專利名稱：陣列基板、液晶顯示裝置、電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及MVA(Multi-domain Vertical Alignment 多疇垂直取向)型液晶顯示裝置所具備的陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置具有對比度低、響應(yīng)速度慢、視野角窄等問題，因此，為了解決該問題，提出了各種技術(shù)。例如，被稱為垂直取向(Vertical Alignment(VA))方式的方法是對具有負(fù)介電各向異性的液晶使用垂直取向膜，在未對液晶施加電壓的情況下使液晶分子在垂直方向上取向，成為黑顯示。另一方面，在對液晶施加電壓的情況下使液晶分子水平取向，成為白顯示。 這樣，通過VA方式，當(dāng)未施加電壓時(shí)，液晶分子是垂直的，因此，可以得到漏光少、黑顯示質(zhì)量好、對比度高的顯示。另外，與TNCTwisted Nematic 扭轉(zhuǎn)向列型)方式比較，液晶分子不會成為被復(fù)雜地扭轉(zhuǎn)的配置，因此，當(dāng)施加電壓時(shí)，到液晶分子被扭轉(zhuǎn)為止的時(shí)間、即響應(yīng)速度較快。因此，該VA方式具有對比度、響應(yīng)性優(yōu)異的特性。另一方面，作為擴(kuò)展視野角的技術(shù)，例如，提出了將1個圖像元素區(qū)域分為若干部分，使液晶分子在每一部分分別朝向不同的方向來排列的多疇設(shè)計(jì)(Multi-Domain)的液晶的驅(qū)動方式。根據(jù)該方式，在各個圖像元素區(qū)域中，存在分別朝向不同的方向而排列的液晶分子，因此，視野不會限定于特定的方向。因此，可以擴(kuò)寬視野角。并且，近年來提出了將上述VA方式和多疇設(shè)計(jì)組合起來的MVA(Multi-Domain Vertical Alignment -.^M^'MMH ) *。但是，在MVA型液晶顯示裝置中，在與顯示相關(guān)的區(qū)域中也形成有取向分割裝置 (突起物、電極的切開部)，因此，存在有效顯示區(qū)域變小的傾向。因此，如果確保有效顯示區(qū)域，則產(chǎn)生難以設(shè)置較大的存儲電容的問題。而且，近年來，從起因于高精細(xì)化的點(diǎn)尺寸縮小和高開口率化的愿望出發(fā)，圖像元素電極和各信號線的距離變近(或者重疊量變大)。因此，存在圖像元素電極-數(shù)據(jù)線之間的寄生電容(Csd)相對于像素總電容變大的傾向。這樣，當(dāng)圖像元素電極-數(shù)據(jù)線之間的寄生電容變大時(shí)，產(chǎn)生陰影干擾、面板面內(nèi)的顯示不均等顯示質(zhì)量降低的問題。因此，在專利文獻(xiàn)1中，公開了如下技術(shù)如圖14所示，通過在數(shù)據(jù)線171上方的保護(hù)膜180上配置遮蔽電極88來減少圖像元素電極190-數(shù)據(jù)線171之間的寄生電容 (Csd)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本公開專利公報(bào)“特開2005-134889號公報(bào)(2005年5月沈日公開)”

發(fā)明內(nèi)容
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發(fā)明要解決的問題但是，在專利文獻(xiàn)1公開的技術(shù)中，為了防止遮蔽電極88和圖像元素電極190之間的短路，需要在遮蔽電極88和圖像元素電極190之間設(shè)置距離。因此，難以確保一個圖像元素的有效顯示區(qū)域，因此，產(chǎn)生導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低的問題。另外，需要除了圖像元素電極之外另外設(shè)置遮蔽電極，因此，產(chǎn)生難以確保陣列基板的成品率的問題。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供在MVA型液晶顯示裝置中，確保1個圖像元素的有效顯示區(qū)域來實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高且容易確保成品率的陣列基板。用于解決問題的方案為了解決上述問題，本發(fā)明是一種陣列基板，其特征在于是將1個圖像元素區(qū)域分為若干部分，使液晶分子在每一部分分別朝向不同的方向排列來驅(qū)動的多疇型液晶顯示裝置所具備的陣列基板，在絕緣性基板上，交叉配置有多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線，并且分別形成有通過開關(guān)元件連接到該掃描線和數(shù)據(jù)線的大致長方形狀的圖像元素電極，就上述圖像元素電極而言，長邊配置在與上述掃描線的延設(shè)方向相同的方向上，短邊配置在與數(shù)據(jù)線的延設(shè)方向相同的方向上，且形成有為了發(fā)揮取向分割裝置的功能而切去2個角后的切去部。根據(jù)上述構(gòu)成，圖像元素電極的長邊配置在與掃描線的延設(shè)方向相同的方向上， 短邊配置在數(shù)據(jù)線的延設(shè)方向上，由此，與圖像元素電極的長邊配置在數(shù)據(jù)線的延設(shè)方向上、短邊配置在掃描線的延設(shè)方向上的所謂縱長的圖像元素電極比較，可以縮短圖像元素電極和數(shù)據(jù)線的接近距離。由此，可以減少與圖像元素電極和數(shù)據(jù)線的接近距離成比例地變大的、在該圖像元素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的寄生電容(Csd)。而且，為了發(fā)揮取向分割裝置的功能，切去2個角，由此可以進(jìn)一步縮短上述圖像元素電極和數(shù)據(jù)線的接近距離以及圖像元素電極和掃描線的接近距離，因此，可以減少起因于該接近距離的寄生電容(CscUCgd)。在此，圖像元素電極和數(shù)據(jù)線的接近距離是指圖像元素電極的數(shù)據(jù)線側(cè)的邊中的與數(shù)據(jù)線平行的部分的邊的長度。另外，圖像元素電極和掃描線的接近距離是指圖像元素電極的掃描線側(cè)的邊中的與掃描線平行的部分的邊的長度。從上面的內(nèi)容來看，可以減少在圖像元素電極和數(shù)據(jù)線之間所產(chǎn)生的寄生電容 (Csd)、在圖像元素電極和掃描線之間所產(chǎn)生的寄生電容(Cgd)。其結(jié)果是可以不用為了降低寄生電容相對于圖像元素總電容的比例而具備較大的存儲電容。即，起到可以實(shí)現(xiàn)不減少有效顯示區(qū)域而消除陰影干擾且提高顯示質(zhì)量的效果。優(yōu)選形成于上述圖像元素電極的切去部形成在該圖像元素電極中相鄰的2個角。形成在圖像元素電極中的切去部只要是該圖像元素電極的2個角，無論是哪個角均起到上述效果、即可以降低寄生電容相對于圖像元素總電容的比例的效果，但是在設(shè)想形成具有4個取向方向的多疇的情況下，優(yōu)選形成在上述圖像元素電極中的切去部形成在該圖像元素電極中相鄰的2個角。此外，設(shè)想的多疇如果是具有2個取向方向的多疇，則形成在圖像元素電極中的2 個角的切去部可以是在該圖像元素電極中相對的2個角。上述圖像元素電極可以形成為覆蓋用于驅(qū)動相鄰的圖像元素電極的掃描線的至少一部分。
根據(jù)上述構(gòu)成，圖像元素電極形成為覆蓋用于驅(qū)動相鄰的圖像元素電極的掃描線的至少一部分，由此，與該掃描線重疊的圖像元素電極發(fā)揮針對該掃描線的電場的屏蔽電極的功能。由此，可以進(jìn)一步減少圖像元素電極和掃描線之間的寄生電容(Cgd)。上述圖像元素電極的向掃描線的重疊越多，則屏蔽的功能越強(qiáng)。在上述圖像元素電極和掃描線之間可以形成有屏蔽電極。根據(jù)上述構(gòu)成，在圖像元素電極和掃描線之間形成有屏蔽電極，由此可以屏蔽從掃描線到圖像元素電極的電場，因此，可以進(jìn)一步減少圖像元素電極和掃描線之間的寄生電容(Cgd)。上述屏蔽電極通過連接電極與上述開關(guān)元件的漏極電極連接，上述圖像元素電極除了形成有上述2個角的切去部之外，還形成有發(fā)揮取向分割裝置的功能的V字狀切開部， 上述連接電極可以配置在上述切開部的折彎部分。通常，方向不同的取向分割裝置或者其延長線所接觸的部位形成液晶取向方向不同的區(qū)域的邊界部分。在該區(qū)域中，取向方向不穩(wěn)定，或者液晶在不理想的方向上取向，因此，作為顯示區(qū)域不是優(yōu)選的。另一方面，在用漏極電極材料形成連接電極的情況下，配置了連接電極的部分不能發(fā)揮顯示區(qū)域的功能。即，如上述構(gòu)成那樣，在上述切開部的折彎部分配置連接電極，即與不能發(fā)揮顯示區(qū)域的功能(非優(yōu)選)的部分重合，由此可以防止有效顯示區(qū)域過度地減少。在上述掃描線上形成有上述圖像元素電極的切開部時(shí)，上述屏蔽電極可以沿著上述切開部的形狀配置。根據(jù)上述構(gòu)成，可以抑制在掃描線上形成有圖像元素電極的切開部的情況下所發(fā)生的取向不良。即，當(dāng)在掃描線上形成有切開部時(shí)，在電壓保持期間內(nèi)(掃描線的截止電位中)摻雜了雜質(zhì)離子，有時(shí)被摻雜的部位成為特異點(diǎn)，且成為液晶取向不良、即顯示不良。 另外，根據(jù)掃描線的電場，有時(shí)掃描線附近的液晶在非優(yōu)選的方向上取向。如上所述沿著切開部的形狀配置屏蔽電極，由此通過該屏蔽電極來屏蔽掃描線的電場，因此，可以抑制上述顯示不良。優(yōu)選在上述圖像元素電極的、沿著上述掃描線相鄰的2個角形成切去部時(shí)，該圖像元素電極的短邊側(cè)的切去距離是14 μ m以上。一般如果示出圖像元素電極彼此的距離的圖像元素間距、圖像元素電極的大小發(fā)生變化，則用于較大地取得有效顯示區(qū)域的切開部、突起部的最佳布局也會改變。特別是當(dāng)從圖像元素電極的切去部的邊緣到相對基板側(cè)的突起部投影到圖像元素電極的區(qū)域的該切去部側(cè)的邊緣為止的長度Ll過長時(shí)，存在液晶的響應(yīng)變慢的傾向，因此，在圖像元素電極較大的情況下，還可以考慮配置多個切開部、突起部的構(gòu)成。因此，為了使切去部發(fā)揮取向分割裝置的功能，需要將圖像元素電極的短邊側(cè)的切去距離L2如上所述設(shè)為例如14 μ m 以上。如果將L2設(shè)為14 μ m以上，則即使在自由地選擇響應(yīng)速度、有效顯示區(qū)域?yàn)楹线m的切開部、突起部的各種布局的情況下，也可以充分地得到圖像元素電極-數(shù)據(jù)線之間所產(chǎn)生的寄生電容(Csd)以及圖像元素電極和掃描線之間所產(chǎn)生的寄生電容(Cgd)的減少效果。隔著絕緣膜重疊形成與上述掃描線形成在同一層的存儲電容線和與上述數(shù)據(jù)線形成在同一層、且與上述開關(guān)元件的漏極電極連接的存儲電容相對電極。
根據(jù)上述構(gòu)成，隔著絕緣膜重疊形成上述存儲電容線和上述存儲電容相對電極， 由此可以形成圖像元素電極的存儲電容。由此，可以將1個圖像元素的總電容僅增加存儲電容的量，因此，可以縮小該總電容中的寄生電容的比例。即，縮小寄生電容相對于總電容的比例，由此可以抑制陰影干擾的水平下降且可以實(shí)現(xiàn)有效顯示區(qū)域的提高，因此，可以使顯示質(zhì)量提高。發(fā)明效果本發(fā)明是將1個圖像元素區(qū)域分為若干部分，使液晶分子在每一部分分別朝向不同的方向排列來驅(qū)動的多疇型液晶顯示裝置所具備的陣列基板，在絕緣性基板上，交叉配置有多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線，并且分別形成有通過開關(guān)元件連接到該掃描線和數(shù)據(jù)線的大致為長方形狀的圖像元素電極，上述圖像元素電極是長邊配置在與上述掃描線的延設(shè)方向相同的方向上，短邊配置在與上述數(shù)據(jù)線的延設(shè)方向相同的方向上，且為了發(fā)揮取向分割裝置的功能而切去2個角，由此起到可以確保1個圖像元素的有效顯示區(qū)域來實(shí)現(xiàn)提高顯示質(zhì)量的效果。


圖1是本發(fā)明的一種實(shí)施方式的陣列基板的概要平面圖。圖2是具備圖1示出的陣列基板的液晶顯示裝置的概要截面圖。圖3是在圖1示出的陣列基板中，省略了相對基板側(cè)的突起部的概要平面圖。圖4是圖3示出的AA線向視截面圖。圖5是示出相對于圖4所示截面圖的比較例(1)的構(gòu)成的液晶顯示裝置的概要截面圖。圖6是示出相對于圖4所示截面圖的比較例(2)的構(gòu)成的液晶顯示裝置的概要截面圖。圖7是示出相鄰圖像元素的重疊量和單位距離的寄生電容的關(guān)系的坐標(biāo)圖。圖8是示出相鄰圖像元素的重疊量和單位距離的寄生電容的關(guān)系的其它的坐標(biāo)圖。圖9是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的陣列基板的概要平面圖。圖10是圖9示出的BB線向視截面圖。圖11是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的陣列基板的概要平面圖。圖12是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的陣列基板的概要平面圖。圖13是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的陣列基板的概要平面圖。圖14是現(xiàn)有的液晶顯示裝置的概要截面圖。
具體實(shí)施例方式下面說明本發(fā)明的一種實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，說明將1個圖像元素區(qū)域分割為多個疇的MVA(Multidomain Vertical Alignment 多疇垂直取向)方式的液晶顯示裝置(下面，稱為MVA型液晶顯示裝置)。此外，1個圖像元素區(qū)域不是僅指相當(dāng)于直接連接到開關(guān)元件的圖像元素電極的區(qū)域。還包括通過耦合電容而與開關(guān)元件、或者連接到開關(guān)元件的圖像元素電極連接的副圖像元素電極的區(qū)域。而且，還包括將連接到開關(guān)元件的圖像元素電極和副圖像元素電極作為一體來看時(shí)的區(qū)域。本實(shí)施方式的MVA型液晶顯示裝置如圖2所示，采用如下構(gòu)成在作為第1基板的陣列基板10和作為第2基板的相對基板20之間，夾持有包括介電各向異性為負(fù)的液晶材料的液晶層30。上述陣列基板10采用如下結(jié)構(gòu)至少具備絕緣性基板11、在該絕緣性基板11上形成的層間絕緣膜12、在該層間絕緣膜12上形成的圖像元素電極13以及在上述絕緣性基板11的與層間絕緣膜12的形成面相反一側(cè)的面形成的偏光板14，雖未圖示，但是在液晶層 30側(cè)的最表面形成有垂直取向膜。在上述陣列基板10中，雖未圖示，但是形成有多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線、開關(guān)元件。此外，掃描線、數(shù)據(jù)線、開關(guān)元件的詳細(xì)內(nèi)容后述。另外，上述陣列基板10的圖像元素電極13，一部分被切開，發(fā)揮用于分割液晶取向的取向分割裝置的功能。另外，在本實(shí)施方式中，在陣列基板10的圖像元素電極13中， 形成有切去部13a，該切去部13a也發(fā)揮取向分割裝置的功能。此外，圖像元素電極13的切去部13a、切開部(13b)的詳細(xì)內(nèi)容后述。上述相對基板20采用如下結(jié)構(gòu)具備絕緣性基板21、在該絕緣性基板21上形成的相對電極22、在上述絕緣性基板21的與相對電極22的形成面相反一側(cè)的面形成的偏光板23以及在上述相對電極22上形成的作為取向分割裝置的突起部M，雖未圖示，但是在液晶層30側(cè)的最表面形成有垂直取向膜。此外，在本實(shí)施方式中，示出了作為取向分割裝置形成了作為突起狀結(jié)構(gòu)物的突起部M的例子，但是也可以使切開相對電極22所得的切開部發(fā)揮取向分割裝置的功能。突起部M的形狀不限定于圖2的形狀。例如也可以是三角形狀、梯形形狀的截面。上述陣列基板10如圖1所示，交叉設(shè)有多個數(shù)據(jù)線1和多個掃描線2，在數(shù)據(jù)線1 和掃描線2的各個交叉部形成開關(guān)元件5，圖像元素電極13連接到各開關(guān)元件5的漏極電極5a。該配線和電極采用通過與MVA型液晶顯示裝置所用的一般的陣列基板相同的方法來制造。不特別限定開關(guān)元件5的配置位置。在本實(shí)施例中，采用如下構(gòu)成對不參與顯示的區(qū)域、即數(shù)據(jù)線1與掃描線2的交叉部配置開關(guān)元件5，由此，不縮小有效顯示區(qū)域。而且，在上述陣列基板10中，隔著絕緣膜(未圖示)重疊存儲電容線3與存儲電容相對電極4來形成存儲電容，所述存儲電容線3與掃描線2形成在同一層，所述存儲電容相對電極4與數(shù)據(jù)線1形成在同一層、且與開關(guān)元件5的漏極電極fe連接。在此，在增大有效顯示區(qū)域方面優(yōu)選俯視時(shí)，形成存儲電容的存儲電容形成部6與相對基板20側(cè)的作為取向分割裝置的突起部24(在圖中用虛線記述的部件)重疊。在此，詳細(xì)說明上述圖像元素電極13。如圖1所示，上述圖像元素電極13是大致長方形狀，長邊配置在掃描線2延伸的方向上，短邊配置在數(shù)據(jù)線1延伸的方向上，與驅(qū)動的圖像元素電極13對應(yīng)的掃描線2側(cè)的2個角被切去來形成切去部13a。上述切去部13a是以與設(shè)于相對基板20側(cè)的突起部M的傾斜度大致相同(大致平行)的方式切去圖像元素電極13而得到的。因此，上述切去部13a發(fā)揮取向分割裝置的功能。另外，在上述圖像元素電極13中，除了上述切去部13a之外，還設(shè)有發(fā)揮取向分割裝置的功能的切開部13b。該切開部1 為了發(fā)揮取向分割裝置的功能，是以與上述突起部 M的傾斜度大致相同(大致平行)的方式切開圖像元素電極13而形成為大致V字狀的。而且，優(yōu)選圖像元素電極13與相鄰的圖像元素電極13所對應(yīng)的掃描線2重疊。此外，圖像元素電極13是在該掃描線2的寬度上覆蓋掃描線2而形成的。這樣，如果將用作MVA型液晶顯示裝置所需的取向分割裝置的圖像元素電極13的切開部分(切去部13a、切開部13b)的配置最佳化，則可以縮小圖像元素電極13與掃描線 2和數(shù)據(jù)線1接近的距離，可以減少寄生電容。下面，對發(fā)明的每一要點(diǎn)說明該效果。通常，在彩色顯示的液晶顯示裝置中，一般Red圖像元素、Green圖像元素以及 Blue圖像元素的至少3個圖像元素成為一組，形成大致正方形的1個像素，因此，1個圖像元素大致為長方形。在此，在數(shù)據(jù)線延伸的方向上配置圖像元素電極的長邊方向的情況下，圖像元素電極和數(shù)據(jù)線的寄生電容(Csd)變大。Csd相對于1個圖像元素的總電容Cpix (液晶電容、 存儲電容、其它寄生電容的合計(jì))的比率(=Csd/Cpix)與在圖像元素的電壓保持期間內(nèi)數(shù)據(jù)線的電位變動使液晶施加電壓所受影響的大小相關(guān)聯(lián)。具體地說，Csd/Cpix越大，則陰影干擾的程度越嚴(yán)重。近年來，由于起因于高精細(xì)化的點(diǎn)尺寸縮小和高開口率化的愿望，圖像元素電極和各信號線的距離變近(或者重疊量變大)。因此，存在Csd變大的傾向。而且，在MVA型液晶顯示裝置中，因?yàn)槿∠蚍指钛b置 (相對基板的突起狀結(jié)構(gòu)物等)，難以較大地取得有效顯示區(qū)域。因此，在高開口率成為必需的高亮度、低功耗的顯示裝置中，存在難以較大地取得存儲電容、Csd/Cpix變大的傾向。因此，根據(jù)上述構(gòu)成的陣列基板10，如圖3所示，圖像元素電極13的短邊方向配置在數(shù)據(jù)線1延伸的方向上，且成為取向分割裝置的圖像元素電極13的切去部13a配置在兩數(shù)據(jù)線1側(cè)，因此，可以縮短圖像元素電極13與數(shù)據(jù)線1的接近距離D2，可以減少Csd。例如，當(dāng)圖3示出的圖像元素間距是190. 5 μ mX63. 5 μ m，圖像元素電極13的大小為173. 5μπιΧ58. 5μπι時(shí)，圖像元素電極13與數(shù)據(jù)線1的接近距離D2為28. 25 μ m。另一方面，在縱長地配置圖像元素大小相同的圖像元素電極13的情況下，圖像元素電極13與數(shù)據(jù)線1的接近距離為173. 5 μ m。這樣，在掃描線2延伸的方向上配置圖像元素電極13的長邊、在數(shù)據(jù)線1延伸的方向上配置短邊，由此，與在數(shù)據(jù)線1延伸的方向上配置長邊、在掃描線2延伸的方向上配置短邊的縱長的圖像元素電極13相比，圖像元素電極13與數(shù)據(jù)線1的接近距離大幅度地減少為6分之1左右，Csd也與該比率對應(yīng)地減少。即，即使在具備大小相同的存儲電容的情況(相同的開口率)下，如圖3那樣配置圖像元素電極13，由此也可以提高相對于陰影干擾等的顯示質(zhì)量。此外，在橫長地配置圖像元素電極13的情況下，存在圖像元素電極13與掃描線2 的接近距離Dl變長，其寄生電容(Cgd)變大的傾向。另外，Cgd/Cpix也是對顯示質(zhì)量帶來影響的參數(shù)，具體地說，其大小成為閃爍、塊分離的原因。因此，為了減少Csd的削減所帶來的折衷(卜>一 K才7 )，在上述構(gòu)成的陣列基板10中，如圖3所示，在驅(qū)動的掃描線2側(cè)配置作為取向分割裝置的圖像元素電極13的切去部13a。由此，可以縮短圖像元素電極13與掃描線2的接近距離D1，因此，可以縮小Cdg。
但是，即使對圖像元素電極13設(shè)置作為取向分割裝置的切去部13a，當(dāng)圖像元素電極13的大小為173. 5 μ mX58. 5 μ m時(shí)，圖像元素電極13與掃描線2的接近距離D2為 113 μ m。其比縱長配置大小相同的圖像元素電極13時(shí)的圖像元素電極13與掃描線2的接近距離D2 = 58. 5μπι長。因此，在上述陣列基板10中，通過使圖像元素電極13與相鄰的掃描線2重疊，可以發(fā)揮相對于掃描線2的電場的屏蔽電極的功能。由此，縮小了圖像元素電極13和掃描線 2之間的寄生電容(Cgd)。在此，參照模擬實(shí)驗(yàn)如下所示進(jìn)行說明，所述模擬實(shí)驗(yàn)是關(guān)于使圖像元素電極13 與相鄰的掃描線2重疊，由此對掃描線2的電場存在何種程度的遮蔽效果，通過該效果可以縮小何種程度的Cgd。上述模擬實(shí)驗(yàn)的條件如表1所示。(在模擬實(shí)驗(yàn)中使用才一卜口二 7々公司的 “2din-DIM0S”)[表 1]
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其特征在于是將1個圖像元素區(qū)域分為若干部分，使液晶分子在每一部分分別朝向不同的方向排列來驅(qū)動的多疇型液晶顯示裝置所具備的陣列基板，在絕緣性基板上，交叉配置有多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線，并且分別形成有通過開關(guān)元件連接到該掃描線和數(shù)據(jù)線的大致長方形狀的圖像元素電極，就上述圖像元素電極而言，長邊配置在與上述掃描線的延設(shè)方向相同的方向上，短邊配置在與數(shù)據(jù)線的延設(shè)方向相同的方向上，且形成有為了發(fā)揮取向分割裝置的功能而切去 2個角后的切去部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于形成于上述圖像元素電極的切去部形成在該圖像元素電極中相鄰的2個角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于上述圖像元素電極形成為覆蓋用于驅(qū)動相鄰的圖像元素電極的掃描線的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于在上述圖像元素電極中，形成有發(fā)揮上述取向分割裝置的功能的切開部，并且在該切開部的邊緣部，在與液晶的取向方向大致正交的方向上形成有狹縫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于 在上述圖像元素電極和掃描線之間形成有屏蔽電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于上述屏蔽電極通過連接電極與上述開關(guān)元件的漏極電極連接， 上述圖像元素電極除了形成有上述2個角的切去部之外，還形成有發(fā)揮取向分割裝置的功能的V字狀切開部，上述連接電極配置在上述切開部的折彎部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于 在上述掃描線上形成有上述圖像元素電極的切開部時(shí)， 上述屏蔽電極沿著上述切開部的形狀配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于在沿著上述掃描線相鄰的2個角形成有上述圖像元素電極的切去部時(shí)，該圖像元素電極的短邊側(cè)的切去距離是14 μ m以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于 隔著絕緣膜重疊形成有與上述掃描線形成在同一層的存儲電容線和與上述數(shù)據(jù)線形成在同一層且與上述開關(guān)元件的漏極電極連接的存儲電容相對電極。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于具備在相對基板和陣列基板之間夾持著液晶的液晶面板， 上述陣列基板是權(quán)利要求1 9中的任1項(xiàng)所述的陣列基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于在上述相對基板中具備發(fā)揮取向分割裝置的功能的突起部，俯視時(shí)，形成在上述陣列基板的層間絕緣膜中的接觸孔和上述突起部的距離比上述接觸孔和形成在圖像元素電極中的切開部的距離短。
12. 一種電子裝置，其特征在于具備權(quán)利要求1 9中的任1項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
在本發(fā)明的陣列基板(10)中，在絕緣性基板上，交叉配置有多個掃描線(2)和多個數(shù)據(jù)線(1)，并且分別形成有通過開關(guān)元件(5)連接到該掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)的大致長方形狀的圖像元素電極(13)，就上述圖像元素電極(13)而言，長邊配置在與上述掃描線(2)的延設(shè)方向相同的方向上，短邊配置在與數(shù)據(jù)線(1)的延設(shè)方向相同的方向上，且為了發(fā)揮取向分割裝置的功能而切去2個角來形成切去部(13a)。由此，在MVA型液晶顯示裝置中，可以確保1個圖像元素的開口率來實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高，且容易確保成品率。
文檔編號G02F1/1343GK102282507SQ200980154739
公開日2011年12月14日 申請日期2009年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月13日
發(fā)明者久田祐子, 伊藤了基, 吉田昌弘, 堀內(nèi)智, 山田崇晴 申請人:夏普株式會社