專利名稱：柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是常用的平板顯示器，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。目前各公司設(shè)計的TFT-IXD在整個工作過程中，無論工作時間長短均采用相同的柵極工作電壓(Vgh)。圖1為光照和暗室條件下溝道的開態(tài)電流(Ion)隨柵極工作電壓變化的示意圖， 圖2為光照條件下溝道的開態(tài)電流隨TFT開啟時間變化的示意圖。在實際使用過程中，TFT 大多時間處于光照條件下，如圖1所示，在光照條件下，TFT溝道區(qū)會因光照而產(chǎn)生光生載流子，導致光照條件下的Ion(圖1中實線)高于暗室條件下的Ion(圖1中虛線)；并且， 當柵極工作電壓很高時，對應的開態(tài)電流也很高。如圖2所示，隨著TFT開啟時間的增加， 若柵極工作電壓一直維持較高，TFT的柵極偏壓將增大，TFT會發(fā)生偏移現(xiàn)象，也會導致TFT Ion增加。上述情況也會造成柵極開啟電壓(Vth)增加，也會造成TFT關(guān)態(tài)電流(Ioff)增加，使得TFT性能變差，最終導致TFT-LCD工作性能下降，穩(wěn)定性降低，壽命減短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板，能適當調(diào)整TFT的柵極工作電壓，提高TFT-IXD工作性能。本發(fā)明提供一種柵極驅(qū)動方法，包括根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；根據(jù)所述柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上薄膜晶體管的柵極工作電壓。本發(fā)明提供一種柵極驅(qū)動電路，包括反饋電路，用于根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；控制電路，用于根據(jù)所述柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上薄膜晶體管的柵極工作電壓。 本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括上述柵極驅(qū)動電路，其中，所述柵極驅(qū)動電路位于所述液晶顯示面板的顯示區(qū)域外。本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板，根據(jù)陣列基板上至少一個TFT 的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況，然后根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓，實現(xiàn)了根據(jù)開態(tài)電流適當調(diào)整TFT的柵極工作電壓，避免了因柵極工作電壓一直維持不變而帶來的各種問題，提高了 TFT-LCD工作性能。


圖1為光照和暗室條件下溝道的Ion隨柵極工作電壓變化的示意圖2為光照條件下溝道的Ion隨TFT開啟時間變化的示意圖；圖3為本發(fā)明實施例一提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例二提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實施例三提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖；圖6為本發(fā)明實施例四提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例五提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例六提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例七提供的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。圖3為本發(fā)明實施例一提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖。如圖3所示，本實施例具體包括步驟101、根據(jù)陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；步驟102、根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓。在上述步驟101中，根據(jù)檢測到的陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取與之對應的柵極工作電壓變化情況，例如當檢測出陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流增加時，在保持相同的充電率的條件下，獲取柵極工作電壓適當降低的變化情況。在上述步驟102中，當獲取到柵極工作電壓適當降低的變化情況，降低陣列基板上TFT的柵極工作電壓。本實施例提供的柵極驅(qū)動方法，根據(jù)陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況，然后根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓，實現(xiàn)了根據(jù)開態(tài)電流適當調(diào)整TFT的柵極工作電壓，避免了因柵極工作電壓一直維持不變而帶來的各種問題，提高了 TFT-LCD工作性能。進一步的，對于陣列基板上用于顯示的TFT來說，當其Ion增加時，要保持相同的充電率(即保持畫面品質(zhì)不變)，可以適當降低Vgh?；诖?，本實施例提供的柵極驅(qū)動方法，當檢測出陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流增加時，可以獲取柵極工作電壓適當降低的變化情況，進而根據(jù)該變化情況，降低陣列基板上TFT的柵極工作電壓。這樣在保證畫面品質(zhì)不變的情況下，降低了 TFT柵極偏壓，緩解了 TFT偏移問題，提升了 TFT性能，進而提升了 TFT-IXD工作性能，延長了 TFT-IXD的使用壽命。進一步的，通過適當降低柵極工作電壓，還可以降低功耗。圖4為本發(fā)明實施例二提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖。如圖4所示，本實施例具體包括步驟201、將陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的至少一個顯示TFT的漏極電壓進行轉(zhuǎn)換，得到該至少一個顯示TFT的開態(tài)電流；步驟202、根據(jù)至少一個顯示TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；步驟203、根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓。在上述步驟201中，可以檢測陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的至少一個顯示TFT的
4漏極電壓，該顯示TFT是陣列基板上起顯示功能的TFT。本步驟可以檢測顯示區(qū)域內(nèi)任一個顯示TFT的漏極電壓，也可以檢測顯示區(qū)域內(nèi)若干個顯示TFT的漏極電壓。具體地，可以將一 V-I轉(zhuǎn)換器的輸入端與被檢測的顯示TFT的漏極連接，TFT是一個電壓源器件，V-I轉(zhuǎn)換器可以將其輸出的電壓信號轉(zhuǎn)換為電流信號，輸出的電流就是被檢測TFT的Ion。在上述步驟202中，根據(jù)至少一個顯示TFT的開態(tài)電流，利用電壓電流特性，可以獲得Vgh變換情況。具體地，可以預先設(shè)定一 Ion基準值；當檢測了一個顯示TFT時，獲取 V-I轉(zhuǎn)換器輸出的Ion信號相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變換情況；當檢測了若干個顯示TFT時，每個顯示TFT的漏極都連接一 V-I轉(zhuǎn)換器，獲取若干個V-I轉(zhuǎn)換器輸出的Ion信號的平均值，得到該Ion信號的平均值相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變換情況。在上述步驟203中，根據(jù)Vgh變化情況觸發(fā)Vgh電路使之輸出到陣列基板有效顯示區(qū)域的、控制TFT開關(guān)特性的Vgh進行相應變化。本實施例直接對陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT進行檢測，更為準確地獲取到陣列基板上顯示TFT的開態(tài)電流變化情況，進而更為準確地調(diào)整柵極工作電壓。圖5為本發(fā)明實施例三提供的柵極驅(qū)動方法的流程圖。如圖5所示，本實施例具體包括步驟301、將陣列基板上位于顯示區(qū)域外的至少一個檢測TFT的漏極電壓進行轉(zhuǎn)換，得到該至少一個檢測TFT的開態(tài)電流；步驟302、根據(jù)至少一個檢測TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；步驟303、根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓。在上述步驟301中，可以檢測陣列基板上位于顯示區(qū)域外的至少一個檢測TFT的漏極電壓，該檢測TFT是模擬陣列基板上顯示TFT工作情況的器件，其個數(shù)可以為一個或多個。具體地，可以將一 V-I轉(zhuǎn)換器的輸入端與檢測TFT的漏極連接，檢測TFT是一個電壓源器件，V-I轉(zhuǎn)換器可以將其輸出的電壓信號轉(zhuǎn)換為電流信號，輸出的電流就是被檢測TFT的 Ion0在上述步驟302中，根據(jù)至少一個檢測TFT的開態(tài)電流，利用電壓電流特性，可以獲得Vgh變換情況。具體地，可以預先設(shè)定一 Ion基準值；當檢測了一個檢測TFT時，獲取 V-I轉(zhuǎn)換器輸出的Ion信號相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變換情況；當檢測了若干個檢測TFT時，每個檢測TFT的漏極都連接一 V-I轉(zhuǎn)換器，獲取若干個V-I轉(zhuǎn)換器輸出的Ion信號的平均值，得到該Ion信號的平均值相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變換情況。在上述步驟303中，根據(jù)Vgh變化情況觸發(fā)Vgh電路使之輸出到陣列基板有效顯示區(qū)域的、控制TFT開關(guān)特性的Vgh進行相應變化。本實施例中，檢測TFT是模擬陣列基板上顯示TFT工作情況的器件，它位于顯示區(qū)域外，專門用于提供檢測功能，這樣，不會對有效顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT的正常工作產(chǎn)生影響。圖6為本發(fā)明實施例四提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本實施例包括反饋電路11以及控制電路12。其中反饋電路11用于根據(jù)陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取Vgh變化情況；控制電路12用于根據(jù)Vgh變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的Vgh。反饋電路11與控制電路12連接，當反饋電路11獲知陣列基板上至少一個TFT的 Ion增加時，在保持相同的充電率的條件下，獲取Vgh可以適當降低的變化情況；控制電路 12根據(jù)該變化情況，降低陣列基板上TFT的Vgh。本實施例提供的柵極驅(qū)動電路，反饋電路11根據(jù)陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況，控制電路12根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓，實現(xiàn)了根據(jù)開態(tài)電流適當調(diào)整TFT的柵極工作電壓，避免了因柵極工作電壓一直維持不變而帶來的各種問題，提高了 TFT-LCD工作性能。進一步的，本實施例提供的柵極驅(qū)動電路，當反饋電路11獲知陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流增加時，可以獲取柵極工作電壓適當降低的變化情況，控制電路12根據(jù)該變化情況，降低陣列基板上TFT的柵極工作電壓。這樣在保證畫面品質(zhì)不變的情況下，降低了 TFT柵極偏壓，緩解了 TFT偏移問題，提升了 TFT性能，進而提升了 TFT-LCD工作性能， 延長了 TFT-IXD的使用壽命。進一步的，通過適當降低柵極工作電壓，還可以降低功耗。圖7為本發(fā)明實施例五提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實施例在上述實施例四的基礎(chǔ)上，還包括至少一個V-I轉(zhuǎn)換器20。圖7僅示出了一個V-I轉(zhuǎn)換器的情況。反饋電路11具體用于根據(jù)陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的至少一個顯示TFT的開態(tài)電流，獲取Vgh變化情況。至少一個V-I轉(zhuǎn)換器20的輸入端與至少一個顯示TFT的漏極連接，至少一個V-I轉(zhuǎn)換器20的輸出端與反饋電路11連接。本實施例需檢測顯示區(qū)域內(nèi)任一個顯示TFT或若干個顯示TFT的開態(tài)電流，由于 TFT是一個電壓源器件，因此需要將其輸出的電壓信號轉(zhuǎn)化成電流信號，V-I轉(zhuǎn)換器20的作用就是將顯示TFT輸出的電壓信號轉(zhuǎn)化成電流信號，其得到的電流信號即為顯示TFT的Ion信號。V-I轉(zhuǎn)換器20將該Ion信號傳輸?shù)椒答侂娐?1中，反饋電路11的主要功能是根據(jù)V-I轉(zhuǎn)換器20輸出的Ion和預設(shè)的Ion基準值獲取Ion變化情況，根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變化情況。具體地，首先預先設(shè)定一 Ion基準值，反饋電路11接收到顯示TFT的Ion信號后，獲取Ion信號相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變化情況。反饋電路11的這些功能可以采用現(xiàn)有的集成電路芯片來實現(xiàn)?？刂齐娐?2根據(jù)上述反饋電路11反饋的Vgh變化情況來觸發(fā)Vgh電路使之輸出到有效顯示區(qū)域的、控制TFT開關(guān)特性的Vgh進行相應變化。控制電路12的這些功能可以采用現(xiàn)有的集成電路芯片來實現(xiàn)。本實施例直接對陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT進行檢測，更為準確地獲取到陣列基板上顯示TFT的開態(tài)電流變化情況，進而更為準確地調(diào)整柵極工作電壓。圖8為本發(fā)明實施例六提供的柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，本實施例在上述實施例四的基礎(chǔ)上，還包括位于顯示區(qū)域外的至少一個檢測TFT21和至少一個V-I 轉(zhuǎn)換器22。圖8中僅示出了一個檢測TFT和一個V-I轉(zhuǎn)換器的情況。其中，檢測TFT21的漏極與V-I轉(zhuǎn)換器22的輸入端連接，V-I轉(zhuǎn)換器22的輸出端與反饋電路11連接。反饋電路11具體用于根據(jù)至少一個檢測TFT的開態(tài)電流，獲取Vgh
6變化情況。檢測TFT21是一個與陣列基板顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT結(jié)構(gòu)相近或相同的TFT器件，它也包括柵極(g端)、源極(s端)和漏極(d端)三個電極，該檢測TFT21和顯示TFT 在同一工藝步驟中形成，即檢測TFT21各個電極的使用材料和工藝形成過程與顯示TFT相同。檢測TFT21的柵極輸入信號與顯示TFT的柵極輸入信號相近或相同，具體地，檢測TFT21 的柵極可以與陣列基板的柵線連接；檢測TFT21的柵極也可以不與陣列基板的柵線連接， 而是連接一輸出直流信號或脈沖信號的信號線，只要保證檢測TFT21的柵極輸入信號與顯示TFT的柵極輸入信號相近即可。由于檢測TFT21的結(jié)構(gòu)與顯示TFT結(jié)構(gòu)相近或相同，且加壓狀態(tài)也與顯示TFT相近或相同，這樣在TFT-IXD工作期間，檢測TFT21能真實反映顯示 TFT的工作情況。由于TFT是一個電壓源器件，因此需要將其輸出的電壓信號轉(zhuǎn)化成電流信號，本實施例中V-I轉(zhuǎn)換器22的作用就是將檢測TFT21輸出的電壓信號轉(zhuǎn)化成電流信號，其得到的電流信號即為檢測TFT21的Ion信號，檢測TFT21的Ion信號與顯示TFT的Ion信號相同或相近。V-I轉(zhuǎn)換器22將該Ion信號傳輸?shù)椒答侂娐?1中，反饋電路11的主要功能是根據(jù)V-I轉(zhuǎn)換器22輸出的Ion和預設(shè)的Ion基準值獲取Ion變化情況，根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變化情況。具體地，首先預先設(shè)定一 Ion基準值，反饋電路11接收到檢測TFT21的Ion信號后，獲取Ion信號相對于Ion基準值的變化情況，然后根據(jù)Ion變化情況及電壓電流特性，獲取Vgh變化情況。下面通過分別描述柵極驅(qū)動電路各部件的工作方式來進一步說明本實施例的技術(shù)方案。檢測TFT21 本實施例通過在TFT-IXD面板的有效顯示區(qū)域之外(包括與有效顯示區(qū)域相鄰的位置)設(shè)置一個或者多個光敏器件，該光敏器件所處的環(huán)境，包括背光光照情況、外來光光照情況、背光反射光/折射光情況、所處的溫度情況等，均與TFT-LCD面板有效顯示區(qū)域內(nèi)的TFT器件相同。該光敏器件可以為一非晶硅半導體開關(guān)器件，本實施例中具體為檢測 TFT21，檢測TFT21所處的外界條件(如上所述各條件)均與有效顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT相同。檢測TFT21的結(jié)構(gòu)與有效顯示區(qū)域內(nèi)控制像素電極充放電的顯示TFT相近或相同，以使檢測TFT21的開關(guān)特性與有效顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT的開關(guān)特性相同或成一定規(guī)律性比例關(guān)系，進而使檢測TFT21的電壓電流特性能夠直接地或者間接地反映出有效顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT的電壓電流特性。檢測TFT21的柵極可以與陣列基板的柵線連接，這樣檢測TFT21和顯示TFT的柵極輸入信號相同。檢測TFT21的柵極也可以連接一輸出直流信號或脈沖信號的信號線，具體地，直流信號可以與陣列基板上顯示TFT的柵極開啟電壓相同，脈沖信號的脈沖大小和周期均與有效顯示區(qū)域內(nèi)顯示TFT柵極輸入信號相同或相近。檢測TFT21的源極輸入信號可以為有效顯示區(qū)域內(nèi)顯示TFT源極輸入信號中的任意一個電壓，能夠反映有效顯示區(qū)域內(nèi)顯示TFT的工作性能即可。檢測TFT21的源極輸入信號可以為一直流信號，具體地，可以為有效顯示區(qū)域內(nèi)像素最高灰度的正電壓信號，在源極輸入信號中該最高灰階正電壓信號的電壓是最大的，此電壓的充電情況可以反映出像素區(qū)最壞的充電情況，如果此電壓充電沒有問題，則其他灰度下的電壓充電均沒有問題。如果為了平衡正負電壓數(shù)據(jù)信號的差異，檢測TFT21的源極輸入信號也可以為公共電壓(Vcom)， 這樣檢測TFT21的偏壓不會過大或過小。檢測TFT21的源極輸入信號也可以為一交流信號， 具體地，可以為有效顯示區(qū)域內(nèi)像素最高亮度的正負電壓灰階信號或像素最低亮度的正負電壓灰階信號。檢測TFT21的漏極與V-I轉(zhuǎn)換器22的輸入端連接，檢測TFT21的漏極輸出的信號為一電壓信號，該電壓信號反映了檢測TFT21 Ion的情況，檢測TFT21的漏極將該電壓信號輸出給V-I轉(zhuǎn)換器22。V-I 轉(zhuǎn)換器 22由于TFT是一個電壓源器件，V-I轉(zhuǎn)換器22需要將檢測TFT21輸出的電壓信號轉(zhuǎn)換為電流信號，其得到的電流信號即為檢測TFT21的Ion信號，檢測TFT21的Ion信號與顯示TFT的Ion信號相同或相近。V-I轉(zhuǎn)換器22的輸出端與反饋電路11連接，V-I轉(zhuǎn)換器22 將Ion信號輸出給反饋電路11。反饋電路11反饋電路11的作用是接收檢測TFT21的Ion信號，根據(jù)設(shè)定的電流電壓特性，獲取與Ion信號變化情況對應的Vgh變化情況。由于不同型號(這里的型號可以理解為顯示器或者電視的尺寸，型號17”S卩17英寸，型號26”即沈英寸)的像素負載不同，不同型號像素的TFT的Ion基準值也不同，因此在反饋電路11中，針對不同型號的像素，在該部分設(shè)定與之對應的Ion基準值，例如對于型號17”，其Ion基準值為3. OuA，對于型號沈”，其Ion基準值為4. OuA ；這樣，在制作型號 17”的像素時，在反饋電路11中設(shè)定Ion基準值為3. OuA ；在制作型號沈”的像素時，在反饋電路11中設(shè)定Ion基準值為4. OuA。以型號17”的像素為例，反饋電路11中預先設(shè)定的Ion基準值為3. OuA。假設(shè)反饋電路11接收到V-I轉(zhuǎn)換器22傳輸?shù)腎on信號達到4. OuA,它與Ion基準值偏差了 luA， 反饋電路11根據(jù)電壓電流特性曲線，可得出Vgh可以降低0. 5V ；如果隨著液晶工作時間的繼續(xù)增加，反饋電路11接收到Ion信號增加到5uA，它與Ion基準值偏差了 2uA，反饋電路 11根據(jù)電壓電流特性曲線，可得出Vgh可以降低IV。進一步的，反饋電路11還可以包括一 Ion基準值初始化的功能器件，該器件的主要功能是在TFT-LCD面板工作之初，檢測來自檢測TFT21的Ion信號，將該Ion信號的值自動設(shè)定為與該型號對應的Ion基準值，后續(xù)隨著TFT-LCD面板工作時間的增加，反饋電路11 根據(jù)該Ion基準值執(zhí)行與上述相同的處理方式。本實施例中反饋電路11的上述功能可以采用現(xiàn)有的集成電路芯片來實現(xiàn)。控制電路12根據(jù)上述反饋電路11反饋的Vgh變化情況來觸發(fā)Vgh電路使之輸出到有效顯示區(qū)域的、控制TFT開關(guān)特性的Vgh進行相應變化。若檢測TFT21的柵極不與陣列基板的柵線連接，反饋電路11也可將Vgh變化情況反饋到控制檢測TFT21的柵極輸入信號的電路中， 以便檢測TFT21的柵極輸入信號與液晶有效顯示區(qū)的顯示TFT的柵極信號加載情況相同， 來準確反映像素TFT的變化情況。本實施例中控制電路12的上述功能可以采用現(xiàn)有的集成電路芯片來實現(xiàn)。
本實施例中，檢測TFT是模擬陣列基板上顯示TFT工作情況的器件，它位于顯示區(qū)域外，專門用于提供檢測功能，這樣，不會對有效顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT的正常工作產(chǎn)生影響。本實施例采用了一個能真實反映像素的TFT工作性能的檢測TFT，反饋電路根據(jù)檢測TFT輸出的Ion，獲取Vgh變化情況，具體地，當檢測TFT的Ion增加時，在保持相同的充電率的條件下，反饋電路可以反饋Vgh適當降低的變化情況，控制電路根據(jù)此情況調(diào)整全部像素的TFT的Vgh，這樣在保證畫面品質(zhì)不變的情況下，通過降低Vgh來降低TFT柵極偏壓，緩解TFT偏移問題，提升了 TFT性能，進而提升了 TFT-IXD工作性能，延長了 TFT-IXD 的使用壽命。進一步的，通過適當降低Vgh，還可以降低功耗。圖9為本發(fā)明實施例七提供的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，柵極驅(qū)動電路位于液晶顯示面板31的顯示區(qū)域32之外。具體地，柵極驅(qū)動電路可以為上述實施例四或?qū)嵤├寤驅(qū)嵤├峁┑臇艠O驅(qū)動電路，圖9中示出的是實施例六提供的柵極驅(qū)動電路，它包括檢測TFT21、V-I轉(zhuǎn)換器22、 反饋電路11和控制電路12，其中V-I轉(zhuǎn)換器22、反饋電路11和控制電路12可以設(shè)置在液晶顯示面板31中的印刷電路板33上。圖9中檢測TFT21的柵極可以陣列基板上的柵線34連接，檢測TFT21的源極可以與任一列像素TFT的源極35連接，但本實施例不僅限于此，可以參照實施例六中柵極輸入信號和源極輸入信號的相關(guān)描述，建立檢測TFT21的柵極與源極與相關(guān)信號的連接關(guān)系。當液晶顯示面板中柵極驅(qū)動電路為實施例五提供的柵極驅(qū)動電路時，V-I轉(zhuǎn)換器、 反饋電路和控制電路可以設(shè)置在液晶顯示面板的印刷電路板上，V-I轉(zhuǎn)換器與顯示區(qū)域內(nèi)的顯示TFT連接。本實施例提供的液晶顯示面板包括上述實施例四或?qū)嵤├寤驅(qū)嵤├臇艠O驅(qū)動電路，在保證畫面品質(zhì)不變的情況下，通過降低Vgh來降低TFT柵極偏壓，緩解TFT偏移問題，提升了 TFT性能，進而提升了 TFT-IXD工作性能，延長了 TFT-IXD的使用壽命。進一步的，通過適當降低Vgh，還可以降低功耗。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟，而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種柵極驅(qū)動方法，其特征在于，包括根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況； 根據(jù)所述柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上薄膜晶體管的柵極工作電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動方法，其特征在于，還包括將陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的至少一個顯示薄膜晶體管的漏極電壓進行轉(zhuǎn)換，得到所述至少一個顯示薄膜晶體管的開態(tài)電流；所述根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況包括根據(jù)所述至少一個顯示薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動方法，其特征在于，還包括將陣列基板上位于顯示區(qū)域外的至少一個檢測薄膜晶體管的漏極電壓進行轉(zhuǎn)換，得到所述至少一個檢測薄膜晶體管的開態(tài)電流；所述根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況包括根據(jù)所述至少一個檢測薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況。
4.一種柵極驅(qū)動電路，其特征在于，包括反饋電路，用于根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；控制電路，用于根據(jù)所述柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上薄膜晶體管的柵極工作電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述反饋電路具體用于根據(jù)陣列基板上位于顯示區(qū)域內(nèi)的至少一個顯示薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；所述柵極驅(qū)動電路還包括至少一個電壓-電流轉(zhuǎn)換器；所述顯示薄膜晶體管的漏極與所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器的輸入端連接，所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器的輸出端與所述反饋電路連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，還包括位于顯示區(qū)域外的至少一個檢測薄膜晶體管和至少一個電壓-電流轉(zhuǎn)換器；所述檢測薄膜晶體管的漏極與所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器的輸入端連接；所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器的輸出端與所述反饋電路連接；所述反饋電路具體用于根據(jù)所述至少一個檢測薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述檢測薄膜晶體管和位于顯示區(qū)域內(nèi)的顯示薄膜晶體管在同一工藝步驟中形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述檢測薄膜晶體管的柵極與所述陣列基板的柵線連接；或者，所述檢測薄膜晶體管的柵極與輸出直流信號或脈沖信號的信號線連接。
9.一種包括上述權(quán)利要求4-8任一所述的柵極驅(qū)動電路的液晶顯示面板，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路位于所述液晶顯示面板的顯示區(qū)域外。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板，其中柵極驅(qū)動電路包括反饋電路，用于根據(jù)陣列基板上至少一個薄膜晶體管的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況；控制電路，用于根據(jù)所述柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上薄膜晶體管的柵極工作電壓。本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動方法、電路及液晶顯示面板，根據(jù)陣列基板上至少一個TFT的開態(tài)電流，獲取柵極工作電壓變化情況，然后根據(jù)柵極工作電壓變化情況，調(diào)整陣列基板上TFT的柵極工作電壓，實現(xiàn)了根據(jù)開態(tài)電流適當調(diào)整TFT的柵極工作電壓，避免了因柵極工作電壓一直維持不變而帶來的各種問題，提高了TFT-LCD工作性能。
文檔編號G02F1/133GK102236188SQ20101015891
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者馬占潔 申請人:北京京東方光電科技有限公司