專利名稱：曝光頭和圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過成像光學(xué)系統(tǒng)而對來自于發(fā)光元件的光進行成像的曝光頭 以及一種使用了該曝光頭的圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
在專利文獻1中記載了一種曝光頭，其具有沿主掃描方向以交錯狀排列的多個發(fā) 光元件、和與該多個發(fā)光元件對置的成像光學(xué)系統(tǒng)。即，該曝光頭通過由成像光學(xué)系統(tǒng)對各 發(fā)光元件射出的光進行成像，從而將多個光點沿主掃描方向排列并且照射到被曝光面上。 而且，通過這些光點使被曝光面曝光。在先技術(shù)文獻專利文獻1 日本特開2009-098613號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題如上所述，上述曝光頭通過沿主掃描方向排列的多個光點而對被曝光面進行曝 光。因此，為了實現(xiàn)較高精度的曝光，有必要以滿足各種條件的方式而形成各光點。這些條 件中尤其重要的是，將成像光學(xué)系統(tǒng)的像差(aberration)抑制于較小程度、和確保足夠的 用于形成光點的光量。而且，為了使這兩個條件同時成立，成像光學(xué)系統(tǒng)的主掃描方向上的 放大倍率成為了很重要的參數(shù)。即，一方面當主掃描方向上的放大倍率變大時像差會惡化， 而另一方面當主掃描方向上的放大倍率變小時光利用效率會惡化，從而用于形成光點的光 量會降低。但是，一直以來，這一點未得到充分的考慮。本發(fā)明是為了解決上述課題而構(gòu)思的，其目的在于，提供一種在將成像光學(xué)系統(tǒng) 的像差抑制于較小程度的同時，確保足夠的用于形成光點的光量，從而能夠?qū)崿F(xiàn)較高精度 的曝光的技術(shù)。解決課題的方法為了達成上述目的，本發(fā)明所涉及的曝光頭的特征在于，具有；發(fā)光元件陣列，其 具有配置在第1方向上的發(fā)光元件；遮光部件，其具有使發(fā)光元件發(fā)射的光通過的孔徑光 闌；成像光學(xué)系統(tǒng)，其對通過遮光部件的光進行成像，成像光學(xué)系統(tǒng)的第1方向上的放大倍 率的絕對值在0. 7倍以上并且在0. 8倍以下。為了達成上述目的，本發(fā)明所涉及的圖像形成裝置的特征在于，具有潛像載體， 其形成有潛像；曝光頭，其具有，包括配置在第1方向上的發(fā)光元件的發(fā)光元件陣列、具有 使發(fā)光元件發(fā)射的光通過的孔徑光闌的遮光部件、以及使通過遮光部件后的光透過從而對 潛像載體進行曝光的成像光學(xué)系統(tǒng)，其中，成像光學(xué)系統(tǒng)的第1方向上的放大倍率的絕對 值在0. 7倍以上并且在0. 8倍以下；顯影部，其對通過曝光頭而形成在潛像載體上的潛像進 行顯影。在以此方式構(gòu)成的發(fā)明(曝光頭、圖像形成裝置)中，由于成像光學(xué)系統(tǒng)的第1方向上的放大倍率在0. 8倍以下，因此能夠?qū)⒊上窆鈱W(xué)系統(tǒng)的像差抑制于較小程度，并且由 于成像光學(xué)系統(tǒng)的第1方向上的放大倍率在0. 7倍以上，因此能夠抑制光利用率的降低，從 而確保足夠的用于光點形成的光量。其結(jié)果實現(xiàn)了較高精度的曝光。此時，也可以采用如下結(jié)構(gòu)，S卩，成像光學(xué)系統(tǒng)具有第1透鏡以及第2透鏡，并且由 發(fā)光元件發(fā)射的光，在透過第1透鏡之后接著透過第2透鏡，從而被成像。即，通過由兩枚 透鏡構(gòu)成成像光學(xué)系統(tǒng)，從而能夠較容易地制作出，第1方向上的放大倍率的絕對值在0. 7 倍以上并在0. 8倍以下的成像光學(xué)系統(tǒng)。而且，成像光學(xué)系統(tǒng)也可以為變形(anamorphic)光學(xué)系統(tǒng)。其原因在于，變形光 學(xué)系統(tǒng)有利于對像差進行抑制。并且，第1透鏡以及第2透鏡可由樹脂透鏡構(gòu)成。這樣，能夠高精度地復(fù)制如主掃 描方向和副掃描方向的曲率不同的這種復(fù)雜形狀的非球面透鏡。此外，本發(fā)明優(yōu)選適用于，發(fā)光元件為有機EL元件，并且發(fā)光元件陣列具有配置 了有機EL元件的玻璃製的頭基板、和對有機EL元件進行密封的密封部件的結(jié)構(gòu)。該理由 如下文所述。即，有機EL元件在具有隨著發(fā)光而發(fā)熱的性質(zhì)的同時，還兼具由于熱帶來的 劣化導(dǎo)致壽命縮短的性質(zhì)。因此，從有機EL元件的長壽命化的觀點出發(fā)，優(yōu)選促進有機EL 元件的放熱，但是，在通過玻璃製的頭基板以及密封部件而環(huán)繞有機EL元件的結(jié)構(gòu)中，促 進有機EL元件的放熱是比較困難的。而且，為了抑制有機EL元件的發(fā)熱量，有必要對有機 EL元件發(fā)射的光量進行抑制。另一方面，由于對于如有機EL元件這樣的擴散光源，本發(fā)明 的成像光學(xué)系統(tǒng)具有比較高的光利用效率，因此能夠在對有機EL元件的光量進行抑制的 同時，確保足夠的用于光點形成的光。由此，能夠在對有機EL元件的光量進行抑制從而對 有機EL元件的劣化進行抑制的同時，進行高精度的曝光。特別是，在采用發(fā)光元件陣列為底部發(fā)射型的有機EL元件陣列時，增多有機EL元 件的光量是很困難的。因此，優(yōu)選為，對于這樣的結(jié)構(gòu)應(yīng)用本發(fā)明，從而實現(xiàn)光利用效率的提尚。此外，在具有對有機EL元件進行驅(qū)動的驅(qū)動電路，并且驅(qū)動電路被配置在頭基板 上的結(jié)構(gòu)中，有可能將來自驅(qū)動電路的熱傳導(dǎo)給有機EL元件。因此，為了抑制有機EL元件 的熱劣化，優(yōu)選為，進一步對有機EL元件的光量進行抑制。因此，通過對這樣的結(jié)構(gòu)應(yīng)用本 發(fā)明以實現(xiàn)光利用效率的效用，能夠在對有機EL元件的光量進行抑制的同時，確保足夠的 用于光點形成的光量，從而實現(xiàn)高精度的曝光。


圖1為表示能夠應(yīng)用本發(fā)明的行式頭的一例的俯視圖。圖2為表示能夠應(yīng)用本發(fā)明的行式頭的一例的局部階梯剖視圖。圖3為遮光部件的A-A線的階梯剖視圖。圖4為遮光部件的分解立體圖。圖5為表示發(fā)光元件組中的發(fā)光元件的配置形態(tài)的局部俯視圖。圖6為表示行式頭的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。圖7為表示在放大倍率的絕對值=0. 60倍時的點列圖的圖。圖8為表示在放大倍率的絕對值=0. 65倍時的點列圖的圖。
圖9為表示在放大倍率的絕對值=0. 70倍時的點列圖的圖。圖10為表示在放大倍率的絕對值=0. 75倍時的點列圖的圖。圖11為表示在放大倍率的絕對值=0. 80倍時的點列圖的圖。圖12為表示在放大倍率的絕對值=0. 85倍時的點列圖的圖。圖13為表示在放大倍率的絕對值=0. 90倍時的點列圖的圖。圖14為表示在放大倍率的絕對值=0. 95倍時的點列圖的圖。圖15為表示在放大倍率的絕對值=1. 00倍時的點列圖的圖。圖16為放大倍率的絕對值=0. 7倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的透鏡數(shù)據(jù)。圖17為形成圖16的S4面的面形狀的數(shù)據(jù)。圖18為形成圖16的S7面的面形狀的數(shù)據(jù)。圖19為放大倍率的絕對值=0. 7倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的主方向剖面的光路圖。圖20為放大倍率的絕對值=0. 7倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的副方向剖面的光路圖。圖21為放大倍率的絕對值=0. 8倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的透鏡數(shù)據(jù)。圖22為形成圖21的S4面的面形狀的數(shù)據(jù)。圖23為形成圖21的S7面的面形狀的數(shù)據(jù)。圖M為放大倍率的絕對值=0. 8倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的主方向剖面的光路圖。圖25為放大倍率的絕對值=0. 8倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的副方向剖面的光路圖。圖沈為將用于成像光學(xué)系統(tǒng)的模擬的數(shù)據(jù)列表進行表示的圖。圖27為圖沈的數(shù)據(jù)Wsm、Wss的說明圖。圖28為表示相對于主掃描方向上的放大倍率的絕對值的、光利用效率的圖。圖四為表示相對于主掃描方向上的放大倍率的絕對值的、能量損失的圖。圖30為表示能夠應(yīng)用行式頭的圖像形成裝置的一例的圖。圖31為表示圖30的裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。符號說明21…感光體鼓；29…行式頭；E…發(fā)光元件；EG…發(fā)光元件組；293…頭基板；LA1，LA2…透鏡陣列；Doa…光的行進方向；LS1，LS2 …透鏡；297…遮光部件；MD…主掃描方向；L⑶…長度方向；
具體實施例方式第1實施方式圖1以及圖2為，表示能夠應(yīng)用本發(fā)明的行式頭(Line head)的一例的圖。特別是，圖1為，從行式頭四的厚度方向TKD觀察行式頭四所具有的發(fā)光元件以及透鏡的位置 關(guān)系時的俯視圖；圖2為，行式頭^WA-A線(圖1的臺階狀的雙點劃線)的局部階梯剖 視圖，相當于從行式頭四的長度方向LGD觀察該剖面時的情況。該行式頭四在長度方向 LGD上為長尺寸，在寬度方向LTD上為短尺寸，并且在厚度方向TKD上具有規(guī)定的厚度(高 度)。在包括圖1以及圖2在內(nèi)的以下的附圖中，根據(jù)需要對行式頭四的長度方向LGD、寬 度方向LTD以及厚度方向TKD進行圖示。另外，這些方向LGD、LTD、TKD互相正交或者大致 正交。此外，在下文中，根據(jù)需要將厚度方向TKD的箭頭標記一側(cè)表示為「正面」或者「上」， 將和厚度方向TKD的箭頭標記相反的一側(cè)表示為「背面」或者「下」。此外，如后文所述，當將該行式頭四應(yīng)用在圖像形成裝置上時，行式頭四為，對沿 著與主掃描方向MD正交或者大致正交的副掃描方向SD移動的被曝光面ES (感光體鼓表 面)進行曝光的行式頭，而且，被曝光面ES的主掃描方向MD與行式頭四的長度方向LGD 平行或者大致平行，并且被曝光面ES的副掃描方向SD與行式頭四的寬度方向LTD平行或 者大致平行。因此，根據(jù)需要，和長度方向LGD、寬度方向LTD —起，對主掃描方向MD^iJH 描方向SD也進行圖示。在第1實施方式的行式頭四中，將多個發(fā)光元件E進行分組化從而構(gòu)成一個發(fā)光 元件組EG (發(fā)光元件E的配置形態(tài)在后文中使用圖5進行詳述)，而且，多個發(fā)光元件組EG 以交錯狀(3行交錯狀)的形式而分散地排列(圖1)。以此方式，多個發(fā)光元件組EG分別 以在長度方向L⑶上僅相互錯開距離Dg、且在寬度方向LTD上僅相互錯開距離Dt的方式而 配置。另外，從另一角度考慮，也可以認為，多個發(fā)光元件組EG沿長度方向直線排列而成的 發(fā)光元件組行GR為，被配置在寬度方向LTD上的不同位置處的3行發(fā)光元件組行GRa、GRb、 GRc。此外，各發(fā)光元件E為，具有彼此相同的發(fā)光光譜的有機 EL (Electro-Luminescence 電致發(fā)光)元件。此外，這些有機EL元件形成在，作為在長度 方向L⑶上較長、在寬度方向LTD上較短的玻璃平板的頭基板293的背面^3-t上，并且，通 過玻璃製的密封部件294而被密封。即，頭基板293和密封部件294構(gòu)成了底部發(fā)射型的 有機EL元件陣列。另外，該密封部件294通過粘合劑而被固定在頭基板四3的背面^3-t 上。對于多個發(fā)光元件組EG中的每一個組，均有一個成像光學(xué)系統(tǒng)與其對置。該成像 光學(xué)系統(tǒng)在發(fā)光元件組EG —側(cè)由兩枚凸透鏡LSI、LS2構(gòu)成。另外，雖然在圖1中，使用單 點劃線圓來圖示了透鏡LS1、LS2，但是該附圖表示的是，在從厚度方向TKD俯視觀察時的發(fā) 光元件組EG和透鏡LS1、LS2之間的位置關(guān)系，而并不表示透鏡LS1、LS2直接被形成在頭基 板293上。此外，圖2中，雖然在發(fā)光元件組EG和成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2之間圖示有部件 四7，但是關(guān)于此點，將在成像光學(xué)系統(tǒng)的說明后進行說明。在該行式頭四中，為了以與3行交錯狀排列的多個發(fā)光元件組EG各自對置的 方式而配置透鏡LSI、LS2，因此設(shè)置了以3行交錯的方式而排列多個透鏡LSI的透鏡陣列 LA1、和以3行交錯的方式排列多個透鏡LS2的透鏡陣列LA2。S卩，在透鏡陣列LAl (LA2)中， 多個透鏡LSI (LS2)分別被配置為，在長度方向LGD上僅相互錯開距離Dg，并且在寬度方向 LTD上僅相互錯開距離Dt。并且，透鏡陣列LAl(U^)能夠通過在透光性的玻璃平板上形成樹脂製的透鏡LSI (LS2)而構(gòu)成。此外，在該實施方式中，鑒于在長度方向LGD上以一體構(gòu)成的方式而制 作長尺寸的透鏡陣列LAl (LA2)比較困難，因此，通過以3行交錯的方式而將樹脂製的透鏡 LSI (LS2)排列在比較短尺寸的玻璃平板上，從而制作出一個短尺寸的透鏡陣列，并在長度 方向LGD上將多個該短尺寸的透鏡陣列進行排列，從而構(gòu)成了在長度方向LGD上尺寸較長 的透鏡陣列LAl (LA2)。更具體而言，在頭基板四3的正面^3-h的寬度方向LTD的兩端部上，配置有隔離 片ASl，并且在長度方向LGD上排列的多個短尺寸透鏡陣列分別被架設(shè)在這些隔離片ASl、 ASl上，從而構(gòu)成了一個透鏡陣列LA1。此外，在透鏡陣列LAl的正面的寬度方向LTD的兩 側(cè)上，配置有隔離片AS2，并且在長度方向LGD上排列的多個短尺寸透鏡陣列分別被架設(shè)在 這些隔離片AS2、AS2上，從而構(gòu)成了一個透鏡陣列LA2。而且，在透鏡陣列LA2的正面上，粘 結(jié)有平板狀的支承玻璃四9，并且構(gòu)成透鏡陣列LA2的各短尺寸透鏡陣列不僅被隔離片AS2 支承，而且從該隔離片AS2的相反一側(cè)還被支承玻璃299所支承。此外，該支承玻璃299還 兼有覆蓋該透鏡陣列LA2，以使透鏡陣列LA2不會暴露在外部的功能。以此方式，在厚度方向TKD上，以隔開規(guī)定間隔的方式而進行排列的透鏡陣列 LAULA2與頭基板293對置。由此，具有與厚度方向TKD平行或者大致平行的光軸OA的成 像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2與發(fā)光元件組EG對置，并且由發(fā)光元件組EG的各發(fā)光元件E發(fā)射出 的光，依次透過頭基板四3、成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2以及支承玻璃SS，從而被照射在被曝光 面ES上(圖2中的虛線)。由此，來自于發(fā)光元件組EG的各發(fā)光元件E的光，受到成像光 學(xué)系統(tǒng)LS1、LS2的成像作用，從而作為光點被照射在被曝光面ES上，并在被曝光面ES上形 成由多個光點組成的光點組SG。而且，成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2為，形成倒立像(放大倍率 β為負值)，并且放大倍率β (成像放大倍率)的絕對值小于1的翻轉(zhuǎn)縮小光學(xué)系統(tǒng)。特別 是，在本實施方式中，主掃描方向MD(長度方向LGD)上的放大倍率β的絕對值被設(shè)定為， 在0. 7倍以上并且在0. 8倍以下。另外，關(guān)于該理由在后文中進行詳述。從上述的說明中可以看出，第1實施方式的行式頭四對多個發(fā)光元件組EG分別 配置了專用的成像光學(xué)系統(tǒng)LS1、LS2。而且，在這樣的行式頭四中，優(yōu)選為，來自發(fā)光元件 組EG的光，僅入射到設(shè)置于該發(fā)光元件組EG上的成像光學(xué)系統(tǒng)中，而不入射到其以外的成 像光學(xué)系統(tǒng)中。因此，在第1實施方式中，在頭基板293的正面^3-h和透鏡陣列LAl之間， 設(shè)置了遮光部件四7。圖3為，遮光部件的A-A線的階梯剖視圖、圖4為，遮光部件的分解立體圖。在兩 張附圖中，光行進方向Doa被設(shè)定為，與光軸OA平行，并從發(fā)光元件組EG朝向被曝光面ES 的方向上(該光行進方向Doa與厚度方向TKD平行或者大致平行)。如兩張附圖所示，遮光 部件四7由第1遮光平板FP、第2遮光平板LSPa、第3遮光平板LSI^b以及光闌平板APjP 對這些平板FP、LSPa、LSHKAP之間的間隔進行規(guī)定的第1隔離片SSa以及第2隔離片SSb 構(gòu)成，具體而言，其具有，將這些平板以及隔離片在厚度方向TKD上進行層疊并通過粘合劑 而進行固定的結(jié)構(gòu)。平板FP、LSPa、LSmKAP均具有允許來自于發(fā)光元件組EG的光的一部分通過，并遮 斷其他光通過的功能，并且在發(fā)光元件組EG和與其對置的成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2之間，形 成有開口 Hf、Ha、Hb、Hp。這些開口 Hf、Ha、Hb、Hp分別被定位為，其幾何重心與成像光學(xué)系 統(tǒng)LS1、LS2的光軸一致或者大致一致。即，如圖3、圖4所示，與發(fā)光元件組EG的3行交錯配置相對應(yīng)，在厚度方向TKD上貫穿的圓形的開口 Hf、Ha、Hb、Hp，以3行交錯的方式而排列 在平板FP、LSPa、LSPb、AP上。而且，由發(fā)光元件組EG射出的光中，從開口 Hf、Ha、Hb、Hp中 通過的光入射進成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2，而其他的光幾乎都被平板FP、LSPa, LSPb, AP所遮 蔽。另外，平板FP、LSPa、LSmKAP的厚度滿足以下的大小關(guān)系，即FP N AP N LSPa < LSPb, 并且各開口的直徑滿足以下的大小關(guān)系，即Hf < Hp < Ha < Hb。隔離片SSa、SSb為，形成有在厚度方向TKD上貫通的大致長方形的長孔Hsa、Hsb 的框體。在從厚度方向TKD對遮光部件297進行俯視透視時，該長孔Hsa、Hsb被形成為，具 有足夠使各開口 Hf、Ha、Hb、Hp全部包含在其內(nèi)部的程度的尺寸。因此，由發(fā)光元件組EG射 出的光，穿過長孔Hsa、Hsb而朝向被曝光面ES (圖2)行進。接著，對遮光部件297的更為具體的配置形態(tài)進行詳述。第1遮光平板FP被設(shè)置 固定在頭基板四3的正面293-h(圖2)上，而且，在該第1遮光平板FP的光行進方向Doa 一側(cè)，配置有第2遮光平板LSI^a。在這些第1遮光平板FP和第2遮光平板LSI^a之間，插設(shè) 有兩枚隔離片SSa、SSb。在該第2遮光平板LSI^a的光行進方向Doa —側(cè)，通過兩種平板而 構(gòu)成了雜散光吸收層AL，并且第1隔離片SM被插設(shè)于該第2遮光平板LSI^a和雜散光吸收 層AL之間。雜散光吸收層AL為，在光行進方向Doa上將開口徑以及厚度不同的兩種遮光 平板LSPa、LSPb進行交替層疊而形成的吸收層，具體而言，是由四枚第2遮光平板LSI5a以 及三枚第3遮光平板LSin3構(gòu)成。在雜散光吸收層AL的光行進方向Doa —側(cè)，第2遮光平 板LSI^a和光闌平板AP依次被配置在光行進方向Doa上。此外，在雜散光吸收層AL和第2 遮光平板LSI^a之間插設(shè)有隔離片SSa，并且在該第2遮光平板LSI^a和光闌平板AP之間，插 設(shè)有兩枚隔離片SSa、SSb。以此方式，通過設(shè)置遮光部件四7，從而多個開口 Hf、Ha、Hb、Hp沿光的行進方向 Doa而排列在各發(fā)光元件組EG和與其對置的成像光學(xué)系統(tǒng)LS1、LS2之間。其結(jié)果為，由發(fā) 光元件組EG射出的光中，從與該發(fā)光元件組EG對置的開口 Hf、Ha、Hb、Hp中通過的光，將 到達成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2處，而其他的光則幾乎被遮光平板FP、LSPa、LSPb, AP所遮蔽， 從而不到達成像光學(xué)系統(tǒng)LSI、LS2處。以此方式，實現(xiàn)了疊影的影響較少的、良好的曝光。接著，對發(fā)光元件組EG中的發(fā)光元件E的配置形態(tài)進行說明。圖5為，表示發(fā)光元 件組處的發(fā)光元件配置形態(tài)的局部俯視圖。該圖左端的單點劃線圓為，將被該圖大致中間 的單點劃線圓所包圍的范圍抽出后的詳細表示。該示了頭基板293的背面^3-t的結(jié) 構(gòu)，并且該圖中所圖示的結(jié)構(gòu)均被形成在頭基板293的背面^3-t上。發(fā)光元件組EG為，將 直徑27.5μπι的圓形的多個(17個Χ4行)發(fā)光元件E作為一個組而構(gòu)成的發(fā)光元件組。 即，如該圖所示，十七個發(fā)光元件E以間距Pel ( = 60 μ m)而直線地排列在長度方向L⑶上， 從而構(gòu)成了一行的發(fā)光元件行ER，而且，一個發(fā)光元件組EG，由被配置在寬度方向LTD上的 不同位置處的四行發(fā)光元件行ERl ER4構(gòu)成。并且，將發(fā)光元件E的直徑設(shè)定為27. 5μπι的理由如下文所述。S卩，來自于發(fā)光元 件E的光以放大倍率β而成像，從而使光點形成在被曝光面ES上。此時，為了實現(xiàn)分辨率 1200 4800dpi (dot per inch 點每英寸)的高分辨率曝光，有必要將光點在主掃描方向 MD上的直徑設(shè)定在10 30 μ m以下。另一方面，如后文所述，在第1實施方式的成像光學(xué) 系統(tǒng)中，主掃描方向MD上的放大倍率β的絕對值被設(shè)定為0.7倍 0.8倍。因此，發(fā)光元 件E在主掃描方向MD上的直徑可被大概設(shè)定為，光點在主掃描方向MD上的直徑除以主掃描方向MD上的放大倍率β而得到的數(shù)值。因此，將發(fā)光元件E的直徑設(shè)為27.5 μ m。另 外，光點在主掃描方向MD上的直徑，可以作為在光點的束剖面圖中在峰值的半值以上的范 圍內(nèi)的主掃描方向MD上的直徑而求出。下面利用圖5，繼續(xù)對發(fā)光元件組EG中的發(fā)光元件E的更為詳細的配置形態(tài)進行 說明。發(fā)光元件行ERl和發(fā)光元件行ER2在長度方向LGD上相互錯位間距Pe2 ( = Pel/2)， 其結(jié)果為，屬于發(fā)光元件行ERl的發(fā)光元件E和屬于發(fā)光元件行ER2的發(fā)光元件E交替地， 以間距Pe2而在長度方向LTD上交錯排列。此外，同樣地，發(fā)光元件行ER3和發(fā)光元件行ER4 在長度方向LGD上相互錯位間距Pe2，其結(jié)果為，屬于發(fā)光元件行ER3的發(fā)光元件E和屬于 發(fā)光元件行ER4的發(fā)光元件E交替地，以間距Pe2而在長度方向LTD上交錯排列。此外，由 發(fā)光元件行ER1、ER2的發(fā)光元件E所組成的交錯配置ZA12和由發(fā)光元件行ER3、ER4的發(fā) 光元件E所組成的交錯配置ZA34，在長度方向LGD上相互錯位間距Pe3 ( = Pe2/2)。其結(jié) 果為，屬于發(fā)光元件行ER2、ER4、ER1、ER3的四個發(fā)光元件E按該順序周期性地，以間距Pe3 排列在長度方向Lffl)上。在此，例如，長度方向L⑶上的發(fā)光元件E的間距，可以作為以該間距排列的兩個 發(fā)光元件Ε、E的各自的幾何重心之間在長度方向LGD上的距離而求出。 此外，發(fā)光元件組EG中的四行發(fā)光元件行ERl ER4各自之間在寬度方向LTD上 的距離Drl2、Dr23、Dr34，其關(guān)系如下文所述。即，發(fā)光元件行ERl和發(fā)光元件行ER2之間 的距離Drl2、發(fā)光元件行ER2和發(fā)光元件行ER3之間的距離Dr23、和發(fā)光元件行ER3和發(fā) 光元件行ER4之間的距離Dr34滿足整數(shù)比。即，滿足下面的數(shù)學(xué)式，Drl2 Dr23 Dr34 =1 m n(l、m、n為正的自然數(shù))。特別是，在第1實施方式中，Drl2 Dr23 Dr34 = l:m:n = 2:3:2。在此，例如，距離Drl2可以作為，通過發(fā)光元件行ERl的發(fā)光元件E的幾何重心 并與長度方向LGD平行的虛擬直線、和通過發(fā)光元件行ER2的發(fā)光元件E的幾何重心并與 長度方向LGD平行的虛擬直線之間在寬度方向LTD上的距離而求出。對于距離Dr23、距離 Dr34也可以以同樣的方式而求出。此外，在發(fā)光元件組EG的寬度方向LTD的一側(cè)上，配置有驅(qū)動電路DC1、DC2，其 用于對屬于發(fā)光元件行ER1、ER2并構(gòu)成交錯配置ZA12的多個發(fā)光元件E進行驅(qū)動。具體 而言，對發(fā)光元件行ERl的發(fā)光元件E進行驅(qū)動的驅(qū)動電路DC1、和對發(fā)光元件行ER2的 發(fā)光元件E進行驅(qū)動的驅(qū)動電路DC2，交替地排列在長度方向L⑶上。這些驅(qū)動電路DC1、 DC2、…，以間距Pdc( > Pe2)而直線排列在長度方向LGD上。驅(qū)動電路DC1、DC2分別由 TFT(thin film transistor 薄膜晶體管)構(gòu)成，并且通過后述的驅(qū)動器1以95對所寫入的 信號值進行暫時地保持(具體而言，是將作為信號值的電壓值存儲在電容中)，從而將對應(yīng) 于該信號值的驅(qū)動電流供給至發(fā)光元件E。此外，在寬度方向LTD上，在構(gòu)成交錯配置ZA12的發(fā)光元件E和驅(qū)動電路DC1、 DC2、…之間，形成有多個觸點CT。該多個觸點CT相對于構(gòu)成交錯配置ZA12的多個發(fā)光元 件E，以一對一的對應(yīng)關(guān)系而鄰接設(shè)置，并且以與該多個發(fā)光元件E同樣的間距Pe2而直線 排列在長度方向L⑶上。而且，構(gòu)成交錯配置ZA12的各發(fā)光元件E和與該發(fā)光元件E鄰接 的觸點CT，通過配線WLa(圖5的虛線)而被連接在一起。另外，如圖5所示，連接發(fā)光元件 行ERl的發(fā)光元件E和觸點CT的配線WLa，具有大致固定的寬度。相對于此，用于連接發(fā)光元件行ER2的發(fā)光元件E和觸點CT的配線WLa的寬度不固定，并且發(fā)光元件E —側(cè)的前端 部分變細。這是為了使配線WLa從發(fā)光元件行ERl的發(fā)光元件E之間穿過，從而到達發(fā)光 元件行ER2的發(fā)光元件E處。而且，與發(fā)光元件行ERl的發(fā)光元件E連接的觸點CT、和驅(qū)動電路DCl通過配線 WLb而被連接在一起。此外，與發(fā)光元件行ER2的發(fā)光元件E連接的觸點CT、和驅(qū)動電路 DC2通過配線WLb而被連接在一起。而且，經(jīng)由這些配線路徑，驅(qū)動電路DC1、DC2將驅(qū)動電 流供給至各自對應(yīng)的發(fā)光元件E處。另外，如圖5所示，在構(gòu)成交錯配置ZA12的多個發(fā)光 元件E中，在長度方向LGD上的兩端部上形成的各兩個發(fā)光元件E，未與驅(qū)動電路DC1、DC2 相連接。即，這些發(fā)光元件E為，不被供給驅(qū)動電流的、實際上不會發(fā)射光的虛擬元件。此外，同樣地，在發(fā)光元件組EG的寬度方向LTD上的另一側(cè)，也以間距Pdc ( > Pe2)而在長度方向L⑶上排列有多個驅(qū)動電路。該驅(qū)動電路DC3、DC4為，為了對屬于發(fā)光 元件行ER3、ER4并且構(gòu)成交錯配置ZA34的多個發(fā)光元件E進行驅(qū)動而配置的電路，并且因 為驅(qū)動電路DC3、DC4和發(fā)光元件行ER3、ER4 (交錯配置ZA34)之間的關(guān)系，與上述的驅(qū)動電 路DC1、DC2和發(fā)光元件行ER1、ER2(交錯配置ZA12)之間的關(guān)系相同，所以省略其說明。以此方式，在發(fā)光元件組EG的發(fā)光元件E上，連接了驅(qū)動電路DCl DC4，并且接 受來自于驅(qū)動電路DCl DC4的驅(qū)動電流的供給，從而使各發(fā)光元件E射出光。通過該驅(qū) 動電路DCl DC4而實施的電流供給，由行式頭四所具有的電氣結(jié)構(gòu)而進行控制。圖6為，表示行式頭的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。如圖6所示，行式頭四的電氣結(jié)構(gòu)為，除 了上述的驅(qū)動電路DCl DC4以外，還具有數(shù)據(jù)傳送基板TB和多個驅(qū)動器1以95。數(shù)據(jù)傳 送基板TB將從外部接收到的視頻數(shù)據(jù)VD轉(zhuǎn)送至各驅(qū)動器IC295處。此外，各驅(qū)動器IC295 將視頻數(shù)據(jù)VD (具體而言，是被變換為電壓值的視頻數(shù)據(jù)VD)寫入到驅(qū)動電路DCl DC4 中，從而進行發(fā)光元件E的發(fā)光控制。此時，驅(qū)動器IC295也可以將根據(jù)發(fā)光元件E的劣化 或者溫度特性等而進行了補正后的視頻數(shù)據(jù)VD寫入到驅(qū)動電路DCl DC4中。此外，該寫 入動作也可以通過所謂的時分驅(qū)動而進行實施。并且，數(shù)據(jù)傳送基板TB也起到將從外部供 給的電源Vdd向頭基板四3(的驅(qū)動電路DCl DC4)進行供電的功能。以上是行式頭四的概要結(jié)構(gòu)。另外，如上所述，主掃描方向MD(長度方向LGD)上 的放大倍率β的絕對值被設(shè)定為0.7倍以上且0.8倍以下。在下文中，對以此方式設(shè)定放 大倍率的理由進行說明。另外，在以下的說明中，作為與主掃描方向MD對應(yīng)的方向，酌情地 使用主方向(或者主方向χ)的表達方式，并且作為與副掃描方向SD對應(yīng)的方向，使用副方 向(或者副方向y)的表達方式。圖7 圖15為，通過將使放大倍率β的絕對值I β I在0. 60倍 1. 00倍之間變 化時的點列圖進行模擬而求出的結(jié)果，更加詳細而言，圖7與I β I =0.60倍對應(yīng)、圖8與
β I = 0. 65倍對應(yīng)、圖9與I β I = 0. 70倍對應(yīng)、圖10與I β I = 0. 75倍對應(yīng)、圖11與 β I = 0. 80倍對應(yīng)、圖12與I β I = 0. 85倍對應(yīng)、圖13與I β | = 0. 90倍對應(yīng)、圖14與 β I = 0. 95倍對應(yīng)、圖15與I β I = 1. 00倍對應(yīng)。此外，圖16為，I β I = 0. 7倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的透鏡數(shù)據(jù)；圖17為，形成圖16的 S4面的面形狀的數(shù)據(jù)；圖18為，形成圖16的S7面的面形狀的數(shù)據(jù)；圖19為，|β | =0.7 倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的主方向剖面的光路圖；圖20為，I β I = 0. 7倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的副方 向剖面的光路圖。
此外，圖21為，I β I = 0. 8倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的透鏡數(shù)據(jù)；圖22為，形成圖21的 S4面的面形狀的數(shù)據(jù)；圖23為，形成圖21的S7面的面形狀的數(shù)據(jù)；圖M為，I β I =0.8 倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的主方向剖面的光路圖；圖25為，I β I =0.8倍的成像光學(xué)系統(tǒng)的副方 向剖面的光路圖。從圖16 圖25可以看出，面Sl為，作為頭基板四3的玻璃基板的背面(形成有 有機EL元件的面)；面S2為，作為頭基板四3的玻璃基板的正面；面S3為，相當于圖3的 AP的開口(孔徑)光闌；面S4為樹脂透鏡LSl的透鏡面；面S5為，樹脂透鏡LSl和形成有 該樹脂透鏡LSl的玻璃基板SBl的背面之間的邊界；面S6為玻璃基板SBl的正面；面S7為 樹脂透鏡LS2的透鏡面；面S8為，樹脂透鏡LS2和形成有該樹脂透鏡LS2的玻璃基板SB2 的背面之間的邊界；面S9為玻璃基板SB2的正面；面SlO為圖像面(被曝光面)。并且，作 為頭基板四3、玻璃基板SB1、SB2，使用了 SCHOTT BK7。此外，圖沈為，用于成像光學(xué)系統(tǒng)模擬的數(shù)據(jù)列表的圖；圖27為，圖沈的數(shù)據(jù) Wsm.ffss的說明圖。即，成像光學(xué)系統(tǒng)通過對來自于發(fā)光元件組EG的虛擬元件以外的各發(fā) 光元件E的光進行成像，從而形成了由多個光點SP組成的光點組SG(圖27)。而且，實施以 上的模擬時，滿足以下條件，即，圖像一側(cè)光點組主方向全寬度Wsm為0. 582mm、圖像一側(cè)光 點組副方向全寬度Wss為0. 063mm、圖像一側(cè)數(shù)值孔徑為0. 3038。如圖7 圖15所示，可以看出，隨著主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值| β 從0. 85倍增大，點列圖將變大，從而像差變大。相反地可以看出，主掃描方向MD上的放大 倍率的絕對值I β I在0.8倍以下時，點列圖將變小，從而像差被抑制于較小程度。因此，在 本實施方式中，主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值I β I被設(shè)定為0.8倍以下。但是，當 該值變得過于小時，光利用效率將降低，從而有可能無法確保足夠的用于光點形成的光量。 因此，主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值I β I的下限按以下方式求出。圖觀為，通過圖表而圖示了相對于主掃描方向上的放大倍率的絕對值(橫軸)的 光利用效率(縱軸)的圖。此外，在此通過圖四而圖示了由于光未被利用而導(dǎo)致的能量損 失。另外，圖四為，通過圖表而圖示了相對于主掃描方向上的放大倍率的絕對值(橫軸) 的能量損失(縱軸)的圖。如圖28所示，可以看出，當主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值| β |小于0. 70 倍時，光的利用效率小于5%。相反地，可以看出，當主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值
β I在0. 70倍以上時，實現(xiàn)了 5%以上的光利用效率，從而能夠確保足夠的用于光點形成 的光量。此外，作為補充，通過圖四可以判斷出以下事項。即，當主掃描方向MD上的放大 倍率的絕對值I β I小于0.7倍時，能量損失將大于95%，并且通過該損失部分的一部分能 量轉(zhuǎn)變成熱量，從而有可能會加速有機EL元件即發(fā)光元件E的熱劣化?？紤]到以上事實， 在本實施方式中，主掃描方向MD上的放大倍率的絕對值I β I被設(shè)定為0. 7倍以上。如上所述，在本實施方式中，由于成像光學(xué)系統(tǒng)的主掃描方向上的放大倍率在0. 8 倍以下，因此能夠?qū)⒊上窆鈱W(xué)系統(tǒng)的像差抑制于較小程度，并且由于成像光學(xué)系統(tǒng)的主掃 描方向MD上的放大倍率在0. 7倍以上，因此能夠抑制光利用效率的降低，從而能夠確保足 夠的用于光點形成的光量。其結(jié)果為，實現(xiàn)了高精度的曝光。此時，優(yōu)選為，副掃描方向上 的放大倍率的絕對值也在0. 7倍以上、0. 8倍以下。此外，成像光學(xué)系統(tǒng)由兩枚透鏡LSI、LS2構(gòu)成，其結(jié)果為，能夠容易地制作出主掃
11描方向MD上的放大倍率的絕對值在0. 7倍以上且0. 8倍以下的成像光學(xué)系統(tǒng)。而且，優(yōu)選為，由透鏡LS1、LS2所構(gòu)成的成像光學(xué)系統(tǒng)為變形光學(xué)系統(tǒng)。其原因在 于，變形光學(xué)系統(tǒng)有利于對成像光學(xué)系統(tǒng)的像差進行抑制。此外，在本實施方式中，由于透 鏡LS1、LS2為樹脂透鏡，因此能夠?qū)χ鲯呙璺较騇D和副掃描方向SD上的曲率不同的、復(fù)雜 形狀的非球面透鏡進行高精度復(fù)制。此外，如第1實施方式所示，本發(fā)明優(yōu)選適用于，通過玻璃製的頭基板四3、和玻璃 製的密封部件四4圍住發(fā)光元件E即有機EL元件的行式頭四。即，有機EL元件在具有隨 著發(fā)射光而發(fā)熱的性質(zhì)的同時，還具有由于熱量而劣化從而壽命縮短的性質(zhì)。因此，從有機 EL元件的長壽命化的觀點出發(fā)，優(yōu)選為，促進有機EL元件的放熱，但是在通過玻璃製的頭 基板四3以及密封部件294而圍住有機EL元件的結(jié)構(gòu)中，促進有機EL元件的放熱是比較 困難的。而且，為了對有機EL元件的發(fā)熱量進行抑制，有必要對由有機EL元件發(fā)射的光量 進行抑制。另一方面，由于對于有機EL元件這樣的擴散光源，本實施方式的成像光學(xué)系統(tǒng) 具有比較高的光利用效率，因此能夠在對有機EL元件的光量進行抑制的同時，確保足夠的 用于光點形成的光。由此，能夠在對有機EL元件的光量進行抑制從而抑制有機EL元件的 劣化的同時，進行高精度的曝光。特別是，如第1實施方式所示，在使用了底部發(fā)射型的有機EL元件陣列的結(jié)構(gòu)中， 增大有機EL元件的光量是比較困難的。因此，優(yōu)選為，對這樣的結(jié)構(gòu)應(yīng)用本發(fā)明，從而實現(xiàn) 光利用效率的提高。此外，如第1實施方式所示，在將對有機EL元件進行驅(qū)動的驅(qū)動電路DCl DC4形 成在頭基板293上的行式頭四中，來自于驅(qū)動電路DCl DC4的熱量有可能會傳導(dǎo)至有機 EL元件上。因此，為了抑制有機EL元件的熱劣化，優(yōu)選為，進一步對有機EL元件的光量進 行抑制。而且，通過對這樣的結(jié)構(gòu)應(yīng)用本發(fā)明以實現(xiàn)光利用效率的效用，從而能夠在對有機 EL元件的光量進行控制的同時，確保足夠的用于光點形成的光量，并實現(xiàn)高精度的曝光。第2實施方式圖30為表示能夠應(yīng)用上述的行式頭的圖像形成裝置的一例的圖。此外，圖31為表 示圖30的裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。在第2實施方式中，利用這些附圖，對具有上述的行式頭 29的圖像形成裝置的一例進行說明。該圖像形成裝置1具有，形成相互不同顏色的圖像的 四個圖像形成位置2Y(黃色用)、2M(品紅色用)、2C(藍綠色用)以及黑色用)。而且， 圖像形成裝置1能夠選擇性地執(zhí)行彩色模式和單色模式，其中，彩色模式為，將黃色(Y)、品 紅色(M)、藍綠色(C)以及黑色(K)這4種顏色的調(diào)色劑重合以形成彩色圖像的模式，單色 模式為，僅使用黑色(K)的調(diào)色劑來形成單色圖像的模式。在該圖像形成裝置中，當圖像形成指令從主機等外部裝置被發(fā)送給具有CPU和存 儲器等的主控制器MC時，該主控制器MC將控制信號發(fā)送給引擎控制器EC，并將與圖像形 成指令對應(yīng)的視頻數(shù)據(jù)VD發(fā)送給頭控制器HC。此時，每當從頭控制器HC接收到水平請求 信號HREQ時，主控制器MC在主掃描方向MD上向頭控制器HC提供一行的視頻數(shù)據(jù)VD。此 外，頭控制器HC根據(jù)來自主控制器MC的視頻數(shù)據(jù)VD和來自引擎控制器EC的垂直同步信 號Vsync以及參數(shù)值，來控制各色的圖像形成位置2Y、2M、2C、2K的各個行式頭四。據(jù)此，引 擎部ENG執(zhí)行規(guī)定的圖像形成動作，從而在復(fù)印紙、轉(zhuǎn)印紙、紙張以及OHP用透明薄膜等的 薄片狀記錄介質(zhì)RM上形成與圖像形成指令對應(yīng)的圖像。
各圖像形成位置2Y、2M、2C以及I，除了調(diào)色劑顏色不同外，均具有相同的構(gòu)造以 及功能。因此，在圖30中，為了方便觀察視圖，僅對構(gòu)成圖像形成位置2C的各部件標記符 號，而對其他的圖像形成位置2Y、2M以及I所應(yīng)該標記的符號進行省略記載。此外，雖然 在下面的說明中，是參照圖30中所標記的符號來對圖像形成位置2C的構(gòu)造以及動作進行 說明，但是其他的圖像形成位置2Y、2M以及I的構(gòu)造以及動作，除了調(diào)色劑顏色不同外其 余都相同。在圖像形成位置2C處，設(shè)置有感光體鼓21，該感光體鼓21的表面上形成有藍綠色 的調(diào)色劑像。感光體鼓21被配置成，其旋轉(zhuǎn)軸與主掃描方向MD(垂直于圖30的紙面的方 向)平行或大致平行，并沿圖30中的箭頭D21的方向而以預(yù)定速度被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。由此，感 光體鼓21的表面，沿與主掃描方向MD正交或者大致正交的副掃描方向SD進行移動。在感光體鼓21的周圍，沿著感光體鼓21的旋轉(zhuǎn)方向D21(在圖30中為順時針方 向)而按如下順序分別配置有使感光體鼓21表面以預(yù)定的電位帶電的、作為電暈帶電器 的帶電器22 ；通過根據(jù)圖像信號而對感光體鼓21表面進行曝光，從而形成靜電潛像的行式 頭四；將該靜電潛像顯影為調(diào)色劑像的顯影器M ；第1擠壓部25 ；第2擠壓部沈；對轉(zhuǎn)印 后的感光體鼓21的表面進行清潔的清潔單元。在本實施方式中，帶電器22由兩個電暈帶電器221、222構(gòu)成，并且在感光體鼓21 的旋轉(zhuǎn)方向D21上，電暈帶電器221相對于電暈帶電器222被配置在上游一側(cè)，且被構(gòu)成 為，通過兩個電暈帶電器221、222而分為兩階段帶電。各電暈帶電器221、222為相同的結(jié) 構(gòu)，并且是與感光體鼓21的表面不接觸的帶電器，即主高壓帶電器(scorotron charger) 0而且，對于通過電暈帶電器221、222而帶電的感光體鼓21的表面，行式頭四根據(jù) 視頻數(shù)據(jù)VD而形成靜電潛像。即，當頭控制器HC將視頻數(shù)據(jù)VD發(fā)送給行式頭四的數(shù)據(jù) 傳送基板TB (圖6)時，數(shù)據(jù)傳送基板TB將視頻數(shù)據(jù)VD轉(zhuǎn)送至各驅(qū)動器1以95，并且驅(qū)動 器IC根據(jù)該視頻數(shù)據(jù)VD而使各發(fā)光元件發(fā)射光線。由此，使感光體鼓21的表面被曝光， 從而形成與圖像信號相對應(yīng)的靜電潛像。另外，行式頭四的具體的結(jié)構(gòu)，與在上文中所述 的結(jié)構(gòu)相同。調(diào)色劑從顯影器M被附加到以此方式而形成的靜電潛像上，從而使靜電潛像通 過調(diào)色劑而被顯影。該圖像形成裝置1的顯影器M具有顯影輥對1。該顯影輥241為圓筒 狀的部件，并且在鐵等金屬製的內(nèi)芯的外圓周部上，設(shè)置有聚氨酯橡膠、硅橡膠、NBR(腈基 丁二烯橡膠)、PFA(四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚)軟管等的彈性層。該顯影輥241與 用于顯影的電動機相連接，并且向圖30紙面上的逆時針方向被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，從而相對于感光 體鼓21進行相同旋轉(zhuǎn)。此外，該顯影輥241被構(gòu)成為，和省略圖示的顯影偏壓發(fā)生部(定 電壓電源)電連接，并且在適當?shù)臅r刻被施加顯影偏壓。此外，為了向該顯影輥241供給液體顯影劑而設(shè)置有傳墨輥，并且經(jīng)由傳墨輥而 從顯影劑貯存部向顯影輥241供給液體顯影劑。即，傳墨輥具有向顯影輥241供給液體顯 影劑的功能。該傳墨輥為，一種為使其容易承載液體顯影劑而在表面上形成有凹部圖案的 輥，其中，該凹部圖案是由細微并且被雕刻成同一樣式的螺旋溝槽等形成的。和顯影輥Ml 一樣，使用了在金屬的金屬芯上卷繞有聚氨酯橡膠、NBR(腈基丁二烯橡膠)等的橡膠層的 輥、或者覆蓋有PFA(四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚)軟管的輥等。此外，傳墨輥被連接 在用于顯影的電動機上從而進行旋轉(zhuǎn)。
存儲在顯影劑貯存部中的液體顯影劑使用了，將使顏料等著色劑分散于高濃度并 且高粘度的在常溫下具有非揮發(fā)性的樹脂中的、平均粒子直徑為1 μ m的固態(tài)物，與分散劑 一起加入到有機溶劑、硅油、礦物油或者食用油等的液體溶劑中，而獲得的調(diào)色劑固體含量 濃度約為20%的、高粘度(30 IOOOOmPa 左右)的液體顯影劑，而不是一直以來被普遍 使用的、以Isopar(商標工々、乂 >)作為液體載體的、低濃度(1 2wt% )并且低粘度的 在常溫下具有揮發(fā)性的揮發(fā)性液體顯影劑。如上所述，被供給液體顯影劑的顯影輥241和傳墨輥同時進行旋轉(zhuǎn)，并且以沿著 和感光體鼓21的表面相同方向進行移動的方式而進行旋轉(zhuǎn)，從而將承載于顯影輥241的表 面上的液體顯影劑輸送至顯影位置處。另外，為了形成調(diào)色劑像，因此顯影輥241的旋轉(zhuǎn)方 向可以構(gòu)成為，需要進行相同旋轉(zhuǎn)使其表面向和感光體鼓21的表面相同的方向移動，但是 對于傳墨輥，可以向相反方向或者相同方向中的任意方向進行移動。此外，在顯影器M中，調(diào)色劑壓實電暈發(fā)生器M2以與顯影輥241對置的方式而 被配置在，該顯影輥Ml的旋轉(zhuǎn)方向上的顯影位置上游一側(cè)近前。該調(diào)色劑壓實電暈發(fā)生 器242為，使顯影輥Ml的表面的帶電偏壓增加的電場施加單元，并且被電連接于由定電流 電源構(gòu)成的調(diào)色劑充電發(fā)生部(省略圖示)上。而且，當對調(diào)色劑壓實電暈發(fā)生器242施 加調(diào)色劑充電偏壓時，在和該調(diào)色劑壓實電暈發(fā)生器242接近的位置處，對通過顯影輥Ml 輸送的液體顯影劑的調(diào)色劑施加電場，并施以帶電、壓實。另外，在該調(diào)色劑帶電、壓實中， 也可以使用接觸而帶電的壓實輥，來取代通過施加電場而實現(xiàn)的電暈放電。此外，以此方式構(gòu)成的顯影器24，能夠在對感光體鼓21上的潛像進行顯影的顯影 位置、和遠離感光體鼓21的退避位置之間進行往返移動。因此，當顯影器M移動至退避位 置處并被定位時，此期間內(nèi)，在藍綠色用的圖像形成位置2C處，向感光體鼓21的下一步的 液體顯影劑供給將被停止。在感光體鼓21的旋轉(zhuǎn)方向D21上的顯影位置的下游一側(cè)，配置有第1擠壓部25， 并且在第1擠壓部25的下游一側(cè)，配置有第2擠壓部26。在這些擠壓部25 J6上，分別設(shè) 有擠壓輥251J61。而且，擠壓輥251在第1擠壓位置處和感光體鼓21的表面抵接，并且 受到來自于主電動機的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而進行旋轉(zhuǎn)，從而去除調(diào)色劑像的剩余顯影劑。此外，在 感光體鼓21的旋轉(zhuǎn)方向D21上的第1擠壓位置下游一側(cè)的第2擠壓位置處，擠壓輥261和 感光體鼓21的表面抵接，并且受到來自于主電動機的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而進行旋轉(zhuǎn)，從而去除調(diào) 色劑像的剩余液體載體以及不清晰的調(diào)色劑。此外，在本實施方式中，為了提高擠壓效率， 采用了如下結(jié)構(gòu)，即，在擠壓輥251、261上電連接有省略圖示的擠壓偏壓發(fā)生部(定電壓電 源)，并且在適當?shù)臅r刻對擠壓輥251、261施加擠壓偏壓。另外，雖然在本實施方式中，設(shè) 有兩個擠壓部25、26，但是擠壓部的個數(shù)以及配置等不限定于此，例如也可以配置一個擠壓 部。從這些擠壓位置通過后的調(diào)色劑像，被一次轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印部3的中間轉(zhuǎn)印體31上。 該中間轉(zhuǎn)印體31為，作為能夠?qū)⒄{(diào)色劑像暫時地承載于其表面、更具體是其外圓周面上的 像載體的無接頭帶，其被卷繞在多個輥32、33、34、35以及36上。其中，輥32被連接在主電 動機上，并作為使中間轉(zhuǎn)印體31沿著圖30的箭頭方向D31進行循環(huán)驅(qū)動的帶驅(qū)動輥而發(fā) 揮功能。另外，在本實施方式中，為了提高和記錄紙RM之間的緊貼性以提高對記錄紙RM的 調(diào)色劑像的轉(zhuǎn)印性，在中間轉(zhuǎn)印體31的表面上設(shè)置彈性層，并且在該彈性層的表面上承載調(diào)色劑像。在此，對中間轉(zhuǎn)印體31進行卷繞的輥32至36中，被主電動機驅(qū)動的只有上述的 帶驅(qū)動輥32，其他的輥33至36為不具有驅(qū)動源的從動輥。此外，帶驅(qū)動輥32在帶移動方 向D31上的一次轉(zhuǎn)印位置TRl的下游一側(cè)、且在后述的二次轉(zhuǎn)印位置TR2的上游一側(cè)，對中 間轉(zhuǎn)印體31進行卷繞。轉(zhuǎn)印部3具有一次轉(zhuǎn)印支持輥37，并且一次轉(zhuǎn)印支持輥37以隔著中間轉(zhuǎn)印體31 而與感光體鼓21對置的方式配置。在感光體鼓21和中間轉(zhuǎn)印體31抵接的一次轉(zhuǎn)印位置 TRl處，感光體鼓21的外圓周面和中間轉(zhuǎn)印體31抵接從而形成了一次轉(zhuǎn)印夾持部NPlc。而 且，感光體鼓21上的調(diào)色劑像被轉(zhuǎn)印在中間轉(zhuǎn)印體31的外圓周面(一次轉(zhuǎn)印位置TRl處的 下表面)上。以此方式，通過圖像形成位置2C形成的藍綠色的調(diào)色劑像，被轉(zhuǎn)印在中間轉(zhuǎn) 印體31上。同樣地，通過在其他的圖像形成位置2Y、2M以及I處也執(zhí)行調(diào)色劑像的轉(zhuǎn)印， 從而使各色的調(diào)色劑像被依次重合在中間轉(zhuǎn)印體31上，由此形成了全色的調(diào)色劑像。另一 方面，在形成單色調(diào)色劑像時，僅在與黑色對應(yīng)的圖像形成位置觀處，執(zhí)行向中間轉(zhuǎn)印體 31的調(diào)色劑像的轉(zhuǎn)印。以此方式轉(zhuǎn)印在中間轉(zhuǎn)印體31上的調(diào)色劑像，經(jīng)過帶驅(qū)動輥32的卷繞位置而被 輸送至二次轉(zhuǎn)印位置TR2處。在該二次轉(zhuǎn)印位置TR2處，相對于卷繞中間轉(zhuǎn)印體31的輥 34，以隔著中間轉(zhuǎn)印體31的方式而對置配置有二次轉(zhuǎn)印部4的二次轉(zhuǎn)印輥42，中間轉(zhuǎn)印體 31的表面和轉(zhuǎn)印輥42的表面相互抵接從而形成了二次轉(zhuǎn)印夾持部NP2。S卩，輥34作為二 次轉(zhuǎn)印支持輥而發(fā)揮功能。支持輥34的旋轉(zhuǎn)軸通過例如彈簧這種彈性部件的按壓部345， 而以彈性的、且可自由接近、遠離中間轉(zhuǎn)印體31的方式而被支承。在二次轉(zhuǎn)印位置TR2處，被形成在中間轉(zhuǎn)印體31上的單色或者多個顏色的調(diào)色劑 像，被轉(zhuǎn)印在從一對入口輥51沿著輸送路徑PT而被輸送的記錄介質(zhì)RM上。此外，被二次 轉(zhuǎn)印了調(diào)色劑像的記錄介質(zhì)冊，從二次轉(zhuǎn)印輥42輸送至設(shè)置于輸送路徑PT上的定影單元 7。在定影單元7中，對轉(zhuǎn)印在記錄介質(zhì)RM上的調(diào)色劑像施加熱或壓力等，從而對記錄介質(zhì) RM的調(diào)色劑像進行定影。以此方式，能夠在記錄介質(zhì)RM上形成所需的圖像。其他如上所述，在上述的實施方式中，行式頭四相當于本發(fā)明的“曝光頭”，感光體鼓 21相當于本發(fā)明的“潛像載體”。此外，發(fā)光元件E相當于本發(fā)明的“發(fā)光元件”，并且透鏡 LSULS2構(gòu)成了本發(fā)明的“成像光學(xué)系統(tǒng)”。此外，透鏡LSl相當于本發(fā)明的“第1透鏡”，透 鏡LS2相當于本發(fā)明的“第2透鏡”。此外，頭基板293相當于本發(fā)明的“頭基板”，密封部 件294相當于本發(fā)明的“密封部件”，驅(qū)動電路DCl DC4相當于本發(fā)明的“驅(qū)動電路”。此 外，主掃描方向MD相當于本發(fā)明的“第1方向”。另外，本發(fā)明不限定于上述實施方式，只要不背離其技術(shù)思想，可以對上述技術(shù)加 以各種變更。即，例如在上述實施方式中，作為發(fā)光元件E采用了底部發(fā)射型的有機EL元 件。但是，也可以采用頂部發(fā)射型的有機EL元件來作為發(fā)光元件E，或者還可以采用有機 EL元件以外的LED (Light Emitting Diode 發(fā)光二極管)等來作為發(fā)光元件Ε。此外，透鏡陣列的枚數(shù)、各個透鏡陣列LAI、LA2的結(jié)構(gòu)(透鏡的配置形態(tài)、透鏡的 形成位置等)也可以進行適當變更。而且，例如，雖然在上述實施方式中，透鏡LSI、LS2均 由非球面透鏡構(gòu)成，但是也可以僅將透鏡LSI、LS2中的一個由非球面透鏡構(gòu)成，或者還可以均由球面透鏡構(gòu)成。 此外，構(gòu)成發(fā)光元件組EG的發(fā)光元件E的個數(shù)以及各發(fā)光元件E的配置形態(tài)也可 以進行適當變更。
權(quán)利要求
1.一種曝光頭，其特征在于，具有發(fā)光元件陣列，其具有被配置在第1方向上的發(fā)光元件； 遮光部件，其具有使所述發(fā)光元件發(fā)射的光通過的孔徑光闌； 成像光學(xué)系統(tǒng)，其對通過所述遮光部件的光進行成像；其中，所述成像光學(xué)系統(tǒng)在所述第1方向上的放大倍率的絕對值在0. 7倍以上且在0. 8 倍以下。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光頭，其中，所述成像光學(xué)系統(tǒng)具有第1透鏡以及第2透鏡，由所述發(fā)光元件發(fā)射的光，透過所述第1透鏡之后接著透過所述第2透鏡，從而被成像。
3.如權(quán)利要求1至2中任意一項所述的曝光頭，其中， 所述成像光學(xué)系統(tǒng)為變形光學(xué)系統(tǒng)。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的曝光頭，其中， 所述第1透鏡以及所述第2透鏡為樹脂透鏡。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的曝光頭，其中， 所述發(fā)光元件為有機EL元件，所述發(fā)光元件陣列具有配置有所述有機EL元件的玻璃制的頭基板、和用于對所述有 機EL元件進行密封的密封部件。
6.如權(quán)利要求5所述的曝光頭，其中，所述發(fā)光元件陣列為底部發(fā)射型的有機EL元件陣列。
7.如權(quán)利要求5或者6所述的曝光頭，其中，具有對所述有機EL元件進行驅(qū)動的驅(qū)動電路，并且所述驅(qū)動電路被配置在所述頭基 板上。
8.一種圖像形成裝置，其特征在于，具有 潛像載體，潛像形成在該潛像載體上；曝光頭，具有發(fā)光元件陣列，其具有被配置在第1方向上的發(fā)光元件；遮光部件，其具 有使所述發(fā)光元件發(fā)射的光通過的孔徑光闌；成像光學(xué)系統(tǒng)，其使通過所述遮光部件的光 透過，以對所述潛像載體進行曝光，所述成像光學(xué)系統(tǒng)在所述第1方向上的放大倍率的絕 對值在0. 7倍以上且在0. 8倍以下；顯影部，其對通過所述曝光頭而形成在所述潛像載體上的所述潛像進行顯影。
全文摘要
本發(fā)明提供一種曝光頭和圖像形成裝置，其能夠在將成像光學(xué)系統(tǒng)的像差抑制于較小程度的同時，確保足夠的用于形成光點的光量，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的曝光。該曝光頭的特征在于，具有發(fā)光元件陣列，其具有配置在第1方向上的發(fā)光元件；遮光部件，其具有使發(fā)光元件發(fā)射的光通過的孔徑光闌；成像光學(xué)系統(tǒng)，其對通過遮光部件的光進行成像，其中，成像光學(xué)系統(tǒng)在第1方向上的放大倍率的絕對值，在0.7倍以上且在0.8倍以下。
文檔編號G03G15/04GK102081326SQ201010563159
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者井上望, 井熊健, 宗和健, 小泉竜太 申請人:精工愛普生株式會社