專利名稱：光波導(dǎo)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括光波導(dǎo)和安裝在基底上的光學(xué)元件的光波導(dǎo)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
用于光接入市場(optical access market)的光學(xué)收發(fā)器被廣泛地劃分為微光模塊，包括例如激光二極管(LD)和光電二極管(PD)的光學(xué)元件和例如薄膜濾光器和透鏡的光學(xué)組件；和PLC (平面光波電路)模塊，其通過在硅基底上形成石英波導(dǎo)并表面安裝光學(xué)元件構(gòu)成。在它們中，將例如光學(xué)元件的光學(xué)組件安裝到PLC模塊中的方法包括作為不需要調(diào)整光軸的安裝方法的被動對準方法。在被動對準安裝方法中，通過使用透明的紅外光對設(shè)置在光學(xué)波導(dǎo)芯片和光學(xué)元件上的對準標記進行圖像檢測識別來確定相對于光學(xué)波導(dǎo)芯片的光學(xué)元件在平面方向上的位置。豎直方向上的位置通過支撐光學(xué)元件的基塊(base block)的高度來確定。所述基塊的高度在制造過程中被精確地調(diào)整。因此，相對于光波導(dǎo)的光軸高度可僅通過將光學(xué)組件安裝在基塊上來精確調(diào)整。JP^23044B(在下文中，稱作專利文獻1)公開了現(xiàn)有技術(shù)的光波導(dǎo)裝置。圖IA和圖IB是示出在專利文獻1中描述的光波導(dǎo)裝置100的透視圖。光波導(dǎo)裝置100包括光波導(dǎo)116和光學(xué)元件安裝座117。光波導(dǎo)116包括波導(dǎo)形成層115，其包括形成在硅基底111 上的下覆層112、芯層113和上覆層11 和114b。光學(xué)元件安裝座117通過去除一部分光波導(dǎo)形成層115而形成。通過去除所述一部分光波導(dǎo)形成層115而暴露的光波導(dǎo)116的端面與安裝在光學(xué)元件安裝座117上的發(fā)光元件118光學(xué)耦合。光學(xué)元件安裝座117包括基塊119和對準標記120，發(fā)光元件118安裝在其上。發(fā)光元件118與光波導(dǎo)117的端面之間的光學(xué)耦合需要安裝在光波導(dǎo)裝置100上的發(fā)光元件 118的有源層121與芯層113在高度上對準。圖2是發(fā)光元件118和基塊119的放大剖視圖。如圖2所示，在發(fā)光元件118的有源層深度為dl的情況下，基塊119的高度hi被調(diào)整為與從硅基底111至芯層113的高度(光軸高度)和發(fā)光元件118的有源層深度dl之間的差一致。JP2002-111113A(在下文中，稱作專利文獻2)公開了一種光學(xué)模塊，其通過用于嘗試性連接的凸塊9的高度來確定以被動對準方式安裝的光學(xué)元件的高度。在專利文獻2 中公開的技術(shù)允許光學(xué)元件被精確地安裝。

發(fā)明內(nèi)容
在安裝光學(xué)元件的情況下，各光學(xué)元件的有源層深度dl不必彼此相等。圖3是具有不同有源層深度的光學(xué)元件安裝在圖IA和圖IB所示的光波導(dǎo)裝置100上的局部剖視圖。例如，在調(diào)整基塊119至有源層深度為dl的光學(xué)元件118a的高度hi的情況下，有源層深度小于光學(xué)元件118a的有源層深度的光學(xué)元件118b的安裝使得光學(xué)元件118b 的有源層121的位置相對于光學(xué)元件118a的有源層121降低。這阻止了光軸彼此對準。在專利文獻1中描述的光波導(dǎo)裝置和專利文獻2中描述的光學(xué)中，基塊的高度或為了嘗試性連接而形成的凸塊的高度是均一的。因此，具有不同有源層深度dl的光學(xué)元件不能安裝在能夠光學(xué)耦合到芯的高度上。本發(fā)明的一個示例性目的是提供一種光波導(dǎo)裝置及其制造方法，在所述光波導(dǎo)裝置中，具有不同有源層深度的光學(xué)元件安裝為各光軸彼此對準。一種根據(jù)本發(fā)明的一個示例性方面的光波導(dǎo)裝置，其包括光波導(dǎo)和光學(xué)元件安裝座，所述光波導(dǎo)由包括形成在基底上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層構(gòu)成，并且在去除所述光波導(dǎo)形成層的部分的區(qū)域中，光學(xué)元件安裝在所述光學(xué)元件安裝座上，所述光學(xué)元件中的至少一個光學(xué)元件光學(xué)耦合到通過去除所述光波導(dǎo)形成層的所述部分而暴露的所述光波導(dǎo)的端面，其中所述光學(xué)元件安裝座包括第一基塊，其支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第一光學(xué)元件；和第二基塊，其支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第二光學(xué)元件，所述第二光學(xué)元件的有源層深度小于所述第一光學(xué)元件的有源層深度，其中第二基塊由堆疊數(shù)量大于第一基塊的堆疊數(shù)量的上覆層形成，并且第一和第二基塊之間的高度差等于第一和第二光學(xué)元件之間的有源層深度差。一種根據(jù)本發(fā)明的一個示例性方面的制造光波導(dǎo)裝置的方法，所述光波導(dǎo)裝置包括光波導(dǎo)和光學(xué)元件安裝座，所述光波導(dǎo)由包括形成在基底上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層構(gòu)成，在去除所述光波導(dǎo)形成層的一部分的區(qū)域中，光學(xué)元件安裝在所述光學(xué)元件安裝座上，所述光學(xué)元件中的至少一個光學(xué)元件光學(xué)耦合到通過去除所述光波導(dǎo)形成層的所述部分而暴露的光波導(dǎo)的端面，所述方法包括在所述基底上形成下覆層和芯層； 通過圖案化所述芯層形成波導(dǎo)；在圖案化之后成為光波導(dǎo)的部分上以及成為光學(xué)元件安裝座的至少一部分上形成上覆層的堆疊；以及蝕刻上覆層的堆疊形成用于支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第一光學(xué)元件的第一基塊，并且形成用于支撐所述光學(xué)元件中的第二光學(xué)元件的第二基塊，第二光學(xué)元件的有源層深度小于第一光學(xué)元件的有源層深度， 其中第二基塊由堆疊數(shù)量大于第一基塊的堆疊數(shù)量的上覆層的堆疊形成，并且第一和第二基塊形成為使得第一基塊和第二基塊之間的高度差等于第一和第二光學(xué)元件之間的有源層深度差。


圖IA是示出在專利文獻1中公開的光波導(dǎo)裝置的透視圖；圖IB是示出在專利文獻1中公開的光波導(dǎo)裝置的透視圖；圖2是在圖IA和圖IB中示出的光波導(dǎo)裝置中的光學(xué)元件和基塊的放大剖視圖；圖3是具有不同的有源層深度的光學(xué)元件安裝在圖IA和圖IB中示出的光波導(dǎo)裝置中的情況的局部剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的光波導(dǎo)裝置的透視圖；圖5是圖4中所示的光波導(dǎo)裝置中的光學(xué)元件和基塊的放大剖視圖；圖6A是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6B是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視4
圖6C是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6D是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6E是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6F是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6G是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖6H是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖61是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置的實例的剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的光波導(dǎo)裝置的透視圖；圖8A是示出制造圖7中所示的光波導(dǎo)裝置的方法的剖視圖；圖8B是示出制造圖7中所示的光波導(dǎo)裝置的方法的剖視圖。
具體實施例方式(第一示例性實施例)圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的光波導(dǎo)裝置10的透視圖。光波導(dǎo)裝置10包括光波導(dǎo)16和光學(xué)元件安裝座17。光波導(dǎo)16包括光波導(dǎo)形成層15，其包括形成在硅基底11上的下覆層12、芯層13和上覆層141和142。光學(xué)元件安裝座17通過去除一部分光波導(dǎo)形成層15而形成，并包括用于安裝光學(xué)元件18的基塊19。圖4示出了安裝兩個光學(xué)元件18a和18b的實例。在下文中，在不需要區(qū)分光學(xué)元件18a和18b的情況下， 將光學(xué)元件統(tǒng)稱為光學(xué)元件18。光波導(dǎo)裝置10可包括當安裝光學(xué)元件18時用于對準的對準標記20。光波導(dǎo)16的端面通過去除一部分光波導(dǎo)形成層15而暴露出來。光波導(dǎo)16 (光波導(dǎo))的端面和安裝在光學(xué)元件安裝座17上的光學(xué)元件18彼此光學(xué)耦合。光學(xué)元件18可為例如激光二極管(LD)或光電二極管(PD)。光學(xué)元件18a和18b的有源層21的深度(在下文中，稱作有源層深度)彼此不同。 這里，有源層深度是從光學(xué)元件的有源層至基塊的深度(圖5中示出的dl和d2)。圖5是圖4中所示的光波導(dǎo)裝置中的光學(xué)元件18和基塊19的放大剖視圖。在圖 5所示的實例中，基塊19a支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件18a ；基塊19b支撐具有小的有源層深度的光學(xué)元件18b。光學(xué)元件18a的有源層深度dl大于光學(xué)元件18b的有源層深度d2。因此，支撐光學(xué)元件18a的基塊19a的高度h2被設(shè)置為小于支撐光學(xué)元件18b 的基塊19b的高度(hhh2)。在下文中，如同光學(xué)元件18，在不需要區(qū)分基塊19a和19b的情況下，基塊統(tǒng)稱為基塊19?；鶋K19a的高度h2和基塊19b的高度(hHM)被確定為有源層深度dl和高度h2 的和((11 等于有源層深度d2和高度(hHM)的和(d2+(hHM))。為了對準光波導(dǎo)形成層15的端面和光學(xué)軸，假設(shè)從硅基底11至芯層的高度(在下文中，稱作光軸高度)為H， 需要確定的是基塊19a的高度h2等于光軸高度H和有源層深度dl之間的差(H-dl)，并且需要確定的是基塊19b的高度(hhh2)等于光軸高度H和有源層深度d2之間的差(H-d2)。 因此，即使在安裝了具有不同有源層深度的光學(xué)元件18a和18b的情況下，光學(xué)元件18a和 18b的光軸和光波導(dǎo)16的端面可彼此光學(xué)對準，從而允許光學(xué)耦合。在本說明書中，“光軸的對準”不僅包括光軸完全對準的情況，還包括當調(diào)整光軸時，為了調(diào)整光學(xué)強度而有意地使光軸偏離的情況?；鶋K19由與形成上覆層14的膜共同的膜形成?；鶋K19的高度可通過改變上覆層14的厚度或上覆層14的堆疊數(shù)量來進行調(diào)整。將利用圖5所示的實例來進行描述。通過將上覆層141(在下文中，稱作第一上覆層141)形成為具有等于高度hi的高度，并且隨后堆疊具有等于高度h2的高度的上覆層142(在下文中，稱作第二上覆層14 來形成基塊 19b?；鶋K19a由具有等于高度h2的高度的第二上覆層142形成。通過從光軸高度H減去有源層深度dl來將第二上覆層142的厚度h2確定為 (H-dl)。通過從光軸高度H減去有源層深度d2和第二上覆層142的厚度h2將第一上覆層 141的厚度hi確定為(H-d2-h2)。將被堆疊的上覆層14的厚度的調(diào)整允許由基塊19b支撐的光學(xué)元件18b的光軸的高度(hhh2+c^)和由基塊19a支撐的光學(xué)元件18a的光軸的高度(h2+dl)與芯層的光軸高度(H)相匹配。上覆層14可使用二氧化硅膜或氮化硅膜，其折射率可通過摻雜P、Ge、B、Ti等來改變。這些膜可由例如大氣壓CVD (化學(xué)氣相沉積)法、真空CVD法、等離子體CVD法、火焰水解沉積法形成。至少一層上覆層14可優(yōu)選地為摻雜硼(B)、磷(P)等的低熔點二氧化硅膜(硼磷硅玻璃膜=BPSG膜)。BPSG膜具有低熔點，從而用于在用于平面化的回流過程中植入芯?？赏ㄟ^形成上覆層14并且接著蝕刻光學(xué)元件安裝座17上的不需要的部分來形成基塊19。蝕刻方法包括干蝕刻法和濕蝕刻法。但是，優(yōu)選地，采用各向異性干蝕刻法，例如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、離子束蝕刻(IBE)和反應(yīng)離子束蝕刻(RIBE)，以確保端面的平坦度和
垂直性。下覆層12和芯層13可由與上覆層14相同的材料和方法形成。但是，芯層13由折射率高于下覆層12和上覆層14的折射率的膜形成。圖6A至圖61是示出制造圖4中所示的光波導(dǎo)裝置10的方法的剖視圖。將在下文中描述制造光波導(dǎo)裝置的方法。首先，下覆層12形成在硅基底11上，并根據(jù)需要對其施加退火工藝(圖6A)。接著，芯層13形成在下覆層12上，然后通過光刻和干蝕刻進行圖案化，因此形成波導(dǎo)(圖6B)。根據(jù)需要，在芯層13的圖案化之前或之后施加退火工藝。接著，去除下覆層12的將要安裝光學(xué)元件18 ( S卩，光學(xué)元件安裝座17上)的部分 (圖 6C)。此時，通過RIE對下覆層12的上述部分執(zhí)行蝕刻，然后下覆層12的其余部分被濕蝕刻，從而允許防止硅基底11被蝕刻。這是因為，雖然在通過RIE完全去除下覆層12的情況下一部分硅基底被蝕刻，但是利用氫氟酸蝕刻劑(hydrofluoric etchant)的濕蝕刻不蝕刻硅基底。接著，在下覆層12和芯層13上形成第一上覆層141，并且根據(jù)需要對其施加退火工藝(圖6D)。第一上覆層141的厚度等于支撐具有小的有源層深度的光學(xué)元件18b的基塊19b (見圖幻的高度(hhM)與支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件18a的基塊19a(見圖5)的高度h2之間的差，即hi。此時，上覆層可為具有較低軟化點的BPSG膜，并且在膜形成之后可在800°C或更高的高溫下回流。這允許通過圖案化芯層13引起的芯之間的窄間隙被填充。此外，在圖6C中形成的光學(xué)元件安裝座17和光波導(dǎo)16之間的不平坦能夠變得平坦，從而提高第一上覆層141的表面平坦度。這允許更好地有利于后續(xù)的圖案化工藝。接著，光波導(dǎo)16和光學(xué)元件安裝座17上的第一上覆層141的除其上形成支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件18a 的基塊19a的部分之外的部分被去除，從而暴露硅基底(圖6E)。接著，形成第二上覆層142并根據(jù)需要對其施加退火工藝(圖6F)。第二上覆層 142的厚度等于支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件18a的基塊19a的高度h2。另一方面，通過在基塊19b的位置處形成的第一上覆層141上形成第二上覆層142，支撐具有小的有源層深度的光學(xué)元件18b的基塊19b的高度變?yōu)楹?hhh2)。接著，光屏蔽膜和光致抗蝕劑膜堆疊。通過光刻在光屏蔽膜上圖案化用于形成基塊19的掩模22 (圖6G)。所述光屏蔽膜優(yōu)選地為抗RIE蝕刻的鉻膜。這里，用于形成對準標記20的掩?？膳c用于形成基塊19的掩模一起被圖案化。接著，在光波導(dǎo)16的端面通過利用圖案化的光屏蔽圖案作為掩模22進行干蝕刻而暴露的同時，形成基塊19 (圖6H)。在用于形成對準標記20的掩模與用于形成基塊19的掩模一起形成的情況下，掩模19和對準標記20都通過干蝕刻在一個工藝中形成。接著，去除光屏蔽膜，并且根據(jù)需要形成和圖案化絕緣膜和電極金屬(未示出)。 圖61示出了在施加必要的工藝之后，具有不同有源層深度的光學(xué)元件18a和18b被安裝在光波導(dǎo)裝置10上的實例。如圖61所示，本發(fā)明允許具有不同有源層深度的光學(xué)元件18a 和18b高精確度地光學(xué)耦合到光波導(dǎo)16的端面。采用利用光屏蔽膜作為掩模的實例來進行以上描述。但是，即使形成光波導(dǎo)形成層的膜的蝕刻選擇性是足夠的，可以僅堆疊光致抗蝕劑膜來替代光屏蔽膜并用作掩模。即使在堆疊光屏蔽膜和光致抗蝕劑膜的情況下，光致抗蝕劑膜可留下而沒有剝落并用作掩模。為了在光學(xué)元件的被動對準安裝工藝中通過紅外光以高對比度執(zhí)行對準標記的圖像檢測識別，優(yōu)選地，不去除對準標記上的光屏蔽膜。但是，在光屏蔽膜的厚度不可忽略的情況下，需要光屏蔽膜不被用作掩模，基塊上的光屏蔽膜最終被去除，或者通過考慮基塊上的光屏蔽膜的厚度來確定上覆層的厚度。如上所述，根據(jù)該示例性實施例，具有不同有源層深度的光學(xué)元件可高精確度地光學(xué)耦合到光波導(dǎo)的端面上。此外，采用與上覆層的膜共同的膜形成基塊使得在不擴展制造工藝的情況下有效地形成基塊。在該示例性實施例中，利用安裝具有不同有源層深度的兩個光學(xué)元件的實例來進行描述。但是，可安裝三個或更多具有不同有源層深度的光學(xué)元件。在這種情況下，優(yōu)選地， 上覆層的堆疊的數(shù)量根據(jù)光學(xué)元件的數(shù)量而增加?；旧?，在安裝是至少為二的自然數(shù))個光學(xué)元件的情況下，需要形成至少η個上覆層。但是，與蝕刻的組合允許調(diào)整上覆層的堆疊的數(shù)量。在該示例性實施例中，利用支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件的基塊由上覆層的一個堆疊形成，并且支撐具有小的有源層深度的光學(xué)元件的基塊由上覆層的兩個堆疊形成的情況的實例進行了描述。這里，基塊中包括的上覆層的堆疊的數(shù)量不限于本實例。但是，基本上，支撐具有小的有源層深度的光學(xué)元件的基塊由堆疊的數(shù)量大于支撐具有大的有源層深度的光學(xué)元件的基塊的堆疊的數(shù)量的上覆層形成。為了避免擴展制造工藝，支撐光學(xué)元件中具有最大有源層深度的光學(xué)元件的基塊優(yōu)選地由上覆層的單個堆疊形成。(第二示例性實施例)圖7是示出根據(jù)第二示例性實施例的光波導(dǎo)裝置IOa的透視圖。與圖4中所示的光波導(dǎo)裝置10的構(gòu)造對比，光波導(dǎo)裝置IOa的不同之處在于，上覆層14包括三層，并且形成為第二層的第二上覆層142和形成為第三層的第三上覆層143用于形成基塊19。其它組件與第一示例性實施例中的相同。因此，相同的組件由相同的附圖標記表示。省略對它們的描述。第一上覆層141用于填充主要通過圖案化芯層13導(dǎo)致的芯之間的窄間隙，并因此使表面平坦化。第一上覆層141優(yōu)選地為BPSG膜。所述BPSG膜具有低熔點。這有利于在回流工藝中用芯填充并使表面平坦。圖8A和圖8B是示出制造圖7中所示的光波導(dǎo)裝置IOa的方法的剖視圖。首先，在硅基底11上形成下覆層12和芯層13和通過圖案化形成波導(dǎo)的步驟與第一示例性實施例中的那些(見圖6A和6B)相似。接著，第一上覆層141形成在下覆層12和芯層13上(圖 8A)。接著，光學(xué)元件安裝座17上的下覆層12和第一上覆層141被去除(圖8B)。接著，第二上覆層142形成在第一上覆層141上。除了第一上覆層141存在并且與第二和第三上覆層142和143共同的膜用于形成基塊之外，在形成第二上覆層142之后的步驟與第一示例性實施例中的那些相同。因此，參考圖6D至61，且省略對它們的描述。如上所述，堆疊至少三個上覆層填充了由于圖案化芯層導(dǎo)致的臺階，從而提高了平坦度。即使在第二和第三上覆層142和143的總厚度小于使上覆層作為整體執(zhí)行光學(xué)功能所需的膜厚度的情況下，第一上覆層141的提供允許補償不足的膜厚度。在用芯填充所需的膜厚度太大的情況下，優(yōu)選地，第一上覆層以分開的方式形成。也就是說，第一上覆層可形成為對于填充芯來說最優(yōu)的厚度，并且可以被回流并且接下來形成為第二上覆層到不足的膜厚度。注意的是，第一上覆層141可用于形成基塊19。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性優(yōu)點是能夠在對準光軸的同時安裝具有不同有源層深度的光學(xué)元件。工業(yè)實用性本發(fā)明可應(yīng)用于需要在PLC上集成并且混合嵌入光學(xué)元件的裝置，例如用于DPSK 的利用環(huán)狀共振器和一位延遲裝置(one-bit delay device)的可變波長光源。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可做出形式和細節(jié)方面的各種變化。本申請基于并要求于2009年3月17日提交的日本專利申請No. 2009-063736的優(yōu)先權(quán)的利益，該申請的內(nèi)容通過引用被包含于此。附圖標記列表10、10a、100 光波導(dǎo)裝置11、111 硅基底12、112 下覆層
13,113芯層
14、114上覆層
141第一上覆層
142第二上覆層
143第三上覆層
15、115光波導(dǎo)形成層
16、116光波導(dǎo)
17、117光學(xué)元件安裝座
18、118光學(xué)元件
19、119基塊
20、120對準標記
21、121有源層
22掩模
權(quán)利要求
1.一種光波導(dǎo)裝置，其包括光波導(dǎo)和光學(xué)元件安裝座，所述光波導(dǎo)由包括形成在基底上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層構(gòu)成，在去除所述光波導(dǎo)形成層的一部分的區(qū)域中，光學(xué)元件安裝在所述光學(xué)元件安裝座上，所述光學(xué)元件中的至少一個光學(xué)元件光學(xué)耦合到通過去除所述光波導(dǎo)形成層的所述部分而暴露的所述光波導(dǎo)的端面，其中所述光學(xué)元件安裝座包括第一基塊，支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第一光學(xué)元件；和第二基塊，支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第二光學(xué)元件，所述第二光學(xué)元件的有源層深度小于所述第一光學(xué)元件的有源層深度，并且其中所述第二基塊由堆疊數(shù)量大于所述第一基塊的堆疊數(shù)量的上覆層形成，并且所述第一和第二基塊之間的高度差等于所述第一和第二光學(xué)元件之間的有源層深度差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中由所述第二基塊支撐的所述第二光學(xué)元件的光軸的高度和由所述第一基塊支撐的所述第一光學(xué)元件的光軸的高度均匹配從所述基底至所述芯層的所述光波導(dǎo)形成層的光軸高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中所述第一基塊支撐所述光學(xué)元件中具有最大有源層深度的光學(xué)元件，并且所述第一基塊由一個上覆層形成。
4.一種制造光波導(dǎo)裝置的方法，所述光波導(dǎo)裝置包括光波導(dǎo)和光學(xué)元件安裝座，所述光波導(dǎo)由包括形成在基底上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層構(gòu)成，在去除所述光波導(dǎo)形成層的一部分的區(qū)域中，光學(xué)元件安裝在所述光學(xué)元件安裝座上，所述光學(xué)元件中的至少一個光學(xué)元件光學(xué)耦合到通過去除所述光波導(dǎo)形成層的所述部分而暴露的所述光波導(dǎo)的端面，所述方法包括在所述基底上形成所述下覆層和所述芯層； 通過圖案化所述芯層形成波導(dǎo)；在圖案化之后成為所述光波導(dǎo)的部分以及成為所述光學(xué)元件安裝座的至少一部分上形成上覆層的堆疊；以及蝕刻所述上覆層的堆疊形成用于支撐作為所述光學(xué)元件中的一個光學(xué)元件的第一光學(xué)元件的第一基塊，并且形成用于支撐所述光學(xué)元件中的第二光學(xué)元件的第二基塊，第二光學(xué)元件的有源層深度小于所述第一光學(xué)元件的有源層深度，其中所述第二基塊由堆疊數(shù)量大于所述第一基塊的堆疊數(shù)量的上覆層的堆疊形成，并且所述第一和第二基塊形成為使得所述第一基塊和所述第二基塊之間的高度差等于所述第一和第二光學(xué)元件之間的有源層深度差。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造光波導(dǎo)裝置的方法，其中所述第一和第二基塊形成為使得由所述第二基塊支撐的所述第二光學(xué)元件的光軸的高度和由所述第一基塊支撐的所述第一光學(xué)元件的光軸的高度均匹配從所述基底至所述芯層的所述光波導(dǎo)形成層的光軸高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造光波導(dǎo)裝置的方法，其中所述第一基塊支撐所述光學(xué)元件中具有最大有源層深度的光學(xué)元件，并且所述第一基塊由上覆層的一個堆疊形成。
全文摘要
一種光波導(dǎo)裝置，其包括光學(xué)元件安裝座(17)，所述光學(xué)元件安裝座(17)包括支撐第一光學(xué)元件(18a)的第一基塊(19a)和支撐有源層深度小于所述第一光學(xué)元件(18a)的有源層深度的第二光學(xué)元件(18b)的第二基塊(19b)。第二基塊(19b)由堆疊數(shù)量大于所述第一基塊(19a)的堆疊數(shù)量的上覆層的堆疊形成。第一和第二基塊之間的高度差(h1)等于第一和第二光學(xué)元件之間的有源層深度差(d1-d2)。
文檔編號G02B6/122GK102356337SQ20108001237
公開日2012年2月15日 申請日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月17日
發(fā)明者渡邊真也 申請人:日本電氣株式會社