專利名稱：曝光裝置、曝光方法及組件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖案形成裝置、標記檢測裝置、曝光裝置、圖案形成方法、曝光方法及 組件制造方法，更詳細地說，涉及在制造半導體元件及液晶顯示元件等的電子組件時可以 良好地被使用的圖案形成裝置及曝光裝置、在該圖案形成裝置或曝光裝置中可以良好地使 用的標記檢測裝置、在制造該電子組件時可以良好地使用的圖案形成方法及曝光方法、以 及使用該圖案形成方法或曝光方法的組件制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在制造半導體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等的電子組件(微型組 件)的光刻法過程中，主要是使用步進重復方式的投影曝光裝置(所謂的步進器)、步進掃 描方式的投影曝光裝置(所謂的掃描步進器(也稱掃描儀))等。然而，在制造半導體元件等的光刻法過程中，雖會于晶片上重迭形成多層的電路 圖案，但當在各層間的重迭精度較差時，半導體元件等便無法發(fā)揮規(guī)定的電路特性，有時甚 至會成為不良品。因此，通常是預先對晶片上多個照射區(qū)域分別附設標記(對準標記)，以 檢測該標記在曝光裝置的載臺坐標系統(tǒng)上的位置(坐標值)。其后，根據(jù)該標記位置信息與 新形成的圖案(例如標線片圖案)的已知位置信息，進行將晶片上的一個照射區(qū)域?qū)R于 該圖案的晶片對準。作為晶片對準的方式主要使用全晶片對準。全晶片對準是通過兼顧處理能力而僅 檢測晶片上的數(shù)個照射區(qū)域(也稱為取樣照射區(qū)域或?qū)收丈鋮^(qū)域)的對準標記來求出照 射區(qū)域排列的規(guī)則性，由此來對準各照射區(qū)域。特別在最近，已統(tǒng)計方法精密地算出晶片上 的照射區(qū)域排列的增強型全晶片對準(EGA)已成為主流(例如參照專利文獻1)。然而，由于隨著集成電路的精密化而對重迭精度的要求也逐漸嚴格，即使是EGA 也須提高其算出精度，因此必須增加取樣照射區(qū)域的數(shù)目、也即增加待檢測標記的數(shù)目。另外，晶片表面，例如會因光阻膜厚的不均一性、或晶片的起伏等而不一定為平 坦。因此，特別是掃描儀等的掃描型曝光裝置，在將標線片圖案以掃描曝光方式轉(zhuǎn)印至晶片 上的照射區(qū)域時，使用多聚焦位置檢測系統(tǒng)等，來檢測設定于經(jīng)由投影光學系統(tǒng)而投影標 線片圖案的像的曝光區(qū)域內(nèi)的多個檢測點中晶片表面在投影光學系統(tǒng)的光軸方向的位置 信息(聚焦信息)，并根據(jù)其檢測結(jié)果控制用以保持晶片的平臺或載臺在該光軸方向的位 置及傾斜，以使晶片表面在曝光區(qū)域內(nèi)與投影光學系統(tǒng)一致(或成為投影光學系統(tǒng)的焦深 范圍內(nèi))，即進行所謂聚焦調(diào)平控制(例如參照專利文獻2)。然而，由于增加上述EGA的取樣照射區(qū)域數(shù)目會導致曝光裝置的處理能力降低， 因此實際上，難以采用僅單純增加取樣照射區(qū)域數(shù)目的方法。
另外，以往的曝光裝置，由于晶片對準(標記的檢測)動作與聚焦信息的檢測動作 因各自的目的不同，并不考慮兩動作的關(guān)系，而以彼此無關(guān)連的方式進行。然而在將來，半導體元件會更加高集成化，形成于晶片上的電路圖案也會隨之更 加精密化，用以大量生產(chǎn)半導體元件的曝光裝置，為了形成該精密化的圖案一定會被要求 裝置性能的進一步提高，以及處理能力的更進一步提高?！矊＠墨I1〕日本特開昭61-44429號公報〔專利文獻2〕日本特開平6-283403號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有鑒于上述情形而完成的，其第1觀點為一種第1圖案形成裝置，在物體 上形成圖案，其具備移動體，保持在彼此不同的多個位置上并分別形成有標記的物體，在 包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；多個標記檢測系統(tǒng)，在平行于上述第2 軸的方向分離配置檢測區(qū)域，分別檢測上述物體上的不同標記；以及面位置檢測裝置，對上 述物體照射檢測光束并接收該檢測光束的反射光，檢測在平行于上述第2軸的方向上位置 不同的多個檢測點的上述物體的面位置信息。據(jù)此，通過由面位置檢測裝置檢測物體在平行于第2軸的方向上位置不同的多個 檢測點的面位置信息，另外，通過其檢測區(qū)域在平行于第2軸的方向分離配置的多個標記 檢測系統(tǒng)，分別檢測物體上的不同標記。由此，能在短時間內(nèi)進行標記檢測動作與面位置信 息(聚焦信息)的檢測動作。本發(fā)明的第2觀點為一種第2圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備移動體， 保持上述物體并在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動，且在其一面上設有 一對具有把平行于上述第1軸的方向作為周期方向的格子的第1光柵；多個標記檢測系統(tǒng)， 在平行于上述第2軸的方向，檢測區(qū)域的位置不同；以及第1軸編碼器，具有多個第1讀取 頭，上述第1讀取頭包含一對在平行于上述第2軸的方向上上述多個檢測區(qū)域的兩外側(cè)各 配置有一個的第1讀取頭；通過與上述一對第1光柵的至少一方對向的第1讀取頭，來測量 上述移動體在平行于上述第1軸的方向的位置信息。據(jù)此，通過與一對第1光柵的至少一方對向的第1軸編碼器的第1讀取頭，來測量 移動體在平行于第1軸的方向的位置信息。另外，此時，由于一對第1讀取頭分別配置在多 個標記檢測系統(tǒng)的兩外側(cè)，因此在上述移動體移動于平行于第1軸的方向時，能用多個標 記檢測系統(tǒng)同時測量物體上的標記。本發(fā)明的第3觀點為一種第3圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備移動體， 保持上述物體并在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動，并且在其一面設有 第1光柵與第2光柵，上述第1光柵具有把平行于上述第1軸的方向作為周期方向的格子， 上述第2光柵具有把平行于上述第2軸的方向作為周期方向的格子；至少一個標記檢測系 統(tǒng)，檢測上述物體上的標記；測量裝置，具有第1軸編碼器與第2軸編碼器，上述第1軸編碼 器具有其位置在平行于上述第2軸的方向不同的多個第1讀取頭，通過與上述第1光柵對 向的第1讀取頭來測量上述移動體在平行于上述第1軸的方向的位置信息，上述第2軸編 碼器具有其位置在平行于上述第1軸的方向不同的多個第2讀取頭，通過與上述第2光柵 對向的第2讀取頭來測量上述移動體在平行于上述第2軸的方向的位置信息；以及控制裝置，根據(jù)上述測量裝置的測量值來控制上述移動體的位置，且使用上述標記檢測系統(tǒng)檢測 上述物體上的標記。據(jù)此，控制裝置，根據(jù)測量裝置的測量值來控制移動體的位置，且使用標記檢測系 統(tǒng)檢測裝載于該移動體上的物體上的標記。即，能根據(jù)對向于第1光柵的第1軸編碼器的 第1讀取頭、以及根據(jù)對向于第2光柵的第2軸編碼器的第2讀取頭的測量值，高精度地控 制移動體的位置，且使用標記檢測系統(tǒng)檢測物體上的標記。本發(fā)明的第4觀點為一種第4圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備移動體， 保持在彼此不同的多個位置分別形成有標記的物體，在包含第1軸及與其交叉的第2軸的 規(guī)定平面內(nèi)移動；以及多個標記檢測系統(tǒng)，其檢測區(qū)域配置在平行于上述第2軸的方向的 不同位置，同時檢測上述物體上的彼此不同位置的標記，根據(jù)上述移動體在上述平面內(nèi)的 位置，由上述多個標記檢測系統(tǒng)所同時檢測的上述物體上的標記數(shù)目不同。據(jù)此，由于根據(jù)裝載有物體的移動體在規(guī)定平面內(nèi)的位置，多個標記檢測系統(tǒng)所 同時檢測的物體上的標記數(shù)目不同，因此在使移動體移動于與第2軸交叉的方向、例如平 行于第1軸的方向(或與第2軸正交的方向)時，可依據(jù)移動體在第2軸的交叉方向的位 置、也就是依據(jù)物體上的區(qū)劃區(qū)域的配置，使用所需數(shù)目的標記檢測系統(tǒng)來同時檢測物體 上彼此不同位置的標記。 本發(fā)明的第5觀點為一種第5圖案形成裝置，使用光學系統(tǒng)在物體上形成圖案，其 具備移動體，保持物體，在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；標記檢測 系統(tǒng)，檢測形成在上述物體上的多個標記；調(diào)整裝置，調(diào)整上述光學系統(tǒng)的光學特性；以及 控制裝置控制調(diào)整裝置，以便用上述標記檢測系統(tǒng)應檢測的標記仍殘存于上述物體上的階 段時，根據(jù)至此為止用上述標記檢測系統(tǒng)檢測出的上述物體上多個標記的檢測結(jié)果，來調(diào) 整上述光學特性。據(jù)此，通過控制裝置控制調(diào)整裝置，以在用標記檢測系統(tǒng)應檢測的標記仍殘存于 物體上的階段時，根據(jù)至此為止用標記檢測系統(tǒng)檢測出的物體上多個標記的檢測結(jié)果，來 調(diào)整光學系統(tǒng)的光學特性。因此，在此光學系統(tǒng)的光學特性的調(diào)整后，例如要進行光學系統(tǒng) 的標記(或圖案)的像的檢測等時，即使標記的像已隨著上述調(diào)整而移位，但由于也會測量 該移位后的標記的像，因此其結(jié)果，標記的像隨著調(diào)整光學系統(tǒng)的光學特性所導致的移位， 并不會成為測量誤差的要因。另外，由于在檢測完所有待檢測標記之前，即根據(jù)至此為止所 檢測出的標記的檢測結(jié)果來開始上述調(diào)整，因此能使上述調(diào)整所需的時間，重迭于剩余的 標記的檢測時間，由此，與檢測完所有標記后才開始上述調(diào)整的公知技術(shù)相比，能更提升處 理能力。本發(fā)明的第6觀點為一種第6圖案形成裝置，使用光學系統(tǒng)將圖案投影于物體上， 其具備移動體，保持上述物體并在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；標 記檢測系統(tǒng)，檢測裝載于上述移動體上的上述物體上的標記；以及控制裝置，在開始上述光 學系統(tǒng)進行的對上述圖案像的投影位置與上述標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測 量動作后、直到結(jié)束上述動作為止的期間，進行上述物體上的標記檢測動作。據(jù)此，通過控制裝置，在開始光學系統(tǒng)對圖案像的投影位置與標記檢測系統(tǒng)的檢 測中心的位置關(guān)系的測量動作后、直到結(jié)束該動作為止的期間，進行裝載于移動體上的物 體上的標記檢測動作。由此，能在上述位置關(guān)系的測量動作結(jié)束的時點，結(jié)束標記檢測系統(tǒng)對物體上所形成的應檢測的多個標記的檢測動作的至少一部分。由此，與在上述位置關(guān)系 的測量動作前或其后進行標記檢測系統(tǒng)對上述多個標記的檢測動作的情形相比，能更提升 處理。本發(fā)明的第7觀點為一種第7圖案形成裝置，使用光學系統(tǒng)將圖案投影于物體上， 其具備移動體，保持上述物體并在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；標 記檢測系統(tǒng)，檢測裝載于上述移動體上的上述物體上的標記；以及控制裝置，在形成于上述 物體上的應檢測的多個標記的檢測動作開始后、直到結(jié)束上述動作為止的期間，進行由上 述光學系統(tǒng)進行的對上述圖案像的投影位置與上述標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系 的測量動作。據(jù)此，通過控制裝置，在開始多個標記檢測系統(tǒng)對形成于移動體上所裝載的該物 體上的要檢測的多個標記的檢測動作后、直到結(jié)束該動作為止的期間，進行光學系統(tǒng)對圖 案像的投影位置與標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作。因此，能在進行標記 檢測系統(tǒng)對物體上所形成的應檢測的多個標記的檢測動作的期間，結(jié)束上述位置關(guān)系的測 量動作。由此，與在以標記檢測系統(tǒng)對物體上所形成的待檢測的多個標記的檢測動作前或 其后進行上述位置關(guān)系的測量動作的情形相比，能更提升處理能力。本發(fā)明的第8觀點為一種第8圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備第1移 動體，保持上述物體并在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；第2移動體， 在上述平面內(nèi)與上述第1移動體分別獨立地移動；標記檢測系統(tǒng)，檢測裝載在上述第1移動 體上的上述物體上所形成的應檢測的多個標記；以及控制裝置，系控制上述兩移動體，以便 在使上述第1移動體與上述第2移動體接近至規(guī)定距離以下的接近狀態(tài)和使上述兩移動體 分離的分離狀態(tài)之間進行狀態(tài)切換，上述控制裝置在形成于上述物體上的應檢測的多個標 記檢測動作開始后直到上述檢測動作結(jié)束為止，進行上述狀態(tài)的切換動作。此處，使第1移動體與第2移動體接近至規(guī)定距離以下的接近狀態(tài)，包含使該兩移 動體接近至距離零的狀態(tài)、即也包含使該兩移動體接觸的狀態(tài)的概念。據(jù)此，通過控制裝置，在形成于第1移動體上所裝載的物體上的應檢測的多個標 記檢測動作開始后直到該檢測動作結(jié)束為止，進行使第1移動體與第2移動體接近至規(guī)定 距離以下的接近狀態(tài)、以及使該兩移動體分離的分離狀態(tài)之間。因此，能在進行物體上應檢 測的多個標記的檢測動作的期間結(jié)束上述狀態(tài)的切換動作。由此，與在物體上所形成的應 檢測的多個標記的檢測動作前或其后進行上述狀態(tài)的切換動作的情形相比，能更提升處理 能力。本發(fā)明的第9觀點為一種第9圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備移動體， 保持在彼此不同的多個位置上分別形成有標記的物體，在包含第1軸及與其交叉的第2軸 的規(guī)定平面內(nèi)移動；多個標記檢測系統(tǒng)，分別檢測上述物體上的彼此不同位置的標記；聚 焦位置變更裝置，在上述多個標記檢測系統(tǒng)之間，同時改變上述多個標記檢測系統(tǒng)與裝載 于上述移動體的上述物體之間、垂直于上述平面的上述多個標記檢測系統(tǒng)在光軸方向的相 對位置關(guān)系；以及控制裝置，一邊用上述聚焦位置變更裝置改變上述聚焦方向的相對位置 關(guān)系，一邊使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同時檢測形成于上述物體上彼此不同 的位置的各標記。據(jù)此，通過控制裝置，一邊以聚焦位置變更裝置改變聚焦方向的相對位置關(guān)系，一邊使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同時檢測形成于物體上彼此不同位置的各標 記，該聚焦方向，為多個標記檢測系統(tǒng)與裝載于移動體的物體之間、垂直于規(guī)定平面的方 向。由此能在各標記檢測系統(tǒng)通過優(yōu)先使用例如以最良好的聚焦狀態(tài)的標記檢測結(jié)果，即 可幾乎不受物體表面的凹凸及各標記檢測系統(tǒng)的最佳聚焦差異的影響，以良好精度檢測出 形成于物體上的彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第10觀點為一種第1曝光裝置，以能量束使物體曝光，其具備移動體， 保持上述物體，可在規(guī)定平面內(nèi)于第1及第2方向上移動；標記檢測系統(tǒng)，具有在上述第2 方向位置不同的多個檢測區(qū)域；以及檢測裝置，在上述第1方向與上述多個檢測區(qū)域不同 的位置具有檢測區(qū)域，檢測在上述第2方向位置不同的多個檢測點中的、上述物體與上述 第1及第2方向正交的第3方向的位置信息。據(jù)此，可在使移動體平行移動于第1方向時，進行多個標記檢測系統(tǒng)對移動體或 物體上的多個標記的檢測、以及檢測裝置的多個檢測點中的物體面位置信息的檢測。本發(fā)明的第11觀點為一種第2曝光裝置，以能量束使物體曝光，其具備 移動體， 可保持上述物體并在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動，且在與上述平面大致平行的一面 設有一對分別在上述第1方向上周期性地排列格子的第1格子部；標記檢測系統(tǒng)，具有在上 述第2方向上位置不同的多個檢測區(qū)域；以及測量裝置，包含第1編碼器，上述第1編碼器 具有包含在上述第2方向上夾著上述多個檢測區(qū)域所配置的一對第1讀取頭的多個第1讀 取頭，通過與上述一對第1格子部的至少一方對向的第1讀取頭來測量上述移動體在上述 第1方向的位置信息。據(jù)此，通過與一對第1格子部的至少一方對向的第1編碼器的第1讀取頭來測量 移動體在第1方向的位置信息。另外，此時由于一對第1讀取頭夾著多個檢測區(qū)域所配置， 因此在上述移動體向第1方向移動時，能用多個標記檢測系統(tǒng)同時測量物體上的標記。本發(fā)明的第12觀點為一種第3曝光裝置，以能量束使物體曝光，其具備移動體， 能保持上述物體而在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向上移動；以及標記檢測系統(tǒng)，具有在上述 第2方向位置不同的檢測區(qū)域，可同時檢測上述物體上的多個標記；上述移動體在上述第1 方向上移動，用上述標記檢測系統(tǒng)檢測在上述物體上、在上述第1方向的位置不同的標記， 并且根據(jù)上述物體的上述第1方向的位置，用上述多個標記檢測系統(tǒng)所檢測的標記數(shù)目不 同。據(jù)此，可在使移動體移動于第1方向時，依據(jù)移動體在第1方向的位置、即依據(jù)物 體上的區(qū)劃區(qū)域的配置，使用所需數(shù)目的標記檢測系統(tǒng)來同時檢測物體上彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第13觀點為一種第4曝光裝置，以能量束使物體曝光，其具備移動體， 保持上述物體，并可在規(guī)定平面內(nèi)、在第1及第2方向移動，且于與上述平面大致平行的一 面設有周期性地排列格子的格子部；標記檢測系統(tǒng)，檢測上述物體上的標記；以及測量裝 置，具有編碼器，上述編碼器具有在與上述格子排列方向交叉的方向位置不同的多個讀取 頭，在進行上述標記的檢測動作時，通過與上述格子部對向的讀取頭來測量上述移動體在 上述排列方向的位置信息。據(jù)此，在進行物體上的標記檢測動作時，通過測量裝置的編碼器來測量移動體在 格子部的格子排列方向的位置信息。即，根據(jù)與格子部對向的編碼器的讀取頭的測量值，高精度地控制移動體的位置，且使用標記檢測系統(tǒng)來檢測物體上的標記。本發(fā)明的第14觀點為一種第5曝光裝置，經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，其具備移動體，保持上述物體可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動；標記檢測系統(tǒng)，檢測 上述物體上的標記；調(diào)整裝置，調(diào)整上述光學系統(tǒng)的光學特性；以及控制裝置，在由上述標 記檢測系統(tǒng)進行的上述物體上的多個標記的檢測動作途中，根據(jù)由上述標記檢測系統(tǒng)所檢 測的上述多個標記的一部分的檢測結(jié)果，控制上述調(diào)整裝置。據(jù)此，通過控制裝置控制調(diào)整裝置，在由標記檢測系統(tǒng)進行的物體上的多個標記 的檢測動作途中，根據(jù)標記檢測系統(tǒng)所檢測的物體上的多個標記一部分的檢測結(jié)果，調(diào)整 光學系統(tǒng)的光學特性。本發(fā)明的第15觀點為一種第6曝光裝置，以能量束所照明的圖案經(jīng)由光學系統(tǒng)使 物體曝光，其具備移動體，保持上述物體可在規(guī)定的平面內(nèi)在第1及第2方向移動；標記 檢測系統(tǒng)，檢測上述物體上的標記；以及控制裝置，將上述圖案的投影位置與上述標記檢測 系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作、以及由上述標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢測動作 的一方，與另一方動作的至少一部分同時進行。由此，與在上述位置關(guān)系的測量動作前或其后進行標記檢測系統(tǒng)對標記的檢測動 作的情形相比較，能更提升處理能力。本發(fā)明的第16觀點為一種第7曝光裝置，以能量束使物體曝光，其具備移動體， 保持上述物體可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動；標記檢測系統(tǒng)，檢測上述物體上的標 記；以及控制裝置，可將上述移動體與不同于上述移動體的另一移動體設定成在規(guī)定距離 以下接近的第1狀態(tài)、以及使上述兩移動體分離的第2狀態(tài)，可在由上述標記檢測系統(tǒng)進行 的標記的檢測動作中切換上述第1及第2狀態(tài)。據(jù)此，通過控制裝置，在標記檢測系統(tǒng)對物體上的標記的檢測動作中，進行使移動 體與另一移動體接近至規(guī)定距離以下的第1狀態(tài)、以及使該兩移動體分離的第2狀態(tài)的切 換動作。因此，能在進行物體上待檢測的多個標記的檢測動作的期間結(jié)束上述狀態(tài)的切換 動作。由此，與在物體上的標記檢測動作前或其后進行上述狀態(tài)的切換動作的情形相比較， 能更提升處理能力。本發(fā)明的第17觀點為一種第8曝光裝置，以能量束使可在規(guī)定平面內(nèi)移動于第1 及第2方向的移動體所保持的物體曝光，其具備標記檢測系統(tǒng)，具有在上述第2方向位置 不同的多個檢測區(qū)域；以及基準構(gòu)件，形成有可由上述標記檢測系統(tǒng)同時檢測的多個基準 標記，且可夾著上述能量束的照射位置，在上述第1方向上從上述多個檢測區(qū)域的相反側(cè) 移動至上述多個檢測區(qū)域的位置。據(jù)此，可使基準構(gòu)件夾著該能量束的照射位置，在第1方向從標記檢測系統(tǒng)的多 個檢測區(qū)域的相反側(cè)的第1位置移動至多個檢測區(qū)域的位置(第2位置)，以使用標記檢測 系統(tǒng)檢測該基準構(gòu)件上的多個基準標記。其后使移動體與基準構(gòu)件成一體地往第1位置移 動?？稍谠撘苿勇窂降耐局校褂脴擞洐z測系統(tǒng)檢測物體上的多個標記。本發(fā)明的第18觀點為一種第1組件制造方法，其包含使用權(quán)利要求44至87中 地任一項所述的曝光裝置來使物體曝光的步驟；以及使上述曝光后的物體顯影的步驟。本發(fā)明的第19觀點為一種第1標記檢測裝置，檢測物體上的標記，其具備標記檢 測系統(tǒng)，檢測可在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動、在其一面設有第1光柵與第2光柵上的移動體上所裝載的物體上的標記，上述第1光柵具有把平行于上述第1 軸的方向作為周期方向的格子，上述第2光柵具有把平行于上述第2軸的方向作為周期方 向的格子；測量裝置，具有第1軸編碼器與第2軸編碼器，上述第1軸編碼器具有在平行于 上述第2軸的方向位置不同的多個第1讀取頭，通過與上述第1光柵對向的第1讀取頭來 測量上述移動體在平行于上述第1軸的方向的位置信息，上述第2軸編碼器具有在平行于 上述第1軸的方向位置不同的多個第2讀取頭，通過與上述第2光柵對向的第2讀取頭來 測量上述移動體在平行于上述第2軸的方向的位置信息；以及控制裝置，根據(jù)由上述測量 裝置測量的測量值來控制上述移動體的位置，且使用上述標記檢測系統(tǒng)檢測上述物體上的 標記。
據(jù)此，通過控制裝置，根據(jù)測量裝置的測量值來控制移動體的位置，且使用標記檢 測系統(tǒng)檢測裝載于該移動體上的物體上的標記。即，能根據(jù)對向于第1光柵的第1軸編碼 器的第1讀取頭、以及根據(jù)對向于第2光柵的第2軸編碼器的第2讀取頭的測量值，高精度 地控制移動體的位置，且使用標記檢測系統(tǒng)檢測物體上的標記。本發(fā)明的第20觀點為一種第2標記檢測裝置，檢測物體上的標記，其具備移動 體，保持在彼此不同的多個位置分別形成有標記的物體，在包含第1軸及與其交叉的的第 2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動；以及多個標記檢測系統(tǒng)，具有在平行于上述第2軸的方向位置不 同的檢測區(qū)域，可同時檢測上述物體上彼此不同位置的標記，根據(jù)裝載上述物體的上述移 動體在上述平面內(nèi)的位置，上述多個標記檢測系統(tǒng)所同時檢測的上述物體上的標記數(shù)目不 同。據(jù)此，由于根據(jù)裝載有物體的移動體在規(guī)定平面內(nèi)的位置，多個標記檢測系統(tǒng)所 同時檢測的物體上的標記數(shù)目也會不同，因此在使移動體移動于與第2軸交叉的方向、例 如平行于第1軸的方向(或與第2軸正交的方向)時，可依據(jù)移動體在第2軸的交叉方向 的位置，使用所需數(shù)目的標記檢測系統(tǒng)來同時檢測物體上彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第21觀點為一種第3標記檢測裝置，檢測物體上的標記，其具備移動 體，保持在彼此不同的多個位置分別形成有標記的物體，在包含第1軸及與其交叉的第2軸 的規(guī)定平面內(nèi)移動；多個標記檢測系統(tǒng)，分別檢測上述物體上的彼此不同位置的標記；聚 焦位置變更裝置，在上述多個標記檢測系統(tǒng)之間，同時改變上述多個標記檢測系統(tǒng)與裝載 在上述移動體的上述物體之間、垂直于上述平面的上述多個標記檢測系統(tǒng)在光軸方向的相 對位置關(guān)系；以及控制裝置，一邊以上述聚焦位置變更裝置改變上述聚焦方向的相對位置 關(guān)系，一邊使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同時檢測形成在上述物體上彼此不同 位置的各標記。據(jù)此，通過控制裝置，一邊用聚焦位置變更裝置改變聚焦方向的相對位置關(guān)系，一 邊使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同時檢測形成于物體上彼此不同位置的各標 記，該聚焦方向為多個標記檢測系統(tǒng)與裝載于移動體的物體之間、垂直于規(guī)定平面的方向。 由此能于各標記檢測系統(tǒng)通過優(yōu)先使用例如以最良好的聚焦狀態(tài)的標記檢測結(jié)果，即可幾 乎不受物體表面的凹凸及各標記檢測系統(tǒng)的最佳聚焦差異的影響，以良好精度檢測出形成 于物體上的彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第22觀點為一種第1圖案形成方法，在物體上形成圖案，其包含檢測步 驟，使用標記檢測系統(tǒng)檢測在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動、在其一面設有第1光柵與第2光柵上的移動體上所裝載的物體上的標記，上述第1光柵，具有把平行 于上述第1軸的方向作為周期方向的格子，上述第2光柵，具有把平行于上述第2軸的方向 作為周期方向的格子，在上述檢測動步驟，在進行上述標記的檢測時，根據(jù)上述測量裝置的 測量值來控制上述移動體的位置，上述測量裝置，具有第1軸編碼器與第2軸編碼器，上述 第1軸編碼器具有在平行于上述第2軸的方向位置不同的多個第1讀取頭，通過與上述第 1光柵對向的第1讀取頭來測量上述移動體在平行于上述第1軸的方向的位置信息，上述 第2軸編碼器具有在平行于上述第1軸的方向位置不同的多個第2讀取頭，通過與上述第 2光柵對向的第2讀取頭來測量上述移動體在平行于上述第2軸的方向的位置信息。 據(jù)此，能根據(jù)對向于第1光柵的第1軸編碼器的第1讀取頭、以及根據(jù)對向于第2 光柵的第2軸編碼器的第2讀取頭的測量值，高精度地控制移動體的位置，且使用標記檢測 系統(tǒng)檢測物體上的標記。本發(fā)明的第23觀點為一種第2圖案形成方法，在物體上形成圖案，其包含將在彼 此不同的多個位置分別形成有標記的上述物體，裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸 的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動體上的步驟；以及使用在平行于上述第2軸的方向檢測區(qū)域不同 的位置所配置的多個標記檢測系統(tǒng)，來同時檢測上述物體上彼此不同位置的標記的步驟， 根據(jù)上述移動體在上述平面內(nèi)的位置，由上述多個標記檢測系統(tǒng)所同時檢測的上述物體上 的標記數(shù)目不同。據(jù)此，由于根據(jù)裝載有物體的移動體在規(guī)定平面內(nèi)的位置，多個標記檢測系統(tǒng)所 同時檢測的物體上的標記數(shù)目也會不同，因此在使移動體移動于與第2軸交叉的方向、例 如平行于第1軸的方向(或與第2軸正交的方向)時，可依據(jù)移動體在第2軸的交叉方向 的位置，使用所需數(shù)目的標記檢測系統(tǒng)來同時檢測物體上彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第24觀點為一種第3圖案形成方法，使用光學系統(tǒng)將圖案形成于物體 上，其具備將上述物體裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動 體上的步驟；使用標記檢測系統(tǒng)檢測形成于上述物體上的多個標記的步驟；以及在上述物 體上殘存有用上述標記檢測系統(tǒng)應檢測的標記的階段時，根據(jù)至此為止用上述標記檢測系 統(tǒng)檢測出的上述物體上的多個標記的檢測結(jié)果，來調(diào)整上述光學系統(tǒng)的光學特性的步驟。據(jù)此，在用標記檢測系統(tǒng)應檢測的標記仍殘存于物體上的階段時，根據(jù)至此為止 以標記檢測系統(tǒng)檢測出的物體上多個標記的檢測結(jié)果，來調(diào)整光學系統(tǒng)的光學特性。因此， 在此光學系統(tǒng)的光學特性的調(diào)整后，例如要進行光學系統(tǒng)的標記(或圖案)的像的檢測等 時，即使標記的像已隨著上述調(diào)整而移位，但由于也會測量該移位后的標記的像，因此其結(jié) 果，標記的像隨著調(diào)整光學系統(tǒng)的光學特性所導致的移位，并不會成為測量誤差的要因。另 夕卜，由于在檢測完所有應檢測的標記之前，即根據(jù)至此為止所檢測出的標記的檢測結(jié)果來 開始上述調(diào)整，因此能使上述調(diào)整所需的時間，重迭于剩余的標記的檢測時間，由此，與檢 測完所有標記后才開始上述調(diào)整的公知技術(shù)相比較，能更提升處理能力。本發(fā)明的第25觀點為一種第4圖案形成方法，使用光學系統(tǒng)將圖案投影于物體 上，其具備將上述物體裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動 體上的步驟；以及在開始由上述光學系統(tǒng)產(chǎn)生的上述圖案像的投影位置與上述標記檢測系 統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作后、直到結(jié)束上述動作為止的期間，進行上述物體上 的標記檢測動作的步驟。
據(jù)此，在開始光學系統(tǒng)對圖案的投影位置與標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系 的測量動作后、直到結(jié)束該動作為止的期間，進行標記檢測系統(tǒng)對裝載于移動體上的物體 上的標記檢測動作。由此，能在上述位置關(guān)系的測量動作結(jié)束的時點，結(jié)束標記檢測系統(tǒng)對 物體上所形成的應檢測的多個標記的檢測動作的至少一部分。由此，與在上述位置關(guān)系的 測量動作前或其后進行標記檢測系統(tǒng)對上述多個標記的檢測動作的情形相比較，能更提升 處理能力。
本發(fā)明的第26觀點為一種第5圖案形成方法，使用光學系統(tǒng)將圖案投影于物體 上，其具備將上述物體裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動 體上的步驟；以及在開始使用標記檢測系統(tǒng)檢測形成于上述移動體上所裝載的上述物體上 的應檢測的多個標記的動作后、直到結(jié)束上述動作為止的期間，進行由上述光學系統(tǒng)產(chǎn)生 的上述圖案像的投影位置與上述標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作的步驟。據(jù)此，在開始由標記檢測系統(tǒng)進行的形成于裝載在移動體上的物體上的應檢測的 多個標記的檢測動作后、直到結(jié)束該動作為止的期間，進行由光學系統(tǒng)進行的圖案投影位 置和標記檢測系統(tǒng)的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作。由此，能在由標記檢測系統(tǒng)進行的 形成于物體上的應檢測的多個標記的檢測動作進行之間，結(jié)束上述位置關(guān)系的測量動作。 由此，在由標記檢測系統(tǒng)進行的形成于裝載在物體上的應檢測的多個標記的檢測動作的前 后進行上述位置關(guān)系的測量動作的情形相比較，能更提升處理能力。本發(fā)明的第27觀點為一種第6圖案形成方法，系于物體上形成圖案，其具備將 上述物體裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動體上的步驟； 以及在上述第1移動體與在上述平面內(nèi)獨立于上述第1移動體進行移動的第2移動體在規(guī) 定距離以下接近的接近狀態(tài)時，開始由標記檢測系統(tǒng)進行的形成于上述第1移動體上所裝 載的上述物體上的應檢測的多個標記的檢測動作，并在上述多個標記的所有檢測動作結(jié)束 前，控制上述兩移動體以便將上述兩移動體從上述接近狀態(tài)切換成彼此分離的分離狀態(tài)的 步驟。此處，使第1移動體與第2移動體接近至規(guī)定距離以下的接近狀態(tài)，包含使該兩移 動體接近至距離零的狀態(tài)、即也包含使該兩移動體接觸的狀態(tài)的概念。據(jù)此，在第1移動體與第2移動體處于接近至規(guī)定距離以下的接近狀態(tài)時，開始標 記檢測系統(tǒng)對形成于第1移動體上所裝載的物體上的應檢測的多個標記的檢測動作，并在 多個標記的所有檢測動作結(jié)束前，控制該兩移動體以使兩移動體從該接近狀態(tài)切換成彼此 分離的分離狀態(tài)。因此，能在進行形成于物體上的應檢測的多個標記的檢測動作的期間結(jié) 束上述狀態(tài)的切換動作。由此，與在物體上所形成的待檢測的多個標記的檢測動作前或其 后進行上述狀態(tài)的切換動作的情形相比較，能更提升處理能力。本發(fā)明的第28觀點為一種第7圖案形成方法，在物體上形成圖案，其具備將在彼 此不同的多個位置分別形成有標記的上述物體，裝載于在包含第1軸及與其交叉的第2軸 的規(guī)定平面內(nèi)移動的移動體上的步驟；以及在上述多個標記檢測系統(tǒng)之間，同時改變上述 多個標記檢測系統(tǒng)與裝載于上述移動體的上述物體之間、垂直于上述平面的上述多個標記 檢測系統(tǒng)在光軸方向的相對位置關(guān)系，且獨立使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同 時測量形成于上述物體上彼此不同位置的各標記的步驟。據(jù)此，在該多個標記檢測系統(tǒng)之間，同時改變多個標記檢測系統(tǒng)與裝載于該移動體的該物體之間、垂直于規(guī)定平面的多個標記檢測系統(tǒng)在光軸方向的相對位置關(guān)系，且個 別使用與各標記對應的多個標記檢測系統(tǒng)，同時測量形成于物體上彼此不同位置的各標 記。由此能在各標記檢測系統(tǒng)通過優(yōu)先使用例如以最良好的聚焦狀態(tài)的標記檢測結(jié)果，即 可幾乎不受物體表面的凹凸及各標記檢測系統(tǒng)的最佳聚焦差異的影響，以良好精度檢測出 形成于物體上的彼此不同位置的標記。另外，通過在光刻法過程中，使用本發(fā)明第1至第7圖案形成方法的任一個將圖案 形成于物體上，且對形成有該圖案的物體施以處理，即能以良好精度將圖案形成于物體上， 由此，能以高良率制造更高集成度的微型組件。本發(fā)明從第29觀點來看，使用權(quán)利要求92至100中的任一項所述的圖案形成方 法將圖案形成于物體上的步驟；以及對形成有上述圖案的物體實施處理的步驟。 本發(fā)明的第30觀點為一種第1曝光方法，能量束使物體曝光，其包含第1步驟， 將上述物體裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)移動于第1及第2方向的移動體上；第2步驟，使用具有 在上述第2方向位置不同的多個檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)，來檢測上述物體上的標記；以 及第3步驟，使用在上述第1方向與上述多個檢測區(qū)域的不同的位置上具有檢測區(qū)域、且具 有在上述第2方向位置不同的多個檢測點的檢測裝置，檢測上述物體在與上述第1及第2 方向正交的第3方向的位置信息。據(jù)此，可在使移動體平行移動于第1方向時，進行多個標記檢測系統(tǒng)對移動體或 物體上的多個標記的檢測、以及檢測裝置的多個檢測點中的物體面位置信息的檢測。本發(fā)明的第31觀點為一種第2曝光方法，能量束使物體曝光，其包含第1步驟， 將上述物體裝載于在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向可移動的移動體上；以及第2步驟，在使 用具有在上述第2方向位置不同的多個檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)來測量上述物體上的標 記時，使用包含第1編碼器的測量裝置，上述第1編碼器具有包含在上述第2方向夾著上述 多個檢測區(qū)域所配置的一對第1讀取頭的多個第1讀取頭，通過與上述一對第1格子部的 至少一方對向的上述第1讀取頭來測量上述移動體在上述第1方向的位置信息，上述一對 第1格子部設置在與上述移動體的上述平面大致平行的一面并在上述第1方向分別周期性 地排列格子。據(jù)此，例如在使移動體向第1方向移動時，能以多個標記檢測系統(tǒng)同時測量物體 上的標記。另外，通過與一對第1格子部的至少一方對向的第1編碼器的第1讀取頭來測 量移動體在第1方向的位置信息。本發(fā)明的第32觀點為一種第3曝光方法，能量束使物體曝光，其包含第1步驟， 將上述物體裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動的移動體上；以及第2步驟，在使 上述移動體在上述第1方向移動，檢測在上述物體上在上述第1方向的位置不同的標記時， 使用具有在上述第2方向位置不同的檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)，根據(jù)上述物體在上述第1 方向的位置，檢測不同數(shù)目的標記。據(jù)此，可在使移動體移動于第1方向時，依據(jù)移動體在第1方向的位置，使用所需 數(shù)目的標記檢測系統(tǒng)來同時檢測物體上彼此不同位置的標記。本發(fā)明的第33觀點為一種第4曝光方法，能量束使物體曝光，其包含將上述物體 裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動、且在與上述平面大致平行的一面設置有周 期性地排列格子的格子部的移動體上的步驟；以及在由檢測上述物體上的標記的標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作時，使用包含編碼器的測量裝置，所述編碼器具有在與上 述格子排列方向交叉的方向位置不同的多個讀取頭，通過與上述格子部對向的讀取頭來測 量上述移動體在上述排列方向的位置信息的步驟。據(jù)此，在進行物體上的標記檢測動作時，通過測量裝置的編碼器來測量移動體在 格子部的格子排列方向的位置信息。本發(fā)明的第34觀點為一種第5曝光方法，經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，其 包含將上述物體裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動的移動體上的步驟；以及 控制調(diào)整裝置的步驟，上述調(diào)整裝置在進行上述物體上多個標記的檢測動作的途中，根據(jù) 至此為止檢測出的上述多個標記的一部分的檢測結(jié)果，調(diào)整上述光學系統(tǒng)的光學特性。據(jù)此，控制調(diào)整裝置，在物體上的多個標記的檢測動作途中，根據(jù)至此為止所檢測 的物體上的多個標記一部分的檢測結(jié)果，調(diào)整光學系統(tǒng)的光學特性。本發(fā)明的第35觀點為一種第6曝光方法，能量束所照明的圖案經(jīng)由光學系統(tǒng)使物 體曝光，其包含第1步驟，將上述物體裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動的移 動體上；以及第2步驟，將上述圖案的投影位置與檢測上述物體上的標記的標記檢測系統(tǒng) 的檢測中心的位置關(guān)系的測量動作、以及由上述標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢測動作的一 方，與另一方的動作的至少一部分同時進行。由此，與在上述位置關(guān)系的測量動作前或其后進行標記檢測系統(tǒng)對標記的檢測動 作的情形相比較，能更提升處理能力。本發(fā)明的第36觀點為一種第7曝光方法，能量束使物體曝光，其包含將上述物體 裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動的移動體上的步驟；以及可設定使上述移動 體與不同于上述移動體的另一移動體在規(guī)定距離以下接近的第1狀態(tài)、以及使上述兩移動 體分離的第2狀態(tài)；在由檢測上述物體上的標記的標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢測動作中 切換上述第1及第2狀態(tài)的步驟。據(jù)此，在標記檢測系統(tǒng)對物體上的標記的檢測動作中，進行使移動體與另一移動 體接近至規(guī)定距離以下的第1狀態(tài)、以及使該兩移動體分離的第2狀態(tài)的切換動作。由此， 與在物體上的標記檢測動作前或其后進行上述狀態(tài)的切換動作的情形相比較，能更提升處 理能力。本發(fā)明的第37觀點為一種組件制造方法，其包含使用權(quán)利要求102至133中的 任一項所述的曝光方法來使物體曝光的步驟；以及使上述曝光后的物體顯影的步驟。


圖1是顯示一實施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。圖2是顯示圖1的載臺裝置的俯視圖。圖3是顯示圖1的曝光裝置所具備的各種測量裝置(編碼器、對準系統(tǒng)、多點AF 系統(tǒng)、Z傳感器等)配置的俯視圖。圖4(A)是顯示晶片載臺的俯視圖，圖4(B)是顯示晶片載臺的一部分截面的概略 側(cè)視圖。圖5(A)是顯示測量載臺的俯視圖，圖5(B)是顯示測量載臺的一部分截面的概略側(cè)視6是顯示X軸固定件80、81在圖2中的+X側(cè)端部附近的立體圖。圖7(A) 圖7(D)是用于說明制動器機構(gòu)的作用的圖。圖8是顯示一實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖9 (A)及圖9 (B)是用于說明分別包含配置成陣列狀的多個讀取頭的多個編碼器 對晶片臺在XY平面內(nèi)的位置測量及讀取頭間的測量值的接續(xù)。圖10㈧是顯示編碼器構(gòu)成例的圖，圖10(B)是顯示使用沿光柵RG的周期方向延 伸較長的截面形狀的激光束LB來作為檢測光的情形。圖11是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行的標尺的光柵間距修正及光柵變 形的修正的圖。圖12(A) 圖12(C)是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行晶片對準的圖。圖13㈧ 圖13(C)是用于說明一邊使晶片臺WTB(晶片W)的Z位置變化、一邊 用多個對準系統(tǒng)同時檢測晶片上的標記的圖。圖14(A)及圖14(B)是用于說明第一對準系統(tǒng)的基線測量動作的圖。圖15(A)及圖15(B)是用于說明在批量前頭進行的第二對準系統(tǒng)的基線測量動作 的圖。圖16是用于說明針對更換晶片進行的第二對準系統(tǒng)的基線檢查動作的圖。圖17(A)及圖17(B)是用于說明第二對準系統(tǒng)的位置調(diào)整動作的圖。圖18(A) 圖18(C)是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行聚焦匹配的圖。圖19(A)及圖19(B)是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行聚焦校正的圖。圖20(A)及圖20(B)是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行AF傳感器間偏置 修正的圖。圖21 (A)及圖21 (B)是用于說明以一實施形態(tài)的曝光裝置進行導線Z移動修正的 圖。圖22是表示對晶片載臺上的晶片進行步進掃描方式的曝光時的狀態(tài)下晶片載臺 及測量載臺的狀態(tài)的圖。圖23是表示在晶片載臺WST側(cè)對晶片W的曝光已結(jié)束的階段時的晶片載臺及測 量載臺的狀態(tài)的圖。圖24是表示在從晶片載臺與測量載臺彼此分離的狀態(tài)移至兩載臺彼此剛接觸的 狀態(tài)后的兩載臺的狀態(tài)的圖。圖25是表示一邊保持晶片臺與測量臺在Y軸方向的位置關(guān)系、一邊使測量載臺 往-Y方向移動且使晶片載臺往卸載位置移動時兩載臺的狀態(tài)的圖。圖26是表示測量載臺在到達將進行Sec-BCHK(時距)的位置時晶片載臺與測量 載臺的狀態(tài)的圖。圖27是與進行Sec-BCHK(時距)的同時將晶片載臺從卸載位置移動至裝載位置 時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖28是表示測量載臺向最佳急停待機位置移動、晶片裝載于晶片臺上時晶片載 臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖29是表示測量載臺在最佳急停待機位置待機中、晶片載臺向進行Pri-BCHK前半的處理的位置移動時兩載臺的狀態(tài)的圖。圖30是使用對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，來同時檢測附設于三個第一對準照射區(qū)域的對準標記時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖31是表示進行聚焦校正前半的處理時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖32是使用對準系統(tǒng)AL1、AL2, AL24，來同時檢測附設于五個第二對準照射區(qū) 域的對準標記時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖33是在進行Pri-BCHK后半的處理及聚焦校正后半的處理的至少一個時晶片載 臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖34是使用對準系統(tǒng)AL1、AL2, AL24，來同時檢測附設于五個第三對準照射區(qū) 域的對準標記時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖35是使用對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，來同時檢測附設于五個第二對準照射區(qū)域 的對準標記時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖36是顯示對焦匹配結(jié)束時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。圖37是用于說明組件制造方法的實施形態(tài)的流程圖。圖38是用于顯示圖37的步驟204的具體實施例的流程圖。附圖標號說明5 液體供應裝置；6 液體回收裝置；8 局部液浸裝置；10 照明系統(tǒng)；11 標線片 載臺驅(qū)動系統(tǒng)；12 底座；14 液浸區(qū)域；15 移動鏡；16U8Y 軸干涉儀；17a、17b、19a、19b 反射面；20 主控制裝置；28 板體；28a 第1疏液區(qū)域；28b 第2疏液區(qū)域；281^ 第1部 分區(qū)域；28b2 第2部分區(qū)域；30 測量板；31A 液體供應管；31B 液體回收管；32 嘴單元； 34A、34B 驅(qū)動機構(gòu)；36 框體；37,38 光柵線；39X”39X2 =X 標尺；39Y”39Y2 =Y 標尺；40 鏡 筒；41Α.41Β 板狀構(gòu)件；42 安裝構(gòu)件；43A、43C 間隔偵測傳感器；43B.43D 撞擊偵測傳 感器；44 受光系統(tǒng)；45 空間像測量裝置；46 =CD桿；47A.47B 減震器；47A.48B 制動器 機構(gòu)；49A、49B 開閉器；50 載臺裝置；51A、51B 開口 ；52 基準光柵；54 支撐構(gòu)件；56i 564 臂^S1 584 真空墊^O1 604 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)；62A 62D 讀取頭單元；64 =Y讀 取頭；64a 照射系統(tǒng)；64b 光學系統(tǒng)；64c 受光系統(tǒng)；64yi、64y2 =Y讀取頭；66 =X讀取頭； 68 調(diào)整裝置；70A、70C =Y線性編碼器；70B、70D =X線性編碼器；70E、70F =Y軸線性編碼器； 72a 72d :Z傳感器；74" 742,6 :Z傳感器；Teiil-Te2i6 :Z傳感器；78 局部空調(diào)系統(tǒng)；80、 81 :X軸固定件；82、84、83、85 :Y軸可動件；86、87 :Υ軸固定件；90a 照射系統(tǒng)；90b 受光 系統(tǒng)；91、92 載臺本體；94 照度不均傳感器；96 空間像測量器；98 波面像差測量器；99 傳感器群；100 曝光裝置；101 開閉傳感器；104a、104d 活塞；116 標線片干涉儀；118 干涉儀系統(tǒng)；124 載臺驅(qū)動系統(tǒng)；126、130 :X軸干涉儀；142、143 :固定構(gòu)件；144A、145A 發(fā)光部；144B、145B 受光部；191 前端透鏡；ALl 第一對準系統(tǒng)；AI^1 AL24 第二對準系 統(tǒng)；AS 照射區(qū)域；AX 光軸；CL、LL 中心線；CT 上下動銷；FM 基準標記；IA 曝光區(qū)域； IAR 照明區(qū)域；IBXU IBX2、IBYU IBY2 測距光束；IL 照明用光；L2a、L2b 透鏡；LB 激光 束；LB1, LB2 光束；LD 半導體激光；LP 裝載位置；Lq 液體；LH 直線；M 掩膜；MTB 測量 臺；MST 量載臺；0 旋轉(zhuǎn)中心；PBS 偏光分光器；PL 投影光學系統(tǒng)；PU 投影單元；R 標線 片；Rla、Rib、R2a、R2b 反射鏡；RG 反射型衍射光柵；RST 標線片載臺；SL 空間像測量狹 縫圖案；UP 卸載位置；W 晶片；WPla, WPlb λ/4板；WTB 晶片臺；WST 晶片載臺。
具體實施例方式以下，根據(jù)圖1 圖36說明本發(fā)明的一個實施形態(tài)。在圖1中概略表示一實施形態(tài)的曝光裝置100的構(gòu)成。該曝光裝置100，是步進 掃描方式的掃描型曝光裝置、即所謂的掃描儀。如后所述，本實施形態(tài)中設有投影光學系統(tǒng) PL，以下，將與此投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設為Z軸方向、將在與該Z軸方向 正交的面內(nèi)標線片與晶片相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交的方向設為 X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設為ΘΧ、0y、及θ ζ方向。曝光裝置100，包含照明系統(tǒng)10 ；保持來自該照明系統(tǒng)10的曝光用照明用光(以 下稱為「照明光」或「曝光用光」)IL所照明的標線片R的標線片載臺RST ；包含用于使從標 線片R射出的照明光IL投射到晶片W上的投影光學系統(tǒng)PL的投影單元PU ；具有晶片載臺 WST及測量載臺MST的載臺裝置50 ；以及上述裝置的控制系統(tǒng)等。于晶片載臺WST上裝載 有晶片W。照明系統(tǒng)10，例如日本特開2001-313250號公號(對應美國專利申請公開第 2003/0025890號說明書)等所公開的那樣，其包含光源、具有包含光學積分器等的照度均 一化光學系統(tǒng)、標線片遮簾等(均未圖示)的照明光學系統(tǒng)。在該照明系統(tǒng)10中，利用照 明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度來照明被標線片遮簾(屏蔽系統(tǒng))規(guī)定的標線片R 上的狹縫狀照明區(qū)域IAR。此處，作為一個例子，使用ArF準分子激光(波長193nm)來作 為照明光IL。另外，作為光學積分器，可使用例如復眼透鏡、棒狀積分器(內(nèi)面反射型積分 器)或衍射光學組件等。在前述標線片載臺RTS上例如利用真空吸附固定有標線片R，該標線片R在其圖案 面(圖1的下面)形成有電路圖案等。標線片載臺RST，能籍由例如包含線性馬達等的標線 片載臺驅(qū)動系統(tǒng)11 (在圖1未圖示、參照圖8)而在XY平面內(nèi)微幅驅(qū)動，且能以指定的掃描 速度驅(qū)動于掃描方向(指圖1的圖面內(nèi)左右方向的Y軸方向)。標線片載臺RST在移動面內(nèi)的位置信息(包含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，由標線片激 光干涉儀(以下稱為「標線片干涉儀」)116，經(jīng)由移動鏡15 (實際上，設有具有與Y軸方向 正交的反射面的Y移動鏡(或后向反射器)、以及具有與X軸方向正交的反射面的X移動 鏡)例如以0. 5 Inm左右的分辨率隨時檢測。標線片干涉儀116的測量值，被傳送至主 控制裝置20 (于圖1未圖示，參照圖8)，主控制裝置20根據(jù)標線片干涉儀116的測量值算 出標線片載臺RST在X軸方向、Y軸方向及θ ζ方向的位置，且通過根據(jù)該計算結(jié)果控制標 線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)11，來控制標線片載臺RST的位置(及速度)。此外，也可對標線片載臺 RST的端面進行鏡面加工來形成反射面(相當于移動鏡15的反射面)，以代替移動鏡15。 另外，激光干涉儀116也可測量標線片載臺RST在Z軸、θ χ及θ y方向的至少一個的位置 fn息ο投影單元PU配置于標線片載臺RST的圖1下方。投影單元PU包含鏡筒40;以 及具有以規(guī)定位置關(guān)系保持于該鏡筒40內(nèi)的多個光學元件的投影光學系統(tǒng)PL。作為投影 光學系統(tǒng)PL，例如使用沿著與Z軸方向平行的光軸AX排列的多個透鏡(透鏡元件)所構(gòu)成 的折射光學系統(tǒng)。投影光學系統(tǒng)PL，例如是兩側(cè)遠心且具有規(guī)定投影倍率(例如1/4倍、 1/5倍、或1/8倍等)。因此，當用來自照明系統(tǒng)10的照明光IL來照明照明區(qū)域IAR時，通過經(jīng)過投影光學系統(tǒng)PL的第1面(物體面)與其圖案面大致配置成一致的標線片R的照 明光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)的標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案的一部分縮小像) 經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL(投影單元PU)形成于區(qū)域(以下也稱為「曝光區(qū)域」)IA;該區(qū)域IA 與形成于其第2面(像面)側(cè)的、表面涂布有光阻(感光劑)的晶片W上的前述照明區(qū)域 IAR共軛。在此雖然沒有圖示，投影單元PU經(jīng)由防振機構(gòu)搭載于以三只支柱支持的鏡筒固 定座，但例如也可如國際公開第2006/038952號小冊子所公開的那樣，將投影單元PU懸吊 支撐于配置在投影單元PU上方的未圖示的主框架構(gòu)件、或懸吊支撐于配置標線片載臺RST 的底座構(gòu)件等。此外，在本實施形態(tài)的曝光裝置100中，由于進行適用液浸法的曝光，因此會隨著 投影光學系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA在實質(zhì)上增大使標線片側(cè)的孔徑也變大。為此，僅以透鏡構(gòu) 成的折射光學系統(tǒng)，難以滿足珀茲伐條件(Petzval Condition)，而使投影光學系統(tǒng)趨向大 型化。為避免此投影光學系統(tǒng)的大型化，也可使用包含反射鏡與透鏡的反折射系統(tǒng)(catadi optric系統(tǒng))。另外，在晶片W可不僅形成感光層，而也可形成例如用以保護晶片或感光層 的保護膜(頂層涂布膜)等。另外，本實形形態(tài)的曝光裝置100，為了進行適用液浸法的曝光，設有構(gòu)成局部液 浸裝置8的一部分的嘴單元32來包圍保持構(gòu)成投影光學系統(tǒng)PL的最靠像面?zhèn)?晶片W側(cè)) 的光學元件、此處為透鏡(以下也稱「前端透鏡」)191的鏡筒40的下端部周圍。本實施形 態(tài)中，嘴單元32如圖1所示其下端面與前端透鏡191的下端面設定為大致同一面高。另外， 嘴單元32，具備液體Lq的供應口及回收口，與晶片W對向配置且設有回收口的下面，以及分 別與液體供應管31A及液體回收管31B連接的供應流路及回收流路。液體供應管31A與液 體回收管31B，如圖3所示，在俯視時(從上方觀看)相對X軸方向及Y軸方向傾斜45°， 相對通過投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX的Y軸方向的直線LV配置成對稱。在液體供應管31A，連接有其一端連接于液體供應裝置5(圖1中未圖示、參照 圖8)的未圖示的供應管的另一端，在液體回收管31B，連接有其一端連接于液體回收裝置 6(圖1中未圖示、參照圖8)的未圖示的回收管的另一端。液體供應裝置5，包含液體槽、加壓泵、溫度控制裝置、以及用以控制液體對液體供 應管31A的供應及停止的閥等。該閥最好使用例如不僅可進行液體的供應及停止、也能調(diào) 整流量的流量控制閥。前述溫度控制裝置將液體槽內(nèi)的液體溫度調(diào)整至收納有曝光裝置的 處理室(未圖示)內(nèi)的溫度同樣程度。此外，曝光裝置100不需全部具備供應液體的槽、加 壓泵、溫度控制裝置、閥等，也能將其至少一部分由設有曝光裝置100的工廠內(nèi)的設備來代 替。液體回收裝置6，包含液體的槽及吸引泵、以及經(jīng)由液體回收管31B控制液體的回 收及停止的閥等。該閥最好使用與液體供應裝置5的閥相同的流量控制閥。此外，曝光裝置 100不需全部具備回收液體的槽、吸引泵、閥等，也能將其至少一部分由設有曝光裝置100 的工廠內(nèi)的設備來代替。本實施形態(tài)中，作為上述液體，使用可使ArF準分子激光(波長193nm的光)經(jīng)由 的純水(以下除特別必要情況外，僅記述為「水」)。純水，具有在半導體制造工廠等能容易 地大量獲得且對晶片上的光阻及光學透鏡等無不良影響的優(yōu)點。水對ArF準分子激光的折射率η為大致1. 44。在該水中，照明光IL的波長縮短至193nmXl/n =約 134nm。液體供應裝置5及液體回收裝置6分別具備控制器，各控制器通過主控制裝置20 來控制(參照圖8)。液體供應裝置5的控制器依照來自主控制器20的指令，以規(guī)定開度 開啟連接于液體供應管31A的閥，經(jīng)由液體供應管31A、供應流路、以及供應口將水供應至 前端透鏡191與晶片W之間。另外，此時，液體回收裝置6的控制器，依照來自主控制器20 的指令，以規(guī)定開度開啟連結(jié)于液體回收管31B的閥，經(jīng)由回收口、回收流路、以及液體回 收管31B，從前端透鏡191與晶片W之間將水回收至液體回收裝置6 (液體槽)的內(nèi)部。此 時，主控制裝置20對液體供應裝置5的控制器、液體回收裝置6的控制器發(fā)出指令，以使供 應至前端透鏡191與晶片W之間的水量與回收的水量恒相等。據(jù)此，使前端透鏡191與晶 片W間的液體(水)Lq(參照圖1)保持一定量。此時，保持于前端透鏡191與晶片W之間 的液體(水)Lq系隨時更換。從上述說明可清楚得知，本實施形態(tài)的局部液浸裝置8包含嘴單元32、液體供應 裝置5、液體回收裝置6、液體供應管31A及液體回收管31B等。此外，局部液浸裝置8的一 部分、例如至少嘴單元32，也可懸吊支撐于用以保持投影單元PU的主框架(包含前述的鏡 筒固定座)，或也可設于與主框架不同的框架構(gòu)件?；蛘?，當如前所述將投影單元PU懸吊支 撐時，雖也可將投影單元PU與嘴單元32 —體懸吊支撐，但在本實施形態(tài)中，將嘴單元32設 于與投影單元PU獨立懸吊支撐的測量框架。在此情況下，也可不懸吊支撐投影單元PU。此外，即使測量載臺MST位于投影單元PU下方時，也能與上述同樣地將水充滿于 后述測量臺MTB與前端透鏡191之間。另外，在上述說明中，作為一例，雖分別設有各一個液體供應管(嘴)與液體回 收管(嘴)，但并不限于此，只要在考慮到與周圍構(gòu)件的關(guān)系下也能進行配置的話，也可采 用例如國際公開第99/49504號小冊子所公開的具有多數(shù)個嘴的構(gòu)成。也就是說，只要能 將液體供應至構(gòu)成投影光學系統(tǒng)PL最下端的光學構(gòu)件(前端透鏡)191與晶片W之間的 構(gòu)成，該構(gòu)成可為任意者。例如，本實施形態(tài)的曝光裝置，也能適用在公開于國際公開第 2004/053955號小冊子的液浸機構(gòu)或歐洲專利公開第1420298號公報的液浸機構(gòu)等?；氐綀D1，載臺裝置50，具備配置于底座12上方的晶片載臺WST及測量載臺MST ； 包含測量這些載臺WST、MST的位置信息的Y軸干涉儀16、18的干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖8)； 在曝光時等用于測量晶片載臺WST的位置信息的后述的編碼器系統(tǒng)；以及驅(qū)動載臺WST、 MST的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(參照圖8)等。在晶片載臺WST、測量載臺MST各自的底面的多處，設有未圖示的非接觸軸承、例 如真空預壓型空氣靜壓軸承(以下稱為「空氣墊」)，通過從此等空氣墊往底座12上面噴出 的加壓空氣的靜壓，使晶片載臺WST、測量載臺MST通過數(shù)μ m程度的間隙以非接觸方式支 撐于底座12的上方。另外，載臺WST、MST可利用載臺驅(qū)動系統(tǒng)124而獨立驅(qū)動于Y軸方向 (圖1的紙面內(nèi)左右方向)及X軸方向(圖1的紙面正交方向)的二維方向。更詳細地說，如圖2的俯視圖所示，于地面上，延伸于Y軸方向的一對Y軸固定件 86、87隔著底座12分別配置于X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)。Y軸固定件86、87例如由內(nèi)裝有 永久磁石群的磁極單元構(gòu)成，該永久磁石群由沿Y軸方向以規(guī)定間隔且交互配置的多組N 極磁石與S極磁石構(gòu)成。在Y軸固定件86、87上，各兩個的Y軸可動件82、84及83、85設 置成分別以非接觸方式卡合的狀態(tài)。即，合計四個的Y軸可動件82、84、83、85呈插入于XZ
22截面為U字型的Y軸固定件86或87的內(nèi)部空間的狀態(tài)，分別經(jīng)由未圖示的空氣墊例如經(jīng) 由數(shù)μ m程度的間隙來以非接觸方式支撐于所對應的Y軸固定件86或87。各Y軸可動件 82、84、83、85，例如由內(nèi)裝有沿Y軸方向相距規(guī)定間隔所配置的電樞線圈的電樞組件單元 所構(gòu)成。即，在本實施形態(tài)中，以電樞組件單元所構(gòu)成的Y軸可動件82、84與磁極單元所構(gòu) 成的Y軸固定件86，來分別構(gòu)成移動線圈型的Y軸線性馬達。同樣地，以Y軸可動件83、85 與Y軸固定件87，分別構(gòu)成移動線圈型的Y軸線性馬達。以下，將上述四個Y軸線性馬達 分別使用與各可動件82、84、83、85相同的符號來適當稱為Y軸線性馬達82、Y軸線性馬達 84、Y軸線性馬達83及Y軸線性馬達85。上述四個Y軸線性馬達中，兩個Y軸線性馬達82、83的可動件82、83，分別固定于 延伸于X軸方向的X軸固定件80長邊方向的一端與另一端。另外，剩余的兩個Y軸線性馬 達84、85的可動件84、85，固定于延伸于X軸方向的X軸固定件81的一端與另一端。據(jù)此， X軸固定件80、81，通過各一對的Y軸線性馬達82、83、84、85分別沿Y軸被驅(qū)動。各X軸固定件80、81，例如由分別內(nèi)裝有沿X軸方向以規(guī)定間隔配置的電樞線圈的 電樞組件單元所構(gòu)成。一個X軸固定件81設置成插入到形成于載臺本體91 (構(gòu)成晶片載臺WST —部分， 圖2中未圖示，參照圖1)的未圖示的開口的狀態(tài)。于該載臺本體91的上述開口內(nèi)部例如 設有具備永久磁石群的磁極單元，該永久磁石群由沿著X軸方向以規(guī)定間隔且交互配置的 多組N極磁石與S極磁石構(gòu)成。以該磁極單元與X軸固定件81來構(gòu)成用于將載臺本體91 驅(qū)動于X軸方向的動磁型X軸線性馬達。同樣地，另一 X軸固定件80設置成插入到形成于 載臺本體92(構(gòu)成測量載臺MST，圖2中未圖示、參照圖1)的未圖示的開口的狀態(tài)。于該載 臺本體92的上述開口內(nèi)部設有與晶片載臺WST側(cè)載臺本體91側(cè))同樣的磁極單元。以該 磁極單元與X軸固定件80來構(gòu)成用于將測量載臺MST驅(qū)動于X軸方向的動磁型X軸線性 馬達。在本實施形態(tài)中，構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的上述各線性馬達由圖8所示的主控制 裝置20來控制。此外，各線性馬達并不限定于動磁型或移動線圈型的任一方，能視需要來 適當選擇。此外，通過稍微改變一對Y軸線性馬達84、85分別產(chǎn)生的推力，可以控制晶片載臺 WST的偏轉(zhuǎn)(繞θζ的方向的旋轉(zhuǎn))。另外，通過稍微改變一對Y軸線性馬達82、83分別產(chǎn) 生的推力，可以控制測量載臺MST的偏轉(zhuǎn)。晶片載臺WST包含前述載臺本體91 ；以及經(jīng)由未圖示的Z調(diào)平機構(gòu)(例如音圈 馬達等)裝載于該載臺本體91上，可相對載臺本體91微幅驅(qū)動于Z軸方向、θ χ方向、以 及9y方向的晶片臺WTB。此外，在圖8中，將上述各線性馬達與Z調(diào)平機構(gòu)一起表示為載 臺驅(qū)動系統(tǒng)124。在晶片臺WTB上設有通過真空吸附等來保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。晶片 保持具雖可與晶片臺WTB形成為一體，但在本實施形態(tài)中晶片保持具與晶片臺WTB為分別 構(gòu)成，通過例如真空吸附等將晶片保持具固定于晶片臺WTB的凹部內(nèi)。另外，在晶片臺WTB 上面設有板體(疏液板)28，該板體系與裝載于晶片保持具上的晶片表面大致同一面高、其 外形(輪廓)為矩形且于其中央部形成有較晶片保持具(晶片的裝載區(qū)域)大一圈的圓形 開口。板體28由低熱膨脹率的材料、例如玻璃或陶瓷(首德公司的ZeroduH商品名))、
23Al2O3或TiC等)構(gòu)成，在其表面例如由氟樹脂材料、聚四氟乙烯(鐵氟龍(注冊商標))等 氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料或硅系樹脂材料等來形成疏液膜。進而，如圖4(A)的晶 片臺WTB(晶片載臺WST)的俯視圖所示，板體28具有用于包圍圓形開口的外形(輪廓)為 矩形的第1疏液區(qū)域28a、以及配置于第1疏液區(qū)域28a周圍的矩形框狀(環(huán)狀)第2疏液 區(qū)域28b。第1疏液區(qū)域28a，例如在進行曝光動作時，形成有從晶片表面超出的液浸區(qū)域 14的至少一部分，第2疏液區(qū)域28b形成有后述編碼器系統(tǒng)用的標尺。此外，板體28的表 面的至少一部分也可不與晶片表面為同一面高，即也可以為不同的高度。另外，板體28雖 可為單一板體，但在本實施形態(tài)中為多個板體，例如組合分別與第1及第2疏液區(qū)域28a、 28b對應的第1及第2疏液板來構(gòu)成。在本實施形態(tài)中，由于如前所述使用純水來作為液體 Lq,因此以下將第1及第2疏液區(qū)域28a、28b也稱為第1及第2疏水板28a、28b。在此情形下，與曝光用光IL照射于內(nèi)側(cè)的第1疏水板28a相對地，曝光用光IL幾 乎不會照射到外側(cè)的第2疏水板28b?？紤]到這一點，在本實施形態(tài)中于第1疏水板28a表 面上形成有第1疏水區(qū)域，其被施以對曝光用光IL(此時為真空紫外區(qū)的光)有充分的耐 性的疏水涂布膜，而在第2疏水板28b表面則形成第2疏水區(qū)域，其被施以對曝光用光IL的 耐性較第1疏水區(qū)域差的疏水涂布膜。一般而言，并不容易對玻璃板施以對曝光用光IL(此 時為真空紫外區(qū)的光)有充分的耐性的疏水涂布膜，因此若如上所述將第1疏水板28a與 其周圍的第2疏水板28b分離成兩個部分可更具效果。此外也并不限于此，也可對同一板 體的上面施加對曝光用光IL的耐性相異的兩種疏水涂布膜，以形成第1疏水區(qū)域及第2疏 水區(qū)域。另外，第1及第2疏水區(qū)域的疏水涂布膜的種類也可相同。或例如也可在同一板 體上僅形成一個疏水區(qū)域。另外，由圖4(A)可清楚得知，在第1疏水板28a的+Y側(cè)端部的X軸方向的中央部 形成有長方形缺口，于此缺口與第2疏水板28b所包圍的長方形空間內(nèi)部(缺口內(nèi)部)埋 入有測量板30。在此測量板30的長邊方向中央(晶片臺WTB的中心線LL上)形成基準標 記FM，于該基準標記的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，形成有相對基準標記中心配置成對稱的一 對空間像測量狹縫圖案(狹縫狀測量用圖案)SL。各空間像測量狹縫圖案SL，例如使用具 有沿Y軸方向與X軸方向的邊的L字形狹縫圖案，或分別沿X軸方向及Y軸方向延伸的兩 個直線狀狹縫圖案等。另外，如圖4(B)所示，收納有光學系統(tǒng)(包含物鏡、反射鏡、中繼透鏡等)的L字 形框體36，以從晶片臺WTB貫通載臺本體91內(nèi)部一部分的狀態(tài)，安裝成一部分埋入于上述 各空間像測量狹縫圖案SL下方的晶片載臺WST內(nèi)部的狀態(tài)。雖省略圖示，但框體36與上 述一對空間像測量狹縫圖案SL對應設置有一對。上述框體36內(nèi)部的光學系統(tǒng)將透射過空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL沿L 字形路徑導弓丨，并朝向-Y方向射出。此外，以下為了方便說明，使用與框體36相同的符號 將上述框體36內(nèi)部的光學系統(tǒng)記述為送光系統(tǒng)36。進而，在第2疏水板28b上面，沿其四邊各以規(guī)定間距直接形成有多數(shù)個格子線。 進一步詳細地說，在第2疏水板28b的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖4(A)中的左右兩側(cè))的 區(qū)域分別形成有Y標尺39Yp39Y2，此Y標尺39Υρ39Υ2，例如以X軸方向為長邊方向的格子 線38以規(guī)定間距沿平行于Y軸的方向(Y軸方向)而形成的、以Y軸方向為周期方向的反 射型光柵(例如衍射光柵)所構(gòu)成。
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同樣地，在第2疏水板28b的Y軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖4(A)中的上下兩側(cè))的 區(qū)域分別形成有X標尺39Xp39X2，此X標尺39Χρ39Χ2，例如以Y軸方向為長邊方向的格子 線37以規(guī)定間距沿平行于X軸的方向(X軸方向)而形成的、以X軸方向為周期方向的反 射型光柵(例如衍射光柵)所構(gòu)成。作為上述各標尺使用例如在第2疏水板28b表面利用 全像片等作成反射型衍射格子RG(圖10(A))的標尺。此時，在各標尺上以規(guī)定間隔(間 距)而刻出由窄狹縫或槽等構(gòu)成的光柵來作為標度。用于各標尺的衍射光柵的種類并不限 定，不僅能以機械方式形成槽等，例如也可將干涉紋燒結(jié)于感光性樹脂來加以作成。不過， 各標尺，例如系以138nm 4μπι間的間距(例如1 μ m間距)將上述衍射光柵的標度刻于 薄板狀玻璃來作成。此等標尺被前述疏液膜(疏水膜)覆蓋。此外，在圖4(A)中為了方便 表示，光柵的間距圖示成較實際間距大許多。此點在其它的圖中也相同。這樣，在本實施形態(tài)中由于將第2疏水板28b本身構(gòu)成標尺，因此系使用低熱膨脹 的玻璃板來作為第2疏水板28b。然而并不限于此，也可將形成有光柵的低熱膨脹的玻璃 板等所構(gòu)成的標尺構(gòu)件，通過例如板彈簧(或真空吸附)等固定于晶片臺WTB上面，以避免 其產(chǎn)生局部性的伸縮，此時，也可使用在全面施了同一疏水涂布膜的疏水板來代替板體28。 或者，也可以用低熱膨脹率的材料來形成晶片臺WTB，在這種情況下，一對Y標尺與一對X標 尺也可直接形成于該晶片臺WTB上面。在晶片臺WTB的-Y端面、-X端面上，分別施以鏡面加工而形成為圖2所示的反射 面17a、反射面17b。干涉儀系統(tǒng)118(參照圖8)的Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126(圖1 中X軸干涉儀126并未圖示，參照圖2)，分別對此反射面17a、17b投射干涉儀光束(測距光 束)，并通過接收各自的反射光，測量各反射面從基準位置(一般在投影單元PU側(cè)面配置 固定鏡，再以該處為基準面)的位移、即晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息，并將該測量 值供應至主控制裝置120。在本實施形態(tài)中，作為Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126，均使用 具有多個光軸的多軸干涉儀，根據(jù)此等Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126的測量值，主控制 裝置120不但能測量晶片臺WTB的X、Y位置，也能測量θ χ方向的旋轉(zhuǎn)信息(也即縱搖)、 9y方向的旋轉(zhuǎn)信息(也即橫搖)、以及ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息(也即偏搖)。但在本實施形 態(tài)中，晶片載臺WST (晶片臺WTB)在XY平面內(nèi)的位置信息(包含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主 要由包含上述Y標尺、X標尺等等的后述編碼器系統(tǒng)來測量，干涉儀16、126的測量值輔助 性地用于修正(校正)該編碼器系統(tǒng)的長期性變動(例如因標尺隨時間的變化等所造成) 等。另外，為了更換晶片Y軸干涉儀16用于在后述卸載位置及裝載位置附近測量晶片臺 WTB的Y位置等。另外，例如在裝載動作與對準動作的期間、及/或曝光動作與卸載動作的 期間中的晶片載臺WST的移動，使用干涉儀系統(tǒng)118的測量信息、即在五自由度方向(X軸、 Y軸、θ χ、θ y、θ ζ方向)的位置信息中的至少一個。此外，干涉儀系統(tǒng)118的至少一部分 (例如光學系統(tǒng)等)，雖可設置于用以保持投影單元PU的主框架，或與如前所述懸吊支撐的 投影單元PU設置成一體，但本實施形態(tài)中設置于前述測量框架。此外，在本實施形態(tài)中，晶片載臺WST雖包含可在XY平面內(nèi)移動自如的載臺本體 91，以及裝載于該載臺本體91上、可相對載臺本體91被微幅驅(qū)動于Z軸方向、θ χ方向、以 及θ ζ方向的晶片臺WTB，但并不限于此，也可采用能在六自由度移動的單一載臺來作為晶 片載臺WST。另外，也可在晶片臺WTB上設置由平面鏡構(gòu)成的移動鏡來代替反射面17b。還 有，雖然把設置于投影單元PU的固定鏡的反射面作為基準面來測量晶片載臺WST的位置信息，但配置該基準面的位置并不限于投影單元PU，也不一定要使用固定鏡來測量晶片載臺 WST的位置信息。另外，在本實施形態(tài)中，由干涉儀系統(tǒng)118測量的晶片載臺WST的位置信息，并不 用在后述曝光動作或?qū)蕜幼鞯?，而主要是用在編碼器系統(tǒng)的校正動作(即測量值的校 正)等，但例如也可將干涉儀系統(tǒng)118的測量信息(即五自由度方向的位置信息中的至少 一個)用在例如曝光動作及/或?qū)蕜幼鞯取Ｔ诒緦嵤┬螒B(tài)中，編碼器系統(tǒng)系測量晶片載臺 WST在三自由度方向、即X軸、Y軸、以及ΘΖ方向的位置信息。因此，在進行曝光動作等時， 干涉儀系統(tǒng)118的位置信息中，可僅使用與編碼器系統(tǒng)對晶片載臺WST的位置信息的測量 方向(X軸、Y軸、以及ΘΖ方向)相異的方向，例如在ΘΧ方向及/或方向的位置信息， 或除了該相異方向的位置信息以外，再加上使用與編碼器系統(tǒng)的測量方向相同方向(即X 軸、Y軸、以及θ ζ方向的至少一個)的位置信息。另外，干涉儀系統(tǒng)118也可測量晶片載 臺WST在Z軸方向的位置信息。此時，也可在曝光動作中使用Z軸方向的位置信息。測量載臺MST，包含前述載臺本體92與裝載于該載臺本體92上的測量臺ΜΤΒ。測 量臺MTB也經(jīng)由未圖示的Z調(diào)平機構(gòu)裝載于載臺本體92上。然而并不限于此，也可采用可 將測量臺MTB相對載臺本體92微動于X軸方向、Y軸方向及θ ζ方向的所謂粗微動構(gòu)造的 測量載臺MST，或?qū)y量載臺MST固定于載臺本體92，并使包含該測量臺MTB的載臺本體92 構(gòu)成為可驅(qū)動于六自由度方向。在測量臺MTB(及載臺本體92)設有各種測量用構(gòu)件。作為該測量用構(gòu)件，例 如圖2及圖5(A)所示，采用具有針孔狀受光部來在投影光學系統(tǒng)PL的像面上接收照明 光IL的照度不均傳感器94、用于測量投影光學系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影像) 的空間像測量器96、以及例如國際公開第03/065428號小冊子等所公開的夏克一哈特曼 (Shack-Hartman)方式的波面像差測量器98等。作為波面像差傳感器98，例如能使用國際 公開第99/60361號小冊子(對應歐洲專利第1，079，223號)所公開的。作為照度不均傳感器94，例如能使用與日本特開昭57-117238號公報(對應美國 專利第4，465，368號說明書)等所公開的相同的構(gòu)造。另外，作為空間像測量器96，例如能 使用與日本特開2002-14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書) 等所公開的相同的構(gòu)造。此外，本實施形態(tài)中雖將三個測量用構(gòu)件(94，96，98)設于測量載 臺MST，但測量用構(gòu)件的種類、及/或數(shù)量等并不限于此。測量用構(gòu)件，例如可使用用于測量 投影光學系統(tǒng)PL的透射率的透射率測量器、及/或能采用用于觀察前述局部液浸裝置8、例 如嘴單元32 (或前端透鏡191)等的測量器等。再者，也可將與測量用構(gòu)件相異的構(gòu)件、例 如用以清掃嘴單元32、前端透鏡191等的清掃構(gòu)件等裝載于測量載臺MST。在本實施形態(tài)中，參照圖5(A)可知，使用頻率高的傳感器類、照度不均傳感器94 及空間像測量器96等，配置于測量載臺MST的中心線CL(通過中心的Y軸)上。因此，在 本實施形態(tài)中，使用這些傳感器類的測量，并非使測量載臺MST移動于X軸方向的方式來進 行，而僅以使其移動于Y軸方向的方式來進行。除了上述傳感器以外，還能采用例如日本特開平11-16816號公報(對應美國專利 申請公開第2002/0061469號說明書)等所公開的照度監(jiān)測器(具有在投影光學系統(tǒng)PL的 像面上接收照明光IL的規(guī)定面積的受光部)，該照度監(jiān)測器最好也配置于中心在線上。此外，在本實施形態(tài)中，對應所進行的經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL與液體(水)Lq用曝光用光(照明光)IL來使晶片W曝光的液浸曝光，在當使用照明光IL的測量時所使用的上 述照度不均傳感器94(以及照度監(jiān)測器)、空間像測量器96、以及波面像差傳感器98中，經(jīng) 由投影光學系統(tǒng)PL及水來接收照明光IL。另外，各傳感器，例如也可僅有光學系統(tǒng)等的一 部分裝載于測量臺MTB (及載臺本體92)，或也可將傳感器整體配置于測量臺MTB (及載臺本 體 92)。如圖5 (B)所示，于測量載臺MST的載臺本體92的-Y側(cè)端面固定有框狀安裝構(gòu)件 42。另外，于載臺本體92的-Y側(cè)端面，安裝構(gòu)件42開口內(nèi)部的在X軸方向的中心位置附 近，以能與前述一對送光系統(tǒng)36對向的配置的方式固定有一對受光系統(tǒng)44。各受光系統(tǒng)44 由中繼透鏡等的光學系統(tǒng)、受光組件(例如光電倍增管等)、以及收納它們的框體來構(gòu)成。 由圖4 (B)及圖5 (B)、以及截至目前為止的說明可知，在本實施形態(tài)中，在晶片載臺WST與測 量載臺MST于Y軸方向接近規(guī)定距離以內(nèi)的狀態(tài)(包含接觸狀態(tài))下，透射過測量板30的 各空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL被前述各送光系統(tǒng)36導引，而以各受光系統(tǒng)44的 受光組件接收光。即，通過測量板30、送光系統(tǒng)36、以及受光系統(tǒng)44，來構(gòu)成與前述日本特 開2002-14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所公開的相 同的空間像測量裝置45 (參照圖8)。在安裝構(gòu)件42上，延伸設置有由截面矩形的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的作為基準構(gòu)件的基 準桿(以下簡稱為「CD桿」)。此CD桿46，通過全動態(tài)框構(gòu)造以動態(tài)方式支撐于測量載臺 MST 上。由于CD桿46為原器(測量基準)，因此其材料采用低熱膨脹率的光學玻璃陶瓷、 例如首德公司的Zerodur (商品名)等。此CD桿46的上面(表面)的平坦度設定得較高， 與所謂基準平面板相同程度。另外，在該CD桿46的長邊方向一側(cè)與另一側(cè)端部附近，如圖 5(A)所示分別形成有以Y軸方向為周期方向的基準格子(例如衍射光柵)52。此一對基準 格子52的形成方式，隔著規(guī)定距離(L)在CD桿46的X軸方向中心、即相隔前述中心線CL 配置成對稱。另外，在該⑶桿46上面以圖5(A)所示的配置形成有多個基準標記M。該多個基 準標記M以同一間距在Y軸方向形成為三行的排列，各行排列形成為在X軸方向彼此偏移 規(guī)定距離。各基準標記M，例如使用可通過后述第一對準系統(tǒng)、第二對準系統(tǒng)來檢測的尺寸 的二維標記?；鶞蕵擞汳的形狀(構(gòu)成)雖也可與前述基準標記FM相異，但本實施形態(tài)中 基準標記M與基準標記FM為相同構(gòu)成，并且也與晶片W的對準標記相同構(gòu)成。此外，在本 實施形態(tài)中，CD桿46的表面及測量臺MTB (也可包含前述測量用構(gòu)件)的表面均分別以疏 液膜(疏水膜)覆蓋。測量臺MTB的+Y端面、-X端面也形成有與前述晶片臺WTB同樣的反射面19a、 19b (參照圖2及圖5(A))。干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖8)的Y軸干涉儀18及X軸干涉儀 130 (圖1中X軸干涉儀130并未圖示，參照圖2)，如圖2所示分別對這些反射面19a、19b投 射干涉儀光束(測距光束)，并通過接收各自的反射光，測量各反射面從基準位置的位移、 也即測量載臺MST的位置信息(例如至少包含X軸及Y軸方向的位置信息與ΘΖ方向的旋 轉(zhuǎn)信息)，并將該測量值供應給主控制裝置120。此外，如圖2所示，在X軸固定件81與X軸固定件80設有制動器機構(gòu)48Α、48Β。 如以立體圖顯示X軸固定件80、81的+X側(cè)端部附近的圖6所示，制動器機構(gòu)48Α，包含減震器47A，設于X軸固定件81，例如由油阻尼器構(gòu)成的緩沖裝置；以及開閉器49A，設于X軸 固定件80的減震器47A的對向位置(+X側(cè)端部的-Y側(cè)端面)。在X軸固定件80的與減震 器47A對向的位置形成有開口 51A。開閉器49A，如圖6所示，設于形成在X軸固定件80的開口 5IA的-Y側(cè)，可通過包 含氣缸等的驅(qū)動機構(gòu)34A被驅(qū)動于箭頭A、A’方向(Z軸方向)。據(jù)此，可通過開閉器49A來 使開口 51A成為開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)。該開閉器49A的開閉狀態(tài)，由設于該開閉器49A附 近的開關(guān)傳感器(圖6中未圖示、參照圖8) 101來檢測，該檢測結(jié)果送至主控制裝置20。制動器機構(gòu)48B也與制動器機構(gòu)48A為同樣的構(gòu)成。即如圖2所示，制動器機構(gòu) 48B包含設于X軸固定件81的-X端部附近的減震器47B、以及設于X軸固定件80的與前 述減震器47B對向的位置的開閉器49B。另外，在X軸固定件80的開閉器49B的+Y側(cè)部分 形成有開口 51B。此處，根據(jù)圖7 (A) 圖7 (D)，以制動器機構(gòu)48A為代表說明前述制動器機構(gòu)48A、 48B的作用。如圖7(A)所示，在開閉器48A處于關(guān)閉開口 51A的狀態(tài)的情形下，如圖7 (B)所示 當X軸固定件81與X固定件80接近時，也通過減震器47A與開閉器49A的接觸(抵接)， 使X軸固定件80、81彼此不能更加接近。此時，如圖7(B)所示，當固定于減震器47A的活 塞104a前端的讀取頭部104d移動至最靠-Y側(cè)時(即，減震器47A的未圖示的彈簧縮為最 短，其全長為最短時)，也為晶片臺WTB與測量臺MTB彼此不接觸的構(gòu)成。另一方面，如圖7(C)所示，當經(jīng)由驅(qū)動機構(gòu)34A來降下驅(qū)動開閉器49A時，開口 51A即成為開放狀態(tài)。此時當X軸固定件81、80彼此接近時，如圖7(D)所示，可使減震器 74A的活塞104a前端部的至少一部分進入開口 5IA內(nèi)，而能使X軸固定件80、81彼此較圖 7⑶所示的狀態(tài)更接近。在此種X軸固定件81、80彼此為最接近的狀態(tài)下，能使晶片臺WTB 與測量臺MTB(⑶桿46)彼此接觸(或使其接近至相距300 μ m左右的距離)(參照圖14(B)
寸乂 O開口 51A的深度，可如圖7(D)所示，設定成即使在X軸固定件81、80彼此為最接 近的狀態(tài)下在減震器47A與開口 51A的終端部(相當于底部部分)之間也形成有間隙，或 也可設定成減震器47A的活塞104a的讀取頭部104d接觸于終端部。另外，在X軸固定件 81、80相對移動于X軸方向時，也可根據(jù)相對移動的量來預先設定開口部寬度，以使減震器 47A與開口 51A的壁部不接觸。此外，在本實施形態(tài)中，雖然在X軸固定件81與X軸固定件80設有一對制動器機 構(gòu)48A、48B，但也可僅設置制動器機構(gòu)48A、48B的一方，或也可在晶片載臺WST與測量載臺 MST上設置與上述同樣的制動器機構(gòu)。返回圖2，在X軸固定件80的+X端部上設有間隔偵測傳感器43A與撞擊偵測傳感 器43B，在X軸固定件81的+X端部上，于其+Y側(cè)突設有延伸于Y軸方向的細長板狀構(gòu)件 41A。另外，如圖2所示，在X軸固定件80的-X端部設有間隔偵測傳感器43C與撞擊偵測 傳感器43D，在X軸固定件81的-X端部，于其+Y側(cè)突設有延伸于Y軸方向的細長板狀構(gòu)件 41B。間隔偵測傳感器43A，例如由透射型光傳感器(例如LED-PTr的透射型光傳感器) 構(gòu)成，如圖6所示，包含U字形固定構(gòu)件142、以及設于該固定構(gòu)件142的對向的各一對的面的發(fā)光部144A與受光部144B。通過該間隔偵測傳感器43A，當X軸固定件80與X軸固定 件81從圖6的狀態(tài)更為接近時，板狀構(gòu)件41A即進入受光部144B與發(fā)光部144A之間，使 該板狀構(gòu)件41A的下半部遮蔽來自發(fā)光部144A的光，在受光部144B接收的光徐徐減少，其 輸出電流逐漸變小。因此，主控制裝置20，通過檢測該輸出電流，來偵測出X軸固定件80、 81的間隔已小于等于規(guī)定距離。撞擊偵測傳感器43B，如圖6所示包含U字型固定構(gòu)件143以及設于該固定構(gòu)件 143的對向各一對的面的發(fā)光部145A與受光部145B。此時，發(fā)光部145A，如圖6所示，配置 于較前述間隔偵測傳感器43A的發(fā)光部144A高一些的位置，與此對應地，受光部145B則配 置于從間隔偵測傳感器43A的受光部144B高一些的位置。根據(jù)撞擊偵測傳感器43B，在X軸固定件81、80彼此更接近、使晶片臺WTB與⑶桿 46 (測量臺MTB)接觸的階段時(或接近至300 μ m左右的距離的階段)，由于板狀構(gòu)件41A 的上半部定位于發(fā)光部145A與受光部145B之間，因此來自發(fā)光部145A的光即不會射入受 光部145B。因此，主控制裝置20通過檢測出來自受光部145B的輸出電流為零，由此來偵測 出兩臺系彼此接觸(或接近至300 μ m左右的距離)。此外，設于X軸固定件80的-X端部附近的間隔偵測傳感器43C及撞擊偵測傳感器 43D，均與上述的間隔偵測傳感器43A及撞擊偵測傳感器43B為相同的構(gòu)成，板狀構(gòu)件41B 也與前述板狀構(gòu)件41A為相同的構(gòu)成。本實施形態(tài)的曝光裝置100，雖在圖1中為了避免圖式過于復雜而予以省略，但實 際上如圖3所示，配置有第一對準系統(tǒng)ALl，該第一對準系統(tǒng)ALl在通過投影單元PU的中心 (與投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX —致，本實施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且 與Y軸平行的直線LV上，從該光軸往-Y側(cè)相隔規(guī)定距離的位置具有檢測中心。該第一對 準系統(tǒng)AL1，經(jīng)由支撐構(gòu)件54固定于未圖示的主框架的下面。隔著此第一對準系統(tǒng)ALl的 X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，分別設有其檢測中心相對該直線LV配置成大致對稱的第二對準系 統(tǒng)AL2”AL22與六1^23、八1^24。即，五個對準系統(tǒng)ALLAI^1 AL24的檢測中心，系在X軸方向 配置于相異位置，也即沿X軸方向配置。各第二對準系統(tǒng)AL2n(n = 1 4)，如代表性地顯示的對準系統(tǒng)AL24那樣，系固定 于能以旋轉(zhuǎn)中心0為中心往圖3中的順時針及逆時針方向旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度范圍的臂56n(n = 1 4)的前端(旋動端)。在本實施形態(tài)中，各第二對準系統(tǒng)AL2n&—部分(例如至少包 含將對準光照射于檢測區(qū)域、且將檢測區(qū)域內(nèi)的對象標記所產(chǎn)生的光導至受光組件的光學 系統(tǒng))固定于臂56n，剩余的一部分則設置于用于保持投影單元PU的主框架。第二對準系 統(tǒng)AL2i、AL22、AL23、AL24通過分別以旋轉(zhuǎn)中心0為中心旋動來調(diào)整X位置。即，第二對準系 統(tǒng)AL2i、AL22、AL23、AL24的檢測區(qū)域(或檢測中心)能獨立移動于X軸方向。因此，第一對 準系統(tǒng)ALl及第二對準系統(tǒng)AL2p AL22、AL23、AL24能調(diào)整其檢測區(qū)域在X軸方向的相對位 置。此外，在本實施形態(tài)中，雖通過臂的旋動來調(diào)整第二對準系統(tǒng)AL2p AL22、AL23、AL24的 X位置，但并不限于此，也可設置將第二對準系統(tǒng)AL2p AL22、AL23、AL24往復驅(qū)動于X軸方 向的驅(qū)動機構(gòu)。另外，可使第二對準系統(tǒng)AL2i、AL22、AL23、AL24的至少一個不僅移動于X軸 方向而是也可移動于Y軸方向。此外，由于各第二對準系統(tǒng)AL2n的一部分通過由臂56 來 移動，因此可利用未圖示的傳感器例如干涉儀或編碼器等來測量固定于臂56n的一部分的 位置信息。此傳感器可僅測量第二對準系統(tǒng)AL2n在X軸方向的位置信息，也能使其可測量其它方向例如Y軸方向及/或旋轉(zhuǎn)方向(包含ΘΧ及θy方向的至少一方)的位置信息。在前述各臂56 上面，設有由差動排氣型的空氣軸承構(gòu)成的真空墊58η(η = 1 4)。另外，臂56 ，例如利用包含馬達等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)η(η = 1 4，圖3中未圖示，參照圖 8)，可依主控制裝置20的指示來旋動。主控制裝置20在臂56η的旋轉(zhuǎn)調(diào)整后，即使各真空 墊58η動作以將各臂56η吸附固定于未圖示的主框架。由此，即可維持各臂56η的旋轉(zhuǎn)角度 后的狀態(tài)，也即維持第一對準系統(tǒng)ALl及4個第二對準系統(tǒng)AIA AL24的所希望的位置關(guān) 系。此外，各臂的旋轉(zhuǎn)的具體調(diào)整方式，即4個第二對準系統(tǒng)AIA 々1^4相對第一對準系 統(tǒng)ALl的相對位置的調(diào)整方法，留待后述。此外，與主框架的臂56 對向的部分只要是磁性體，也可代替真空墊58采用電磁石。本實施形態(tài)的第一對準系統(tǒng)ALl及4個第二對準系統(tǒng)AI^1 AL24，可使用例如影 像處理方式的FIA (Field Image Alignment (場像對準))系統(tǒng)，其能將不會使晶片上的光 阻感光的寬頻檢測光束照射于對象標記，并以攝影組件(CCD(電荷耦合裝置)等)拍攝通 過來自該對象標記的反射光而成像于受光面的對象標記像、以及未圖示的指針(設于各對 準系統(tǒng)內(nèi)的指針板上的指針圖案)像，并輸出該等的拍攝信號。來自第一對準系統(tǒng)ALl及 4個第二對準系統(tǒng)AIA AL24各自的攝影信號，被供應給圖8的主控制裝置20。此外，作為上述各對準系統(tǒng)系不限于FIA系統(tǒng)，當然也能單獨或適當組合使用能 將同調(diào)檢測光照射于對象標記以檢測從此對象標記產(chǎn)生的散射光或衍射光的對準傳感器， 或是干涉從該對象標記產(chǎn)生的兩衍射光(例如同階數(shù)的衍射光、或衍射于同方向的衍射 光)來加以檢測的對準傳感器。另外，本實施形態(tài)中雖設置了五個對準系統(tǒng)AL1、ΑΙΑ AL24，但其數(shù)目并不限于五個，也可是兩個以上且四個以下，或六個以上也可，或也可不為 奇數(shù)而為偶數(shù)。再者，五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24，雖經(jīng)由支撐構(gòu)件54固定于用于保持 投影單元PU的主框架下面，但并不限于此，也可設于例如前述測量框架。在本實施形態(tài)的曝光裝置100中，如圖3所示，以從四方包圍前述嘴單元32周圍 的狀態(tài)配置有編碼器系統(tǒng)的四個讀取頭單元62A 62D。這些讀取頭單元62A 62D，雖在 圖3等中為了避免圖式過于復雜而予以省略，但實際上經(jīng)由支撐構(gòu)件以懸吊狀態(tài)固定于用 以保持前述投影單元PU的主框架。此外，讀取頭單元62A 62D在例如投影單元PU為懸 吊支撐的情形下，也可與投影PU懸吊支撐成一體，或設于前述測量框架。讀取頭單元62A、62C，在投影單元PU的+X側(cè)、-X側(cè)，分別以X軸方向為長邊方向 且相對投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX配置成從光軸AX大致相隔同一距離。另外，讀取頭單元 62B、62D，在投影單元PU的+Y側(cè)、-Y側(cè)，分別以Y軸方向為長邊方向且相對投影光學系統(tǒng) PL的光軸AX配置成從光軸AX大致相隔同一距離。如圖3所示，讀取頭單元62A、62C，具備多個(此處為六個)以規(guī)定間隔配置于通 過投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX且與X軸平行的直線LH上的Y讀取頭64。讀取頭單元62A 構(gòu)成為使用前述Y標尺39^來測量晶片載臺WST(晶片臺WTB)在Y軸方向的位置(Y位置) 的多眼(此處為六眼)的Y線性編碼器(以下適當簡稱為「Y編碼器」或「編碼器」)70A (參 照圖8)。同樣地，讀取頭單元62C構(gòu)成為使用前述Y標尺39Y2來測量晶片載臺WST (晶片 臺WTB)的Y位置)的多眼(此處為六眼)的Y編碼器70C(參照圖8)。此處，讀取頭單元 62A、62C所具備的相鄰Y讀取頭64 (也即測量光束)的間隔，設定成較前述Y標尺39、、39Y2在X軸方向的寬度(更正確而言為格子線38的長度)窄。另外，讀取頭單元62A、62C各自 具備的多個Y讀取頭64中位于最內(nèi)側(cè)的Y讀取頭64，為了盡可能配置于投影光學系統(tǒng)PL 的光軸，固定于投影光學系統(tǒng)PL的鏡筒40下端部(更正確而言為包圍前端透鏡191的嘴 單元32的橫方向側(cè))。如圖3所示，讀取頭單元62B，具備多個(此處為七個)以規(guī)定間隔配置于上述直 線LV上的X讀取頭66。另外，讀取頭單元62D，具備多個(此處為十一個(不過，圖3的十一 個中與第一對準系統(tǒng)ALl重迭的三個系未圖示))以規(guī)定間隔配置于上述直線LV上的X讀 取頭66。讀取頭單元62B構(gòu)成為使用前述X標尺來測量晶片載臺WST (晶片臺WTB) 在X軸方向的位置(X位置)的多眼(此處為七眼)的X線性編碼器(以下適當簡稱為「X 編碼器」或「編碼器」)70B (參照圖8)。另外，讀取頭單元62D構(gòu)成為使用前述X標尺39X2 來測量晶片載臺WST (晶片臺WTB)的X位置的多眼(此處為十一眼)的X編碼器70D (參 照圖8)。另外，本實施形態(tài)中，例如在進行后述對準時等讀取頭單元62D所具備的十一個X 讀取頭66中的兩個讀取頭66有時會同時對向于X標尺39X1;X標尺39X2。此時，通過X標 尺與對向于此的X讀取頭66來構(gòu)成X線性編碼器70B，并通過X標尺39X2與對向于 此的X讀取頭66來構(gòu)成X線性編碼器70D。此處，^^一個X讀取頭66中的一部分、此處為三個X讀取頭為安裝于第一對準系 統(tǒng)ALl的支撐構(gòu)件54下方。另外，讀取頭單元62B、62D各自具備的相鄰X讀取頭66 (測量 光束)的間隔，設定成較前述X標尺39&、39&在￥軸方向的寬度(更正確而言為格子線37 的長度)窄。另外，讀取頭單元62B、62D各自具備的多個X讀取頭66中位于最內(nèi)側(cè)的X讀 取頭66，為了盡可能配置于投影光學系統(tǒng)PL的光軸，固定于投影光學系統(tǒng)PL的鏡筒40下 端部(更正確而言為包圍前端透鏡191的嘴單元32的橫方向側(cè))。再者，在第二對準系統(tǒng)AIA的-X側(cè)、第二對準系統(tǒng)AL24的+Y側(cè)，分別設有在平行 于X軸的直線(通過第一對準系統(tǒng)ALl的檢測中心)上且其檢測點相對該檢測中心配置成 大致對稱的Y讀取頭64yi、64y2。Y讀取頭64yi、64y2的間隔設定成大致與前述距離L相等。 Y讀取頭64yi、64y2在晶片載臺WST上的晶片W中心位于上述直線LV上的圖3所示的狀態(tài) 下分別與Y標尺39Υ2、39Α對向。在進行后述的對準動作時，Y標尺39Υ2、39Α分別與Y讀 取頭64yi、64y2對向配置，通過該Y讀取頭64yi、64y2 (即通過這些Y讀取頭64yi、64y2構(gòu)成 的Y編碼器70C、70A)來測量晶片載臺WST的Y位置(及θ ζ旋轉(zhuǎn))。另外，在本實施形態(tài)中，在進行第二對準系統(tǒng)的后述基線測量時，CD桿46的一對 基準格子52與Y讀取頭64yi、64y2系分別對向，通過與Y讀取頭64yi、64y2對向的基準格子 52，以各自的基準格子52來測量⑶桿46的Y位置。以下，將通過與基準格子52分別對向 的Y讀取頭64yi、64y2所構(gòu)成的編碼器稱為Y軸線性編碼器70E、70F(參照圖8)。上述六個線性編碼器70A 70E的測量值供應給主控制裝置20，主控制裝置20 即根據(jù)線性編碼器70A 70D的測量值控制晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置，并根據(jù)編碼器 70E、70F的測量值控制⑶桿46在θ z方向的旋轉(zhuǎn)。如圖3所示，本實施形態(tài)的曝光裝置100，設置有與照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng) 90b (參照圖8)所構(gòu)成的、例如于日本特開平6-283403號公報(對應美國專利第5，448，332 號說明書)等所公開的相同的斜入射方式的多點聚焦位置檢測系統(tǒng)(以下簡稱為「多點AF 系統(tǒng)」)。本實施形態(tài)中，作為其一例，在前述讀取頭單元62C的-X端部的-Y側(cè)配置照射系
31統(tǒng)90a，并以與其相對的狀態(tài)于前述讀取頭單元62A的+X端部的-Y側(cè)配置受光系統(tǒng)90b。此多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點在被檢測面上沿X軸方向以規(guī)定間隔配 置。在本實施形態(tài)中，例如配置成一行M列(M為檢測點的總數(shù))或兩行N列(N為檢測點總 數(shù)的1/2)的矩陣狀。圖3中并未個別圖示檢測光束分別照射的多個檢測點，而顯示在照射 系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細長檢測區(qū)域AF。此檢測區(qū)域AF由于其 X軸方向的長度設定成與晶片W的直徑相同，因此通過僅沿Y軸方向掃描晶片W —次，即能 測量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。另外，該檢測區(qū)域AF，由于在 Y軸方向，配置于前述液浸區(qū)域14(曝光區(qū)域IA)與對準系統(tǒng)(AL1、AL2”AL22、AL23、AL24) 的檢測區(qū)域之間，因此能同時以多點AF系統(tǒng)與對準系統(tǒng)進行其檢測動作。多點AF系統(tǒng)雖 可設于用在保持投影單元PU的主框架等，但在本實施形態(tài)中設置于前述測量框架。此外，多個檢測點雖然以1行M列或2行N列來配置，但行數(shù)及/或列數(shù)并不限于 此。不過，當行數(shù)為2以上時，最好在行之間使檢測點在X軸方向的位置也相異。再者，雖 多個檢測點沿X軸方向配置，但并不限于此，例如也可沿與X軸及Y軸兩方交叉的方向配置 多個檢測點。即，多個檢測點只要至少在X軸方向位置相異即可。另外，雖在本實施形態(tài)中 對多個檢測點照射檢測光束，但例如也可對檢測區(qū)域AF全區(qū)照射檢測光束。再者，檢測區(qū) 域AF在X軸方向的長度也可不與晶片W的直徑為相同程度。本實施形態(tài)的曝光裝置100在多點AF系統(tǒng)的多個檢測點中位于兩端的檢測點附 近、即檢測區(qū)域AF的兩端部附近，以相對前述直線LV呈對稱的配置設有各一對的Z位置測 量用面位置傳感器(以下簡稱為「Z傳感器」)72a、72b及72c、72d。這些Z傳感器72a 72d固定于未圖示的主框架的下面。Z傳感器72a 72d利用例如使用在⑶驅(qū)動裝置等的 光學讀取頭構(gòu)成的光學式位移傳感器(CD拾取方式的傳感器)，對晶片臺WTB上方照射光， 并接收其反射光來測量該光的照射點中晶片臺WTB表面在與XY平面正交的Z軸方向的位 置信息。此外，Z傳感器72a 72d也可設于前述測量框架等。另外，前述讀取頭單元62C，具備夾著連結(jié)多個Y讀取頭64的X軸方向的直線LH 位于一側(cè)與另一側(cè)、分別沿平行于直線LH的兩條直線上且以規(guī)定間隔配置的多個(此處為 各六個，合計為十二個)Z傳感器74i,j(i = 1，2，j = 1，2，...，6)。此時，成對的Z傳感器 74Μ、Ζ傳感器74。相對上述直線LH配置成對稱。再者，多對(此處為六對)Ζ傳感器7、 j>742jJ與多個Y讀取頭64在X軸方向交互配置。各Z傳感器74Μ，例如使用與前述Z傳感 器72a 72d相同的⑶拾取方式的傳感器。此處，位于相對直線LH成對稱的位置的各對Z傳感器7、」、742, j的間隔，設定成 與前述Z傳感器74c、74d的間隔相同的間隔。另外，一對Z傳感器74^74。位于與Z傳感 器72a、72b相同的與Y軸方向平行的直線上。又，前述讀取頭單元62A，具備相對前述直線LV與上述多個Z傳感器7軋j配置成 對稱的多個、此處為12個的Z傳感器76^ (p = l，2，q= 1，2，...，6)。各Z傳感器76"， 例如使用與前述Z傳感器72a 72d相同的⑶拾取方式的傳感器。另外，一對Z傳感器 761j3, 762,3位于與Z傳感器72a、72b相同的Y軸方向的直線上。此外，在圖3中省略測量載臺MST的圖示，以保持于該測量載臺MST與前端透鏡 191之間的水Lq而形成的液浸區(qū)域用符號14表示。另外，在該圖3中，符號78顯示局部 空調(diào)系統(tǒng)，用于將溫度被調(diào)整至規(guī)定溫度的干燥空氣沿圖3中所示的白色箭頭經(jīng)由降流送至多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的光束路附近。另外，符號UP表示進行晶片在晶片臺WTB上的 卸載的卸載位置，符號LP表示進行將晶片裝載于晶片臺WTB上的裝載位置。在本實施形態(tài) 中，卸載位置UP與裝載位置LP相對直線LV設定成對稱。此外，也能使卸載位置UP與裝載 位置LP為同一位置。圖8表示曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。該控制系統(tǒng)由用于統(tǒng)籌裝置整體 的微電腦(或工作站)所構(gòu)成的主控制裝置20為中心。此外，在圖8中，將前述照度不均 傳感器94、空間像測量器96、以及波面像差傳感器98等設于測量載臺MST的各種傳感器， 合稱為傳感器群99。以上述方式構(gòu)成的本實施形態(tài)的曝光裝置100，由于采用如前所述的晶片臺WTB 上的X標尺、Y標尺的配置及如前述的X讀取頭、Y測頭的配置，因此會如圖9 (A)及圖9 (B) 等的示例所示，晶片載臺WST的有效行程范圍(即本實施形態(tài)中的為了進行對準及曝光動 作而移動的范圍)中，X標尺39&、39Χ2與讀取頭單元62B、62D(X讀取頭66) —定為分別對 向，且Y標尺39Yp39Y2與讀取頭單元62A、62C(X讀取頭64)或Y讀取頭64yi、64y2 —定為 分別對向。此外，在圖9(A)及圖9(B)中，相對應的與X標尺或Y標尺對向的讀取頭用圓圈 框住表示。因此，主控制裝置20可在前述晶片載臺WST的有效行程范圍中，通過根據(jù)編碼器 70A 70D的至少三個的測量值控制構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的各馬達，來高精度控制晶片載 臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息(包含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)。編碼器70Α 70D的測量值 所承受的空氣晃動的影響，由于與干涉儀相比較小到幾乎可忽視，因此起因于空氣晃動的 測量值的短期穩(wěn)定性，比干涉儀好許多。此外，在本實施形態(tài)中，根據(jù)晶片載臺WST的有效 行程范圍及標尺的尺寸(即衍射光柵的形成范圍)等來設定讀取頭單元62A、62B、62C、62D 的尺寸(例如讀取頭數(shù)目及/或間隔等)。因此，在晶片載臺WST的有效行程范圍中，四個 標尺39XP39XP39YP39&雖然都分別與讀取頭單元62B、62D、62A、62C對向，但四個標尺也 可不全部與所對應的讀取頭單元對向。例如X標尺39&、39Χ2的一方、及/或Y標尺39A、 39Y2的一方也可從讀取頭單元脫離。當X標尺39Xp39X2的一方、或Y標尺39Yp39Y2的一 方從讀取頭單元脫離時，由于在晶片載臺WST的有效行程范圍中三個標尺仍與讀取頭單元 對向，因此能隨時測量晶片載臺WST在X軸、Y軸、以及θ ζ方向的位置信息。另外，當X標 尺39&、39Χ2的一方、或Y標尺39Yp39Y2的一方從讀取頭單元脫離時，由于在晶片載臺WST 的有效行程范圍中兩個標尺與讀取頭單元對向，因此雖無法隨時測量晶片載臺WST在θ z 方向的位置信息，但卻能隨時測量X軸及Y軸的位置信息。此時，也可并用通過干涉儀系統(tǒng) 118所測量的晶片載臺WST在θ ζ方向的位置信息，來進行晶片載臺WST的位置控制。另外，當如圖9(A)中白色箭頭所示將晶片載臺WST驅(qū)動于X軸方向時，用于測量 該晶片載臺WST在Y軸方向的位置的Y讀取頭64如該圖中的箭頭ei、e2所示按順序切換 至相鄰的Y讀取頭64。例如從實線圓圈框住的Y讀取頭64切換至以虛線圓圈框住的Y讀 取頭64。如此，測量值在此切換的前后被接續(xù)。即在本實施形態(tài)中，為了能順利地進行該Y 讀取頭64的切換及測量值的接續(xù)，如前所述的那樣將讀取頭單元62A、62C所具備的相鄰Y 讀取頭64的間隔設定成比Y標尺39Yp39Y2在X軸方向的寬度窄。另外，在本實施形態(tài)中，由于如前所述將讀取頭單元62B、62D所具備的相鄰Y讀取 頭66的間隔設定成比前述X標尺39&、39&在￥軸方向的寬度窄，因此與上述同樣地，當如圖9 (B)中白色箭頭所示將晶片載臺WST驅(qū)動于Y軸方向時，用于測量該晶片載臺WST在X 軸方向的位置的X讀取頭66，即按順序切換至相鄰的X讀取頭66 (例如從實線圓圈框住的 X讀取頭66切換至以虛線圓圈框住的X讀取頭66)，測量值在此切換的前后被接續(xù)。其次，針對編碼器70A 70F的構(gòu)成等，以放大表示于圖10 (A)的Y編碼器70A為 代表進行說明。在此圖10(A)中，表示將檢測光(測量光束)照射于Y標尺39A的讀取頭 單元62A的一個Y讀取頭64。Y讀取頭64，大致上由照射系統(tǒng)64a、光學系統(tǒng)64b、以及受光系統(tǒng)64c的三部分構(gòu) 成。照射系統(tǒng)64a，包含將激光束LB沿相對Y軸及Z軸成45°的方向射出的光源例如 半導體激光LD，以及配置在該半導體激光LD所射出的激光束LB的光路上的透鏡Li。光學系統(tǒng)64b，包含其分離面與XZ平面平行的偏振分光器PBS，一對反射鏡Rla、 Rlb，透鏡L2a、L2b，四分的一波長板(以下記述為λ /4板)WPla、WPlb，以及反射鏡R2a、R2b寸。前述受光系統(tǒng)64c包含偏光件(測光件)及光檢測器等。在該Y編碼器70A中，從半導體激光LD射出的激光束LB經(jīng)由透鏡Ll射入偏振分 光器PBS，使其偏振光被分離成兩個光束IA、LB2。透射過偏振分光器PBS的光束LB1,經(jīng)由 反射鏡Rla到達形成于Y標尺39A的反射型衍射格子RG，在偏振分光器PBS反射的光束LB2 則經(jīng)由反射鏡Rlb到達反射型衍射格子RG。此外，此處的「偏振光分離」，是指將入射光束 分離成P偏光成分與S偏光成分。利用光束IA、LB2的照射而從衍射格子RG產(chǎn)生的規(guī)定次數(shù)的衍射光束、例如一次 衍射光束，分別經(jīng)由透鏡L2b、L2a而被λ /4板WPla、WPlb轉(zhuǎn)換成圓偏光后，由反射鏡R2a、 R2b反射而再次通過λ /4板WPla、WPlb,沿著與去路相同光路的相反方向到達偏振分光器 PBS。到達偏振分光器PBS的兩個光束，其各自的偏光方向相對原本的方向被旋轉(zhuǎn)了 90 度。因此，先透射過偏振分光器PBS的光束LB1的一次衍射光束，在偏振分光器PBS反射而 射入到受光系統(tǒng)64c，先在偏振分光器PBS反射的光束LB2的一次衍射光束，則透射過偏振 分光器PBS后與光束LB1合成為同軸而射入到受光系統(tǒng)64c。接著，上述兩個一次衍射光束，在受光系統(tǒng)64c內(nèi)部被測光件整合其偏光方向，而 彼此干涉成為干涉光，該干涉光被光檢測器檢測，并轉(zhuǎn)換成與干涉光強度對應的電氣信號。從上述說明可知，在Y編碼器70A中，由于彼此干涉的兩個光束的光路長極短且大 致相等，因此幾乎可忽視空氣晃動的影響。另外，當Y標尺39YJ也即晶片載臺WST)移動于 測量方向(此時為Y軸方向)時，兩個光束各自的相位發(fā)生變化使干涉光的強度變化。該 干涉光的強度變化被受光系統(tǒng)64c檢測出，與該強度變化相對應的位置信息作為Y編碼器 70A的測量值輸出。其它的編碼器70B、70C、70D等也與編碼器70A為相同構(gòu)成。各編碼器 使用分辨率為例如0. Inm左右的編碼器。此外，如圖10 (B)所示，本實施形態(tài)的編碼器，可使 用橫長延伸于格子RG的周期方向的截面形狀的激光束LB來作為檢測光。在圖10(B)中， 與格子RG相比夸大圖示了光束LB。此外，編碼器的標尺，會隨著使用時間的經(jīng)過因熱膨脹等其它原因?qū)е卵苌涔鈻?變形，或衍射光柵的間距會產(chǎn)生部分或整體變化，缺少機械式的長期穩(wěn)定性。因此，由于其
34測量值所含的誤差會隨著使用時間的經(jīng)過而變大，因此對其需要進行修正。以下，根據(jù)圖11 說明以本實施形態(tài)的曝光裝置100進行的標尺的格子間距修正及格子變形的修正。該圖11中，符號IBY1、IBY2表示從Y軸干涉儀16照射于晶片臺WTB的反射面17a 的多數(shù)個光軸中兩光軸的測距光束，符號IBX1、IBX2表示從X軸干涉儀126照射于晶片臺 WTB的反射面17b的多數(shù)個光軸中兩光軸的測距光束。此時，測距光束IBY1、IBY相對上述 直線LV(與連結(jié)多個X讀取頭66的中心的直線一致)配置成對稱，Y軸干涉儀16的實質(zhì) 測距軸與上述直線LV—致。因此，只要利用Y軸干涉儀16，即能在無阿貝(Abbe)誤差的狀 態(tài)下測量晶片臺WTB的Y位置。同樣地，測距光束IBXl、IBX2相對通過投影光學系統(tǒng)PL的 光軸且與X軸平行的直線LH(與連結(jié)多個Y讀取頭64的中心的直線一致)配置成對稱，X 軸干涉儀126的實質(zhì)測距軸與通過投影光學系統(tǒng)PL的光軸且與X軸平行的直線LH —致。 因此，只要利用X軸干涉儀126，即能在無阿貝(Abbe)誤差的狀態(tài)下測量晶片臺WTB的X位 置。首先，說明X標尺的格子線變形(格子線彎曲)與Y標尺的格子線的間距修正。此 處為了使說明較為簡單，假設反射面17b為一理想平面。首先，主控制裝置20根據(jù)Y軸干涉儀16與X軸干涉儀126的測量值驅(qū)動晶片載 臺WST，將晶片載臺WST定位成如圖11所示，Y標尺39Yi及39Y2配置于各自對應的讀取頭 單元62A、62D (至少一個讀取頭)的正下方，且Y標尺39Yp39Y2 (衍射光柵)+Y側(cè)的一端位 于與各自對應的讀取頭單元62A、62C —致的位置。其次，主控制裝置20，以可忽視Y軸干涉儀16的測量值的短期變行程度的低速將 X軸干涉儀126的測量值固定于規(guī)定值，且根據(jù)Y軸干涉儀16及Z傳感器Ti4Jt4Je1, 3>762,3的測量值，一邊將縱搖量、橫搖量、以及偏搖量均維持于零，一邊將晶片載臺WST移動 于例如圖11中箭頭所示的+Y方向，直到例如Y標尺39Yi、39Y2的另一端(_Y側(cè)的一端)與 各自對應的讀取頭單元62A、62C —致為止(在前述的有效行程范圍內(nèi))。在此移動中，主 控制裝置20以規(guī)定取樣間隔取入Y線性編碼器70A、70C的測量值及Y軸干涉儀16的測量 值(測定光束IBY1、IBY2的測量值)，并根據(jù)該取入的測量值求出Y線性編碼器70A、70C的 測量值與Y軸干涉儀16的測量值的關(guān)系。即，主控制裝置20求出隨著晶片載臺WST的移 動而按順序?qū)ο蚺渲糜谧x取頭單元62A及62C的Y標尺39Α、39Υ2的格子間距(相鄰的格 子線的間隔)及該格子間距的修正信息。修正信息，例如當以橫軸為干涉儀的測量值，以縱 軸為編碼器的測量值時，可求出為將兩者關(guān)系以曲線表示的修正圖等。此時Y軸干涉儀16 的測量值由于以前述極低速掃描晶片載臺WST時所得的值，因此不但不包含長期性變動誤 差，也幾乎不包含因空氣晃動等導致的短期性變動誤差，可將其視為可忽視誤差的正確的 值。此外，當在上述范圍內(nèi)，也可如圖11中的箭頭F’所示使晶片載臺WST移動于-Y方向， 在經(jīng)由與上述相同的步驟求出Y標尺39Yp39Y2的格子間距(相鄰的格子線的間隔)及該 格子間距的修正信息。此處，雖然沿Y標尺39Α、39Υ2兩端橫越所對應的讀取頭單元62A、 62C的范圍使晶片載臺WST驅(qū)動于Y軸方向，但并不限于此，例如也可在晶片的曝光動作時 晶片載臺WST所移動的Y軸方向的范圍內(nèi)驅(qū)動晶片載臺WST。另外，主控制裝置20在上述晶片載臺WST的移動中，使用從伴隨該移動而按順序 對向配置于X標尺39Xi、39X2的讀取頭單元62B及62D的多個X讀取頭66所得到的測量 值、以及與各測量值對應的Y軸干涉儀16的測量值，來進行規(guī)定統(tǒng)計運算，而求出按順序?qū)ο蛴谠摱鄠€X讀取頭66的格子線37的變形(彎曲)的修正信息。此時，主控制裝置20，例 如算出按順序?qū)ο蚺渲糜赬標尺39&、39Χ2的讀取頭單元62B及62D的多個讀取頭的測量 值(或加權(quán)平均值)等，以作為格子彎曲的修正信息。之所以如此，是因為當反射面17b為 一理想平面時，由于在將晶片載臺WST運送于+Y方向或-Y方向的過程中應會反復出現(xiàn)相 同的模糊圖案，因此只要將以多個X讀取頭66取得的測量資料予以平均化，即能正確地求 出按順序?qū)ο蛴谠摱鄠€讀取頭66的格子線37的變形(彎曲)的修正信息。 此外，當反射面17b非為理想平面時，即預先測量該反射面的凹凸(彎曲)以求出 該彎曲的修正數(shù)據(jù)。接著，在上述晶片載臺WST移動于+Y方向或-Y方向時，只要代替將X 軸干涉儀126的測量值固定于規(guī)定值的方式，通過根據(jù)該修正數(shù)據(jù)來控制晶片載臺WST的 X位置，即可正確地使晶片載臺WST移動于Y軸方向。如此一來，可以與上述同樣地，求得Y 標尺的格子間距的修正信息及格子線37的變形(彎曲)的修正信息。此外，用多個X讀取 頭66取得的測量資料是反射面17b在相異部位基準的多個數(shù)據(jù)，由于任一讀取頭均測量同 一格子線的變形(彎曲)，因此通過上述的平均化動作，也有反射面的彎曲修正剩余誤差經(jīng) 平均化而接近真正的值(換言之，通過將用多個讀取頭取得的測量數(shù)據(jù)(格子線的彎曲信 息)予以平均化，而能減弱彎曲剩余誤差的影響)的附帶效果。其次，說明Y標尺的格子線變形(格子線彎曲)與X標尺的格子線的間距修正。此 處為了使說明較為簡單，假設反射面17a為一理想平面。此時，只要在上述修正的情形中將 X軸方向與Y軸方向交換來進行處理即可。S卩，首先，主控制裝置20驅(qū)動晶片載臺WST，以將晶片載臺WST定位成，X標尺
及39&配置于各自對應的讀取頭單元62B、62D (至少一個讀取頭)的正下方，且X標尺39&、 39X2 (衍射光柵)+Y側(cè)(或-X側(cè))的一端位于與各自對應的讀取頭單元62B、62C —致的位 置。其次，主控制裝置20以可忽視X軸干涉儀126的測量值的短期變行程度的低速并將Y 軸干涉儀16的測量值固定于規(guī)定值，且根據(jù)X軸干涉儀126等的測量值，一邊將縱搖量、橫 搖量、以及偏搖量均維持于零，一邊將晶片載臺WST移動于+X方向(或-X方向)，直到例如 X標尺39Xi、39X2的另一端(-Y側(cè)(或+Y側(cè))的一端)與各自對應的讀取頭單元62A、62C 一致為止(在前述的有效行程范圍內(nèi))。在此移動中，主控制裝置20以規(guī)定取樣間隔取入 X線性編碼器70B、70D的測量值及X軸干涉儀126的測量值(測定光束IBX1、IBX2的測量 值)，并根據(jù)該取入的測量值求出X線性編碼器70B、70D的測量值與X軸干涉儀126的測 量值的關(guān)系。即，主控制裝置20求出隨著晶片載臺WST的移動而按順序?qū)ο蚺渲糜谧x取頭 單元62B及62D的X標尺39&、39Χ2的格子間距及該格子間距的修正信息。修正信息，例如 當以橫軸為干涉儀的測量值，以縱軸為編碼器測量值時，可求出為將兩者關(guān)系以曲線表示 的修正圖等。此時X軸干涉儀126的測量值由于以前述極低速掃描晶片載臺WST時所得的 值，因此不但不包含長期性變動誤差，也幾乎不包含因空氣晃動等導致的短期性變動誤差， 可將其視為可忽視誤差的正確的值。另外，主控制裝置20在上述晶片載臺WST的移動中，使用伴隨該移動而按順序?qū)?向配置于Y標尺39Yi、39Y2的讀取頭單元62A及62C的多個X讀取頭64所得到的測量值、 以及與各測量值對應的X軸干涉儀126的測量值，來進行規(guī)定統(tǒng)計運算，求出按順序?qū)ο蛴?該多個Y讀取頭64的格子線38的變形(彎曲)的修正信息。此時，主控制裝置20，例如 算出按順序?qū)ο蚺渲糜赮標尺39Α、39Υ2的讀取頭單元62A及62C的多個讀取頭的測量值(或加權(quán)平均值)等，以作為格子彎曲的修正信息。之所以如此，是因為當反射面17a為一 理想平面時，由于在將晶片載臺WST運送于+X方向或-X方向的過程中應會反復出現(xiàn)相同 的模糊圖案，因此只要將用多個Y讀取頭64取得的測量資料予以平均化，即能正確地求出 按順序?qū)ο蛴谠摱鄠€讀取頭64的格子線38的變形(彎曲)的修正信息。另外，當反射面17a非為理想平面時，預先測量該反射面的凹凸(彎曲)以求出該 彎曲的修正數(shù)據(jù)。接著，在上述晶片載臺WST移動于+X方向或-X方向時，只要代替將Y軸 干涉儀16的測量值固定于規(guī)定值的方式，通過根據(jù)該修正數(shù)據(jù)來控制晶片載臺WST的Y位 置，即可正確地使晶片載臺WST移動于X軸方向。如此一來，即能與上述同樣地，求得X標 尺的格子間距的修正信息及格子線38的變形(彎曲)的修正信息。針對規(guī)定的時刻、例如針對各批量，主控制裝置20得到Y(jié)標尺的格子間距的修正 信息及格子線37的變形(彎曲)的修正信息，以及X標尺的格子間距的修正信息及格子線 38的變形(彎曲)的修正信息。接著，在批量內(nèi)的晶片的曝光處理中，主控制裝置20 —邊根據(jù)Y標尺的格子間距 的修正信息及上述格子線38的變形(彎曲)的修正信息來修正從讀取頭單元62A、62C所 得的測量值(即編碼器70A、70C的測量值)，一邊控制晶片載臺WST在Y軸方向的位置。由 此，可不受Y標尺的格子間距隨時間的變化及格子線38的彎曲的影響，使用Y線性編碼器 70A、70C以良好精度控制晶片載臺WST在Y軸方向的位置。另外，在批量內(nèi)的晶片的曝光處理中，主控制裝置20 —邊根據(jù)X標尺的格子間距 的修正信息及格子線38的變形(彎曲)的修正信息來修正讀取頭單元62B、62D所得的測 量值(即編碼器70B、70D的測量值)，一邊控制晶片載臺WST在X軸方向的位置。由此，可 不受X標尺的格子間距隨時間的變化及格子線37的彎曲的影響，使用X線性編碼器70B、 70D以良好精度控制晶片載臺WST在X軸方向的位置。此外，在上述說明中，雖然對Y標尺39Yp39Y2及X標尺39&、39Χ2均進行格子間 距、以及格子線彎曲的修正信息的取得，但并不限于此，也可僅對Y標尺39Υρ39Υ2&Χ標尺 39&、39Χ2的任一者進行格子間距及格子線彎曲的修正信息的取得，或也可對Y標尺39A、 39Y2&X標尺39&、39Χ2兩者進行格子間距、格子線彎曲中任一者的修正信息的取得。當例 如僅進行格子線彎曲的修正信息的取得時，也可不使用Y軸干涉儀16，而僅根據(jù)Y線性編碼 器70A、70C的測量值來使晶片載臺WST移動于Y軸方向，或也可不使用X軸干涉儀126，而 僅根據(jù)X線性編碼器70B、70D的測量值來使晶片載臺WST移動于X軸方向。其次，使用圖12(A) 圖12 (C)，簡單地說明以本實施形態(tài)的曝光裝置100進行的 晶片對準。此外，其詳細情形留待后述。此處，說明將依圖12(C)所示的配置(照射圖)而形成有多個照射區(qū)域的晶片W 上被著色的十六個照射區(qū)域AS作為對準照射區(qū)域時的動作。此外，圖12 (A)、圖12 (B)中省 略測量載臺MST的圖示。作為前提，第二對準系統(tǒng)AIA AL24已配合對準照射區(qū)域AS的配置而事前調(diào)整 了其X軸方向的位置。此外，該第二對準系統(tǒng)AIA AL24的具體位置調(diào)整的方法，留待后 述。首先，主控制裝置20將晶片W中心已定位于裝載位置LP的晶片載臺WST朝向圖 12(A)中的左斜上方移動，并將其定位于晶片W中心位于直線LV上的規(guī)定位置(后述的對準開始位置)。此時的晶片載臺WST的移動，通過由主控制裝置20根據(jù)X編碼器70D的測 量值及Y軸干涉儀16的測量值來驅(qū)動載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的各馬達來進行。在定位于對準 開始位置的狀態(tài)下，裝載有晶片W的晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置(包含ΘΖ旋轉(zhuǎn))的控 制，根據(jù)分別對向于X標尺39&、39Χ2的讀取頭單元62D所具備的兩個讀取頭66的測量值、 以及分別對向于Y標尺39A、39Y2的Y讀取頭64y2、64yi (四個編碼器)的測量值來進行。其次，主控制裝置20根據(jù)上述四個編碼器的測量值使晶片載臺WST往+Y方向移 動規(guī)定距離使其定位于圖12(A)所示的位置，使用第一對準系統(tǒng)AL1，第二對準系統(tǒng)AL22、 AL23同時且獨立地檢測出附設于三個第一對準照射區(qū)域AS的對準標記(參照圖12(A)中 的星標記)，再將上述三個對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四 個編碼器的測量值以彼此相關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。此外，此時未檢測對準標 記的兩端的第二對準系統(tǒng)AL2” AL24，也可不對晶片臺WTB (或晶片)照射檢測光或也可照 射。另外，本實施形態(tài)的晶片對準為設定晶片載臺WST在X軸方向的位置，以使第一對準系 統(tǒng)ALl配置于晶片臺WTB的中心線上，該第一對準系統(tǒng)ALl檢測位于晶片的子午線上的對 準照射區(qū)域的對準標記。此外，雖也可將對準標記形成于晶片W上的各照射區(qū)域內(nèi)部，但本 實施形態(tài)中將對準標記形成于各照射區(qū)域外部、即區(qū)劃出晶片W的多數(shù)個照射區(qū)域的區(qū)塊 界線(劃線)上。其次，主控制裝置20根據(jù)上述四個編碼器的測量值使晶片載臺WST往+Y方向移 動規(guī)定距離，使其定位于能使用五個對準系統(tǒng)AL1、AIA AL24同時且獨立地檢測出附設 于晶片W上的五個第二對準照射區(qū)域AS的對準標記的位置，再將上述五個對準系統(tǒng)AL1、 AIA AL24的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四個編碼器的測量值以彼此相關(guān)聯(lián)的方式 儲存于未圖示的存儲器其次，主控制裝置20根據(jù)上述四個編碼器的測量值使晶片載臺WST往+Y方向移 動規(guī)定距離，使其定位于能使用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24同時且獨立地檢測出附設于 晶片W上的五個第三對準照射區(qū)域AS的對準標記的位置，再使用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24，同時且獨立地檢測出五個對準標記(參照圖12(B)中的星標記)，并將上述五個對準 系統(tǒng)AL1、AIA AL24的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四個編碼器的測量值以彼此相關(guān) 聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。其次，主控制裝置20根據(jù)上述四個編碼器的測量值使晶片載臺WST往+Y方向移 動規(guī)定距離，使其定位于能使用第一對準系統(tǒng)AL1，第二對準系統(tǒng)AL22、AL23同時且獨立地 檢測出附設于晶片W上的三個第一對準照射區(qū)域AS的對準標記的位置，再使用上述三個對 準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，同時且獨立地檢測出三個對準標記(參照圖12(B)中的星標記)， 并將上述三個對準系統(tǒng)41^131^2、41^23的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四個編碼器的測 量值以彼此相關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。接著，主控制裝置20使用以上述方式獲得的合計十六個對準標記的檢測結(jié)果與 所對應的上述四個編碼器的測量值、以及第二對準系統(tǒng)A12n的基線，通過例如日本特開昭 61-44429號公報(對應美國專利第4，780，617號說明書)等所公開的EGA方式進行統(tǒng)計運 算，算出上述四個編碼器(四個讀取頭單元)的測量軸所規(guī)定的坐標系統(tǒng)(例如以投影光 學系統(tǒng)PL的光軸為原點的XY坐標系統(tǒng))上的晶片W上的所有照射區(qū)域的排列。這樣，在本實施形態(tài)中，通過使晶片載臺WST往+Y方向移動，且將晶片載臺WST定位在該移動路徑上的四處，與以單一對準系統(tǒng)按順序檢測十六處的對準照射區(qū)域AS的 情況等相比較，能以更短時間獲得對準標記在合計十六處的對準照射區(qū)域AS的位置信息。 在這種情形下，尤其例如就對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23來看可輕易得知，這些對準系統(tǒng)AL1、 AL22、AL23系與上述晶片載臺WST的移動動作連動，而分別檢測出按順序配置于檢測區(qū)域 (例如相當于檢測光的照射區(qū)域)內(nèi)的沿Y軸方向排列的多個對準標記。因此，在進行上述 對準標記的測量時，不須使晶片載臺WST移動于X軸方向。另外，此時，會因晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置(特別是Y位置(晶片W進入 多個對準系統(tǒng)的比例))不同，使多個對準系統(tǒng)所大致同時檢測的晶片W上的對準標記的檢 測點數(shù)(測量點數(shù))相異。因此，在使晶片載臺WST移動于與多個對準系統(tǒng)的排列方向(X 軸方向)正交的Y軸方向時，依照晶片載臺WST的位置、換言之依照晶片W上的照射區(qū)域排 列，使用所需數(shù)目的對準系統(tǒng)來同時檢測晶片W上的互異位置的標記。
此外，通常晶片W的表面不會是理想平面，而會多少有些凹凸。因此，僅在晶片臺 WTB在Z軸方向(與投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向)的某位置、用上述多個對準 系統(tǒng)同時進行測量時，至少一個對準系統(tǒng)在散焦的狀態(tài)下進行對準標記的檢測的可能性很 高。因此，本實施形態(tài)中，用下述方式來抑制因以散焦狀態(tài)進行對準標記的檢測導致的對準 標記位置的測量誤差。S卩，主控制裝置20，針對上述各對準照射區(qū)域中用于檢測對準標記的晶片載臺 WST的各定位位置，一邊通過構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 —部分的未圖示的Z調(diào)平機構(gòu)，改變多 個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24與晶片臺WTB (晶片載臺WST)所裝載的晶片W之間的、在垂直 于XY平面的Z軸方向(聚焦方向)中的相對位置關(guān)系，一邊控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(Z調(diào)平 機構(gòu))與對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24，以便通過與各對準標記對應的各對準系統(tǒng)來大致同時 檢測形成于晶片W上的互異位置的各對準標記。圖13(A) 圖13(C)表示在前述第三對準照射區(qū)域的對準標記檢測位置，在晶片 載臺WST已定位的圖12(B)所示的狀態(tài)中五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i 々1^24檢測晶片W上的 標記的情形。這些圖13(A) 圖13 (C)，使晶片臺WTB (晶片W)位于分別不同的Z位置并 使用對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24來同時檢測不同對準標記的情形。在圖13㈧的狀態(tài)下，兩 端的對準系統(tǒng)AL2i、AL24為聚焦狀態(tài)而剩余的對準系統(tǒng)則為散焦狀態(tài)。在圖13(B)的狀態(tài) 下，對準系統(tǒng)AL22&AL23為聚焦狀態(tài)而剩余的對準系統(tǒng)則為散焦狀態(tài)。在圖13(C)的狀態(tài) 下，僅有中央的對準系統(tǒng)ALl為聚焦狀態(tài)而剩余的對準系統(tǒng)則為散焦狀態(tài)。這樣，一邊通過使晶片臺WTB (晶片W)的Z位置變化，來改變多個對準系統(tǒng)ALl、 AIA AL24與晶片臺WTB(晶片載臺WST)所裝載的晶片W之間的、在Z軸方向(聚焦方 向)中的相對位置關(guān)系，一邊用對準系統(tǒng)AL1、AIA AL24檢測對準標記，由此任一對準系 統(tǒng)均能大致以最佳聚焦狀態(tài)測量對準標記。因此，通過在各對準系統(tǒng)中，主控制裝置20例 如優(yōu)先使用在最良好的聚焦狀態(tài)下的標記檢測結(jié)果等，可幾乎不受晶片W表面的凹凸及多 個對準系統(tǒng)的最佳聚焦差異的影響，以良好精度檢測出形成于晶片W上的彼此不同位置的 標記。此外，在上述說明中，雖然在各對準系統(tǒng)中例如優(yōu)先使用在最良好的聚焦狀態(tài)下 的標記檢測結(jié)果，但并不限于此，主控制裝置20也可使用在散焦狀態(tài)下的標記檢測結(jié)果來 求出對準標記的位置信息。在這種情況下，也能乘上與散焦狀態(tài)對應的權(quán)重來使用在散焦狀態(tài)下的標記檢測結(jié)果。另外，有時會隨著例如形成于晶片的層的材料等不同，使散焦狀態(tài) 下的標記檢測結(jié)果比最佳聚焦狀態(tài)下的標記檢測結(jié)果良好。此時，也可對各對準系統(tǒng)在得 到最良好結(jié)果的聚焦狀態(tài)、即散焦狀態(tài)下來進行標記檢測，并使用其檢測結(jié)果來求出標記 的位置信息。另外，由圖13(A) 圖13(C)也可知，有時所有對準系統(tǒng)的光軸并不一定都與相同 理想方向(Z軸方向)正確一致，也會因相對該Z軸的光軸的傾斜(平行性)的影響而使對 準標記的位置檢測結(jié)果含有誤差。因此，最好系預先測量所有對準系統(tǒng)的光軸相對Z軸的 傾斜，并根據(jù)該測量結(jié)果來修正對準標記的位置檢測結(jié)果。 其次，說明第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量(基線檢查)。此處，第一對準系統(tǒng)ALl 的基線，是指投影光學系統(tǒng)PL的圖案(例如標線片R的圖案)投影位置與第一對準系統(tǒng) ALl的檢測中心的位置關(guān)系(或距離)。a.在該第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量開始的時刻，如圖14㈧所示，利用嘴單元 32來在投影光學系統(tǒng)PL與測量臺MTB及⑶桿46的至少一方之間形成液浸區(qū)域14。艮口， 晶片載臺WST與測量載臺MST為分離狀態(tài)。當進行第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量時，首先主控制裝置20，如圖14(A)所示用 第一對準系統(tǒng)ALl檢測(觀察)位于前述測量板30中央的基準標記FM(參照圖14㈧中 的星符號)。接著，主控制裝置20將該第一對準系統(tǒng)ALl的檢測結(jié)果與該檢測時編碼器 70A 70D的測量值彼此賦予對應關(guān)系后儲存于存儲器。以下為了方便說明，將此處理稱 為Pri-BCHK的前半處理。在進行此Pri-BCHK的前半處理時，晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位 置，根據(jù)對向于X標尺39Xi、39X2的圖14 (A)中以圓圈框住表示的兩個X讀取頭66 (編碼 器70B、70D)、以及對向于Y標尺39Yp39Y2的圖14(A)中以圓圈框住表示的兩個Y讀取頭 64y2、64yi(編碼器 70A、70C)來控制。b.其次，主控制裝置20開始使晶片載臺WST往+Y方向移動，以使測量板30如圖 14(B)所示位于投影光學系統(tǒng)PL的正下方位置。在該晶片載臺WST往+Y方向的移動開始 后，主控制裝置20根據(jù)間隔偵測傳感器43A、43C的輸出偵測晶片載臺WST與測量載臺MST 的接近，而在此前后、即晶片載臺WST往+Y方向移動中，經(jīng)由前述驅(qū)動機構(gòu)34A、34B開始開 啟開閉器49A、49B，通過開啟該開閉器以容許晶片載臺WST與測量載臺MST更加接近。另 夕卜，主控制裝置20根據(jù)開閉傳感器101的檢測結(jié)果來確認開閉器49A、49B的開啟。c.其次，當主控制裝置20根據(jù)撞擊偵測傳感器43B、43C的輸出偵測到晶片載臺 WST與測量載臺MST彼此接觸(或接近至300 μ m左右的距離)時，立刻使晶片載臺WST暫 時停止。其后，主控制裝置20在保持晶片載臺WST與測量載臺MST彼此接觸的狀態(tài)下(或 保持300 μ m左右的距離的狀態(tài)下)，進一步地使其成一體地往+Y方向移動。接著，在此移 動的途中將液浸區(qū)域14從⑶桿46移交至晶片臺WTB。d.接著，當晶片載臺WST到達圖14(B)所示的位置時，主控制裝置20停止兩載臺 WST、MST,并使用包含測量板30的前述空間像測量裝置45來測量投影光學系統(tǒng)PL所投影 的標線片R上的一對測量標記投影像(空間像)。例如可使用與前述日本特開2002-14005 號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等公開的方法同樣的方法， 通過使用一對空間像測量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測量動作，分別測量一對 測量標記的空間像，并將該測量結(jié)果(與晶片臺WTB的XY位置對應的空間像強度)儲存于存儲器。以下為了方便說明，將此標線片R上的一對測量標記的空間像測量處理稱為 Pri-BCHK的后半處理。在進行此Pri-BCHK的后半處理時，晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置， 根據(jù)對向于X標尺、39X2的圖14 (B)中以圓圈框住顯示的兩個X讀取頭66 (編碼器70B、 70D)、以及對向于Y標尺39Yp39Y2的圖14 (B)中以圓圈框住顯示的兩個Y讀取頭64 (編碼 器70A、70C)來控制。接著，主控制裝置20即根據(jù)前述Pri-BCHK的前半處理結(jié)果與Pri-B CHK的后半處 理結(jié)果算出第一對準系統(tǒng)ALl的基線。此外，如上所述，在此第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量結(jié)束的時刻(即Pri-BCHK的 后半處理結(jié)束的時刻)，測量載臺MST與晶片載臺WST為接觸狀態(tài)(或分離300 μ m左右的 距離的狀態(tài))。其次，主要說明在開始對批量的晶片的處理前(批量前頭)所進行的第二對準系 統(tǒng)AL2n(n = 1 4)的基線測量動作。此處的第二對準系統(tǒng)AL2n的基線，是指以第一對準 系統(tǒng)ALl (的檢測中心)為基準的各第二對準系統(tǒng)AL2n(的檢測中心)的相對位置。此外， 第二對準系統(tǒng)AL2n(n = 1 4)，例如依照批量內(nèi)晶片的照射圖數(shù)據(jù)被前述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu) 60n驅(qū)動而設定出其X軸方向位置。e.在批量前頭所進行的第二對準系統(tǒng)的基線測量(以下也適當稱為Sec-BCHK) 時，主控制裝置20首先如圖15(A)所示，以第一對準系統(tǒng)ALl檢測批量前頭的晶片W(處理 晶片)上的特定對準標記(參照圖15(A)中的星標記)，并將其檢測結(jié)果與該檢測時編碼 器70A 70D的測量值彼此賦予對應關(guān)系后儲存于存儲器。在此圖15(A)的狀態(tài)下，晶片 臺WTB在XY平面內(nèi)的位置，根據(jù)對向于X標尺39Xp39X2的兩個X讀取頭66 (編碼器70B、 70D)、以及對向于Y標尺39Yp39Y2的兩個Y讀取頭64y2、64yi (編碼器70A、70C)，由主控制 裝置20來控制。f.其次，主控制裝置20使晶片載臺WST往-X方向移動規(guī)定距離，而如圖15(B) 所示，以第二對準系統(tǒng)々!^檢測上述特定對準標記(參照圖15(B)中的星標記)，并將其檢 測結(jié)果與該檢測時編碼器70A 70D的測量值彼此賦予對應關(guān)系后儲存于存儲器。在此圖 15⑶的狀態(tài)下，晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置，系根據(jù)對向于X標尺39&、39Χ2的兩個X 讀取頭66 (編碼器70B、70D)、以及對向于Y標尺39、、39Y2的兩個Y讀取頭64 (編碼器70Α、 70C)來控制。g.同樣地，主控制裝置20使晶片載臺WST按順序往+X方向移動，用剩下的第二 對準系統(tǒng)AL22、AL23、AL24按順序檢測上述特定對準標記，并將檢測結(jié)果與該檢測時編碼器 70A 70D的測量值彼此按順序賦予對應關(guān)系后儲存于存儲器。h.接著，主控制裝置20根據(jù)上述e.的處理結(jié)果與上述f.或g.的處理結(jié)果，分別 算出各第二對準系統(tǒng)AL2n的基線。這樣，由于可使用批量前頭的晶片W(處理晶片)，通過用第一對準系統(tǒng)ALl與各第 二對準系統(tǒng)AL2n檢測出該晶片W上的同一對準標記來求出各第二對準系統(tǒng)AL2n的基線，通 過該處理，作為結(jié)果，也修正因進行處理導致的對準系統(tǒng)間的檢測偏置誤差。此外，也可取 代晶片的對準標記而使用晶片載臺WST或測量載臺MST上的基準標記，來進行第二對準系 統(tǒng)AL2n的基線測量。此時，也可兼用第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量所使用的測量板30的 基準標記FM，即能以第二對準系統(tǒng)AL2n來分別檢測基準標記FM0或者，也可以與第二對準系統(tǒng)AL2n相同的位置關(guān)系將η個基準標記設于晶片載臺WST或測量載臺MST，再用第二對 準系統(tǒng)AL2n大致同時執(zhí)行基準標記的檢測。此基準標記，例如可使用CD桿46的基準標記 M0進而，能以第一對準系統(tǒng)ALl相對基線測量用基準標記FM的規(guī)定位置關(guān)系，將第二對準 系統(tǒng)AL2n的基線測量用基準標記設于晶片載臺WST，來與第一對準系統(tǒng)ALl對基準標記FM 的檢測大致同時地執(zhí)行第二對準系統(tǒng)AL2n對基準標記FM的檢測。此時第二對準系統(tǒng)AL2n 的基線測量用基準標記可為一個，也可為多個，例如與第二對準系統(tǒng)AL2n設置成相同數(shù)目。 另外，在本實施形態(tài)中，由于第一對準系統(tǒng)ALl及第二對準系統(tǒng)AL2n能分別檢測出二維標 記(X、Y標記)，因此通過在第二對準系統(tǒng)AL2n的基線測量時使用二維標記，就能同時求出 第二對準系統(tǒng)AL2n的X軸及Y軸方向的基線。在本實施形態(tài)中，基準標記FM、M及晶片的 對準標記，例如包含多條線標記分別周期性排列X軸及Y軸方向的一維X標記及Y標記。
其次，說明在批量內(nèi)的晶片處理中，以規(guī)定時刻、例如晶片的曝光結(jié)束至次一晶片 裝載至晶片臺WTB上的動作結(jié)束的期間，即晶片更換中所進行的Sec-BCHK動作。此時的 Sec-BCHK,由于以每次更換晶片的時距來進行，因此以下也稱為Sec-BCHK(時距)。在進行此Sec-BCHK (時距)時，主控制裝置20如圖16所示移動測量載臺MST，以 使配置有第一對準系統(tǒng)ALl的檢測中心的上述直線LV與中心線CL大致一致，且⑶桿46 與第一對準系統(tǒng)ALl及第二對準系統(tǒng)AL2n對向。接著，根據(jù)與⑶桿46上的一對基準格子 52分別對向的圖16中以圓圈框住顯示的Y讀取頭64yi、64y2(Y軸線性編碼器70E、70F)的 測量值調(diào)整⑶桿46的θ ζ旋轉(zhuǎn)，且根據(jù)用以檢測位于測量臺MTB的中心線CL上或其附近 的基準標記Μ、在圖16中以圓圈框住顯示的第一對準系統(tǒng)ALl的測量值，并使用例如干涉儀 的測量值調(diào)整⑶桿46的XY位置。接著，在此狀態(tài)下，主控制裝置20通過使用四個第二對準系統(tǒng)AIA AL24同時測 量位于各第二對準系統(tǒng)視野內(nèi)的CD桿46上的基準標記M,來分別求出四個第二對準系統(tǒng) ΑΙΛ AL24的基線。接著，通過在進行其后的處理時使用新測量出的基線，來修正四個第 二對準系統(tǒng)AI^1 AL24的基線的漂移。此外，上述Sec-BCHK(時距)雖然通過多個第二對準系統(tǒng)來同時測量相異的基準 標記，但并不限于此，也能通過多個第二對準系統(tǒng)按順序(非同時)測量CD桿46上的同一 基準標記M，來分別求出四個第二對準系統(tǒng)AIA AL24的基線。其次，根據(jù)圖17㈧及圖17⑶簡單說明第二對準系統(tǒng)AL2n的位置調(diào)整動作。在進行調(diào)整前，第一對準系統(tǒng)ALl與四個第二對準系統(tǒng)AIA AL24的位置關(guān)系為 圖17(A)的位置關(guān)系。主控制裝置20如圖17(B)所示移動測量載臺MST，使第一對準系統(tǒng)ALl與四個第 二對準系統(tǒng)AI^1 AL24位于⑶桿46上方。其次，與進行上述Sec-BCHK(時距)時同樣 地，根據(jù)Y軸線性編碼器70E、70F(Y讀取頭64yi、64y2)的測量值調(diào)整⑶桿46的θ z旋轉(zhuǎn)， 且根據(jù)用于檢測位在測量臺MTB的中心線CL上或其附近的基準標記M的第一對準系統(tǒng)ALl 的測量值來調(diào)整CD桿46的XY位置。與此同時，主控制裝置20根據(jù)包含次一曝光對象的 晶片上對準照射區(qū)域的尺寸及配置(即晶片上對準標記的配置)信息的照射圖信息，驅(qū)動 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)60i 604，以使設于各第二對準系統(tǒng)AL2n前端的臂56分別以各自的旋轉(zhuǎn)中 心為中心如圖17(B)中箭頭所示那樣旋轉(zhuǎn)。此時，主控制裝置20系一邊監(jiān)測各第二對準系 統(tǒng)AL2n的檢測結(jié)果，一邊在⑶桿46上的所希望的基準標記M進入各第二對準系統(tǒng)AL2n的視野(檢測區(qū)域)的位置停止各臂56的旋轉(zhuǎn)。由此，配合附于待檢測對準照射區(qū)域的對準標記的配置，來調(diào)整(改變)第二對準系統(tǒng)AL2n&基線。即，改變第二對準系統(tǒng)AL2n的檢 測區(qū)域在X軸方向的位置。由此，僅須使晶片W移動于X軸方向，即能通過各第二對準系統(tǒng) 八！^^來按順序檢測出在晶片W上其X軸方向位置大致相同且Y軸方向位置相異的多個對準 標記。在本實施形態(tài)中，晶片對準動作、即第一對準系統(tǒng)ALl及第二對準系統(tǒng)AL2n對晶片 的對準標記的檢測動作，雖如后述那樣使晶片W僅往Y軸方向進行一維移動，但也可在該動 作的途中使至少一個第二對準系統(tǒng)AL2n的檢測區(qū)域與晶片W相對移動于與Y軸方向相異 的方向(例如X軸方向)。此時，雖可通過第二對準系統(tǒng)AL2n的移動來調(diào)整檢測區(qū)域的位 置，但也可在考慮調(diào)整時間或基線變化等后僅使晶片W移動。接著，在以上述方式調(diào)整第二對準系統(tǒng)AL2n的基線后，主控制裝置20使各真空墊 58n動作以將各臂56 吸附固定于未圖示的主框架。由此來維持各臂56n的旋轉(zhuǎn)角度調(diào)整后 的狀態(tài)。此外，在上述說明中，雖用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i 々1^24來同時且獨立地檢測出 形成于⑶桿46上相異位置的基準標記M，但并不限于此，也能用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24來同時且獨立地檢測出形成于晶片W(處理晶片)上相異位置的對準標記，并調(diào)整各臂 56n的旋轉(zhuǎn)，由此來同時調(diào)整第二對準系統(tǒng)AL2n&基線。另外，在本實施形態(tài)中，雖然使用 ⑶桿46的基準標記M等來調(diào)整第二對準系統(tǒng)AL2n的基線(檢測區(qū)域的位置)，但調(diào)整動 作并不限于此，例如也可用前述傳感器一邊測量第二對準系統(tǒng)AL2n的位置一邊使其移動至 目標位置。此時，可采用根據(jù)該傳感器所測量的第二對準系統(tǒng)AL2n的位置或移動量來修正 移動前測量的基線的程序，在移動后再次執(zhí)行基線測量的程序，或在移動后至少進行第二 對準系統(tǒng)AL2n的基線測量的程序。其次，說明以本實施形態(tài)的曝光裝置100進行的晶片W表面在Z軸方向的位置信 息(面位置信息)的檢測(以下稱為聚焦映射)。在進行此聚焦映像時，主控制裝置20如圖18(A)所示，根據(jù)對向于X標尺39X2的 X讀取頭66 (X線性編碼器70D)、以及分別對向于Y標尺39Yp39Y2的兩個Y讀取頭64y2、 64yi(Y線性編碼器70A、70C)來管理晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置。在此圖18(A)的狀態(tài) 下，通過晶片臺WTB中心(與晶片W的中心大致一致)的Y軸平行的直線(中心線)與前 述直線LV成為一致的狀態(tài)。接著，在此狀態(tài)下，主控制裝置20開始晶片載臺WST往+Y方向的掃描(SCAN)，在 此掃描開始后，在晶片載臺WST往+Y方向移動直到多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束開 始照射于晶片W上為止的期間，使Z傳感器72a 72d與多點AF系統(tǒng)(90a、90b) —起動作 (使其導通)。接著，在該Z傳感器72a 72d與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)同時動作的狀態(tài)下，如 圖18⑶所示在晶片載臺WST往+Y方向行進的期間，以規(guī)定取樣間隔取入Z傳感器72a 72d所測量的晶片臺WTB表面(板體28表面)在Z軸方向的位置信息(面位置信息)、以 及以多點AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測的多個檢測點中晶片W表面在Z軸方向的位置信息(面 位置信息)，并將該取入的各面位置信息與各取樣時Y線性編碼器70A、70C的測量值的三者 彼此賦予對應關(guān)系后按順序儲存于未圖示的存儲器。接著，當多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束不照射至晶片W時，主控制裝置20結(jié)束上述取樣動作，將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的各檢測點的面位置信息換算成以同時取入的Z傳感器72a 72d的面位置信息為基準的數(shù)據(jù)。更詳細地說，根據(jù)Z傳感器72a、72b的測量值平均值來求出板體28的-X側(cè)端部 附近區(qū)域(形成有Y標尺39Y2的區(qū)域)上規(guī)定的點(例如Z傳感器72a、72b各自的測量點 的中點、即相當于與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點的排列大致相同的X軸上的點， 以下將此點稱為左測量點)的面位置信息。另外，根據(jù)Z傳感器72c、72d的測量值來求出 板體28的+X側(cè)端部附近區(qū)域(形成有Y標尺391的區(qū)域)上規(guī)定的點(例如Z傳感器 72c、72d各自的測量點的中點、即相當于與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點的排列大 致相同的X軸上的點，以下將此點稱為右測量點)的面位置信息。接著，主控制裝置20如 圖18(C)所示，將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的各檢測點的面位置信息，換算成以連結(jié)左測量 點Pl的面位置與右測量點P2的面位置的直線為基準的面位置數(shù)據(jù)zl zk。主控制裝置 20就所有取樣時所取入的信息進行上述換算。如上所述，通過預先取得上述的換算數(shù)據(jù)，例如在進行曝光時等，用前述Z傳感器 71,」、743, j及76i, q、762, q測量晶片臺WTB表面(形成有Y標尺39Y2的區(qū)域上的點、以及形 成有Y標尺39Α的區(qū)域上的點)，算出晶片臺WTB的Z位置與相對XY平面的傾斜(主要為 θ y旋轉(zhuǎn))。通過使用該算出的晶片臺WTB的Z位置、相對XY平面的傾斜(主要為9y旋 轉(zhuǎn))、以及前述面位置數(shù)據(jù)zl zk，可在不實際取得晶片表面的面位置信息的情況下控制 晶片W上面的面位置。因此，由于即使將多點AF系統(tǒng)配置于離開投影光學系統(tǒng)PL的位置 也不會產(chǎn)生任何問題，因此即使作業(yè)距離較窄的曝光裝置，也能非常合適地適用于本實施 形態(tài)的聚焦映射。此外，在上述說明中，雖分別根據(jù)Z傳感器72a、72b的測量值的平均值、Z傳感器 72c、72d的測量值的平均值來算出左測量點Pl的面位置與右測量點P2的面位置，但并不 限于此，也可將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)各檢測點的面位置信息，換算成例如以連結(jié)Z傳感 器72a、72c所測量的面位置的直線為基準的面位置數(shù)據(jù)。此時，分別預先求出在各取樣時 點取得的Z傳感器72a的測量值與Z傳感器72b的測量值的差、以及Z傳感器72c的測量 值與Z傳感器72d的測量值的差。接著，在曝光時等進行面位置控制時，用Z傳感器j, 742, j及76i, q、762, q測量晶片臺WTB表面，算出晶片臺WTB的Z位置與相對XY平面的傾斜 (不僅9y旋轉(zhuǎn)也包含ΘΧ旋轉(zhuǎn))，并通過使用該算出的晶片臺WTB的Z位置、相對XY平面 的傾斜、以及前述面位置數(shù)據(jù)zl zk及前述的差，可在不實際取得晶片表面的面位置信息 的情況下控制晶片W的面位置。以上的說明，是以在晶片臺WTB表面不存在凹凸為前提下的說明。然而，實際上如 圖18 (C)所示，會在晶片WTB表面、即形成有Y標尺39Υ2的第1部分區(qū)域281^的表面及形 成有Y標尺39Α的第2部分區(qū)域28b2的表面等有凹凸。然而，即使如上所述在晶片臺WTB 表面存在有凹凸時，在晶片W的子午線(與通過晶片中心的Y軸平行的直線)上的點仍能 以極高精度進行面位置控制。以下，針對此點進行說明。在進行聚焦映射時，作為匹配時的基準的Z傳感器72a 72d檢測晶片臺WTB表 面上的某位置(XY坐標位置)的面位置信息。接著，由上述說明可清楚得知，先固定晶片載 臺WST的X位置，一邊使晶片載臺WST往+Y方向一直線移動一邊進行聚焦映射。即，在進行聚焦映射時ζ傳感器72a 72d檢測該面位置信息的線(第2疏水板28b的表面上)也 是與Y軸平行的直線。在進行該聚焦映射時(晶片載臺WST往+Y方向移動時)，位于晶片的子午線的照 射區(qū)域，在不使晶片載臺WST移動于X軸方向的情況下配置于曝光位置(投影光學系統(tǒng)PL 下方)。在子午線的照射區(qū)域到達曝光位置時，位于平行于與Z傳感器72a、72b相同的Y軸 的直線上、且位于平行于與一對Z傳感器Tt4Jt^Z傳感器72c、72d相同的Y軸的直線上 的一對ζ傳感器Te^je2i3,檢測在聚焦映射時Z傳感器72a、72b及Z傳感器72c、72d分別 檢測面位置信息的晶片臺WTB上的點的相同點的面位置信息。即，作為多點AF系統(tǒng)(90a、 90b)的面位置信息檢測基準的Z傳感器所測量的基準面，在聚焦映射時與曝光時為相同。 因此，即使在晶片臺WTB表面產(chǎn)生凹凸或起伏等，在對子午線的照射區(qū)域進行曝光時可不 用考慮該凹凸或起伏，可將聚焦映像時所得到的Z位置直接作為Z位置使用，而能在曝光時 進行晶片的聚焦控制，因此能進行高精度的聚焦控制。在對子午線以外的照射區(qū)域進行曝光時，當于晶片臺WTB表面無凹凸及起伏等的 情況下，雖可確保與上述子午線的照射區(qū)域相同程度的聚焦控制精度，但當于晶片臺WTB 表面有凹凸或起伏等的情 況下，聚焦控制精度則取決于后述的導線Z移動修正的精度。另 夕卜，主控制裝置20當為了對子午線以外的照射區(qū)域進行曝光而使晶片載臺WST移動于例如 X軸方向時，隨著該晶片載臺WST的移動而在多個Z傳感器間接續(xù)測量值。其次說明聚焦校正。所謂聚焦校正是指進行下述兩個處理聚焦校正的前半處理， 求出某基準狀態(tài)中晶片臺WTB在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息、以及多點AF 系統(tǒng)(90a、90b)對測量板30表面的代表檢測點的檢測結(jié)果(面位置信息)的關(guān)系；以及聚 焦校正的后半處理，在與上述基準狀態(tài)相同的狀態(tài)下，求出與使用空間像測量裝置45所檢 測出的投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應的、晶片臺WTB在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)端 部的面位置信息，并根據(jù)上述兩處理的處理結(jié)果，求出多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的代表檢測 點的偏置、即投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置與多點AF系統(tǒng)的檢測原點的偏差。在進行此聚焦校正時，主控制裝置20如圖19(A)所示，根據(jù)分別對向于X標尺 39Xp39X2的兩個X讀取頭66 (X線性編碼器70B、70D)、以及分別對向于Y標尺39Yp39Y2的 兩個Y讀取頭64y2、64yi(Y線性編碼器70A、70C)來管理晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置。在 此圖19(A)的狀態(tài)下，晶片臺WTB的中心線成為與前述直線LV—致的狀態(tài)。另外，在此圖 19(A)的狀態(tài)下，晶片臺WTB位于Y軸方向來自多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束照射于 前述測量板30的位置。另外，此處雖然省略了圖示，但在晶片臺WTB(晶片載臺WST)的+Y 側(cè)有測量載臺MST，前述CD桿46及晶片臺WTB與投影光學系統(tǒng)PL的前端透鏡191之間保 持有水(參照圖31)。(a)在此狀態(tài)下，主控制裝置20進行如下述的聚焦校正的前半處理。S卩，主控制裝 置20—邊檢測由位于多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測區(qū)域兩端部的檢測點各自的附近的前 述Z傳感器72a、72b、72c、72d所檢測的晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置 信息，一邊以該面位置信息為基準，使用多點AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測前述測量板30 (參照 圖3)表面的面位置信息。由此，求出在晶片臺WTB的中心線與前述直線LV—致的狀態(tài)下 Z傳感器72a、72b、72c、72d的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置 信息)、以及多點AF系統(tǒng)(90a、90b)對測量板30表面的檢測點(多個檢測點中位于中央或其附近的檢測點)的檢測結(jié)果(面位置信息)的關(guān)系。(b)其次，主控制裝置20使晶片載臺WST往+Y方向移動規(guī)定距離，并在測量板30 配置于投影光學系統(tǒng)PL正下方的位置時停止晶片載臺WST。接著，主控制裝置20進行如下 述的聚焦校正的后半處理。即，主控制裝置20如圖19(B)所示，一邊把測量晶片臺WTB在 X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息的各一對的Z傳感器74i,4、742,4 Jeli3Je2,3所測量 的面位置信息作為基準，控制測量板30 (晶片臺WTB)在投影光學系統(tǒng)PL的光軸方向的位 置(Z位置)，一邊使用空間像測量裝置45以狹縫掃描方式測量形成于標線片R或形成于 標線片載臺RST上的未圖示的標記板的測量標記的空間像，再根據(jù)其測量結(jié)果測定投影光 學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置。此時，如圖19(B)所示，由于液浸區(qū)域14形成于投影光學系統(tǒng) PL與測量板30 (晶片臺WTB)之間，因此上述空間像的測量經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL及水來進 行。另外，在圖19(B)中雖然省略了圖示，但由于空間像測量裝置45的測量板30等裝載于 晶片載臺WST(晶片臺WTB)、受光組件等裝載于測量載臺MST，因此上述空間像的測量系在 保持晶片載臺WST與測量載臺MST彼此接觸的狀態(tài)(或接觸狀態(tài))下進行(參照圖33)。 通過上述測定，求出在晶片臺WTB的中心線與前述直線LV —致的狀態(tài)下Z傳感器74i,4、742, 4Jeli3Je2,3(S卩，晶片臺WTB在χ軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息)。此測量值與投 影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應。(c)由此，主控制裝置20可以根據(jù)在上述(a)的聚焦校正前半處理所求出的Z傳 感器72a、72b、72c、72d的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信 息)、與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)對測量板30表面的檢測結(jié)果(面位置信息)的關(guān)系、以及 在上述(b)的聚焦校正后半處理所求出的與投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應的Z傳 感器TI4Jt4Jeuje2J S卩，晶片臺WTB在χ軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息)， 求出多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的代表檢測點的偏置、即投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置與 多點AF系統(tǒng)的檢測原點的偏差。在本實施形態(tài)中，該代表檢測點雖例如是多個檢測點的中 央或其附近的檢測點，但其數(shù)目及/或位置等可為任意。此時，主控制裝置20進行多點AF 系統(tǒng)的檢測原點的調(diào)整，以使該代表檢測點的偏置為零。此調(diào)整例如可通過調(diào)整受光系統(tǒng) 90b內(nèi)部的未圖示的平行平面板的角度來以光學方式進行，或也可以電氣方式調(diào)整檢測偏 置。另外，不進行檢測原點的調(diào)整，而事先儲存該偏置也可。此處通過上述光學方法來進行 該檢測原點的調(diào)整。由此，多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的聚焦校正即結(jié)束。此外，光學方式的 檢測原點的調(diào)整，由于并不易使代表檢測點以外的剩余檢測點的偏置均為零，因此剩余的 檢測點最好事先儲存進行光學調(diào)整后的偏置。其次，說明與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點個別對應的多個受光組件(傳 感器)間的檢測值的偏置修正(以下稱為AF傳感器間偏置修正)。在進行此AF傳感器間偏置修正時，主控制裝置20如圖20 (A)所示，從多點AF系 統(tǒng)(90a、90b)的照射系統(tǒng)90a將檢測光束照射于具備規(guī)定基準平面的前述CD桿46，并在多 點AF系統(tǒng)(90a、90b)的受光系統(tǒng)90b接收來自CD桿46表面(基準平面)的反射光后，取 入來自受光系統(tǒng)90b的輸出信號。此時，只要⑶桿46表面設定成與XY平面平行，主控制裝置20即可根據(jù)以上述方 式取入的輸出信號，求出與多個檢測點個別對應的多個傳感器的檢測值(測量值)的關(guān)系， 并將該關(guān)系儲存于存儲器，或者以電氣方式調(diào)整各傳感器的檢測偏置，以使所有傳感器的檢測值例如與進行前述聚焦校正時對應于代表檢測點的傳感器的檢測值成為同一值，由此 能進行AF傳感器間偏置修正。然而，本實施形態(tài)中，在取入來自多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的受光系統(tǒng)90b的輸出 信號時，由于主控制裝置20如圖20(A)所示使用Z傳感器72a、72b、72c、72d來檢測出⑶ 桿46表面的傾斜，因此不一定要將CD桿46表面設定成與XY平面平行。即只要如圖20 (B) 的示意圖所示那樣使各檢測點的檢測值分別成為該圖中箭頭所示的值即可，即若連結(jié)檢測 值上端的線有如該圖中虛線所示的凹凸時，即將各檢測值調(diào)整成連結(jié)檢測值上端的線成為 該圖中所示的實線即可其次，說明用以求出修正信息的導線Z移動修正，該修正信息用于修正晶片臺WTB 表面、更正確而言為第2疏水板28b表面在X軸方向的凹凸的影響。此處，導線Z移動修正 的進行為一邊使晶片臺WTB移動于X軸方向，一邊以規(guī)定取樣間隔，同時取入檢測晶片臺 WTB的第2疏水板28b表面左右區(qū)域的面位置信息的Z傳感器的測量值、以及多點AF系統(tǒng) 對晶片的面位置信息的檢測值。在進行此導線Z移動修正時，主控制裝置20與前述的聚焦映射同樣地，如圖21 (A) 所示，根據(jù)分別對向于X標尺39Xi、39X2的兩個X讀取頭66 (X線性編碼器70B、70D)、以及 分別對向于Y標尺39Yp39Y2的兩個Y讀取頭64y2、64yi (Y線性編碼器70A、70C)來管理晶 片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置。在此圖21㈧的狀態(tài)下，晶片臺WTB的中心線位于前述直線 LV的+Y側(cè)，主控制裝置20使用Z傳感器72a、72b及72c、72d測量晶片臺WTB的第2疏水 板28b表面左右區(qū)域的-X側(cè)端部附近的點的面位置信息，同時使用多點AF系統(tǒng)(90a、90b) 來檢測晶片的面位置信息。其次，主控制裝置20如圖21㈧中白色箭頭所示，使晶片載臺WST以規(guī)定速度移 動于-Y方向。在此移動中，主控制裝置20以規(guī)定取樣間隔，反復執(zhí)行同時取入上述Z傳 感器72a、72b及Z傳感器72c、72d的測量值與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的動作。接著如圖 21 (B)所示，在Z傳感器72a、72b及Z傳感器72c、72d與晶片臺WTB的第2疏水板28b表面 左右區(qū)域的+X側(cè)端部附近的點對向的狀態(tài)下的、結(jié)束上述同時取入動作的時刻時結(jié)束作 業(yè)。接著，主控制裝置20求出多點AF系統(tǒng)(90a、90b)在各檢測點的面位置信息與同 時取入的Z感側(cè)器72a 72d的面位置信息的關(guān)系。接著，從進行不同取樣時所求出的多個 關(guān)系中算出第2疏水板28b表面在X軸方向的凹凸。即，由于此時多點AF系統(tǒng)(90a、90b) 系調(diào)整了傳感器間偏置，因此只要是第2疏水板28b表面的相同點，與任一檢測點對應的傳 感器的檢測值也應為相同值。因此，以與不同檢測點對應的傳感器檢測第2疏水板28b表 面的相同點時的檢測值的差，會直接反應出第2疏水板28b表面的凹凸及其移動時的晶片 臺在Z軸方向的位置變動。因此，通過利用此關(guān)系，以從進行不同取樣時所求出的多個關(guān)系 中求出第2疏水板28b表面在X軸方向的凹凸。如上述，主控制裝置20，一邊使晶片臺WTB (晶片載臺WST)移動于X軸方向，一邊 根據(jù)使用多點AF系統(tǒng)(90a、90b)按順序檢測出的結(jié)果，求出在晶片臺WTB(晶片載臺WST) 移動于X軸方向(位于不同的X位置)時產(chǎn)生的晶片臺WTB表面在Z軸方向的位置變動相 關(guān)的信息。主控制裝置20在進行曝光時增加此信息來作為修正量，同時進行晶片W的聚焦 控制。
其次，根據(jù)圖22 圖36說明本實施形態(tài)的曝光裝置100中使用晶片載臺WST與 測量載臺MST的并行處理動作。此外，在以下動作中，通過主控制裝置20，以前述方式進行 局部液浸裝置8的液體供應裝置5及液體回收裝置6的各閥的開關(guān)控制，隨時將水充滿于 投影光學系統(tǒng)PL的前端透鏡191的射出面?zhèn)?。以下為了使說明易于理解，省略與液體供應 裝置5及液體回收裝置6的控制相關(guān)的說明。另外，之后的動作說明雖會利用到多個圖，但 在各圖中有時會對同一構(gòu)件賦予符號，有時則不會賦予。即各圖所記載的符號雖相異，但不 論這些圖中有無符號，均為同一構(gòu)成。此點與截至目前為止的說明中所使用的各圖也相同。圖22表示對晶片載臺WST上的晶片W (此處例舉某批量(一批量為25片或50片) 中間的晶片)進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)。此時的測量載臺MST，與晶片載臺WST保持 規(guī)定距離追隨移動。因此，在曝光結(jié)束后，在移行至與晶片載臺WST為前述接觸狀態(tài)(或接 近狀態(tài))時的測量載臺MST的移動距離，只要與上述規(guī)定距離為相同距離即足夠。在此曝光中，通過主控制裝置20，根據(jù)分別對向于X標尺39&、39Χ2的圖22中以 圓圈框住顯示的兩個X讀取頭66 (X編碼器70B、70D)、以及分別對向于Y標尺39Yp39Y2的 圖22中以圓圈框住顯示的兩個Y讀取頭64(Υ編碼器70A、70C)的測量值，來控制晶片臺 WTB (晶片載臺WST)在XY平面內(nèi)的位置(包含ΘΖ旋轉(zhuǎn))。另外，通過主控制裝置20，根 據(jù)分別對向于晶片臺WTB表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的各一對Z傳感器71 j.742, jje^je。的測量值，來控制晶片臺WTB在ζ軸方向的位置與0y旋轉(zhuǎn)(橫搖)及ΘΧ旋 轉(zhuǎn)(縱搖)。此外，晶片臺WTB在Z軸方向的位置與θ y旋轉(zhuǎn)(橫搖)根據(jù)ζ傳感器7、」、 742,^76^.76^的測量值來控制，θ χ旋轉(zhuǎn)(縱搖)也可根據(jù)Y軸干涉儀16的測量值來控 制。無論如何，在該曝光中晶片臺WTB在Z軸方向的位置、θ y旋轉(zhuǎn)及ΘΧ旋轉(zhuǎn)的控制(晶 片W的聚焦調(diào)平控制)，根據(jù)事前進行的前述聚焦映射的結(jié)果來進行。另外，為了防止在該曝光中晶片載臺WST與測量載臺MST比規(guī)定距離接近，設定成 開閉器49Α、49Β為關(guān)閉開口 51Α、51Β的狀態(tài)。利用主控制裝置20，根據(jù)事前進行的前述晶片對準(EGA，加強型全晶片對準)的 結(jié)果及對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL22的最新基線等，通過反復進行使晶片載臺WST向用于使晶 片W上的各照射區(qū)域曝光的掃描開始位置(加速開始位置)移動的照射間移動動作、與以 掃描曝光方式對各照射區(qū)域轉(zhuǎn)印形成于標線片R的圖案掃描曝光動作，來進行上述曝光動 作。此外，上述曝光動作，在將水保持在前端透鏡191與晶片W間的狀態(tài)下進行。另外，按 照位于圖22的-Y側(cè)的照射區(qū)域至位于+Y側(cè)的照射區(qū)域的順序來進行。另外，主控制裝置20，也可在曝光中，儲存編碼器70A 70D的測量值與干涉儀 16,126的測量值，并視需要來更新前述修正圖。接著，當如圖23所示對晶片W的曝光結(jié)束前、例如按順序?qū)琖上的不同照射 區(qū)域按順序曝光時，在對最終照射區(qū)域進行曝光前，主控制裝置20經(jīng)由驅(qū)動機構(gòu)34A、34B 來降下驅(qū)動開閉器49A、49B，以將開口 51A、51B設定成開啟狀態(tài)。主控制裝置20，在經(jīng)由開 閉傳感器101確認開閉器49A、49B為完全開啟的狀態(tài)后，一邊將X軸干涉儀130的測量值維 持于一定值，一邊根據(jù)Y軸干涉儀18的測量值控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124，使測量載臺MST (測 量臺MTB)移動至圖24所示的位置。此時，⑶桿46 (測量臺MTB)的-Y側(cè)面與晶片臺WTB 的+Y側(cè)端面接觸。此外，也可監(jiān)控例如用以測量各臺在Y軸方向的位置的干涉儀或編碼器 的測量值，使測量臺MTB與晶片臺WTB在Y軸方向分離300 μ m左右，保持非接觸的狀態(tài)(接近狀態(tài))。其次，如圖25所示，主控制裝置20 —邊保持晶片臺WTB與測量臺MTB在Y軸方向 的位置關(guān)系，一邊開始將測量載臺MST驅(qū)動于-Y方向、將晶片載臺WST驅(qū)動向卸載位置UP 的動作。當此動作開始時，在本實施形態(tài)中測量載臺MST僅移動于-Y方向，晶片載臺WST 則移動于-Y方向及-X方向。這樣，當通過主控制裝置20同時驅(qū)動晶片載臺WST、測量載臺MST時，保持于投影 單元PU的前端透鏡191與晶片W之間的水(液浸區(qū)域14的水)，即隨著晶片載臺WST及測 量載臺MST往-Y側(cè)的移動，而按照晶片W —板體28 —⑶桿46 —測量臺MTB的順序移動。 此外，在上述移動中，晶片臺WTB、測量臺MTB保持前述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))。此外，圖 25表示液浸區(qū)域14的水從板體28移至⑶桿46前一刻的狀態(tài)。當從圖25的狀態(tài)更進一步地將晶片載臺WST、測量載臺MST往-Y方向同時驅(qū)動微 小距離時，由于Y編碼器70A、70C無法測量晶片載臺WST (晶片臺WTB)的位置，因此在此之 前，主控制裝置20將晶片載臺WST(晶片臺WTB)的Y位置及ΘΖ旋轉(zhuǎn)的控制，從基于Y編 碼器70A、70C的測量值的控制切換成基于Y軸干涉儀16的測量值的控制。接著在規(guī)定時 間后，由于測量載臺MST如圖26所示到達前述進行Sec-BCHK(時距)的位置，因此主控制 裝置120使測量載臺MST停止在該位置，且通過與X標尺對向的圖26中以圓圈框住 顯示的X讀取頭66 (X線性編碼器70B)來測量晶片載臺WST的X位置，以Y軸干涉儀16測 量Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)等，同時使晶片載臺WST進一步往卸載位置UP驅(qū)動并使其在卸載位置 UP停止。此外，在圖26的狀態(tài)下，在測量臺MTB與前端透鏡191之間保持有水。其次，主控制裝置20如圖26及圖27所示，使用測量載臺MST的⑶桿46，以前述 步驟測量四個第二對準系統(tǒng)相對第一對準系統(tǒng)ALl的相對位置。并進行Sec-BCHK(時距)。 主控制裝置20，以與此Sec-BCHK(時距)同時進行的方式，對未圖示的卸載臂的驅(qū)動系統(tǒng)下 達指令以卸載停在卸載位置UP的晶片載臺WST上的晶片W，且在卸載時使上升驅(qū)動的上下 動銷CT (圖26中未圖示，參照圖27)上升規(guī)定量，并將晶片載臺WST往+X方向驅(qū)動使其移 動至裝載位置LP。此處，晶片的卸載動作的進行方式，以上下動銷CT從下方支撐頂起晶片 W，卸載臂從該晶片W下方進入，再使上下動銷CT略往下移動或卸載臂略往上升等，來從上 下動銷CT將晶片交給卸載臂。其次，主控制裝置20如圖28所示將測量載臺MST移動至最佳待機位置(以下稱為 「最佳急停待機位置」)，該待機位置是將測量載臺MST從離開晶片載臺WST的狀態(tài)移行至與 晶片載臺WST的前述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的位置，再以前述步驟關(guān)閉開閉器49A、49B。 與此并行地主控制裝置20對未圖示的裝載臂的驅(qū)動系統(tǒng)下達指令以將新的晶片W裝載于 晶片臺WTB上。此晶片W的裝載動作進行如下步驟，將保持于裝載臂的晶片W從裝載臂移 交至維持上升規(guī)定量狀態(tài)的上下動銷CT，在裝載臂退離后，通過使上下動銷CT下降以將晶 片W裝載于晶片保持具，再以未圖示的真空夾具予以吸附。此時，由于維持上下動銷CT上 升規(guī)定量的狀態(tài)，因此與將上下動銷CT下降驅(qū)動后收納于晶片保持具內(nèi)部的情形相比較， 能以更短時間來進行晶片裝載動作。此外，圖28表示晶片W裝載于晶片臺WTB的狀態(tài)。在本實施形態(tài)中，上述測量載臺MST的最佳急停待機位置，根據(jù)附設于晶片上的 對準照射區(qū)域的對準標記的Y坐標來適當?shù)卦O定。由此，當移行至上述接觸狀態(tài)(或接近 狀態(tài))時，由于不需進行使測量載臺MST移動至該最佳急停待機位置的動作，因此與使測量
49載臺MST在離開最佳急停待機位置的位置待機的情形相比較，能削減一次測量載臺MST的 移動次數(shù)。另外，在本實施形態(tài)中，將上述最佳急停待機位置設定成能使晶片載臺WST停止 于供進行前述晶片對準的位置，且能移行至上述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的位置。其次，主控制裝置20，如圖29所示使晶片載臺WST從裝載位置LP移動至測量板 30上的基準標記FM定位在第一對準系統(tǒng)ALl的視野(檢測區(qū)域)內(nèi)的位置(即進行前述 Pri-BCHK的前半處理的位置)。在此移動的途中，主控制裝置20將晶片臺WTB在XY平面 內(nèi)的位置的控制，從基于編碼器70B(X軸方向)的測量值的控制、及基于Y軸干涉儀16 (Y 軸方向及θ ζ旋轉(zhuǎn))的測量值的控制，切換成基于對向于X標尺39&、39Χ2的圖29中以圓 圈框住顯示的兩個X讀取頭66 (編碼器70B、70D)、以及對向于Y標尺39Yp39Y2的圖29中 以圓圈框住顯示的兩個Y讀取頭64y2、64yi (編碼器70A、70C)的測量值的控制。接著，主控制裝置20進行使用第一對準系統(tǒng)ALl來檢測基準標記FM的前述 Pri-BCHK的前半處理。此時，測量載臺MST在前述最佳急停位置待機中。其次，主控制裝置20 —邊根據(jù)上述四個編碼器的測量值來管理晶片載臺WST的位 置，一邊開始使晶片載臺WST往+Y方向移動向用以檢測對準標記(附設于前述三個第一照 射區(qū)域AS(參照圖12(C))的位置。在此晶片載臺WST往+Y方向的移動開始后，主控制裝 置20即以前述步驟開啟開閉器49A、49B，以使晶片載臺WST與測量載臺MST能更加接近。 另外，主控制裝置20根據(jù)開閉傳感器101的檢測結(jié)果來確認開閉器49A、49B已開啟。接著，當晶片載臺WST到達圖30所示的位置時，主控制裝置20即根據(jù)撞擊偵測 傳感器43B、43C的輸出偵測晶片載臺WST與測量載臺MST的彼此接觸(或接近至300 μ m 左右的距離)，立刻使晶片載臺WST停止。在此之前，主控制裝置20會在Z傳感器72a 72d的全部或一部分與晶片臺WTB對向的時點或在此之前的時點動作該等Z傳感器72a 72d(使其導通)，以開始晶片臺WTB的Z位置及傾斜(θ y旋轉(zhuǎn)及θ χ旋轉(zhuǎn))的測量。在晶片載臺WST停止后，主控制裝置20使用第一對準系統(tǒng)AL1，第二對準系統(tǒng) AL22、AL23，大致同時且獨立地檢測出附設于三個第一對準照射區(qū)域AS的對準標記(參照圖 30中的星標記)，再將上述三個對準系統(tǒng)ALlp AL22、AL23的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上 述四個編碼器的測量值以彼此相關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。此外，此時的附設于 三個第一對準照射區(qū)域AS的對準標記的同時檢測動作，如前所述通過改變晶片臺WTB的Z 位置，來一邊改變多個對準系統(tǒng)AL1、AL2, AL24與晶片臺WTB所裝載的晶片W之間、在Z 軸方向(聚焦方向)中的相對位置關(guān)系，一邊予以進行。如上所述，在本實施形態(tài)中，在檢測第一對準照射區(qū)域AS的對準標記的位置，結(jié) 束移行至測量載臺MST晶片載臺WST成為接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的動作，并通過主控制 裝置20，開始在該接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST從上述位置往+Y方向的 移動(步進移動向前述用以檢測附設于五個第二對準照射區(qū)域AS的對準標記的位置)。在 該兩載臺WST、MST往+Y方向的移動開始之前，主控制裝置20如圖30所示開始多點AF系 統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束對晶片臺WTB的照射。由此在晶片臺WTB上形成多點AF系統(tǒng)的 檢測區(qū)域。接著，在上述兩載臺WST、MST往+Y方向的移動中，當兩載臺WST、MST到達圖31所 示的位置時，主控制裝置20進行前述聚焦校正的前半處理，求出在晶片臺WTB的中心線與 前述直線LV —致的狀態(tài)下Z傳感器72a、72b、72c、72d的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息)、以及多點AF系統(tǒng)(90a、90b)對測量板30表面的檢測結(jié) 果(面位置信息)的關(guān)系。此時，液浸區(qū)域14形成于CD桿46與晶片臺WTB的邊界附近。 即，液浸區(qū)域14的水成為從CD桿46移交至晶片臺WTB前一刻的狀態(tài)。接著，使兩載臺WST、MST在保持接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的狀態(tài)下往+Y方向更進 一步移動，而到達圖32所示的位置時，使用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24大致同時且獨立 地檢測出附設于五個第二對準照射區(qū)域AS的對準標記(參照圖32中的星標記)，再將上述 五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四個編碼器的測量值以 彼此相關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。此外，此時的附設于五個第二對準照射區(qū)域AS 的對準標記的同時檢測動作，也如前所述一邊改變晶片臺WTB的Z位置，一邊予以進行。另外，此時由于不存在與X標尺對向且位于上述直線LV上的X讀取頭，因此 主控制裝置20根據(jù)與X標尺39X2對向的X讀取頭66 (Y線性編碼器70D)及Y線性編碼器 70A、70C的測量值來控制晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置。如上所述，在本實施形態(tài)中，在第二對準照射區(qū)域AS的對準標記的檢測結(jié)束的時 間點，可檢測出合計八個的對準標記的位置信息(二維位置信息)。因此在此階段時，主控 制裝置20也可使用這些位置信息來進行例如前述EGA方式的統(tǒng)計運算，求出晶片W的標 尺(照射倍率)，并根據(jù)該算出的照射倍率來調(diào)整投影光學系統(tǒng)PL的光學特性、例如投影 倍率。在本實施形態(tài)中，可通過驅(qū)動構(gòu)成投影光學系統(tǒng)PL的特定可動透鏡，或改變構(gòu)成投 影光學系統(tǒng)PL的特定透鏡間所形成的氣密室內(nèi)部的氣體壓力，來控制用于調(diào)整投影光學 系統(tǒng)PL的光學特性的調(diào)整裝置68 (參照圖8)，以調(diào)整投影光學系統(tǒng)PL的光學特性。艮口， 主控制裝置20也可在對準系統(tǒng)AL1、AIA AL24檢測完晶片W上的規(guī)定數(shù)目(此處為八 個)標記的階段，根據(jù)該等的檢測結(jié)果控制調(diào)整裝置68，以調(diào)整投影光學系統(tǒng)PL的光學特 性。此外，標記的數(shù)目不限于八個或為檢測對象的標記的總數(shù)的一半等，只要例如是在計算 晶片的標尺等所需的數(shù)目以上即可。另外，主控制裝置20，在結(jié)束上述附設于五個第二對準照射區(qū)域AS的對準標記的 同時檢測動作后，再次開始在接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST向+Y方向的移 動，同時如圖32所示，使用Z傳感器72a 72d與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)開始前述的聚焦 映射。接著，當兩載臺WST、MST到達圖33所示測量板30配置于投影光學系統(tǒng)PL正下方 的位置時，主控制裝置20進行前述Pri-BCHK的后半處理及前述聚焦校正的后半處理。接著，主控制裝置20根據(jù)前述Pri-BCHK的前半處理的結(jié)果與Pri-BCHK的后半處 理的結(jié)果算出第一對準系統(tǒng)ALl的基線。同時，主控制裝置20根據(jù)前述聚焦校正前半處理 所求得的Z傳感器72a、72b、72c、72d的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部 的面位置信息)、與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)對測量板30表面的檢測結(jié)果(面位置信息)的 關(guān)系、以及在前述聚焦校正后半處理所求得的與投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應的Z 傳感器Tt4Jt^z傳感器Te^je2i3的測量值(也即，晶片臺WTB在χ軸方向一側(cè)與另一 側(cè)端部的面位置信息)，求出多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的代表檢測點的偏置，并利用前述光學 方法將多點AF系統(tǒng)的檢測原點調(diào)整到該偏置成為零。在這種情形下，從產(chǎn)量的觀點來看，也可僅進行上述Pri-BCHK的后半處理及聚焦 校正的后半處理的其中一方，也可在不進行兩處理的狀態(tài)下移行至下一處理。當然，若不進行Pri-BCHK的后半處理也無進行前述Pri-BCHK的前半處理的必要，此時，主控制裝置20 只要使晶片載臺WST移動至可從前述裝載位置LP檢測出附設于第一對準照射區(qū)域AS的對 準標記的位置即可。此外，在該圖33的狀態(tài)下繼續(xù)進行前述聚焦映射。通過使在上述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST往+Y方向移動，而 使晶片載臺WST到達圖34所示的位置時，主控制裝置20使晶片載臺WST停止在該位置，且 使測量載臺MST持續(xù)往+Y方向移動。接著，主控制裝置20使用五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24大致同時且獨立地檢測出附設于五個第三對準照射區(qū)域AS的對準標記(參照圖34中 的星標記)，并將上述五個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四 個編碼器的測量值以彼此相關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。此外，此時的附設于五個 第三對準照射區(qū)域AS的對準標記的同時檢測動作，也如前所述一邊改變晶片臺WTB的Z位 置，一邊予以進行。另外，在此時點也繼續(xù)進行聚焦映射。另一方面，從上述晶片載臺WST的停止起經(jīng)過規(guī)定時間后，前述減震器47A、47B從 形成于X軸固定件80的開口 51A、51B脫離，測量載臺MST與晶片載臺WST從接觸(或接近 狀態(tài))移行至分離狀態(tài)。在移行至此分離狀態(tài)后，主控制裝置20通過經(jīng)由驅(qū)動機構(gòu)34A、 34B上升驅(qū)動開閉器49A、49B，設定成關(guān)閉開口 51A、51B的狀態(tài)，且當測量載臺MST到達在 該處待機至曝光開始為止的曝光開始待機位置時并停在該位置。其次，主控制裝置20使晶片載臺WST往+Y方向移動向附設于前述三個第一對準 照射區(qū)域AS的對準標記的檢測位置。此時仍繼續(xù)進行聚焦映射。另一方面，晶片載臺WST 在上述曝光開始待機位置待機。接著，當晶片載臺WST到達圖35所示的位置時，主控制裝置20立即使晶片載臺 WST停止，且使用第一對準系統(tǒng)AL1、第二對準系統(tǒng)41^2241^23大致同時且獨立地檢測出附設 于晶片W上三個第一對準照射區(qū)域AS的對準標記(參照圖35中的星標記)，并將上述三個 對準系統(tǒng)41^131^2、41^23的檢測結(jié)果與進行該檢測時的上述四個編碼器的測量值以彼此相 關(guān)聯(lián)的方式儲存于未圖示的存儲器。此外，此時的附設于三個第一對準照射區(qū)域AS的對準 標記的同時檢測動作，也如前所述一邊改變晶片臺WTB的Z位置，一邊予以進行。另外，在 此時刻也繼續(xù)進行聚焦映射，測量載臺MST則繼續(xù)在上述曝光開始待機位置待機。接著，主 控制裝置20使用以上述方式獲得的合計十六個對準標記的檢測結(jié)果與所對應的四個編碼 器的測量值，利用例如前述EGA方式進行統(tǒng)計運算，算出上述四個編碼器的測量軸所規(guī)定 的XY坐標系統(tǒng)上晶片W上的所有照射區(qū)域的排列信息(坐標值)。其次，主控制裝置20 —邊再次使晶片載臺WST往+Y方向移動，一邊持續(xù)進行聚焦 映射。接著，當來自多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束自晶片W表面偏離時，如圖36所示 結(jié)束聚焦映射。其后，主控制裝置20根據(jù)前述晶片對準(EGA)的結(jié)果及五個對準系統(tǒng)ALl、 AIA AL22的最新的基線測量結(jié)果等，利用液浸曝光進行步進掃描方式的曝光，將標線片 圖案按順序轉(zhuǎn)印至晶片W上的多個照射區(qū)域。其后，對批量內(nèi)的剩余晶片也反復進行同樣 的動作。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，在晶片載臺WST往Y軸方向直線移動的期間，通過在X軸 方向相距規(guī)定間隔設定有多個檢測點的多點AF系統(tǒng)(90a、90b)來檢測晶片W表面的面位 置信息，且通過沿X軸方向?qū)z測區(qū)域排列成一列的多個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24來檢測在晶片W上位置彼此不同的對準標記。即，由于晶片載臺WST(晶片W)僅呈直線地通過多 點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點(檢測區(qū)域AF)與多個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24的檢 測區(qū)域，結(jié)束晶片W大致全面的面位置信息的檢測、以及在晶片W上待檢測的所有對準標記 (例如EGA的對準照射區(qū)域的對準標記)的檢測，因此，與毫無關(guān)聯(lián)地(分別獨立地)進行 對準標記的檢測動作與面位置信息(聚焦信息)的檢測動作的情形相比較，能更加提升處 理能力。在本實施形態(tài)中，如從前述使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的 說明可知，主控制裝置20在晶片載臺WST從裝載位置向曝光位置(曝光區(qū)域IA)的移動的 途中(即晶片載臺WST往Y軸方向的移動中)，以多個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24同時檢測 在晶片W上X軸方向的位置不同的多個標記(對準照射區(qū)域的對準標記)，且用多點AF系 統(tǒng)(90a、90b)檢測伴隨著晶片載臺WST往Y軸方向的移動而通過多個對準系統(tǒng)的檢測區(qū)域 的晶片W的面位置信息。因此，與毫無關(guān)聯(lián)地進行對準標記的檢測動作與面位置信息(聚 焦信息)的檢測動作的情形相比較，能更加提升處理能力。此外，本實施形態(tài)中裝載位置與 曝光位置雖在X軸方向相異，但在X軸方向的位置為相同也可。此時，能使晶片載臺WST大 致成一直線地從裝載位置移動至對準系統(tǒng)(及多點AF系統(tǒng))的檢測區(qū)域。另外，也可使裝 載位置與卸載位置為同一位置。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，能一邊根據(jù)分別對向于一對Y標尺39Yp39Y2的一對Y讀 取頭64y2、64yi (—對Y軸線性編碼器70A、70C)的測量值，來測量晶片臺WTB (晶片載臺WST) 在Y軸方向的位置與θ ζ旋轉(zhuǎn)(偏搖)，一邊使晶片臺WTB (晶片載臺WST)移動于Y軸方 向。另外，在這種情況下，由于能在已配合形成于晶片W上的照射區(qū)域排列(尺寸等)調(diào)整 了第二對準系統(tǒng)AI^1 AL24相對第一對準系統(tǒng)ALl在X軸方向的相對位置的狀態(tài)下，實現(xiàn) 晶片臺WTB (晶片載臺WST)往Y軸方向的移動，因此能用多個對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24同 時測量晶片W上于Y軸方向的位置相同且于X軸方向的位置相異的多個照射區(qū)域(例如對 準照射區(qū)域)的對準標記。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，可通過主控制裝置20，一邊根據(jù)編碼器系統(tǒng)(Y線性編碼 器70A、70C，X線性編碼器70B、70D)的測量值來控制晶片臺WTB (晶片載臺WST)的位置，一 邊使用對準系統(tǒng)AL1、AIA AL24來檢測晶片W上的對準標記。即，能一邊根據(jù)分別對向 于Y標尺39Yp39Y2的Y讀取頭64(Y線性編碼器70A、70C)、以及分別對向于X標尺39Xp 39X2的X讀取頭66 (X線性編碼器70B、70D)的測量值，來高精度地控制晶片臺WTB (晶片載 臺WST)的位置，一邊使用對準系統(tǒng)AL1、AI^1 AL24來檢測晶片W上的對準標記。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，由于隨著晶片臺WTB(晶片載臺WST)在XY平面內(nèi)的位置 不同，使對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24所同時檢測的晶片W上的對準標記的檢測點數(shù)(測量點 數(shù))不同，因此例如在進行前述晶片對準時等，在使晶片臺WTB(晶片載臺WST)向與X軸交 叉的方向移動、例如向Y軸方向移動時，可根據(jù)晶片臺WTB (晶片載臺WST)在Y軸方向的位 置、換言之即根據(jù)晶片W上的照射區(qū)域的配置(LAYOUT)，來使用所需數(shù)目的對準系統(tǒng)同時 檢測晶片W上位置彼此不同的對準標記。又，根據(jù)本實施形態(tài)，有時會通過主控制裝置20，在待以對準系統(tǒng)檢測的對準標記 仍殘存于晶片W上的階段下(例如已結(jié)束附設于前述第二對準照射區(qū)域AS的對準標記的 檢測的時點)，根據(jù)截至目前為止對準系統(tǒng)所檢測出的晶片W上的多個(例如八個)對準
53標記的檢測結(jié)果，來控制調(diào)整裝置68以調(diào)整投影光學系統(tǒng)PL的光學特性。在這種情形下， 在此投影光學系統(tǒng)PL的光學特性的調(diào)整后，例如要進行投影光學系統(tǒng)PL的規(guī)定測量標記 (或圖案)的像的檢測等時，即使測量標記的像已隨著上述調(diào)整而移位，但由于也會測量該 移位后的測量標記的像，因此其結(jié)果，測量標記的像隨著調(diào)整投影光學系統(tǒng)PL光學特性所 導致的移位，并不會成為測量誤差的要因。另外，由于在檢測完所有待檢測對準標記之前， 即根據(jù)截止目前為止所檢測出的對準標記的檢測結(jié)果來開始上述調(diào)整，因此能將上述調(diào)整 與剩余的對準標記的檢測動作同時進行。即在本實施形態(tài)中，能使上述調(diào)整所需的時間，重 迭于自開始第三對準照射區(qū)域AS的對準標記的檢測起至第一對準照射區(qū)域AS的對準標記 的檢測結(jié)束為止的時間。由此，與檢測完所有標記后才開始上述調(diào)整的公知技術(shù)相比較，能 更提升處理能力。又，根據(jù)本實施形態(tài)，通過主控制裝置20，在測量投影光學系統(tǒng)PL的圖案(例如 標線片R的圖案)像投影位置與對準系統(tǒng)ALl檢測中心的位置關(guān)系(對準系統(tǒng)ALl的基 線)的動作(例如前述Pri-BCHK的前半處理)開始后直到該動作結(jié)束的期間(例如到前 述Pri-BCHK的后半處理結(jié)束為止的期間)，進行對準系統(tǒng)ALl、AL2, AL24對晶片W上的 對準標記(例如前述三個第一對準照射區(qū)域及五個第二對準照射區(qū)域的對準標記)的檢測 動作。即，能將對準系統(tǒng)對標記的檢測動作的至少一部分與上述位置關(guān)系的測量動作同時 進行。因此，能在上述位置關(guān)系的測量動作結(jié)束的時刻，結(jié)束對準系統(tǒng)對晶片W上待檢測的 多個對準標記的檢測動作的至少一部分。由此，與在上述位置關(guān)系的測量動作前或其后進 行對準系統(tǒng)對上述多個對準標記的檢測動作的情形相比較，能更提升處理能力。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，通過主控制裝置20，在對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24對晶片W 上待檢測的多個對準標記的檢測動作(例如前述晶片對準動作，也即第一對準照射區(qū)域AS 至分別附設于第一對準照射區(qū)域AS的合計十六個對準標記的檢測動作)開始后直到該動 作結(jié)束的期間，進行用投影光學系統(tǒng)PL投影標線片R的圖案像的投影位置與對準系統(tǒng)ALl 檢測中心的位置關(guān)系(對準系統(tǒng)ALl的基線)的測量動作。即，能與對準系統(tǒng)對標記的檢 測動作的一部分同時進行上述位置關(guān)系的測量動作。因此，能在進行對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24對晶片W上待檢測的多個對準標記的檢測動作的期間，結(jié)束上述位置關(guān)系的測量動作。 由此，與在以對準系統(tǒng)對晶片W上待檢測的多個對準標記的檢測動作前或其后進行上述位 置關(guān)系的測量動作的情形相比較，能更提升處理能力。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，通過主控制裝置20，在開始晶片W上待檢測的多個對準標 記的檢測動作(例如前述晶片對準動作，即十六個對準標記的檢測動作)后直到該檢測動 作結(jié)束前，進行晶片臺WTB與測量臺MTB的接觸動作(或接近至例如300 μ m以下的接近狀 態(tài))、以及使該兩臺分離的分離狀態(tài)的切換動作。換言之，根據(jù)本實施形態(tài)，在前述接觸狀 態(tài)(或接近狀態(tài))下開始對準系統(tǒng)對晶片W上待檢測的多個對準標記的檢測動作，而在結(jié) 束多個標記的所有檢測動作前，控制該兩載臺以從該接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))切換成該分 離狀態(tài)。因此，能在進行晶片W上待檢測的多個對準標記的檢測動作的期間結(jié)束上述狀態(tài) 的切換動作。由此，與在晶片W上待檢測的多個對準標記的檢測動作前或其后進行上述狀 態(tài)的切換動作的情形相比較，能更提升處理能力。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，主控制裝置20系在該分離狀態(tài)下開始對準系統(tǒng)ALl的基 線測量動作，且在該接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))結(jié)束該動作。
另外，根據(jù)本實施形態(tài)，通過主控制裝置20控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 (Z調(diào)平機構(gòu)) 與對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL24，以一邊經(jīng)由未圖示的調(diào)平機構(gòu)改變多個對準系統(tǒng)與晶片W在 Z軸方向(聚焦方向)的相對位置關(guān)系，一邊以相對應的多個對準系統(tǒng)來同時檢測晶片W上 位置彼此不同的對準標記。換言之，一邊以多個對準系統(tǒng)同時改變多個對準系統(tǒng)與晶片W 在聚焦方向的相對位置關(guān)系，一邊用相對應的多個對準系統(tǒng)來同時檢測晶片W上位置彼此 不同的標記。由此能在各對準系統(tǒng)例如以最良好的聚焦狀態(tài)來進行標記檢測，并通過優(yōu)先 使用該檢測結(jié)果，可幾乎不受晶片W表面的凹凸及多個對準系統(tǒng)的最佳聚焦差異的影響， 以良好精度檢測出晶片W上的位置彼此不同的標記。此外，在本實施形態(tài)中，對準系統(tǒng)AL1、 AIA AL24雖大致沿X軸方向配置，但一邊以多個對準系統(tǒng)同時改變多個對準系統(tǒng)與晶片 W在聚焦方向的相對位置關(guān)系、一邊以相對應的多個對準系統(tǒng)來同時檢測晶片W上位置彼 此不同的標記的方法，即使對準系統(tǒng)系不同于上述的配置也相當有效。也就是，只要能以多 個對準系統(tǒng)來大致同時檢測出形成于晶片W上的彼此互異的位置的標記即可。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，可通過編碼器系統(tǒng)(包含測量值的短期穩(wěn)定性良好的編 碼器70A 70D等)來在不受空氣搖晃等的影響的情況下以高精度測量晶片臺WTB在XY 平面內(nèi)的位置信息，且通過面位置測量系統(tǒng)(包含Z傳感器72a 72CU74U 742,6、以及 IKi 762,6等)來在不受空氣搖晃等的影響的情況下以高精度測量晶片臺WTB在與XY平 面正交的Z軸方向的位置信息。此時，由于上述編碼器系統(tǒng)及上述面位置測量系統(tǒng)的兩者 均可直接測量晶片臺WTB的上面，因此能以簡易且直接控制晶片臺WTB的位置、進而能控制 晶片W的位置。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，在進行前述聚焦匹配時，通過主控制裝置20使上述面位 置測量系統(tǒng)與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)同時動作，將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測結(jié)果換 算成以面位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果為基準的數(shù)據(jù)。因此，通過預先取得此換算數(shù)據(jù)，在其后 僅需通過面位置測量系統(tǒng)測量晶片臺WT在Z軸方向的位置信息、以及相對XY平面的傾斜 方向的位置信息，能在不取得晶片W的面位置信息的情況下控制晶片W的面位置。因此，在 本實施形態(tài)中，即使前端透鏡191與晶片W表面的作業(yè)距離較窄，也不會產(chǎn)生任何問題，能 以良好精度執(zhí)行曝光時晶片W的聚焦/調(diào)平控制。在本實施形態(tài)中，從前述使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的說 明可知，在晶片W從用以將晶片W搬入晶片載臺WST的位置(裝載位置LP)移動至用以對 晶片W進行規(guī)定處理、例如進行曝光(圖案形成)的位置的過程中，主控制裝置20系進行 面位置控制系統(tǒng)與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的同時動作、以及上述數(shù)據(jù)的換算處理(聚焦匹 配)。另外，在本實施形態(tài)中，在開始對準系統(tǒng)ALl、AL2i AL2Ji多個待檢測標記的檢 測動作(例如前述晶片對準動作)直到結(jié)束該多個晶片的檢測動作為止的過程中，主控制 裝置20進行上述面位置控制系統(tǒng)與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的同時動作且開始上述數(shù)據(jù)的
換算處理。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，由于能如上述所述高精度地控制晶片臺WTB、進一步而言 為晶片W的面位置，因此能進行幾乎不會產(chǎn)生因面位置控制誤差所導致的曝光不良的高精 度曝光，由此能在不產(chǎn)生影像模糊的狀態(tài)下將圖案像形成于晶片W上。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，可通過主控制裝置20，例如在進行曝光前，以晶片臺WTB
55在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息為基準，使用多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測值 (測量值)來測量晶片W的面位置信息，并且在進行曝光時，也能以晶片臺WTB在X軸方向 一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息為基準，調(diào)整晶片W在平行于投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX 的方向及在相對與光軸AX正交的面的傾斜方向的位置。因此，不論在曝光前是否已測量晶 片W的面位置信息，在實際進行曝光時，也能高精度地進行晶片W的面位置控制。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，空間像測量裝置45的一部分設置于晶片臺WTB (晶片載臺 WST)上且剩余的一部分則設置于測量載臺MST,并測量通過投影光學系統(tǒng)PL所形成的測量 標記的空間像。因此，當例如進行前述聚焦校正時，可利用該空間像測量裝置45，在測量投 影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置時，將設有空間像測量裝置45 —部分的晶片臺WTB (晶片載 臺WST)在與投影光學系統(tǒng)PL的光軸平行的方向的位置作為該最佳聚焦位置的基準來進行 測量。因此，在用照明光IL對晶片進行曝光時，可根據(jù)該最佳聚焦位置的測量結(jié)果來高精 度地調(diào)整晶片臺WTB(晶片載臺WST)在與投影光學系統(tǒng)PL的光軸平行的方向的位置。另 外，由于在晶片臺WTB(晶片載臺WST)僅設有空間像測量裝置45的一部分，因此不會使該 晶片臺WTB(晶片載臺WST)大型化，能良好地確保該位置控制性。此外，也可不將空間像測 量裝置45剩余的一部分全部設置于測量載臺MST，而將其分別設置于測量載臺MST及其外 部。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，通過Y軸干涉儀18及X軸干涉儀130來測量測量載臺MST 的位置信息，并通過四個線性編碼器70A 70D測量晶片臺WTB(晶片載臺WST)的位置信 息。此處的線性編碼器70A 70D為反射型編碼器，其包含具有配置于晶片臺WTB上且以 分別平行于Y軸、X軸的方向為周期方向的光柵的多個光柵(也即Y標尺391、39￥2或父標 尺39&、39Χ2)、以及與標尺SgY1JgY2Jgx1Jgx2對向配置的讀取頭(Y讀取頭64或χ讀取 頭66)。因此，線性編碼器70Α 70D，從各讀取頭照射于所對向標尺(光柵)的光束的光 路長度比Y軸干涉儀18及X軸干涉儀130短許多，因此不易受到空氣搖晃的影響，其測量 值的短期穩(wěn)定性優(yōu)于Y軸干涉儀18及X軸干涉儀130。因此，能穩(wěn)定地控制用于保持晶片 的晶片臺WTB(晶片載臺WST)的位置。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，以Y軸方向為測量方向的多個Y讀取頭64在X軸方向的 間隔，設定成比Y標尺391、391在X軸方向的寬度窄，以X軸方向為測量方向的多個X讀 取頭66在Y軸方向的間隔，設定成比X標尺、39X2在Y軸方向的寬度窄。由此，在使晶 片臺WTB (晶片載臺WST)移動時，可一邊按順序切換多個Y讀取頭64，一邊根據(jù)用于將檢測 光(光束)照射于Y標尺39^或391的￥線性編碼器70A或70C的測量值，來測量晶片臺 WTB (晶片載臺WST)的Y位置，且可同時地一邊按順序切換多個X讀取頭66，一邊根據(jù)用于 將檢測光(光束)照射于X標尺或39X2的X線性編碼器70B或70D的測量值，來測量 晶片臺WTB(晶片載臺WST)的X位置。另外，根據(jù)本實施形態(tài)，在為了取得前述標尺的光柵間距的修正信息而使晶片臺 (晶片載臺WST)往Y軸方向移動時，由主控制裝置20以前述步驟求出用于修正各光柵線 37(構(gòu)成X標尺39Χ”39Χ2)的彎曲的修正信息(光柵彎曲的修正信息)。接著，由主控制裝 置20，一邊根據(jù)晶片臺WTB (晶片載臺WST)的Y位置信息及X標尺39&、39Χ2的光柵彎曲的 修正信息(以及光柵間距的修正信息)來修正從讀取頭單元62B、62D得到的測量值，一邊 使用X標尺39&、39Χ2與讀取頭單元62B、62D來將晶片臺WTB (晶片載臺WST)驅(qū)動于X軸方向。因此，可不受構(gòu)成X標尺39Xp39X2的各格子彎曲的影響，使用利用X標尺39Xp39X2 的讀取頭單元62B、62D(編碼器70B、70D)來以良好精度進行晶片臺WTB (晶片載臺WST)往 X軸方向的驅(qū)動。另外，通過在Y軸方向也進行與上述相同的動作，也能以良好精度進行晶 片臺WTB (晶片載臺WST)往Y軸方向的驅(qū)動。此外，在上述實施形態(tài)中所例示的情形，為用于測量Y軸方向位置的一對Y標尺 39Yp39Y2、以及用于測量X軸方向位置的一對X標尺39&、39Χ2設置于晶片臺WTB上，與此 對應地，一對讀取頭單元62A、62C隔著投影光學系統(tǒng)PL配置于X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，兩 個讀取頭單元62B、62D隔著投影光學系統(tǒng)PL配置于Y軸方向一側(cè)與另一側(cè)。然而并不限 于此，也可僅將Y軸方向位置測量用的Y標尺39Y”39Y2及X軸方向位置測量用的X標尺 39&、39&中的至少一方配置一個(并非一對)在晶片臺WTB上，或著，也可將一對讀取頭單 元62A、62C及兩個讀取頭單元62B、62D中的至少一方僅設置一個。另外，標尺的延設方向 及讀取頭單元的延設方向，并不限定于上述實施形態(tài)的X軸方向、Y軸方向等的正交方向， 只要彼此交叉的方向即可。此外，在上述說明中，雖然說明了在以晶片載臺WST進行晶片更換的期間，使用測 量載臺MST的⑶桿46來進行Sec-BCHK (時距)，但并不限于此，也可使用測量載臺MST的 測量用構(gòu)件進行照度不均測量(及照度測量)、空間像測量、波面像差測量等的至少一個， 并將該測量結(jié)果反映于其后進行的晶片曝光。具體而言，例如能根據(jù)測量結(jié)果，由調(diào)整裝置 68來進行投影光學系統(tǒng)PL的調(diào)整。另外，在上述實施形態(tài)中，雖然說明了在進行用于取得標尺的光柵間距修正信息 的校正時，以能忽視干涉儀的測量值短期變行程度的低速(極低速)來使晶片臺WTB移動， 但并不限于此，也能以非極低速的速度來使其移動。此時，例如也可在取得Y標尺39Υ”39Υ2 的光柵間距修正信息等時，將晶片臺設定于X軸方向的相異位置，一邊以與上述實施形態(tài) 同樣的方式使晶片臺分別在各自的位置移動于Y軸方向，一邊在該移動中同時取入編碼器 70A、70C的測量值與Y軸干涉儀16的測量值、以及讀取頭單元62A、62C的測量值，使用兩次 的同時取入的動作所得到的取樣值建立連立方程式，通過解此連立方程式，來分別獨立地 求出Y標尺的光柵間距的修正信息(例如修正圖)。另外，在上述實施形態(tài)中，如圖10(A)所示，雖用分光器等光學構(gòu)件來使來自光 源的光分歧，并把具備反射分歧后的光的兩片反射鏡的衍射干涉方式編碼器作為編碼器 70A 70F使用，但并不限于此，也能使用三光柵的衍射干涉式編碼器，或例如日本特開 2005-114406號公報等所公開的具備光反射塊的編碼器等。另外，在上述實施形態(tài)中，讀取 頭單元62A 62D雖具有以規(guī)定間隔配置的多個讀取頭，但并不限于此，也能采用單一讀取 頭，其具備將光束向在Y標尺或X標尺的間距方向細長延伸的區(qū)域射出的光源、以及接收來 自光束的Y標尺或X標尺(衍射光柵)的反射光(衍射光)且于Y標尺或X標尺的間距方 向接收光束的排列成毫無間隙的多數(shù)個受光組件。另外，在上述實施形態(tài)中，也能用可使來自讀取頭單元62A 62D的檢測光透射的 保護構(gòu)件(例如薄膜或玻璃板等)來覆蓋反射型衍射光柵，以防止衍射光柵的損傷等。另 外，在上述實施形態(tài)中雖將反射型衍射光柵設置于與XY平面大致平行的晶片載臺WST的上 面，但也可將反射型衍射光柵設置于例如晶片載臺WST的下面。此時，讀取頭單元62A 62D 配置于晶片載臺WST的下面所對向的例如底座板。再者，在上述實施形態(tài)中，雖使晶片載臺WST在水平面內(nèi)移動，但也可使其在與水平面交叉的平面(例如ZX平面等)內(nèi)移動。另外， 當標線片載臺RST為二維移動時，也可設置與前述編碼器系統(tǒng)相同構(gòu)成的編碼器系統(tǒng)來測 量標線片載臺RST的位置信息。此外，在上述實施形態(tài)中，干涉儀系統(tǒng)118雖可以在五自由度的方向(X軸、Y軸、 θχ、0y、θ ζ)測量晶片載臺WST的位置信息，但也能使其測量Z軸方向的位置信息。此 時，也可至少在進行曝光動作時，使用前述編碼器系統(tǒng)的測量值與干涉儀系統(tǒng)118的測量 值(至少包含Z軸方向的位置信息)來進行晶片載臺WST的位置控制。該干涉儀系統(tǒng)118， 例如日本特開2000-323404號公報(對應美國專利第7，116，401號說明書)、日本特表 2001-513267號公報(對應美國專利第6，208，407號說明書)等所公開的那樣，將相對XY 平面傾斜規(guī)定角度(例如45度)的反射面設于晶片載臺WST的側(cè)面，并經(jīng)由該反射面將測 定光束照射于設在例如前述鏡筒固定座或測量框架等的反射面，由此來測量晶片載臺WST 的Z軸方向的位置信息。此干涉儀系統(tǒng)118，也能通過使用多個測定光束來測量除了 Z軸方 向以外的ΘΧ方向及/或ey方向的位置信息。此時，也可不使用照射在晶片載臺WST的 用于測量ΘΧ方向及/或θ y方向的位置信息的測定光束的移動鏡。另外，在上述實施形態(tài)中，雖在讀取頭單元62C、62A上設置多個Z傳感器7<，」、76ρ, q，但并不限于此，也可將與Z傳感器相同的面位置傳感器設于例如測量框架。另外，編碼器 讀取頭及Z傳感器各自與晶片載臺的上面的間隔，最好與投影光學系統(tǒng)PL的前端透鏡191 為同等程度以下，例如較窄。由此能提升測量精度。此時由于難以設置AF傳感器，因此簡 易的Z傳感器顯得特別有效。另外，在上述實施形態(tài)中，嘴單元32的下面與投影光學系統(tǒng)PL的前端光學組件的 下端面雖然為大致同一面，但并不限于此，也能將例如嘴單元32的下面配置成較前端光學 組件的射出面更接近投影光學系統(tǒng)PL的像面(即晶片)附近。即，局部液浸裝置8并不限于 上述構(gòu)造，例如也能使用歐洲專利申請公開第1420298號說明書、國際公開第2004/055803 號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應美 國專利申請公開第2006/0231206號說明書)、國際公開第2004/086468號小冊子(對應美 國專利申請公開第2005/0280791號說明書)、日本特開2004-289126號公報(對應美國專 利第6，952，253號說明書)等所記載的。另外，也可采用如國際公開第2004/019128號小 冊子(對應美國專利申請公開第2005/0248856號說明書)所公開的，除了前端光學組件的 像面?zhèn)鹊墓饴芬酝猓谇岸斯鈱W組件的物體面?zhèn)鹊墓饴房臻g也以充滿液體。再者，也可于前 端光學組件表面的一部分(至少包含與液體的接觸面)或全部形成具有親液性及/或溶解 防止功能的薄膜。此外，雖石英與液體的親液性較高且也不需溶解防止膜，但最好至少將螢 石形成溶解防止膜。此外，在上述各實施形態(tài)中，雖使用純水(水)作為液體，但本發(fā)明當然并不限定 于此。也可使用化學性質(zhì)穩(wěn)定、照明光IL的透射率高的安全液體來作為液體，例如氟系惰 性液體。作為該氟系惰性液體，例如能使用氟洛黎納特(Fluorinert，美國3M公司的商品名 稱)。此氟系惰性液體也具優(yōu)異冷卻效果。另外，作為液體，也能使用對照明光IL的折射率 比純水(折射率1.44左右)高的，例如折射率為1.5以上的液體。此種液體，例如有折射 率約1. 50的異丙醇、折射率約1. 61的甘油(glycerine)之類具有C-H結(jié)合或O-H結(jié)合的 規(guī)定液體、己烷、庚烷、癸烷等規(guī)定液體(有機溶劑)、或折射率約1.60的十氫萘(Decalin Decahydronaphthalene)等?；蛘?，也可混合上述液體中任意兩種類以上的液體，也可在純 水中添加(混合)上述液體的至少一種者?；蛘?，作為液體，也可在純水添加(混合)H+、 Cs+、K+、Cl—、S042—、PO42-等堿基或酸等。進而，也可在純水添加(混合)Al氧化物等微粒子 者。上述液體能使ArF準分子激光透射。另外，作為液體，最好是光的吸收系數(shù)較小，溫度 依存性較少，并對涂布于投影光學系統(tǒng)PL及/或晶片表面的感光材(或保護膜(頂層涂 布膜)或反射防止膜等)較穩(wěn)定者。另外，在以F2激光作為光源時，只要選擇全氟聚醚油 (FomblinOil)即可。再者，作為液體，也能使用對照明光IL的折射率比純水高的，例如折 射率為1.6 1.8左右的。也能使用超臨界流體來作為液體。另外，投影光學系統(tǒng)PL投射 光學系PL的前端光學組件例如能以石英(二氧化硅)、氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟 化鋰、氟化納等氟化化合物的單結(jié)晶材料形成，或也可以折射率較石英或螢石高(例如1.6 以上)的材料來形成。作為折射率的1.6以上的材料，例如能使用國際公開第2005/059617 號小冊子所公開的藍寶石、二氧化鍺等、或者可使用如國際公開第2005/059618號小冊子 所公開的氯化鉀(折射率約1. 75)等。另外，在上述實施形態(tài)中，也可將回收的液體再予以利用，此時最好將過濾器(用 以從回收的液體除去雜質(zhì))設于液體回收裝置或回收管等。另外，在上述實施形態(tài)中，雖然說明了曝光裝置為液浸型曝光裝置的情形，但并不 限于此，也能采用在不經(jīng)由液體(水)的狀態(tài)下使晶片W曝光的干燥型曝光裝置。另外，在上述實施形態(tài)中，雖然說明了本發(fā)明適用于具備了晶片載臺WST(移動 體)、測量載臺MST (另一移動體)、對準系統(tǒng)(ALl、AI^1 AL24)、多點AF系統(tǒng)(90a、90b)、 Z傳感器、干涉儀系統(tǒng)118、以及編碼器系統(tǒng)(70A 70F)等全部的曝光裝置，但本發(fā)明并不 限定于此。例如本發(fā)明也能適用于未設置測量載臺MST等的曝光裝置。本發(fā)明，只要是具備 上述各構(gòu)成部分中的晶片載臺(移動體)與除此以外的一部分構(gòu)成部分的，都能適用。舉 一例而言，例如以標記檢測系統(tǒng)為重點的發(fā)明，只要至少具備晶片載臺WST與對準系統(tǒng)的 裝置，即能適用。另外，干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)當然并不一定要兩者都設置。另外，在上述實施形態(tài)中，雖說明了空間像測量裝置45分離配置于不同載臺，更 具體而言分離配置于晶片載臺WST與測量載臺MST，但分離配置的傳感器并不限于空間像 測量裝置，例如也可是波面像差測量器等。另外，不同載臺并不限于晶片載臺與測量載臺的 組合。另外，在上述實施形態(tài)中，雖說明了將本發(fā)明適用于步進掃描方式等的掃描型曝 光裝置，但并不限于此，也能將本發(fā)明適用于步進器等靜止型曝光裝置。即使是步進器等， 也能通過編碼器來測量裝載有曝光對象物體的載臺的位置，而能同樣地使因空氣搖晃所導 致的位置測量誤差的產(chǎn)生可能性幾乎為零。此時，可根據(jù)使用干涉儀的測量值來修正編碼 器的測量值短期變動的修正信息、以及編碼器的測量值，來以高精度定位載臺，其結(jié)果能將 高精度的標線片圖案轉(zhuǎn)印至物體上。另外，本發(fā)明也適用于用于合成照射區(qū)域與照射區(qū)域 的步進接合方式的縮小投影曝光裝置、近接方式的曝光裝置、或鏡面投影對準曝光器等。 再者，本發(fā)明也能適用于例如日本特開平10-163099號公報、日本特開平10-214783號公 報(對應美國專利6，590，634號說明書)、日本特表2000-505958號公報(對應美國專利 5，969，441號說明書)、美國專利6，208，407號說明書等所公開，具備多個晶片載臺的多載 臺型曝光裝置。
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另外，在上述實施形態(tài)的曝光裝置中的投影光學系統(tǒng)并不僅可為縮小系統(tǒng)，也可 為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一個，投影光學系統(tǒng)PL不僅可為折射系統(tǒng)，也可為反射系統(tǒng)及 反折射系統(tǒng)的任一個，其投影像也可是倒立像與正立像的任一個。再者，經(jīng)由投影光學系統(tǒng) PL來照射照明光IL的曝光區(qū)域IA，雖然在投影光學系統(tǒng)PL的視野內(nèi)包含光軸AX的軸上 區(qū)域，但例如也可與如國際公開第2004/107011號小冊子所公開的所謂在線型反折射系統(tǒng) 同樣地，其曝光區(qū)域為不含光軸AX的離軸區(qū)域，該在線型反折射系統(tǒng)具有多個反射面且將 至少形成一次中間像的光學系統(tǒng)(反射系統(tǒng)或反折射系統(tǒng))設置于其一部分，并具有單一 光軸。另外，前述照明區(qū)域及曝光區(qū)域的形狀雖為矩形，但并不限于此，也可為例如圓弧、梯 形、或平行四邊形等。另外，上述實施形態(tài)的曝光裝置的光源，不限于ArF準分子激光源，也能使用KrF 準分子激光源(輸出波長248nm)、F2激光(輸出波長157nm) ,Ar2激光(輸出波長126nm)、 Kr2激光(輸出波長146nm)等脈沖激光源，或發(fā)出g線(波長436nm)、i線(波長365nm) 等發(fā)射亮線的超高壓水銀燈等。另外，也可使用YAG激光的諧波產(chǎn)生裝置等。另外，可使用 例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利第7，023，610號說明書)所公開的 諧波，其以涂布有鉺(或鉺及鐿雙方)的光纖放大器，將從DFB半導體激光或纖維激光射出 的紅外線區(qū)或可見區(qū)的單一波長激光放大來作為真空紫外光，并用非線形光學結(jié)晶將其轉(zhuǎn) 換波長成紫外光。另外，在上述實施形態(tài)中，作為曝光裝置的照明光IL，并不限于波長大于IOOnm的 光，也可使用波長未滿IOOnm的光。例如，近年來，為了曝光70nm以下的圖案，已進行了一 種EUV曝光裝置的開發(fā)，其以SOR或電漿激光為光源來產(chǎn)生軟X線區(qū)域(例如5 15nm的 波長域)的EUV (Extreme Ultra Violet)光，且使用其曝光波長(例如13. 5nm)之下所設 計的全反射縮小光學系統(tǒng)及反射型掩膜。此裝置由于使用圓弧照明同步掃描掩膜與晶片來 進行掃瞄曝光的構(gòu)成，因此能將本發(fā)明非常合適地適用于上述裝置。此外，本發(fā)明也適用于 使用電子射線或離子光束等的帶電粒子射線的曝光裝置。另外，在上述實施形態(tài)中，雖然使用在光透射性的襯底上形成規(guī)定遮光圖案(或 相位圖案，減光圖案)的光透射性掩膜(標線片)，但也可使用例如美國專利第6，778，257 號說明書所公開的電子掩膜來代替此掩膜，該電子掩膜(也稱為可變成形掩膜、主動掩膜、 或影像產(chǎn)生器，例如包含非發(fā)光型影像顯示元件(空間光調(diào)變器)的一種的DMD (Digital Micro-mirror Device)等)是根據(jù)欲曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案、反射圖案、或 發(fā)光圖案。另外，本發(fā)明也能適用于，例如國際公開第2001/035168號說明書所公開的，通過 將干涉紋形成于晶片上、而在晶片上形成等間隔線圖案的曝光裝置(微影系統(tǒng))。進而，例如也能將本發(fā)明適用于例如日本特表2004-519850號公報(對應美國專 利第6，611，316號)所公開的曝光裝置，其將兩個標線片圖案經(jīng)由投影光學系統(tǒng)在晶片上 合成，通過一次的掃描曝光來對晶片上的一個照射區(qū)域大致同時進行雙重曝光。另外，在物體上形成圖案的裝置并不限于前述曝光裝置(微影系統(tǒng))，例如也能將 本發(fā)明適用于以噴墨式來將圖案形成于物體上的裝置。此外，上述實施形態(tài)中待形成圖案的物體(能量束所照射的曝光對象的物體)并 不限于晶片，也可是玻璃板、陶瓷襯底、膜構(gòu)件、或者掩膜襯底等其它物體。
曝光裝置用途并不限定于半導體制造用的曝光裝置，也可廣泛適用于例如用來制 造將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于方型玻璃板的液晶用曝光裝置，或制造有機EL、薄膜磁頭、攝 影組件(C⑶等)、微型機器及DNA芯片等的曝光裝置。另外，除了制造半導體元件等微型組 件以外，為了制造在光曝光裝置、EUV(極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線 曝光裝置等中使用的標線片或掩膜，也能將本發(fā)明適用于將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃襯底或硅 晶片等的曝光裝置。此外，本發(fā)明的標記檢測裝置并不限定于曝光裝置，也可廣泛適用于其它的襯底 處理裝置(例如激光修理裝置、襯底檢查裝置等其它)，或其它精密機械中的試料定位裝 置、打線裝置等具備在二維面內(nèi)移動的載臺等移動體的裝置。另外，為了保持規(guī)定的機械精度、電氣精度、光學精度通過組裝包含本案申請范圍 中所列舉的各構(gòu)成要素的各種子系統(tǒng)，以能來制造上述實施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝 置)。為確保這些各種精度，在組裝前后，對各種光學系統(tǒng)進行用于達成光學精度的調(diào)整、對 各種機械系統(tǒng)進行用于達成機械精度的調(diào)整、對各種電氣系統(tǒng)進行用于達成電氣精度的調(diào) 整。從各種子系統(tǒng)至曝光裝置的組裝過程，包含機械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配 管連接等。當然，從各種子系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程前，有各子系統(tǒng)獨立的組裝過程。當 各種子系統(tǒng)至曝光裝置的組裝過程結(jié)束后，即進行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置整體的各種 精度。此外，曝光裝置的制造最好是在溫度及清潔度等都受到管理的潔凈室進行。此外，援用上述實施形態(tài)所引用的曝光裝置等相關(guān)的所有公報、國際公開小冊子、 美國專利申請公開說明書及美國專利說明書的公開，作為本說明書記載的一部分。接著，說明在微影步驟使用上述曝光裝置(圖案形成裝置)的組件制造方法的實 施形態(tài)。圖37表示組件(IC(集成電路)或LSI等半導體芯片、液晶面板、(XD、薄膜磁頭、 微型機器等)的制造例流程圖。如圖37所示，首先，在步驟201(設計步驟)中，進行組件 的功能/性能設計(例如半導體元件的電路設計等)，并進行用于實現(xiàn)其功能的圖案設計。 接著，在步驟202 (掩膜制作步驟)中，制作形成有所設計電路圖案的掩膜。另一方面，在步 驟203(晶片制造步驟)中，使用硅等材料來制造晶片。其次，在步驟204 (晶片處理步驟)中，使用在步驟201 步驟203所準備的掩膜 及晶片，如后所述，利用微影技術(shù)等將實際電路等形成于晶片上。其次，在步驟205(組件組 裝步驟)中，使用在步驟204所處理的晶片進行組件組裝。在該步驟205中，依照需要而包 含切割過程、接合過程及封裝制程(芯片封入)等過程。最后，在步驟206 (檢查步驟)中，進行在步驟205制成的組件的動作確認測試、耐 久測試等檢查。在經(jīng)過這些步驟后組件即告完成，并將其出廠。圖38表示半導體元件中步驟204的詳細流程例。在圖38中，步驟211 (氧化步驟) 使晶片表面氧化。步驟212 (CVD (化學氣相沉積)步驟)是在晶片表面形成絕緣膜。步驟 213(電極形成步驟)利用蒸鍍將電極形成于晶片上。步驟214(離子注入步驟)將離子注 入晶片。以上步驟211 步驟214的各步驟構(gòu)成晶片處理的各階段的前處理步驟，并依照 各階段所需處理加以選擇并執(zhí)行。在晶片處理的各階段中，當結(jié)束上述前處理步驟時，如下進行后處理步驟。在該后 處理步驟中，首先，步驟215 (光阻形成步驟)將感光劑涂布于晶片。接著，在步驟216 (曝光步驟)中，使用以上說明的曝光裝置(圖案形成裝置)及曝光方法(圖案形成方法)將 掩膜的電路圖案轉(zhuǎn)印于晶片。其次，在步驟217(顯影步驟)中，使曝光的晶片顯影，在步驟 218(蝕刻步驟)中，藉由蝕刻除去光阻殘存部分以外部分的露出構(gòu)件。接著，在步驟219(光 阻除去步驟)中，除去結(jié)束蝕刻后不需要的光阻。通過反復進行這些前處理步驟及后處理步驟，在晶片上形成多重電路圖案。由于只要使用以上說明的本實施形態(tài)的組件制造方法，即會在曝光步驟(步驟 216)中使用上述實施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝置)及曝光方法(圖案形成方法)，因 此可一邊維持高重迭精度，一邊進行高處理能力的曝光。據(jù)此，能提升形成有微細圖案的高 積體度的微型組件的生產(chǎn)性。如以上的說明，本發(fā)明的圖案形成裝置、曝光裝置、及圖案形成方法、曝光方法、以 及組件制造方法，適于制造半導體元件及液晶顯示元件等的電子組件。另外，本發(fā)明的標記 檢測裝置，適于檢測裝載于曝光裝置等的載臺上的物體上的標記。
6權(quán)利要求
一種用能量束使物體曝光的曝光裝置，其特征在于具備移動體，能保持上述物體而在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向上移動；以及標記檢測系統(tǒng)，具有在上述第2方向位置不同的檢測區(qū)域，可同時檢測上述物體上的多個標記；上述移動體在上述第1方向上移動，用上述標記檢測系統(tǒng)檢測在上述物體上、在上述第1方向的位置不同的標記，并且隨著上述物體在上述第1方向的位置不同，用上述標記檢測系統(tǒng)所檢測的標記數(shù)目亦不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)，以上述多個檢測區(qū)域的一個來檢測在上述第1方向所移動的上述 物體上、在上述第2方向的位置大致相同的多個標記。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)，根據(jù)上述物體的標記配置調(diào)整上述檢測區(qū)域的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)，依照在上述第1方向上所移動的上述物體上的上述標記的上述第 2方向的位置，調(diào)整上述多個檢測區(qū)域的上述第2方向的相對位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)至少在上述第2方向可以改變上述多個檢測區(qū)域的相對位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于在上述物體上、在上述第1方向位置不同的多個群標記，通過使上述移動體在上述第1 方向移動而針對上述每個群利用上述標記檢測系統(tǒng)檢測，上述多個群標記中至少一群的標 記，包含在上述第2方向位置不同的多個標記。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于還具備具有測量上述移動體的位置信息的編碼器的測量裝置；在上述能量束對上述物體的曝光動作中、以及上述標記檢測系統(tǒng)對上述標記的檢測動 作中，通過上述編碼器測量上述移動體的位置信息。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于在上述移動體的移動中，用于上述測量的上述編碼器的多個讀取頭，其至少一個切換 至另一讀取頭。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于上述編碼器具有讀取頭部與周期性地排列格子的格子部；上述曝光裝置還具備修正裝置，修正因上述格子部產(chǎn)生的上述編碼器的測量誤差。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其特征在于上述修正裝置，修正因上述格子部的變形產(chǎn)生的測量誤差。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于上述測量裝置，包含測量上述移動體的位置信息的干涉儀；上述曝光裝置還具備控制裝置，在上述物體的曝光動作中，通過上述編碼器與上述干涉儀的一方或兩方，來 控制上述移動體的移動。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作，一邊分別改變對上述物體上的多個標記的聚焦狀態(tài)，一邊進行多次。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備 光學系統(tǒng)，將上述能量束所照明的圖案投影到上述物體上； 調(diào)整裝置，調(diào)整上述光學系統(tǒng)的光學特性；以及控制裝置，在由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作途中，根據(jù)上述標記檢 測系統(tǒng)的檢測結(jié)果，控制上述調(diào)整裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備光學系統(tǒng)，將上述能量束所照明的圖案投影至上述物體上；以及 控制裝置，將上述圖案的投影位置的測量動作與由上述標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢 測動作的一方，與另一方的動作的至少一部分同時進行。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其特征在于還具備檢測裝置，檢測上述物體在與上述第1及第2方向正交的第3方向的位置信息； 上述圖案的投影位置的測量動作與上述檢測裝置的檢測動作的至少一部分同時進行。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備 與上述移動體不同的另一移動體，可將上述移動體與上述另一移動體設定成接近至規(guī)定距離以下的第1狀態(tài)、以及使上 述兩移動體分離的第2狀態(tài)，可在由上述標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢測動作中切換上述 第1及第2狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于上述標記的檢測動作，在上述第1狀態(tài)下開始，在上述標記的檢測動作中從上述第1狀 態(tài)切換成上述第2狀態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)，包含第1標記檢測系統(tǒng)與上述檢測區(qū)域的位置可改變的第2標記 檢測系統(tǒng)；上述第1、第2標記檢測系統(tǒng)的上述檢測區(qū)域的位置關(guān)系的測量，是在上述曝光后的物 體的交換動作中進行。
19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備具有在上述第2方向上分離配置的一對基準格子、以及配置在上述一對基準格子之間 的多個基準標記的基準構(gòu)件；由上述編碼器進行的上述基準格子的檢測、以及由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述基準 標記的檢測可同時執(zhí)行。
20.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備檢測裝置，檢測上述物體在與上述第1及第2方向正交的第3方向的位置信息； 上述標記檢測系統(tǒng)與上述檢測裝置的檢測動作的至少一部分同時進行，且在該檢測動 作中上述移動體在上述第1方向移動。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的曝光裝置，其特征在于上述檢測裝置之檢測點配置于在上述第1方向上與上述多個檢測區(qū)域不同的位置。
22.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于還具備 光學系統(tǒng)，射出上述能量束；與上述移動體不同的另一移動體；以及液浸系統(tǒng)，將液體供應至上述光學系統(tǒng)的下方近處，以形成液浸區(qū)域， 通過在上述光學系統(tǒng)下方移動上述移動體與上述另一移動體，上述液浸區(qū)域一邊被 維持于上述光學系統(tǒng)的下方近處、一邊從上述移動體與上述另一移動體的一方移動至另一方。
23.一種組件制造方法，其特征在于包含使用權(quán)利要求1至22中的任一項所述的曝光裝置來使物體曝光的步驟；以及 使上述曝光后的物體顯影的步驟。
24.一種用能量束使物體曝光的曝光方法，其特征在于包含第1步驟，將上述物體裝載于可在規(guī)定平面內(nèi)在第1及第2方向移動的移動體上；以及 第2步驟，在使上述移動體在上述第1方向移動，檢測在上述物體上在上述第1方向的 位置不同的標記時，使用具有在上述第2方向位置不同的多個檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)， 根據(jù)上述物體在上述第1方向的位置，檢測不同數(shù)目的標記。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光方法，其特征在于在上述物體上、在上述第2方向的位置大致相同的多個標記，是一邊使上述移動體在 上述第1方向移動、一邊以上述多個檢測區(qū)域的一個來檢測。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光方法，其特征在于 根據(jù)上述物體的標記配置調(diào)整上述檢測區(qū)域的位置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的曝光方法，其特征在于根據(jù)在上述物體上的上述標記在上述第2方向的位置，調(diào)整上述多個檢測區(qū)域在上述 第2方向的相對位置。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光方法，其特征在于在上述物體上、在上述第1方向位置不同的多個群標記，通過使上述移動體在上述第1 方向移動而針對上述每個群利用上述標記檢測系統(tǒng)檢測，上述多個群標記中至少一群的標 記，包含在上述第2方向位置不同的多個標記。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光方法，其特征在于在上述能量束對上述物體的曝光動作中、以及上述標記檢測系統(tǒng)對上述標記的檢測動 作中，通過編碼器測量上述移動體的位置信息。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于在上述移動體的移動中，用于上述測量的上述編碼器的多個讀取頭，其至少一個切換 至另一讀取頭。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于修正被上述編碼器的測量束照射、因格子周期性地排列的格子部產(chǎn)生的上述編碼器的測量誤差。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光方法，其特征在于 修正因上述格子部的變形產(chǎn)生的測量誤差。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于在上述物體的曝光動作中，通過上述編碼器與干涉儀的一方或兩方，來控制上述移動 體的移動。
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于由上述標記檢測系統(tǒng)進行的標記的檢測動作，一邊分別改變對上述物體上的多個標記 的聚焦狀態(tài)，一邊進行多次。
35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于還包含在由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作途中，根據(jù)上述標記檢測系統(tǒng)的 檢測結(jié)果，調(diào)整將上述能量束所照明的圖案投影到上述物體上的光學系統(tǒng)的光學特性的步馬聚ο
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于將上述能量束所照明的圖案投影至上述物體上的光學系統(tǒng)的圖案投影位置的測量動 作、以及由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作的一方，與另一方的動作的至少 一部分同時進行。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的曝光方法，其特征在于上述圖案投影位置的測量動作與上述物體在與上述第1及第2方向正交的第3方向的 位置信息的檢測動作的至少一部分同時進行。
38.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于在由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述標記的檢測動作中，進行使上述移動體及與該移動 體不同的另一移動體接近至規(guī)定距離以下的第1狀態(tài)、以及使上述兩移動體分離的第2狀 態(tài)的切換。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的曝光方法，其特征在于上述標記的檢測動作，在上述第1狀態(tài)下開始，在上述標記的檢測動作中從上述第1狀 態(tài)切換成上述第2狀態(tài)。
40.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于上述標記檢測系統(tǒng)中的第1標記檢測系統(tǒng)與上述檢測區(qū)域的位置可改變的第2標記檢 測系統(tǒng)的上述檢測區(qū)域的位置關(guān)系的測量，是在上述曝光后的物體的交換動作中進行。
41.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于由上述編碼器進行的基準構(gòu)件的在上述第2方向上分離配置的一對基準格子的檢測、 以及由上述標記檢測系統(tǒng)進行的上述基準構(gòu)件的配置在上述一對基準格子之間的多個基 準標記的多個基準構(gòu)件的檢測可同時執(zhí)行。
42.根據(jù)權(quán)利要求29所述的曝光方法，其特征在于上述標記的檢測動作與上述物體在與上述第1及第2方向正交的第3方向的位置信息 的檢測動作的至少一部分同時進行，且在該檢測動作中上述移動體在上述第1方向移動。
43.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光方法，其特征在于將液體供應至射出上述能量束的光學系統(tǒng)的下方近處，以形成液浸區(qū)域，通過在上述光學系統(tǒng)下方的上述移動體及與上述移動體不同的另一移動體的移動，上 述液浸區(qū)域一邊被維持于上述光學系統(tǒng)的下方近處、一邊從上述移動體與上述另一移動體 的一方移動至另一方。
44.一種組件制造方法，其特征在于包含使用權(quán) 利要求24至43中的任一項所述的曝光方法來使物體曝光的步驟；以及 使上述曝光后的物體顯影的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種曝光裝置、曝光方法及組件制造方法。在晶片載臺(WST)在Y軸方向直線移動的期間，通過多點AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測在X軸方向以規(guī)定間隔所設定的多個檢測點中晶片(W)表面的面位置信息，且通過沿X軸方向排列成一列的多個對準系統(tǒng)(AL1、AL21～AL24)分別檢測晶片(W)上彼此不同位置的標記。即，由于晶片載臺(晶片)僅直線通過多點AF系統(tǒng)的多個檢測點的排列與多個對準系統(tǒng)，就結(jié)束多個檢測點中晶片表面的面位置信息的檢測與晶片上彼此不同位置的標記的檢測，因此與毫無關(guān)連地進行標記的檢測動作與面位置信息(聚焦信息)的檢測動作的情形相比較，能提升處理能力。
文檔編號G03F7/20GK101986209SQ20101050573
公開日2011年3月16日 申請日期2007年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月21日
發(fā)明者柴崎祐一 申請人:株式會社尼康