專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。高分辨率和低功耗是目前TFT-IXD的發(fā)展趨勢(shì)，這些都對(duì)TFT-IXD的制造工藝提出了更高的要求。其中，采用電阻率更低的金屬材料作為數(shù)據(jù)線材料是發(fā)展趨勢(shì)之一，例如，現(xiàn)有TFT-LCD 采用鋁/鉬的金屬疊層制作數(shù)據(jù)線，為降低功耗，需要改用鋁/釹(AlNd)疊層、純鋁(Al) 或純銅(Cu)等電阻率更低的材料制作數(shù)據(jù)線。這些金屬材料的變化對(duì)TFT-LCD的制備工藝造成了一定影響，即對(duì)數(shù)據(jù)線的刻蝕需要由干刻工藝轉(zhuǎn)變?yōu)闈窨坦に嚒，F(xiàn)有常用的四次掩膜構(gòu)圖工藝中，第一次掩膜構(gòu)圖工藝形成柵線2和柵電極3的圖案，第二次掩膜構(gòu)圖工藝是采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)半曝光掩膜刻蝕工藝刻蝕形成數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8和帶有TFT溝道的有源層6的圖案，第三次掩膜構(gòu)圖工藝形成鈍化層過(guò)孔10的圖案，第四次掩膜構(gòu)圖工藝形成像素電極11的圖案，刻蝕完成后的圖案如圖1 所示。目前第二次掩膜構(gòu)圖工藝典型的刻蝕過(guò)程為首先連續(xù)沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，有源層薄膜包括摻雜半導(dǎo)體層薄膜62和半導(dǎo)體層薄膜61 ；涂覆光刻膠12，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠12進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域13、部分保留區(qū)域14和完全去除區(qū)域15的光刻膠12圖案，如圖2A所示；進(jìn)行第一次濕刻以刻蝕掉完全去除區(qū)域15 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，刻蝕后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)如圖2B所示；進(jìn)行第一次干刻以刻蝕掉完全去除區(qū)域15對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層薄膜61和摻雜半導(dǎo)體層薄膜62，如圖2C所示，此時(shí)可形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案；灰化去除部分厚度的光刻膠12，使部分保留區(qū)域14的光刻膠12完全去除，如圖2D所示；進(jìn)行第二次濕刻以刻蝕掉部分保留區(qū)域 14對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，如圖2E所示；進(jìn)行第二次干刻以刻蝕掉部分保留區(qū)域14對(duì)應(yīng)的有源層薄膜中的摻雜半導(dǎo)體層薄膜62和少部分半導(dǎo)體層薄膜61，以形成TFT溝道，如圖2F所示；最后將剩余的光刻膠12除去。圖2A 2F是在陣列基板的制備過(guò)程中在圖1 中的A-A線位置進(jìn)行剖切所得出的側(cè)視圖。上述過(guò)程為典型的一次掩膜構(gòu)圖后通過(guò)兩次濕刻和兩次干刻O(píng) Wet 2Dry，簡(jiǎn)稱 2W2D)進(jìn)行刻蝕的方式，濕刻和干刻工藝的選用是由被刻蝕的材料決定的。2W2D的方式相比于兩次掩膜，先形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，再形成帶TFT溝道的有源層而言，簡(jiǎn)化了一次掩膜構(gòu)圖工藝。但是，上述2W2D工藝過(guò)程存在如下缺陷第二次濕刻會(huì)對(duì)已經(jīng)過(guò)第一次濕刻的數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案進(jìn)行過(guò)刻，如圖2E所示，而對(duì)非金屬材料的有源層薄膜影響很小，所以導(dǎo)致數(shù)據(jù)線5與其上的光刻膠12圖案之間形成線寬差，如圖2E所示的距離dl是一側(cè)的線寬差，一條數(shù)據(jù)線的線寬差 =光刻膠的線寬-當(dāng)前數(shù)據(jù)線的線寬=2Xdl，約為4微米。經(jīng)過(guò)濕刻和干刻后，未被刻蝕的有源層薄膜的圖案與其上的光刻膠12圖案寬度差距較小，所以會(huì)存在有源層薄膜圖案的尾部寬度，即數(shù)據(jù)線5與有源層薄膜圖案的寬度之差，約為3 4微米。線寬差的存在會(huì)為陣列基板接口區(qū)域形成的數(shù)據(jù)線造成影響。陣列基板包括形成像素單元的像素區(qū)域，在像素區(qū)域的外圍是接口區(qū)域，數(shù)據(jù)線和柵線延伸至接口區(qū)域，以便連接驅(qū)動(dòng)電路，現(xiàn)有技術(shù)中，像素區(qū)域和接口區(qū)域中的數(shù)據(jù)線是同步形成的。在接口區(qū)域中，首先形成柵線和柵絕緣層；在柵絕緣層上沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；對(duì)數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜進(jìn)行兩次濕刻和兩次干刻，形成數(shù)據(jù)線的圖案；而后形成鈍化層。為便于連接驅(qū)動(dòng)電路，通常需要將數(shù)據(jù)線和柵線在接口區(qū)域集中布設(shè)，尤其是對(duì)于高分辨率、小尺寸的液晶顯示器而言，對(duì)布線密集度的要求很高。但是，線寬差現(xiàn)象的存在為數(shù)據(jù)線的集中布設(shè)造成了障礙。原因在于為滿足較低的電阻率，要求數(shù)據(jù)線的寬度不能過(guò)小，也就是有一定的寬度下限。當(dāng)數(shù)據(jù)線寬度下限確定時(shí)，就只能通過(guò)縮小數(shù)據(jù)線間距來(lái)使數(shù)據(jù)線在接口區(qū)域的布設(shè)更為密集。線寬差的存在使得數(shù)據(jù)線之間的最小間距至少等于線寬差與光刻膠最小有效間距之和，光刻膠最小有效間距是由于曝光工藝等原因決定的光刻膠圖案之間所必須的最小間距。例如，當(dāng)線寬差為4微米，光刻膠最小有效間距為5微米時(shí)，則數(shù)據(jù)線之間的最小間距至少為9微米?，F(xiàn)有技術(shù)為解決上述問(wèn)題，采用了五次掩膜構(gòu)圖工藝，即采用一次掩膜一次干刻來(lái)刻蝕形成有源層，再采用一次掩膜一次濕刻來(lái)刻蝕形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，濕刻次數(shù)的減少可減小線寬差。換言之，由于有源層尾部寬度的存在，為避免采用四次掩膜構(gòu)圖工藝時(shí)數(shù)據(jù)線下的有源層薄膜接觸，也需要采用五次掩膜構(gòu)圖工藝。該技術(shù)雖然能夠減小線寬差來(lái)縮小數(shù)據(jù)線的間距，但是增加了掩膜構(gòu)圖工藝的次數(shù)，使工藝復(fù)雜、生產(chǎn)效率降低、 成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以簡(jiǎn)化高效的生產(chǎn)工藝制備陣列基板，保持較小的數(shù)據(jù)線間距。本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法，包括在像素區(qū)域形成柵線、柵電極、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極圖案的流程以及同時(shí)在接口區(qū)域形成柵線和數(shù)據(jù)線圖案的流程，其中，在所述像素區(qū)域形成數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極的圖案且同時(shí)在所述接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線圖案的流程包括沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；涂覆光刻膠，并進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；進(jìn)行第一次濕刻，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并進(jìn)行第一次干刻，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的有源層薄膜，在所述像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次濕刻，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并進(jìn)行第二次干刻，刻蝕所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分有源層薄膜，在所述像素區(qū)域形成有源層的圖案，在所述接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線的圖案；灰化去除剩余的光刻膠；
刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余有源層薄膜。本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形成有像素區(qū)域和接口區(qū)域；所述像素區(qū)域形成有柵線、柵電極、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極的圖案；所述接口區(qū)域形成有柵線和數(shù)據(jù)線的圖案，其中所述接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線形成在有源層薄膜之上，且所述接口區(qū)域數(shù)據(jù)線的寬度與所述有源層薄膜的寬度之差小于兩次濕刻的線寬差。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板，其中所述液晶面板包括彩膜基板和本發(fā)明提供的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間填充有液晶層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，采用一次半曝光掩膜構(gòu)圖工藝同時(shí)刻蝕形成像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極以及接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線圖案， 使得接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線僅經(jīng)過(guò)一次濕刻形成，避免兩次濕刻造成的過(guò)大線寬差，解決了線寬差過(guò)大降低接口區(qū)域數(shù)據(jù)線密集度的問(wèn)題，以簡(jiǎn)化高效的生產(chǎn)工藝制備陣列基板，且保持較小的接口區(qū)域數(shù)據(jù)線間距。


圖IA為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板像素區(qū)域的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A 2F為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板接口區(qū)域的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法中第二次掩膜構(gòu)圖工藝的流程圖；圖5A 5D為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法所制備的接口區(qū)域的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法所制備的接口區(qū)域的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法所制備的接口區(qū)域的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的局部流程圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法所制備的接口區(qū)域的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1-襯底基板；4-柵絕緣層；50-數(shù)據(jù)線金屬薄膜；62-摻雜半導(dǎo)體層薄膜；9-鈍化層；11-像素電極；14-部分保留區(qū)域；
具體實(shí)施例方式
2-柵線；
40-柵絕緣層薄膜；
6-有源層；
7-源電極；
90-鈍化層薄膜； 12-光刻膠； 15-完全去除區(qū)域。
3-柵電極； 5-數(shù)據(jù)線； 61-半導(dǎo)體層薄膜 8-漏電極； 10-鈍化層過(guò)孔； 13-完全保留區(qū)域
6
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法流程圖，該制造方法包括在像素區(qū)域形成柵線、柵電極、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極圖案的流程以及同時(shí)在接口區(qū)域形成柵線和數(shù)據(jù)線圖案的流程，本實(shí)施例的方法具體為采用四次掩膜構(gòu)圖工藝制備陣列基板的方法，包括如下步驟步驟301、在襯底基板1上沉積柵金屬薄膜，采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕該柵金屬薄膜，形成包括柵線2和柵電極3的圖案；柵金屬薄膜可以采用非透光導(dǎo)電材料制成，例如鋁、釹、鉬等金屬。步驟302、在形成上述圖案的襯底基板1上形成柵極絕緣層、有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8和有源層6的圖案；雙色調(diào)掩膜板具體可以為灰色調(diào)掩膜板和半色調(diào)掩膜板。柵極絕緣層薄膜以及有源層薄膜的半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜可以采用等離子體化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱PECVD) 等工藝沉積，數(shù)據(jù)線金屬薄膜可以采用磁控濺射方式沉積。步驟303、在形成上述圖案的襯底基板1上可以采用PECVD工藝形成鈍化層薄膜， 采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕鈍化層薄膜形成包括鈍化層過(guò)孔10的鈍化層圖案；步驟304、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積透明導(dǎo)電薄膜，采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括像素電極11的圖案，所形成的像素區(qū)域結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖1所示。在本實(shí)施例中，形成柵絕緣層4之后進(jìn)行的第二次掩膜構(gòu)圖工藝是在像素區(qū)域形成數(shù)據(jù)線5、有源層6、源電極7和漏電極8的圖案且同時(shí)在接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線5圖案的流程，如圖4所示，具體包括如下步驟步驟401、在柵絕緣層薄膜40上沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，有源層薄膜一般包括半導(dǎo)體層薄膜61和摻雜半導(dǎo)體層薄膜62 ；步驟402、涂覆光刻膠12，并采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域13、部分保留區(qū)域14和完全去除區(qū)域15的光刻膠12圖案，如圖5A所示為接口區(qū)域的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，此時(shí)像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖2A所示；步驟403、進(jìn)行第一次濕刻，刻蝕掉完全去除區(qū)域15對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，并進(jìn)行第一次干刻，刻蝕掉完全去除區(qū)域15對(duì)應(yīng)的有源層薄膜，在像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線 5、源電極7和漏電極8的圖案，像素區(qū)域參見(jiàn)圖2B和2C所示，接口區(qū)域由于全部有光刻膠 12的保護(hù)，所以結(jié)構(gòu)不變；步驟404、按照部分保留區(qū)域14的光刻膠12厚度灰化去除光刻膠12，使部分保留區(qū)域14的光刻膠12完全去除，而完全保留區(qū)域13的光刻膠12保留一定厚度。接口區(qū)域如圖5B所示，像素區(qū)域可參見(jiàn)圖2D所示；步驟405、進(jìn)行第二次濕刻，刻蝕掉部分保留區(qū)域14對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜50，并進(jìn)行第二次干刻，刻蝕部分保留區(qū)域14對(duì)應(yīng)的部分有源層薄膜，在像素區(qū)域形成有源層6 的圖案，該有源層6圖案中帶有TFT溝道，在接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線5的圖案，接口區(qū)域如圖 5C所示，像素區(qū)域可參見(jiàn)圖2E和2F所示；本步驟中對(duì)接口區(qū)域的有源層薄膜刻蝕與像素區(qū)域的有源層薄膜刻蝕是同步的，像素區(qū)域?qū)τ性磳颖∧さ目涛g是需要刻蝕掉摻雜半導(dǎo)體層薄膜62和部分半導(dǎo)體層薄膜61，以形成TFT溝道，接口區(qū)域相應(yīng)地刻蝕掉摻雜半導(dǎo)體層薄膜62和部分半導(dǎo)體層薄膜61。步驟406、灰化去除剩余的光刻膠12 ；步驟407、刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域14對(duì)應(yīng)的剩余有源層薄膜，如圖5D所示，刻蝕完成的陣列基板接口區(qū)域如圖6所示，圖5A 5D是在制備過(guò)程中從圖6中的B-B 線進(jìn)行剖切獲得。在形成接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線5之后，如果保留有源層薄膜的材料，可能會(huì)在相鄰數(shù)據(jù)線5之間產(chǎn)生漏電流，當(dāng)受到背光源作用時(shí)會(huì)導(dǎo)通數(shù)據(jù)線5，所以需要將剩余的有源層薄膜刻蝕掉。剩余有源層薄膜可以采用掩模板通過(guò)獨(dú)立的刻蝕工藝刻蝕掉。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，在采用濕刻才能刻蝕的材料作為數(shù)據(jù)線材料時(shí)，仍然可以使用典型的2W2D構(gòu)圖工藝來(lái)同時(shí)形成數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極的圖案。在像素區(qū)域中，由于存在像素電極作為間隔，所以對(duì)數(shù)據(jù)線的密集度基本沒(méi)有要求，仍然可以采用2W2D的工藝進(jìn)行刻蝕成型。在接口區(qū)域中，對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的圖案形成光刻膠的部分保留區(qū)域，則使接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線所經(jīng)歷的濕刻只有一次，避免兩次濕刻對(duì)數(shù)據(jù)線的過(guò)刻而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的線寬差過(guò)大。數(shù)據(jù)線之間的最小間距至少等于線寬差與光刻膠最小有效間距之和，因此，線寬差的減小，可以縮小數(shù)據(jù)線之間的間距，從而能夠提高接口區(qū)域數(shù)據(jù)線的密集度，適應(yīng)高分辨率、小尺寸等液晶面板對(duì)接口區(qū)域數(shù)據(jù)線密集度的要求。本實(shí)施例的技術(shù)方案能夠以簡(jiǎn)化高效的生產(chǎn)工藝制備陣列基板，保持接口區(qū)域較小的數(shù)據(jù)線間距。在具體應(yīng)用中，本發(fā)明制備接口區(qū)域數(shù)據(jù)線的方案并不限于應(yīng)用在典型的四次掩膜構(gòu)圖工藝流程中，還可以應(yīng)用在其他陣列基板的制造工藝中，只要數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和有源層的制備過(guò)程采用本發(fā)明的技術(shù)方案即在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余有源層薄膜的方式有多種，不僅可以如上所述采用獨(dú)立的刻蝕工藝刻蝕掉，另一種優(yōu)選方式為在像素區(qū)域和接口區(qū)域形成鈍化層薄膜；通過(guò)構(gòu)圖工藝，刻蝕掉漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜。具體可以是采用單色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，刻蝕掉漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣材料，對(duì)實(shí)施例一中所示的具體陣列基板結(jié)構(gòu)，刻蝕掉的絕緣材料包括鈍化層薄膜90和剩余有源層薄膜，根據(jù)刻蝕時(shí)間，還可能刻蝕掉部分或全部柵絕緣層薄膜40，接口區(qū)域的結(jié)構(gòu)如圖7所
7J\ ο該技術(shù)方案利用了原有的對(duì)鈍化層采取的構(gòu)圖工藝，因此可以不增加工藝復(fù)雜度，提高生產(chǎn)效率。實(shí)施例二圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的局部流程圖，通過(guò)構(gòu)圖工藝，刻蝕掉漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜的步驟具體為采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，通過(guò)第一次刻蝕來(lái)刻蝕掉漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，再通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜，即包括如下步驟步驟801、在實(shí)施例一中完成步驟406的襯底基板1上形成鈍化層薄膜90 ；步驟802、在鈍化層薄膜90上涂覆光刻膠，并采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行曝光顯影，若步驟402中采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行刻蝕形成的是第一完全保留區(qū)域、第一部分保留區(qū)域和第一完全去除區(qū)域，則本步驟中形成的光刻膠圖案包括第二完全保留區(qū)域、第二部分保留區(qū)域和第二完全去除區(qū)域。光刻膠的第二完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素區(qū)域中待形成的鈍化層過(guò)孔，第二部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于接口區(qū)域中各數(shù)據(jù)線5之間的間隔區(qū)域，也就是第一部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分，其他部分對(duì)應(yīng)光刻膠的第二完全保留區(qū)域；步驟803、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案；步驟804、按照第二部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；步驟805、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉第二部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜90和有源層薄膜，有源層薄膜包括半導(dǎo)體層薄膜61和摻雜半導(dǎo)體層薄膜62。第二部分保留區(qū)域僅對(duì)應(yīng)接口區(qū)域中數(shù)據(jù)線5之間的間隔部分，結(jié)構(gòu)如圖9所示。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，與鈍化層過(guò)孔相對(duì)獨(dú)立地刻蝕接口區(qū)域的鈍化層薄膜和有源層薄膜，可以有效控制刻蝕時(shí)間，從而保留全部或大部分柵絕緣層薄膜，具備減少斷差的優(yōu)點(diǎn)?；蛘?，在步驟802中采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成光刻膠圖案時(shí)，光刻膠的第二完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于接口區(qū)域中第一部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分，也就是接口區(qū)域中各數(shù)據(jù)線之間的間隔區(qū)域，第二部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素區(qū)域中待形成的鈍化層過(guò)孔，其他部分對(duì)應(yīng)光刻膠的第二完全保留區(qū)域?？梢酝ㄟ^(guò)第一次刻蝕來(lái)刻蝕接口區(qū)域中第一部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分薄膜；按照第二部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；再通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕掉漏電極上方的鈍化層薄膜形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕接口區(qū)域中第一部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余鈍化層薄膜和有源層薄膜。在上述技術(shù)方案中，先刻蝕掉接口區(qū)域中露出的一部分薄膜，再灰化去除光刻膠， 鈍化層過(guò)孔的位置也露出來(lái)，第二次刻蝕是同時(shí)刻蝕像素區(qū)域和接口區(qū)域露出的位置。接口區(qū)域露出的薄膜經(jīng)過(guò)了兩次刻蝕，像素區(qū)域的鈍化層薄膜經(jīng)過(guò)了一次刻蝕，可以通過(guò)合理分配兩次刻蝕的時(shí)間，使鈍化層過(guò)孔處的鈍化層薄膜完全被刻蝕掉，接口區(qū)域的鈍化層薄膜和有源層薄膜被完全刻蝕掉，且保留接口區(qū)域露出的部分或全部柵絕緣層薄膜。本發(fā)明各實(shí)施例的技術(shù)方案能夠以簡(jiǎn)化高效的生產(chǎn)工藝制備陣列基板，保持陣列基板接口區(qū)域高數(shù)據(jù)線的密集度，接口區(qū)域數(shù)據(jù)線的間距可以減小至5微米左右。本發(fā)明的技術(shù)方案尤其適用于數(shù)據(jù)線的材料采用鋁/釹疊層、鋁或銅等低電阻率，必須用濕刻工藝刻蝕的情況。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有像素區(qū)域和接口區(qū)域；像素區(qū)域形成有柵線2、柵電極3、有源層6、數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8 和像素電極11的圖案；接口區(qū)域形成有柵線2和數(shù)據(jù)線5的圖案，接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線5形成在有源層薄膜之上，且接口區(qū)域數(shù)據(jù)線5的寬度與有源層薄膜的寬度之差小于兩次濕刻的線寬差，結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖5D和圖6所示。本發(fā)明提供的陣列基板采用本發(fā)明所提供的陣列基板的制造方法制備而成，可以采用一次半曝光掩膜構(gòu)圖工藝形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案，以簡(jiǎn)化高效的制造工藝形成接口區(qū)域密集度高的數(shù)據(jù)線，降低了產(chǎn)品成本。本發(fā)明的陣列基板，在接口區(qū)域中，數(shù)據(jù)線5和柵線2之間的柵絕緣層4圖案與數(shù)據(jù)線5的圖案對(duì)應(yīng)，結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖7所示。接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線之間的間距小于9微米，優(yōu)選是在5微米左右。數(shù)據(jù)線的材料可以為鋁/釹疊層、鋁或銅等低電阻率的材料。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板，該液晶面板包括彩膜基板和本發(fā)明的陣列基板，彩膜基板和陣列基板之間填充有液晶層。該液晶顯示器具有生產(chǎn)成本低和接口區(qū)域數(shù)據(jù)線密集度高的優(yōu)點(diǎn)。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，包括在像素區(qū)域形成柵線、柵電極、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極圖案的流程以及同時(shí)在接口區(qū)域形成柵線和數(shù)據(jù)線圖案的流程，其特征在于，在所述像素區(qū)域形成數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極的圖案且同時(shí)在所述接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線圖案的流程包括沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；涂覆光刻膠，并進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；進(jìn)行第一次濕刻，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并進(jìn)行第一次干刻，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的有源層薄膜，在所述像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次濕刻，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并進(jìn)行第二次干刻，刻蝕所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分有源層薄膜，在所述像素區(qū)域形成有源層的圖案，在所述接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線的圖案；灰化去除剩余的光刻膠；刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余有源層薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余有源層薄膜包括在像素區(qū)域和接口區(qū)域形成鈍化層薄膜；通過(guò)構(gòu)圖工藝，刻蝕掉所述漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝，刻蝕掉所述漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜包括采用單色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，刻蝕掉所述漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣材料，所述絕緣材料包括所述鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝，刻蝕掉所述漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且同時(shí)刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜包括采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，通過(guò)第一次刻蝕來(lái)刻蝕掉所述漏電極的上方的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案，再通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕掉所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和剩余有源層薄膜；或采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，通過(guò)第一次刻蝕來(lái)刻蝕所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分薄膜；再通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕掉所述漏電極上方的鈍化層薄膜形成鈍化層過(guò)孔的圖案，且通過(guò)第二次刻蝕來(lái)刻蝕所述接口區(qū)域中所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余鈍化層薄膜和有源層薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一權(quán)利要求所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述數(shù)據(jù)線的材料為鋁/釹疊層、鋁或銅。
6.一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形成有像素區(qū)域和接口區(qū)域；所述像素區(qū)域形成有柵線、柵電極、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極的圖案；所述接口區(qū)域形成有柵線和數(shù)據(jù)線的圖案，其特征在于所述接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線形成在有源層薄膜之上，且所述接口區(qū)域數(shù)據(jù)線的寬度與所述有源層薄膜的寬度之差小于兩次濕刻的線寬差。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于在所述接口區(qū)域中，數(shù)據(jù)線和柵線之間的柵絕緣層圖案與所述數(shù)據(jù)線的圖案對(duì)應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線之間的間距小于9微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6 8任一權(quán)利要求所述的陣列基板，其特征在于所述數(shù)據(jù)線的材料為鋁/釹疊層、鋁或銅。
10.一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括彩膜基板和權(quán)利要求6 9任一所述的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間填充有液晶層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。該方法中形成數(shù)據(jù)線的流程包括沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；涂覆光刻膠并進(jìn)行曝光顯影；第一次刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，在像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次濕刻，刻蝕掉部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并進(jìn)行第二次干刻，刻蝕部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分有源層薄膜，在像素區(qū)域形成有源層的圖案，在接口區(qū)域形成數(shù)據(jù)線的圖案；灰化光刻膠；刻蝕掉接口區(qū)域中部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的剩余有源層薄膜。本發(fā)明以簡(jiǎn)化高效的生產(chǎn)工藝制備陣列基板，且保持較小的接口區(qū)域數(shù)據(jù)線間距。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102237305SQ20101016870
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月6日
發(fā)明者謝振宇, 龍春平 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司