專利名稱：光刻設(shè)備和表面清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種浸沒式光刻設(shè)備的表面的清潔方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行 的。通常，分開的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包 括所謂的步進(jìn)機(jī)，在步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個 目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描 所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo) 部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移 到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水) 中，以便充滿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是 可以使用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其它流體也可能是適合 的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望 是具有比水的折射率高的折射率。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更小特 征的成像，因?yàn)樵谝后w中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高 系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固 體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)IOnm的顆粒)的液 體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他 可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)意 味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機(jī)，而 液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。提出來的另一種布置是液體供給系統(tǒng)，用以通過使用液體限制系統(tǒng)將液體僅提 供到襯底的局部區(qū)域并且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系 統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開號為 W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。這種類型的布置可以稱為局部浸沒系統(tǒng)。另一種布置是PCT專利申請公開出版物WO 2005/064405公開的全浸濕布置，其中 浸沒液體是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，浸沒液體是不受限制的。襯底的整個頂部表面覆 蓋在液體中。這可以是有利的，因?yàn)橐r底的整個頂部表面在基本上相同的條件下進(jìn)行曝光。 這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在WO 2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。液體被允許泄露(或流)到襯底的其他部分。 襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體溢出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面上以受控制的 方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能發(fā)生浸沒液體的蒸 發(fā)。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No. US 2006/0119809中有 記載。設(shè)置一種構(gòu)件覆蓋襯底W的所有位置，并且布置成使浸沒液體在所述構(gòu)件和襯底和 /或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物 US2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案，這里以參考的方式 全文并入本文。這種設(shè)備設(shè)置有兩個臺用以支撐襯底。調(diào)平(levelling)測量在沒有浸沒 液體的工作臺的第一位置處進(jìn)行，曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進(jìn)行?？蛇x 的是，設(shè)備僅具有一個臺。在襯底在浸沒式光刻設(shè)備中曝光之后，襯底臺可以從其曝光位置移動到襯底可以 被去除并用不同的襯底替換的位置。這是熟知的襯底交換。在兩個臺的光刻設(shè)備中，襯底 的交換可以在投影系統(tǒng)下面進(jìn)行。在浸沒設(shè)備中，浸沒流體由流體處理系統(tǒng)或設(shè)備處理。在實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng) 可以供給浸沒流體并因此可以是流體供給系統(tǒng)。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少 部分地限制浸沒流體并因此是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供阻擋 件給浸沒流體，因而是阻擋構(gòu)件(例如流體限制結(jié)構(gòu))。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以 產(chǎn)生或使用流體流(例如氣流)，例如以便幫助處理液體(例如控制浸沒流體的流動和/或 位置)。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因而流體處理結(jié)構(gòu)可以稱為密封構(gòu)件；這種密 封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流 體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。流體處理系統(tǒng)可以位于投影系統(tǒng)和襯底臺之間。參照前 面提到的內(nèi)容，如果認(rèn)為情形合適的話，在本段落中提到的有關(guān)流體的限定特征可以被理 解成包括有關(guān)液體的限定特征。

發(fā)明內(nèi)容
存在一種需要，解決光刻設(shè)備中的污染的問題，尤其是浸沒式光刻設(shè)備中的污染 問題。具體地，需要解決由去除頂部涂層材料、和/或襯底材料、和/或任何其他污染材料 的顆粒產(chǎn)生的污染問題。通常一些清潔方法不允許在線清潔。因此，使用這些方法完成清 潔過程導(dǎo)致嚴(yán)重的光刻設(shè)備停機(jī)等待。期望地，例如，提供一種光刻設(shè)備和用于處理浸沒型投影設(shè)備中的污染的清潔方 法。期望地，所述設(shè)備和方法涉及在線清潔方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺之 間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括至少兩個開口，配置成供給液體到流體處理系統(tǒng)和襯底 和/或臺之間的間隙并從所述間隙抽取液體；和控制器，配置成控制通過所述至少兩個開口的液體流的方向，使得在清潔操作期 間，通過所述至少兩個開口的液體流的方向是相反的。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括
流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺之 間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括液體開口，配置成供給液體至流體處理系統(tǒng)和襯底和/或臺之間的間隙并從所述 間隙抽取液體；和位于所述液體開口的徑向外側(cè)的供給開口，配置成供給液體至所述間隙；和控制器，配置成控制通過所述液體開口的液體流的方向。根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液 體限制到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺之間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括液體供 給或抽取線路，配置成供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)或從所述流體處理系統(tǒng)抽取清潔液 體，其中所述供給或抽取線路的內(nèi)表面是柔性的且抵抗有機(jī)液體的腐蝕。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)和襯底和/或臺之間的間隙，所述流 體處理系統(tǒng)用于將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底或臺之間的空間；經(jīng)由另一液體開口從所述間隙抽取清潔液體；和控制通過液體開口和另一液體開口的液體流的方向，使得清潔液體經(jīng)由另一液體 開口被供給至所述間隙并且經(jīng)由所述液體開口從所述間隙抽取清潔液體。根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)和襯底和/或臺之間的間隙，所述流 體處理系統(tǒng)用于將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底或臺之間的空間；和經(jīng)由所述液體開口的徑向外側(cè)的供給開口從所述空間供給浸沒液體至所述間隙。根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺的 表面之間的空間，投影系統(tǒng)配置成引導(dǎo)圖案化輻射束至襯底的目標(biāo)部分，所述流體處理系 統(tǒng)包括供給開口，配置成供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)和襯底和/或臺之間的間隙；和抽取開口，配置成從所述間隙抽取清潔液體，所述抽取開口在所述供給開口的徑 向外側(cè)；和控制器，配置成控制通過所述間隙的液體流的方向，使得至少部分液體流通過投 影系統(tǒng)和襯底和/或臺的表面之間。根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺之 間的空間，所述流體處理結(jié)構(gòu)包括至少兩個開口，所述至少兩個開口配置成在襯底曝光期 間用以從流體處理結(jié)構(gòu)和襯底和/或臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且所述至少兩個開口 每一個配置成在清潔操作期間用作抽取液體的抽取開口或用以供給清潔液體的供給開口； 和控制器，配置成控制所述至少兩個開口使得在清潔操作期間，至少一個開口是供 給開口并且至少一個開口是抽取開口。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底和/或臺之間的空間，所述投影系統(tǒng)配置成引導(dǎo)圖案化輻射束至襯底的目標(biāo)部分，所述流體處理結(jié)構(gòu) 包括至少兩個表面，其中徑向內(nèi)表面形成在圖案化輻射束的光學(xué)路徑周圍并且徑向外表面 形成在所述徑向內(nèi)表面的外側(cè)，其中所述兩個表面配置成在襯底曝光期間用以從流體處理 結(jié)構(gòu)和襯底和/或臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且配置成在清潔操作期間用作用以抽取 液體的抽取表面或用以供給清潔液體的供給表面；和控制器，配置成控制所述至少兩個表面使得在清潔操作期間，所述至少兩個表面 中的一個是供給表面并且所述至少兩個表面中的另一個是抽取表面。根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括供給浸沒液體至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底或臺之間的空間；和供給清潔液體至襯底和/或臺和用于將浸沒液體限制到所述空間的流體處理系 統(tǒng)之間的間隙，其中所述清潔液體的密度大于浸沒液體。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附 圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖6和7示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面視圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面視圖；圖9和10示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的分段的多孔元件的平面圖；圖11和12示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面圖；圖13示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面圖；圖14示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面；圖15和16示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)和控制器的橫截面圖；圖17示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的閉合盤；圖18示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的遮蔽構(gòu)件；圖19示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的保護(hù)流動板；圖20示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻設(shè)備。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫 外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與 用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦 予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁 型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA 的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的 方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持 技術(shù)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為 固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如 相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù) 語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的 器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可 編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸 如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的 掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立 地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射 鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系 統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任 意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其 他因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同 義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成 裝置臺)的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多 個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO看 成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系 統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可 以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照 射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。
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所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可 以對所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般 分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中 具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA 之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分 C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感 器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射 束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一 定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑 精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程 模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以 采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺WT 的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或 可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案 形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于 目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè) 置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時，將賦予所 述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié) 構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本 靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目 標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之 后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無掩模光刻術(shù)中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用 模式。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成至少三種一般類型。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒系統(tǒng)和全浸濕浸沒系統(tǒng)。在浴器類型布置 中，基本上整個襯底W和可選地襯底臺WT的一部分浸入到液體浴器中。在所謂的局部浸沒系統(tǒng)中使用液體供給系統(tǒng)，以將液體僅提供到襯底的局部區(qū) 域。由液體填滿的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面，并且由液體充滿的區(qū)域相對于投 影系統(tǒng)PS基本上保持靜止的同時，襯底在該區(qū)域下面移動。圖2-5中示出了可以用在這種 系統(tǒng)中的四種不同類型的供給裝置。設(shè)置密封特征用以將液體密封到局部區(qū)域。在PCT專 利申請公開出版物No. 99/49504中公開了一種用于實(shí)現(xiàn)這種布置的方法。在全浸濕布置中，液體是非限制的?；旧险麄€襯底頂部表面和襯底臺的全部或 一部分被浸沒液體覆蓋。至少覆蓋襯底的液體的深度小。液體可以是位于襯底上的液體膜、 例如液體薄膜。浸沒液體可以供給到投影系統(tǒng)的區(qū)域和面對投影系統(tǒng)的正對表面(這種正 對表面可以是襯底和/或襯底臺的表面)上或內(nèi)部。圖2-5中的任何液體供給裝置也可以 用于這種系統(tǒng)中。然而，密封特征可以不存在、沒有起作用、不如正常狀態(tài)有效，或者以其它 方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。如圖2和3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個 入口供給到襯底上。在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)PS下面之后，通過至少一個出口去除。也就是 說，當(dāng)襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去 除。圖2示意地示出所述布置，其中液體通過入口供給，并在元件的另一側(cè)通過與低壓源相 連的出口去除。在圖2中，雖然液體沿著襯底W相對于最終元件的移動方向供給，但這并不 是必須的。可以在最終元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口。圖3示出一個例子， 其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的方式設(shè)置了四組入口和出口。要注意的是，圖2 和3中的液體的流動方向由箭頭表示。在圖4中示意地示出了另一個具有局部液體供給系統(tǒng)的浸沒光刻方案。液體由位 于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個槽狀入口供給，由設(shè)置在入口的徑向向外的位置上的多個 離散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，輻射束通過該孔投影。 液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上 的多個離散的出口去除，由此造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組 入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。 圖4中的箭頭表示流體流動和襯底W的方向。已經(jīng)提出其他的布置以提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，所述液體限制結(jié) 構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸。這種布置在圖5 中示出。圖5示意地示出了具有液體限制結(jié)構(gòu)12的流體處理結(jié)構(gòu)或者液體局部供給系統(tǒng)， 所述液體限制結(jié)構(gòu)12沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和(諸如襯底臺WT等臺，或由襯底臺支撐 的襯底W的)正對表面之間的空間11的邊界的至少一部分延伸。所述臺可以具有用作正 對表面的覆蓋板。(要說明的是，在下文中提到的襯底W的表面如果沒有特別地規(guī)定，也附 加地或可選地表示襯底臺WT的表面。)液體限制結(jié)構(gòu)12相對于投影系統(tǒng)PS在XY平面內(nèi) 可以是基本上靜止的。液體限制結(jié)構(gòu)12可以在Z方向上相對于投影系統(tǒng)移動(例如在光 軸的方向上)。在一實(shí)施例中，密封被形成在液體限制結(jié)構(gòu)12和正對表面之間。密封可以 是非接觸密封，例如氣體密封或流體密封(例如在美國專利申請出版物第US2004-02078M號中公開的一種具有氣體密封的系統(tǒng))。液體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之 間的空間11中。諸如氣體密封16等至襯底W的非接觸密封可以形成在投影系統(tǒng)PS的像 場周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)部。該 空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件的下面和周圍的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。 液體通過液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)的所述空間11中。 液體可以通過液體出口 13被去除。所述液體限制結(jié)構(gòu)12在投影系統(tǒng)PS的最終元件上面 一點(diǎn)延伸。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖。在一個實(shí)施例中，所述液體限制結(jié) 構(gòu)12的內(nèi)周的上端處的形狀與投影系統(tǒng)PS的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀一致，例 如可以是圓形。在底部，內(nèi)周與像場的形狀大致一致，例如矩形，雖然并不是必須的。液體通過在使用時液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間形成的非接觸密 封(例如，氣體密封16)被限制在空間11中。氣體密封16由氣體形成，例如空氣或合成空 氣，但是在一個實(shí)施例中為氮?dú)怅?duì)或其他惰性氣體。該氣體密封16中的氣體在壓力下通過 入口 15提供到液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。該氣體通過出口 14抽取。氣體入 口 15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內(nèi)的限制液體 的高速氣流。氣體作用在液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間 11內(nèi)。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流 有效地將液體限制在空間11中。這種系統(tǒng)在美國專利申請出版物第US2004-02078M中公 開，這里通過參考并入本文。在另一實(shí)施例中，液體限制結(jié)構(gòu)12不具有氣體密封?？梢詰?yīng)用本發(fā)明的一個實(shí)施例的另一種類型的液體限制結(jié)構(gòu)包括所謂的氣體拖 曳液體限制結(jié)構(gòu)，例如在2009年5月25日遞交的美國專利申請第US61/181，158中描述的 那樣，這里通過參考并入本文。美國專利申請出版物第US2008/0212046號提供更多的信 息，并且其內(nèi)容通過參考全部并入本文。圖5中的示例是所謂的局部區(qū)域布置，其中液體每一次僅被提供到襯底W的頂部 表面的局部區(qū)域。其他布置是可以的，例如，可以采用在液體限制結(jié)構(gòu)12的下表面17上的 單相抽取器的布置。在美國專利申請出版物第US 2006/0038968號中公開一種抽取器組 件，其包括具有多孔構(gòu)件的單相抽取器，這里通過參考并入本文。在美國專利申請出版物第 US2006/0158627中詳細(xì)地公開一種布置，其中上述抽取器組件與凹陷和氣刀結(jié)合使用，這 里通過參考全部并入本文。抽取器組件可以附加地或替換地包括雙相抽取器。本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于在全浸濕浸沒設(shè)備中使用的流體處理結(jié)構(gòu)。在全浸濕 實(shí)施例中，流體例如通過允許液體從將液體限制在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的限制 結(jié)構(gòu)中泄露出去而被允許覆蓋襯底的全部以及襯底臺的整個頂部表面的全部或一部分。用 于全浸濕實(shí)施例的流體處理結(jié)構(gòu)的示例可以在2008年9月2日遞交的美國專利申請出版 物第US 61/136，380號中找到。以上限定的浸沒空間的表面可能遭受污染，例如通過蒸發(fā)浸沒液體的液滴而遭受 污染。具體地，流體處理結(jié)構(gòu)和襯底臺WT如果不迅速地去除污染則容易形成污染的積聚。 實(shí)際上，浸沒系統(tǒng)的暴露到浸沒液體的任何表面可能遭受污染。因而期望清潔這些表面以 便防止或避免污染物積聚超過可接受的水平。清潔方法可以包括使用高氧化性清潔材料。清潔材料的示例包括臭氧、過氧化氫、肥皂、有機(jī)溶劑、堿性液體和/或氨。這些清潔材料可能具有與其相關(guān)的一個或多個問題。 例如，存在損壞部件表面的風(fēng)險(xiǎn)。而且，這些清潔材料可能需要仔細(xì)處理、以便減小受到傷 害的潛在風(fēng)險(xiǎn)。此外，清潔材料會在暴露到清潔材料的表面上留下沉淀物。在重新使用設(shè)備 之前需要去除這些沉淀物。用以去除這些沉淀物的沖洗應(yīng)該非常徹底，因此會花費(fèi)大量的 時間。在使用不容易利用水、通過沖洗被去除的有機(jī)清潔溶劑的時候，可能尤其是個問題。期望的清潔方法包括將清潔液體注入到提供給投影系統(tǒng)的最終元件下面的空間 的浸沒液體供給裝置中。這種清潔方法可以在線執(zhí)行。然而，這種方法不限于處理頂部涂層 材料的污染，因?yàn)橛糜谶@種用途的清潔液體不會侵蝕或腐蝕用于液體處理系統(tǒng)中的材料。 相反，能夠溶解光致抗蝕劑的清潔液體還腐蝕供給液體的結(jié)構(gòu)?；谶@個原因，該方法對由 光致抗蝕劑層的顆粒引起的污染無效。因此，這些光刻設(shè)備與用于處理光致抗蝕劑污染的 清潔液體不能相配或兼容。作為液體限制系統(tǒng)的一部分的流體處理結(jié)構(gòu)可以在清潔操作期間使用。如果表面 被用于例如測量襯底和來自投影系統(tǒng)的照射輻射之間的相對位置，則設(shè)備的表面的清潔可 能是重要的。例如，在光刻設(shè)備中，用在用于這種位置測量的編碼器系統(tǒng)中的測量光柵被定 位在襯底臺的周圍。因此，在曝光操作期間，浸沒液體可能行進(jìn)跨過由保護(hù)覆蓋層或涂層覆 蓋的測量光柵。結(jié)果，測量光柵容易被例如浸沒液體的顆粒和液滴污染。附加地或替換地，流體處理結(jié)構(gòu)在將襯底交換成另一襯底期間可以不直接位于例 如襯底上面，并且可以位于測量光柵的全部或部分上面，由此可能引起污染。污染的結(jié)果 是使用光柵的位置測量會失效或產(chǎn)生錯誤或誤差。此外，當(dāng)使用流體處理結(jié)構(gòu)執(zhí)行清潔操 作時，期望的是防止浸沒液體或清潔液體損失。當(dāng)使用流體處理結(jié)構(gòu)清潔光刻設(shè)備的表面時，提供給所述表面的流體被抽取。在 一些流體處理結(jié)構(gòu)中，在曝光操作期間可以使用單相抽取器抽取浸沒液體。這種單相抽取 器可以包括多孔部件，也稱為微篩。當(dāng)在清潔期間使用這種流體處理結(jié)構(gòu)時，所述流體通過 多孔部件被抽取。這導(dǎo)致顆?；蛭廴疚锒氯嗫撞考Ｈ绻l(fā)生這種情況，多孔部件需要 使用例如兆聲換能器清潔器等清潔工具離線清潔。不可避免地，這導(dǎo)致一定的停機(jī)維護(hù)時 間。此外，如果多孔部件的底部和將要被清潔的表面之間的間隙狹窄，則可以被泵入 間隙的清潔液體的量有限。這會限制清潔的有效性并且會花費(fèi)較長的時間來實(shí)現(xiàn)想要的清 潔水平。正如前面提到的，流體損失是不希望的。在清潔操作期間，流體處理結(jié)構(gòu)和將要被 清潔的表面之間存在相對移動。如果彎液面沒有被精確地控制，流體損失是不可避免的。在清潔操作期間所用的清潔流體會沿著與曝光操作期間的浸沒液體的流動路徑 相同的流動路徑行進(jìn)。通常，液體可以被提供到投影系統(tǒng)下面的空間，通過流體處理系統(tǒng)和 正對表面(例如襯底和/或臺)之間的間隙向外徑向流動，并且隨后通過抽取器抽取。通 常，抽取器是包括多孔部件的單相抽取器。污染物會在多孔部件中或多孔部件上形成。用于防止或減小污染物在流體處理結(jié)構(gòu)的多孔部件中或多孔部件上積累的一種 方法是在清潔期間以相反的方式通過多孔部件泵取清潔液體。因而，單相抽取器(例如微 篩)適于依賴于操作的類型供給或抽取液體。在清潔期間，浸沒液體和/或清潔液體可以 以相反的方式通過多孔部件朝向?qū)⒁磺鍧嵉谋砻姹槐萌?。也就是說，以相反的方式使用 用于在曝光操作期間抽取浸沒液體的抽取器，以通過多孔部件朝向?qū)⒁磺鍧嵉谋砻姹萌∏鍧嵰后w。然而，使用這種設(shè)備，在投影系統(tǒng)下面的間隙內(nèi)的流動總是沿相同的方向，通常是 沿徑向離開中心向外的方向。因此，粘附在表面上并且不能通過沿該方向的流動去除的顆 粒將會保留在污染的表面上。圖6和7示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的流體處理系統(tǒng)。箭頭指出液體流 動方向。在圖6和7中兩個開口之間的流動方向是相反的，下面將更詳細(xì)地描述。根據(jù)一 個實(shí)施例，光刻設(shè)備包括配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W和/或 臺之間的空間11中的流體處理系統(tǒng)12和控制器30。流體處理系統(tǒng)12包括至少兩個開口 10，用以供給液體到流體處理系統(tǒng)12和襯底W和/或臺之間的間隙并用以從所述間隙抽取 液體?？刂破?0配置成控制液體流動通過所述至少兩個開口 10的方向，使得在清潔操作 期間，液體流動通過所述至少兩個開口 10中的至少兩個的方向是相反的。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)12包括至少兩個開口 10，所述至少兩個開口配置 成在襯底W的曝光期間從流體處理系統(tǒng)12和襯底W和/或臺之間的間隙抽取浸沒液體。所 述至少兩個開口 10每一個在清潔操作期間配置成用以抽取液體的抽取開口，或配置成用 以供給清潔液體的供給開口?？刂破?0配置成控制液體流動通過所述至少兩個開口 10的 方向，使得在清潔操作期間，至少一個開口是供給清潔液體的供給開口，并且至少一個開口 是抽取液體的抽取開口。所述至少兩個開口 10可以定位在不同的徑向位置。換句話說，所述開口 10中的 一個可以定位在所述開口中的另一個的徑向外側(cè)。在替換的實(shí)施例中，所述至少兩個開口 10徑向位置相同。這意味著，所述至少兩個開口 10離開投影系統(tǒng)PS的最終元件的距離相 等。在這種情形中，所述開口 10在方位角不同的位置處。這意味著，所述開口 10被定位在 中心位于投影系統(tǒng)PS上的圓的圓周周圍的不同位置或點(diǎn)上。在一個實(shí)施例中，在清潔操作期間，液體流動通過所述至少一個供給開口 10和所 述至少一個抽取開口 10的方向是相反的。在一個實(shí)施例中，液體流動的方向經(jīng)過空間11， 基本上平行于臺和/或襯底W的表面。在一個實(shí)施例中，開口 10在流體處理系統(tǒng)的下表面 17上形成閉合的回路。所述回路在下表面17上形成線路。這個由開口 10限定的線路可以 是連續(xù)的或不連續(xù)的。在一個實(shí)施例中，在間隙中的(可以與浸沒液體混合的)清潔液體的流動可以被 “切換”，使得流動方向改變，由此用以有效地清潔光刻設(shè)備的一部分。切換清潔液體的流動 方向的優(yōu)點(diǎn)在于，通過使液體流保持離開最終元件來保護(hù)投影系統(tǒng)的最終元件不被清潔液 體和/或污染物損害。切換流動的另一優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)開口供給清潔液體時清潔液體對“腐 蝕”位于開口 10處的污染物是最有效的。當(dāng)“被切換”時，這種有效的清潔對其他開口有益。一個實(shí)施例能夠通過提供具有能夠?qū)崿F(xiàn)沿兩個方向的流動的至少兩個開口 10的 流體處理系統(tǒng)12來實(shí)現(xiàn)這種“切換”。在一個實(shí)施例中，所述至少兩個開口 10中的至少一 個與抽取器對應(yīng)。具體地，所述至少兩個開口 10中的至少一個可以是單相抽取器，S卩，僅抽 取單相，即液體，的抽取器(例如微篩)、針型液體抽取器或雙相抽取器。在相同的實(shí)施例中，所述至少兩個開口 10中的另一個可以是另一種抽取器、相同 的抽取器的不同隔室或可以根本不是抽取器。例如，開口可以是用于供給液體到流體處理系統(tǒng)12和將要被清潔的表面之間的間隙。通常，開口 10可以形成為適于(adapt)流體處理系統(tǒng)12的入口或出口，使得開口 10可以用于實(shí)現(xiàn)供給液體到間隙和從間隙抽取液體兩個功能。開口 10可以由相同類型的 不同的入口或出口、不同類型的入口或出口、或相同入口或出口的分段的隔室改造而成。在一個實(shí)施例中，通過為分段供給器/抽取器設(shè)置至少兩個隔室來形成開口 10。 在這種情形中，隔室中的一個可以供給液體，而另一個隔室抽取。相反，典型系統(tǒng)的單相抽 取器在流體處理系統(tǒng)中內(nèi)部連接。換句話說，抽取器的所有部分連接到相同的負(fù)壓。因此， 不可以通過抽取器的一個部分供給液體并且從抽取器的另一部分抽取流體。在一個實(shí)施例中，存在與供給器/抽取器的兩個隔室對應(yīng)的兩個開口 10。每個隔 室包括開口，用以供給液體到流體處理系統(tǒng)12和襯底W和/或臺之間的間隙并且用以從所 述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，存在四個開口 10，其對應(yīng)供給器/抽取器的四個隔室。在這種情 形中，一個隔室可以供給液體，而其他三個隔室抽取。隔室的數(shù)量沒有具體限制，并且可以 是奇數(shù)或偶數(shù)。指定隔室的數(shù)量，關(guān)于哪個隔室供給液體和哪個隔室抽取液體的布置僅限 于開口中的至少一個供給液體、而開口中的至少一個開口抽取液體的程度。從間隙抽取的清潔液體可以不是純的清潔液體。這是因?yàn)樵谇鍧嵅僮髌陂g，浸沒 液體可以被連續(xù)地供給到處于投影系統(tǒng)PS的最終元件正下方的空間。這引起清潔液體被 浸沒液體稀釋。供給浸沒液體到投影系統(tǒng)PS的最終元件下面的空間的目的之一是有助于 防止清潔液體損害投影系統(tǒng)的最終元件。浸沒液體的流動產(chǎn)生正壓力，這降低或減小清潔 液體和最終元件之間的接觸。結(jié)果，從間隙抽取的清潔液體可以用浸沒液體稀釋。使用“切換的”流動的清潔方法可以用于清潔光刻設(shè)備的襯底W或臺，或用以清潔 流體處理系統(tǒng)12本身。在曝光操作期間，用于“切換的”流動的開口 10期望被設(shè)置成抽取模式。為了實(shí) 現(xiàn)這種模式，上述的控制器30可選地被進(jìn)一步配置成控制在曝光操作期間液體流動通過 至少兩個開口 10的方向，使得所述至少兩個開口 10從間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，控制器30配置成控制液體流動通過間隙的方向，使得液體的至 少一部分流動通過光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PS和襯底W和/或臺的表面之間。確保液體在光刻 設(shè)備的投影系統(tǒng)PS和襯底W和/或臺的表面之間流動能夠改善流體處理系統(tǒng)12的清潔。具體地，可以存在部分分隔投影系統(tǒng)PS的最終元件下面的空間和間隙的流動板。 流動板M可以包括通孔，其用以通過允許一些液體通過所述孔而減小作用在流動板M上 的液體壓力。這些孔可以被污染物堵塞。這些污染物可以通過液體流過間隙而被去除。為了有助于確保所述流動通過空間11下面的間隙，流體處理系統(tǒng)12可以具有至 少兩個供給開口 10，其中上游開口形成在通過間隙的液體的上游并且下游開口形成在通過 間隙的液體的下游。這種結(jié)構(gòu)在圖6、7和8中示出。在圖6和8中，在附圖的左手邊的開 口 10是上游開口，而在附圖的右手邊的開口 10是下游開口。在圖7中，開口 10的設(shè)置相 反。通過兩個開口的液體流過在空間11正下方的間隙。在這些具有上游和下游開口 10的實(shí)施例中，控制器30可以配置成依賴于所需的 流動方向控制用以供給液體的下游開口和用以阻止供給液體的上游開口。換句話說，上游 開口和下游開口 10的角色由控制器確定，以便實(shí)現(xiàn)液體沿特定的方向流動通過空間11下面的間隙。在這些開口的徑向外側(cè)可以存在外部抽取器40，用以引起沿特定方向通過所述間 隙的流動。這種外部抽取器在圖8中示出。在一個實(shí)施例中，在供給開口 10的徑向外側(cè)存在至少兩個外部抽取器40。至少兩 個外部抽取器40定位在浸沒空間11的相對側(cè)?？刂破?0可選地配置成控制至少一個外部 抽取器40以抽取液體，并且配置成控制位于所述空間的相對側(cè)的另外至少一個抽取器40 以阻止抽取。這種實(shí)施方式在圖8中示出。虛線箭頭表示液體通過外部抽取器中的一個的 潛在的流動。具體地，當(dāng)通過控制器30控制進(jìn)行抽取時液體流動，而當(dāng)由控制器30控制抽 取器停止時液體不流動?？刂破?0根據(jù)期望的或想要的液體流動方向?qū)嵤┻@種控制。與上面描述的開口 10的控制類似，控制器30可以配置成根據(jù)供給開口在使用時 在投影系統(tǒng)PS和襯底W和/或臺的表面之間的相對于液體流動的位置來控制兩個或更多 個開口 10的功能以用作上游開口和下游開口。也就是說，如果開口位于通過空間11下面 的間隙的液體流動的下游，則開口被控制成用作抽取開口。替換地，如果所述開口位于液體 流動的上游，所述開口被控制成用作供給液體到間隙的液體入口。在一個實(shí)施例中，液體流的通過投影系統(tǒng)PS和襯底W和/或臺的表面之間的部分 流動通過圖案化輻射束的路徑。可選地，流體處理系統(tǒng)12具有下表面17?？蛇x地，所述一 個或更多個供給開口形成在下表面17中?？蛇x地，所述一個或更多個抽取開口形成在下表 面17中。當(dāng)然，抽取開口可以是任何類型，例如針型液體抽取器、微篩或雙相抽取器。襯底W可以由偽表面或虛擬表面代替。這種偽表面或虛擬表面可以在用另一襯底 替換一個襯底W時使用。偽表面或虛擬表面被用以防止液體從流體處理系統(tǒng)逃逸。如果發(fā) 生液體逃逸，不期望地，投影系統(tǒng)上會形成干燥污漬。臺可以是襯底臺WT、測量臺和/或遮蔽構(gòu)件的表面。遮蔽構(gòu)件可以用作偽表面或 虛擬表面。遮蔽構(gòu)件/偽表面或虛擬表面可以包括至少一個液體抽取器，其配置成移除沒 有被流體處理系統(tǒng)12回收的任何液體。測量臺可以是系統(tǒng)的用于測量投影系統(tǒng)PS的性質(zhì) 的一部分。正如上面所述，用于切換流動的開口可以是(適于除能夠抽取液體以外還能夠供 給液體的)單相抽取器的隔室，即例如是包括多孔部件的抽取器的隔室。在這種情形中，光 刻設(shè)備可選地還包括多孔部件，當(dāng)液體被供給時和當(dāng)液體經(jīng)由至少兩個開口 10中的至少 一個被抽取時，液體流動通過多孔部件。然而，其他類型的開口可以使用，并且多孔部件是不必要的。具體地，一個或更多 個開口可以是針型液體抽取器。這種針型液體抽取器可以定位成圍繞投影系統(tǒng)PS下面的 空間。圖8示出包括外部清潔抽取器40的實(shí)施例。該實(shí)施例與圖6和7中示出的實(shí)施 例相同，除了下面所述的。在該實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括所述至少兩個開口 10的徑 向外側(cè)的抽取器40。抽取器40的用途是，有助于防止間隙內(nèi)的清潔液體逃逸。期望地，光 刻設(shè)備的控制器30還配置成控制抽取器40，使得其在清潔操作期間僅抽取。這種抽取器40可以稱為清潔抽取器40。圖8中的虛線箭頭表示可能被損失的任 何液體的抽取。抽取器40可以采用狹縫的形式。抽取器40可以包括環(huán)繞所述至少兩個開 口 10的多個開口。
在正常操作期間，浸沒液體可以在多孔部件的徑向內(nèi)側(cè)位置處被提供至投影系統(tǒng) PS的最終元件下面的空間，并且通過所述至少兩個開口 10被抽取。在這種情形中，浸沒液 體的彎液面在清潔抽取器40的徑向內(nèi)側(cè)。因此，在正常曝光操作期間清潔抽取器40不是 必需的，因?yàn)樵谄毓獠僮髌陂g浸沒液體在其到達(dá)清潔抽取器40之前被抽取。然而，在清潔期間，清潔抽取器40用于經(jīng)由多孔部件的徑向內(nèi)側(cè)處的一個或更多 個開口和經(jīng)由多孔部件本身抽取被提供到流體處理系統(tǒng)12和將要被清潔的表面之間的間 隙的流體。在一個實(shí)施例中，清潔抽取器40被優(yōu)化用于清潔光刻設(shè)備的表面，而不是被優(yōu) 化用于掃描。在實(shí)踐中，這可以意味著清潔抽取器40被配置并布置成通過從間隙抽取所有 流體來限制其上設(shè)置流體處理系統(tǒng)12的表面的污染。抽取器可以被優(yōu)化用以清潔的另一 方法是將抽取器40布置成使得其開口大于至少兩個開口 10中那些用于切換流動的開口。 這有助于防止抽取器40被顆粒堵塞。通過從間隙抽取流體和污染物，清潔抽取器40可以釘扎間隙內(nèi)的流體的彎液面。 這實(shí)現(xiàn)比經(jīng)由多孔部件抽取所有流體的情形更加精確的彎液面控制。這具有有益的效果， 即可以更加精確地控制清潔、使得可以清潔將要被清潔的表面(例如測量光柵)直到其邊 緣，而不會存在液體損失(例如落到其側(cè)邊)。圖9和10示出一種被分段成使得存在四個用于切換流動的開口的單相型抽取器 的可能結(jié)構(gòu)的平面圖。這些開口與已經(jīng)適應(yīng)用以能夠供給液體到間隙以及能夠從間隙抽取 液體的被分段的單相抽取器10的四個隔室相對應(yīng)?？梢岳斫?，對于存在多于兩個用于切換 流動的開口的實(shí)施例，對于開口的每一種可能的配對，液體流可以不必沿相反的方向流動。 當(dāng)然，開口 10不需要與微篩或任何其他的單相抽取器/供給器相對應(yīng)。開口 10可以配置 成供給并抽取雙相流體。在圖9和10中，箭頭表示流動方向。在兩個圖中，液體通過所述至少兩個開口 10 的徑向內(nèi)側(cè)處的供給通道18被供給到間隙。這些圖示出開口 10之間的流動的可能的方式。 液體通過箭頭起始指示的開口 10被供給到間隙，通過箭頭終止指示的開口 10從間隙抽取。當(dāng)然，其他方式是可以的。例如，在存在四個開口的情形中，開口中的一個可以供 給液體，而其他三個開口抽取液體。開口的數(shù)量不需要限制為四個。其可以是五個、六個、 七個等。開口越多，則用于流動切換的可能方式的數(shù)量越大。圖11示出一實(shí)施例，其中至少兩個開口 10連接至用以通過該開口供給液體至間 隙的供給線路80和與供給線路80分開的用以通過該開口從間隙抽取液體的抽取線路90。 換句話說，存在用于實(shí)現(xiàn)供給和抽取流過開口的液體的功能的分開的管。圖12示出一個實(shí)施例，其中至少兩個開口 10從流體處理系統(tǒng)12中的連接至開口 的凹陷19、經(jīng)由單個的線路被連接，其中所述一個線路連接至供給和抽取線路。這種線路的 連接和控制可以通過三通閥21來實(shí)現(xiàn)。這種實(shí)施例具有比圖11中示出的實(shí)施例占有較少 的空間的優(yōu)點(diǎn)。通常，用于清潔暴露到浸沒液體的表面的清潔液體包括含有過氧化氫的溶液和/ 或含有臭氧的溶液?？梢允褂脡A性液體或氨水。如果清潔劑中的臭氧和/或過氧化氫的濃 度高于特定閾值，則會損傷被清潔的表面。然而，能夠溶解光致抗蝕劑的清潔液體需要去除 包括光致抗蝕劑顆粒的污染物。也就是說，為了充分地從光刻設(shè)備的表面去除污染物，期望 使用腐蝕性清潔液體。然而，使用這種腐蝕性流體的缺點(diǎn)是流體會腐蝕清潔設(shè)備本身。
使用這種清潔液體會損傷用在流體處理系統(tǒng)12中的液體供給或抽取線路。附加 地，用于將這些線路連接至流體處理結(jié)構(gòu)的0型環(huán)會被這些流體損傷。供給和抽取線路應(yīng) 該是彈性的或柔性的，以便減小光刻設(shè)備中的振動的傳播。同樣，已經(jīng)使用過對腐蝕性清潔 液體不具有抵抗作用的聚合物。因此，必需使用有效性較差的清潔液體。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，其包括流體處理系統(tǒng)12，流體處理系統(tǒng)12 配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W和/或臺之間的空間11。流體 處理系統(tǒng)12包括配置成供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)12或從流體處理系統(tǒng)12抽取清潔 液體的液體供給或抽取線路。液體供給或抽取線路的內(nèi)表面期望由柔性的并且能夠抵抗有 機(jī)液體的腐蝕的材料形成。有機(jī)液體可以是例如溶劑或肥皂。期望地，材料抵抗用作清潔 液體的堿性液體和/或氨水的腐蝕。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路的內(nèi)表面抵抗用于溶解光致抗蝕劑的流體 的腐蝕。這種用于溶解光致抗蝕劑的流體對從襯底的光致抗蝕劑層去除污染物是有用的。 通過液體供給或抽取線路抵抗這種流體的腐蝕，流體處理系統(tǒng)與這種清潔流體兼容并因此 被用于光致抗蝕劑污染的清潔操作。期望地，內(nèi)表面是柔性的。適于溶解光致抗蝕劑的清潔流體的示例包括酮，例如環(huán)己酮、丙酮二丙酮醇和/ 或丙酮；脂，例如乳酸乙酯乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸乙酯和/或Y 丁內(nèi)酯；和乙二醇醚，例 如二甘醇丁醚(DEGBE)。根據(jù)一個實(shí)施例，化學(xué)惰性的柔性聚合物材料，例如PTFE和PFA，和/或361L型不 銹鋼，可以用于液體供給和/或抽取線路的內(nèi)表面。可以使用其他柔性金屬管，例如由高鎳 合金形成的管。柔性金屬管可以具有螺旋波紋、環(huán)狀波紋或可以是螺旋峰焊接的。金屬管 可以是單層或多層。上面提到的材料僅是示例性的?？梢允褂闷渌垢g并且可以形成為 柔性管路的材料。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路通過由抗有機(jī)溶劑腐蝕的材料形成的連接 器連接至液體供給或抽取開口。連接器可以是例如0型環(huán)。圖13示意地示出一個實(shí)施例，其中流體處理系統(tǒng)12包括位于至少一個開口 10的 徑向外側(cè)處的液體供給開口 25，其配置成供給液體到間隙。至少一個開口 10執(zhí)行與在圖6 和7中示出的實(shí)施例相關(guān)的至少兩個開口相同的功能。也就是說，所述至少一個開口可以 用作供給液體到間隙，或從間隙抽取液體。圖13示出兩個開口 10。這些開口可以是分開 的開口。替換地，這些開口可以是單個開口的一部分。在這種情形中，單個開口可以是環(huán)形 的。在一個實(shí)施例中，液體供給開口 25位于外部抽取器40的徑向內(nèi)側(cè)(如果該外部 抽取器40在本實(shí)施例中也存在的話)。該液體供給開口 25可以供給浸沒液體或清潔液體。圖13中示出的實(shí)施例對于用流體處理系統(tǒng)清潔臺的操作是有利的。甚至在通過 至少一個開口 10的液體流過多孔部件的情形中，也可以清潔臺而多孔部件不會被顆?；?污染物堵塞。在一個實(shí)施例中，在清潔操作期間，控制器30控制流體處理結(jié)構(gòu)和清潔的表面之 間的相對移動，使得通過至少一個開口 10供給的清潔液體與投影系統(tǒng)的最終元件是基本 上分隔開的。這可以通過確保清潔液體從至少一個開口 10沿徑向向外的方向流動來實(shí)現(xiàn)。 這避免了清潔液體接觸投影系統(tǒng)的最終元件，清潔流體將必須從至少一個開口 10徑向向內(nèi)行進(jìn)。通過液體的流動而不是由定位在至少一個開口 10的徑向內(nèi)側(cè)處的一個或更多個 開口供給的清潔液體來確保清潔液體徑向向外(與向內(nèi)相反)的流動。這種附加的流動防 止清潔液體的徑向向內(nèi)的流動。附加地或替換地，控制器30可以控制流體處理結(jié)構(gòu)和表面 之間的相對移動，使得相對速度不超過特定的閾值。其原因在于，如果相對速度不是太大的 話，結(jié)構(gòu)12和表面之間的間隙內(nèi)的清潔液體可以到達(dá)投影系統(tǒng)PL的最終元件下面的空間 11。圖14示出本發(fā)明的一個實(shí)施例的另一變體。該實(shí)施例可以具有圖6到13中示出 的實(shí)施例的特征，除了下面所述的。在該實(shí)施例中，用于切換流動的至少兩個開口 22、23在 流體處理系統(tǒng)12內(nèi)具有不同的徑向位置。具體地，如圖14所示，開口 22在開口 23的徑向 內(nèi)側(cè)。同樣，這些開口與參照圖6到8描述的至少兩個開口 10類似，具有不同的徑向位置。圖14中示出的實(shí)施例包括用于切換流動的至少兩個開口 22、23。當(dāng)然，正如前面 所述，開口可以替換地具有相同的徑向位置，但是位置方面是方位角不同的。因此，在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)12包括兩個表面，其中徑向內(nèi)表面22圍繞 圖案化輻射束的光學(xué)路徑形成，其中徑向外表面23形成在徑向內(nèi)表面的外側(cè)。這兩個表面 配置成在襯底W的曝光期間，從流體處理系統(tǒng)12和襯底W和/或臺之間的間隙抽取浸沒液 體，并且配置成在清潔操作期間作為用以抽取液體的抽取表面或用以供給清潔液體的供給 表面?？刂破?0配置成控制所述兩個表面22、23，使得在清潔操作期間，一個表面是供給表 面而另一個表面是抽取表面。所述兩個表面可選地是階梯的，使得存在兩個高度，每一個高度對應(yīng)在襯底或放 置流體處理系統(tǒng)12的臺的表面之上的不同高度(即間隙寬度)處的表面中的一個表面。 替換地，所述兩個表面22、23布置在相同的高度上，如圖14所示。這些表面是液體供給器 /抽取器的一部分，其包括多孔部件(例如微篩)。在清潔操作期間，清潔液體可以通過這兩個表面中沿徑向在較內(nèi)側(cè)的一個供給， 并且通過這兩個表面中沿徑向在較外側(cè)的一個抽取。流動可以被切換，使得通過徑向較外 側(cè)表面供給流體和通過徑向較內(nèi)側(cè)表面抽取流體。根據(jù)一個提出的用于清潔表面(例如光柵)的方法，使用水平傳感器檢測污染物， 并且流體處理結(jié)構(gòu)被用于清潔所述表面。替換地或附加地，存在專用于檢測污染物的單獨(dú) 的傳感器。水平傳感器和/或?qū)Ｓ糜跈z測污染物的單獨(dú)的傳感器可以用于檢測表面上的污 染物。在一個實(shí)施例中，表面可以周期地被清潔。根據(jù)一個實(shí)施例可以在不需要大量的 停機(jī)時間的情況下實(shí)現(xiàn)周期清潔系統(tǒng)。這是因?yàn)槭褂帽景l(fā)明的一個實(shí)施例，可以在線實(shí)現(xiàn)清潔。圖15、16中示出的另一實(shí)施例提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)12和控制器 30。該實(shí)施例與圖6-12中示出的實(shí)施例相同，除了下面所述方面。流體處理系統(tǒng)12包括液 體開口 10和供給開口 25。液體開口 10配置成供給液體到流體處理系統(tǒng)12和襯底W和/ 或臺之間的間隙，并配置成從所述間隙抽取液體。供給開口 25在液體開口 10的徑向外側(cè)。 供給開口 25配置成供給液體至所述間隙。因此，存在一個開口，其能夠沿兩個方向(即，供 給流體和抽取流體)流動，和另一開口，其僅需要能夠?qū)崿F(xiàn)供給功能?？刂破?0配置成控制通過液體開口 10的液體流動方向。該實(shí)施例的液體開口 10與前面描述的至少兩個開口 10的類似。也就是說，在曝 光操作期間，液體開口 10可以抽取被供給至液體開口 10的徑向內(nèi)側(cè)處的所述間隙的浸沒 液體。在清潔操作期間，液體開口 10可以供給清潔液體至間隙?？蛇x地，流體處理系統(tǒng)12還包括供給開口 25的徑向外側(cè)處的抽取器40。抽取器 40配置成從所述間隙抽取氣體和/或液體。抽取器40有助于釘扎彎液面，由此防止液體 損失。為了這個目的，控制器30可以配置成控制抽取器40，使得基本上沒有液體逃逸出間隙?？蛇x地，如圖15和16所示，流體處理系統(tǒng)12還包括上述的抽取器40的徑向外側(cè) 處的另一抽取器50，另一抽取器50配置成從所述間隙抽取液體。該另一抽取器50有助于 在清潔期間控制彎液面。在一個實(shí)施例中，另一抽取器50包括多孔部件。在一個實(shí)施例 中，另一抽取器50可以是雙相抽取器50，配置成從所述間隙抽取氣體和液體，由此釘扎彎 液面。圖15和16示出一個實(shí)施例，其中另一抽取器50尤其有用。圖15示出在清潔操 作期間的流體處理系統(tǒng)12。圖16示出曝光操作期間的流體處理系統(tǒng)12。在該實(shí)施例中， 流體處理系統(tǒng)12還包括位于流體處理系統(tǒng)12的下表面17中的凹陷60。凹陷60位于供給 開口 25的徑向外側(cè)。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括兆聲換能器70，其配置成清潔物體 的表面。換能器70可以定位在所述凹陷60的內(nèi)部。使用換能器70，兆聲波被引入到所述 表面上的液體以清潔所述表面。兆聲波換能器70的使用對于清潔臺是尤其有利的。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備的控制器30配置成控制通過液體開口 10的液體流動 方向，使得在清潔操作期間液體通過液體開口 10被供給到所述間隙，并且在曝光操作期間 液體通過液體開口 10從所述間隙被抽取?？蛇x地，液體開口 10連接至供給線路和抽取線路，所述供給線路配置成通過液體 開口 10供給液體至所述間隙，所述抽取線路與所述供給線路分開，并且配置成通過液體開 口 10從所述間隙抽取液體。正如上面所述，在一個實(shí)施例中，供給線路的內(nèi)表面和抽取線 路的內(nèi)表面由柔性的并且抵抗有機(jī)溶劑的腐蝕的材料形成。上面所述的用于浸沒液體的供給和/或流體的抽取的液體開口 10可以位于供給 開口 25的徑向內(nèi)側(cè)。該液體開口 10可以用于供給浸沒液體至位于投影系統(tǒng)的最終元件的 正下方的空間?？蛇x地，提供多孔部件，當(dāng)供給液體時和當(dāng)經(jīng)由液體開口 10抽取液體時液體流過 所述多孔部件。這種多孔部件可以用于允許液體開口 10使用單相抽取器，抽取液體但是不 抽取氣體。替換地，可以使用雙相抽取器?？梢酝ㄟ^多孔材料片形成多孔部件。替換地，可 以通過在流體處理系統(tǒng)12的下表面17中機(jī)械加工一系列的孔來形成多孔部件?？蛇x地，如圖5所示，浸沒液體供給開口 13配置成供給浸沒液體至空間11。浸沒 液體供給開口 13可以應(yīng)用于如圖6-19所示的所有實(shí)施例中。該浸沒液體供給開口 13可 以形成在將浸沒液體限制到所述空間的流體處理系統(tǒng)12的表面上。在這種方式中，當(dāng)浸沒 液體通過投影系統(tǒng)PS和襯底W和/或臺的表面之間時其可以稀釋清潔液體。附加地，清潔 液體被防止與投影系統(tǒng)PS的表面接觸。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括浸沒液體控制器30，其配置成控制通過浸沒液體供給開口 13供給浸沒液體，使得在清潔操作期間浸沒液體流過部分地形成空間11的投影 系統(tǒng)PS的表面。可選地，流體處理系統(tǒng)12包括限制結(jié)構(gòu)，所述限制結(jié)構(gòu)圍繞所述空間以將浸沒液 體限制到所述空間。使用流體處理系統(tǒng)12清潔光刻設(shè)備的表面的潛在的問題在于，有可能在某些情 況下清潔液體與靠近流體處理系統(tǒng)12的液體限制結(jié)構(gòu)的投影系統(tǒng)的最終元件PS接觸。如 果發(fā)生這種情況，清潔液體會損害投影系統(tǒng)PS的最終元件。因此，期望防止這種情況發(fā)生。因此，本文所說的根據(jù)任一實(shí)施例的光刻設(shè)備還包括保護(hù)布置，配置成防止清潔 液體接觸投影系統(tǒng)PS的最終元件。在一個實(shí)施例中，保護(hù)布置防止供給至間隙的清潔液體 與供給至所述空間11的浸沒液體之間的接觸。替換地，清潔液體和浸沒液體可以彼此接 觸。存在不同的可以實(shí)施該保護(hù)特征的結(jié)構(gòu)方案。下面具體介紹這種結(jié)構(gòu)的示例。在一個實(shí)施例中，保護(hù)布置包括如圖5和17所示的最終元件液體供給開口 13， 其配置成供給浸沒液體至最終元件下面的空間；和控制器30，其配置成控制最終元件液體 供給開口、使得在清潔操作期間浸沒液體流過所述空間內(nèi)的最終元件。在這種方式中，清潔 液體可以由所述空間內(nèi)的浸沒液體充分稀釋，使得稀釋過的混合物不會引起最終元件的損 傷。浸沒液體的流動可以防止清潔液體達(dá)到所示元件。清潔液體的濃度朝向投影系統(tǒng)的最 終元件PS下降，使得在該元件本身基本上不存在清潔液體。附加地或替換地，如圖5和17所示，保護(hù)布置包括最終元件液體供給開口 13，其 配置成供給浸沒液體至空間11 ；和控制器30，其配置成控制通過最終元件液體供給開口 13 的浸沒液體的供給，使得在清潔操作期間由最終元件液體供給開口以高于清潔液體供給到 間隙的壓力供給浸沒液體。這通過提供相對強(qiáng)的液體流動離開最終元件來保護(hù)投影系統(tǒng)PS 的最終元件。附加地或替換地，保護(hù)布置可以包括閉合盤，配置成提供所述空間的下限制表 面；和配置成在流體處理系統(tǒng)12和閉合盤之間形成并保持間隙的裝置。所述間隙由間隙液 體供給保持。所述間隙液體供給產(chǎn)生對液體軸承(liquid bearing)足夠的壓力，由此防止 閉合盤和流體處理系統(tǒng)12的下表面17之間的間隙被閉合。圖17示出流體處理系統(tǒng)12和閉合盤的取向。連接至負(fù)壓的出口 14被用于驅(qū)使 閉合盤20抵靠流體處理系統(tǒng)12。如果閉合盤20被出口 14驅(qū)使與液體限制系統(tǒng)12接觸， 由于主要通過閉合盤20與液體限制系統(tǒng)20的物理接觸導(dǎo)致的從閉合盤20或流體處理系 統(tǒng)12的表面釋放的微?；蝾w粒，浸沒液體會發(fā)生微粒污染。圖17示出保持離開流體處理系統(tǒng)12規(guī)定距離的閉合盤20。在這種結(jié)構(gòu)中，存在 至少兩個優(yōu)點(diǎn)。第一個優(yōu)點(diǎn)在于，顆?；蛭⒘２蝗菀讖拈]合盤20或液體限制系統(tǒng)12的表 面釋放。第二個優(yōu)點(diǎn)是，浸沒液體11內(nèi)存在的任何微?；蝾w?？梢酝ㄟ^液體的循環(huán)，尤其 是經(jīng)由出口 14而被去除。存在幾種保持閉合盤離開流體處理系統(tǒng)12 —定距離的方式。一種是通過在出口 14和氣流15之間保持平衡狀態(tài)，如圖5所示。這種平衡不但可以用于限制浸沒液體11，還 可以引起閉合盤“漂浮”在液體限制系統(tǒng)下面。代替閉合盤，保護(hù)布置可以包括放置在流體處理系統(tǒng)12內(nèi)部并定位在空間的與投影系統(tǒng)PS相對的一側(cè)處的遮蔽構(gòu)件，使得液體可以被限制在所述空間內(nèi)并且在投影系 統(tǒng)PS和遮蔽構(gòu)件之間。遮蔽構(gòu)件在流體處理系統(tǒng)12內(nèi)可以是可縮進(jìn)的。在圖18中示出遮蔽構(gòu)件的一個實(shí)施例。其允許襯底臺WT從投影系統(tǒng)PS和液體 限制結(jié)構(gòu)12完全地移動離開，用于將襯底W從襯底臺WT移除并將新的襯底W放置在襯底 臺WT上。因此，其可以用于例如雙臺機(jī)器。遮蔽構(gòu)件150是板的形式，其主橫截面區(qū)域大于流體處理系統(tǒng)12中的局部區(qū)域或 孔。遮蔽構(gòu)件150的形狀可以是任何形狀，只要其覆蓋孔。遮蔽構(gòu)件150不是襯底，并且相 對于襯底臺WT和流體處理系統(tǒng)12是可移動的，并且可以利用諸如真空夾持或磁性夾持等 任何方式連接至流體處理系統(tǒng)12。遮蔽構(gòu)件150布置成抑制最終元件下的空間和間隙之間的液體流動。遮蔽構(gòu)件 150還布置成使得其不密封流體處理系統(tǒng)12的下表面17上的入口和出口。這允許在清潔 液體不進(jìn)入所述空間的情況下實(shí)現(xiàn)在間隙內(nèi)的清潔。附加地或替換地，保護(hù)布置可以包括流動板，流動板基本上平行于襯底或襯底臺， 用以將所述空間分成兩個部分，所述板具有孔。所述孔的用途是允許輻射束從投影系統(tǒng)的 最終元件穿過所述孔到達(dá)流體處理系統(tǒng)下面的襯底。附加地或替換地，如圖18所示，保護(hù)布置包括液面?zhèn)鞲衅?2，配置成監(jiān)控空間內(nèi) 的液面；和水平控制器33，配置成在清潔操作期間控制液體的供給、使得液面不超過特定 水平。圖19示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PS的最終元件的 保護(hù)的流動板。附加地，流動板具有抑制或減少來自抗蝕劑的污染物和/或襯底上的頂部 涂層的污染物的傳輸和浸沒液體(例如超純水)內(nèi)的溫度梯度的有益效果。板對設(shè)置成 將投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的空間分成兩個部分。板對具有孔或窗口 Ma以允許輻射束 PB的透射?？谆虼翱谏晕⒋笥谄毓鈭鯡F以適應(yīng)來自投影系統(tǒng)PS的束PB會聚到襯底W。附加地或替換地，保護(hù)布置包括壓力供給部34，其配置成將位于最終光學(xué)元件正 下方的空間內(nèi)的壓力提高到周圍氣體環(huán)境壓力之上。另一將投影系統(tǒng)的最終元件與清潔液體隔離的方法是供給浸沒液體到最終元件 下面的空間并使用比浸沒液體密度大的清潔液體。這種方法的目的是防止清潔液體上升到 浸沒液體之上而到達(dá)最終元件。具體地，在一個實(shí)施例中，通過將浸沒液體供給到投影系統(tǒng) 的最終元件下面的空間和將密度大于浸沒液體的清潔液體供給至襯底和/或臺和流體處 理系統(tǒng)之間的間隙來實(shí)施清潔操作。在一個實(shí)施例中，浸沒液體和清潔液體經(jīng)由分開的開 口供給。浸沒液體和清潔液體彼此基本上不混合。在一個實(shí)施例中，控制器30控制浸沒液體到所述空間的供給，使得浸沒液體流動 離開最終元件。在該實(shí)施例中，不需要通過流體處理系統(tǒng)將清潔液體供給至間隙。例如，可 以從將要被清潔的表面的下面供給清潔液體。在該實(shí)施例中用作清潔液體的合適的液體是那些能夠溶解光致抗蝕劑的液體。清 潔液體應(yīng)該與將與之接觸的材料能夠化學(xué)共存?？蛇x地，清潔液體經(jīng)由多孔部件被供給至 間隙。在這種情況下，清潔液體能夠流過多孔部件而不會堵塞，并且能夠在短時間范圍(例 如小于30分鐘)內(nèi)通過浸沒液體沖洗出多孔部件。密度大于浸沒液體的合適的清潔液體的示例是Y 丁內(nèi)酯，其密度為1，129kgm-3,以及乳酸乙酯，其密度為l，030kgm_3。浸沒液體可以是水。這種浸沒液體和較大密度的清 潔液體的組合可以被供給至本文中所有的實(shí)施例中。正如上面所述的那樣，使用流體處理系統(tǒng)12清潔光刻設(shè)備或用于光刻設(shè)備的保 養(yǎng)在例如清潔測量光柵的情形中是尤其有利的。正如圖20所示，光刻設(shè)備可以包括參考框 架RF、光柵51和傳感器52。光柵51連接到臺WT或參考框架RF。傳感器52連接至另一 個。傳感器52配置成檢測由光柵衍射和/或反射的輻射、以便測量臺WT和參考框架RF之 間的相對位置。臺可以是襯底臺，如圖20所示，或測量臺。一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，所述流體處理系統(tǒng)配置成將浸 沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括至 少兩個開口，所述至少兩個開口配置成供給液體至所述流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所 述臺之間的間隙并從所述間隙抽取液體；和控制器，所述控制器配置成控制通過所述至少 兩個開口的液體流動方向，使得在清潔操作期間通過所述至少兩個開口中的至少兩個的液 體流動方向相反。在一個實(shí)施例中，控制器還配置成控制曝光操作期間通過所述至少兩個開口的液 體流動方向，使得所述至少兩個開口從所述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括多孔部件，在經(jīng)由所述至少兩個開口中的至少 一個供給所述液體時和抽取液體時，液體流動通過所述多孔部件。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括抽取器，其在所述至少兩個開口的徑向外 側(cè)處。在一個實(shí)施例中，所述控制器還配置成控制所述抽取器，使得其僅在清潔操作期 間抽取。在一個實(shí)施例中，所述至少兩個開口包括四個開口。在一個實(shí)施例中，至少兩個開口連接至供給線路和抽取線路，所述供給線路配置 成通過該開口供給液體至所述間隙，所述抽取線路與所述供給線路分隔開，配置成從所述 間隙通過該開口抽取液體。在一個實(shí)施例中，所述供給線路的內(nèi)表面和所述抽取線路的內(nèi)表面由柔性的且抵 抗有機(jī)溶劑的腐蝕的材料制成。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括位于所述至少兩個開口的徑向外側(cè)處的、 配置成供給液體至所述間隙的液體供給開口。在一方面中，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，所述流體處理系統(tǒng)配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件 與襯底和/或臺之間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括液體開口，所述液體開口配置成供給 液體至所述流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙并從所述間隙抽取液體；和 供給開口，所述供給開口位于所述液體開口的徑向外側(cè)處，配置成供給液體至所述間隙；以 及 控制器，所述控制器配置成控制通過所述液體開口的液體流動方向。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括抽取器，所述抽取器位于所述供給開口的 徑向外側(cè)，配置成從所述間隙抽取氣體和/或液體。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括另一抽取器，所述另一抽取器位于所述抽取器的徑向外側(cè)，配置成從所述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，所述控制器配置成控制通過所述液體開口的液體流動方向，使 得在清潔操作期間通過所述液體開口供給液體至所述間隙，并且在曝光操作期間通過所述 液體開口從所述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括位于流體處理系統(tǒng)下表面中、所述供給開 口的徑向外側(cè)的凹陷。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括兆聲換能器，所述兆聲換能器配置成清潔物體 的表面，所述換能器位于所述凹陷內(nèi)部。在一個實(shí)施例中，液體開口連接至供給線路和抽取線路，所述供給線路配置成通 過液體開口供給液體至所述間隙，所述抽取線路與所述供給線路分隔開、配置成通過所述 液體開口從所述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，所述供給線路的內(nèi)表面和所述抽取線路的內(nèi)表面由柔性的且抵 抗有機(jī)溶劑的腐蝕的材料制成。在一方面中，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，所述流體處理系統(tǒng)配置成將 浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的空間，所述流體處理系統(tǒng)包括 液體供給或抽取線路，配置成供給清潔液體至液體處理系統(tǒng)或從所述流體處理系統(tǒng)抽取清 潔液體，其中液體供給或抽取線路的內(nèi)表面是柔性的并且抵抗有機(jī)液體的腐蝕。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路的內(nèi)表面由抵抗溶解光致抗蝕劑的流體的 腐蝕的材料制成。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路的內(nèi)表面由選自由PTFE、PFA以及361L型 不銹鋼組成的組中的材料制成。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括第二液體供給或抽取線路，配置成供給浸沒液 體至流體處理系統(tǒng)或從流體處理系統(tǒng)抽取浸沒液體；和控制器，配置成控制清潔液體是否 經(jīng)由液體供給或抽取線路供給至流體處理系統(tǒng)和/或從流體處理系統(tǒng)抽取，或控制浸沒液 體是否經(jīng)由第二液體供給或抽取線路被供給至流體處理系統(tǒng)和/或從流體處理系統(tǒng)抽取。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路還配置成供給浸沒液體至流體處理系統(tǒng)或 從流體處理系統(tǒng)抽取浸沒液體，并且所述光刻設(shè)備還包括控制器，所述控制器配置成控制 是否經(jīng)由液體供給或抽取線路供給清潔液體或浸沒液體至流體處理系統(tǒng)或從流體處理系 統(tǒng)抽取清潔液體或浸沒液體。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)還包括液體供給或抽取開口，其連接至液體供給 或抽取線路，配置成供給清潔液體至所述流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間 隙，或從所述間隙中抽取清潔液體。在一個實(shí)施例中，液體供給或抽取線路通過由抵抗有機(jī)溶劑腐蝕的材料制成的連 接器連接至液體供給或抽取開口。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括保護(hù)布置，其配置成防止清潔液體接觸投影系 統(tǒng)的最終元件。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置配置成防止供給至間隙的清潔液體與供給至所述 空間的浸沒液體之間的接觸。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括最終元件液體供給開口，配置成供給浸沒液體至所述空間；和控制器，配置成控制通過最終元件液體供給開口的浸沒液體的供給，使得 在清潔操作期間存在在所述空間中經(jīng)過所述最終元件的浸沒液體流動。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括最終元件液體供給開口，配置成供給浸沒液 體至所述空間；和控制器，配置成控制通過所述最終元件液體供給開口的浸沒液體的供給， 使得在清潔操作期間，通過所述最終元件液體供給開口以比清潔液體供給至所述間隙的壓 力高的壓力供給浸沒液體。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括閉合盤，配置成提供所述空間的下限制表 面；和配置成在流體處理系統(tǒng)和閉合盤之間形成并保持間隙的裝置。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括遮蔽構(gòu)件，所述遮蔽構(gòu)件放置在流體處理系 統(tǒng)內(nèi)部，可定位在所述空間的與投影系統(tǒng)相對的一側(cè)上，使得液體可以被限制在所述空間 中并且在投影系統(tǒng)和遮蔽構(gòu)件之間。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括板，所述板基本上平行于所述襯底或所述臺 以將所述空間分成兩個部分，所述板具有孔。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括液面?zhèn)鞲衅?，配置成監(jiān)測所述空間內(nèi)的液 面；和水平控制器，配置成控制在清潔操作期間液體的供給，使得液面不超過特定水平位置。在一個實(shí)施例中，所述保護(hù)布置包括壓力供給裝置，所述壓力供給裝置配置成將 位于最終元件正下方的空間內(nèi)的壓力升高到周圍氣體環(huán)境壓力之上。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備還包括參考框架、連接至臺或參考框架的光柵以及連 接至所述臺和參考框架中的另一個的傳感器，所述傳感器配置成檢測由所述光柵衍射和/ 或反射的輻射、以便測量所述臺和參考框架之間的相對位置。在一方面中，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供 給清潔液體至用于將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底或臺之間的空間的流體 處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙；經(jīng)由另一液體開口從所述間隙抽取清潔液 體；以及控制通過所述液體開口和所述另一液體開口的液體流動方向，使得清潔液體經(jīng)由 所述另一液體開口被供給至所述間隙，清潔液體經(jīng)由所述液體開口從所述間隙被抽取。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括經(jīng)由所述液體開口和所述另一液體開口的所 述空間的徑向外側(cè)的供給開口供給浸沒液體至所述間隙。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括經(jīng)由所述供給開口的所述空間的徑向外側(cè)的 抽取器從所述間隙抽取清潔液體。在一方面中，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供 給清潔液體至用于將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底或臺之間的空間的流體 處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙；和經(jīng)由所述液體開口的徑向外側(cè)的供給開 口從所述空間供給浸沒液體至所述間隙。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括經(jīng)由所述供給開口的徑向外側(cè)的抽取器從所 述間隙抽取液體。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括防止清潔液體接觸投影系統(tǒng)的最終元件的步
馬聚ο在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括供給浸沒液體至所述空間，使得存在在所述空間內(nèi)經(jīng)過最終元件的浸沒液體流。在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括以比清潔液體供給至所述間隙的壓力高的 壓力供給浸沒液體至所述空間。在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括在流體處理系統(tǒng)和用于提供所述空間的下 限制表面的閉合盤之間形成并保持間隙。在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括將遮蔽構(gòu)件定位在所述空間的與投影系統(tǒng) 相對的一側(cè)，使得液體可以被限制在所述空間內(nèi)并且在投影系統(tǒng)和遮蔽構(gòu)件之間。在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括監(jiān)測所述空間內(nèi)的液面；和控制供給液體 至所述空間，使得液面不超過特定水平面。在一個實(shí)施例中，所述防止步驟包括將位于最終光學(xué)元件正下方的空間內(nèi)的壓 力增大至周圍氣體環(huán)境壓力之上。在一個實(shí)施例中，所述方法是用于清潔連接至光刻設(shè)備的所述臺或參考框架的光 柵。在一個實(shí)施例中，所述光柵是用于測量所述臺和參考框架之間的相對位置的系統(tǒng) 的一部分。在一方面中，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，所述流體處理系統(tǒng)配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件 與襯底和/或臺的表面之間的空間，投影系統(tǒng)配置成引導(dǎo)圖案化輻射束到襯底的目標(biāo)部 分，所述流體處理系統(tǒng)包括配置成將清潔液體供給至流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所 述臺之間的間隙的供給開口 ；和配置成從所述間隙抽取清潔液體的抽取開口，所述抽取開 口在供給開口的徑向外側(cè)；以及控制器，配置成控制通過所述間隙的液體流動的方向，使得液體流的至少一部分 在投影系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺的所述表面之間通過。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)具有至少兩個供給開口，其中上游開口形成于在 投影系統(tǒng)與襯底和/或臺的表面之間通過的液體的上游，下游開口形成于在投影系統(tǒng)與襯 底和/或臺的表面之間通過的液體的下游。在一個實(shí)施例中，控制器配置成控制所述下游開口以供給液體和控制所述上游開 口以阻止供給液體。在一個實(shí)施例中，控制器配置成依賴于在使用時供給開口相對于位于投影系統(tǒng)與 所述襯底和/或所述臺的表面之間的液體流動的位置來控制所述至少兩個供給開口的功 能以用作上游和下游開口。在一個實(shí)施例中，液體流在投影系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺的所述表面之間通 過的部分流過所述圖案化輻射束的路徑。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)具有下表面。在一個實(shí)施例中，所述開口中的一個或更多個形成在下表面中。在一個實(shí)施例中，所述抽取開口形成在下表面中。在一個實(shí)施例中，所述襯底是虛擬表面。在一個實(shí)施例中，所述臺是臺、測量臺和/或遮蔽構(gòu)件的所述表面。在一個實(shí)施例中，配置成供給浸沒液體和/或抽取液體的液體開口位于所述供給開口的徑向內(nèi)側(cè)。在一個實(shí)施例中，多孔部件位于液體開口內(nèi)，因而通過所述液體開口的液體流動 通過多孔部件。在一個實(shí)施例中，浸沒液體供給開口配置成供給浸沒液體至所述空間。在一個實(shí)施例中，浸沒液體供給開口形成在配置成將浸沒液體限制到所述空間的 流體處理系統(tǒng)的表面中，使得當(dāng)浸沒液體在投影系統(tǒng)與襯底和/或臺的表面之間流過時浸 沒液體可以稀釋清潔液體，并且使得清潔液體與投影系統(tǒng)的表面的接觸被防止。在一個實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括浸沒液體控制器，所述浸沒液體控制器配置成控 制通過浸沒液體供給開口供給浸沒液體，使得在清潔操作期間浸沒液體流流動經(jīng)過部分地 形成所述空間的投影系統(tǒng)的所述表面。在一個實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)包括限制結(jié)構(gòu)，其圍繞所述空間以將浸沒液體限 制到所述空間。在一方面中，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)配置成 將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的空間，所述流體處理結(jié)構(gòu)包 括至少兩個開口，所述至少兩個開口配置成在襯底曝光期間從流體處理結(jié)構(gòu)與襯底和/或 臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且每一個在清潔操作期間配置成用以抽取液體的抽取開口 或用以供給清潔液體的供給開口 ；和控制器，配置成控制所述至少兩個開口使得在清潔操 作期間至少一個開口是供給開口并且至少一個開口是抽取開口。在一個實(shí)施例中，通過所述至少一個供給開口和至少一個抽取開口的液體流動的 方向在清潔操作期間是相反的。在一個實(shí)施例中，液體流動的方向經(jīng)過所述空間。在一個實(shí)施例中，所述開口在流體處理結(jié)構(gòu)的下表面上形成閉合的回路。在一方面中，提供一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒液體限制到 投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的空間，所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化輻射束引 導(dǎo)至襯底的目標(biāo)部分，流體處理結(jié)構(gòu)包括至少兩個表面，其中徑向內(nèi)表面形成在圖案化輻 射束的光學(xué)路徑周圍，并且徑向外表面形成在徑向內(nèi)表面的外側(cè)，其中所述兩個表面配置 成在襯底曝光期間從流體處理結(jié)構(gòu)與襯底和/或臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且配置成 在清潔操作期間用作用以抽取液體的抽取表面或用以供給清潔液體的供給表面；和控制 器，配置成控制所述至少兩個表面使得在清潔操作期間所述至少兩個表面中的一個是供給 表面并且所述至少兩個表面中的另一個是抽取表面。在一方面中，提供一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括供給浸沒液體至 投影系統(tǒng)的最終元件與襯底或臺之間的空間；和供給清潔液體至襯底和/或臺與用于將浸 沒液體限制到所述空間的流體處理系統(tǒng)之間的間隙，其中清潔液體密度大于浸沒液體。雖然本文詳述了光刻設(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè) 備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué) 系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管 芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光 之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、測量工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將這里公 開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生 多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV) (例如具有約為365、M8、193、157或U6nm的波長)。在允許的情況下術(shù)語“透鏡”可以表 示不同類型的光學(xué)構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)構(gòu)件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或 更多個機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù) 存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，機(jī)器可讀的指令可以嵌入到兩 個或更多個計(jì)算機(jī)程序。所述兩個或更多個計(jì)算機(jī)程序可以存儲在至少一個不同的存儲器 和/或數(shù)據(jù)存儲媒介中。當(dāng)一個或更多個計(jì)算機(jī)程序由位于光刻設(shè)備的至少一個部件內(nèi)的一個或更多個 計(jì)算機(jī)處理器讀取時這里所述的控制器可以每一個或以組合的形式運(yùn)行。控制器可以每一 個或以組合的形式具有任何合適的用于接收、處理以及發(fā)送信號的結(jié)構(gòu)。一個或更多個處 理器配置成與至少一個控制器通信。例如，每個控制器可以包括一個或更多個用于執(zhí)行計(jì) 算機(jī)程序的處理器，計(jì)算機(jī)程序包括用于上述的方法的機(jī)器可讀指令。控制器可以包括用 于存儲這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，和/或用以接收這種介質(zhì)的硬件。因而，控制器可 以根據(jù)一個或更多個計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令運(yùn)行。本發(fā)明的一個或更多個實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸沒式光刻設(shè)備，具體地但不排他 地，應(yīng)用于上述的那些類型、浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區(qū) 域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒液體可以流 過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸濕。在 這種非限制的浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸 沒液體限制，但是基本上不是完全的浸沒液體限制。這里所述的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地解釋。在特定的實(shí)施例中，其可以是將液體 供給至投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空間的機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。其可以包括一個或 更多個結(jié)構(gòu)的組合、一個或更多個包括一個或更多個液體開口的流體開口、一個或更多個 氣體開口或一個或更多個用于兩相流動的開口。開口可以每一個是進(jìn)入浸沒空間的入口 (或流體處理結(jié)構(gòu)的出口)或浸沒空間的出口(或進(jìn)入流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一個實(shí)施 例中，所述空間的表面是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面完全覆蓋襯底 和/或襯底臺的表面，或者所述空間包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統(tǒng)可以任意地進(jìn) 一步包括一個或更多個元件用以控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流量或其他任何特征。上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員在不脫離以下所述權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對上述本發(fā)明進(jìn)行更改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的 空間，所述流體處理系統(tǒng)包括至少兩個開口，所述至少兩個開口配置成供給液體到流體處 理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙并從所述間隙抽取液體；和控制器，配置成控制通過所述至少兩個開口的液體流動的方向，使得在清潔操作期間 通過所述至少兩個開口中的至少兩個開口的液體流動的方向是相反的。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述控制器還配置成在曝光操作期間控制通過 所述至少兩個開口的液體流動的方向、使得所述至少兩個開口從所述間隙抽取液體。
3.一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的 空間，所述流體處理系統(tǒng)包括液體開口，配置成供給液體至所述流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙 并從所述間隙抽取液體；和所述液體開口的徑向外側(cè)的供給開口，配置成供給液體至所述間隙；和控制器，配置成控制通過所述液體開口的液體流動的方向。
4.一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的 空間，所述流體處理系統(tǒng)包括液體供給或抽取線路，所述液體供給或抽取線路配置成供給 清潔液體至流體處理系統(tǒng)或從所述流體處理系統(tǒng)抽取清潔液體，其中所述液體供給或抽取 線路的內(nèi)表面是柔性的且抵抗有機(jī)溶劑的腐蝕。
5.一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)與襯底和/或臺之間的間隙，所述流體處 理系統(tǒng)用于將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底或所述臺之間的空間；經(jīng)由另一液體開口從所述間隙抽取清潔液體；和控制通過液體開口和另一液體開口的液體流動的方向，使得清潔液體經(jīng)由另一液體開 口被供給至所述間隙并且經(jīng)由所述液體開口從所述間隙抽取清潔液體。
6.一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括經(jīng)由液體開口供給清潔液體至流體處理系統(tǒng)與襯底和/或臺之間的間隙，所述流體處 理系統(tǒng)用于將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底或所述臺之間的空間；和經(jīng)由位于所述液體開口的徑向外側(cè)的供給開口從所述空間供給浸沒液體至所述間隙。
7.一種光刻設(shè)備，包括流體處理系統(tǒng)，配置成將浸沒液體限制到投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺的表面 之間的空間，所述投影系統(tǒng)配置成引導(dǎo)圖案化輻射束至襯底的目標(biāo)部分，所述流體處理系 統(tǒng)包括供給開口，配置成供給清潔液體至所述流體處理系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺之間的 間隙；和抽取開口，配置成從所述間隙抽取清潔液體，所述抽取開口在所述供給開口的徑向外 側(cè)；和控制器，配置成控制通過所述間隙的液體流動的方向，使得液體流的至少一部分在投影系統(tǒng)與所述襯底和/或所述臺的所述表面之間通過。
8.一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的 空間，所述流體處理結(jié)構(gòu)包括至少兩個開口，所述至少兩個開口配置成在襯底曝光期間用 以從所述流體處理結(jié)構(gòu)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且所述至少 兩個開口每一個配置成在清潔操作期間用作抽取液體的抽取開口或用以供給清潔液體的 供給開口 ；和控制器，配置成控制所述至少兩個開口，使得在清潔操作期間至少一個開口是供給開 口并且至少一個開口是抽取開口。
9.一種光刻設(shè)備，包括流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒液體限制至投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或臺之間的 空間，所述投影系統(tǒng)配置成引導(dǎo)圖案化輻射束至襯底的目標(biāo)部分，所述流體處理結(jié)構(gòu)包括 至少兩個表面，其中徑向內(nèi)表面形成在圖案化輻射束的光學(xué)路徑周圍并且徑向外表面形成 在所述徑向內(nèi)表面的外側(cè)，其中所述兩個表面配置成在襯底曝光期間用以從所述流體處理 結(jié)構(gòu)與所述襯底和/或所述臺之間的間隙抽取浸沒液體，并且配置成在清潔操作期間用作 用以抽取液體的抽取表面或用以供給清潔液體的供給表面；和控制器，配置成控制所述至少兩個表面，使得在清潔操作期間所述至少兩個表面中的 一個是供給表面并且所述至少兩個表面中的另一個是抽取表面。
10.一種清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，包括供給浸沒液體至投影系統(tǒng)的最終元件與襯底或臺之間的空間；和供給清潔液體至所述襯底和/或所述臺和用于將浸沒液體限制到所述空間的流體處 理系統(tǒng)之間的間隙，其中所述清潔液體的密度大于浸沒液體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備和一種表面清潔方法。在所述光刻設(shè)備中，液體限制結(jié)構(gòu)包括至少兩個開口，用于供給和抽取液體至所述結(jié)構(gòu)下面的間隙。開口之間的流動方向可以切換。液體可以被供給至適于雙重流動的開口的徑向外側(cè)的間隙。用以分別供給液體至液體限制結(jié)構(gòu)和從液體限制結(jié)構(gòu)抽取液體的供給和抽取線路具有抵抗有機(jī)液體腐蝕的內(nèi)表面。腐蝕性的清潔流體可以用于清潔光致抗蝕劑的污染。
文檔編號G03F7/20GK102096329SQ20101057577
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月2日
發(fā)明者K·T·霍?？藸柕? T·卡耐克 申請人:Asml荷蘭有限公司