(shù)量而擴(kuò)大突起和像素邊界之間的間隔的構(gòu)成，但是，在這種構(gòu)成中，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生限制液晶分子取向的力減弱而液晶分子的取向變得不穩(wěn)定的區(qū)域。另外，如專利文獻(xiàn)2所述，在用于對(duì)液晶施加電壓的電極的外緣形成狹縫限制液晶分子取向的構(gòu)成中，有時(shí)會(huì)得不到充分的限制液晶分子取向的力。為了提高限制液晶分子取向的力，可以考慮增加狹縫的數(shù)量，但是有時(shí)會(huì)妨礙像素的高開(kāi)口率化。而且，在VA模式的液晶顯示裝置中，在從法線方向觀察基板時(shí)，在形成于薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔附近容易產(chǎn)生液晶分子的取向紊亂。當(dāng)發(fā)生液晶分子的取向紊亂時(shí)，不僅光的透射率下降而使得液晶顯示裝置的亮度降低，而且響應(yīng)速度下降，產(chǎn)生因多個(gè)像素之間液晶取向不同而導(dǎo)致的顯示偏差，圖像顯示產(chǎn)生粗澀感。綜上所述，在VA模式的液晶顯示裝置中，在提高光的透射率以及改善圖像顯示的粗澀感方面也存在問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀完成的，其目的在于提供一種液晶顯示裝置，其可實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化，并可消除液晶分子的取向紊亂而實(shí)現(xiàn)光的透射率的提高以及粗澀感的改善，顯示特性優(yōu)異。用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明的發(fā)明者們經(jīng)對(duì)VA模式的液晶顯示裝置進(jìn)行各種研究后發(fā)現(xiàn)，從像素開(kāi)口率、制造工序簡(jiǎn)易等方面考慮，用于限制液晶分子取向的突起優(yōu)選設(shè)置在相對(duì)基板側(cè)，為了提高像素的開(kāi)口率，優(yōu)選從像素的一端向另一端延伸的形狀。另外還發(fā)現(xiàn)，在從法線方向觀察基板時(shí)，在形成于薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔的附近容易產(chǎn)生液晶分子的取向紊舌L。而且發(fā)現(xiàn)，對(duì)于用于對(duì)液晶層施加電壓的電極，通過(guò)在上述接觸孔的附近進(jìn)一步設(shè)置限制液晶分子取向的狹縫，可得到充分的限制液晶分子取向的力。并且發(fā)現(xiàn)可以得到一種液晶顯示裝置，其通過(guò)配置上述突起和狹縫可實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化，并且可降低液晶分子的取向不良，從而可實(shí)現(xiàn)光的透射率的提高以及粗澀感的改善，顯示特性優(yōu)異，由此想到能夠完美地解決上述問(wèn)題，從而得出了本發(fā)明。也就是說(shuō)，本發(fā)明的液晶顯示裝置在薄膜晶體管陣列基板和相對(duì)基板之間夾持有液晶層，具備對(duì)上述液晶層施加電壓的電極，上述薄膜晶體管陣列基板具有源極線和柵極線，其在透明基板的主面上在縱橫方向配置；導(dǎo)電部，其配置于由上述源極線和上述柵極線劃分的像素；絕緣膜，其覆蓋上述導(dǎo)電部；以及接觸孔，其貫通上述絕緣膜，將在上述薄膜晶體管陣列基板上形成的上述電極和上述導(dǎo)電部電連接，上述相對(duì)基板具有從像素的一端向另一端延伸的突起，在上述電極中，在從法線方向觀察基板面時(shí)，在上述接觸孔和像素邊界之間形成有狹縫。本發(fā)明的液晶顯示裝置是通過(guò)改變對(duì)液晶層施加的電壓，使液晶層的遲滯發(fā)生變化而進(jìn)行顯示。更具體地闡述，是通過(guò)突起和在像素電極上形成的狹縫對(duì)液晶分子的取向狀態(tài)進(jìn)行限制的VA模式的液晶顯示裝置。VA模式是下述顯示模式采用具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的負(fù)型液晶，在不到閾值電壓(例如，未施加電壓)時(shí)，使液晶分子相對(duì)于基板面實(shí)質(zhì)性地在垂直方向取向，在施加了閾值電壓以上的電壓時(shí)，使液晶分子相對(duì)于基板面實(shí)質(zhì)性地倒在水平方向。具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分子是指短軸方向的介電常數(shù)大于長(zhǎng)軸方向的介電常數(shù)的液晶分子。在薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置的源極線和柵極線是對(duì)用于進(jìn)行顯示的像素傳遞信號(hào)的配線。由源極線和柵極線劃分的多個(gè)像素各自具有導(dǎo)電部。關(guān)于具體的導(dǎo)電部的構(gòu)成，在后面闡述。覆蓋上述導(dǎo)電部的絕緣膜是由有機(jī)絕緣材料或者無(wú)機(jī)氧化物、無(wú)機(jī)氮化物等無(wú)機(jī)絕緣材料形成的膜，其材料、膜厚等沒(méi)有特別限定。在上述絕緣膜上形成的接觸孔通常是通過(guò)對(duì)上述絕緣膜進(jìn)行干刻蝕、濕刻蝕等刻蝕處理而形成的。相對(duì)于基板面從法線方向觀察時(shí)的接觸孔的平面形狀、大小等沒(méi)有特別限定，作為平面形狀，例如可以是正方形狀、長(zhǎng)方形狀、三角形狀等多邊形狀，也可以是真圓狀、橢圓狀等。在薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置的電極具體地講是像素電極。像素電極通常設(shè)置于每一個(gè)像素，用于對(duì)液晶層施加電壓，經(jīng)由上述接觸孔與上述導(dǎo)電部電連接。像素電極也可以用來(lái)作為反射區(qū)域以及透射區(qū)域中的任一個(gè)。上述相對(duì)基板具有用于限制液晶分子的取向方向的突起?？紤]到像素的高開(kāi)口率化，突起的形狀可以是從像素的一端向另一端延伸的形狀，但是當(dāng)考慮到在像素內(nèi)使液晶分子均勻地取向時(shí)，優(yōu)選在縱方向或橫方向橫穿像素的中央部地針對(duì)所有像素在同一方向形成。相對(duì)基板還具有與上述像素電極相對(duì)而配置的共用電極。在此，在本發(fā)明中，為了緩和接觸孔附近的液晶分子的取向不良，在從法線方向觀察基板面時(shí)，在接觸孔和像素邊界之間的上述電極中，形成狹縫，限制液晶分子的取向。形成狹縫的電極可以是上述像素電極或在上述相對(duì)基板上形成的相對(duì)電極中的任一個(gè)。所形成的狹縫的形狀、數(shù)量等沒(méi)有特別限定，可根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。關(guān)于狹縫的詳細(xì)內(nèi)容，在后面闡述。作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的構(gòu)成，只要是形成了這種必須的構(gòu)成要素即可，不因其他構(gòu)成要素而受特別限定。作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的一種方式，可列舉下述方式上述薄膜晶體管陣列基板在上述柵極線和上述源極線的交點(diǎn)附近具有薄膜晶體管，上述導(dǎo)電部是與上述薄膜晶體管的漏極電極電連接的部分。上述薄膜晶體管包含與柵極線相連的柵極電極、與源極線相連的源極電極和漏極電極，還具備構(gòu)成薄膜晶體管的溝道的半導(dǎo)體層。導(dǎo)電部是與構(gòu)成薄膜晶體管的漏極電極電連接的配線等，經(jīng)由上述接觸孔與上述電極電連接。另外，作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的另外一種方式，可列舉下述方式上述薄膜晶體管陣列基板具有在上述柵極線之間與上述源極線交叉地配置的輔助電容配線，上述導(dǎo)電部是與上述輔助電容配線相對(duì)的輔助電容電極。輔助電容配線和輔助電容用電極是為了補(bǔ)充由上述像素電極和共用電極形成的液晶電容而形成輔助電容的配線的電極。輔助電容一般由像素電極或與像素電極電連接的輔助電容用電極和輔助電容配線形成。作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的優(yōu)選方式，可列舉下述方式上述狹縫在與上述突起交叉的方向延伸，上述液晶層中包含的液晶分子在施加電壓時(shí)在2個(gè)方向取向。如果是這種構(gòu)成，則可容易地實(shí)現(xiàn)既確保像素的高開(kāi)口率化，顯示特性又優(yōu)異的2個(gè)方向取向的液晶顯示裝置。另外，作為本發(fā)明的液晶顯示裝置中提高限制液晶分子取向的力的一種方式，可列舉下述方式上述狹縫沿著上述突起的長(zhǎng)邊方向從像素的一端到另一端配置有多個(gè)。另外，上述狹縫的長(zhǎng)度是越靠近上述接觸孔越長(zhǎng)，從而，在容易產(chǎn)生液晶分子取向紊亂的區(qū)域可提高限制液晶分子取向的力。另一方面，在遠(yuǎn)離接觸孔的液晶分子取向紊亂小的區(qū)域，縮短狹縫的長(zhǎng)度，從而可實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述突起和像素邊界之間的距離優(yōu)選大于20 μ m。從而可實(shí)現(xiàn)光的透射率的提高以及粗澀感的改善。另外，液晶面板中通常設(shè)想的像素間距最大為300 μ m的程度，如果突起配置在像素的中央，則突起和像素邊界之間的距離為150 μ m。通?；谠谝栽撝禐樯舷拗档囊壕э@示裝置中發(fā)揮本發(fā)明的效果的觀點(diǎn)，上述突起和像素邊界之間的距離優(yōu)選為150μπι以下。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述狹縫的長(zhǎng)度優(yōu)選是上述突起和上述像素邊界之間的距離的大約一半以上。例如，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述突起和像素邊界之間的距離大于20 μ m小于等于150 μ m,當(dāng)上述狹縫的長(zhǎng)度是上述突起和上述像素邊界之間的距離的大約一半以上時(shí)，在限制液晶分子取向的力這方面有利，可得到廣視野角度和高亮度， 不容易產(chǎn)生響應(yīng)速度的下降，因此，可實(shí)現(xiàn)圖像顯示沒(méi)有粗澀感、顯示特性優(yōu)異的液晶顯示
直ο上述各方式也可以在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)亟M合。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，通過(guò)在相對(duì)基板上設(shè)置突起，并且在對(duì)液晶層施加電壓的電極上，在從法線方向觀察基板時(shí)，在形成于薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔和像素邊界之間形成用于限制液晶分子取向的狹縫，從而既可實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化，又能降低液晶分子的取向不良，從而可實(shí)現(xiàn)光的透射率高、圖像顯示沒(méi)有粗澀感的顯示特性優(yōu)異的液晶顯示裝置。


圖1是示出實(shí)施方式1所涉及的液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。圖2(a)是沿著圖1中的A-B線的截面示意圖，(b)是示出除像素電極以外的陣列基板的構(gòu)成的放大平面示意圖，(c)是示出像素電極和突起的平面示意圖。圖3是示出實(shí)施方式1所涉及的其他液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。圖4(a)、(b)是示出實(shí)施方式2所涉及的液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。圖5-1 (a)至(c)是示出實(shí)施方式2所涉及的其他液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。圖5-2(d)至(f)是示出實(shí)施方式2所涉及的其他液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下提出實(shí)施方式，參照附圖更詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，列舉在各像素上使液晶分子在2個(gè)方向取向的VA模式的透射型液晶顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示出本實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖，圖 2(a)是沿著圖1中的A-B線的截面示意圖，(b)是示出除了像素電極以外的陣列基板的構(gòu)成的放大平面示意圖，(c)是示出像素電極和突起的平面示意圖。如圖1和圖2(a)所示，本實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置100包括TFT陣列基板110、與之相對(duì)地設(shè)置的相對(duì)基板130、以及夾持在TFT陣列基板110和相對(duì)基板130之間而設(shè)置的液晶層120。TFT陣列基板110在設(shè)有底涂膜的玻璃基板111上具有平行配置的多個(gè)柵極線112以及輔助電容配線(以下也稱為“Cs配線”)116a。在配置成矩陣狀的多個(gè)像素之中， 同一行的像素利用共用的Cs配線116a。柵極線112和Cs配線116a被柵極絕緣膜115覆蓋。柵極絕緣膜115由SW2膜、 SiN膜、以及SiN和SiO2的層疊膜等形成。在柵極絕緣膜115上，形成多個(gè)源極線113。源極線113是在局部具有彎曲部的直線形狀，與柵極線112交叉地相互平行配置。在柵極線 112和源極線113的各交叉部，形成有作為開(kāi)關(guān)元件的TFT114。TFT114位于像素的左下角，包括與柵極線112相連接的柵極電極、與源極線113 相連接的源極電極、漏極電極IHa以及構(gòu)成TFT114的溝道的半導(dǎo)體層(未圖示)。作為半導(dǎo)體的材料，可列舉非晶形硅(a-Si)、多晶硅、單晶硅等。半導(dǎo)體層在柵極絕緣膜115上形成，以與半導(dǎo)體層接觸的方式形成源極電極和漏極電極114a。漏極電極11 從像素的左下角延伸至像素的中央，與Cs配線116a相對(duì)的部分作為Cs電極116b發(fā)揮作用。源極電極、漏極電極11 以及Cs電極116b被層間絕緣膜117覆蓋，該層間絕緣膜117由SiA與SiN的層疊膜、用SiA覆蓋SiN的兩面的層疊膜、SiO2膜、SIN膜等形成。 在層間絕緣膜117上，在從法線方向觀察基板時(shí)，在與Cs電極116b重疊的位置形成有接觸孔 118。在層間絕緣膜117上，配置有用于對(duì)液晶層120施加電壓的像素電極119。作為像素電極119，在此使用了 IZO(Inidium-Zinc-Oxide 銦鋅氧化物)電極。像素電極119是針對(duì)由柵極線112和源極線113劃分出來(lái)的每個(gè)像素設(shè)置的電極，經(jīng)由接觸孔118與導(dǎo)電部電連接。在此，導(dǎo)電部是與TFT114的漏極電極IHa相連接的 Cs電極116b。從而，像素電極119由TFT114進(jìn)行單獨(dú)的而且有選擇性的控制。用于保持漏極電壓的輔助電容可通過(guò)在Cs配線116a和Cs電極116b之間將柵極絕緣膜115作為電介質(zhì)形成電容器而獲得。作為導(dǎo)電膜，可適用由ITO(Indium-Tin-Oxide 銦錫氧化物)、IZO、IDIXO(氧化銦-銦鋅氧化物In203(ai0)n)、SnA等光透射率高的導(dǎo)電性材料形成的透明導(dǎo)電膜；由鋁 (Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、白金(Pt)、金 (Au)等光反射率高的導(dǎo)電性材料及其合金形成的反射性導(dǎo)電膜；以及透明導(dǎo)電膜和反射性導(dǎo)電膜的層疊體等。導(dǎo)電膜通過(guò)光刻處理等形成圖案。此外，上述柵極線112、源極線113、Cs配線116a以及Cs電極116b為了實(shí)現(xiàn)低電阻化，由金屬材料(例如Cu、Ag)形成，同樣地，對(duì)于TFT114，柵極電極等電極部分也由金屬材料形成。液晶層120只要可用于VA模式的液晶顯示裝置即可，沒(méi)有特別限定，例如可使用具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶。垂直取向典型地可通過(guò)使用由聚酰亞胺等組成的垂直取向膜(未圖示)來(lái)實(shí)現(xiàn)。液晶層120中的液晶分子在未施加電壓的狀態(tài)(非工作狀態(tài))下，相對(duì)于在TFT陣列基板110和相對(duì)基板130的液晶層120側(cè)的面上形成的取向膜的表面在大致垂直方向取向，在施加了閾值電壓以上的電壓的狀態(tài)(工作狀態(tài))下，倒在水平方向。例如，相對(duì)基板130是彩色濾光片基板，在玻璃基板131的主面上，形成有彩色濾光片層132和共用電極134。共用電極134是通過(guò)濺射法等形成的ITO電極。并且，在相對(duì)基板130上還形成有突起135，該突起135作為限制液晶分子取向的結(jié)構(gòu)物，從一端到另一端橫穿像素的中央部。從而，如圖1所示，液晶在像素內(nèi)在箭頭a、b表示的2個(gè)方向取向。 突起135用感光性樹脂通過(guò)刻蝕處理等形成。如上所述而制作的TFT陣列基板110和相對(duì)基板130通過(guò)紫外線固化型樹脂、熱固化型樹脂等密封材料貼合在一起，在兩個(gè)基板之間封入液晶。并且，在此雖然沒(méi)有圖示，但是，通過(guò)在玻璃基板111、131的和設(shè)置液晶層120的一側(cè)相反的一側(cè)的面上適當(dāng)配置偏振板、相位差膜等，可得到液晶顯示裝置100。作為偏振板，例如可使用將具有2色性的硼絡(luò)化物等各向異性材料吸附在聚乙烯醇(PVA)膜上取向的偏振板。在如上所述而構(gòu)成的液晶顯示裝置100中，當(dāng)通過(guò)TFT陣列基板110的柵極線112 提供掃描信號(hào)時(shí)，TFT114的半導(dǎo)體層導(dǎo)通，通過(guò)源極線113提供的圖像信號(hào)提供給像素電極119。并且，提供給像素電極119的圖像信號(hào)控制液晶層120的液晶分子的取向，從而進(jìn)行圖像顯示。在此，在僅設(shè)置突起135作為用于限制液晶分子取向的結(jié)構(gòu)物的構(gòu)成中，如圖 2(b)所示，在虛線A表示的接觸孔118的周圍、其附近容易產(chǎn)生液晶分子的取向紊亂。因此，在本實(shí)施方式中，如圖2(c)所示，從基板面的法線方向觀察像素電極119時(shí)，在接觸孔 118和像素邊界之間的區(qū)域設(shè)有多個(gè)狹縫150。狹縫150在與突起135正交的方向形成，沿著突起135的長(zhǎng)邊方向從像素的一端到另一端排列有多個(gè)。如此，通過(guò)在像素電極119上形成的狹縫150和在相對(duì)基板130上形成的突起135，在施加電壓時(shí)，液晶層120中包含的液晶分子在上述箭頭a、b所示的2個(gè)方向良好地取向，因此，可在廣視野角得到均勻的顯示。狹縫150的寬度、長(zhǎng)度沒(méi)有特別限定，但是，考慮到限制液晶分子取向的力、像素的開(kāi)口率等，優(yōu)選寬度為2 7μπι程度的微細(xì)狹縫150。另外，在突起135和像素邊界之間的距離大于20 μ m小于等于150 μ m時(shí)，從限制液晶分子取向的力這點(diǎn)上，優(yōu)選狹縫150的長(zhǎng)度為突起135和像素邊界之間的距離的大約一半以上。另外，當(dāng)狹縫150的長(zhǎng)度為突起135和像素邊界之間的距離的大約一半時(shí)，可確
保高亮度。此外，因?yàn)楠M縫150沿著突起135的長(zhǎng)邊方向從像素的一端到另一端配置有多個(gè)， 所以也可以消除在像素的角部容易產(chǎn)生的液晶分子的取向不良。如上所述，在本實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置100中，可消除接觸孔118附近的液晶分子的取向不良。從而，即使是在相對(duì)基板134上僅設(shè)有將像素內(nèi)進(jìn)行2分割的一個(gè)突起135的構(gòu)成，也能夠獲得良好的液晶分子取向狀態(tài)，而且，即使在突起135和像素邊界之間的距離大(例如大于20μπι)時(shí)，也能夠通過(guò)狹縫150限制液晶分子的取向方向。從而，可實(shí)現(xiàn)像素的開(kāi)口率以及光的透射率高、而且圖像顯示沒(méi)有粗澀感、顯示特性優(yōu)異的液晶顯示裝置。另外，當(dāng)在圖2(b)中虛線A所示的區(qū)域需要更好的液晶分子取向狀態(tài)時(shí)，如圖3 所示，也可以將狹縫150延伸到與接觸孔118重疊的區(qū)域。圖3是示出實(shí)施方式1所涉及的其他液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖，示出實(shí)施方式1所涉及的狹縫的其他構(gòu)成。如圖3所示，通過(guò)使狹縫150a延伸到與接觸孔118重疊的區(qū)域，在虛線A所示的區(qū)域可更充分地降低液晶分子的取向不良。但是，作為結(jié)果，因?yàn)槭呛w像素的幾乎整個(gè)面形成狹縫150a，所以光的透射率會(huì)略有下降，但是， 因?yàn)橐壕Х肿尤∠虿涣嫉母纳菩Ч撸詧D像顯示粗澀感的改善效果提高。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，列舉狹縫的形成位置不同于實(shí)施方式1的例子進(jìn)行說(shuō)明。此外， 對(duì)于和上述實(shí)施方式1相同的構(gòu)成，賦予相同的附圖標(biāo)記，省略說(shuō)明。圖4是示出本實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置的像素構(gòu)成的放大平面示意圖。在上述實(shí)施方式1中，狹縫150、150a在像素的長(zhǎng)邊方向從一端到另一端地形成，但是在本實(shí)施方式中，如圖4(a)、(b)所示，狹縫151、152在接觸孔118附近的突起135和像素邊界之間形成。并且，在圖4(a)所示的例子中，狹縫151隨著遠(yuǎn)離接觸孔118而其長(zhǎng)度變短。也就是說(shuō)，越是靠近接觸孔118、在容易發(fā)生液晶分子取向不良的區(qū)域內(nèi)的狹縫151，其長(zhǎng)度越長(zhǎng)。從而，可得到充分的限制液晶分子取向的力，并且可減少形成狹縫的面積，因此可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化。另外，在圖4(b)所示的例中，在與Cs配線116a重疊的區(qū)域沒(méi)有形成狹縫152。這是為了避免底層的電場(chǎng)影響到像素電極119。通過(guò)上述圖4(a)、(b)所示的構(gòu)成，也能夠和上述實(shí)施方式1同樣地降低液晶分子的取向不良，實(shí)現(xiàn)圖像顯示特性優(yōu)異的液晶顯示裝置。此外，在接觸孔118的附近形成的狹縫不限于上述狹縫151、152，可根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定數(shù)量、長(zhǎng)度、形狀等。另外，在圖4(a)、(b)中，在像素電極119的角部形成有開(kāi)口 160，但是，和實(shí)施方式1中的狹縫150、150a—樣，開(kāi)口 160用于緩和液晶分子的取向紊亂、提高光的透射率，因此也可以形成狹縫代替開(kāi)口 160。例如，在圖4(a)所示構(gòu)成的像素電極119的角部，如圖5-1 (a) (c)以及圖 5-2 (d) (f)所示，可形成狹縫171 176。圖5-1 (a) (c)以及圖5_2 (d) (f)是示出形成狹縫代替開(kāi)口 160的方式的平面示意圖。在圖5-1 (a)中，狹縫171在與突起135正交的方向形成，從而，即使是在限制液晶分子取向的力減弱的像素的角部，也能夠使液晶分子在2個(gè)方向良好地取向。圖5-l(b)所示的狹縫172是使狹縫171延伸到突起135的附近的方式。如此當(dāng)將狹縫171延伸到突起 135的附近時(shí)，在像素的角部，可將因柵極電壓的影響而成為取向不良的液晶限制到更正常的方向。圖5-1 (c)所示的狹縫173是使狹縫173的長(zhǎng)度隨著遠(yuǎn)離接觸孔118而變長(zhǎng)的方式。狹縫173的數(shù)量沒(méi)有特別限定，也可以像圖5-2 (d)、(e)所示的狹縫174、175那樣增加數(shù)量。狹縫171 175的數(shù)量可根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。而且，也可以如圖5-2 (f)所示，狹縫176在像素的角部具有傾斜地配置。相對(duì)于像素的角部的傾斜沒(méi)有特別限定，可根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，但是，如果是具有約45°的傾斜地配置，則可消除在像素電極119的角部產(chǎn)生的取向不良區(qū)域，提高顯示質(zhì)量。此外，對(duì)于上述狹縫171 176，和上述實(shí)施方式1中的狹縫150—樣，當(dāng)突起135 和像素邊界之間的距離大于20 μ m小于等于150 μ m時(shí)，從限制液晶分子取向的力這一點(diǎn)考慮，優(yōu)選使狹縫171 176的長(zhǎng)度為突起135和像素邊界之間的距離的大約一半以上。也就是說(shuō)，上述實(shí)施方式1可以說(shuō)是本實(shí)施方式中在接觸孔118的附近形成的狹縫151和/或在像素的角部形成的狹縫171 175沿著突起135的長(zhǎng)邊方向延伸的方式的一部分。以下根據(jù)實(shí)施例和比較例說(shuō)明各實(shí)施方式。實(shí)施例1對(duì)上述實(shí)施方式1中圖1所示的液晶顯示裝置100進(jìn)行了光的透射率的測(cè)量。液晶層120的厚度為4. 5 μ m，突起135和像素邊界之間的距離為40. 5 μ m,狹縫150的寬度為 3. 21 μ m。光的透射率的測(cè)量是點(diǎn)亮液晶顯示裝置100，使用色度亮度計(jì)(T0PC0N公司生產(chǎn)， BM-5A)，以測(cè)量角2°進(jìn)行測(cè)量。此外，液晶顯示裝置100在以下條件下點(diǎn)亮柵極電壓 (Vgh) J8V、源極電壓(Vs) 士6. 75V、共用電極電壓(Vcom) :0V、保持電容電壓(VCs) :0V。在上述測(cè)量中得到的值作為光的透射率。另外，對(duì)該值與下述比較例1進(jìn)行比較。而且，通過(guò)目測(cè)觀察畫面上顯示的圖像，對(duì)圖像的粗澀感評(píng)價(jià)如下。〇沒(méi)有粗澀感。Δ 粗澀感得到緩和。X 發(fā)生了粗澀感。得到的各測(cè)量結(jié)果在下表1中表示。比較例1在像素電極119上未形成狹縫。并且，除此以外的部分和實(shí)施例1相同，對(duì)光的透射率以及圖像的粗澀感進(jìn)行了測(cè)量。得到的測(cè)量結(jié)果在表1中表示。實(shí)施例2 4實(shí)施例2的狹縫的形狀如圖3所示，實(shí)施例3的狹縫的形狀如圖5-1 (c)所示，實(shí)施例4的狹縫的形狀如圖4(a)所示。對(duì)于這些實(shí)施例，也是突起135和像素邊界之間的距離為40. 5 μ m,狹縫150的寬度為3. 5 μ m。狹縫150a的長(zhǎng)度為44. 5 μ m,狹縫151的長(zhǎng)度為 5 33. 5 μ m，狹縫173的長(zhǎng)度為8 21 μ m。并且，除此以外的部分和實(shí)施例1相同，對(duì)光的透射率以及圖像的粗澀感進(jìn)行了測(cè)量。得到的測(cè)量結(jié)果在表1中表示。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，在薄膜晶體管陣列基板和相對(duì)基板之間夾持有液晶層，具備對(duì)上述液晶層施加電壓的電極，該薄膜晶體管陣列基板具有源極線和柵極線，其在透明基板的主面上在縱橫方向配置； 導(dǎo)電部，其配置于由該源極線和該柵極線劃分的像素； 絕緣膜，其覆蓋該導(dǎo)電部；以及接觸孔，其貫通該絕緣膜，將在該薄膜晶體管陣列基板上形成的該電極和該導(dǎo)電部電連接，該相對(duì)基板具有從像素的一端向另一端延伸的突起，在該電極中，在從法線方向觀察基板面時(shí)，在該接觸孔和像素邊界之間形成有狹縫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述薄膜晶體管陣列基板在上述柵極線和上述源極線的交點(diǎn)附近具有薄膜晶體管，上述導(dǎo)電部是與上述薄膜晶體管的漏極電極電連接的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述薄膜晶體管陣列基板具有在上述柵極線之間與上述源極線交叉地配置的輔助電容配線，上述導(dǎo)電部是與上述輔助電容配線相對(duì)的輔助電容電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述狹縫在與上述突起交叉的方向延伸，上述液晶層中包含的液晶分子在施加電壓時(shí)在2個(gè)方向取向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述狹縫沿著上述突起的長(zhǎng)邊方向從像素的一端到另一端配置有多個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述狹縫的長(zhǎng)度是越靠近上述接觸孔越長(zhǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述突起和像素邊界之間的距離大于20 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述突起和像素邊界之間的距離為150 μ m以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述狹縫的長(zhǎng)度為上述突起和上述像素邊界之間的距離的大約一半以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其可實(shí)現(xiàn)像素的高開(kāi)口率化，并可消除液晶分子的取向紊亂而實(shí)現(xiàn)光的透射率的提高以及粗澀感的改善，顯示特性優(yōu)異。本發(fā)明的液晶顯示裝置的TFT陣列基板(110)具有導(dǎo)電部(116b)，其配置于由源極線(113)和柵極線(112)劃分的像素；絕緣膜(117)，其覆蓋導(dǎo)電部；以及接觸孔(118)，其貫通絕緣膜，將像素電極(119)和導(dǎo)電部電連接，在像素電極(119)中，從法線方向觀察基板面時(shí)，在接觸孔和像素邊界之間形成有狹縫(150)。相對(duì)基板(130)具有從像素的一端向另一端延伸的突起(135)。本發(fā)明可適用于垂直取向模式的液晶顯示裝置。
文檔編號(hào)G02F1/1337GK102472935SQ20108003167
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月15日
發(fā)明者久田祐子, 伊藤了基, 堀內(nèi)智, 山田崇晴 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社