專利名稱：邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板、其制造方法及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示(TFT-IXD)領(lǐng)域，特別涉及一種邊緣場開關(guān) (Fringe Field Switching, FFS)型液晶顯示面板及其制造方法、以及具有該邊緣場開關(guān)型 液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前TFT-IXD在平板顯示領(lǐng)域占主導地位，已被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。傳統(tǒng)的扭 曲向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示面板存在窄視角的問題，為了實現(xiàn)廣視角的液晶 顯示，利用橫向電場的面內(nèi)切換(In-Plane Switch, IPS)型液晶顯示面板以及利用邊緣電 場的FFS型液晶顯示面板均被開發(fā)出來，F(xiàn)FS型液晶顯示面板相對于IPS型液晶顯示面板 來說其既有廣視角也有高透過率的優(yōu)點。圖1是現(xiàn)有的FFS型液晶顯示面板的局部平面圖，為了圖示的清楚和簡化起見，省 略了其中的彩色濾光片基板；圖2是沿圖1中A-A線的局部剖面圖，為了圖示的清楚和簡 化起見，省略了在彩色濾光片基板上設(shè)置的黑矩陣層和色阻層。參照圖1和圖2所示，現(xiàn)有 的FFS型液晶顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板100、彩色濾光片基板200以及夾于薄膜晶 體管陣列基板100與彩色濾光片基板200之間的液晶分子300，其中，薄膜晶體管陣列基板 100包括透明基底10以及形成于透明基底10上的多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102，多條 掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102交叉限定多個像素區(qū)域。每個像素區(qū)域包括像素電極14、公 共電極11以及用于控制像素電極14的薄膜晶體管103。像素電極14包括多個條形開槽 140以及借由所述多個條形開槽140形成的并且彼此電性連接的多個條形像素電極部142。 像素電極14和公共電極11之間隔有柵極絕緣層12和鈍化層13。薄膜晶體管103的柵極 為對應(yīng)掃描線101的一部分或與對應(yīng)的掃描線101電性連接，薄膜晶體管103的源極與對 應(yīng)的數(shù)據(jù)線102電性連接，薄膜晶體管103的漏極通過位于鈍化層13上的通孔C與像素電 極14電性連接。為了降低FFS型液晶顯示面板的驅(qū)動電壓，提高液晶分子的響應(yīng)速度，F(xiàn)FS型液晶 顯示面板通常采用正介電常數(shù)異向性液晶分子，然而，正介電常數(shù)異向性液晶分子應(yīng)用于 現(xiàn)有的FFS型液晶顯示面板中存在透過率低的缺陷。該FFS型液晶顯示面板利用位于上側(cè)的像素電極14的條形像素電極部142與位 于下側(cè)的公共電極11形成邊緣電場，邊緣電場在條形像素電極部142邊緣處的水平方向電 場分量最強，另外，由于正介電常數(shù)異向性液晶分子受電場影響時傾向平行于電場方向轉(zhuǎn) 向，因此，條形像素電極部142邊緣處的液晶分子300能夠在平行于透明基底10的平面內(nèi) 旋轉(zhuǎn)。條形像素電極部142之間區(qū)域的液晶分子300受到的垂直方向電場分量相對于條形 像素電極部142上方區(qū)域的液晶分子300來說要弱些，而受到的水平方向電場分量相對較 強，此外，再加上液晶分子300旋轉(zhuǎn)的彈性作用力，使得液晶分子亦會在平行于透明基底10 的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因此，該FFS型液晶顯示面板對應(yīng)于條形像素電極部142之間的區(qū)域也有較 高的透過率。然而，由于在該FFS型液晶顯示面板中公共電極11是平坦的一層，該電場在條形像素電極部142上方處具有較強的垂直方向電場分量，而受到的電場的水平方向電場 分量幾乎相互抵消，因此，條形像素電極部142上方的液晶分子300基本不會在平行于透明 基底10的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，而僅是在垂直于透明基底10的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，即發(fā)生傾斜站立起來， 從而導致像素電極14的條形像素電極部142上方的透過率較低。圖3是圖2所示的FFS型液晶顯示面板的透過率模擬效果圖。如圖3所示，F(xiàn)FS型 液晶顯示面板中僅有部分區(qū)域的透過率大約在6%左右，而在條形像素電極部142正上方 的位置，此處的邊緣電場較弱，液晶分子300由于處在較弱的邊緣電場作用下，因而具有較 小的扭轉(zhuǎn)角度，導致此處的透過率較低，最低處的透過率甚至低于5%，從而影響整個FFS 型液晶顯示面板的透過率的提高。另外，在該FFS型液晶顯示面板中，由于公共電極11是平坦的一層，公共電極11 與像素電極14之間需要較大的電壓差才能正常驅(qū)動液晶分子300的扭轉(zhuǎn)，從而導致這種 FFS型液晶顯示面板需要采用較大的驅(qū)動電壓。有鑒于此，中國發(fā)明專利第ZL 200610169588.9號揭示了一種電極突起的邊緣場 開關(guān)液晶顯示器，其包括薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光片基板以及封裝于兩個基板之間 的液晶層，薄膜晶體管陣列基板包括面板、一組柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義一像 素區(qū)域，像素區(qū)域包括薄膜晶體管器件、公共電極、像素電極和隔開公共電極和像素電極的 絕緣膜，其中，在隔開公共電極和像素電極的絕緣膜上形成多個橫截面為三角形的突起，像 素電極形成于該橫截面為三角形的突起上。由于突起狀像素電極的山形形狀，使像素電極 的邊緣部位的電場分布平移到像素電極的中心部位或者相鄰的像素電極之間的部分，這樣 像素電極邊緣部位和其周邊的電場分布的更為均勻，液晶分子移動也在整個像素區(qū)域變得 均勻，這樣各個部分的透過率也會得到均勻化。雖然在橫截面為三角形的突起上形成像素電極，在理論上能夠使得FFS型液晶顯 示面板獲得較好的透過率，然而，這種橫截面為三角形的突起，在實際制程中基本不可能實 現(xiàn)，因為在橫截面為三角形的突起上需要再覆蓋一層像素電極，形成在橫截面為三角形的 突起上的像素電極很容易在三角形的尖端處發(fā)生斷裂，從而導致像素電極之間的斷路，影 響FFS型液晶顯示面板的正常顯示功能。所以，在一般制程中，如果要形成在其上覆蓋電極 的突起，通常都形成尖端處“被削掉”的橫截面為類似于梯形的突起。圖4顯示了具有這種橫截面為類似于梯形的突起的FFS型液晶顯示面板的局部剖 面圖，為了圖示的清楚和簡化起見，其中沒有顯示彩色濾光片基板和液晶分子，僅顯示了薄 膜晶體管陣列基板。如圖4所示，在透明基底10上形成有公共電極11，在隔開像素電極14 和公共電極11的柵極絕緣層12和鈍化層13上形成有橫截面為類似于梯形的突起15，像 素電極14形成于該橫截面為類似于梯形的突起15上，從而使得位于上側(cè)的像素電極14的 部分區(qū)域被墊高。然而，一旦像素電極14形成在這種不具有尖端的突起15上時，像素電極 14上方受到的電場的水平方向電場分量并不能得到加強。圖5是圖4所示的FFS型液晶顯 示面板的透過率模擬效果圖。圖5與圖3是在相同的模擬條件進行的，由圖5可見，電場仍 主要存在于像素電極14的傾斜邊緣處，因此，像素電極14上方的透過率仍無法得到明顯改 善，這種具有電極突起的FFS型液晶顯示面板仍然會存在以上所提到的技術(shù)問題。因此，有必要提出改進以克服現(xiàn)有技術(shù)中的以上問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種FFS型液晶顯示面板，其能夠提高透過 率，降低驅(qū)動電壓。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其包括薄膜 晶體管陣列基板、彩色濾光片基板以及夾于所述薄膜晶體管陣列基板與所述彩色濾光片基 板之間的液晶分子，其中，所述薄膜晶體管陣列基板包括透明基底以及形成于所述透明基 底上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素區(qū) 域，每個像素區(qū)域包括第一透明電極、第二透明電極以及薄膜晶體管，所述第一透明電極設(shè) 置多個條形開槽，從而在所述第一透明電極上形成被所述多個條形開槽分別間隔的彼此電 性連接的多個條形第一透明電極部，其中，每個像素區(qū)域還包括位于所述第二透明電極的 下方并且對應(yīng)于所述第一透明電極的所述多個開槽的位置設(shè)置的多個條形凸起。本發(fā)明的另一方面提供一種液晶顯示器，其包括如上所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯 示面板。本發(fā)明的又一方面提供了一種邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其包括提供薄膜晶體管陣列基板，其包括在透明基底上形成絕緣介質(zhì)層，并對所述絕緣介質(zhì)層進行圖案化，以在透明基底 上形成多個條形凸起；形成第一透明導電材料層，并對所述第一透明導電材料層進行圖案化，以形成公 共電極；形成第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵極、掃 描線以及公共電極線，并且所述公共電極線與所述公共電極電性連接；依次形成柵極絕緣層、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并對所述摻雜非晶硅層和所述 非晶硅層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的半導體層；形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的源極和 漏極以及數(shù)據(jù)線；沉積鈍化層，并對所述鈍化層進行圖案化以形成通孔；以及形成第二透明導電材料層，并對所述第二透明導電材料層進行圖案化，以形成像 素電極，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電性連接；提供彩色濾光片基板；以及在所述薄膜晶體管陣列基板和所述彩色濾光片基板之間滴注液晶分子并密封成盒。
本發(fā)明通過在位于第二透明電極的下方對應(yīng)于第一透明電極的多個開槽的位置 設(shè)置多個條形凸起，從而將第二透明電極的部分區(qū)域墊高形成大致平行的多個條形第二透 明電極凸部，并且，多個條形第一透明電極部與多個條形第二透明電極凸部交替排列，使得 第一透明電極的多個條形第一透明電極部和第二透明電極的多個條形第二透明電極凸部 之間產(chǎn)生較強的邊緣電場，從而可以降低第二透明電極與第一透明電極之間的壓差，使得 液晶顯示面板的驅(qū)動電壓降低，同時提高整個液晶顯示面板的透過率。通過以下參考附圖的詳細說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當知 道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因為其應(yīng)當參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念 地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。


圖1是現(xiàn)有的一種FFS型液晶顯示面板的局部平面圖。圖2是沿圖1中A-A線的局部剖面圖。圖3是圖2所示的FFS型液晶顯示面板的透過率模擬效果圖。圖4是現(xiàn)有的另一種FFS型液晶顯示面板的局部剖面圖。圖5是圖4所示的FFS型液晶顯示面板的透過率模擬效果圖。圖6是本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板的局部平面圖。圖7是沿圖6中B-B線的局部剖面圖。圖8是圖7所示的本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板的透過率模擬效果圖。圖9是本發(fā)明的提供薄膜晶體管陣列基板步驟的流程圖。
具體實施例方式為使上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實 施方式做詳細的說明。在詳述本發(fā)明的實施方式時，為便于說明，表示其結(jié)構(gòu)的剖面圖不依一般比例作 局部放大，而且示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中 應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。本發(fā)明的液晶顯示器包括邊緣場開關(guān)(Fringe Field Switching, FFS)型液晶顯 示面板以及與FFS型液晶顯示面板連接的驅(qū)動電路(未圖示)。另外，需要說明的是，為了圖示的清楚和簡化起見，本發(fā)明的附圖僅顯示了與本發(fā) 明的創(chuàng)作點相關(guān)的結(jié)構(gòu)特征，而對于其他的結(jié)構(gòu)特征則進行了省略。圖6是本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板的局部平面圖，為了圖示的清楚和簡化起見， 省略了其中的彩色濾光片基板；圖7是沿圖6中B-B線的局部剖面圖，為了圖示的清楚和 簡化起見，省略了在彩色濾光片基板上設(shè)置的黑矩陣層和色阻層。結(jié)合參照圖6和圖7所 示，本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板100、彩色濾光片基板200和夾 于薄膜晶體管陣列基板100與彩色濾光片基板200之間的液晶分子300，其中，薄膜晶體管 陣列基板100包括透明基底10以及形成于透明基底10上的多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線 102，多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102交叉限定多個像素區(qū)域。每個像素區(qū)域包括第一透 明電極14、第二透明電極11以及薄膜晶體管103。第一透明電極14和第二透明電極11之 間隔有柵極絕緣層12和鈍化層13。第一透明電極14包括多個條形開槽140以及借由多個 條形開槽140形成的并且彼此電性連接的多個條形第一透明電極部142。多個條形第一透 明電極部142大致平行。位于第二透明電極11的下方并且對應(yīng)于第一透明電極14的多個 開槽140的位置設(shè)置有多個條形凸起15。在本實施方式中，多個條形凸起15位于透明基底 10與第二透明電極11之間。多個條形凸起15將第二透明電極11的部分區(qū)域墊高形成大 致平行的多個條形第二透明電極凸部112，并且，多個條形第一透明電極部142與多個條形 第二透明電極凸部112交替排列。
在本具體實施方式
中，第一透明電極14為像素電極14、第二透明電極11為公共電 極11，相對應(yīng)地，其中形成的條形第一透明電極部142為條形像素電極部142，形成的條形 第二透明電極凸部112為條形公共電極凸部112。薄膜晶體管103用于控制像素電極14，并且薄膜晶體管103的柵極為對應(yīng)掃描線 101的一部分或與對應(yīng)的掃描線101電性連接，薄膜晶體管103的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線102 電性連接，薄膜晶體管103的漏極通過位于鈍化層13上的通孔C與像素電極14電性連接。 薄膜晶體管陣列基板100的透明基底10通常采用的是玻璃，但也可以采用其他有機材料等 柔性材質(zhì)。像素電極14和公共電極11的材料通常為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO) 或者氧化銦鋅(Indium Zn Oxide, IZ0)等透明導電材料。在本具體實施方式
中，多個條形凸起15的橫截面為梯形，但本發(fā)明并不僅限于 此，多個條形凸起15的橫截面同樣可以為半圓形或弓形，或者其他不具有銳利尖端的形狀 等。優(yōu)選地，多個條形凸起的高度在0 1微米范圍之間，多個條形凸起15的梯形橫截面 的上下底的寬度在2 10微米范圍之間。優(yōu)選地，多個條形凸起15的材料為SiNx,但也可 以由其他有機層或非金屬的介電層等絕緣介質(zhì)層來代替。優(yōu)選地，本發(fā)明中的液晶分子300 優(yōu)選地采用正介電常數(shù)異向性液晶分子。當FFS型液晶顯示面板工作時，像素電極14和公共電極11上分別被施加不同的 電壓信號，此時，在像素電極14和公共電極11之間產(chǎn)生電壓差，在像素電極14和公共電極 11之間產(chǎn)生邊緣電場，液晶分子300在該邊緣電場的作用下而發(fā)生扭轉(zhuǎn)，再通過在FFS型液 晶顯示面板的上下兩側(cè)分別設(shè)置的偏光片(未圖示)以及液晶分子300的扭轉(zhuǎn)程度來控制 FFS型液晶顯示面板的光透過量，從而實現(xiàn)不同的顯示畫面。本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板將位于下側(cè)的公共電極11墊高，并且，公共電極11 墊高的條形公共電極凸部112對應(yīng)于像素電極14中相鄰的條形像素電極部142之間的開 槽140位置，其目的在于形成較強的邊緣電場效應(yīng)，對于下側(cè)的公共電極11來說，邊緣電 場的電荷主要分布在條形公共電極凸部112的傾斜邊緣處，由于該傾斜邊緣的存在，使得 位于上側(cè)的像素電極14上方的水平方向電場分量得到加強，進而使得位于像素電極14上 方的液晶分子300能夠在這增強的水平方向電場分量的作用下在平行于透明基底10的平 面內(nèi)扭轉(zhuǎn)，使得光線可以穿過液晶顯示面板，從而液晶顯示面板對應(yīng)于條形像素電極部142 上方位置處的透過率大大得到改善。圖8是圖7所示的本發(fā)明的FFS型液晶顯示面板的透過率模擬效果圖。圖8與圖 3、圖5都是在相同的模擬條件進行的，從圖8所示的模擬結(jié)果可以明顯看出，液晶顯示面板 的整體透過率均在6%以上，位于條形像素電極部142正上方的位置，其透過率相較于現(xiàn)有 的圖3和圖5都大大提高，從而使得整個液晶顯示面板的透過率提高。另外，邊緣電場對墊 高的條形公共電極凸部112上方的透過率影響也較小，其原因在于墊高的條形公共電極凸 部112上方主要受到的是位于上側(cè)的像素電極11的邊緣電場的影響，并且，像素電極11邊 緣處的邊緣電場的水平方向電場分量很強，加上液晶分子300的彈性作用力，因此，此處的 透過率也基本不會下降，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)中提到的FFS型液晶顯示面板來說，本發(fā)明 的FFS型液晶顯示面板的整體透過率得到了有效改善。此外，由于在像素電極14的多個條 形像素電極部142和公共電極11的多個條形公共電極凸部112之間產(chǎn)生較強的邊緣電場， 從而可以降低像素電極14與公共電極11之間的壓差，進而可以使得液晶顯示面板的驅(qū)動電壓降低。本發(fā)明通過在薄膜晶體管陣列基板100的透明基底10和公共電極11之間設(shè)置多 個條形凸起15，從而將公共電極11的部分區(qū)域墊高形成大致平行的多個條形公共電極凸 部112，并且，多個條形公共電極凸部112對應(yīng)于像素電極14的多個開槽140的位置，而且， 多個條形像素電極部142與多個條形公共電極凸部112交替排列，使得像素電極14的多個 條形像素電極部142和公共電極11的多個條形公共電極凸部112之間產(chǎn)生較強的邊緣電 場，從而可以降低像素電極14與公共電極11之間的壓差，使得液晶顯示面板的驅(qū)動電壓降 低，同時提高整個液晶顯示面板的透過率。另外，本發(fā)明還涉及這種邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其包括提供薄 膜晶體管陣列基板100步驟、提供彩色濾光片基板200步驟及滴注液晶分子300步驟。如圖9所示，提供薄膜晶體管陣列基板100步驟包括在步驟Sll中，在透明基底10上形成絕緣介質(zhì)層，并對絕緣介質(zhì)層進行圖案化，以 在透明基底上形成多個條形凸起15 ；在步驟S12中，在圖案化后的絕緣介質(zhì)層以及部分透明基底10上形成第一透明導 電材料層，并對第一透明導電材料層進行圖案化，以形成公共電極11 ；在步驟S13中，在透明基底10上形成第一金屬層，并對第一金屬層進行圖案化，以 形成薄膜晶體管103的柵極、掃描線101以及公共電極線(未圖示)，并且公共電極線與公 共電極11電性連接；在步驟S14中，在圖案化后的第一透明導電材料層、圖案化后的第一金屬層以及 在部分的透明基底10上依次形成柵極絕緣層12、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并對摻雜非晶 硅層和非晶硅層進行圖案化，以形成薄膜晶體管103的半導體層；在步驟S15中，在薄膜晶體管103的半導體層以及部分柵極絕緣層12上形成第 二金屬層，并對第二金屬層進行圖案化，以形成薄膜晶體管103的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線 102 ；在步驟S16中，在圖案化后的第二金屬層以及部分柵極絕緣層12上沉積鈍化層 13，并對鈍化層13進行圖案化以形成通孔C ；在步驟S17中，在圖案化后的鈍化層上形成第二透明導電材料層，并對第二透明 導電材料層進行圖案化，以形成像素電極14，并且像素電極14通過上面形成的通孔C與薄 膜晶體管103的漏極電性連接；從而，形成薄膜晶體管陣列基板100。滴注液晶分子300步驟包括在薄膜晶體管陣列基板100和彩色濾光片基板200 之間滴注液晶分子300并密封成盒，從而形成本發(fā)明的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板。以上實施方式僅針對第一透明電極是像素電極、第二透明電極是公共電極、條形 第一透明電極部是條形像素電極部、條形第二條形電極凸部是條形公共電極凸部的情況作 詳細描述，但本發(fā)明中同樣還可以為第一透明電極是公共電極、第二透明電極是像素電 極、條形第一透明電極部是條形公共電極部、條形第二透明電極凸部是條形像素電極凸部， 為簡化起見，不再贅述。以上對本發(fā)明所提供的FFS型液晶顯示面板，進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具 體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施方式的說明只是用于幫助理解本 發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的 限制，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
一種邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其包括薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光片基板以及夾于所述薄膜晶體管陣列基板與所述彩色濾光片基板之間的液晶分子，其中，所述薄膜晶體管陣列基板包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括第一透明電極、第二透明電極以及薄膜晶體管，所述第一透明電極設(shè)置多個條形開槽，從而在所述第一透明電極上形成被所述多個條形開槽分別間隔的彼此電性連接的多個條形第一透明電極部，其特征在于，每個像素區(qū)域還包括位于所述第二透明電極的下方并且對應(yīng)于所述第一透明電極的所述多個開槽的位置設(shè)置的多個條形凸起。
2.如權(quán)利要求1所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述多個條形第一透明電極 部大致平行，所述多個條形凸起將所述第二透明電極的部分區(qū)域墊高形成大致平行的多個 條形第二透明電極凸部，并且，所述多個條形第一透明電極部與所述多個條形第二透明電 極凸部交替排列。
3.如權(quán)利要求2所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述多個條形凸起位于所述 透明基底與所述第二透明電極之間，所述條形凸起的截面為梯形、半圓形、弓形或者其他不 具有銳利尖端的形狀。
4.如權(quán)利要求3所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述多個條形凸起的高度在 0 1微米范圍之間。
5.如權(quán)利要求3所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述多個條形凸起的橫截面 的寬度在2 10微米范圍之間。
6.如權(quán)利要求3所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述多個條形凸起的材料包 括 SiNx。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述第一透明 電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極，形成的所述條形第一透明電極部為條形 像素電極部，形成的所述條形第二透明電極凸部為條形公共電極凸部；或者，所述第一透明 電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極，形成的所述條形第一透明電極部為條形 公共電極部，形成的所述條形第二透明電極凸部為條形像素電極凸部。
8.如權(quán)利要求7所述的邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其中所述液晶分子為正介電常數(shù) 異向性液晶分子。
9.一種液晶顯示器，其特征在于其包括如權(quán)利要求1至8中任一項所述的邊緣場開 關(guān)型液晶顯示面板。
10.一種邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于其包括提供薄膜晶體管陣列基板，其包括在透明基底上形成絕緣介質(zhì)層，并對所述絕緣介質(zhì)層進行圖案化，以在透明基底上形 成多個條形凸起；形成第一透明導電材料層，并對所述第一透明導電材料層進行圖案化，以形成公共電極；形成第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線 以及公共電極線，并且所述公共電極線與所述公共電極電性連接；依次形成柵極絕緣層、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并對所述摻雜非晶硅層和所述非晶硅層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的半導體層；形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化，以形成薄膜晶體管的源極和漏極 以及數(shù)據(jù)線；沉積鈍化層，并對所述鈍化層進行圖案化以形成通孔；以及形成第二透明導電材料層，并對所述第二透明導電材料層進行圖案化，以形成像素電 極，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電性連接； 提供彩色濾光片基板；以及在所述薄膜晶體管陣列基板和所述彩色濾光片基板之間滴注液晶分子并密封成盒。
全文摘要
本發(fā)明公開了邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板、其制造方法以及液晶顯示器。其中，液晶顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括第一透明電極、第二透明電極以及薄膜晶體管，在所述第一透明電極設(shè)置多個條形開槽，從而在所述第一透明電極上形成被所述多個條形開槽分別間隔的彼此電性連接的多個條形第一透明電極部，每個像素區(qū)域還包括位于所述第二透明電極的下方并且對應(yīng)于所述第一透明電極的所述多個開槽的位置設(shè)置的多個條形凸起。本發(fā)明可以降低液晶顯示面板的驅(qū)動電壓，提高透過率。
文檔編號G02F1/1343GK101995707SQ20101026884
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月30日
發(fā)明者孔祥建, 廖家德, 戴文君, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司